JP2640247B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JP2640247B2 JP2640247B2 JP63223483A JP22348388A JP2640247B2 JP 2640247 B2 JP2640247 B2 JP 2640247B2 JP 63223483 A JP63223483 A JP 63223483A JP 22348388 A JP22348388 A JP 22348388A JP 2640247 B2 JP2640247 B2 JP 2640247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- sensor
- exposure
- illuminance
- output current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、Ｘ線等の高エネルギー光を利用した露光装
置に関するものである。
置に関するものである。
［従来の技術］ 従来、半導体を用いた光の照度測定方式において高い
測定精度を要求する場合には、精度上問題となる暗電流
を補正するため光源側にチョッパーを設けて光をパルス
に切り、これを照度センサーに受光させ、そのAC成分を
測定することによって、半導体センサー特有の暗電流分
を補正する方式が用いられていた。しかし、一方では、
従来の可視波長を用いた露光装置での照度測定において
は、半導体センサーを用いたとしても、その暗電流の変
動が非常に小さかったため、特に補正する必要もなく、
DC的に測定するだけで充分でもあった。
測定精度を要求する場合には、精度上問題となる暗電流
を補正するため光源側にチョッパーを設けて光をパルス
に切り、これを照度センサーに受光させ、そのAC成分を
測定することによって、半導体センサー特有の暗電流分
を補正する方式が用いられていた。しかし、一方では、
従来の可視波長を用いた露光装置での照度測定において
は、半導体センサーを用いたとしても、その暗電流の変
動が非常に小さかったため、特に補正する必要もなく、
DC的に測定するだけで充分でもあった。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、Ｘ線等のエネルギーの高い光線を用い
た露光装置において、照度を測定するために半導体セン
サーを用いた場合には、露光光の照射によって半導体セ
ンサー自体の温度が上昇し、それによって暗電流が変動
してしまい、正確な照度が得られないという不都合があ
った。
た露光装置において、照度を測定するために半導体セン
サーを用いた場合には、露光光の照射によって半導体セ
ンサー自体の温度が上昇し、それによって暗電流が変動
してしまい、正確な照度が得られないという不都合があ
った。
第４図は、半導体センサーに一定強度のＸ線を照射し
た際の時間とセンサー出力電流との関係を示したグラフ
である。同図に示すように、照射Ｘ線強度が変わらなく
ても、センサーの温度上昇により暗電流が増加し、見か
け上はＸ線強度が変わったようにみえてしまう。
た際の時間とセンサー出力電流との関係を示したグラフ
である。同図に示すように、照射Ｘ線強度が変わらなく
ても、センサーの温度上昇により暗電流が増加し、見か
け上はＸ線強度が変わったようにみえてしまう。
これをふせぐため、従来例で述べた暗電流の補正方式
を用いることもできるが、この方式ではセンサーにチョ
ッパーをつける必要があり、装置内の駆動部がその分増
えるという不都合がある。
を用いることもできるが、この方式ではセンサーにチョ
ッパーをつける必要があり、装置内の駆動部がその分増
えるという不都合がある。
本発明の目的は、上述の従来形における問題点に鑑
み、新たに駆動機構を設けることなく半導体センサーの
暗電流を補正し、高い精度で露光光の照度を測定するこ
とのできる露光装置を提供することにある。
み、新たに駆動機構を設けることなく半導体センサーの
暗電流を補正し、高い精度で露光光の照度を測定するこ
とのできる露光装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段および作用］ 上記の目的を達成するため、本発明に係る露光装置
は、光源に対して照度測定用の半導体センサーを露光シ
ャッターの後方に設置し、測定時には露光シャッターを
開閉して、このシャッターの開閉と同期させて上記半導
体センサーの出力を得、その出力を信号処理することに
より露光光の照度を算出することとしている。
は、光源に対して照度測定用の半導体センサーを露光シ
ャッターの後方に設置し、測定時には露光シャッターを
開閉して、このシャッターの開閉と同期させて上記半導
体センサーの出力を得、その出力を信号処理することに
より露光光の照度を算出することとしている。
これにより、露光装置内の駆動部の数を増やすことな
く高い測定精度を得ることを可能としたものである。
く高い測定精度を得ることを可能としたものである。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
実施例１ 第１図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光装置の構
成を表す模式図である。同図において、101はシャッタ
ー、102はシャッターの開口部、103はＸ線センサー、10
4は露光領域を規制するアパーチャー、105はアパーチャ
ーの開口部、106はＸ線露光用のマスク、107はウエハス
テージ、108はウエハ、109はシャッター制御部、110は
シャッター駆動部、111はウエハステージ駆動部、112は
センサーからの出力を読み取るための信号処理部であ
る。信号処理部112は増幅器、フィルターおよび整流回
路等からなる。
成を表す模式図である。同図において、101はシャッタ
ー、102はシャッターの開口部、103はＸ線センサー、10
4は露光領域を規制するアパーチャー、105はアパーチャ
ーの開口部、106はＸ線露光用のマスク、107はウエハス
テージ、108はウエハ、109はシャッター制御部、110は
シャッター駆動部、111はウエハステージ駆動部、112は
センサーからの出力を読み取るための信号処理部であ
る。信号処理部112は増幅器、フィルターおよび整流回
路等からなる。
Ｘ線の照度を測定する際には、まずウエハステージ10
7上のウエハ108にＸ線が照射されないように、ステージ
107をアパーチャー104の開口部外に移動する。次に、セ
ンサー103にＸ線がパルスで照射されるようにシャッタ
ー102を高速にて左右に動かす。
7上のウエハ108にＸ線が照射されないように、ステージ
107をアパーチャー104の開口部外に移動する。次に、セ
ンサー103にＸ線がパルスで照射されるようにシャッタ
ー102を高速にて左右に動かす。
これにより、センサー103からはパルス電流が得ら
れ、信号処理部112にてシャッター101の駆動周期と同期
させてAC成分を得ることによって、暗電流変動分がキャ
ンセルされ、正確なＸ線強度が測定できる。
れ、信号処理部112にてシャッター101の駆動周期と同期
させてAC成分を得ることによって、暗電流変動分がキャ
ンセルされ、正確なＸ線強度が測定できる。
実施例２ 次に、シャッターがあくまでも露光用のものであるた
め、高速の左右移動が難しい場合の測定例を示す。装置
構成は前記実施例１（第１図）と同様である。
め、高速の左右移動が難しい場合の測定例を示す。装置
構成は前記実施例１（第１図）と同様である。
第２図は、本実施例における時間とセンサー出力電流
との関係を表したグラフである。同図において、T1，T3
はシャッター101を開く時刻、T2，T4はシャッター101を
閉じる時刻を示す。
との関係を表したグラフである。同図において、T1，T3
はシャッター101を開く時刻、T2，T4はシャッター101を
閉じる時刻を示す。
以下、本実施例による照度測定の動作を説明する。ま
ずシャッター101を開く直前にセンサー103の出力電流を
測定し記憶する。これをI1とする。
ずシャッター101を開く直前にセンサー103の出力電流を
測定し記憶する。これをI1とする。
次に、シャッター101を開き直ちにセンサー103からの
出力電流を測定し記憶する。これをI2とする。この出力
電流I2と前記出力電流I1との差を求めれば、これがＸ線
強度に対応する出力電流分となるから、正確なＸ線強度
が得られることとなる。
出力電流を測定し記憶する。これをI2とする。この出力
電流I2と前記出力電流I1との差を求めれば、これがＸ線
強度に対応する出力電流分となるから、正確なＸ線強度
が得られることとなる。
本実施例においては高い測定精度の要求に応えるた
め、さらにシャッター101が開いている時に再度センサ
ー出力電流I3を測定しそれを記憶し直ちにシャッター10
1を閉じて、その直後のセンサー出力電流I4を測定す
る。ここで出力電流I3と出力電流I4の差を求めれば前記
と同様にＸ線強度に対応する正確な出力電流分を得るこ
とが出来る。
め、さらにシャッター101が開いている時に再度センサ
ー出力電流I3を測定しそれを記憶し直ちにシャッター10
1を閉じて、その直後のセンサー出力電流I4を測定す
る。ここで出力電流I3と出力電流I4の差を求めれば前記
と同様にＸ線強度に対応する正確な出力電流分を得るこ
とが出来る。
この様に、第２図においてT1，T2，T3，T4，……とシ
ャッター101を開閉する時刻の前後のセンサー103の出力
電流の差分を得て、それらの平均を求めることによっ
て、より精度の高い測定が可能となる。
ャッター101を開閉する時刻の前後のセンサー103の出力
電流の差分を得て、それらの平均を求めることによっ
て、より精度の高い測定が可能となる。
実施例３ 第３図は、第１図に示した第１の実施例の露光領域規
制アパーチャー104を補助シャッターに代えた場合の例
を示す模式図である。同図において、301は露光規制お
よび露光，非露光規制用の補助シャッター、302は補助
シャッターを動かすための駆動部である。その他第１図
と同一の付番は同一の部材を示すものとする。
制アパーチャー104を補助シャッターに代えた場合の例
を示す模式図である。同図において、301は露光規制お
よび露光，非露光規制用の補助シャッター、302は補助
シャッターを動かすための駆動部である。その他第１図
と同一の付番は同一の部材を示すものとする。
照度を測定する際には、補助シャッター301が閉じて
ウエハ108にＸ線が照射されないようにする。照射測定
方式は前記第１の実施例に述べたのと同様である。
ウエハ108にＸ線が照射されないようにする。照射測定
方式は前記第１の実施例に述べたのと同様である。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、露光用シャッ
ターを用いることにより、装置内の機構を増やすことな
く、半導体センサーの暗電流分を補正し、高い精度で露
光照度を測定可能とする効果がある。
ターを用いることにより、装置内の機構を増やすことな
く、半導体センサーの暗電流分を補正し、高い精度で露
光照度を測定可能とする効果がある。
第１図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光装置の構成
を表す模式図、 第２図は、上記実施例における時間とセンサー出力電流
との関係を表したグラフ、 第３図は、補助シャッターを用いた実施例に係るＸ線露
光装置の構成を表す模式図、 第４図は、半導体センサーに一定強度のＸ線を照射した
際の時間とセンサー出力電流との関係を示したグラフで
ある。 101…シャッター、102…シャッターの開口部、103…セ
ンサー、104…アパーチャー、105…アパーチャーの開口
部、106…露光用マスク、107…ウエハステージ、108…
ウエハ、109…シャッター制御部、110…シャッター駆動
部、111…ウエハステージ駆動部、112…信号処理部、30
1…補助シャッター、302…補助シャッター駆動部。
を表す模式図、 第２図は、上記実施例における時間とセンサー出力電流
との関係を表したグラフ、 第３図は、補助シャッターを用いた実施例に係るＸ線露
光装置の構成を表す模式図、 第４図は、半導体センサーに一定強度のＸ線を照射した
際の時間とセンサー出力電流との関係を示したグラフで
ある。 101…シャッター、102…シャッターの開口部、103…セ
ンサー、104…アパーチャー、105…アパーチャーの開口
部、106…露光用マスク、107…ウエハステージ、108…
ウエハ、109…シャッター制御部、110…シャッター駆動
部、111…ウエハステージ駆動部、112…信号処理部、30
1…補助シャッター、302…補助シャッター駆動部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下田 勇 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 鵜澤 俊一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−198726（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−37618（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】ウエハへのＸ線露光を制御するためのシャ
ッターと、光源に対して該シャッターの後方に設置した
Ｘ線検出用の半導体センサーと、該シャッターの開閉に
同期して開動作または閉動作の直前および直後の該半導
体センサーの出力信号を得て、それらの出力信号からＸ
線の照度を測定する手段とを有することを特徴とするＸ
線露光装置。 - 【請求項２】前記照度の測定時にＸ線がウエハを照射し
ないようにする手段を設けたことを特徴とする請求項１
記載の露光装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63223483A JP2640247B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 露光装置 |
| US07/401,615 US5157700A (en) | 1988-09-02 | 1989-08-31 | Exposure apparatus for controlling intensity of exposure radiation |
| DE68927430T DE68927430T2 (de) | 1988-09-02 | 1989-08-31 | Belichtungseinrichtung |
| EP89308823A EP0357425B1 (en) | 1988-09-02 | 1989-08-31 | An exposure apparatus |
| DE68929187T DE68929187T2 (de) | 1988-09-02 | 1989-08-31 | Belichtungsapparat |
| EP95202632A EP0694817B1 (en) | 1988-09-02 | 1989-08-31 | An exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63223483A JP2640247B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0272612A JPH0272612A (ja) | 1990-03-12 |
| JP2640247B2 true JP2640247B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=16798841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63223483A Expired - Fee Related JP2640247B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-08 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2640247B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198726A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置の露光量調整方法と装置 |
| JPS6337618A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | Toshiba Corp | 露光量検出回路 |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP63223483A patent/JP2640247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0272612A (ja) | 1990-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4195229A (en) | X-ray photographing apparatus | |
| US4803716A (en) | X-ray diagnostics installation for radiographs | |
| JP2729058B2 (ja) | 半導体装置の露光装置 | |
| KR0178629B1 (ko) | 노광방법 및 노광장치 | |
| JP2640247B2 (ja) | 露光装置 | |
| CA1066103A (en) | Instantaneous exposure control for vesicular film copier | |
| JPH04130710A (ja) | 露光装置 | |
| JPS62204527A (ja) | マスク露光装置 | |
| JP2955360B2 (ja) | 写真用フィルムの処理方法 | |
| US4099064A (en) | Device for pretesting originals to be copied for their copyability | |
| JPS6134252B2 (ja) | ||
| US5050196A (en) | Radiation gauge | |
| US5767951A (en) | Photographic printing apparatus | |
| JPH0286100A (ja) | 乳房ｘ線撮影装置 | |
| JPH09297091A (ja) | レーザ光強度分布補正装置 | |
| JP2843895B2 (ja) | 露光装置 | |
| US3276253A (en) | Film aperture tester | |
| JPH04361522A (ja) | シャッタ制御装置 | |
| Mulvaney et al. | Compatibility of rare earth screens with automatic exposure control systems | |
| JP2700392B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH0644080Y2 (ja) | Ｘ線管フイラメント制御回路 | |
| JPH0652699B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2874624B2 (ja) | 写真焼付装置 | |
| JPH0653111A (ja) | 露光装置 | |
| JPH03148056A (ja) | 全反射螢光ｘ線分析装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |