JPH08321277A - 質量分析計のキャリブレーションガス導入装置 - Google Patents

質量分析計のキャリブレーションガス導入装置

Info

Publication number
JPH08321277A
JPH08321277A JP7126200A JP12620095A JPH08321277A JP H08321277 A JPH08321277 A JP H08321277A JP 7126200 A JP7126200 A JP 7126200A JP 12620095 A JP12620095 A JP 12620095A JP H08321277 A JPH08321277 A JP H08321277A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
calibration gas
mass
gas
ion source
calibration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7126200A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromichi Kiyomiya
宏道 清宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP7126200A priority Critical patent/JPH08321277A/ja
Publication of JPH08321277A publication Critical patent/JPH08321277A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】キャリブレーションガス1を真空系5に導入す
る際、キャリブレーションガス1のマススペクトルにお
ける質量数の比率を計算し、コンピュータ16により微
調整可能なバルブ4を開閉することによって、キャリブ
レーションガス1の流量を調整する。また、コンピュー
タ16に登録済みのキャリブレーションガス1の任意の
マススペクトル強度と、測定中のキャリブレーションガ
ス1の任意のマススペクトル強度を同一条件で感度比較
し、イオン源6の汚れ検知を実施する。そして、イオン
源6の汚れを検知した場合はブザー17を鳴らす。 【効果】キャリブレーションガス流量の最適化、及び質
量数補正時のキャリブレーションガス流量調整の自動
化、さらにイオン源の汚れ検知と検知器の長寿命化を図
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は質量分析計に係り、特
に、キャリブレーションガスを用いて質量数補正をする
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、エレクトロンイオン化方式による
イオン化を行う質量分析計で、質量数補正時のキャリブ
レーションガス流量の調整は、キャリブレーションガス
のマススペクトルをモニタし、任意のマススペクトル強
度が得られるようキャリブレーションガスの流量つまみ
をマニュアルで調整していた。また、特にガスクロマト
グラフィと質量分析計の組合せでは、ガスクロマトグラ
フィからのキャリヤガスが質量分析計に多量に導入され
るため、真空計でキャリブレーションガスの導入量を最
適値に調整することは困難であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、キ
ャリブレーションガスの流量をマニュアルで調整する必
要があった。しかし、キャリブレーションガスの流量が
多く、イオン量が過大であると、検知器であるエレクト
ロンマルチプライヤが汚れ、感度が短期間で低下すると
いう問題があった。また、イオン源の汚れにより、イオ
ン量が減少すると、キャリブレーションガスの感度を得
るためキャリブレーションガスを過大に導入しなければ
ならない。その結果、検知器であるエレクトロンマルチ
プライヤが汚れ、感度が短期間で低下するという問題が
あった。
【0004】本発明の目的は、 (1)キャリブレーションガス流量の最適化 (2)質量数補正時のキャリブレーションガス流量の自
動調整 (3)イオン源の汚れ検知 を図った質量分析計を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明はキャリブレーションテーブルの質量数補正
時、真空系に導入するキャリブレーションガス流量をマ
スパターンにより決定し、制御させるようにした。
【0006】
【作用】キャリブレーションテーブルの質量数補正を行
う際、真空系に導入するキャリブレーションガス流量
を、キャリブレーションガスのマスパターンにより決定
し制御する。これにより、 (1)キャリブレーションガス流量の最適化 (2)質量数補正時のキャリブレーションガス流量の自
動調整 (3)イオン源の汚れ検知 がなされる。
【0007】
【実施例】図1は質量分析計の装置のブロック図であ
る。1はキャリブレーションガスで質量分析計における
キャリブレーションテーブルの補正を行うためのガスで
ある。真空ポンプ12,13及び14を駆動し、バルブ
2及び3を開け、配管15及び真空系5内部を真空にす
る。バルブ3を閉じ、微調整可能なバルブ4を開けるこ
とにより、キャリブレーションガス1が真空系5内部に
あるイオン源6に導入される。導入されたキャリブレー
ションガス1は、イオン源6でイオン化される。イオン
化されたキャリブレーションガス1は、質量分析部7に
導入され、特定イオンを選択する。選択されたイオンは
検知器8へと導入され、データを得ることができる。イ
オン源6の電源9,質量分析部7の電源10、及び検知
器8の電源11は、コンピュータ16により制御されて
いる。
【0008】以上の構成により成り立っている質量分析
計で、キャリブレーションガス1のマススペクトル図2
の質量数197と質量数219のマススペクトル強度比
率から、キャリブレーションガス1の導入量を決定す
る。質量数197と質量数219の比率は、N:1にす
る。Nはある定数で、真空系5内部の真空度により変化
し、キャリブレーションガス1の導入量が多い場合、N
≦1となる。また、真空度が1.0×10-5Torr より低
真空の場合、質量数219のマススペクトルは、ほとん
ど出現しない。このことから、コンピュータ16には次
のプログラムが組み込まれる。キャリブレーションガス
1を真空系5に導入し、質量数197と質量数219の
出力信号を比較する。
【0009】
【数1】 質量数197の出力信号=質量数219の出力信号×N±C …(数1) の条件を満たすことにより、キャリブレーションガス1
の導入量が決定する。Cは補正定数で真空系5内部の真
空度により変化する。この条件を満たさず、
【0010】
【数2】 質量数197の出力信号>質量数219の出力信号×N±C …(数2) である場合、真空度及びキャリブレーションガス1の導
入量不足の問題が考えられる。このため微調整可能なバ
ルブ4を閉め、約5分待つ。そして再度微調整可能なバ
ルブ4を開け、キャリブレーションガス1の流量を増加
し、数1の判定をする。また、数1及び数2のいずれの
条件も満たさず、
【0011】
【数3】 質量数197の出力信号<質量数219の出力信号×N±C …(数3) である場合は、キャリブレーションガス1の導入量が過
大である。このため、微調整可能なバルブ4を閉め、キ
ャリブレーションガス1の流量を減少し、数1の判定を
する。また、コンピュータ16に登録済みのキャリブレ
ーションガス1の質量数219のマススペクトル強度
と、測定中のキャリブレーションガス1の質量数219
のマススペクトル強度を比較し、
【0012】
【数4】 登録済みの質量数219の出力信号>質量数219の出力信号×M±D …(数4) である場合、イオン源6の汚れとしてブザー17を鳴ら
す。M及びDはある定数で真空系5内部の真空度により
変化する。これらの動作を図3に示す。キャリブレーシ
ョンガス1のマスパターンにおける任意のマススペクト
ル強度でも数1,数2,数3,数4の質量数を変えるこ
とにより制御可能である。このように真空系5に導入さ
れるキャリブレーションガス1の導入量をマスパターン
により制御することによって、キャリブレーションガス
1の流量最適化、及び質量数補正時のキャリブレーショ
ンガス1の流量の自動調整、さらにイオン源6の汚れ検
知を実施する。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、キャリブレーションガ
スの導入量をキャリブレーションガスのマスパターンに
より制御することで、 (1)キャリブレーションガス流量の最適化 (2)質量数補正時のキャリブレーションガス流量の自
動調整 (3)イオン源の汚れ検知 (4)検知器の長寿命化 を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】装置全体のブロック図。
【図2】キャリブレーションガスのマススペクトル図。
【図3】自動制御のフローチャート。
【符号の説明】
1…キャリブレーションガス、2,3…バルブ、4…微
調整可能なバルブ、5…真空系、6…イオン源、7…質
量分析部、8…検知器、9…イオン源用電源、10…質
量分析部用電源、11…検知用電源、12,13,14
…真空ポンプ、15…配管、16…コンピュータ、17
…ブザー。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エレクトロンイオン化方式によるイオン化
    を行う質量分析計で、キャリブレーションガスを導入し
    質量数補正を行う際、前記キャリブレーションガスのマ
    スパターンによることを特徴とする質量分析計のキャリ
    ブレーションガス導入装置。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記キャリブレーショ
    ンガスを用いた質量数補正時にキャリブレーションガス
    流量を自動で調整する質量分析計のキャリブレーション
    ガス導入装置。
  3. 【請求項3】請求項1において、コンピュータに登録さ
    れた前記キャリブレーションガスの任意のマススペクト
    ル強度と、測定中のキャリブレーションガスの任意のマ
    ススペクトル強度を同一条件で感度比較し、イオン源の
    汚れを検知する質量分析計のキャリブレーションガス導
    入装置。
  4. 【請求項4】請求項1,請求項2または請求項3の質量
    分析計。
JP7126200A 1995-05-25 1995-05-25 質量分析計のキャリブレーションガス導入装置 Pending JPH08321277A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7126200A JPH08321277A (ja) 1995-05-25 1995-05-25 質量分析計のキャリブレーションガス導入装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7126200A JPH08321277A (ja) 1995-05-25 1995-05-25 質量分析計のキャリブレーションガス導入装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08321277A true JPH08321277A (ja) 1996-12-03

Family

ID=14929190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7126200A Pending JPH08321277A (ja) 1995-05-25 1995-05-25 質量分析計のキャリブレーションガス導入装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08321277A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112008001297T5 (de) 2007-05-15 2010-04-08 ULVAC, Inc., Chigasaki-shi Massenspektrometrieeinheit
US8115166B2 (en) 2007-04-16 2012-02-14 Ulvac, Inc. Method of controlling mass spectrometer and mass spectrometer
WO2019104450A1 (zh) * 2017-11-29 2019-06-06 兰州空间技术物理研究所 一种新型分压力质谱计校准装置及方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8115166B2 (en) 2007-04-16 2012-02-14 Ulvac, Inc. Method of controlling mass spectrometer and mass spectrometer
DE112008001297T5 (de) 2007-05-15 2010-04-08 ULVAC, Inc., Chigasaki-shi Massenspektrometrieeinheit
US8138473B2 (en) 2007-05-15 2012-03-20 Ulvac, Inc. Mass spectrometry unit
WO2019104450A1 (zh) * 2017-11-29 2019-06-06 兰州空间技术物理研究所 一种新型分压力质谱计校准装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5424558A (en) Apparatus and a method for dynamically tuning a particle sensor in response to varying process conditions
KR100190418B1 (ko) 건식 에칭 장치 및 방법
US7194821B2 (en) Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
US6779378B2 (en) Method of monitoring evaporation rate of source material in a container
US3739260A (en) Method for operating a halogen detection diode and arrangement for carrying out the method
US20050196712A1 (en) Film-processing method and film-processing apparatus
JPH08321277A (ja) 質量分析計のキャリブレーションガス導入装置
EP0122006A2 (en) System for supplying gas at controlled pressure
US20020161559A1 (en) System and method for filtering output in mass flow controllers and mass flow meters
US5951834A (en) Vacuum processing apparatus
US6117348A (en) Real time monitoring of plasma etching process
US6599759B2 (en) Method for detecting end point in plasma etching by impedance change
WO2004011895A1 (en) Pressure controlled degas system for hot cathode ionization pressure gauges
JPH0218384B2 (ja)
Houston et al. Relationship between sputter cleaning parameters and surface contaminants
JPH05249073A (ja) 炭酸ガス濃度検知装置
JP2826409B2 (ja) ドライエッチング装置
Wan et al. Electron cyclotron resonance plasma reactor for SiO2 etching: Process diagnostics, end‐point detection, and surface characterization
JP2783375B2 (ja) 原子吸光光度計
JPH09159610A (ja) 試料導入安定化機構を備えたプラズマ分析装置
US4689574A (en) Electron impact ion source for trace analysis
JPS60198726A (ja) X線露光装置の露光量調整方法と装置
JPH05121041A (ja) 高周波誘導結合プラズマ質量分析計
JP7378991B2 (ja) 反応性スパッタリング装置および成膜方法
JP3291263B2 (ja) 蛍光x線分析装置