JPH0450562Y2 - - Google Patents
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- JPH0450562Y2 JPH0450562Y2 JP1985048668U JP4866885U JPH0450562Y2 JP H0450562 Y2 JPH0450562 Y2 JP H0450562Y2 JP 1985048668 U JP1985048668 U JP 1985048668U JP 4866885 U JP4866885 U JP 4866885U JP H0450562 Y2 JPH0450562 Y2 JP H0450562Y2
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- Japan
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- magnetic head
- thin film
- film magnetic
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P25/00—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of AC motor or by structural details
- H02P25/02—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of AC motor or by structural details characterised by the kind of motor
- H02P25/022—Synchronous motors
- H02P25/024—Synchronous motors controlled by supply frequency
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔技術分野〕
本考案は薄膜磁気ヘツド、特にその保護板の接
合部の構造に関する。
合部の構造に関する。
従来、薄膜磁気ヘツドは磁気デイスク装置等に
広く用いられている。薄膜磁気ヘツドは、真空成
膜、メツキ、フオトリソグラフ、エツチング等の
技術を用いて、磁気回路やコイルを形成し、さら
にその上に保護膜として主にスパツタリングによ
りAl2O3やSiO2等の金属酸化物を厚く成膜するこ
とにより製造される。
広く用いられている。薄膜磁気ヘツドは、真空成
膜、メツキ、フオトリソグラフ、エツチング等の
技術を用いて、磁気回路やコイルを形成し、さら
にその上に保護膜として主にスパツタリングによ
りAl2O3やSiO2等の金属酸化物を厚く成膜するこ
とにより製造される。
薄膜磁気ヘツドがハードデイスク装置等大型の
装置において浮揚形磁気ヘツドとして用いられる
場合には、通常密閉した装置（デイスクドライ
ブ）の中に収納され且つ浮上して用いられるた
め、その起動、停止時に磁気ヘツドに他の物が触
れるなどによる損傷のおそれがなければ前記のよ
うな保護膜さえあれば充分である。
装置において浮揚形磁気ヘツドとして用いられる
場合には、通常密閉した装置（デイスクドライ
ブ）の中に収納され且つ浮上して用いられるた
め、その起動、停止時に磁気ヘツドに他の物が触
れるなどによる損傷のおそれがなければ前記のよ
うな保護膜さえあれば充分である。
しかるに、薄膜磁気ヘツドの技術が向上し、こ
れを民生用機器、例えばビデオレコーダや可撓性
磁気媒体を用いた磁気デイスク装置に用いようと
すると、前記ハードデイスク装置とは異なり、装
置の中に磁気ヘツドが露出して用いられ、しかも
通常はデイスクやテープと接触して用いられるた
め、薄膜磁気ヘツドを保護し、その摩耗を避け、
理想的なヘツド−媒体間の接触状態を保つため
に、薄膜磁気ヘツドの上にさらに保護板を貼合わ
せてサンドイツチ構造とした上で、全体に球面状
の滑らかな曲面とすることが行われる。
れを民生用機器、例えばビデオレコーダや可撓性
磁気媒体を用いた磁気デイスク装置に用いようと
すると、前記ハードデイスク装置とは異なり、装
置の中に磁気ヘツドが露出して用いられ、しかも
通常はデイスクやテープと接触して用いられるた
め、薄膜磁気ヘツドを保護し、その摩耗を避け、
理想的なヘツド−媒体間の接触状態を保つため
に、薄膜磁気ヘツドの上にさらに保護板を貼合わ
せてサンドイツチ構造とした上で、全体に球面状
の滑らかな曲面とすることが行われる。
この保護板を薄膜磁気ヘツド上に接合するにあ
たつては、耐久性や接合強度を考えてガラスボン
デングと呼ばれる方法が用いられる。この方法で
は低融点ガラスと呼ばれる軟化点の低いガラスを
細棒や薄板状とし、これを薄膜磁気ヘツドと保護
板との間にはさみ込み、圧着、加熱して接合す
る。このときのガラスの溶融温度は低いものでも
380℃前後であり実際の作業温度は400℃程度であ
る。従つて、薄膜磁気ヘツドがこの温度に耐える
ことが必須の条件となる。しかし、薄膜磁気ヘツ
ドの磁性材料として高温下で処理されてもその特
性を損わない磁性材料としてはセンダスト（例
Fe85−Al5−Si10）やパーマロイ（例 Ni80−
Fe20）が知られている。
たつては、耐久性や接合強度を考えてガラスボン
デングと呼ばれる方法が用いられる。この方法で
は低融点ガラスと呼ばれる軟化点の低いガラスを
細棒や薄板状とし、これを薄膜磁気ヘツドと保護
板との間にはさみ込み、圧着、加熱して接合す
る。このときのガラスの溶融温度は低いものでも
380℃前後であり実際の作業温度は400℃程度であ
る。従つて、薄膜磁気ヘツドがこの温度に耐える
ことが必須の条件となる。しかし、薄膜磁気ヘツ
ドの磁性材料として高温下で処理されてもその特
性を損わない磁性材料としてはセンダスト（例
Fe85−Al5−Si10）やパーマロイ（例 Ni80−
Fe20）が知られている。
しかし、最も磁気的特性の優れているアモルフ
アス合金（例 Co85−Nb10−Zr5）では、その結
晶化温度がこの熱処理温度と大差がないため、保
護板の接合時に部分的に結晶化が始まり、その磁
気的性質が著しく損われてしまう。
アス合金（例 Co85−Nb10−Zr5）では、その結
晶化温度がこの熱処理温度と大差がないため、保
護板の接合時に部分的に結晶化が始まり、その磁
気的性質が著しく損われてしまう。
又、薄膜磁気ヘツドの層間絶縁層として知られ
ている有機材料（例 AZ−1350Ｊ、キノンジアジ
ド系感光樹脂）も300℃位から体積収縮が始まり、
ガラスボンデイングに耐えることが出来ない。
ている有機材料（例 AZ−1350Ｊ、キノンジアジ
ド系感光樹脂）も300℃位から体積収縮が始まり、
ガラスボンデイングに耐えることが出来ない。
一方、このガラスボンデイングの代りに有機接
着剤（例 アラルダイト）で保護板を接着する方
法が知られている。この方法では有機接着剤の硬
化温度が200℃以下におさえられ、前記のような
高温下での処理は必要でないことから、接合条件
としてはガラスボンデイングに比べて緩やかであ
るが、逆に信頼性に乏しい欠点がある。
着剤（例 アラルダイト）で保護板を接着する方
法が知られている。この方法では有機接着剤の硬
化温度が200℃以下におさえられ、前記のような
高温下での処理は必要でないことから、接合条件
としてはガラスボンデイングに比べて緩やかであ
るが、逆に信頼性に乏しい欠点がある。
本考案は薄膜磁気ヘツドに保護板を接合する際
に、高温処理を必要としない、信頼性の高い接合
を実現した接合部を有する薄膜磁気ヘツドを提供
することを目的とする。
に、高温処理を必要としない、信頼性の高い接合
を実現した接合部を有する薄膜磁気ヘツドを提供
することを目的とする。
本考案は薄膜磁気ヘツドの表面の一部にハンダ
領域を設け、保護板の裏面に前記ハンダ領域に対
応する第２のハンダ領域を設け、両者を整列重畳
して金属溶着したことを特徴とする、保護板を接
合して薄膜磁気ヘツドである。
領域を設け、保護板の裏面に前記ハンダ領域に対
応する第２のハンダ領域を設け、両者を整列重畳
して金属溶着したことを特徴とする、保護板を接
合して薄膜磁気ヘツドである。
これにより、アモルフアス薄膜を磁性材料とし
て用いる場合にもその結晶化温度よりも低い300
℃以下の温度で保護板と薄膜磁気ヘツドとのボン
デングを行うことができる。
て用いる場合にもその結晶化温度よりも低い300
℃以下の温度で保護板と薄膜磁気ヘツドとのボン
デングを行うことができる。
以下、本考案の実施例を詳しく説明する。
〔実施例〕
第１図は保護板を接合する前の薄膜磁気ヘツド
の構成を示す一部破断斜視図で保護膜を除いて示
した図であり、第２図は同薄膜磁気ヘツドの拡大
中央断面図である。磁気ヘツドはアモルフアス合
金等のメツキ等で形成された下部磁性膜（下部コ
ア）１ａ、上部磁性膜（上部コア）１ｂ、これら
を離隔するAl2O3、セラミツク等の絶縁層３、絶
縁層３の中間に銅等のメツキ等で形成されたスパ
イラル導体２ａ−２a′ないし２ｈ−２h′で示され
るコイル２、これらを支える基板９、及びその表
面のAl2O3等の絶縁層８を有する。又上下磁性膜
１ａ，１ｂは４の個所で磁気的に結合され、コイ
ル２はこの個所を周回する形になつている。コイ
ルの両端はリード６，７にそれぞれ結合されてい
る。従つて、リード６から流れる電流はスパイラ
ルコイル２を通つたあと、５の個所からリード７
へと流れる。更に第１図では示さないが、図示の
薄膜磁気ヘツドのエレメントは第２図のように全
体にAl2O3等の保護膜１０で覆われている。第２
図から分るように、コア１ａ，１ｂの先端はギヤ
ツプ寸法Ｇをはさんで突き合わされており、信号
を漏洩して記録体に信号磁界を印加し、或いは再
生時にはここから記録体の磁化信号を検出する。
の構成を示す一部破断斜視図で保護膜を除いて示
した図であり、第２図は同薄膜磁気ヘツドの拡大
中央断面図である。磁気ヘツドはアモルフアス合
金等のメツキ等で形成された下部磁性膜（下部コ
ア）１ａ、上部磁性膜（上部コア）１ｂ、これら
を離隔するAl2O3、セラミツク等の絶縁層３、絶
縁層３の中間に銅等のメツキ等で形成されたスパ
イラル導体２ａ−２a′ないし２ｈ−２h′で示され
るコイル２、これらを支える基板９、及びその表
面のAl2O3等の絶縁層８を有する。又上下磁性膜
１ａ，１ｂは４の個所で磁気的に結合され、コイ
ル２はこの個所を周回する形になつている。コイ
ルの両端はリード６，７にそれぞれ結合されてい
る。従つて、リード６から流れる電流はスパイラ
ルコイル２を通つたあと、５の個所からリード７
へと流れる。更に第１図では示さないが、図示の
薄膜磁気ヘツドのエレメントは第２図のように全
体にAl2O3等の保護膜１０で覆われている。第２
図から分るように、コア１ａ，１ｂの先端はギヤ
ツプ寸法Ｇをはさんで突き合わされており、信号
を漏洩して記録体に信号磁界を印加し、或いは再
生時にはここから記録体の磁化信号を検出する。
次に、第３〜４図により、保護板とその接合手
段を詳しく説明する。第３図は第１図と同様な薄
膜磁気ヘツドの斜視図であり、保護膜の形勢より
も前に例えばメツキによりハンダの厚い層より成
る領域１１ａ，１１ｂを形成する。これらの領域
は保護膜よりもt1だけ突出して形成されるもので
あり、これは薄膜磁気ヘツドを作る工程中でパタ
ーニングされているものであり、第３図の６，７
リード線引出しの為のバンプ形成と同時に形成す
ることが可能であり、その後所定のパターンの形
成を行い、ハンダ領域１１ａ，１１ｂを除いて保
護膜１０を形成する（第４図参照）。
段を詳しく説明する。第３図は第１図と同様な薄
膜磁気ヘツドの斜視図であり、保護膜の形勢より
も前に例えばメツキによりハンダの厚い層より成
る領域１１ａ，１１ｂを形成する。これらの領域
は保護膜よりもt1だけ突出して形成されるもので
あり、これは薄膜磁気ヘツドを作る工程中でパタ
ーニングされているものであり、第３図の６，７
リード線引出しの為のバンプ形成と同時に形成す
ることが可能であり、その後所定のパターンの形
成を行い、ハンダ領域１１ａ，１１ｂを除いて保
護膜１０を形成する（第４図参照）。
一方、ガラス等の保護板１４の裏面には第４図
に示すようにフオトリソグラフ、エツチング、メ
ツキの処理をして磁気ヘツド側のハンダ領域１１
ａ，１１ｂと面対称な位置に同じく高さｔだけ突
出するハンダメツキされたパターン１２ａ，１２
ｂを形成しておく。なおハンダのまわり込みを防
止するためにハンダ領域１２ａ，１２ｂの周囲に
はリング状またはこれに準じた溝１３をあらかじ
めパターンニングして形成しておくことが好まし
い。別法として、溝１３の代りに磁気ヘツド側の
ハンダ領域１１ａ，１１ｂの周りに溝を形成して
おいても良い。
に示すようにフオトリソグラフ、エツチング、メ
ツキの処理をして磁気ヘツド側のハンダ領域１１
ａ，１１ｂと面対称な位置に同じく高さｔだけ突
出するハンダメツキされたパターン１２ａ，１２
ｂを形成しておく。なおハンダのまわり込みを防
止するためにハンダ領域１２ａ，１２ｂの周囲に
はリング状またはこれに準じた溝１３をあらかじ
めパターンニングして形成しておくことが好まし
い。別法として、溝１３の代りに磁気ヘツド側の
ハンダ領域１１ａ，１１ｂの周りに溝を形成して
おいても良い。
次に第４図に示すようにハンダ領域が上下に整
列するように磁気ヘツドと保護板１４とを重畳さ
せ、全体を一定な力Ｆで押圧し、その状態で赤外
線を照射する。これによりハンダ領域１１ａ，１
１ｂと１２ａ，１２ｂとは溶融して接合する。な
お余分なハンダが周りへ流れ出そうとしても周囲
の溝１３に捕捉される。これにより余分な溶融ハ
ンダがすき間にまわり込んで不必要な接着層を形
成することが防止される。赤外線の照射による温
度上昇はハンダの溶融温度約200℃以下に抑える
ことができるから、磁気ヘツドの磁性膜がアモル
フアス合金から形成される場合も、その結晶化温
度である約300℃よりも十分に低い温度でボンデ
イング処理を行うことができるだけでなく、強力
な接合が達成できる。
列するように磁気ヘツドと保護板１４とを重畳さ
せ、全体を一定な力Ｆで押圧し、その状態で赤外
線を照射する。これによりハンダ領域１１ａ，１
１ｂと１２ａ，１２ｂとは溶融して接合する。な
お余分なハンダが周りへ流れ出そうとしても周囲
の溝１３に捕捉される。これにより余分な溶融ハ
ンダがすき間にまわり込んで不必要な接着層を形
成することが防止される。赤外線の照射による温
度上昇はハンダの溶融温度約200℃以下に抑える
ことができるから、磁気ヘツドの磁性膜がアモル
フアス合金から形成される場合も、その結晶化温
度である約300℃よりも十分に低い温度でボンデ
イング処理を行うことができるだけでなく、強力
な接合が達成できる。
第１図は薄膜磁気ヘツドの部分破断斜視図、第
２図は同中央断面図、第３図は本考案のハンダ領
域を有する薄膜磁気ヘツドの斜視図、及び第４図
は保護板と薄膜磁気ヘツドの接合を示す断面図で
ある。図中主な部分は次の通りである。 １ａ，１ｂ……磁性膜、２ａ，２ｂ，２ｈ，２
a′，２b′，２h′……コイル導体、３……絶縁層、
４……接合部、６，７……引出リード、８……絶
縁層、９……基板、１０……保護層、１１ａ，１
１ｂ……ハンダ領域、１２ａ，１２ｂ……ハンダ
領域、１３……溝、１４……保護板。
２図は同中央断面図、第３図は本考案のハンダ領
域を有する薄膜磁気ヘツドの斜視図、及び第４図
は保護板と薄膜磁気ヘツドの接合を示す断面図で
ある。図中主な部分は次の通りである。 １ａ，１ｂ……磁性膜、２ａ，２ｂ，２ｈ，２
a′，２b′，２h′……コイル導体、３……絶縁層、
４……接合部、６，７……引出リード、８……絶
縁層、９……基板、１０……保護層、１１ａ，１
１ｂ……ハンダ領域、１２ａ，１２ｂ……ハンダ
領域、１３……溝、１４……保護板。
Claims (1)
- 基板上に、薄膜磁性体によりヘツドコアを形成
し、薄膜導体により前記コアを周回するコイルを
形成し、前記コア及びコイル周囲を保護膜により
保護した薄膜磁気ヘツドの表面に保護板を接合し
た薄膜磁気ヘツドにおいて、前記基板面に接合さ
れそこから前記保護膜を貫いて磁気ヘツドの表面
に露出する接合用のハンダ領域が形成され、一方
前記保護板の裏面には前記ハンダ領域に対して面
対称な位置に第２のハンダ領域が形成され、且つ
それらの領域が上下で互いに融着していることを
特徴とする、保護板を接合した薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985048668U JPH0450562Y2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | |
| FR868604712A FR2580111B1 (ja) | 1985-04-03 | 1986-04-02 | |
| DE19863610998 DE3610998A1 (de) | 1985-04-03 | 1986-04-02 | Duennfilm-magnetkopf |
| US07/183,542 US4797765A (en) | 1985-04-03 | 1988-04-14 | Thin film magnetic head having solder-bonded protective plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985048668U JPH0450562Y2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61167012U JPS61167012U (ja) | 1986-10-16 |
| JPH0450562Y2 true JPH0450562Y2 (ja) | 1992-11-30 |
Family
ID=12809704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985048668U Expired JPH0450562Y2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4797765A (ja) |
| JP (1) | JPH0450562Y2 (ja) |
| DE (1) | DE3610998A1 (ja) |
| FR (1) | FR2580111B1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03245312A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-31 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| US5184394A (en) * | 1990-04-26 | 1993-02-09 | Seagate Technology, Inc. | Method of making a thin film head on ferrite substrate with inclined top pole |
| US5130877A (en) * | 1990-04-26 | 1992-07-14 | Seagate Technology, Inc. | Thin film head on ferrite substrate with inclined top pole |
| US5170303A (en) * | 1990-04-30 | 1992-12-08 | Seagate Technology Inc. | Inductive thin film head having improved readback characteristics |
| JP2971538B2 (ja) * | 1990-07-30 | 1999-11-08 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| US5134535A (en) * | 1991-01-18 | 1992-07-28 | Digital Equipment Corporation | Architecture for a thin-film magnetic recording head |
| US5142768A (en) * | 1991-05-02 | 1992-09-01 | International Business Machines Corporation | Method for making magnetic head with enhanced poletip |
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