JPH0658728B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0658728B2 JPH0658728B2 JP60237227A JP23722785A JPH0658728B2 JP H0658728 B2 JPH0658728 B2 JP H0658728B2 JP 60237227 A JP60237227 A JP 60237227A JP 23722785 A JP23722785 A JP 23722785A JP H0658728 B2 JPH0658728 B2 JP H0658728B2
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- Japan
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- magnetic head
- thin film
- insulating layer
- magnetic core
- layer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、摺動耐久性の良好な薄膜磁気ヘッドに関す
る。
る。
薄膜磁気ヘッドとして、例えば、ＩＢＭ Disk Storage
Technology,page 6，Feb.，1980，におけるRobert E.
Jones，Jr.による“IBM 3370 Film Head Design and Fa
brication”と題する文献に示された構造のものが知ら
れている。このタイプの磁気ヘッドは、いわゆるウイン
チェスター型ディスク装置に用いられるもので、磁気ヘ
ッドは記録媒体（この場合はディスク）と非接触、すな
わちディスクが高速で回転しているために磁気ヘッドは
ディスク表面から0.3〜0.4μｍ浮上している。このよう
な用い方をするため、磁気ヘッドの走行摩耗は特に問題
とならず、いわゆるギャップデプスは１μｍ前後あれば
摩耗寿命という問題はほとんどない。それ故、このよう
な磁気ヘッドでは、磁気コアの厚さを２〜３μｍと薄く
しても磁気コアの飽和現象は生ぜず、むしろこのような
コア厚により磁気ヘッドの周波数特性を若干改善できる
ことから、２〜３μｍ厚の磁気コアを積極的に利用して
いる。この種の磁気ヘッドは上部と下部の二つのコアか
ら成り、そのトラック幅は上部コアのパターニングによ
り規制されるが、コア厚が３μｍ以下と薄いため、たと
えばトラック幅を±２μｍ以下の精度で加工するとして
も製作工程上特に問題とはならない。一方、このような
薄膜磁気ヘッドをＶＴＲのように磁気ヘッドと記録媒体
とが接触して高速度（5.6m/sec等）で走行するシステム
に導入しようとすると、磁気ヘッドの摩耗という重大な
問題が生ずる。
Technology,page 6，Feb.，1980，におけるRobert E.
Jones，Jr.による“IBM 3370 Film Head Design and Fa
brication”と題する文献に示された構造のものが知ら
れている。このタイプの磁気ヘッドは、いわゆるウイン
チェスター型ディスク装置に用いられるもので、磁気ヘ
ッドは記録媒体（この場合はディスク）と非接触、すな
わちディスクが高速で回転しているために磁気ヘッドは
ディスク表面から0.3〜0.4μｍ浮上している。このよう
な用い方をするため、磁気ヘッドの走行摩耗は特に問題
とならず、いわゆるギャップデプスは１μｍ前後あれば
摩耗寿命という問題はほとんどない。それ故、このよう
な磁気ヘッドでは、磁気コアの厚さを２〜３μｍと薄く
しても磁気コアの飽和現象は生ぜず、むしろこのような
コア厚により磁気ヘッドの周波数特性を若干改善できる
ことから、２〜３μｍ厚の磁気コアを積極的に利用して
いる。この種の磁気ヘッドは上部と下部の二つのコアか
ら成り、そのトラック幅は上部コアのパターニングによ
り規制されるが、コア厚が３μｍ以下と薄いため、たと
えばトラック幅を±２μｍ以下の精度で加工するとして
も製作工程上特に問題とはならない。一方、このような
薄膜磁気ヘッドをＶＴＲのように磁気ヘッドと記録媒体
とが接触して高速度（5.6m/sec等）で走行するシステム
に導入しようとすると、磁気ヘッドの摩耗という重大な
問題が生ずる。
すなわち、一般に、ＶＴＲなどの接触走行システムで
は、経験的に100時間当り１μｍ程度の磁気ヘッドの摩
耗が発生することが知られている。
は、経験的に100時間当り１μｍ程度の磁気ヘッドの摩
耗が発生することが知られている。
このため、上記したような磁気ヘッドでは、ギャップデ
プスが１μｍ前後であるため、100時間程度の使用で磁
気ギャップが失なわれ、磁気ヘッドとしての機能をなく
してしまうという問題がある。
プスが１μｍ前後であるため、100時間程度の使用で磁
気ギャップが失なわれ、磁気ヘッドとしての機能をなく
してしまうという問題がある。
この問題を解決する方法としては、磁気ヘッドを形成す
る基板（この部分が主として記録媒体と摺動し、磁気ヘ
ッドの寿命を決定する）を硬くして、耐摩耗性を改善す
ることが考えられるが、この方法には次のような重大な
欠点があり、現実的でない。すなわち、薄膜磁気ヘッド
では磁気コアを、電着あるいは真空中でのスパッタリン
グ等の方法で、パーマロイ、センダスト、コバルト、等
を主体とした軟磁性薄膜で構成するため、基板と磁気コ
アの耐摩耗性は整合せず、両者間に大きな差が生じる場
合（一般に、磁気コアの方が摩耗し易い）は磁気ヘッド
の記録媒体接触面に偏摩耗が生じ、記録媒体との間に必
要とされるスペーシング（0.05μｍ以下）を確保するこ
とが不可能となって、現在のＶＴＲ等で用いられている
記録波長１μｍ以下のシステムでは実用にならない。
る基板（この部分が主として記録媒体と摺動し、磁気ヘ
ッドの寿命を決定する）を硬くして、耐摩耗性を改善す
ることが考えられるが、この方法には次のような重大な
欠点があり、現実的でない。すなわち、薄膜磁気ヘッド
では磁気コアを、電着あるいは真空中でのスパッタリン
グ等の方法で、パーマロイ、センダスト、コバルト、等
を主体とした軟磁性薄膜で構成するため、基板と磁気コ
アの耐摩耗性は整合せず、両者間に大きな差が生じる場
合（一般に、磁気コアの方が摩耗し易い）は磁気ヘッド
の記録媒体接触面に偏摩耗が生じ、記録媒体との間に必
要とされるスペーシング（0.05μｍ以下）を確保するこ
とが不可能となって、現在のＶＴＲ等で用いられている
記録波長１μｍ以下のシステムでは実用にならない。
前記問題を解決する他の方法として、ギャップデプスを
10μｍあるいはそれ以上とすることが考えられる。ギャ
ップデプスの大きさは、この部分に磁束を誘導する磁気
コアが飽和しない範囲に限定され、ギャップデプスgd、
トラック幅TW、コア厚Ｔ、コア幅CWとすると、gd×TW＜
Ｔ×CWとなる。トラック幅とコア幅の最少部分は一致す
る構造となるため、gd＜Ｔすなわちギャップデプスを大
きくするためにはコア厚をそれ以上厚くする必要があ
る。コア厚について検討した結果、ギャップデプスとし
て10〜15μｍを得るためには、上部・下部磁気コア厚と
しては20μｍ程度を必要とすることがわかった。ところ
が、20μｍのような非常に厚い薄膜をパターニングによ
り形成することは容易でなく、また薄膜磁気ヘッドでは
パターニング部には傾斜部に形成される磁性膜を加工す
る部分があり、この傾斜部に形成した膜と平坦部に形成
した膜とでエッチング速度に大きな差があるため、いわ
ゆる湿式エッチングは採用できず、真空中で加速したア
ルゴン原子を加工面に衝突させるイオンミリング法を用
いるドライエッチングで加工することになる。ところ
が、この種のドライエッチング法では湿式法でよく用い
られる選択エッチングが難かしく（機械的な加工のた
め、材料によって加工速度に差が出にくい）、加工時に
用いるマスク材は非加工膜と同程度必要となる。
10μｍあるいはそれ以上とすることが考えられる。ギャ
ップデプスの大きさは、この部分に磁束を誘導する磁気
コアが飽和しない範囲に限定され、ギャップデプスgd、
トラック幅TW、コア厚Ｔ、コア幅CWとすると、gd×TW＜
Ｔ×CWとなる。トラック幅とコア幅の最少部分は一致す
る構造となるため、gd＜Ｔすなわちギャップデプスを大
きくするためにはコア厚をそれ以上厚くする必要があ
る。コア厚について検討した結果、ギャップデプスとし
て10〜15μｍを得るためには、上部・下部磁気コア厚と
しては20μｍ程度を必要とすることがわかった。ところ
が、20μｍのような非常に厚い薄膜をパターニングによ
り形成することは容易でなく、また薄膜磁気ヘッドでは
パターニング部には傾斜部に形成される磁性膜を加工す
る部分があり、この傾斜部に形成した膜と平坦部に形成
した膜とでエッチング速度に大きな差があるため、いわ
ゆる湿式エッチングは採用できず、真空中で加速したア
ルゴン原子を加工面に衝突させるイオンミリング法を用
いるドライエッチングで加工することになる。ところ
が、この種のドライエッチング法では湿式法でよく用い
られる選択エッチングが難かしく（機械的な加工のた
め、材料によって加工速度に差が出にくい）、加工時に
用いるマスク材は非加工膜と同程度必要となる。
以上のような制約があるため、磁気コアを従来技術によ
り高精度にパターニングすることは非常に難かしい。
り高精度にパターニングすることは非常に難かしい。
本発明の目的は、上記従来技術の問題を解決し、トラッ
ク幅を非常に狭くかつ精度よく加工でき、磁気コア厚が
トラック幅の精度に全く影響を与えず、記録媒体と摺動
走行する使用状態においてもその摺動耐久性を格段に向
上させた薄膜磁気ヘッドを提供するにある。
ク幅を非常に狭くかつ精度よく加工でき、磁気コア厚が
トラック幅の精度に全く影響を与えず、記録媒体と摺動
走行する使用状態においてもその摺動耐久性を格段に向
上させた薄膜磁気ヘッドを提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、トラック幅をコ
イル層間絶縁材で規制することとし、この加工を基板平
坦面で行ない、該コイル層間絶縁材を多層化してそのう
ちの一層によりトラック幅を制御すると共に、この層間
絶縁材の多層化層間材として該層間材と選択エッチング
が可能な材料を用いた点に特徴がある。
イル層間絶縁材で規制することとし、この加工を基板平
坦面で行ない、該コイル層間絶縁材を多層化してそのう
ちの一層によりトラック幅を制御すると共に、この層間
絶縁材の多層化層間材として該層間材と選択エッチング
が可能な材料を用いた点に特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
構造図であって、１は基板、２は下部磁気コア、３は上
部磁気コア、４と５は信号コイルの層間絶縁材、６は信
号コイル（１ターンのみを示す）、７はエッチングスト
ッパー材（エッチング終点膜）、８は磁気ギャップであ
る。
構造図であって、１は基板、２は下部磁気コア、３は上
部磁気コア、４と５は信号コイルの層間絶縁材、６は信
号コイル（１ターンのみを示す）、７はエッチングスト
ッパー材（エッチング終点膜）、８は磁気ギャップであ
る。
同図において、薄膜磁気ヘッドは、基板１上に形に形成
した下部磁気コア２と上部磁気コア３とで形成される磁
気回路内に信号コイル６を配置して成り、下部磁気コア
２と上部磁気コア３との間に配したエッチングストッパ
ー材７で規制した磁気ギャップ８を有する。信号コイル
６は、層間絶縁材４，５により絶縁した多ターンコイル
から成る。エッチングストッパー材７は、層間絶縁材５
をエッチングにより微細加工するためのものであるが、
この実施例ではギャップ長を規制するいわゆるギャップ
材としての機能も有せしめるため、ギャップ材と同一の
材料を用いている。この実施例では、トラック幅10μ
ｍ、磁気コア厚20μｍ、信号コイルの層間絶縁層の全体
厚さを12μｍとした。トラック幅は、図示のように、層
間絶縁層４で規制される。
した下部磁気コア２と上部磁気コア３とで形成される磁
気回路内に信号コイル６を配置して成り、下部磁気コア
２と上部磁気コア３との間に配したエッチングストッパ
ー材７で規制した磁気ギャップ８を有する。信号コイル
６は、層間絶縁材４，５により絶縁した多ターンコイル
から成る。エッチングストッパー材７は、層間絶縁材５
をエッチングにより微細加工するためのものであるが、
この実施例ではギャップ長を規制するいわゆるギャップ
材としての機能も有せしめるため、ギャップ材と同一の
材料を用いている。この実施例では、トラック幅10μ
ｍ、磁気コア厚20μｍ、信号コイルの層間絶縁層の全体
厚さを12μｍとした。トラック幅は、図示のように、層
間絶縁層４で規制される。
次に、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造工程の概要を
説明する。
説明する。
第２図は本発明による薄膜磁気ヘッドを製造する方法の
一例を示す主要工程図である。
一例を示す主要工程図である。
同図において、製造工程は次の(a)〜(e)の工程から成
る。
る。
(a)コーニング社製のホトセラム基板１上にパーマロイ
をスパッタリング法にて全面に形成して下部磁気コア２
を得る。この下部磁気コア２の厚さは15μｍ程度とする
のが良い。しかる後に、信号コイルの層間絶縁層となる
SiO2層４を約２μｍの厚さにスパッタリング法により形
成する。スパッタリング法について特に限定する必要は
ないが、ここでは２極式のマグネトロン式ＲＦスパッタ
ー法を用いる。
をスパッタリング法にて全面に形成して下部磁気コア２
を得る。この下部磁気コア２の厚さは15μｍ程度とする
のが良い。しかる後に、信号コイルの層間絶縁層となる
SiO2層４を約２μｍの厚さにスパッタリング法により形
成する。スパッタリング法について特に限定する必要は
ないが、ここでは２極式のマグネトロン式ＲＦスパッタ
ー法を用いる。
(b)次に、第１層目の信号コイルを形成するために、例
えばクロムを500Å、銅を３μｍ、クロムを500Åの層を
この順でスパッタリング法により多層膜を形成する。こ
の場合、クロム層は接合層としての機能を保たせるため
同一真空チャンバー内で連続形成することが望ましい。
しかる後、湿式法のエッチングなどにより上記多層膜を
信号コイルとしての所望の形状を加工し、第１層目の信
号コイル（１ターン）６を形成する。
えばクロムを500Å、銅を３μｍ、クロムを500Åの層を
この順でスパッタリング法により多層膜を形成する。こ
の場合、クロム層は接合層としての機能を保たせるため
同一真空チャンバー内で連続形成することが望ましい。
しかる後、湿式法のエッチングなどにより上記多層膜を
信号コイルとしての所望の形状を加工し、第１層目の信
号コイル（１ターン）６を形成する。
(c)次に、フロントの磁気ギャップ部となるスルーホー
ル10を同様の湿式法のエッチングなどにより加工する。
この時リアスルホールに同様に形成しておく。この場
合、SiO2層４は厚さが２μｍでかつ平坦であるため、加
工精度は±0.5μｍ以下とすることができる。しかる後
に再度SiO2の湿式エッチング時にエッチング終点となる
ストッパー膜７を、例えばクロムを2500Åの厚さにスパ
ッタリング法などにより形成する。このクロムの層は、
また磁気ギャップ規制材として機能する。なお、この層
はクロムの外、モリブデン、タンタル、アルミナ等でも
よい。
ル10を同様の湿式法のエッチングなどにより加工する。
この時リアスルホールに同様に形成しておく。この場
合、SiO2層４は厚さが２μｍでかつ平坦であるため、加
工精度は±0.5μｍ以下とすることができる。しかる後
に再度SiO2の湿式エッチング時にエッチング終点となる
ストッパー膜７を、例えばクロムを2500Åの厚さにスパ
ッタリング法などにより形成する。このクロムの層は、
また磁気ギャップ規制材として機能する。なお、この層
はクロムの外、モリブデン、タンタル、アルミナ等でも
よい。
(d)次に、第２層目の信号コイルを形成するために、工
程(b)と同様にして、層間絶縁層５とクロム−銅−クロ
ムの多層膜を形成し、同様の加工により第２層目の信号
コイル６′を形成する。
程(b)と同様にして、層間絶縁層５とクロム−銅−クロ
ムの多層膜を形成し、同様の加工により第２層目の信号
コイル６′を形成する。
(e)信号コイルの形成後、その上にSiO2膜９を例えば２
μｍ厚に形成して信号コイルと上部コアとの絶縁を確保
する。この時、工程(c)で形成したフロントギャップス
ルーホール10の部分には厚さ４μｍのSiO2膜が形成され
る。このSiO2膜の湿式エッチングでは、前述したスルー
ホールに伴なう傾斜部を避け、完全に傾斜部を含包する
形でパターニングを行ない、フロントスルーホール10の
SiO2膜と、リアスルーホール10′を形成する。フロント
スルーホール10には、ストッパー材としてクロム層があ
るため、このパターニング後に工程(c)でのトラック幅
は保たれる、リアスルホール形成部についてはこのクロ
ム層を湿式法エッチング等で除去する。この後、上部磁
気コアとなる磁性膜を厚さ20μｍでやはり下部磁気コア
と同様、パーマロイに形成し、所望の形状に加工する
（図示せず）。このパターニング工程では、トラック幅
は規制しないので特に問題はない。また、SiO2膜の形成
工程(e)での加工時に所望のSiO2エッチング終了時に、
クロームが露出するので、終点判定が容易となる。
μｍ厚に形成して信号コイルと上部コアとの絶縁を確保
する。この時、工程(c)で形成したフロントギャップス
ルーホール10の部分には厚さ４μｍのSiO2膜が形成され
る。このSiO2膜の湿式エッチングでは、前述したスルー
ホールに伴なう傾斜部を避け、完全に傾斜部を含包する
形でパターニングを行ない、フロントスルーホール10の
SiO2膜と、リアスルーホール10′を形成する。フロント
スルーホール10には、ストッパー材としてクロム層があ
るため、このパターニング後に工程(c)でのトラック幅
は保たれる、リアスルホール形成部についてはこのクロ
ム層を湿式法エッチング等で除去する。この後、上部磁
気コアとなる磁性膜を厚さ20μｍでやはり下部磁気コア
と同様、パーマロイに形成し、所望の形状に加工する
（図示せず）。このパターニング工程では、トラック幅
は規制しないので特に問題はない。また、SiO2膜の形成
工程(e)での加工時に所望のSiO2エッチング終了時に、
クロームが露出するので、終点判定が容易となる。
第３図は本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示
す断面図であって、第１図と同一符号は同一部分を示
す。
す断面図であって、第１図と同一符号は同一部分を示
す。
同図において、この実施例の薄膜磁気ヘッドは磁気ギャ
ップ材を前記ストッパー材で兼ねるものでなく、第２図
の工程(e)における第二層目と第三層目のSiO2膜をパタ
ーニングした後、ストッパー材７であるクロム層を取り
除き、しかる後、磁気ギャップ材となるSiO2膜７′をあ
らためて形成するもので、その厚さは例えば0.25μｍと
する。
ップ材を前記ストッパー材で兼ねるものでなく、第２図
の工程(e)における第二層目と第三層目のSiO2膜をパタ
ーニングした後、ストッパー材７であるクロム層を取り
除き、しかる後、磁気ギャップ材となるSiO2膜７′をあ
らためて形成するもので、その厚さは例えば0.25μｍと
する。
このようにすれば、ストッパー材であるクロム層をギャ
ップ長にかかわらずに厚く形成することができ、安定し
たエッチングプロセスを確保できる。
ップ長にかかわらずに厚く形成することができ、安定し
たエッチングプロセスを確保できる。
第４図は本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施
例であって、第１，第３図と同一符号は同一部分を示
す。
例であって、第１，第３図と同一符号は同一部分を示
す。
同図において、この実施例の薄膜磁気ヘッドはトラック
幅の規制を信号コイルの層間絶縁層の最終層５によって
行なうものである。このとき、信号コイルの層間絶縁層
４は、層間絶縁層５をパターニングするスルーホールの
径より大きく加工し、スルーホールをパターニングする
際に、その傾斜面部がエッチング加工されないようにす
ることが重要である。しかるのち磁気ギャップ材として
SiO2膜７′を形成する。この実施例は、前記各実施例と
異なり、ストッパー層が不要であり、加工プロセスを簡
略にすることができる。
幅の規制を信号コイルの層間絶縁層の最終層５によって
行なうものである。このとき、信号コイルの層間絶縁層
４は、層間絶縁層５をパターニングするスルーホールの
径より大きく加工し、スルーホールをパターニングする
際に、その傾斜面部がエッチング加工されないようにす
ることが重要である。しかるのち磁気ギャップ材として
SiO2膜７′を形成する。この実施例は、前記各実施例と
異なり、ストッパー層が不要であり、加工プロセスを簡
略にすることができる。
なお、上記実施例では、上部磁気コア３のエッチング端
面をスルーホールの傾斜面部に設定したが、SiO2膜７″
の平坦部にその端面を設定しても問題はない。
面をスルーホールの傾斜面部に設定したが、SiO2膜７″
の平坦部にその端面を設定しても問題はない。
以上説明したように、本発明によれば、トラック幅が10
〜20μｍと非常に狭くかつ±0.5μｍの高い精度で加工
でき、磁気コアの厚さがトラック幅の精度に全く影響を
与えない構造のため、従来２〜３μｍであるのに対し、
それを20μｍ以上の厚さの磁気コアとすることが可能と
なり、記録媒体と摺動して走行する使用においても3000
時間以上の長寿命を達成でき、上記従来技術の欠点を除
いて優れた機能の薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。
〜20μｍと非常に狭くかつ±0.5μｍの高い精度で加工
でき、磁気コアの厚さがトラック幅の精度に全く影響を
与えない構造のため、従来２〜３μｍであるのに対し、
それを20μｍ以上の厚さの磁気コアとすることが可能と
なり、記録媒体と摺動して走行する使用においても3000
時間以上の長寿命を達成でき、上記従来技術の欠点を除
いて優れた機能の薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
構造図、第２図は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方
法の例を示す工程図、第３図と第４図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの他の実施例を示す断面図である。 １……基板、２……下部磁気コア ３……上部磁気コア、４，５……層間絶縁層 ６……信号コイル ７……エッチングストッパー材 ８……磁気ギャップ、10……スルーホール
構造図、第２図は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方
法の例を示す工程図、第３図と第４図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの他の実施例を示す断面図である。 １……基板、２……下部磁気コア ３……上部磁気コア、４，５……層間絶縁層 ６……信号コイル ７……エッチングストッパー材 ８……磁気ギャップ、10……スルーホール
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−37817（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−50611（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−77112（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】上部磁気コアと下部磁気コアで磁気回路を
形成し、 前記上部磁気コアと前記下部磁気コアの間に絶縁層、及
び信号コイルを配置した薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記信号コイルを複数層で構成すると共に、該複数層の
信号コイル間を絶縁する絶縁層を多層とし、 前記絶縁層が前記下部磁気コアと前記信号コイルを絶縁
する第一の絶縁層と前記第一の絶縁層より上層の絶縁層
である第二の絶縁層を有し、 前記第一の絶縁層、または前記第一と前記第二の絶縁層
をパターニングしてトラック幅とし、 前記第一または前記第二の絶縁層より上層の絶縁層が前
記トラック幅より幅広くパターニングされていることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、 前記絶縁層がＳｉＯ2で構成され、かつ前記第一と第二
の絶縁層の間にクローム，モリブデン，またはタンタル
から成るエッチングストッパー層を設けたことを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60237227A JPH0658728B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60237227A JPH0658728B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6299907A JPS6299907A (ja) | 1987-05-09 |
| JPH0658728B2 true JPH0658728B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=17012263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60237227A Expired - Fee Related JPH0658728B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658728B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2784431B2 (ja) * | 1994-04-19 | 1998-08-06 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 薄膜磁気書込みヘッド、読取り／書込み磁気ヘッド、ディスク駆動装置及び薄膜磁気書込みヘッドの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6022405B2 (ja) * | 1979-08-31 | 1985-06-01 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH0760490B2 (ja) * | 1983-08-29 | 1995-06-28 | ソニー株式会社 | 多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS6177112A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-19 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60237227A patent/JPH0658728B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPS6299907A (ja) | 1987-05-09 |
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