JP2895619B2 - 大面積且つ均一な電子ソース - Google Patents

大面積且つ均一な電子ソース

Info

Publication number
JP2895619B2
JP2895619B2 JP2500463A JP50046389A JP2895619B2 JP 2895619 B2 JP2895619 B2 JP 2895619B2 JP 2500463 A JP2500463 A JP 2500463A JP 50046389 A JP50046389 A JP 50046389A JP 2895619 B2 JP2895619 B2 JP 2895619B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
grid
target
voltage
electron beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2500463A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03503337A (ja
Inventor
リバセイ，ウイリアム・アール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EREKUTORON BIJON CORP
Original Assignee
EREKUTORON BIJON CORP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EREKUTORON BIJON CORP filed Critical EREKUTORON BIJON CORP
Publication of JPH03503337A publication Critical patent/JPH03503337A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2895619B2 publication Critical patent/JP2895619B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H01J37/077—Electron guns using discharge in gases or vapours as electron sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/025—Electron guns using a discharge in a gas or a vapour as electron source

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、広く、コーティング及び素材を曝射し処理
する電子曝射システムに関する。特に、本発明は、大面
積且つ均一な放出区域を持つ、冷陰極ガス放出電子ソー
スに関する。
制御可能で、均一で、弱い真空に対して鈍感で、且つ
寿命の長い、大面積の電子ビーム・ソースを必要とする
場合がある。従来から、電子ビームの大面積曝射を必要
とする材料処理や半導体デバイス処理に用いられる多く
の方法がある。これらの方法の多くは、電圧及び電流で
制御され、又照射される材料からのガス放出に耐えるこ
との出来る電子ビーム・ソースを必要とする。大容積の
材料の処理に用いられる電子ビームソースは多くの場合
真空窓によって隔離されており、これによって電子放出
陰極を処理材料からのガス放出から保護している。大面
積の電子透過真空窓を作ることが困難なため、これらの
システムは小いさな走査ビームを利用する。この場合、
これは広い面積を均一に走査するラスタ（raster）であ
る。高度のスループット処理を達成するためには、大面
積又は投光ビーム電子ソースを用い、基質全体を同時に
曝射すると良い。しかしながら、真空窓が無いので、こ
れらの大きな電子ソースは処理される材料からのガス放
出に対して鈍感でなければならない。
各種の大面積熱電子放出陰極が開発されている。然
し、この型のソースは寿命を長くするために良好な真空
環境を必要とし、又、大量の熱を発生し、これが処理中
の材料に有害な影響を与える。熱に敏感な材料を処理す
るためには、冷陰極が好ましい。各種の冷陰極が既に装
置化されている。大面積ガス放出ソースを利用した電子
ビームシステムがRocca氏によって米国特許4,496,449号
に開示されている。別の大面積電子曝射システム（冷陰
極使用）がHiroaka氏、米国特許4,119,688号で、この中
に、シャドウマスクを照らすパルス・グロー放電が記載
されている。然し、このパルス・グロー放電に於いて、
均一な曝射と、正確な線量制御（dose control）を得る
ことは困難である。一般的なグロー放電ソースは安定抵
抗器（ballast resistor）を必要とし、運転真空圧力に
高度に依存する。光電子放出を基礎とする別の大面積陰
極が米国特許4,554,458号に開示されており、シャドウ
マスクを照らすために特許になっていない光電子陰極を
使っている。然し、この光電子陰極は犯され易く、極度
に清浄な高真空環境を必要とする。
一般的なグロー放電法に於いては、加速電圧及び圧力
が放電を制御するために調節される。電流を顕著に変え
ること無く、又は放電を継続するために圧力を調節する
こと無く、又はこの両方を行うこと無く、加速電圧を大
幅に変更することは出来ない。ターゲットの基質がガス
放出すると、圧力が上り、ビームの流れが制御不可能に
上昇する。米国特許3,852,596号に於いて、この問題
が、照射されるターゲットから陰極を離して置き、この
２つの封入された物を差別ポンピング（differential p
umping）することによって陰極を保護する、ことによっ
て解決されている。この差別ポンピングのために、ビー
ムの通過する小いさなアパーチャを除き、２つの容積体
が物理的に分離されている。このアパーチャを出来るだ
け小さくして真空コンダクタンスを制限し、大きな圧力
差がこの２つの間で維持されるようにする。この技術は
大面積電子ビームには使うことが出来ず、この場合は、
陰極とターゲットとの間のスペースが開放され、互いに
妨げの無いようにしなければならない。
グロー放電電子ソースを制御するために差別ポンピン
グを用いた別の従来技術の実施例に於いて、Induni（He
lv.Phys.Acta 20,463,1947）は主として単一エネルギー
の電子ビームを作る手段を発明した。Induniは、ガス放
出電子ソースの電離及び加速域を、陰極をチューブの中
に封入し、小いさなアパーチャの陽極を陰極近くに置く
ようにした。この小いさなアパーチャ陽極が、陽極に向
かって加速されている電子の平均自由行程（mean free
path）よりも短い距離に置かれる。従って、加速電界に
於いては電離は行われない。陽極アパーチャを通過した
電子が大きな室に入り、この零電界空間の中でイオンを
作り出す。この小いさな陽極アパーチャ近くに、たまた
ま、吹き寄せられたこれらのイオンが、アパーチャから
突き出る加速電界に引き込まれる。この電子放出が零電
界空間の圧力を調節することによって制御される。小い
さなアパーチャが用いられるので、その真空（圧力）レ
ベルを、加速電界と電離電界との間で違えることが出来
る。これによって、加速電界区域内を高真空に保ち、高
電子エネルギー作業による高電圧の電圧破壊の発生を軽
減することが出来る。Induniの電子銃はガス放出電子ソ
ースの多くの問題を解決したけれども、これは非常に直
径が小さく且つ小いさな角度のビームを作り出し、面積
の大きいターゲットを迅速に曝射するのには不適であ
る。この特殊なソースの別の欠点は、放出流を変えるた
めには真空容器（電離域）の圧力を変える必要がある点
である。放出流の大きな変更を行うためには、圧力を大
幅に変化させなければならない。これは重大な欠点であ
って、真空システムの中の圧力を迅速且つ正確に変更又
は制御することが非常に難しいからである。Induniの陰
極の別の欠点は、これが、一定の加速電圧で作業するよ
うに設計されているにも拘らず、場合によっては、加速
電圧を連続的に変化させ、電子ビームのエネルギーがタ
ーゲットの上に入射出来るようにすることが好ましい場
合があるからである。Induniのデバイスに於いては、こ
れは、圧力の変化を大幅に且つ正確に制御して、一定の
放出流を保つ以外に方法が無い。
以上の説明によって、改良された電子ソースに対する
大きなニーズがあり、上述した従来の電子ソースの欠点
を克服しなければならない、ことが理解頂けたと思う。
特に必要とするものは、大面積、均一、冷、電子ビーム
であって、連続的に電圧を変更することが出来、且つソ
フトな真空に於いて作業することの出来るものである。
理想的には、この電子ソースは連続的に変更可能の加速
電圧を持ち、これが、半導体デバイスの製造における面
積の広い基質を迅速に処理するために用いられ、高分解
能のシャドウマスク・リソグラフィー、光抵抗キュアリ
ング又は硬化、リフトオフ・プロセスを助け、抵抗のコ
ントラストを強め、又は抵抗のパターン・ディメンショ
ン又はパターン・エッジ・プロフィルを制御するため
の、抵抗の絨毯曝射、に用いることが出来るものであ
る。本発明の目的の１つは、１から30KeV（1000電子ボ
ルト）に連続的に変更することの出来るビーム電圧を提
供し、一方、真空圧力を容易に制御することの出来る狭
い範囲に保つ如くにすることである。
本発明の別の目的は、大面積の放出域を持つ改善され
た冷陰極ガス放出ソースを提供することで、例えば、１
から８インチ直径のものである。本発明の更に別の目的
は、容易に調節することの出来る低いバイアス電圧で、
迅速且つ正確に制御することの出来る電子ソースを提供
することである。例えば、０から10ボルトで、作業真空
レベルを大幅に変更すること無く、加速電圧を連続的に
変更することの出来るデバイスを提供することである。
本発明の更に別の目的は、その全面に於いて実質的に均
一な放出を行う大面積陰極を提供することで、その放出
面が、汚染され、ポイズンされ、焼け、酸化され、たり
すること無く、電子ビームによって照射されるターゲッ
トによってガス放出されるガスのスペシーズに対して全
体的に鈍感なものである。最後に本発明の目的は、ビー
ム幅の広い電子ソースを提供することで、これが、パル
ス的よりもむしろ連続的放出モードで、弱い即ちソフト
な真空条件で、且つ、しょうしゃされるターゲットに対
し至近距離で、作業することの出来るものである。
これらの目的がすべて本発明によって達成される。以
下に本発明の要約を記載する。
発明の要約 本発明は大面積電子ソース及びその運転方法に関す
る。本発明の電子ソースは連続的に、安定して、無制限
に、弱い真空環境の中で運転することが出来る。この電
子ソースはグロー放電陰極を使用し、この陰極とその電
子を差し向けるターゲットとの間に中間グリッド陽極を
持っている。このグリッドが上記陰極によって放出され
る電子の平均自由行程よりも小さい距離上記陰極から離
れて置かれる。上記陰極からの電子放出が上記グリッド
に掛けられた低電圧で制御され、上記陰極の加速電圧が
数百ボルトから30Kv以上に連続的に変更することが出来
る。更に、上記グリッド陽極が、上記ターゲットの面に
於いては解像することが出来ない程小いさな寸法の細か
いメッシの線材で作られている。これが安価で丈夫で且
つ均一な大面積電子ビームソースを持ち、その電圧及び
電流を変えて、各種の材料及びコーティングを処理する
ことが出来る。更にこのデバイスに走査コイルを用い、
ターゲット面に於ける入射ビームの均一性を更に高める
ことが出来る。
別の実施例に於いては、可動ステージが用いられ、こ
の上のターゲット又は基質をビーム形成アパーチャの下
に移動させることが出来る。これが電子積分器と組み合
わされて、電子ビーム曝射に対する材料の感度の特徴を
示す簡単で正確なシステムを提供する。この丈夫な電子
ビームソースの別の適用例として、光抵抗を交差結合さ
せ安定化するためのキュアリングの道具にこれを使うこ
とが出来る。このシステムは又基質から取り除く必要の
ある下側のフィルムをディスラプト即ち破壊する場合の
リフトオフ処理（lift off processing）の手段に使う
ことが出来る。
以上の説明によって、本発明がグロー放電電子ソース
の１つの目覚ましい進歩を代表していることがお判りと
思う。特に、本発明は、加速電圧又は圧力に関係なく、
放出流を正確且つ容易に制御することが出来る。更に、
本発明は、従来のいかなるグロー放電電子デバイスと比
較しても、低放出流に於いてより正確に且つより均一
に、放出流を制御することが出来る。別の記述に於い
て、バイアスされたグリッドが電子放出流の制御に使わ
れていたが、電離域の外に置かれたバイアス・グリッド
を使用し、陰極に向かうイオンの流れを制御することに
よって放出を制御する点は、完全に新規な点である。
本発明のその他の特徴利点に就いては図面を用い実施
例に於いて明らかにする。
図面の簡単な説明 第１図は、本発明による新しい電子ソースの１つの実
施例を含む電子ビーム曝射装置の簡略化した平面図、 第２図は、第１図の一部分を、その作用の詳細と共
に、模式図的に示す平面図、 第３図は、本発明をシャドウマスク・リソグラフに適
用した場合を、第１図と同様に示す平面図、 第４図は、抵抗の感度を決定する曝射具として用いら
れた本発明の１つの実施例の模式図、 第５図は、リフトオフ処理法に本発明を適用した状況
を示す模式図、 第６図は、ビーム流を制御するためにフィードバック
を用いた例を、第１図と同様に示す平面図、である。
最も好ましい実施例の説明 添付した図面に示す如く、本発明は、コーティング及
び材料を曝射し、処理するために用いられる電子ソース
の分野の改良に関する。特に、本発明は、大面積の放出
面を持ち、各種の材料を処理するために電圧及び電流を
容易に調節することが出来る、新規な冷陰極ガス放出電
子ソースに関する。
本発明によって、冷陰極ガス放出電子ソースが、真空
室20と、大面積陰極22と、零電界区域38に置かれるター
ゲット又は基質30と、及び、上記ターゲット30と陰極22
との間に置かれるグリッド（メッシの細かいスクリー
ン）陽極と、を含み、この陽極と上記陰極との間の距離
が陰極から放出される電子の平均自由行程の長さよりも
小さい。後述する如く、この電子ビーム流は、グリッド
26に掛けられるバイアス電圧を変化させることによって
広い範囲で変更することが出来る。
本発明の装置は更に、グリッド26を大面積陰極22から
絶縁するする高圧絶縁体24と、真空室の外側に置かれる
陰極カバー絶縁体28と、真空室20の中の圧力を制御する
可変リークバルブ32と、陰極22に接続された可変高圧電
源29と、及びグリッド26に接続された可変低圧０〜100
ボルト電源31と、を含んでいる。
本発明の装置を運転する場合、電子ビームで曝射され
る基質がターゲット面30の上に置かれ、真空室20が大気
圧から１から200ミリバールに下げられる。正確な圧力
が、圧力を±１ミリバールの精度で制御することの出来
る可変比リークバルブ32を介して制御される。曝射が行
われる高電圧（500ボルトから30,000ボルト以上の間の
ネガティブ電圧）が高圧電源29を介して陰極22に掛けら
れる。可変電源31（例えば電流をソース（sourcing）又
はシンク（sinking）することの出来る直流給電）がグ
リッド陽極26につながれる。グリッドの電圧が陰極から
の電子放出の制御に使われる。この点に就いては第２図
で後に説明する。
電子の放出を開始するためには、陰極22とターゲット
30との間の空間のガスが電離されなければならない。こ
れは自然に発生するガンマ線によっても起こるが、その
代わりに、高圧のスパーク・ギャップによって真空室の
中で人工的に放出を開始することが出来る。この最初の
電離が起こると、＋イオン43が、グリッド26に掛けられ
ている僅かに負の電圧（０から−80ボルト）によってグ
リッド26に引き付けられる。これらの＋イオン43が陰極
22とグリッド陽極26との間の加速電界区域36に入り、陰
極に掛けられている高圧（−500から−30,000ボルト）
によって陰極面22に向かって加速される。これらの高エ
ネルギーのイオンが陰極面に衝突し、２次電子44を作り
出し、これらがグリッド26に向かって逆に加速される。
陰極面に対してほぼ直角に移動するこれらの電子の一部
はグリッド（陽極）構造体26に衝突するが、大部分はグ
リッドを通過してターゲット30に向かって移動し続け
る。これらの高エネルギーの電子が、グリッド26とター
ゲット30との間の空間にあるガス分子を電離する。
細かいメッシのグリッド26が、陰極によって放出され
る電子の平均自由行程よりも小さい距離で置かれる。従
って、グリッドと陰極との間の加速電界区域36では顕著
な電離は起きない。（一般的ガス放出デバイスに於いて
は、放出された電子が加速電界区域に於いて更に＋イオ
ンを作り出し、これらのイオンの全てが陰極に向かって
逆加速され、更に電子放出を行い、この放出がアバラン
シェ即ち電子なだれを起こし易く、不安定な高圧ブレー
クダウン状態となる。）然し、本発明に於いては、グリ
ッドの外側に作られたイオン42がグリッド26に掛けられ
た電圧によって制御される（即ち反発されたり引付けら
れたりする）。従って、放出（電子ビームの流れ）が、
グリッドの電圧を変化させることによって、非常に小さ
い流れから非常に大きな流れに亘って、連続的に制御さ
れる。この代わりに、この電子放出を可変リークバルブ
32によって行うことが出来る。これはターゲットと陰極
との間の電離区域の分子の数を上げたり下げたりするこ
とが出来る。然し、室の圧力の調節応答時間が遅いの
で、先ず圧力を調節して、ほんの僅かな放出流を作り、
次に、グリッド26のバイアス電圧を使い、放出流を迅速
且つ正確に制御するようにした方が良い。
この電子放出は、グリッド26に＋電圧を掛け、＋のグ
リッド電圧が、グリッド26とターゲット30との間の空間
に作り出された＋のイオン・スペシーズのエネルギーを
超す如くにすることによって完全にターンオフすること
が出来る。グリッドは陰極から4mm以下の距離に置くこ
とが出来ることが判った。この距離は、最低電圧（500
ボルト）及び好ましい作業真空レベルに対する電子の平
均自由行程よりも小さい。Induniが行った従来技術に於
いては、ブレークダウンを防ぐために、彼は加速電界を
高真空度にする点について努力した。
幸いにして、本発明の好ましい作業真空レベルは最高
の誘電電気力（electrical dielectric strength）の区
域内に在る。従って、グリッド−陰極ギャップを非常に
小さくして、これが所望の最低の作業加速電圧によって
決定される平均自由行程より小さくなるようにしなけれ
ばならないが、このシステムの運転される真空レベルに
於いては、真空のブレークダウン・ストレングスが、特
定のグリッド−陰極間隔に掛けられる最高の作業電圧に
よって作り出される電界よりも大きい。この低い即ちソ
フトな真空レベル（20から80ミリトール）は、安価なメ
カニカル真空ポンプによって容易に到達することが出
来、又陰極22とターゲット30とを、同じ真空環境の中
で、互いに接近して置くことが出来る。
更に、この、電子放出によってもたらされるイオン衝
撃の機構は陰極の放出面を清浄且つ均一に保つことが出
来る。この連続的イオン衝撃は、アルミニウムの如きス
パッタリング・イールドの低い陰極材料を使うことによ
って、陰極表面のスパッタリングによる腐食を起こす
が、本発明の陰極は数千時間連続使用してもその交換を
必要としない。
陰極22から放出された電子がグリッド26に向かって加
速され、グリッド及び陰極の面に対してほぼ直角に移動
する。電子の一部がグリッドによって遮られ、一部がグ
リッドによって散乱される。ターゲット30がグリッドか
ら数ミリメーターの所にあれば、電子はターゲット上に
グリッドの像を投射する。然し、ターゲットがグリッド
から例えば10から20cmの如き大きな距離46に置かれれ
ば、電子ビームが（最初の直角方向の速度及び散乱によ
って）拡散し、放出面全体に綺麗な均一な電子流密度を
形成する。第３図に示す如く、曝射室を囲む偏向コイル
34によって作り出される時間的に変化する磁界によって
ターゲットに対してビームを前後にスイープすることに
よって、ターゲットの照射を更に均一にすることが出来
る。
本発明の別の実施例はシャドウマスク・リソグラフィ
ーに使うことが出来る。第３図に示す如く、アパーチャ
・プレート即ちマスク48がグリッド26とターゲット30と
の間に、ターゲットに接して又は接近して置かれる。タ
ーゲット30に向かって移動する電子が、図に参照符号50
で示す如く、加速電界によってほぼ視準され、比較的小
いさな横方向速度を持ち、ターゲットに接近して置かれ
たシャドウマスク、例えばプレート48、が、マスク即ち
アパーチャ・ブレートを通過した電子ビーム52によって
正確に写し撮られる。この様にして描かれたリソグラフ
ィーが本発明によって行われる。
本発明の更に別の実施例に於いては、第４図に示す如
く、抵抗（レジスト）感度用具（recist sensitivity t
ool）として用いられ、形状を持ったアパーチャ54がグ
リッドとターゲットとの間に置かれる。このアパーチャ
が均一なビーム流密度を持った小いさな形状の電子ビー
ムを形成する。次に、ターゲット材料がビームの下でス
キャン即ちステップされ、基質又はターゲットの上にコ
ーティングされた電子感応の抵抗（レジスト）の中に多
数のパターンを作る。電子ビームが形状を持ったアパー
チャ54を通過し、可動スライド58の上に装着されたター
ゲットの基質56に衝突する。基質56の四角形59を曝射し
た後、スライド58が親ねじ駆動部60及びクランク62によ
って動かされる。このクランク動作が、適当なロータリ
ー・メカニカル真空フィードスルー（図示無し）によっ
て真空システムに連結される。基質56を移動させて、抵
抗の次の新しい部分61を曝射出来るようにする。多数の
曝射が異なった曝射線量または加速電圧で行われる。こ
の技術は抵抗の感度を評価する場合、非常に有効な手段
である。基質面に一連の四角形曝射を行い、各四角形が
若干異なるレベルの曝射が行われるようにすることによ
って、抵抗の感度曲線を迅速に描くことが出来る。この
ようなレジストの感度曲線の作り方は、半導体製造の分
野では良く知られている（例えば、産業図書株式会社発
行の「半導体リソグラフイ技術」の材料評価の項）。本
発明以前に於いては、これは非常に高価な電子ビームリ
ソグラフィー・システムによってのみ可能であった。本
明細書に於いて重要な点は、曝射される各形状に於いて
正確且つ均一な曝射が行われる点である。磁気偏向コイ
ル34を用い、アパーチャの上でビームを偏向させること
によって、より均一な曝射を行うことが出来ることが判
った。この偏向コイルがパターン形成アパーチャの上の
陰極放出区域の各部分をスキャンし、陰極放出の全ての
不均一性を平均化する。このアパーチャの大きさが判っ
ているので、曝射線量が、基質に達するトータルの積分
ビーム流を測定する簡単な電子積分器66で決定される。
この基質が積分器に電気的に接続されており、これがキ
ャパシタ68と、演算増幅器70と、及びボルトメータ72
と、から成っている。基質によって集められたビーム流
がフィートバック・ループを介してキャパシタ68をチャ
ージする。演算増幅器70の可逆入力74が、非可逆入力78
で示すバーチャル・アースである。増幅機出力76に於け
る電圧が、Ｄ＝EC/Aで示す線量に関係し、この場合、Ｄ
はクーロン／cm2で現す曝射線量であり、Ｅは出力76に
於ける電圧であり、Ｃはキャパシタ68のファラッドで示
すキャパシタンスであり、Ａはアパーチャ54の面積cm2
である。この線量制御方法の利点は、これがリヤルタイ
ムで実際の線量を測定する点である。従来の電子ビーム
リソグラフィー・システムに於いては、曝射線量が、曝
射時間と、実際の曝射の前後に於けるビーム流の独立し
た測定値と、によって間接的に決定される。
本発明の別の実施例は抵抗キュアリングに関するもの
である。半導体の製造に於いては、パターン・リソグラ
フィーを行った後、エッチングに先立って、抵抗層の硬
化即ちキュアリングを行わねばならない。従来法はこの
抵抗を高温にベイキングする方法が用いられる。然し、
この高温に於いて抵抗が僅かに溶け、パターン区域がゆ
がむ。抵抗の電子ビーム曝射は非熱手段によって抵抗を
交差結合及び硬化する。基質は室温で処理され、抵抗を
曝射することによって完全に交差結合され、パターンが
流れることが無い。本発明の場合、抵抗のキュアリング
は紫外線キュアリング又はベーキングより迅速で、より
丈夫な抵抗フィルムが出来る。更にこの電子ビームは20
マイクロメーターまでの非常に厚い抵抗を、30KeVでキ
ュアすることが出来、これは従来の紫外線キュアリング
システムではキュアリング出来ない厚さである。紫外線
放出が抵抗の表面層に吸収される。本発明以前、抵抗の
電子ビームキュアリングは、従来の電子ビーム・リソグ
ラフィー・システムの費用と所用時間が余りに高かった
ので、一般的に普及しなかった。本発明の場合、、上述
した如き安価な電子ソースを使用することによって、コ
レガ電子ビーム・キュアリングがベーキング又は紫外線
キュアリングの好ましい代替手段になった。
本発明の別の適用例はリソグラフィー用の容易に調節
された電子ビーム・ソースの提供に関するものである。
多くの電子ビーム・リソグラフィーに於いては、電子ビ
ームのエネルギーが非常に高い所にあり、ターンオン
（非消去）及びオフ（消去）が難しい。従来システムで
消去するためには、ビームがアパーチャから電子の光学
コラムの中に偏向される。然し、このやり方には欠点が
あり、即ち、ターゲット面のビームが消去が起きている
間に動き、書かれているパターンに好ましくないアノマ
リー即ち変則状態を引き起こす。更に、消去アパーチャ
をビームが連続的に衝撃するため、ビームを偏向させる
アパーチャの汚染とチャージングがおき、書かれている
パターンの一に誤差が生じる。本発明を実施する場合
は、従来システムより低い真空レベルで、電子放出が陽
極アパーチャ即ちグリッド26をバイアスさせることによ
って行われ、又、高エネルギーのビーム＞30KeVが、グ
リッドの電圧を僅かに（１から５ボルト）変えることに
よってターンオン及びオフすることが判った。出口アパ
ーチャ又はグリッド陽極のこの小いさな電圧はビームの
到着位置に実質的な影響を与えることが無い。このこと
によって、この電子ソースを使って高い解像度の電子ビ
ーム・リソグラフィー及びパターン・ジェネレーション
が可能となり、これと共に、集積回路デバイスを検査す
る電子ビームの如き、変形された電子ビームを必要とす
るその他のものへの適用が可能となる。
本発明の更に別の極めて有効な適用例は半導体製造に
用いられるリフトオフ処理の１つの手段として用いられ
るものである。パターン金属フィルムを沈積させる場合
のリフトオフ技術は半導体処理に於いて一般的になって
来ている。第５図に示す如く、パターンを描く基質82
が、ホトレジスト84でコーティングされ、一般的なホト
リソグラフィーを用いて曝射され、デベロープされる。
基質に沈積すべき金属が、レジスト・フィルム84の上
に、参照符号86で示す如くに、又、レジストの中にデベ
ロープされた窓の中の基質82に直接、符号88で示す如く
に、蒸着又はスパッターされる。
この方法のこの時点に於いて、残っていることは、符
号86の部分の金属の下の区域に残っていているレシスト
を溶かし、これによって区域88の金属フィルムを特定の
パターン区域にのみ残す如くにすることである。然し、
これはリフトオフ処理の中で最も困難な段階であって、
その理由は、金属フィルムがレシストを覆っているの
で、その下に横たわるレシストをソルベントで溶かすこ
とが難しいからである。この問題を解決するための１つ
の方法は、ハイパワーのレーザを用い、レシストの上の
金属フィルムを壊す方法である。然し、これより更に良
い方法は本発明による新規な電子ソースを用いる方法で
ある。大面積の電子ビームを使用することによって、下
に横たわるレシスト84を、例えば30KeVの高いエネルギ
ーで電子ビームに曝射することによって、更に溶かし易
くすることが出来る。下のレシストを溶かし易くするの
みならず、この大きな曝射（200マイクロクーロン／c
m2）が金属フィルムを発泡し易くし、次の溶解処理手順
に於いて、溶媒が下に横たわるレシストに到達し易くな
る。この方法は一般的な電子ビーム・パターン形成シス
テムでも可能であるが、これは大きな曝射線量を基質全
体に掛ける必要があって、実際的ではない。
本発明の更に別の実施例が第６図に示されている。場
合によっては、一定のビーム流を異なったビーム・エネ
ルギーで送った方が良い場合がある。例えば、レシスト
でコーティングされた上層基質は曝射又はキュアーする
が、底の層はしないほうが良い場合がある。この場合は
電子ビームのエネルギーを小さくして、電子の一部分が
レシストの上層に吸収されるようにする。上層をキュア
ーした後、レシスト層全体をキュアーするようにした方
が良い。これは電子ビームの加速電圧を上げることによ
って曝射を円錐状にし、これがレシスト層を通って基質
に浸透するようにする。この場合、加速電圧を変えても
放出流が変化しないようにした方が良い。然し、加速電
圧が増加すると、電離が進み、ビーム流が増加する。同
様に、加速電圧が低いと、電離が減り、ビーム流が減少
する。加速電圧の変化と関係なく一定ビーム流を保つ手
段が第６図に示されている。ビーム流がターゲットと電
子積分器66の間に置かれたセンス抵抗器90を介してサン
プリングされる。（この代わりに、ビームの一部分を遮
断するグリッドでビーム流をサンプリングすることも出
来る。）２つの単一ゲイン電圧従節92がセンサ抵抗器90
を介して得られた信号を緩衝し、これを調節可能のゲイ
ン94を持つ増幅器96に送る。この増幅器のアウトプット
がグリッド陽極26の電圧を制御し、ビーム流の増加によ
ってグリッドのバイアス電圧が減少し、陰極26からの放
出流が減少するようにする。増幅器96のゲインが可変抵
抗器94によって調節され、加速電圧の変化による電流の
変化がバイアス電圧の変化によって妨げられ、ターゲッ
トに到達するビーム流を一定に保つ。この代わりに、増
幅器96のアウトプットを、電圧制御された可変率リーク
バルブ98に接続し、電離区域38の圧力を上下させること
によって放出流の変化を妨げることも出来る。更に、可
変リークバルブ98及びグリッド26へのフィードバック信
号を用いて、広い範囲のビーム流制御を行うことが出来
る。
以上の説明によって、本発明が従来の電子ソースより
大幅に進歩したものであるこちが御理解頂けたものと思
う。特に、本発明の電子ソースは、容易に制御すること
の出来る電流レベルで、均一且つ大面積の電子ビームを
提供する。更に、ビームの均一性及びビーム流制御が幅
の広いビーム加速電圧範囲に亘って、且つ、比較的弱い
真空条件の下で、可能である。
以上、本発明の各種の実施例に就いて例として詳細に
説明したが、本発明の思想及び請求の範囲から逸脱する
こと無く、これを変形することが出来る。従って、本発
明は記載した請求の範囲以外の物によって限定されるこ
とが無い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 37/073 H01J 37/077 H01J 37/305 H01L 21/30

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】真空室と； 少なくとも１つの大面積表面が上記室の中の真空に暴露
    されている陰極と； 選ばれた負の電圧を上記陰極に掛け、上記真空室の中に
    置かれたターゲットに向かって電子を加速させる手段
    と； 上記陰極からある間隔を持って置かれる細かいメッシュ
    のグリッド陽極で、上記間隔が、上記陰極と上記グリッ
    ド陽極との間に掛けられる最低の選ばれた電圧に於ける
    上記陰極から出る電子の平均自由行程長を超えない、も
    のと；及び、 上記陰極からの電子放出率を制御するため、上記グリッ
    ドに電圧を掛ける手段と； を具備し、 陰極から加速される電子は、陰極に加速される真空室内
    のイオンにより射出され、また、グリッド陽極とターゲ
    ットとの間の距離は、グリッド陽極とターゲットとの間
    の真空室の領域内でイオンの衝突が生じて、この領域内
    のイオンのプラズマを維持するら充分な長さに設定され
    ている、電子放出装置。
  2. 【請求項２】上記グリッド陽極を近く、又上記ターゲッ
    トを遠くに配置することによって、上記グリッドの組織
    が上記ターゲットの上に像を作らない如くにした、請求
    項１記載の装置。
  3. 【請求項３】更に、上記陰極から放出される電子を走査
    の形で偏向させ、上記ターゲット上の上記グリッドの結
    像を減らす如くにする電磁手段を含む、請求項１記載の
    装置。
  4. 【請求項４】更に、上記真空室の中の圧力を制御し、上
    記陰極からの電子放出率を更に調節する如くにする手段
    を含む、請求項１記載の装置。
  5. 【請求項５】更に、上記真空室の圧力を制御し、電子ビ
    ーム流をそのビーム流の測定値に基づき制御する如くに
    する手段を含む、請求項４記載の装置。
  6. 【請求項６】更に、上記グリッドの電圧を変え、電子ビ
    ーム流をそのビーム流の測定値に基づき制御する如くに
    する手段を含む、請求項１記載の装置。
  7. 【請求項７】上記グリッドに電圧を掛ける手段が、プラ
    スのイオンの上記陰極への到達を防ぐことによって上記
    電子ビームを完全に遮断する電圧を掛ける手段を含む、
    請求項１記載の装置。
  8. 【請求項８】更に、上記グリッドと上記ターゲットとの
    間に置かれ、上記ターゲットの特定の区域に電子放出の
    パターンを作る如くにするアパーチャ・プレート・マス
    クを含む、請求項１記載の装置。
  9. 【請求項９】容易に制御することの出来る大断面積の電
    子ビームの製造方法で、この方法が： 真空室の中に置かれた大面積の陰極に特定の負の電圧を
    掛け、同様に上記真空室の中に置かれたターゲットに向
    かって電子を加速させ； 上記陰極からある間隔を持って置かれる細かいメッシの
    グリッド陽極に電圧を掛け、この場合、上記間隔が、上
    記陰極と上記グリッド陽極との間に掛けられる最低の選
    ばれた電圧に於ける上記陰極から出る電子の平均自由行
    程長を超えないようにし； 上記真空室の中の残留ガスの電離を開始させ、これによ
    って、正のイオンが上記陰極面に引き寄せられ、上記陰
    極からの電子放出を引き起こす如くにし； 上記グリッドの電圧を変えることによって電子放出率を
    制御し、これによって、より高い負グリッド電圧によっ
    て、より多い正イオンを上記グリッドを経て上記陰極に
    引き付け、より多くの電子を作り出す如くにする； 手順を含む、大断面積の電子ビームの製造方法。
  10. 【請求項１０】更に、走査する形で電子ビームを偏向さ
    せ、ターゲットに於けるグリッドの結像効果を少なくす
    る、手順を含む、請求項９記載の方法。
  11. 【請求項１１】更に、真空室の中の圧力を制御し、陰極
    からの電子放出率を更に調節する、手順を含む、請求項
    ９記載の方法。
  12. 【請求項１２】更に、電子ビーム流を感知し； 上記感知した流の測定値に基づき上記流を制御する； 手順を含む、請求項９記載の方法。
  13. 【請求項１３】更に、ターゲットに置かれたレジスト層
    を、陰極からの電子ビームでキュアリングする、手順を
    含む、請求項９記載の方法。
  14. 【請求項１４】更に、上記グリッドと上記ターゲットと
    の間にアパーチャ・プレート・マスクを置き、上記ター
    ゲットの特定の区域のみを電子ビームで曝射する如くに
    する、手順を含む、請求項９記載の方法。
  15. 【請求項１５】更に、上記プレートを上記電子ビームに
    対して直角に動かし、上記ターゲットの複数の区域に夫
    々異る曝射線量か加速電圧で、電子ビームを照射する、
    手順を含む、請求項14記載の方法。
  16. 【請求項１６】更に、十分な正の電圧を上記グリッドに
    掛け、電子ビームを完全に遮断する、手順を含む、請求
    項９記載の方法。
  17. 【請求項１７】更に、上記グリッドに掛ける電圧を制御
    しながら、上記電子ビームを交互にオン・オフし、上記
    ターゲットに所望の曝射パターンを与える、手順を含
    む、請求項16記載の方法。
  18. 【請求項１８】リフトオフ法に於いて、溶媒を使用する
    のに先立ち、金属層を曝射するために上記電子ビームが
    用いられる、請求項９記載の方法。
  19. 【請求項１９】残留ガス原子を含む真空室と； 上記室の真空に晒される少なくとも１つの大面積面を持
    つ陰極と； 特定の負の電圧を上記陰極に掛け、同様に上記真空室の
    中に置かれているターゲットに向かって電子ビームを上
    記陰極に近い区域から加速する手段で、これにより、上
    記陰極と上記ターゲットとの間の電離区域に形成された
    正のイオンが上記陰極に向かって加速され、電子の放出
    を招き、その電子の一部が更に電離される、ものと； 上記陰極と上記ターゲットとの間に、但し電離区域の外
    に、ある間隔を持って置かれるメッシの細かいグリッド
    陽極で、この間隔が上記陰極と上記グリッド陽極との間
    に掛けられる最低の選ばれた電圧に於ける上記陰極から
    出る電子の平均自由行程長を超えない、ものと； 上記グリッド陽極に電圧を掛け、上記陰極からの電子放
    出を制御する手段で、これによって、電離区域に形成さ
    れた正イオンが、上記グリッドを適宜バイアスさせるこ
    とによって、選択的に吸引又は反発され、電子ビーム流
    が圧力及び電子加速電圧に関係なく制御される、もの
    と； を含む、電子放出装置。
  20. 【請求項２０】上記陰極と上記陽極との間に特定の電圧
    を掛ける手段が、約500ボルトから少なくとも30,000ボ
    ルト以上の間の電圧を掛けることが出来る、請求項19記
    載の装置。
JP2500463A 1988-11-14 1989-11-14 大面積且つ均一な電子ソース Expired - Lifetime JP2895619B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/270,751 US5003178A (en) 1988-11-14 1988-11-14 Large-area uniform electron source
US270,751 1988-11-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03503337A JPH03503337A (ja) 1991-07-25
JP2895619B2 true JP2895619B2 (ja) 1999-05-24

Family

ID=23032649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2500463A Expired - Lifetime JP2895619B2 (ja) 1988-11-14 1989-11-14 大面積且つ均一な電子ソース

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5003178A (ja)
EP (1) EP0395752B1 (ja)
JP (1) JP2895619B2 (ja)
DE (1) DE68925898T2 (ja)
WO (1) WO1990005990A1 (ja)

Families Citing this family (154)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5449920A (en) * 1994-04-20 1995-09-12 Northeastern University Large area ion implantation process and apparatus
US6607991B1 (en) 1995-05-08 2003-08-19 Electron Vision Corporation Method for curing spin-on dielectric films utilizing electron beam radiation
US6652922B1 (en) * 1995-06-15 2003-11-25 Alliedsignal Inc. Electron-beam processed films for microelectronics structures
US6027663A (en) * 1995-08-28 2000-02-22 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for low energy electron enhanced etching of substrates
US5882538A (en) * 1995-08-28 1999-03-16 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for low energy electron enhanced etching of substrates
US6258287B1 (en) * 1996-08-28 2001-07-10 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for low energy electron enhanced etching of substrates in an AC or DC plasma environment
US6033587A (en) * 1996-09-20 2000-03-07 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for low energy electron enhanced etching and cleaning of substrates in the positive column of a plasma
US5962995A (en) * 1997-01-02 1999-10-05 Applied Advanced Technologies, Inc. Electron beam accelerator
US6407492B1 (en) 1997-01-02 2002-06-18 Advanced Electron Beams, Inc. Electron beam accelerator
JPH10241615A (ja) * 1997-02-25 1998-09-11 Nikon Corp 電子線露光装置
US5843537A (en) * 1997-03-07 1998-12-01 Quantum Corporation Insulator cure process for giant magnetoresistive heads
US6303733B1 (en) 1997-12-12 2001-10-16 Alliedsignal Inc. Poly(arylene ether) homopolymer compositions and methods of manufacture thereof
US6124421A (en) * 1997-12-12 2000-09-26 Alliedsignal Inc. Poly(arylene ether) compositions and methods of manufacture thereof
US5968710A (en) * 1998-02-19 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Controlled removal of electron beam curable coatings and articles formed thereby
US6545398B1 (en) * 1998-12-10 2003-04-08 Advanced Electron Beams, Inc. Electron accelerator having a wide electron beam that extends further out and is wider than the outer periphery of the device
US6361837B2 (en) 1999-01-15 2002-03-26 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for modifying and densifying a porous film
US6192897B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Euv Llc Apparatus and method for in-situ cleaning of resist outgassing windows
AU3888400A (en) * 1999-03-19 2000-10-09 Electron Vision Corporation Cluster tool for wafer processing having an electron beam exposure module
US6551926B1 (en) * 1999-06-09 2003-04-22 Electron Vision Corporation Electron beam annealing of metals, alloys, nitrides and silicides
US6509259B1 (en) * 1999-06-09 2003-01-21 Alliedsignal Inc. Process of using siloxane dielectric films in the integration of organic dielectric films in electronic devices
KR100301066B1 (ko) * 1999-08-16 2001-11-01 윤종용 비금속 도전물질로 구성된 음극판을 갖는 전자빔 조사장비
US6407399B1 (en) * 1999-09-30 2002-06-18 Electron Vision Corporation Uniformity correction for large area electron source
US6271146B1 (en) 1999-09-30 2001-08-07 Electron Vision Corporation Electron beam treatment of fluorinated silicate glass
US6458430B1 (en) * 1999-12-22 2002-10-01 Axcelis Technologies, Inc. Pretreatment process for plasma immersion ion implantation
US6426127B1 (en) 1999-12-28 2002-07-30 Electron Vision Corporation Electron beam modification of perhydrosilazane spin-on glass
US6358670B1 (en) * 1999-12-28 2002-03-19 Electron Vision Corporation Enhancement of photoresist plasma etch resistance via electron beam surface cure
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
US6582777B1 (en) * 2000-02-17 2003-06-24 Applied Materials Inc. Electron beam modification of CVD deposited low dielectric constant materials
US6291940B1 (en) 2000-06-09 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Blanker array for a multipixel electron source
US6746969B2 (en) 2000-10-20 2004-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device
US6521897B1 (en) * 2000-11-17 2003-02-18 The Regents Of The University Of California Ion beam collimating grid to reduce added defects
JP4246373B2 (ja) * 2000-11-27 2009-04-02 株式会社アドバンテスト 電子ビーム生成装置及び電子ビーム露光装置
US6589713B1 (en) 2001-01-29 2003-07-08 Advanced Micro Devices, Inc. Process for reducing the pitch of contact holes, vias, and trench structures in integrated circuits
US6518175B1 (en) 2001-01-29 2003-02-11 Advanced Micro Devices, Inc. Process for reducing critical dimensions of contact holes, vias, and trench structures in integrated circuits
US6797953B2 (en) * 2001-02-23 2004-09-28 Fei Company Electron beam system using multiple electron beams
US6630288B2 (en) 2001-03-28 2003-10-07 Advanced Micro Devices, Inc. Process for forming sub-lithographic photoresist features by modification of the photoresist surface
US6815359B2 (en) * 2001-03-28 2004-11-09 Advanced Micro Devices, Inc. Process for improving the etch stability of ultra-thin photoresist
US6653231B2 (en) 2001-03-28 2003-11-25 Advanced Micro Devices, Inc. Process for reducing the critical dimensions of integrated circuit device features
US6774365B2 (en) * 2001-03-28 2004-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. SEM inspection and analysis of patterned photoresist features
US6589709B1 (en) 2001-03-28 2003-07-08 Advanced Micro Devices, Inc. Process for preventing deformation of patterned photoresist features
US6716571B2 (en) 2001-03-28 2004-04-06 Advanced Micro Devices, Inc. Selective photoresist hardening to facilitate lateral trimming
US6828259B2 (en) 2001-03-28 2004-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Enhanced transistor gate using E-beam radiation
US6647995B1 (en) * 2001-06-27 2003-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for eliminating post etch residues
US7546016B2 (en) * 2001-06-28 2009-06-09 E-Beam & Light, Inc. Optical elements formed by inducing changes in the index of refraction by utilizing electron beam radiation
US7026634B2 (en) * 2001-06-28 2006-04-11 E-Beam & Light, Inc. Method and apparatus for forming optical materials and devices
US20060011863A1 (en) * 2001-06-28 2006-01-19 E-Beam & Light, Inc. Electron beam method and apparatus for improved melt point temperatures and optical clarity of halogenated optical materials
US7253425B2 (en) * 2001-06-28 2007-08-07 E-Beam & Light, Inc. Method and apparatus for forming optical elements by inducing changes in the index of refraction by utilizing electron beam radiation
US7372052B2 (en) * 2001-06-28 2008-05-13 C-Beam & Light, Inc. Electron beam method and apparatus for reducing or patterning the birefringence of halogenated optical materials
US6750461B2 (en) * 2001-10-03 2004-06-15 Si Diamond Technology, Inc. Large area electron source
US6753129B2 (en) 2001-12-07 2004-06-22 Applied Materials Inc. Method and apparatus for modification of chemically amplified photoresist by electron beam exposure
US6890850B2 (en) * 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US6838393B2 (en) * 2001-12-14 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide
US7091137B2 (en) * 2001-12-14 2006-08-15 Applied Materials Bi-layer approach for a hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US20030119203A1 (en) * 2001-12-24 2003-06-26 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Lateral flow assay devices and methods for conducting assays
US8367013B2 (en) * 2001-12-24 2013-02-05 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Reading device, method, and system for conducting lateral flow assays
JP3842159B2 (ja) * 2002-03-26 2006-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 ドーピング装置
US20030211244A1 (en) * 2002-04-11 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric
US6815373B2 (en) * 2002-04-16 2004-11-09 Applied Materials Inc. Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films
US20040266123A1 (en) * 2002-05-08 2004-12-30 Applied Materials, Inc. Electron beam treatment of SixNy films
US7060330B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-13 Applied Materials, Inc. Method for forming ultra low k films using electron beam
US7056560B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-06 Applies Materials Inc. Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
US6936551B2 (en) * 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
US7323399B2 (en) * 2002-05-08 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Clean process for an electron beam source
US20040101632A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Applied Materials, Inc. Method for curing low dielectric constant film by electron beam
US6989227B2 (en) 2002-06-07 2006-01-24 Applied Materials Inc. E-beam curable resist and process for e-beam curing the resist
US7432105B2 (en) * 2002-08-27 2008-10-07 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Self-calibration system for a magnetic binding assay
US7314763B2 (en) 2002-08-27 2008-01-01 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Fluidics-based assay devices
US7285424B2 (en) 2002-08-27 2007-10-23 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Membrane-based assay devices
US6822395B2 (en) * 2002-09-03 2004-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Devices for controlling electron emission in plasma flood system
US7749563B2 (en) * 2002-10-07 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Two-layer film for next generation damascene barrier application with good oxidation resistance
US6808600B2 (en) * 2002-11-08 2004-10-26 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method for enhancing the softness of paper-based products
US6831284B2 (en) * 2002-11-21 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Large area source for uniform electron beam generation
US7781172B2 (en) * 2003-11-21 2010-08-24 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method for extending the dynamic detection range of assay devices
US6906788B2 (en) * 2002-11-22 2005-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus with multiple suppression meshes
US20040106190A1 (en) * 2002-12-03 2004-06-03 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Flow-through assay devices
US7247500B2 (en) * 2002-12-19 2007-07-24 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Reduction of the hook effect in membrane-based assay devices
US6790788B2 (en) * 2003-01-13 2004-09-14 Applied Materials Inc. Method of improving stability in low k barrier layers
US20040152239A1 (en) * 2003-01-21 2004-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interface improvement by electron beam process
US6900001B2 (en) * 2003-01-31 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Method for modifying resist images by electron beam exposure
US6897163B2 (en) * 2003-01-31 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Method for depositing a low dielectric constant film
US7011890B2 (en) * 2003-03-03 2006-03-14 Applied Materials Inc. Modulated/composited CVD low-k films with improved mechanical and electrical properties for nanoelectronic devices
US20050260420A1 (en) * 2003-04-01 2005-11-24 Collins Martha J Low dielectric materials and methods for making same
US20040197819A1 (en) * 2003-04-03 2004-10-07 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Assay devices that utilize hollow particles
US7851209B2 (en) 2003-04-03 2010-12-14 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Reduction of the hook effect in assay devices
US6693050B1 (en) 2003-05-06 2004-02-17 Applied Materials Inc. Gapfill process using a combination of spin-on-glass deposition and chemical vapor deposition techniques
US6878644B2 (en) * 2003-05-06 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Multistep cure technique for spin-on-glass films
US6975073B2 (en) * 2003-05-19 2005-12-13 George Wakalopulos Ion plasma beam generating device
US7012268B2 (en) * 2003-05-21 2006-03-14 Asm Japan K.K. Gas-shield electron-beam gun for thin-film curing application
US20040253378A1 (en) * 2003-06-12 2004-12-16 Applied Materials, Inc. Stress reduction of SIOC low k film by addition of alkylenes to OMCTS based processes
US7754197B2 (en) 2003-10-16 2010-07-13 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method for reducing odor using coordinated polydentate compounds
US7049606B2 (en) * 2003-10-30 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Electron beam treatment apparatus
CA2543666A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-12 Ventracor Limited Plasma immersion ion implantation using conductive mesh
US7713748B2 (en) * 2003-11-21 2010-05-11 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method of reducing the sensitivity of assay devices
US20050112703A1 (en) * 2003-11-21 2005-05-26 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Membrane-based lateral flow assay devices that utilize phosphorescent detection
US7943395B2 (en) * 2003-11-21 2011-05-17 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Extension of the dynamic detection range of assay devices
US20050127552A1 (en) * 2003-12-11 2005-06-16 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method for forming an elastomeric article
US20050132466A1 (en) * 2003-12-11 2005-06-23 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Elastomeric glove coating
US20050136550A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Flow control of electrochemical-based assay devices
US7943089B2 (en) * 2003-12-19 2011-05-17 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Laminated assay devices
US7790583B2 (en) * 2004-02-20 2010-09-07 Applied Materials, Inc. Clean process for an electron beam source
US7045798B2 (en) * 2004-02-20 2006-05-16 Applied Materials, Inc. Characterizing an electron beam treatment apparatus
US7049612B2 (en) * 2004-03-02 2006-05-23 Applied Materials Electron beam treatment apparatus
US20050214457A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Applied Materials, Inc. Deposition of low dielectric constant films by N2O addition
US20050224722A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing charge density on a dielectric coated substrate after exposure to large area electron beam
US7547643B2 (en) 2004-03-31 2009-06-16 Applied Materials, Inc. Techniques promoting adhesion of porous low K film to underlying barrier layer
US20050227502A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Applied Materials, Inc. Method for forming an ultra low dielectric film by forming an organosilicon matrix and large porogens as a template for increased porosity
US20050233555A1 (en) * 2004-04-19 2005-10-20 Nagarajan Rajagopalan Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials
US7229911B2 (en) * 2004-04-19 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials
US7018941B2 (en) 2004-04-21 2006-03-28 Applied Materials, Inc. Post treatment of low k dielectric films
US7075093B2 (en) 2004-05-12 2006-07-11 Gorski Richard M Parallel multi-electron beam lithography for IC fabrication with precise X-Y translation
US20050277302A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Nguyen Son V Advanced low dielectric constant barrier layers
US7229041B2 (en) * 2004-06-30 2007-06-12 Ohio Central Steel Company Lifting lid crusher
US7521226B2 (en) * 2004-06-30 2009-04-21 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. One-step enzymatic and amine detection technique
US7288205B2 (en) 2004-07-09 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US7588803B2 (en) * 2005-02-01 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Multi step ebeam process for modifying dielectric materials
US20060228889A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-12 Edelberg Erik A Methods of removing resist from substrates in resist stripping chambers
US20060289795A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-28 Dubois Dale R Vacuum reaction chamber with x-lamp heater
US7777197B2 (en) 2005-06-02 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Vacuum reaction chamber with x-lamp heater
US8092641B1 (en) * 2005-08-08 2012-01-10 Hermes-Microvision, Inc. System and method for removing organic residue from a charged particle beam system
US7678586B2 (en) * 2005-12-08 2010-03-16 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Structure and method to prevent charge damage from e-beam curing process
US20070134435A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Ahn Sang H Method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films
US7407736B2 (en) * 2006-01-31 2008-08-05 International Business Machines Corporation Methods of improving single layer resist patterning scheme
US7851384B2 (en) * 2006-06-01 2010-12-14 Applied Materials, Inc. Method to mitigate impact of UV and E-beam exposure on semiconductor device film properties by use of a bilayer film
US7585382B2 (en) * 2006-06-30 2009-09-08 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Latent elastic nonwoven composite
US7297376B1 (en) 2006-07-07 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Method to reduce gas-phase reactions in a PECVD process with silicon and organic precursors to deposit defect-free initial layers
US7582178B2 (en) * 2006-11-22 2009-09-01 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Nonwoven-film composite with latent elasticity
US7938921B2 (en) * 2006-11-22 2011-05-10 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Strand composite having latent elasticity
US7935538B2 (en) * 2006-12-15 2011-05-03 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Indicator immobilization on assay devices
US7785496B1 (en) 2007-01-26 2010-08-31 Clemson University Research Foundation Electrochromic inks including conducting polymer colloidal nanocomposites, devices including the electrochromic inks and methods of forming same
US7910795B2 (en) * 2007-03-09 2011-03-22 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Absorbent article containing a crosslinked elastic film
US7923392B2 (en) * 2007-10-16 2011-04-12 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Crosslinked elastic material formed from a branched block copolymer
US7923391B2 (en) * 2007-10-16 2011-04-12 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Nonwoven web material containing crosslinked elastic component formed from a pentablock copolymer
US8349963B2 (en) 2007-10-16 2013-01-08 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Crosslinked elastic material formed from a linear block copolymer
US8399368B2 (en) * 2007-10-16 2013-03-19 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Nonwoven web material containing a crosslinked elastic component formed from a linear block copolymer
US8134042B2 (en) * 2007-12-14 2012-03-13 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Wetness sensors
US20090157024A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Hydration Test Devices
US7867358B2 (en) 2008-04-30 2011-01-11 Xyleco, Inc. Paper products and methods and systems for manufacturing such products
AU2013202841B2 (en) * 2008-04-30 2015-05-07 Xyleco, Inc. Paper products and methods and systems for manufacturing such products
US8709191B2 (en) 2008-05-15 2014-04-29 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Latent elastic composite formed from a multi-layered film
US20090325440A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Thomas Oomman P Films and film laminates with relatively high machine direction modulus
US8222476B2 (en) 2008-10-31 2012-07-17 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Absorbent articles with impending leakage sensors
US20100290948A1 (en) * 2009-05-15 2010-11-18 Xuedong Song Absorbent articles capable of indicating the presence of urinary tract infections
US8623292B2 (en) 2010-08-17 2014-01-07 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Dehydration sensors with ion-responsive and charged polymeric surfactants
US8604129B2 (en) 2010-12-30 2013-12-10 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Sheet materials containing S-B-S and S-I/B-S copolymers
US9129777B2 (en) * 2011-10-20 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Electron beam plasma source with arrayed plasma sources for uniform plasma generation
US8951384B2 (en) 2011-10-20 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Electron beam plasma source with segmented beam dump for uniform plasma generation
US20130098552A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Applied Materials, Inc. E-beam plasma source with profiled e-beam extraction grid for uniform plasma generation
US20130098553A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Applied Materials, Inc. Electron beam plasma source with profiled chamber wall for uniform plasma generation
US8894805B2 (en) 2011-10-20 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Electron beam plasma source with profiled magnet shield for uniform plasma generation
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
KR102587532B1 (ko) 2015-02-27 2023-10-11 킴벌리-클라크 월드와이드, 인크. 흡수 용품 누설 평가 시스템
US9896576B2 (en) 2015-10-29 2018-02-20 Celanese EVA Performance Polymers Corporation Medical tube
KR102099784B1 (ko) 2017-04-05 2020-04-10 킴벌리-클라크 월드와이드, 인크. 흡수 용품 누출 검출 의복 및 이를 이용한 흡수 용품 누출 검출 방법
CN117690774B (zh) * 2024-02-04 2024-04-16 上海邦芯半导体科技有限公司 一种降低刻蚀不均匀度的icp装置及调节方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3013154A (en) * 1958-11-14 1961-12-12 High Voltage Engineering Corp Method of and apparatus for irradiating matter with high energy electrons
US3515663A (en) * 1968-02-01 1970-06-02 Hewlett Packard Co Triode sputtering apparatus using an electron emitter
US3831052A (en) * 1973-05-25 1974-08-20 Hughes Aircraft Co Hollow cathode gas discharge device
US3924136A (en) * 1975-02-18 1975-12-02 Stanford Research Inst Charged particle apodized pattern imaging and exposure system
US3970892A (en) * 1975-05-19 1976-07-20 Hughes Aircraft Company Ion plasma electron gun
IT1068535B (it) * 1975-11-03 1985-03-21 Ibm Apparecchio e processo elettrolito grafico
US4025818A (en) * 1976-04-20 1977-05-24 Hughes Aircraft Company Wire ion plasma electron gun
US4087695A (en) * 1977-01-17 1978-05-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method for producing optical baffling material using pulsed electron beams
US4087698A (en) * 1977-04-22 1978-05-02 Franklin W. Baumgartner Alternating current power generating system
DE2737852C2 (de) * 1977-08-23 1982-04-22 Bruker - Franzen Analytik GmbH, 2800 Bremen Ionenquellen zur chemischen Ionisierung
US4194123A (en) * 1978-05-12 1980-03-18 Rockwell International Corporation Lithographic apparatus
CH636647A5 (de) * 1979-02-01 1983-06-15 Balzers Hochvakuum Vakuumbedampfungsanlage.
WO1981003104A1 (en) * 1980-04-25 1981-10-29 A Ivanov Device for irradiating objects with electron beams
FR2504727A1 (fr) * 1981-04-28 1982-10-29 Commissariat Energie Atomique Dispositif de traitement d'un echantillon par faisceau electronique impulsionnel
US4570106A (en) * 1982-02-18 1986-02-11 Elscint, Inc. Plasma electron source for cold-cathode discharge device or the like
US4710283A (en) * 1984-01-30 1987-12-01 Denton Vacuum Inc. Cold cathode ion beam source
US4755722A (en) * 1984-04-02 1988-07-05 Rpc Industries Ion plasma electron gun
US4694222A (en) * 1984-04-02 1987-09-15 Rpc Industries Ion plasma electron gun
US4645978A (en) * 1984-06-18 1987-02-24 Hughes Aircraft Company Radial geometry electron beam controlled switch utilizing wire-ion-plasma electron source
US4642522A (en) * 1984-06-18 1987-02-10 Hughes Aircraft Company Wire-ion-plasma electron gun employing auxiliary grid
US4539217A (en) * 1984-06-27 1985-09-03 Eaton Corporation Dose control method
FR2569009B1 (fr) * 1984-08-09 1987-01-09 Centre Nat Rech Scient Procede de determination de spectre de masse par temps de vol et spectrometre mettant en oeuvre ce procede
JPS6212059A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Matsushita Electric Works Ltd 光放射電子管
JPS6276137A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Hitachi Ltd イオン源
JPS62163253A (ja) * 1986-01-14 1987-07-20 Matsushita Electric Works Ltd 光放射電子管
JPS62163254A (ja) * 1986-01-14 1987-07-20 Matsushita Electric Works Ltd 光放射電子管
US4737688A (en) * 1986-07-22 1988-04-12 Applied Electron Corporation Wide area source of multiply ionized atomic or molecular species
US4767931A (en) * 1986-12-17 1988-08-30 Hitachi, Ltd. Ion beam apparatus
US4721885A (en) * 1987-02-11 1988-01-26 Sri International Very high speed integrated microelectronic tubes
US4742232A (en) * 1987-03-03 1988-05-03 United States Of America As Represented By The Adminstrator, National Aeronautics And Space Administration Ion generator and ion application system
US4749911A (en) * 1987-03-30 1988-06-07 Rpc Industries Ion plasma electron gun with dose rate control via amplitude modulation of the plasma discharge
US4786844A (en) * 1987-03-30 1988-11-22 Rpc Industries Wire ion plasma gun
GB8826463D0 (en) * 1988-11-11 1988-12-14 Rca Licensing Corp Technique for actv side-panel noise reduction

Also Published As

Publication number Publication date
WO1990005990A1 (en) 1990-05-31
EP0395752B1 (en) 1996-03-06
US5003178A (en) 1991-03-26
JPH03503337A (ja) 1991-07-25
EP0395752A4 (en) 1991-10-30
EP0395752A1 (en) 1990-11-07
DE68925898D1 (de) 1996-04-11
DE68925898T2 (de) 1996-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2895619B2 (ja) 大面積且つ均一な電子ソース
US6407399B1 (en) Uniformity correction for large area electron source
US7425716B2 (en) Method and apparatus for reducing charge density on a dielectric coated substrate after exposure to a large area electron beam
JP4470127B2 (ja) イオン注入装置及びイオンを注入する方法
JP5241195B2 (ja) 荷電粒子露光装置
US4675530A (en) Charge density detector for beam implantation
US4465934A (en) Parallel charged particle beam exposure system
EP0797236A2 (en) A charged particle beam exposure method and an apparatus therefor
JP2004504691A (ja) Ｇｃｉｂサイズ診断および加工品処理
JP2000106125A (ja) イオン注入に使用する方法及びそのためのイオン注入装置
US4085330A (en) Focused ion beam mask maker
RU2653581C2 (ru) Способ и устройство для направления пучка нейтральных частиц
US5138169A (en) Method and apparatus for irradiating low-energy electrons
US6525317B1 (en) Reduction of charging effect and carbon deposition caused by electron beam devices
KR20090046933A (ko) 전자 빔 치수 측정 장치 및 전자 빔 치수 측정 방법
KR102652202B1 (ko) 대전 입자 소스 및 후방산란을 이용한 대전 입자 소스를 세정하는 방법
JPH01159955A (ja) 電子イメージプロジェクタ
JP3340468B2 (ja) 電子線露光装置及び電子線露光方法
JP3155570B2 (ja) 収束イオンビーム質量分析方法及び収束イオンビーム質量分析複合装置
WO1982002623A1 (en) Parallel charged particle beam exposure system
JPS61124568A (ja) イオンビ−ムスパツタ装置
JPH0745595A (ja) 半導体装置のパターニング方法
JPS6134844A (ja) 中性微細ビ−ムの照射装置
Bernshteyn High speed electron-beam dose modulation by electrostatic quadra-deflection
JP2001196296A (ja) 荷電粒子ビーム露光装置