JP2001526820A

JP2001526820A - データトランスデューサ、および薄膜磁気テープ書込ヘッドの後端縁として底部極を利用してデータを書込むための方法

Info

Publication number: JP2001526820A
Application number: JP55047198A
Authority: JP
Inventors: ニューマン，ローレンス・ジィ
Original assignee: Quantum Corp
Current assignee: Quantum Corp
Priority date: 1997-05-21
Filing date: 1998-05-15
Publication date: 2001-12-18
Also published as: EP0983589A1; WO1998053446A1; US5973891A

Abstract

(57)【要約】データトランスデューサと、それを製造するためのプロセスと、書込ヘッド（５０）の後端縁として底部極（５２）を利用して磁気テープ（６４）のような磁気記憶媒体にデータを書込むための方法とを提供する。底部極（５２）はスパッタリングされたＦｅＮまたはＦｅＮ基合金から形成され得る。なぜなら、これは書込コイル（５６）とその関連の層との上に被せる代わりに平面的な基板上に形成可能であるためである。底部極（５２）は、その幅および端縁輪郭が記録特性を決定する重要な寸法ではないのでウエットエッチング技術によって処理可能である。より広くより平面的な底部極（５２）を書込ヘッドの後端縁として利用することによって、より狭い頂部極（６２）の端縁の周辺磁界に関連した湾曲端縁なしで媒体上により真っ直ぐな磁界遷移が生じる。

Description

【発明の詳細な説明】データトランスデューサ、および薄膜磁気テープ書込ヘッドの後端縁として底部極を利用してデータを書込むための方法発明の背景この発明は一般に磁気記憶媒体のための薄膜データトランスデューサの分野に関する。特に、この発明は、データトランスデューサと、書込ヘッドの後端縁として底部（または下部）極を利用して、ＤＬＴコンピュータテープ（ＤＬＴ^TMは Quantum Corporation，Milpitas，CAの商標である）のような磁気記憶媒体にデータを書込むための方法とに関する。ディスクおよびテープ媒体のための磁気抵抗（「ＭＲ」）ヘッドは別個の読取ヘッド素子および書込ヘッド素子を含み、これらは互いの上に形成され、一般にある共通の材料層を共有する。読取素子は通常、磁界の存在の下に抵抗の変化を示すニッケル−鉄（「ＮｉＦｅ」）のような合金膜からなる。シールド層がＭＲ素子を関連の書込ヘッドからのもののような他の磁界から守る。ＭＲトランスデューサの書込ヘッド素子は薄膜誘導ヘッドと同様に設計される。それは一般に、パーマロイという軟らかい磁気材料から典型的に作られる２つの磁極片を含む。これの極片は媒体の反対の端部で接続され、堆積層の銅製コイルが間に形成される。電流がコイルに供給されると、これは媒体に隣接するヘッドの表面で極片の２つの内端の間のギャップにおいて磁界を生じる。そのギャップに関連した周辺磁界が、媒体の表面上の磁界の方向を反転させることによって磁気記憶媒体（ディスクまたはテープ）へとデータを書込むために用いられる。書込ヘッドコイルの巻数は１０以下の小ささであってもよく、これが従来の薄膜ヘッドにおいて必要とされるより大きい巻数で与えるより低いインダクタンスのため、非常に高いデータ周波数で媒体に信号を書込むことがより容易となる。ＤＬＴ技術は、代替的なヘリカルスキャン技術とは異なり、テープ媒体を平行の水平トラックに分割し、読取／書込アクセスの間は１秒あたり１００インチから３００インチの間で、また探索動作の間はより速く静止ヘッドに対してテープを移動させることによってデータを記録する。この長手方向の記録方法によって、複数の読取素子および書込素子がヘッドに加えられ、著しくデータ転送速度を高める。現行のＤＬＴ製品はヘッドにおける複数の読取／書込素子を用いて同時に２チャネルまたは４チャネルをも読取または書込可能であり、所与の駆動速度および記録密度で可能な転送速度を効果的に２倍または４倍にする。また、この発明の譲受人であるQuantum Corporation，Milpitas，Californiaから入手可能なＤＬＴ製品は、ドライブが同時に複数のデータチャネルを読取可能にする線形ジグザク記録方法を利用する。これもまたQuantum Corporationが開発した革新的な対称的位相記録（「ＳＰＲ」）技術が、交替ヘッド角で隣接するトラックを書込むことによって従来のＤＬＴ記録技術を向上させ、ドラックを横断する干渉（ cross-track interference）をなくし、可能なトラックピッチをより小さくする防護帯域の必要性をなくす。従来、ディスク媒体およびテープ媒体の両方のための薄膜ヘッドでは、製造の間にまっすぐなギャップラインを確実とするために、その頂部極の幅が伝統的にその底部極の幅よりも小さい。しかしながら、これによってより小さい頂部極の端縁の周囲で外方向に湾曲する磁界の輪郭が生じる。データの書込または符号化は媒体が後端縁極の領域を通り過ぎるときに起こり、ディスクヘッドが摺動体として基板を用いるので（これは頂部極（「Ｐ２」）が後端縁極であることを必要とする）、書込まれた遷移がトラック端縁で湾曲する。しかしながら、キャップが書込ヘッドに取付けられているのでテープヘッドは基板が摺動体として作用することを必要とせず、それによって、この発明は、比較的広い底部極が書込ヘッドの後端縁極を形成するようにテープヘッドが構成および利用されるようにする。これは湾曲した遷移をトラック端縁で低減させるのに役立つ。このように底部極を書込ヘッドの後端縁極として使用するのが特に役立つのは、ＦｅＮ基合金のようなある進歩した材料を利用する応用においてである。ＦｅＮ基合金は、ヘッドが下にある書込コイルの上を通る際に頂部極の傾斜した端部のような傾斜面上にスパッタリングされるときにより低い透磁性を有する。また、これはＣｏＺｒＴａのようなスパッタリングされた材料をパターニングするのにも役立つことがある。なぜなら、磁気トラックの幅は頂部極によって規定可能であり、底部極の端縁は決定的な寸法ではなく、トラック幅の制御性の低下なしでウエットエッチング可能であるためである。上述のように、従来の薄膜データトランスデューサでは、底部極は典型的に頂部極の端縁が底部極の端縁に重複しないように頂部極よりも広い。頂部極は付加的な複雑な製造工程によって媒体に面する表面で底部極よりも広くなるよう製造されてもよいが、それは、なお書込ヘッドコイルの上に製造されなければならないという事実のために実質的に平面的に作製できない。書込動作が書込ヘッドの後端縁極で行なわれるのは、書込ギャップの前のヘッドが発生する磁界が、媒体がギャップの前にあるときに媒体の磁化方向を変更する可能性があるためである。結果として、ヘッドが発生する磁界が媒体の保持力を超える領域がギャップの前に存在する。これは一般に「書込バブル」と呼ばれる。ヘッドが発生する磁界の方向が変われば、この書込バルブ内にある媒体のセクションの磁化方向が変わる。磁気媒体がギャップから離れると、それはそこに発生される磁界によってもはや影響を受けず、媒体における磁化方向は媒体が書込バブルを離れるときにそのまま変更されない。したがって、磁界輪郭の形状と磁界傾斜とが後端縁極において最も重要であり、これはそれが媒体における磁化が設定される場所であるためである。発明の概要この発明のデータトランスデューサおよび方法は、書込ヘッドコイルの上を通ることを必要とせずに後端縁極がより平坦な表面上で製造されることを有利に可能にする。上述のように、後端縁極は媒体が書込ヘッドの移動の最後に通り過ぎる書込ヘッドの極である。この発明が提供するより平面的な底部極は、傾斜領域が生じる変化なしに、極の磁気特性の最適化が極のいたるところで同じであることを可能となる。この発明のデータトランスデューサおよび方法は、誘導薄膜データトランスデューサ書込ヘッドの第１の堆積極を後端縁として利用する。この発明は、他の方法では書込コイルとその関連の絶縁層との上に頂部極を形成するために必要な地形的偏位なしで、比較的平面的または平坦な表面上に後端縁極を形成することを可能とする。これによって、傾斜したまたは平面的である以外の表面上にスパッタリングするときに磁気特性の劣化を示す窒化鉄（ＦｅＮおよびその合金、ＦｅＴａＮ、ＦｅＡＩＮ等）または他のもののような後端縁極のための材料の使用が可能となる。さらに、この発明は、他の方法では厳密なトラック幅制御を達成するために極のパターニングに課せられる厳しい要件なしで、スパッタリングされた材料の後端縁極を形成することも可能にする。これは、磁界が書込ギャップから広がるにつれてより狭くなる書込極と関連したトラック端縁の「フック」（“ hook”）なしでより真っ直ぐな磁気遷移を有利に生じる。図面の簡単な説明添付の図面と関連して好ましい実施例の以下の説明を参照すると、この発明の上述および他の特徴および目的ならびにその達成の仕方がより明らかとなり、この発明自体が最もよく理解されるであろう。図１Ａは先行技術に示されるようなデータトランスデューサの書込ヘッド部分の簡単な側断面図であり、比較的平面的な底部極と、多巻数のコイルと、その上に形成された頂部極とを示し、書込ヘッドに対する媒体の方向は、頂部極が「後端縁」極であるように底部極から頂部極である。図１Ｂは図１Ａの構成のテープの簡単な図であり、テープ媒体が書込ヘッドの比較的平面的な底部極から比較的狭くあまり平面的でない頂部極へと移動する先行技術の構成を示す。図２Ａはこの発明に従うデータトランスデューサの書込ヘッド部分の簡単な側断面図であり、比較的平面的な底部極と、多巻数のコイルと、その上に形成された頂部極とを示し、書込ヘッドに対する媒体の方向は、底部極が「後端縁」極であるように頂部極から底部極である。図２Ｂは図２Ａのこの発明の構成のテープの簡単な図であり、テープ媒体が書込ヘッドの比較的狭くあまり平面的でない頂部極から平面的な底部極へと移動することを示す。図３はこの発明に従うテープ書込ヘッドを製造するための製造フローの順序であり、後端縁（または下部）極は書込コイルより前に製造されることによって比較的平面的である。図４Ａおよび図４Ｂは、１．０ＨＣ、０．７５Ｈｃ、０．６７Ｈｃおよび０．５ＨｃでＮｉＦｅ頂部極（「Ｐ２」）を有するニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）の底部極（「Ｐ１」）書込ヘッドと窒化鉄（ＦｅＮ）の底部極（「Ｐ１」）書込ヘッドとのためのエアーベアリング表面（「ＡＢＳ」）でのデジタル線形テープ書込ヘッドに対するそれぞれの磁界輪郭図である。図５Ａおよび図５Ｂは図４Ａおよび図４Ｂそれぞれの輪郭図のトラック端縁領域のより詳細な図であり、従来の構成では書込ヘッドの頂部極のあたりで磁界輪郭が湾曲し、関連のテープトラックの端縁における遷移が湾曲することをより詳細に示す。図６Ａおよび図６Ｂは、頂部極を後端縁極として描き、遷移端縁領域での、結果として生じる周辺パターンとビットの湾曲とを示す、特定のテープトラックの外端縁のそれぞれ地形的および磁力的顕微鏡検査（「ＡＦＭ」および「ＭＦＭ」）画像である。図７Ａおよび図７Ｂは、底部極を後端縁極として描き、対応の遷移端縁領域での、実質的に向上した周辺パターンとかなり低減したビットの湾曲とを示す、別の特定のテープトラックの外端縁のそれぞれΛＦＭおよびＭＦＭ画像である。好ましい実施例の説明ここで図１Ａおよび図１Ｂを参照して、先行技術の書込ヘッドおよびテープ移動構成１０を示す。構成１０は比較的平坦または平面的な前端縁底部極１２を含む書込ヘッドを示す。たとえばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を含む書込ギャップ１４が底部極１２の上に形成される。多巻数１８の銅（Ｃｕ）を含む書込コイル１６が１つ以上の絶縁層２０の間に形成される。図示する書込ヘッドの実施例では、単一の層にこのような巻１８が８個存在するが、特定の応用によっていかなる数が利用されてもよい。後端縁頂部極２２が次に、書込ギャップ１４と書込コイル１６と関連の絶縁層２０との上に形成される。書込コイル１６と関連の絶縁層２０との存在のために、頂部極２２は実質的に非平面的である。この極（２２）を底部極１２の後に製造する必要があるため、また、この材料が前に形成された層に対して可変に整列されるため、この極（２２）の幅は図１Ｂに特に示すようにヘッドの表面の幅よりも小さい。書込ヘッドは可変の磁気記憶媒体、たとえばテープ２４に隣接して位置決めされ、テープ２４へのデータの書込または符号化はそれが底部極１２から頂部極２２へと移動するときに書込ギャップ１４の領域で生じる。スパッタリングされたある材料はその堆積方向に非常に敏感である。ＦｅＮ合金は傾斜した、または実質的に平面的または平坦である以外の基板上にスパッタリングされるときに磁気特性の劣化を示す。さらに、スパッタリングされた極材料のパターニングは厳密な寸法制御が必要とされるときに一般にコストおよび時間がかかるプロセスである。寸法および端縁輪郭が重要でなければ、代替的な処理よりもはるかに安価で速い処理であるウエットエッチングが用いられ得る。構成１０に示すような薄膜ヘッドにおける磁界輪郭線は、より狭い後端縁頂部極２２の端縁で「フック」を示す。これは、トラックの書込幅に対して読出幅を小さくすることによって償わなくてはならない、テープ２４へと書込まれる遷移の端縁を湾曲につながる。これらのトラック端縁が読取られれば、湾曲が信号品質を劣化させる（これは読出信号の「タイムスミヤリング（time-smearing）」と呼ばれることがある）。これは対称的位相記録を必要とする製品、たとえば、書込まれたトラックの端縁が前に書込まれたトラックに角度を持って重複し、フックと前に記録された遷移との間の相互作用が不規則に磁化された（または「ノイズのある」）遷移のあるゾーンを広げることがある、あるＤＬＴ製品においてより問題となり得る。これらの問題のいくつかを改善するために、構成１０に示すような薄膜ヘッドの極はその幅を実質的に等しくするように「トリミング」され得る。これはそれによってトラックの端縁において磁界の広がりを抑え、所与のトラックピッチでトラックの使用可能な幅を増大する。これは典型的に、厚いフォトレジスト材料によってウェハを写真製版によりパターニングし、両方の極をイオンミリングすることによって達成される。写真製版およびイオンミリングのステップは長い比較的安価な処理を生じる。遭遇される問題の中には、比較的厚いフォトレジスト（これは両方の極と書込ギャップとの全体のミリング処理の間持続するのに十分であるほど厚くなくてはならない）の初期パターニングと、フォトレジストの端縁上のミリングされた材料の後に行なわれる堆積とがある。代替的に、書込極は別のコストおよび時間がかかる処理である焦点を合わせられたイオンビームエッチングのような技術によって完成されたヘッド上にエッチングされ得る。Digita l Equipment Corporation，Maynard，Massachusettsが、２つの極の幅がギャップにおいて等しくなるオン・ウェハトラックトリミングの代替例としての「ベベルプロセス」を開発した。しかしながら、ミリングされた材料の再堆積がこの処理においてなお問題である。また、これら先行するアプローチのすべてが周辺磁界の横方向の広がりを低減するのに役立つが、それらはトラック端縁において湾曲した遷移に繋がる磁界輪郭の「フック」を除去するものではない。ＦｅＮ基合金を傾斜した領域上にスパッタリングする方法を定めるためにかなりの研究が行なわれた。バイアススパッタリングと処理温度の上昇とが固有の問題をいくらか減少させるように見えるが、それでも傾斜領域の透磁性が平坦または実質的に平面的な基板上に比べて少なくとも３倍小さい。以下により十分に説明するように、この発明は実質的に平面的なウェハ上の後端縁極へと形成される材料のスパッタリングを可能とする。さらに、寸法が重要でなければスパッタリングされた極材料のためにウエットエッチング技術が用いられるのみである。この発明はまた底部極のために用いられるスパッタリングされた材料の許容度を有利に高め、これは、トラック幅がこの寸法によって規定されないためである。ここで図２Ａおよび図２Ｂを参照して、この発明に従う書込ヘッドおよびテープ移動構成５０を示す。構成５０は比較的平坦なまたは平面的な後端縁底部極５２を含む書込ヘッドを示す。たとえばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を含む書込ギャップ５４が底部極５２の上に形成される。多巻数の５８の銅（Ｃｕ）を含む書込コイル５６が１つ以上の絶縁層６０の間に形成される。図示する書込ヘッドの実施例では、単一の層にこのような巻５８が８個存在するが、特定の用途によっては１０以上の数であってもよい。前端縁頂部極６２が次に書込ギャップ５４、書込コイル５６および関連の絶縁層６０の上に形成される。図１Ａおよび図１Ｂの先行技術の構成１０を参照して上述したように、書込コイル５６と関連の絶縁層６０との存在のために、また、ヘッドを形成する種々の層の整列が可変であるために、頂部極６２は実質的に非平面的であり、図２Ｂに特に示すように底部極５２よりも幅が小さい。書込ヘッドは可動磁気記憶媒体、たとえばテープ６４に隣接して位置決めされ、テープ６４へのデータの書込または符号化は、先行する図１Ａおよび図１Ｂの先行技術の構成１０とは対照的に、それが書込ギャップ５４の領域において頂部極６２から底部極５２の方へ移動するときに行なわれる。ここでさらに図３を参照して、この発明の構成５０のテープヘッドを形成するための典型的な処理の流れ１００を示す。処理の流れ１００は従来の書込ヘッドを形成するために利用され得るものと同様であるが、後端縁極として底部極５２を利用することにより、急速でかつ安価なウエットエッチングプロセスと関連してＦｅＮのようなスパッタリングされた材料から形成可能となるという著しい例外は除く。処理１００は、後端縁底部極５２がパターニングされ、めっきされ、またはスパッタリングされた材料の場合は堆積され、パターニングされる初期ステップ１０２を含む。ここでより十分に述べるように、後端縁極が底部極であるので、これは実質的に平坦または平面的な基板上に形成され、したがって、頂部極６２を形成するために容易には利用できないＦｅＮ（およびその合金、たとえばＦｅＴａＮ、ＦｅＡＩＮ等）のようなスパッタリングされた材料から形成されてもよい。この重要な処理の変形によって、より時間およびコストがかかる処理工程の代わりにウエットエッチング処理の使用が可能となる。その後、書込ギャップ５４がステップ１０４で堆積され、パターニングされる。第１の絶縁層６０が次にステップ１０６で配置され、コイル５６がステップ１０８でパターニングされめっきされる。ステップ１１０において、第２の絶縁層６０がコイル５６の上に敷かれる。前端縁頂部極６２が次にステップ１１２でパターニングされ、めっきされ、その後、ステップ１１４で書込ヘッド接合パッドへの接続部が作られる。書込ヘッドはステップ１１６で包まれ、接合パッドがステップ１１８でめっきされ、書込ヘッドがステップ１２０で最終的な検査へと送られる。上述のように、テープヘッドがディスクヘッドのようにトランスデューサの前に「摺動体」を必要としないので、それらはテープがこの発明に従って最後に底部極の上を通る（すなわち、第１の極がウェハ上に堆積される）ように位置決めされ得る。さらに、媒体が記録されるのはそれがヘッドからの磁界がその保磁力と等しい場所から去るときであるので、媒体における遷移は、ディスクヘッドと先行技術の薄膜テープヘッドとにおいて従来そうであるように、より狭い頂部極６２ではなくより広い底部極５２に隣接して書込まれる。詳しくは、薄膜ヘッドは基板上に製造されるトランスデューサとそれに接合される「摩耗ギャップ」（“wear cap”）とからなる。テープは両方の方向でこの構造の上を通る。この発明は、このアセンブリ（基板、トランスデューサおよび摩耗キャップ）の位置決めがテープ６４が摩耗キャップからトランスデューサへの方向に移動しているときに書込が行なわれるようにされることを指定する。これは極のためにスパッタリングされた材料を用いる際に特に重要性および利点を有する。窒化鉄基合金は堆積方向に敏感であり、基板の傾斜表面上にスパッタリングされる材料は非常に低い透磁性を示す。底部極を後端縁として用いることによって、この極は、高いヘッド効率と高速応答とを与える良好な磁気特性を維持しながら高飽和磁化（「Ｍ」）材料から作ることができる。高いＭ材料は、極先端端縁における飽和によって損なわれない高磁界傾斜によって書込磁界の発生を可能とする。書込が行なわれるのはテープがヘッドを出るときであり、それがギャップに接近するときではないので、これは頂部極がより低いＭの材料から作られるときでも効果的であり得る。トラック幅はなお従来の態様でフォトレジストフレームによってめっきされ得るより狭い頂部極によって規定され、したがって良好なトラック幅制御を保つ。底部極の端縁はその正確な場所においてもその地形においても重要ではない。これによって、ドライエッチング技術よりも高速で安価なウエット化学浴において底部極材料がエッチングされることが可能となる。ここでさらに図４Ａ、４Ｂおよび５Ａ、５Ｂを参照して、ニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）（図４Ａ）および窒化鉄（ＦｅＮ）（図４Ｂ）底部極（「Ｐ１」）とＮｉＦｅ頂部極（「Ｐ２」）とを有する書込ヘッドが発生する、媒体に面する表面での磁界の輪郭図を１．０Ｈｃ、０．７５ＨＣ、０．６７Ｈｃおよび０．５Ｈｃで示す。図５Ａおよび図５Ｂは頂部極のあたりの磁界線の望ましくない湾曲をそれぞれより詳細に示す。これらのさらなる図を参照すると、磁界輪郭は（図の上部の）頂部極のあたりで湾曲し、これがトラックの端縁における遷移の湾曲に繋がることがわかる。この現象は後の図６Ａおよび図６Ｂにそれぞれ示すような地形的および磁力的顕微鏡検査（「ＡＦＭ」および「ＭＦＭ」）画像において観察されており、ここで、２４．９Ｋｆｐｉで書込ヘッド９６３Ｘにより書込まれるテープの（トラック♯１と呼ばれる）トラックの外端縁のＡＦＭ画像およびＭＦＭ画像が図１Ｂに示す方向にヘッドに対して移動する。画像は書込まれたトラックの端縁で集められたものである。図６Ｂは２０×２０μｍの画像サイズの遷移端縁領域における周辺パターンとビットの湾曲とを明らかに示す。特に図７Ａおよび図７Ｂを参照すると、図６Ａおよび図６Ｂに詳細に示したものの対応の図が示され、これらは先の図に示すトラック♯１と同じ２４．９Ｋｆｐｉの周波数で図２Ｂに示す方向に書込まれるトラックの端縁領域において集められたＡＦＭ画像およびＭＦＭ画像を示す。画像は書込まれたトラックの端縁上で集められ、これもまた２０×２０μｍの画像サイズを示す。湾曲した周辺パターンがトラック♯１上のヘッドに対して反対方向に書込まれる図６Ｂのそれよりも図７Ｂにおいて目立たないことがわかる。テープが最後に底部極の上を通る（図２Ａならびに図４および図５において上部から底部に移動する）と、書込が行なわれる磁界輪郭はテープに沿って後方に湾曲するフックなしで真っ直ぐであり、この方向に書込まれるトラックのＭＦＭ画像は端縁での湾曲した領域なしで真っ直ぐである。具体的なデータトランスデューサ構成および記憶媒体応用に関してこの発明の原理を上に説明したが、以上の説明は例示としてのみ行なわれたものであり、この発明の範囲を限定するものではないことを明らかに理解されたい。特に、当業者には他の変更が以上の開示の教示によって理解されることが認識される。このような変更は、それ自体既に公知であり、ここに既に説明した特徴の代わりまたはそれに加えて使用され得る他の特徴を含み得る。クレームは本出願において特徴の特定の組合せとされたが、ここにおける開示の範囲が明白または暗黙に開示された何らかの新規な特徴または特徴の何らかの新規な組合せもしくはその何らかの一般化または変更を含むことが理解されるべきである。それらは、任意のクレームにおいてここで請求されるような同じ発明に関連するものであれ、この発明が直面する同じ技術的問題のいくらかまたはすべてを緩和するものであれ、当業者には明らかであろう。出願人はそれによって、本出願またはそこから引出される何らかのさらなる出願の手続の間、新たなクレームをこのような特徴および／またはこのような特徴の組合せに形式化する権利を保有する。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】平成１０年１２月１８日（１９９８．１２．１８）【補正内容】請求の範囲１．少なくとも１つのデータトラックを有して、複数のデータビットをデータトラックに沿う同様の複数の位置で符号化するための移動磁気記憶媒体と、前記記憶媒体の前記少なくとも１つのデータトラックに隣接して位置決めされるデータトランスデューサとを含み、前記データトランスデューサは、第１の幅の第１の極と前記第１の幅よりも大きい第２の幅の第２の極とを有する書込ヘッドを含み、前記第１の極は第１の磁化を示す第１の材料から形成され、前記第２の極は第２の磁化を示す第２の材料から形成され、湿式化学浴エッチング技術を利用して形成され、第２の磁化は第１の磁化よりも大きく、前記記憶媒体は、前記複数の位置が前記第１の極から前記第２の極へと移動するときに前記複数のデータビットが符号化されるように前記書込ヘッドに対して移動する、データ記憶装置。２．前記移動磁気記憶媒体は磁気テープを含む、請求項１に記載のデータ記憶装置。３．前記第２の極は前記書込ヘッドの前記底部極である、請求項１に記載のデータ記憶装置。４．前記書込ヘッドの前記第２の極は実質的に平面的である、請求項１に記載のデータ記憶装置。５．前記第２の極はスパッタリングされた材料から形成される、請求項１に記載のデータ記憶装置。６．前記スパッタリングされた材料はＦｅＮまたはその合金を含む、請求項１に記載のデータ記憶装置。７．前記第２の幅は前記第２の極を湿式化学浴エッチング技術によりウエットエッチングすることによって規定される、請求項１に記載のデータ記憶装置。８．前記記憶媒体に隣接して前記書込ヘッドの前記第１の極と前記第２の極との間に介在するギャップ層をさらに含む、請求項１に記載のデータ記憶装置。９．前記書込ヘッドの前記第１の極と前記第２の極との間に介在する書込コイルをさらに含む、請求項１に記載のデータ記憶装置。１０．磁気記憶媒体上に複数のデータビットを符号化するための方法であって、第１の幅の第１の極と前記第１の幅よりも大きい第２の幅の第２の極とを有する書込ヘッドを含むデータトランスデューサを設けるステップを含み、前記第１の極は第１の磁化を示す第１の材料から形成され、前記第２の極は第２の磁化を示す第２の材料から形成され、湿式化学浴エッチング技術を利用して形成され、第２の磁化は第１の磁化よりも大きく、前記記憶媒体が前記第１の極から前記第２の極へと移動するときに前記データビットが符号化されるように前記書込ヘッドに対して前記磁気記憶媒体を移動させるステップを含む、方法。１１．前記設けるステップは、前記書込ヘッドの前記第２の極を確立するステップと、前記磁気記憶媒体に隣接して前記第２の極の少なくとも一部の上にギャップ層を被せるステップと、前記第２の極に被さり、そこから絶縁されるコイルを確立するステップと、前記コイルから絶縁される前記書込ヘッドの前記第１の極を前記コイルに被せるステップとを含む、請求項１０に記載の方法。１２．前記第２の極を確立するステップは、実質的に平面的な基板上に磁気材料をスパッタリングするステップを含む、請求項１１に記載の方法。１３．前記スパッタリングするステップはＦｅＮまたはその合金によって行なわれる、請求項１２に記載の方法。１４．前記確立するステップは、前記第２の幅を確立するために前記第２の極を湿式化学浴エッチング技術によりウエットエッチングするステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。１５．磁気書込ヘッドを形成するためのプロセスであって、湿式化学浴エッチング技術を利用して前記書込ヘッドの後端縁極を形成するステップを含み、後端縁極は後端縁極磁化を示し、前記後端縁極に被さるギャップ層を形成するステップと、前記ギャップ層に被さる第１の絶縁層を形成するステップと、前記第１の絶縁層に被さるコイルを形成するステップと、前記コイルに被さる第２の絶縁層を形成するステップと、前記書込ヘッドの前端縁極磁化を示す前端縁極を形成するステップとを含み、後端縁極磁化は前端縁極磁化よりも大きく、前記コイルへの電気的接続を形成し、磁気記憶媒体を、それが前端縁極から後端縁極へと移動するように前端縁極および後端縁極に対して可動であるように形成するステップを含む、プロセス。１６．前記後端縁極を形成するステップは、実質的に平面的な基板上に磁気材料をスパッタリングするステップをさらに含む、請求項１５に記載のプロセス。１７．前記スパッタリングするステップはＦｅＮまたはＦｅＮ基合金を堆積することによって行なわれる、請求項１６に記載のプロセス。１８．前記後端縁極を形成するステップは、前記前端縁極の幅よりも大きい前記後端縁極の幅を確立するために湿式化学浴エッチング技術を利用して前記後端縁極をウエットエッチングするステップをさらに含む、請求項１５に記載のプロセス。１９．前記ギャップ層を形成するステップは、前記後端縁極の一部の上にアルミナを堆積するステップを含む、請求項１５に記載のプロセス。２０．前記コイルを形成するステップは、前記第１の絶縁層へと銅を堆積するステップを含む、請求項１５に記載のプロセス。

Claims

【特許請求の範囲】１．少なくとも１つのデータトラックを有して、複数のデータビットをデータトラックに沿う同様の複数の位置で符号化するための移動磁気記憶媒体と、前記記憶媒体の前記少なくとも１つのデータトラックに隣接して位置決めされるデータトランスデューサとを含み、前記データトランスデューサは、第１の幅の第１の極と前記第１の幅よりも大きい第２の幅の第２の極とを有する書込ヘッドを含み、前記記憶媒体は、前記複数の位置が前記第１の極から前記第２の極へと移動するときに前記複数のデータビットが符号化されるように前記書込ヘッドに対して移動する、データ記憶装置。２．前記移動磁気記憶媒体は磁気テープを含む、請求項１に記載のデータ記憶装置。３．前記第２の極は前記書込ヘッドの前記底部極である、請求項１に記載のデータ記憶装置。４．前記書込ヘッドの前記第２の極は実質的に平面的である、請求項１に記載のデータ記憶装置。５．前記第２の極はスパッタリングされた材料から形成される、請求項１に記載のデータ記憶装置。６．前記スパッタリングされた材料はＦｅＮまたはその合金を含む、請求項１に記載のデータ記憶装置。７．前記第２の幅は前記第２の極をウエットエッチングすることによって規定される、請求項１に記載のデータ記憶装置。８．前記記憶媒体に隣接して前記書込ヘッドの前記第１の極と前記第２の極との間に介在するギャップ層をさらに含む、請求項１に記載のデータ記憶装置。９．前記書込ヘッドの前記第１の極と前記第２の極との間に介在する書込コイルをさらに含む、請求項１に記載のデータ記憶装置。１０．磁気記憶媒体上に複数のデータビットを符号化するための方法であって、第１の幅の第１の極と前記第１の幅よりも大きい第２の幅の第２の極とを有する書込ヘッドを含むデータトランスデューサを設けるステップと、前記記憶媒体が前記第１の極から前記第２の極へと移動するときに前記データビットが符号化されるように前記書込ヘッドに対して前記磁気記憶媒体を移動させるステップとを含む、方法。１１．前記設けるステップは、前記書込ヘッドの前記第２の極を確立するステップと、前記磁気記憶媒体に隣接して前記第２の極の少なくとも一部の上にギャップ層を被せるステップと、前記第２の極に被さり、そこから絶縁されるコイルを確立するステップと、前記コイルから絶縁される前記書込ヘッドの前記第１の極を前記コイルに被せるステップとを含む、請求項１０に記載の方法。１２．前記第２の極を確立するステップは、実質的に平面的な基板上に磁気材料をスパッタリングするステップを含む、請求項１１に記載の方法。１３．前記スパッタリングするステップはＦｅＮまたはその合金によって行なわれる、請求項１２に記載の方法。１４．前記確立するステップは、前記第２の幅を確立するために前記第２の極をウエットエッチングするステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。１５．磁気書込ヘッドを形成するためのプロセスであって、前記書込ヘッドの後端縁極を形成するステップと、前記後端縁極に被さるギャップ層を形成するステップと、前記ギャップ層に被さる第１の絶縁層を形成するステップと、前記第１の絶縁層に被さるコイルを形成するステップと、前記コイルに被さる第２の絶縁層を形成するステップと、前記書込ヘッドの前端縁極を形成するステップと、前記コイルへの電気的接続を形成するステップとを含み、プロセス。１６．前記後端縁極を形成するステップは、実質的に平面的な基板上に磁気材料をスパッタリングするステップをさらに含む、請求項１５に記載のプロセス。１７．前記スパッタリングするステップはＦｅＮまたはＦｅＮ基合金を堆積することによって行なわれる、請求項１６に記載のプロセス。１８．前記後端縁極を形成するステップは、前記前端縁極の幅よりも大きい前記後端縁極の幅を確立するために前記後端縁極をウエットエッチングするステップをさらに含む、請求項１５に記載のプロセス。１９．前記ギャップ層を形成するステップは、前記後端縁極の一部の上にアルミナを堆積するステップを含む、請求項１５に記載のプロセス。２０．前記コイルを形成するステップは、前記第１の絶縁層へと銅を堆積するステップを含む、請求項１５に記載のプロセス。