JPH07176014A - 改良磁極端を有する磁気ヘッド及びその制作方法 - Google Patents
改良磁極端を有する磁気ヘッド及びその制作方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気ヘッドにおいて、磁気ギャップ領域のエロ
ージョンを低下させると共に、磁極片の飽和モーメント
のバランスを良くする 【構成】接触記録方式の交互配置型双方向磁気テープ・
ヘッドは、磁性フェライト製基板（すなわち、第１磁極
片）２２上に軟磁性体の薄膜を付着させることによって
性能を向上させた磁極端３０を有する。第２磁極片４０
は、軟磁性体の薄膜層である。非磁性セラミック製クロ
ージャ・ブロック２４は、高さ調整絶縁層４４及び励起
用導体巻線３６の層を囲む。磁性フェライト上に付着さ
せたストライプの磁極端３０は、第１導体巻線部分の直
近まで延び、磁極片の飽和モーメントの釣り合いをもた
らし、特に、磁性フェライト後端モードでの動作におい
て特性の良い記録能力を提供する。
ージョンを低下させると共に、磁極片の飽和モーメント
のバランスを良くする 【構成】接触記録方式の交互配置型双方向磁気テープ・
ヘッドは、磁性フェライト製基板（すなわち、第１磁極
片）２２上に軟磁性体の薄膜を付着させることによって
性能を向上させた磁極端３０を有する。第２磁極片４０
は、軟磁性体の薄膜層である。非磁性セラミック製クロ
ージャ・ブロック２４は、高さ調整絶縁層４４及び励起
用導体巻線３６の層を囲む。磁性フェライト上に付着さ
せたストライプの磁極端３０は、第１導体巻線部分の直
近まで延び、磁極片の飽和モーメントの釣り合いをもた
らし、特に、磁性フェライト後端モードでの動作におい
て特性の良い記録能力を提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に磁気記録のための
薄膜磁気ヘッドに関し、特には、磁性フェライト製基板
における優れた磁極端を有する磁気ヘッド、及びその製
作方法に関する。
薄膜磁気ヘッドに関し、特には、磁性フェライト製基板
における優れた磁極端を有する磁気ヘッド、及びその製
作方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】高速デ
ータ処理システムにおいては、大容量記憶の必要性から
磁気記録の方式が採用されている。データは、磁気記録
媒体に近接して位置する、一般に磁気ヘッドと呼ばれる
磁気トランスデューサを用いて磁気記録媒体上で読み書
きが行なわれる。接触記録では、磁気記録媒体が磁気ヘ
ッドと接触するが、磁極片はその磨耗性から一般に磁性
フェライト製である。磁性フェライト製磁極片は、接触
記録、特に磁気テープにおいて良い耐磨耗性を有する
が、しかしながら、現在のデータ記録に要求される高デ
ータ密度の高飽和保磁力記録媒体への記録には効率性に
おいて問題がある。薄膜磁極片を有する磁気ヘッドは書
込み、すなわちデータ記録プロシジャにおける、磁極片
の飽和モーメントの増強、及びトランスデューサの動作
効率の改善のために開発された。
ータ処理システムにおいては、大容量記憶の必要性から
磁気記録の方式が採用されている。データは、磁気記録
媒体に近接して位置する、一般に磁気ヘッドと呼ばれる
磁気トランスデューサを用いて磁気記録媒体上で読み書
きが行なわれる。接触記録では、磁気記録媒体が磁気ヘ
ッドと接触するが、磁極片はその磨耗性から一般に磁性
フェライト製である。磁性フェライト製磁極片は、接触
記録、特に磁気テープにおいて良い耐磨耗性を有する
が、しかしながら、現在のデータ記録に要求される高デ
ータ密度の高飽和保磁力記録媒体への記録には効率性に
おいて問題がある。薄膜磁極片を有する磁気ヘッドは書
込み、すなわちデータ記録プロシジャにおける、磁極片
の飽和モーメントの増強、及びトランスデューサの動作
効率の改善のために開発された。
【０００３】しかしながら、薄膜磁極片は、高データ密
度の書込み条件に要求される効率性は良いが、磁気記録
媒体の磨耗、特に接触記録状態における磨耗に耐えるこ
とはできない。高密度記録における第１条件は、媒体表
面と、磁極片の間にある機能的記録ギャップとの間のス
ペースを最小にすることにある。例えば、ニッケル−鉄
の軟磁性体薄膜磁極端を使用する場合、機能的記録ギャ
ップと磁極端は、媒体によって磨耗を受けやすい。記録
ギャップと媒体とのスペースを広げることは、記録特性
を劣化させることになる。
度の書込み条件に要求される効率性は良いが、磁気記録
媒体の磨耗、特に接触記録状態における磨耗に耐えるこ
とはできない。高密度記録における第１条件は、媒体表
面と、磁極片の間にある機能的記録ギャップとの間のス
ペースを最小にすることにある。例えば、ニッケル−鉄
の軟磁性体薄膜磁極端を使用する場合、機能的記録ギャ
ップと磁極端は、媒体によって磨耗を受けやすい。記録
ギャップと媒体とのスペースを広げることは、記録特性
を劣化させることになる。
【０００４】フェライト後端モードにおいて動作する交
互配置型で双方向動作型の磁気ヘッドの書込み飽和特性
は、磁極後端モードの動作の場合の書込み飽和特性ほど
良好ではない。動作モードは、テープの走行方向に依存
する。フェライト後端モードでは、テープは、ギャップ
上を通って薄膜の磁極端の方向へ通過し、磁極後端モー
ドでは、テープは、フェライト磁極端の方向へ走行す
る。書込みモードに係わらず、ヘッドは、高書込み電流
で振幅の損失を被る。しかしながら、薄膜の磁極端と比
較して、フェライト磁極端の飽和モーメントが低いた
め、振幅損失はフェライト後端モードでは問題がある。
このように、ここで提起されている問題は、如何にして
磁極端の飽和モーメントのバランスを得るかである。
互配置型で双方向動作型の磁気ヘッドの書込み飽和特性
は、磁極後端モードの動作の場合の書込み飽和特性ほど
良好ではない。動作モードは、テープの走行方向に依存
する。フェライト後端モードでは、テープは、ギャップ
上を通って薄膜の磁極端の方向へ通過し、磁極後端モー
ドでは、テープは、フェライト磁極端の方向へ走行す
る。書込みモードに係わらず、ヘッドは、高書込み電流
で振幅の損失を被る。しかしながら、薄膜の磁極端と比
較して、フェライト磁極端の飽和モーメントが低いた
め、振幅損失はフェライト後端モードでは問題がある。
このように、ここで提起されている問題は、如何にして
磁極端の飽和モーメントのバランスを得るかである。
【０００５】図１Ａは、磁気テープのような軟質磁気媒
体上への接触記録に使用する典型的な従来の薄膜磁気ヘ
ッドを示す。図１Ａの従来技術の薄膜磁気ヘッドは、一
般に非磁性セラミック製の非磁性基板１を有する。ニッ
ケル−鉄のような大抵はパーマロイ製の第１薄膜磁極片
２は、基板１上に付着する。同じニッケル−鉄製の第２
薄膜磁極片３は、コイル導体５を囲み、磁気ギャップ６
を形成する絶縁層４上に付着する。通常非磁性である支
持且つ高さ調整材７は、第２薄膜磁極片３上に付着す
る。次に、支持且つ高さ調整材７は、非磁性クロージャ
片８によって覆われる。磁気テープ媒体は、接触記録が
生ずるエアー・ベアリング面（ABS: air-bearing surfa
ce） に近接して、第１薄膜磁極片２及び第２薄膜磁極
片３を横切るように矢印９が示す方向に移動する。
体上への接触記録に使用する典型的な従来の薄膜磁気ヘ
ッドを示す。図１Ａの従来技術の薄膜磁気ヘッドは、一
般に非磁性セラミック製の非磁性基板１を有する。ニッ
ケル−鉄のような大抵はパーマロイ製の第１薄膜磁極片
２は、基板１上に付着する。同じニッケル−鉄製の第２
薄膜磁極片３は、コイル導体５を囲み、磁気ギャップ６
を形成する絶縁層４上に付着する。通常非磁性である支
持且つ高さ調整材７は、第２薄膜磁極片３上に付着す
る。次に、支持且つ高さ調整材７は、非磁性クロージャ
片８によって覆われる。磁気テープ媒体は、接触記録が
生ずるエアー・ベアリング面（ABS: air-bearing surfa
ce） に近接して、第１薄膜磁極片２及び第２薄膜磁極
片３を横切るように矢印９が示す方向に移動する。
【０００６】図１Ｂは、ＡＢＳに磁気テープが接触する
ことにより生ずる磨耗後の一般の薄膜記録ヘッドのＡＢ
Ｓ上のギャップ・エロージョンの様相を表わす。図１Ｂ
を参照するに、第１薄膜磁極片２と第２薄膜磁極片３
は、セラミック製基板１及びセラミック製クロージャ８
に比較して軟質である。接触記録によって生じる非常に
大きいエロージョンは、機能的ギャップ領域６内に在
り、従って、ギャップ・エロージョンとして認識され
る。エロージョンは又、一般に支持且つ高さ調整材内で
も大きい、しかし、通常この領域は、機能的ギャップ領
域６から十分に離れているので特別に問題はない。ＡＢ
Ｓからの有効ギャップ・スペースは、およそ数マイクロ
・インチになり得る。磁束変化が２３００／μｍである
記録密度において、スペースでのマイクロ・インチ当た
りの信号損失は１．５８ｄＢである。従って、ギャップ
・エロージョンの影響を最小にすることが、実質的に高
密度記録の目的に叶うことになる。
ことにより生ずる磨耗後の一般の薄膜記録ヘッドのＡＢ
Ｓ上のギャップ・エロージョンの様相を表わす。図１Ｂ
を参照するに、第１薄膜磁極片２と第２薄膜磁極片３
は、セラミック製基板１及びセラミック製クロージャ８
に比較して軟質である。接触記録によって生じる非常に
大きいエロージョンは、機能的ギャップ領域６内に在
り、従って、ギャップ・エロージョンとして認識され
る。エロージョンは又、一般に支持且つ高さ調整材内で
も大きい、しかし、通常この領域は、機能的ギャップ領
域６から十分に離れているので特別に問題はない。ＡＢ
Ｓからの有効ギャップ・スペースは、およそ数マイクロ
・インチになり得る。磁束変化が２３００／μｍである
記録密度において、スペースでのマイクロ・インチ当た
りの信号損失は１．５８ｄＢである。従って、ギャップ
・エロージョンの影響を最小にすることが、実質的に高
密度記録の目的に叶うことになる。
【０００７】書込み飽和特性に基づき、磁気ヘッドの書
込みモードにおける磁極片後端として薄膜磁極片を使用
するのが良い。図１Ｃを参照するに、磁性フェライト製
ブロックの磁極片後端の使用における書込み飽和特性
は、短波長では良くない。図１Ｄの曲線は、書込み電流
を図１Ａのヘッドのような薄膜磁極片後端で増加した場
合の磁気転移の出力振幅を示す。図１Ｄの出力振幅は、
書込み電流約６０ｍＡでピークであり、書込み電流１０
０ｍＡがヘッドに印加された場合に良い出力となる。図
１Ｃのフェライト製ブロックの振幅出力は、書込み電流
の低いところでピークであり、書込み電流１００ｍＡで
は実質的にゼロである。振幅出力の低下は、通常、薄膜
磁極片に使用されるニッケル−鉄と比較して、フェライ
トの低い飽和モーメントに起因する。従って、磁気ヘッ
ドに必要なのは、フェライト製ブロックの磁極片後端の
磨耗特性と、薄膜磁極片後端の振幅出力である。
込みモードにおける磁極片後端として薄膜磁極片を使用
するのが良い。図１Ｃを参照するに、磁性フェライト製
ブロックの磁極片後端の使用における書込み飽和特性
は、短波長では良くない。図１Ｄの曲線は、書込み電流
を図１Ａのヘッドのような薄膜磁極片後端で増加した場
合の磁気転移の出力振幅を示す。図１Ｄの出力振幅は、
書込み電流約６０ｍＡでピークであり、書込み電流１０
０ｍＡがヘッドに印加された場合に良い出力となる。図
１Ｃのフェライト製ブロックの振幅出力は、書込み電流
の低いところでピークであり、書込み電流１００ｍＡで
は実質的にゼロである。振幅出力の低下は、通常、薄膜
磁極片に使用されるニッケル−鉄と比較して、フェライ
トの低い飽和モーメントに起因する。従って、磁気ヘッ
ドに必要なのは、フェライト製ブロックの磁極片後端の
磨耗特性と、薄膜磁極片後端の振幅出力である。
【０００８】ギャップ・エロージョンを減らす従来の試
みは、第１磁極片としての磁性フェライト製基板、及び
第２磁極片としての薄膜磁性層の使用であった。これは
ギャップ・エロージョンの低下に効果があると思える
が、しかし、材質が完全に異なる磁極片の飽和モーメン
トのバランスをとるには大きな問題があり、特に、双方
向に動作する必要がある軟磁性媒体に問題があり、従っ
て、磁性フェライト後端モードで動作しなければならな
かった。
みは、第１磁極片としての磁性フェライト製基板、及び
第２磁極片としての薄膜磁性層の使用であった。これは
ギャップ・エロージョンの低下に効果があると思える
が、しかし、材質が完全に異なる磁極片の飽和モーメン
トのバランスをとるには大きな問題があり、特に、双方
向に動作する必要がある軟磁性媒体に問題があり、従っ
て、磁性フェライト後端モードで動作しなければならな
かった。
【０００９】本発明は、機能的磁気ギャップ領域での接
触結果として生じるエロージョンを低下させる接触記録
の改良型磁気ヘッドを提供し、同時にバランスがとれた
飽和モーメントを有する磁極片を提供する。
触結果として生じるエロージョンを低下させる接触記録
の改良型磁気ヘッドを提供し、同時にバランスがとれた
飽和モーメントを有する磁極片を提供する。
【００１０】本発明の目的は、高性能の磁気ヘッド及び
その製作方法を提供することにある。
その製作方法を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、効率の良い薄膜磁極
片を有する接触記録磁気ヘッドと、その簡単な製作方法
を提供することにある。
片を有する接触記録磁気ヘッドと、その簡単な製作方法
を提供することにある。
【００１２】本発明のさらに他の目的は、第１磁極片の
磁性フェライト部分によって磁気ギャップ領域の近接保
護を維持しながら、一方で、釣り合いのとれた磁極片の
飽和モーメントを有する書込みトランスデューサのため
の追加薄膜磁極端を有する交互配置型磁気ヘッドを提供
することにある。
磁性フェライト部分によって磁気ギャップ領域の近接保
護を維持しながら、一方で、釣り合いのとれた磁極片の
飽和モーメントを有する書込みトランスデューサのため
の追加薄膜磁極端を有する交互配置型磁気ヘッドを提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録動作性能
を向上させるために改良された薄膜磁極端を有し、一方
で、エロージョンから保護された磁気変換ギャップ領域
を有する、好ましくは、交互配置型トランスデューサ・
ヘッドである磁気記録ヘッドを提供する。磁気記録ヘッ
ドは、２つの層の薄膜を付着させた磁極端を有する。追
加的な薄膜磁極端は、磁性フェライト製基板上に直接付
着させられ、磁気回路の部分も形成する。非常に薄い
層、例えば、アルミナがエッチング・ストップ層として
最初に磁性フェライト製基板上に付着する。軟磁性体を
アルミナ層上に付着させ、フォトレジスト・マスクを使
用してパターン化し、エッチング・サイクルで追加薄膜
磁極端を生成する。追加薄膜磁極端は、磁性フェライト
磁極片部を覆って延び、すなわち、ほとんどコイルの第
１巻線部分に達するまで、部分的にヘッド構造内に延び
る。寸法的な大きさの限界は、磁性フェライト製基板へ
の確実な密着性、且つ必要な飽和モーメントをもたらす
主に製造プロセスの善し悪しに起因する。ヘッドの構造
は、磁気ギャップ層、コイル巻線、絶縁層、第２薄膜磁
極片、支持絶縁層、及び非磁性セラミック層で構成す
る。両方の磁極端に同一材質の軟磁性体を使用すること
により、これらの飽和モーメントは釣り合いがとれ、磁
性フェライト後端モードの動作に関連する過剰な振幅損
失を除くことができる。実質的に磁気ヘッドは、媒体の
方向に拘わらず、常に磁極後端モードで動作することが
できる。
を向上させるために改良された薄膜磁極端を有し、一方
で、エロージョンから保護された磁気変換ギャップ領域
を有する、好ましくは、交互配置型トランスデューサ・
ヘッドである磁気記録ヘッドを提供する。磁気記録ヘッ
ドは、２つの層の薄膜を付着させた磁極端を有する。追
加的な薄膜磁極端は、磁性フェライト製基板上に直接付
着させられ、磁気回路の部分も形成する。非常に薄い
層、例えば、アルミナがエッチング・ストップ層として
最初に磁性フェライト製基板上に付着する。軟磁性体を
アルミナ層上に付着させ、フォトレジスト・マスクを使
用してパターン化し、エッチング・サイクルで追加薄膜
磁極端を生成する。追加薄膜磁極端は、磁性フェライト
磁極片部を覆って延び、すなわち、ほとんどコイルの第
１巻線部分に達するまで、部分的にヘッド構造内に延び
る。寸法的な大きさの限界は、磁性フェライト製基板へ
の確実な密着性、且つ必要な飽和モーメントをもたらす
主に製造プロセスの善し悪しに起因する。ヘッドの構造
は、磁気ギャップ層、コイル巻線、絶縁層、第２薄膜磁
極片、支持絶縁層、及び非磁性セラミック層で構成す
る。両方の磁極端に同一材質の軟磁性体を使用すること
により、これらの飽和モーメントは釣り合いがとれ、磁
性フェライト後端モードの動作に関連する過剰な振幅損
失を除くことができる。実質的に磁気ヘッドは、媒体の
方向に拘わらず、常に磁極後端モードで動作することが
できる。
【００１４】本発明による磁気記録ヘッドは、好ましい
実施例において、独立した読取り及び書込み素子を含む
少なくとも一列の変換素子を有し、読取り素子は、交互
に配置された書込みトランスデューサと交互に位置する
磁気抵抗（ＭＲ）のストライプから作り出される。書込
みトランスデューサの第１磁極片は、磁性フェライト製
基板上に付着した薄膜磁性体で形成され、テープが最短
距離で接するエアー・ベアリング面（ＡＢＳ）に近接
し、磁性フェライトに良好に密着し、且つ好ましい実施
例では、必要な飽和モーメントを得るために、通常、第
１導体巻線部分にほとんど接触するほどに、近接してい
る。第２磁極片は、磁気ギャップを形成し、導体巻線を
覆う絶縁層上に付着した薄膜磁性体である。磁極片を覆
うために結合されたクロージャ・ブロックは、非磁性セ
ラミック製である。
実施例において、独立した読取り及び書込み素子を含む
少なくとも一列の変換素子を有し、読取り素子は、交互
に配置された書込みトランスデューサと交互に位置する
磁気抵抗（ＭＲ）のストライプから作り出される。書込
みトランスデューサの第１磁極片は、磁性フェライト製
基板上に付着した薄膜磁性体で形成され、テープが最短
距離で接するエアー・ベアリング面（ＡＢＳ）に近接
し、磁性フェライトに良好に密着し、且つ好ましい実施
例では、必要な飽和モーメントを得るために、通常、第
１導体巻線部分にほとんど接触するほどに、近接してい
る。第２磁極片は、磁気ギャップを形成し、導体巻線を
覆う絶縁層上に付着した薄膜磁性体である。磁極片を覆
うために結合されたクロージャ・ブロックは、非磁性セ
ラミック製である。
【００１５】磁気ヘッドの製作方法には、磁性フェライ
ト製基板を得るステップと、ＡＢＳを形成するエッジの
近接位置に、少なくとも１層の薄膜磁性体のストライプ
を付着させるステップを有する。例えば、アルミナの非
常に薄い平滑なエッチング・ストップ層を、基板と軟磁
性体との間に付着させる。次に、ギャップを生み出す絶
縁材がストライプ上に付着させられ、磁気ギャップ層を
形成する。電気的導体の材料がギャップを生み出す絶縁
材上に付着させられ、最初の巻線開始位置が磁性体のス
トライプに近接する、磁気ヘッドのための導体巻線を形
成する。次に、絶縁材が導体巻線を形成する導体全体に
付着する。薄膜磁性体が絶縁材上に及びギャップを生み
出す絶縁材上に付着させられ、磁気ヘッドの第２磁極片
をもたらす。次に、支持絶縁層がエアー・ベアリング面
の磁極端の端部に近接する磁気層上に付着する。高さ調
整絶縁層が、支持絶縁層上及び第２磁極片の残部に付着
する。次に、非磁性セラミック製クロージャ・ブロック
が、高さ調整絶縁層に結合される。
ト製基板を得るステップと、ＡＢＳを形成するエッジの
近接位置に、少なくとも１層の薄膜磁性体のストライプ
を付着させるステップを有する。例えば、アルミナの非
常に薄い平滑なエッチング・ストップ層を、基板と軟磁
性体との間に付着させる。次に、ギャップを生み出す絶
縁材がストライプ上に付着させられ、磁気ギャップ層を
形成する。電気的導体の材料がギャップを生み出す絶縁
材上に付着させられ、最初の巻線開始位置が磁性体のス
トライプに近接する、磁気ヘッドのための導体巻線を形
成する。次に、絶縁材が導体巻線を形成する導体全体に
付着する。薄膜磁性体が絶縁材上に及びギャップを生み
出す絶縁材上に付着させられ、磁気ヘッドの第２磁極片
をもたらす。次に、支持絶縁層がエアー・ベアリング面
の磁極端の端部に近接する磁気層上に付着する。高さ調
整絶縁層が、支持絶縁層上及び第２磁極片の残部に付着
する。次に、非磁性セラミック製クロージャ・ブロック
が、高さ調整絶縁層に結合される。
【００１６】
【実施例】本発明は、交互配置型磁気ヘッドにおける実
施に適する。交互配置型磁気ヘッドは、多重トラック記
録媒体から磁気転移の読取り、書込みを行なうためのも
のであり、従って、主としてテープ駆動システムにおい
て使用される。現在、よく知られる典型的なテープ駆動
システムはＩＢＭ３４９０型のテープ駆動システムであ
る。テープ駆動システムではトランスデューサは一般に
固定され、磁気ヘッドの様々なトランスデューサで読み
書きを行なうためにテープはトランスデューサ上を双方
向に走行する。ここでは交互配置型ヘッドが特に重要で
ある。それは媒体に双方向走行を与え、さらにテープ媒
体に書込んだばかりのデータをチェックするために直ち
に読取る機能を保持しながら、トラック数を増やすこと
ができるためである。リールからリールへのテープ駆動
及びその制御の詳細に関しては、本発明の譲受人に譲渡
され、本発明の交互配置型磁気ヘッドの使用に役立つ、
Eige、et al. に付与された米国特許第４１２５８８１
号を参照されたい。又、Crannaに付与され、本発明の譲
受人に譲渡された米国特許第４３３５８５８号は、複雑
なテープ通路を通るテープ媒体のスレッディングについ
てのテープ駆動の例を開示する。Fieldsに付与され、本
発明の譲受人に譲渡された米国特許第４６８５００５号
は、交互配置型磁気ヘッドを開示する。これらの特許の
開示においては、本発明の好ましい実施例の詳細のため
に参照されたい。本発明の実施に使用される磁気ヘッド
は、薄膜の種々の型の任意の構成をとることができる。
写真製版技術を利用することによって、媒体の表面を最
大限に使用することが可能となる。なぜなら、幅が狭
く、密集したトラックに書込みが行なえるからである。
施に適する。交互配置型磁気ヘッドは、多重トラック記
録媒体から磁気転移の読取り、書込みを行なうためのも
のであり、従って、主としてテープ駆動システムにおい
て使用される。現在、よく知られる典型的なテープ駆動
システムはＩＢＭ３４９０型のテープ駆動システムであ
る。テープ駆動システムではトランスデューサは一般に
固定され、磁気ヘッドの様々なトランスデューサで読み
書きを行なうためにテープはトランスデューサ上を双方
向に走行する。ここでは交互配置型ヘッドが特に重要で
ある。それは媒体に双方向走行を与え、さらにテープ媒
体に書込んだばかりのデータをチェックするために直ち
に読取る機能を保持しながら、トラック数を増やすこと
ができるためである。リールからリールへのテープ駆動
及びその制御の詳細に関しては、本発明の譲受人に譲渡
され、本発明の交互配置型磁気ヘッドの使用に役立つ、
Eige、et al. に付与された米国特許第４１２５８８１
号を参照されたい。又、Crannaに付与され、本発明の譲
受人に譲渡された米国特許第４３３５８５８号は、複雑
なテープ通路を通るテープ媒体のスレッディングについ
てのテープ駆動の例を開示する。Fieldsに付与され、本
発明の譲受人に譲渡された米国特許第４６８５００５号
は、交互配置型磁気ヘッドを開示する。これらの特許の
開示においては、本発明の好ましい実施例の詳細のため
に参照されたい。本発明の実施に使用される磁気ヘッド
は、薄膜の種々の型の任意の構成をとることができる。
写真製版技術を利用することによって、媒体の表面を最
大限に使用することが可能となる。なぜなら、幅が狭
く、密集したトラックに書込みが行なえるからである。
【００１７】図２に示すように、薄膜磁気記録ヘッドの
好ましい実施例は、交互配置型磁気ヘッド１０である。
磁気ヘッド１０において、読取り素子はＲ、書込みトラ
ンスデューサは、Ｗと印されている。読取り及び書込み
ギャップは、交互に近接してそれぞれ奇数／偶数の番号
で表されている。ここで使用する用語の交互は他のフォ
ーマットも含むことを意味する。例えば、本発明の好ま
しい実施例では、媒体の幅方向に７２本のトラックのフ
ォーマットを備えており、以後、このフォーマットの媒
体をテープ媒体と呼ぶ。１フォーマットの奇数番号のト
ラック１、３、５は、順方向へのテープ媒体走行中に使
用され、一方、偶数番号のトラック２、４、６は、逆方
向へのテープ媒体走行中に使用される。
好ましい実施例は、交互配置型磁気ヘッド１０である。
磁気ヘッド１０において、読取り素子はＲ、書込みトラ
ンスデューサは、Ｗと印されている。読取り及び書込み
ギャップは、交互に近接してそれぞれ奇数／偶数の番号
で表されている。ここで使用する用語の交互は他のフォ
ーマットも含むことを意味する。例えば、本発明の好ま
しい実施例では、媒体の幅方向に７２本のトラックのフ
ォーマットを備えており、以後、このフォーマットの媒
体をテープ媒体と呼ぶ。１フォーマットの奇数番号のト
ラック１、３、５は、順方向へのテープ媒体走行中に使
用され、一方、偶数番号のトラック２、４、６は、逆方
向へのテープ媒体走行中に使用される。
【００１８】図２を参照するに、磁気テープ１２は一般
にその長さ方向へ矢印１４、１６が示すように順方向及
び逆方向に走行する。矢印１４は磁気テープ１２が順方
向に走行することを示し、矢印１６は磁気テープ１２が
逆方向に走行することを示す。磁気テープ１２は、一般
的に周知のフォーマットで磁気ヘッド１０と接触変換機
能の相互関係がある。磁気ヘッド１０は、ほぼ構造が等
しい２つのモジュール１８と２０を有する。これらの２
つのモジュールは一緒に結合させられ、単一の物理的ユ
ニットを形成する。このように１モジュールの変換ギャ
ップは、他のモジュールの変換ギャップに近接するだけ
でなく、互いのモジュールの変換ギャップは、磁気テー
プの走行方向に正確に一直線上に揃う。個々のモジュー
ル１８、２０には、それぞれ３６個の読取りトランスデ
ューサ及び３６個の書込みトランスデューサがある。従
って、１／２インチ幅の磁気テープ１２は、その方向に
７２のトラックを有することになる。個々のモジュール
１８、２０は、それぞれ磁性フェライト製基板２２及び
非磁性セラミック製クロージャ片２４を有する。個々の
モジュール１８、２０は、ギャップ・ライン２６、２８
をそれぞれ有し、磁気ヘッド１０の単一の物理的ユニッ
トを形成する。交互配置型磁気ヘッドに適する好ましい
実施例の詳細に関しては、前述の米国特許第４６８５０
０５号を参照されたい。又、多重トラック書込み素子を
形成するための磁気フェライト製ブロックの分離方法に
関しては、１９７５年１１月刊行のＩＢＭテクニカル・
ディスクロージャ・ブルテン第１８巻、Ｎｏ．６、１９
８１ページ（IBM TechnicalDisclosure Bulletin） のF
ranklin et al. の記述を参照されたい。
にその長さ方向へ矢印１４、１６が示すように順方向及
び逆方向に走行する。矢印１４は磁気テープ１２が順方
向に走行することを示し、矢印１６は磁気テープ１２が
逆方向に走行することを示す。磁気テープ１２は、一般
的に周知のフォーマットで磁気ヘッド１０と接触変換機
能の相互関係がある。磁気ヘッド１０は、ほぼ構造が等
しい２つのモジュール１８と２０を有する。これらの２
つのモジュールは一緒に結合させられ、単一の物理的ユ
ニットを形成する。このように１モジュールの変換ギャ
ップは、他のモジュールの変換ギャップに近接するだけ
でなく、互いのモジュールの変換ギャップは、磁気テー
プの走行方向に正確に一直線上に揃う。個々のモジュー
ル１８、２０には、それぞれ３６個の読取りトランスデ
ューサ及び３６個の書込みトランスデューサがある。従
って、１／２インチ幅の磁気テープ１２は、その方向に
７２のトラックを有することになる。個々のモジュール
１８、２０は、それぞれ磁性フェライト製基板２２及び
非磁性セラミック製クロージャ片２４を有する。個々の
モジュール１８、２０は、ギャップ・ライン２６、２８
をそれぞれ有し、磁気ヘッド１０の単一の物理的ユニッ
トを形成する。交互配置型磁気ヘッドに適する好ましい
実施例の詳細に関しては、前述の米国特許第４６８５０
０５号を参照されたい。又、多重トラック書込み素子を
形成するための磁気フェライト製ブロックの分離方法に
関しては、１９７５年１１月刊行のＩＢＭテクニカル・
ディスクロージャ・ブルテン第１８巻、Ｎｏ．６、１９
８１ページ（IBM TechnicalDisclosure Bulletin） のF
ranklin et al. の記述を参照されたい。
【００１９】図３は、図２のライン３−３に沿った切断
面であり、本発明の優れた磁極片を開示する。この図
は、本発明の書込みトランスデューサが、磁性フェライ
ト製基板２２と非磁性セラミック製クロージャ・ブロッ
ク２４との間に囲まれていることを示す。各図において
同一の参照番号が、様々な図における同一の構造の特徴
及び動作を示すのに用いられている。磁性フェライト製
基板２２は、磁性ニッケル−亜鉛製フェライト、又は磁
性マンガン−亜鉛製フェライト、又は、磁気ヘッドの使
用に周知されている他の磁性フェライトの材料から製作
することができる。非磁性クロージャ２４は、非磁性フ
ェライトのような任意の非磁性セラミックで形成するこ
とができる。又、繰返して述べるが磁気ヘッドにおいて
は、非磁性セラミックの使用がよく知られている。図２
の交互配置型ヘッドの書込みトランスデューサは、磁性
フェライト後端モード方向で動作する。従って、図３に
示されるトランスデューサの書込み動作において、テー
プ媒体１２は、矢印１６で示される方向に動作する。好
ましくは非結晶のアルミナの、厚さが５００ のエッチ
ング・ストップ層が、後で行なわれる層の付着処理、且
つ平滑面をもたらすために、付着させられている。仮
に、この非結晶のアルミナ層が設けられない場合、フェ
ライト粒子のレプリケーションは、追加第１磁極端３０
の結晶成長を導き、且つ、後で実施されるヘッドの処理
において、後続する薄膜層の付着において、一様でない
厚さを生じさせる粗い薄膜の形成要因となる。しかし、
このエッチング・ストップ層４６は、必要でなければ設
けなくてもよい。ニッケル−鉄のような軟磁性体が、フ
ォトレジストのマスクを使用して付着及びパターン化さ
れ、エッチングを繰返すことにより、追加第１磁極端３
０を生成する。磁気ギャップ領域２６は、好ましくはア
ルミナである非磁性絶縁層３２と３４の２層を有する。
励起用導体コイル部分３６は、ギャップ層の非磁性絶縁
層３２と３４上に付着させられている。導体コイル部分
３６は、銅又は金のような電気的な導体材料で作られ
る。硬化フォトレジストのような電気的絶縁材料３８が
導体コイル部分３６上に付着させられている。ニッケル
−鉄のような軟磁性体の第２薄膜磁極片４０が、ギャッ
プ領域２６及び絶縁層３８上に付着させられている。好
ましくは、硬化フォトレジストである支持絶縁層４２
が、第２薄膜磁極片４０の磁極端部上に形成される。例
えば、アルミナ及び／又はエポキシ材の高さ調整絶縁層
４４を、第２薄膜磁極片４０及び支持絶縁層４２上に形
成し、次に、高さ調整絶縁層を研磨する。非磁性セラミ
ック製クロージャ２４の結合のために、支持絶縁層４２
及び高さ調整絶縁層４４に対して一緒に平滑な面をもた
せ、書込みトランスデューサ素子を完成させる。第１磁
極端３０及び第２薄膜磁極片４０は、ニッケル８０％、
鉄２０％の組成が好ましい。
面であり、本発明の優れた磁極片を開示する。この図
は、本発明の書込みトランスデューサが、磁性フェライ
ト製基板２２と非磁性セラミック製クロージャ・ブロッ
ク２４との間に囲まれていることを示す。各図において
同一の参照番号が、様々な図における同一の構造の特徴
及び動作を示すのに用いられている。磁性フェライト製
基板２２は、磁性ニッケル−亜鉛製フェライト、又は磁
性マンガン−亜鉛製フェライト、又は、磁気ヘッドの使
用に周知されている他の磁性フェライトの材料から製作
することができる。非磁性クロージャ２４は、非磁性フ
ェライトのような任意の非磁性セラミックで形成するこ
とができる。又、繰返して述べるが磁気ヘッドにおいて
は、非磁性セラミックの使用がよく知られている。図２
の交互配置型ヘッドの書込みトランスデューサは、磁性
フェライト後端モード方向で動作する。従って、図３に
示されるトランスデューサの書込み動作において、テー
プ媒体１２は、矢印１６で示される方向に動作する。好
ましくは非結晶のアルミナの、厚さが５００ のエッチ
ング・ストップ層が、後で行なわれる層の付着処理、且
つ平滑面をもたらすために、付着させられている。仮
に、この非結晶のアルミナ層が設けられない場合、フェ
ライト粒子のレプリケーションは、追加第１磁極端３０
の結晶成長を導き、且つ、後で実施されるヘッドの処理
において、後続する薄膜層の付着において、一様でない
厚さを生じさせる粗い薄膜の形成要因となる。しかし、
このエッチング・ストップ層４６は、必要でなければ設
けなくてもよい。ニッケル−鉄のような軟磁性体が、フ
ォトレジストのマスクを使用して付着及びパターン化さ
れ、エッチングを繰返すことにより、追加第１磁極端３
０を生成する。磁気ギャップ領域２６は、好ましくはア
ルミナである非磁性絶縁層３２と３４の２層を有する。
励起用導体コイル部分３６は、ギャップ層の非磁性絶縁
層３２と３４上に付着させられている。導体コイル部分
３６は、銅又は金のような電気的な導体材料で作られ
る。硬化フォトレジストのような電気的絶縁材料３８が
導体コイル部分３６上に付着させられている。ニッケル
−鉄のような軟磁性体の第２薄膜磁極片４０が、ギャッ
プ領域２６及び絶縁層３８上に付着させられている。好
ましくは、硬化フォトレジストである支持絶縁層４２
が、第２薄膜磁極片４０の磁極端部上に形成される。例
えば、アルミナ及び／又はエポキシ材の高さ調整絶縁層
４４を、第２薄膜磁極片４０及び支持絶縁層４２上に形
成し、次に、高さ調整絶縁層を研磨する。非磁性セラミ
ック製クロージャ２４の結合のために、支持絶縁層４２
及び高さ調整絶縁層４４に対して一緒に平滑な面をもた
せ、書込みトランスデューサ素子を完成させる。第１磁
極端３０及び第２薄膜磁極片４０は、ニッケル８０％、
鉄２０％の組成が好ましい。
【００２０】好ましい実施例では、第１磁極片の追加第
１磁極端３０は、幅がＷで、第１コイル部分３６に、非
常に近接して延びる。その差Ｄは、第１コイル部分３６
に対して２μｍ以内が好ましい。この形状寸法は、追加
第１磁極端３０の磁性フェライト製基板２２への強い接
着性、及び磁極端３０とコイル部分３６間の、特に磁極
端３０のエッジにおける電気的短絡を防止するような形
状にしなければならない。磁気ギャップ領域２６は、超
硬質磁性フェライト製基板２２に近接して位置する。こ
の基板２２は、磁気ギャップ領域２６のエロージョンに
対して鈍い反応を示し、且つ高記録密度をもたらす。本
発明の好ましい実施例では、磁性基板２２は、第１コイ
ル部分３６に非常に接近して延びる磁極端３０と共に、
第１磁極片として使用している。磁極端３０は、現在知
られている超高飽和保磁力媒体である１５００エルステ
ッドの金属媒体に対する書込みを行うのに十分な約５０
００ の厚さを持っていればよい。磁性ギャップ領域２
６は、非磁性絶縁層３２と３４の２層の厚さを結合して
形成されるのが好ましく、この非磁性絶縁層３２と３４
は又、コイル部分３６と磁性基板２２との絶縁をもたら
す。好ましい実施例においては、磁極端３０の軟磁性体
の付着を行なう前に、約２００〜５００ の厚さのアル
ミナの薄膜絶縁層４６を磁気基板２２上に付着させる。
図３には、幅Ｗで、第１コイル部分３６から距離Ｄの所
まで延びている、好ましい実施例の磁極端３０が示され
ている。磁極端３０は、バック・ギャップ領域（図示せ
ず）まで延びる第１磁極片のフェライト部分をもたらす
磁性基板２２の表面全体を覆うことも可能である。磁極
端３０の幅のＷの限界は、必要な書込み飽和特性を与
え、且つ、好ましくはゼロ・スロート点で、まだ、約１
２μｍの磁極端３０が存在するように、磁性基板２２に
対して良好な接着性を保つのに十分な幅をもたらすよう
に定められる。図４は、図３の書込み素子において生じ
得るＡＢＳのエロージョンの状態を例示する。
１磁極端３０は、幅がＷで、第１コイル部分３６に、非
常に近接して延びる。その差Ｄは、第１コイル部分３６
に対して２μｍ以内が好ましい。この形状寸法は、追加
第１磁極端３０の磁性フェライト製基板２２への強い接
着性、及び磁極端３０とコイル部分３６間の、特に磁極
端３０のエッジにおける電気的短絡を防止するような形
状にしなければならない。磁気ギャップ領域２６は、超
硬質磁性フェライト製基板２２に近接して位置する。こ
の基板２２は、磁気ギャップ領域２６のエロージョンに
対して鈍い反応を示し、且つ高記録密度をもたらす。本
発明の好ましい実施例では、磁性基板２２は、第１コイ
ル部分３６に非常に接近して延びる磁極端３０と共に、
第１磁極片として使用している。磁極端３０は、現在知
られている超高飽和保磁力媒体である１５００エルステ
ッドの金属媒体に対する書込みを行うのに十分な約５０
００ の厚さを持っていればよい。磁性ギャップ領域２
６は、非磁性絶縁層３２と３４の２層の厚さを結合して
形成されるのが好ましく、この非磁性絶縁層３２と３４
は又、コイル部分３６と磁性基板２２との絶縁をもたら
す。好ましい実施例においては、磁極端３０の軟磁性体
の付着を行なう前に、約２００〜５００ の厚さのアル
ミナの薄膜絶縁層４６を磁気基板２２上に付着させる。
図３には、幅Ｗで、第１コイル部分３６から距離Ｄの所
まで延びている、好ましい実施例の磁極端３０が示され
ている。磁極端３０は、バック・ギャップ領域（図示せ
ず）まで延びる第１磁極片のフェライト部分をもたらす
磁性基板２２の表面全体を覆うことも可能である。磁極
端３０の幅のＷの限界は、必要な書込み飽和特性を与
え、且つ、好ましくはゼロ・スロート点で、まだ、約１
２μｍの磁極端３０が存在するように、磁性基板２２に
対して良好な接着性を保つのに十分な幅をもたらすよう
に定められる。図４は、図３の書込み素子において生じ
得るＡＢＳのエロージョンの状態を例示する。
【００２１】図４を参照するに、書込み素子上に磁気テ
ープ通路の断面が点線で示されている。磁気ギャップ２
６の機能的領域は、磁性基板２２の硬質磁性フェライト
に非常に接近している。追加薄膜磁極端３０は、通常の
使用で予想できる磁気ギャップ２６の実質的なエロージ
ョンが発生しても、非常に高い記録密度能力をもたら
す。
ープ通路の断面が点線で示されている。磁気ギャップ２
６の機能的領域は、磁性基板２２の硬質磁性フェライト
に非常に接近している。追加薄膜磁極端３０は、通常の
使用で予想できる磁気ギャップ２６の実質的なエロージ
ョンが発生しても、非常に高い記録密度能力をもたら
す。
【００２２】図３に示すように、磁極端３０は、自らが
飽和しないように表面をカバーしなければならない。磁
極端３０のストライプの幅のＷは、好ましくは、少なく
とも約２μｍでなければならない。幅が余り狭すぎると
磁極端３０は、書込み電流で飽和状態となり、たとえ、
磁性基板２２上に形成する磁極片が非常に厚くても、高
飽和保磁力磁気テープに磁気転移を形成させる書込みト
ランスデューサの能力を減少させることになる。磁極端
３０は、磁性フェライト製基板２２の表面全体に延びる
ことができ、単一のトラックにおいて図３の磁極片を形
成する。好ましい、この実施例では磁極端３０は、テー
プの下側のエアー・ベアリング面から磁気回路のバック
・ギャップ（図示なし）まで延びている。
飽和しないように表面をカバーしなければならない。磁
極端３０のストライプの幅のＷは、好ましくは、少なく
とも約２μｍでなければならない。幅が余り狭すぎると
磁極端３０は、書込み電流で飽和状態となり、たとえ、
磁性基板２２上に形成する磁極片が非常に厚くても、高
飽和保磁力磁気テープに磁気転移を形成させる書込みト
ランスデューサの能力を減少させることになる。磁極端
３０は、磁性フェライト製基板２２の表面全体に延びる
ことができ、単一のトラックにおいて図３の磁極片を形
成する。好ましい、この実施例では磁極端３０は、テー
プの下側のエアー・ベアリング面から磁気回路のバック
・ギャップ（図示なし）まで延びている。
【００２３】図５Ａは、従来技術の磁気フェライト後端
モードの書込み飽和特性を示す。図５Ｂは、本発明の後
端モードを示す。図５Ａで示される磁性フェライトは、
曲線の高書込み電流である１００ｍＡにおいて、重大な
振幅損失を示す。振幅出力のμＶは、書込み電流が１０
０ｍＡの時に１０００μＶ以下に下がる。書込み電流
が、図３の書込みヘッドと同一構成で、軟磁性ストライ
プの磁極端３０が無い場合の書込みヘッドに印加され
る。書込みは、ＩＢＭ３４９０型テープ駆動システムの
磁気テープのような一般の磁気テープで実行される。次
にデータは、ＩＢＭ３４９０型テープ駆動システムで用
いられているような設計の磁気読取りヘッドで読まれ
る。
モードの書込み飽和特性を示す。図５Ｂは、本発明の後
端モードを示す。図５Ａで示される磁性フェライトは、
曲線の高書込み電流である１００ｍＡにおいて、重大な
振幅損失を示す。振幅出力のμＶは、書込み電流が１０
０ｍＡの時に１０００μＶ以下に下がる。書込み電流
が、図３の書込みヘッドと同一構成で、軟磁性ストライ
プの磁極端３０が無い場合の書込みヘッドに印加され
る。書込みは、ＩＢＭ３４９０型テープ駆動システムの
磁気テープのような一般の磁気テープで実行される。次
にデータは、ＩＢＭ３４９０型テープ駆動システムで用
いられているような設計の磁気読取りヘッドで読まれ
る。
【００２４】付着薄膜型の磁極端を有する本発明の書込
み磁気ヘッドを使用した場合の出力が、図５Ｂに示され
る。読取りヘッドは図５Ａに示すのと同じヘッドが使用
された。高書込み電流１００ｍＡにおいて、読取りヘッ
ドによって生じる振幅は、３０００μＶ近くに達し、顕
著な改善結果であることを示す。この改善は、磁性フェ
ライト製ブロックに対しての軟磁性膜の高飽和モーメン
トＢｓに起因する。
み磁気ヘッドを使用した場合の出力が、図５Ｂに示され
る。読取りヘッドは図５Ａに示すのと同じヘッドが使用
された。高書込み電流１００ｍＡにおいて、読取りヘッ
ドによって生じる振幅は、３０００μＶ近くに達し、顕
著な改善結果であることを示す。この改善は、磁性フェ
ライト製ブロックに対しての軟磁性膜の高飽和モーメン
トＢｓに起因する。
【００２５】図６は、図１Ａに示される薄膜ヘッドの書
込み飽和特性にほぼ近い本発明の磁気ヘッドの特性を示
す。曲線Ａは、本発明の追加磁極端ストライプに関する
曲線１００及び図１Ａのヘッドの付着薄膜の磁極端に関
する曲線１０２を示している。曲線Ａは、７４４磁束変
化／ｍｍの波長を印加して得られる。曲線Ｂは、本発明
の追加磁極端ストライプに関する曲線１０４、及び図１
Ａの付着薄膜の磁極端に関する曲線１０６を示す。曲線
Ｂは、テープ長さ方向に対して９７２磁束変化／ｍｍの
波長を印加して得られる。曲線Ｃは、本発明の追加磁極
端ストライプ３０に関する曲線１０８、及び図１Ａの付
着薄膜型の磁極端に関する曲線１１０を示し、両方の曲
線とも、１４８８磁束変化／ｍｍの波長で動作する場合
に得られる。曲線Ｄは、本発明の追加磁極端３０に関す
る曲線１１２、及び図１Ａの付着された薄膜の磁極端に
関する曲線１１４を示し、この両方の曲線とも、同一波
長で得られ、この時の波長は１９４４磁束変化／ｍｍで
ある。
込み飽和特性にほぼ近い本発明の磁気ヘッドの特性を示
す。曲線Ａは、本発明の追加磁極端ストライプに関する
曲線１００及び図１Ａのヘッドの付着薄膜の磁極端に関
する曲線１０２を示している。曲線Ａは、７４４磁束変
化／ｍｍの波長を印加して得られる。曲線Ｂは、本発明
の追加磁極端ストライプに関する曲線１０４、及び図１
Ａの付着薄膜の磁極端に関する曲線１０６を示す。曲線
Ｂは、テープ長さ方向に対して９７２磁束変化／ｍｍの
波長を印加して得られる。曲線Ｃは、本発明の追加磁極
端ストライプ３０に関する曲線１０８、及び図１Ａの付
着薄膜型の磁極端に関する曲線１１０を示し、両方の曲
線とも、１４８８磁束変化／ｍｍの波長で動作する場合
に得られる。曲線Ｄは、本発明の追加磁極端３０に関す
る曲線１１２、及び図１Ａの付着された薄膜の磁極端に
関する曲線１１４を示し、この両方の曲線とも、同一波
長で得られ、この時の波長は１９４４磁束変化／ｍｍで
ある。
【００２６】上記の曲線Ａ〜Ｄから、たとえ、異なる波
長で動作しても、本発明の磁気ヘッドの特性は、薄膜磁
極片の書込み飽和特性の利点を有していることが明らか
である。本発明の磁気ヘッドは、薄膜ヘッドの特性の利
点をもたらし、一方で、磁気ギャップのエロージョンを
最小に保持する磁気フェライト製ヘッドの磨耗特性を維
持する。
長で動作しても、本発明の磁気ヘッドの特性は、薄膜磁
極片の書込み飽和特性の利点を有していることが明らか
である。本発明の磁気ヘッドは、薄膜ヘッドの特性の利
点をもたらし、一方で、磁気ギャップのエロージョンを
最小に保持する磁気フェライト製ヘッドの磨耗特性を維
持する。
【００２７】本発明の原理が図による実施例で明らかに
なった。この分野の専門家は、本発明の実施に使用され
る構造、配置、形状、素子、材料及び構成物の大部分の
修正が可能であることが直ちに明確にわかる。例えば、
薄膜磁気磁極片及びギャップとして、多数の異なる材料
が使用でき、及び好ましい実施例の磁気ヘッドには他の
絶縁材料が使用できることが明らかである。
なった。この分野の専門家は、本発明の実施に使用され
る構造、配置、形状、素子、材料及び構成物の大部分の
修正が可能であることが直ちに明確にわかる。例えば、
薄膜磁気磁極片及びギャップとして、多数の異なる材料
が使用でき、及び好ましい実施例の磁気ヘッドには他の
絶縁材料が使用できることが明らかである。
【００２８】
【発明の効果】磁気ギャップ領域での磁気テープとの接
触によって生じるエロージョンを低下させ、且つ磁極片
の飽和モーメントのバランスを良くすることができる。
触によって生じるエロージョンを低下させ、且つ磁極片
の飽和モーメントのバランスを良くすることができる。
【図１Ａ】従来技術の薄膜記録磁気ヘッドの断面図であ
る。
る。
【図１Ｂ】従来技術の薄膜記録磁気ヘッドの断面図であ
る。
る。
【図１Ｃ】従来技術の記録磁気ヘッドの記録特性を示す
曲線図である。
曲線図である。
【図１Ｄ】従来技術の記録磁気ヘッドの記録特性を示す
曲線図である。
曲線図である。
【図２】本発明の素子を用いた交互配置型磁気ヘッドの
断面展開図である。
断面展開図である。
【図３】図２の交互配置型磁気ヘッドの書込み素子の展
開図における、ライン３−３の切断断面図ある。
開図における、ライン３−３の切断断面図ある。
【図４】図３の書込みトランスデューサの断面図であっ
て、記録媒体との接触記録における磨耗パターンを示す
図である。
て、記録媒体との接触記録における磨耗パターンを示す
図である。
【図５Ａ】本発明のヘッド以外のヘッドを用いて書込み
を行った場合の出力読取り振幅を示す曲線図である。
を行った場合の出力読取り振幅を示す曲線図である。
【図５Ｂ】本発明のヘッドを用いて書込みを行った場合
の出力読取り振幅を示す曲線図である。
の出力読取り振幅を示す曲線図である。
【図６】図３の本発明の構成と図１Ａの従来技術との比
較関係を示し、異なる波長における書込み飽和特性曲線
を示す図である。
較関係を示し、異なる波長における書込み飽和特性曲線
を示す図である。
１０・・・磁気ヘッド ２２・・・磁性フェライト製基板（第１磁極片） ２４・・・非磁性セラミック製クロージャ・ブロック ２６・・・磁気ギャップ領域 ３０・・・磁極端 ３２・・・非磁性絶縁層 ３４・・・非磁性絶縁層 ３６・・・導体コイル部分 ３８・・・絶縁層 ４０・・・第２磁極片 ４２・・・支持絶縁層 ４６・・・エッチング・ストップ層（アンダコート層）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エドワード・バージル・デニソン アメリカ合衆国アリゾナ州、ツーソン、イ ースト・ローズウッド 7061番地 (72)発明者 ビンセント・ノエル・カワティ アメリカ合衆国アリゾナ州、ツーソン、イ ースト・ハイビュー・プレイス 7856番地 (72)発明者 ジェラルド・ステービィング アメリカ合衆国アリゾナ州、ツーソン、ノ ース・ロングホーン 2868番地
Claims (8)
- 【請求項１】磁性体から成る基板と、 上記基板上のエアー・ベアリング面に近接して配置され
た軟磁性体から成る第１薄膜層と、 上記第１薄膜層及び上記基板を覆う磁気ギャップ形成絶
縁層と、 上記磁気ギャップ形成絶縁層上に配置された導体コイル
と、 上記導体コイルから絶縁されており、バック・ギャップ
で上記基板に接続され、且つ磁気ヘッド・アセンブリの
第２磁極片を形成する軟磁性体から成る第２薄膜層と、 上記第２磁極片を覆う高さ調整絶縁層と、 上記高さ調整絶縁層に結合された非磁性セラミック製ク
ロージャ・ブロックとを有し、 上記第１薄膜層及び上記基板が、磁気ヘッド・アセンブ
リにおいて第１磁極片を形成し、上記第１及び第２薄膜
層は、必要な磁気データ・トラックにほぼ等しい長さを
有し、且つ上記第１薄膜層がエアー・ベアリング面から
上記導体コイルの第１コイルまでの距離よりも狭い幅を
有する磁気ヘッド・アセンブリ。 - 【請求項２】上記基板及び上記第１薄膜層、及び上記第
２薄膜層が、書込みトランスデューサの第１及び第２磁
極片を形成しており、更に上記書込みトランスデューサ
に近接して形成された読取りトランスデューサを有す
る、請求項１記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 - 【請求項３】軟磁性体から成る第１薄膜層を表面に有す
る磁性フェライト製ブロックから成る第１磁極片と、 磁気ギャップを形成する非磁性絶縁体と、 上記非磁性絶縁体を覆い、エアー・ベアリング面の上記
磁気ギャップで磁気相互作用を有し、且つバック・ギャ
ップで上記第１磁極片に接続された軟磁性体の第２薄膜
層から成る第２磁極片と、 バック・ギャップの周囲に形成されていて、上記第１及
び第２磁極片を磁気的に励起させるための導体コイル
と、 上記第２磁極片に近接して配置された非磁性セラミック
製ブロックとを有する磁気ヘッド・アセンブリ。 - 【請求項４】共に結合された第１及び第２モジュール上
を有し、各モジュールが複数の交互に配置された読取り
及び書込みトランスデューサを有し、第１モジュールの
個々の読取り及び書込みトランスデューサが、第２モジ
ュールの個々の読取り及び書込みトランスデューサに対
してそれぞれ対向して位置する交互配置型磁気ヘッド・
アセンブリであって、個々の上記書込みトランスデュー
サが、 軟磁性体から成る第１薄膜層を表面に有する磁性フェラ
イト製ブロックから成る第１磁極片と、 磁気ギャップを形成する非磁性絶縁体と、 上記非磁性絶縁体を覆い、エアー・ベアリング面の上記
磁気ギャップで磁気相互作用を有し、且つバック・ギャ
ップで上記第１磁極片に接続された軟磁性体の第２薄膜
層から成る第２磁極片と、 バック・ギャップの周囲に形成されていて、上記第１及
び第２磁極片を磁気的に励起させるための導体コイル
と、 上記第２磁極片を覆う非磁性体の高さ調整絶縁層と、 上記高さ調整絶縁層を覆う非磁性セラミック製ブロック
とを有する、磁気ヘッド・アセンブリ。 - 【請求項５】磁性基板と、 ストライプの幅で基板のエッジ上に付着した第１磁極片
形成層と、 磁気ギャップ層と、 第２薄膜磁極片と、 上記ギャップ層によって上記第１磁極片形成層から絶縁
され、且つ絶縁層によって上記第２磁極片から絶縁され
た導体層と、 上記第２磁極片に隣接して配置された非磁性セラミック
製クロージャ・ブロックとを有する磁気ヘッド。 - 【請求項６】上記基板と上記第１磁極片形成層との間に
アンダコート層をさらに有することを特徴とする請求項
５記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 - 【請求項７】上記絶縁層が、上記第２磁極片の磁極端の
端部上に形成された非磁性体から成る磁極端保護層と、
該磁極端保護層及び上記第２磁極片を覆う高さ調整絶縁
層とを有することを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッ
ド・アセンブリ。 - 【請求項８】磁性フェライト製基板を得るステップと、 上記基板のエッジに近接する位置に、磁性体のストライ
プを付着させるステップと、 磁気ギャップ層を形成するために、上記ストライプと基
板上にギャップ形成絶縁体を付着させるステップと、 最初の巻線部分が上記ギャップ形成絶縁体によって覆わ
れたストライプの近くから開始する導体巻線を形成する
ために、上記ギャップ形成絶縁体上に電気的導体を付着
させるステップと、 上記導体上に第２の絶縁体を付着させるステップと、 上記ギャップ形成絶縁体上と、上記第２の絶縁体上に磁
性体を付着させて第２の磁極片を形成するステップと、 磁極端の端部に近接する部分において上記第２の磁極片
上に、支持絶縁層を付着させるステップと、 上記支持絶縁層上と、上記第２磁極片の残部上に高さ調
整絶縁層を付着させるステップと、 上記高さ調整絶縁層に非磁性セラミック製クロージャ・
ブロックを結合するステップとを有する磁気ヘッド製作
方法。
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| EP0516288A2 (en) | 1992-12-02 |
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