JP3363850B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
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- G11B5/312—Details for reducing flux leakage between the electrical coil layers and the magnetic cores or poles or between the magnetic cores or poles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係
り、特に狭トラック化に対応できるとともに、適切にラ
イトフリンジングの発生を抑制することが可能な薄膜磁
気ヘッド及びその製造方法に関する。
ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係
り、特に狭トラック化に対応できるとともに、適切にラ
イトフリンジングの発生を抑制することが可能な薄膜磁
気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１３は、従来の薄膜磁気ヘッドを記録
媒体との対向面（ＡＢＳ面）から見た部分正面図であ
る。
媒体との対向面（ＡＢＳ面）から見た部分正面図であ
る。
【０００３】図１３に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用の
インダクティブヘッドであり、このインダクティブヘッ
ドの図示下側に、再生用のＭＲヘッドが形成されていて
もよい。
インダクティブヘッドであり、このインダクティブヘッ
ドの図示下側に、再生用のＭＲヘッドが形成されていて
もよい。
【０００４】図１３に示す符号１は、磁性材料で形成さ
れた下部コア層であり、この下部コア層１の上に、Ｓｉ
Ｏ2などの絶縁材料で形成された絶縁層９が形成されて
いる。
れた下部コア層であり、この下部コア層１の上に、Ｓｉ
Ｏ2などの絶縁材料で形成された絶縁層９が形成されて
いる。
【０００５】この絶縁層９には、図１３に示すように、
溝部９ａが形成されており、前記溝部９ａ内に下から、
前記下部コア層１と磁気的に接続する下部磁極層３、磁
気ギャップ層４、及び上部コア層６に磁気的に接続する
上部磁極層５が形成されている。
溝部９ａが形成されており、前記溝部９ａ内に下から、
前記下部コア層１と磁気的に接続する下部磁極層３、磁
気ギャップ層４、及び上部コア層６に磁気的に接続する
上部磁極層５が形成されている。
【０００６】前記溝部９ａ内に形成された前記３層は、
少なくとも前記溝部９ａの内幅寸法が、トラック幅Ｔｗ
として規制された部分に形成されており、さらに前記溝
部９ａの途中から前記絶縁層９の表面９ｃにかけて、前
記溝部９ａの内幅寸法がトラック幅Ｔｗから徐々に広が
るようにして傾斜する傾斜面９ｂ，９ｂが形成されてい
る。
少なくとも前記溝部９ａの内幅寸法が、トラック幅Ｔｗ
として規制された部分に形成されており、さらに前記溝
部９ａの途中から前記絶縁層９の表面９ｃにかけて、前
記溝部９ａの内幅寸法がトラック幅Ｔｗから徐々に広が
るようにして傾斜する傾斜面９ｂ，９ｂが形成されてい
る。
【０００７】そして前記上部磁極層５上に磁気的に接続
されて形成される上部コア層６は、前記絶縁層９に形成
された傾斜面９ｂ，９ｂ上から形成されている。
されて形成される上部コア層６は、前記絶縁層９に形成
された傾斜面９ｂ，９ｂ上から形成されている。
【０００８】図１４ないし図１６は、図１３に示す薄膜
磁気ヘッドの製造方法を示す工程図である。
磁気ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【０００９】図１４に示す工程では、下部コア層１上に
絶縁層９を形成し、さらにその上にレジスト層７を形成
する。そして前記レジスト層７には、露光現像により所
定の間隔７ａをパターン形成する。図１４に示すよう
に、前記間隔７ａは、下部コア層１に対して垂直な方向
（図示Ｚ方向）に形成されており、前記間隔７ａの幅寸
法はほぼ一定の寸法で形成されている。
絶縁層９を形成し、さらにその上にレジスト層７を形成
する。そして前記レジスト層７には、露光現像により所
定の間隔７ａをパターン形成する。図１４に示すよう
に、前記間隔７ａは、下部コア層１に対して垂直な方向
（図示Ｚ方向）に形成されており、前記間隔７ａの幅寸
法はほぼ一定の寸法で形成されている。
【００１０】そして前記間隔７ａの下に露出する絶縁層
９を、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ法）によ
りエッチングし、前記絶縁層９に、レジスト層７に形成
された間隔７ａとほぼ同じ内幅寸法を有する溝部９ａを
形成する。
９を、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ法）によ
りエッチングし、前記絶縁層９に、レジスト層７に形成
された間隔７ａとほぼ同じ内幅寸法を有する溝部９ａを
形成する。
【００１１】前記溝部９ａの内幅寸法はトラック幅Ｔｗ
として規制されており、従来では、前記トラック幅Ｔｗ
の寸法は、レジスト層７にパターン形成された間隔７ａ
の幅寸法に左右されることになる。
として規制されており、従来では、前記トラック幅Ｔｗ
の寸法は、レジスト層７にパターン形成された間隔７ａ
の幅寸法に左右されることになる。
【００１２】次に前記レジスト層７を除去した後、図１
５に示す工程では、前記絶縁層９上に、溝部９ａよりも
大きな間隔８ａを有するレジスト層８をパターン形成す
る。前記レジスト層８の膜厚は、寸法Ｈ１で形成されて
いる。
５に示す工程では、前記絶縁層９上に、溝部９ａよりも
大きな間隔８ａを有するレジスト層８をパターン形成す
る。前記レジスト層８の膜厚は、寸法Ｈ１で形成されて
いる。
【００１３】前記レジスト層８に形成された間隔８ａ
は、絶縁層９に形成された溝部９ａよりも大きい幅寸法
で形成されていることにより、前記間隔８ａ内には、絶
縁層９の表面９ｃの一部が露出した状態になっている。
は、絶縁層９に形成された溝部９ａよりも大きい幅寸法
で形成されていることにより、前記間隔８ａ内には、絶
縁層９の表面９ｃの一部が露出した状態になっている。
【００１４】そして図１６に示す工程では、イオンミリ
ングにより、前記レジスト層８に形成された間隔８ａ内
に露出する絶縁層９の表面９ｃを斜めに削り、これによ
り、前記表面９ｃには、傾斜部９ｂが形成される。
ングにより、前記レジスト層８に形成された間隔８ａ内
に露出する絶縁層９の表面９ｃを斜めに削り、これによ
り、前記表面９ｃには、傾斜部９ｂが形成される。
【００１５】以上の製造方法により、絶縁層９には、ト
ラック幅Ｔｗを規制する溝部９ａと、前記溝部９ａの途
中から、前記絶縁層９の表面９ｃにかけて、徐々に幅寸
法が広がる傾斜面９ｂ，９ｂを形成することができる。
ラック幅Ｔｗを規制する溝部９ａと、前記溝部９ａの途
中から、前記絶縁層９の表面９ｃにかけて、徐々に幅寸
法が広がる傾斜面９ｂ，９ｂを形成することができる。
【００１６】図１４ないし図１６に示す製造方法によっ
て形成された図１３に示す薄膜磁気ヘッドでは、前記ト
ラック幅Ｔｗを１．０μｍ以下の微小な幅で形成でき、
しかも上部コア層６を、絶縁層９の溝部９ａに形成され
た傾斜部９ｂ上に形成しているので、下部コア層１と磁
気的に接続する下部磁極層３との距離を適正に離すこと
ができ、ライトフリンジングの発生を有効に防止するこ
とが可能になるとしている。
て形成された図１３に示す薄膜磁気ヘッドでは、前記ト
ラック幅Ｔｗを１．０μｍ以下の微小な幅で形成でき、
しかも上部コア層６を、絶縁層９の溝部９ａに形成され
た傾斜部９ｂ上に形成しているので、下部コア層１と磁
気的に接続する下部磁極層３との距離を適正に離すこと
ができ、ライトフリンジングの発生を有効に防止するこ
とが可能になるとしている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おける上記の薄膜磁気ヘッドの構造及びその製造方法で
は、今後のさらなる狭トラック化に適切に対応すること
はできない。
おける上記の薄膜磁気ヘッドの構造及びその製造方法で
は、今後のさらなる狭トラック化に適切に対応すること
はできない。
【００１８】前述したように、図１４に示す絶縁層９上
に形成されたレジスト層７には、露光現像によって、所
定の間隔７ａがパターン形成されるが、この間隔７ａの
幅寸法（解像度）は、露光現像の際に使用される波長に
大きく係わり、前記波長を短波長にすると、解像度を高
めることができる。
に形成されたレジスト層７には、露光現像によって、所
定の間隔７ａがパターン形成されるが、この間隔７ａの
幅寸法（解像度）は、露光現像の際に使用される波長に
大きく係わり、前記波長を短波長にすると、解像度を高
めることができる。
【００１９】しかしながら、当然に前記解像度には限界
があり、前記間隔７ａを、解像度の限界値以下の寸法
で、パターン形成することはできない。
があり、前記間隔７ａを、解像度の限界値以下の寸法
で、パターン形成することはできない。
【００２０】そして図１４の工程で説明したように、絶
縁層９に形成されたトラック幅Ｔｗを規制するための溝
部９ａの内幅寸法は、レジスト層７にパターン形成され
た一定の幅寸法を有する間隔７ａの幅寸法とほぼ同程度
で形成される。
縁層９に形成されたトラック幅Ｔｗを規制するための溝
部９ａの内幅寸法は、レジスト層７にパターン形成され
た一定の幅寸法を有する間隔７ａの幅寸法とほぼ同程度
で形成される。
【００２１】すなわち従来の製造方法のように、レジス
ト層７にパターン形成された間隔７ａと同じ間隔を有す
る溝部９ａを、絶縁層９にＲＩＥ（リアクティブ イオ
ンエッチング；Reactive Ion Etching）により転写さ
せて、トラック幅Ｔｗを規定する方法では、前記トラッ
ク幅Ｔｗを、レジスト層７の解像度以下の幅寸法で形成
することはできない。今後のさらなる高記録密度化によ
って、レジスト層７の解像度以下の幅寸法でトラック幅
Ｔｗを形成する必要があるものと考えられる。
ト層７にパターン形成された間隔７ａと同じ間隔を有す
る溝部９ａを、絶縁層９にＲＩＥ（リアクティブ イオ
ンエッチング；Reactive Ion Etching）により転写さ
せて、トラック幅Ｔｗを規定する方法では、前記トラッ
ク幅Ｔｗを、レジスト層７の解像度以下の幅寸法で形成
することはできない。今後のさらなる高記録密度化によ
って、レジスト層７の解像度以下の幅寸法でトラック幅
Ｔｗを形成する必要があるものと考えられる。
【００２２】また図１６に示す工程では、イオンミリン
グの際に噴射されるイオンが、均一に分散していないた
めに、図示左右から噴射されるイオンの入射角θ１，θ
２が、それぞれ異なっており、よって前記イオン噴射に
よって削られた絶縁層９の傾斜面９ｂ，９ｂの傾きがそ
れぞれ異なり、左右対称の傾斜面９ｂ，９ｂを形成する
ことができないといった問題があった。
グの際に噴射されるイオンが、均一に分散していないた
めに、図示左右から噴射されるイオンの入射角θ１，θ
２が、それぞれ異なっており、よって前記イオン噴射に
よって削られた絶縁層９の傾斜面９ｂ，９ｂの傾きがそ
れぞれ異なり、左右対称の傾斜面９ｂ，９ｂを形成する
ことができないといった問題があった。
【００２３】特に、トラック幅Ｔｗが狭小化するに伴
い、絶縁層９上に形成されるレジスト層８の分布が不均
一であったり、また、レジスト層８の膜厚ｈ１が厚く形
成されると、傾斜面９ｂ，９ｂの傾斜角のアンバランス
が顕著に現れる。
い、絶縁層９上に形成されるレジスト層８の分布が不均
一であったり、また、レジスト層８の膜厚ｈ１が厚く形
成されると、傾斜面９ｂ，９ｂの傾斜角のアンバランス
が顕著に現れる。
【００２４】このように、絶縁層９の溝部９ａに形成さ
れる傾斜面９ｂ，９ｂの傾斜角が左右対称に形成されな
いと、図１３に示す前記傾斜面９ｂ，９ｂ上に形成され
る上部コア層６と、例えば下部コア層１と磁気的に接続
される下部磁極層３との間で、漏れ磁界が発生しやすく
なり、ライトフリンジングの発生を、適切に防止するこ
とができなくなる。
れる傾斜面９ｂ，９ｂの傾斜角が左右対称に形成されな
いと、図１３に示す前記傾斜面９ｂ，９ｂ上に形成され
る上部コア層６と、例えば下部コア層１と磁気的に接続
される下部磁極層３との間で、漏れ磁界が発生しやすく
なり、ライトフリンジングの発生を、適切に防止するこ
とができなくなる。
【００２５】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、特にレジストの解像度以下の幅でトラック幅Ｔｗ
を形成することができ、且つライトフリンジングを有効
に防止できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。
あり、特にレジストの解像度以下の幅でトラック幅Ｔｗ
を形成することができ、且つライトフリンジングを有効
に防止できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明における薄膜磁気
ヘッドは、下部コア層と、上部コア層と、両コア層の間
に位置する少なくとも１層の絶縁層とを有し、前記絶縁
層にはトラック幅規制溝が形成され、このトラック幅規
制溝内に、前記下部コア層と連続する下部磁極層及び／
または上部コア層と連続する上部磁極層、ならびに前記
一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層との間
または両磁極層の間に位置する磁気ギャップ層が設けら
れており、前記絶縁層は、下部コア層側に位置し、Ｓｉ
Ｏ 2 、ＴｉＯ、ＷＯ、ＷＯ 3 、ＳｉＯＮから選ばれる材料
によって形成される主絶縁層と、その上に形成されたＡ
ｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 から選ばれる材料によって形成さ
れる副絶縁層から成り、少なくとも前記主絶縁層に前記
トラック幅規制溝が形成され、前記副絶縁層に、前記ト
ラック幅規制溝の両側部の上端から前記副絶縁層の表面
にかけて、徐々に前記トラック幅方向の間隔が広がる対
向面が形成されており、前記対向面上に、前記上部磁極
層及び／または上部コア層が形成されていることを特徴
とするものである。
ヘッドは、下部コア層と、上部コア層と、両コア層の間
に位置する少なくとも１層の絶縁層とを有し、前記絶縁
層にはトラック幅規制溝が形成され、このトラック幅規
制溝内に、前記下部コア層と連続する下部磁極層及び／
または上部コア層と連続する上部磁極層、ならびに前記
一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層との間
または両磁極層の間に位置する磁気ギャップ層が設けら
れており、前記絶縁層は、下部コア層側に位置し、Ｓｉ
Ｏ 2 、ＴｉＯ、ＷＯ、ＷＯ 3 、ＳｉＯＮから選ばれる材料
によって形成される主絶縁層と、その上に形成されたＡ
ｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 から選ばれる材料によって形成さ
れる副絶縁層から成り、少なくとも前記主絶縁層に前記
トラック幅規制溝が形成され、前記副絶縁層に、前記ト
ラック幅規制溝の両側部の上端から前記副絶縁層の表面
にかけて、徐々に前記トラック幅方向の間隔が広がる対
向面が形成されており、前記対向面上に、前記上部磁極
層及び／または上部コア層が形成されていることを特徴
とするものである。
【００２７】本発明では、上記のように、下部コア層上
には、主絶縁層が形成され、その上に副絶縁層が形成さ
れており、少なくとも前記主絶縁層には、トラック幅規
制溝が形成されている。前記トラック幅規制溝の幅寸
法、すなわちトラック幅Ｔｗは、本発明では、レジスト
の解像度以下の幅寸法で形成され、具体的には、０．７
μｍ以下で形成され、好ましくは、０．５μｍ以下で形
成され、より好ましくは、０．３μｍ以下で形成され
る。
には、主絶縁層が形成され、その上に副絶縁層が形成さ
れており、少なくとも前記主絶縁層には、トラック幅規
制溝が形成されている。前記トラック幅規制溝の幅寸
法、すなわちトラック幅Ｔｗは、本発明では、レジスト
の解像度以下の幅寸法で形成され、具体的には、０．７
μｍ以下で形成され、好ましくは、０．５μｍ以下で形
成され、より好ましくは、０．３μｍ以下で形成され
る。
【００２８】また本発明では、前記副絶縁層には、前記
主絶縁層に形成されたトラック幅規制溝の両側端部の上
端から、前記副絶縁層の表面にかけて、徐々に前記トラ
ック幅方向の間隔が広がる対向面が形成されており、こ
の対向面上に、上部磁極層及び／または上部コア層が形
成されている。
主絶縁層に形成されたトラック幅規制溝の両側端部の上
端から、前記副絶縁層の表面にかけて、徐々に前記トラ
ック幅方向の間隔が広がる対向面が形成されており、こ
の対向面上に、上部磁極層及び／または上部コア層が形
成されている。
【００２９】本発明では、前記対向面をほぼ左右対称に
形成することができ、ライトフリンジングの発生を適切
に防止することができる。
形成することができ、ライトフリンジングの発生を適切
に防止することができる。
【００３０】本発明では、前記主絶縁層は、ＳｉＯ 2 ま
たはＳｉＯＮで形成され、前記副絶縁層は、Ａｌ 2 Ｏ 3 ま
たはＳｉ 3 Ｎ 4 で形成されていることが好ましい。 また、
本発明では、前記対向面は、前記副絶縁層が削られて形
成されたものであってもよいし、あるいは、前記副絶縁
層をスパッタ成膜することにより形成されたものであっ
てもよい。
たはＳｉＯＮで形成され、前記副絶縁層は、Ａｌ 2 Ｏ 3 ま
たはＳｉ 3 Ｎ 4 で形成されていることが好ましい。 また、
本発明では、前記対向面は、前記副絶縁層が削られて形
成されたものであってもよいし、あるいは、前記副絶縁
層をスパッタ成膜することにより形成されたものであっ
てもよい。
【００３１】また本発明では、例えばガスとしてＣ 3 Ｆ 8
＋（Ａｒ）またはＣ 5 Ｆ 8 ＋（Ａｒ）を使用する反応性イ
オンエッチングに対する、前記主絶縁層のエッチングレ
ートが、前記副絶縁層の前記エッチングレートに比べて
大きくなる。
＋（Ａｒ）またはＣ 5 Ｆ 8 ＋（Ａｒ）を使用する反応性イ
オンエッチングに対する、前記主絶縁層のエッチングレ
ートが、前記副絶縁層の前記エッチングレートに比べて
大きくなる。
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、 （ａ）下部コア層上に、主絶縁層を、ＳｉＯ 2 、Ｔｉ
Ｏ、ＷＯ、ＷＯ 3 、ＳｉＯＮから選ばれる材料を用いて
形成する工程と、 （ｂ）Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 を用いて、前記主絶縁層
の上に副絶縁層を形成する工程と、 （ｃ）前記副絶縁層の上に、所定の間隔を開けて一対の
レジスト層を形成し、前記一対のレジスト層に、下部コ
ア層に近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭ま
る対向面を形成する工程と、 （ｄ）前記レジスト層の間隔内に露出する副絶縁層を、
イオンミリングにより削り、前記副絶縁層に、下部コア
層に近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭まる
対向面を形成する工程と、 （ｅ）前記レジスト層を除去する工程と、 （ｆ）前記対向面間に現れる前記主絶縁層を反応性イオ
ンエッチングで削り、前記主絶縁層にトラック幅規制溝
を形成する工程と、 （ｇ）前記トラック幅規制溝内で、前記下部コア層と連
続する下部磁極層および前記下部磁極層の上に磁気ギャ
ップ層を形成する工程、または前記下部コア層の上に磁
気ギャップ層を形成する工程と、 （ｈ）前記トラック幅規制溝内で前記磁気ギャップ層の
上に上部磁極層を形成し、さらに上部磁極層の上に上部
コア層を形成する工程、または前記磁気ギャップ層の上
に直接上部コア層を形成する工程と、を有することを特
徴とするものである。本発明では、前記（ａ）工程で、
前記主絶縁層を、ＳｉＯ 2 またはＳｉＯＮで形成し、前
記（ｂ）工程で、前記副絶縁層を、Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ
3 Ｎ 4 で形成することが好ましい。
方法は、 （ａ）下部コア層上に、主絶縁層を、ＳｉＯ 2 、Ｔｉ
Ｏ、ＷＯ、ＷＯ 3 、ＳｉＯＮから選ばれる材料を用いて
形成する工程と、 （ｂ）Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 を用いて、前記主絶縁層
の上に副絶縁層を形成する工程と、 （ｃ）前記副絶縁層の上に、所定の間隔を開けて一対の
レジスト層を形成し、前記一対のレジスト層に、下部コ
ア層に近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭ま
る対向面を形成する工程と、 （ｄ）前記レジスト層の間隔内に露出する副絶縁層を、
イオンミリングにより削り、前記副絶縁層に、下部コア
層に近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭まる
対向面を形成する工程と、 （ｅ）前記レジスト層を除去する工程と、 （ｆ）前記対向面間に現れる前記主絶縁層を反応性イオ
ンエッチングで削り、前記主絶縁層にトラック幅規制溝
を形成する工程と、 （ｇ）前記トラック幅規制溝内で、前記下部コア層と連
続する下部磁極層および前記下部磁極層の上に磁気ギャ
ップ層を形成する工程、または前記下部コア層の上に磁
気ギャップ層を形成する工程と、 （ｈ）前記トラック幅規制溝内で前記磁気ギャップ層の
上に上部磁極層を形成し、さらに上部磁極層の上に上部
コア層を形成する工程、または前記磁気ギャップ層の上
に直接上部コア層を形成する工程と、を有することを特
徴とするものである。本発明では、前記（ａ）工程で、
前記主絶縁層を、ＳｉＯ 2 またはＳｉＯＮで形成し、前
記（ｂ）工程で、前記副絶縁層を、Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ
3 Ｎ 4 で形成することが好ましい。
【００３６】上記のように本発明では、下部コア層上
に、主絶縁層及び副絶縁層を形成した後、前記副絶縁層
上に、所定の間隔を有してパターン形成されたレジスト
層を形成する。
に、主絶縁層及び副絶縁層を形成した後、前記副絶縁層
上に、所定の間隔を有してパターン形成されたレジスト
層を形成する。
【００３７】前記レジスト層にパターン形成された前記
間隔の幅寸法は、露光現像の際の光源の波長に大きく係
り、例えばｉ線（波長＝３６５ｎｍ）を使用した場合に
は、前記間隔を約０．４μｍ程度にまで小さく形成する
ことができる。
間隔の幅寸法は、露光現像の際の光源の波長に大きく係
り、例えばｉ線（波長＝３６５ｎｍ）を使用した場合に
は、前記間隔を約０．４μｍ程度にまで小さく形成する
ことができる。
【００３８】しかしながら上記０．４μｍという数値
は、ｉ線を使用した場合の解像度の限界値であり、０．
４μｍよりも小さい間隔を前記レジスト層に形成するこ
とはできない。すなわち従来のように（図１４参照）、
レジスト層にパターン形成された間隔と同じ間隔を有す
る溝を、絶縁層にイオンミリングにより転写させて、ト
ラック幅Ｔｗを規制した方法では、ｉ線を使用した場
合、０．４μｍよりも小さいトラック幅Ｔｗを形成する
ことは不可能である。
は、ｉ線を使用した場合の解像度の限界値であり、０．
４μｍよりも小さい間隔を前記レジスト層に形成するこ
とはできない。すなわち従来のように（図１４参照）、
レジスト層にパターン形成された間隔と同じ間隔を有す
る溝を、絶縁層にイオンミリングにより転写させて、ト
ラック幅Ｔｗを規制した方法では、ｉ線を使用した場
合、０．４μｍよりも小さいトラック幅Ｔｗを形成する
ことは不可能である。
【００３９】そこで本発明では、副絶縁層上に所定の間
隔を開けてレジスト層に形成し、（ｄ）工程で、前記レ
ジスト層の間隔内に露出する副絶縁層を、イオンミリン
グにより削り、削られた溝の両側端部に、下部コア層に
近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭まる対向
面を形成している。
隔を開けてレジスト層に形成し、（ｄ）工程で、前記レ
ジスト層の間隔内に露出する副絶縁層を、イオンミリン
グにより削り、削られた溝の両側端部に、下部コア層に
近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭まる対向
面を形成している。
【００４０】これにより、副絶縁層に開けられた溝底面
の幅寸法は、レジスト層にパターン形成された間隔の幅
寸法よりも小さくなり、例えば前記レジスト層に形成さ
れた間隔の幅寸法が、露光現像の際に使用されたｉ線の
解像度の限界である０．４μｍ程度であった場合には、
前記副絶縁層に開けられた溝底面の幅寸法を、上記０．
４μｍよりも小さく形成することが可能になる。
の幅寸法は、レジスト層にパターン形成された間隔の幅
寸法よりも小さくなり、例えば前記レジスト層に形成さ
れた間隔の幅寸法が、露光現像の際に使用されたｉ線の
解像度の限界である０．４μｍ程度であった場合には、
前記副絶縁層に開けられた溝底面の幅寸法を、上記０．
４μｍよりも小さく形成することが可能になる。
【００４１】このように前記副絶縁層に開けられた溝底
面の幅寸法を、ｉ線の解像度以下の幅寸法で形成するこ
とができる。
面の幅寸法を、ｉ線の解像度以下の幅寸法で形成するこ
とができる。
【００４２】そして本発明では、（ｆ）工程の反応性イ
オンエッチングにより、前記副絶縁層に形成された溝底
面の幅寸法で、主絶縁層側がほぼ垂直に下部コア層方向
に削られていき、そして本発明では、前記主絶縁層に形
成された溝（トラック幅規制溝）の幅寸法を、トラック
幅Ｔｗとして規制している。上記のように、主絶縁層と
して使用された絶縁材料の反応性イオンエッチングに対
するエッチングレートは、副絶縁層として使用された絶
縁材料のエッチングレートよりも大きく、また前記のよ
うに、副絶縁層に開けられた溝底面の幅寸法は、レジス
トの露光現像の際に使用される波長の解像度よりも小さ
い幅寸法で形成されるために、トラック幅Ｔｗとして規
制される主絶縁層の溝の幅寸法もまた、レジストの解像
度よりも小さい幅寸法で形成されることになる。このよ
うに本発明では、前記トラック幅Ｔｗを、レジストの解
像度以下の幅寸法で形成することが可能であり、今後の
さらなる高記録密度化に伴う狭トラック化に適切に対応
することができる。
オンエッチングにより、前記副絶縁層に形成された溝底
面の幅寸法で、主絶縁層側がほぼ垂直に下部コア層方向
に削られていき、そして本発明では、前記主絶縁層に形
成された溝（トラック幅規制溝）の幅寸法を、トラック
幅Ｔｗとして規制している。上記のように、主絶縁層と
して使用された絶縁材料の反応性イオンエッチングに対
するエッチングレートは、副絶縁層として使用された絶
縁材料のエッチングレートよりも大きく、また前記のよ
うに、副絶縁層に開けられた溝底面の幅寸法は、レジス
トの露光現像の際に使用される波長の解像度よりも小さ
い幅寸法で形成されるために、トラック幅Ｔｗとして規
制される主絶縁層の溝の幅寸法もまた、レジストの解像
度よりも小さい幅寸法で形成されることになる。このよ
うに本発明では、前記トラック幅Ｔｗを、レジストの解
像度以下の幅寸法で形成することが可能であり、今後の
さらなる高記録密度化に伴う狭トラック化に適切に対応
することができる。
【００４３】
【００４４】また本発明では、前記（ｃ）工程におい
て、前記レジスト層に露光現像によって、所定の間隔を
開けた後、熱処理を施すことにより、前記間隔の両側端
部に、下部コア層に近づくにしたがってトラック幅方向
の間隔が狭まる対向面を形成することが好ましい。
て、前記レジスト層に露光現像によって、所定の間隔を
開けた後、熱処理を施すことにより、前記間隔の両側端
部に、下部コア層に近づくにしたがってトラック幅方向
の間隔が狭まる対向面を形成することが好ましい。
【００４５】あるいは本発明では、前記（ｂ）工程から
（ｅ）工程に代えて、以下の工程を有する製造方法によ
り、主絶縁層に形成されるトラック幅規制溝を露光現像
の際の解像度の限界値以下で形成でき、しかも副絶縁層
に、ライトフリンジング発生の抑制に効果的な対向面を
下部コア層に近づくにつれて徐々に間隔が狭まるように
形成することが可能である。 （ｉ）下面に切り込み部が形成されたリフトオフ用のレ
ジスト層を前記主絶縁層上に形成する工程と、 （ｊ）Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 を用いて、前記レジスト
層の切り込み部内から前記主絶縁層上にかけて副絶縁層
をスパッタ成膜し、この際、前記副絶縁層に下部コア層
に近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭まる対
向面を形成する工程と、 （ｋ）前記レジスト層を除去する工程、上記の製造方法
では、いわゆるリフトオフ用レジスト層を主絶縁層上に
予め設けておき、前記レジスト層の切り込み部内から主
絶縁層上にかけて副絶縁層を形成した後、前記副絶縁層
と主絶縁層とのエッチングレート差を利用することによ
り、レジスト層の解像度以下の幅寸法にて、前記主絶縁
層にトラック幅規制溝を形成することが可能になってい
る。
（ｅ）工程に代えて、以下の工程を有する製造方法によ
り、主絶縁層に形成されるトラック幅規制溝を露光現像
の際の解像度の限界値以下で形成でき、しかも副絶縁層
に、ライトフリンジング発生の抑制に効果的な対向面を
下部コア層に近づくにつれて徐々に間隔が狭まるように
形成することが可能である。 （ｉ）下面に切り込み部が形成されたリフトオフ用のレ
ジスト層を前記主絶縁層上に形成する工程と、 （ｊ）Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 を用いて、前記レジスト
層の切り込み部内から前記主絶縁層上にかけて副絶縁層
をスパッタ成膜し、この際、前記副絶縁層に下部コア層
に近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭まる対
向面を形成する工程と、 （ｋ）前記レジスト層を除去する工程、上記の製造方法
では、いわゆるリフトオフ用レジスト層を主絶縁層上に
予め設けておき、前記レジスト層の切り込み部内から主
絶縁層上にかけて副絶縁層を形成した後、前記副絶縁層
と主絶縁層とのエッチングレート差を利用することによ
り、レジスト層の解像度以下の幅寸法にて、前記主絶縁
層にトラック幅規制溝を形成することが可能になってい
る。
【００４６】上記したように、レジスト層の露光現像の
際にｉ線を使用した場合には、解像度は約０．４μｍが
限界である。従って前記リフトオフ用レジスト層を露光
現像しても、主絶縁層上に残された前記レジスト層の上
面の幅寸法は、解像度の限界である約０．４μｍより小
さくなることはない。
際にｉ線を使用した場合には、解像度は約０．４μｍが
限界である。従って前記リフトオフ用レジスト層を露光
現像しても、主絶縁層上に残された前記レジスト層の上
面の幅寸法は、解像度の限界である約０．４μｍより小
さくなることはない。
【００４７】しかしながらリフトオフ用レジスト層の下
面は、露光現像によって、前記レジスト層の上面より
も、さらに内部方向に溶け出し、前記下面には切り込み
部が形成される。この切り込み部の形成により前記レジ
スト層の下面の幅寸法は、露光現像の際の解像度の限界
値よりも小さい値に設定される。
面は、露光現像によって、前記レジスト層の上面より
も、さらに内部方向に溶け出し、前記下面には切り込み
部が形成される。この切り込み部の形成により前記レジ
スト層の下面の幅寸法は、露光現像の際の解像度の限界
値よりも小さい値に設定される。
【００４８】そして本発明では、基板に対し前記副絶縁
層を斜め方向からのスパッタ若しくはイオンビームスパ
ッタでの成膜により、レジスト層の切り込み部内にまで
延出形成することで、前記レジスト層の両側に形成され
る副絶縁層間を、露光現像の際の解像度の限界値よりも
小さい間隔を空けて形成することが可能になるのであ
る。
層を斜め方向からのスパッタ若しくはイオンビームスパ
ッタでの成膜により、レジスト層の切り込み部内にまで
延出形成することで、前記レジスト層の両側に形成され
る副絶縁層間を、露光現像の際の解像度の限界値よりも
小さい間隔を空けて形成することが可能になるのであ
る。
【００４９】その後、上記した（ｆ）工程を行うこと
で、露光現像の際の解像度の限界値よりも小さい幅寸法
を有するトラック幅規制溝を主絶縁層に形成することが
可能になる。
で、露光現像の際の解像度の限界値よりも小さい幅寸法
を有するトラック幅規制溝を主絶縁層に形成することが
可能になる。
【００５０】なお、前記（ｆ）工程における反応性イオ
ンエッチングに用いるガスとして、本発明では例えばＣ
3 Ｆ 8 ＋（Ａｒ）またはＣ 5 Ｆ 8 ＋（Ａｒ）を使用すること
ができる。
ンエッチングに用いるガスとして、本発明では例えばＣ
3 Ｆ 8 ＋（Ａｒ）またはＣ 5 Ｆ 8 ＋（Ａｒ）を使用すること
ができる。
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の薄膜磁気ヘッド
の構造を示す部分正面図である。図２は図１に示す２−
２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部
分断面図である。
の構造を示す部分正面図である。図２は図１に示す２−
２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部
分断面図である。
【００５４】図１および図２に示す薄膜磁気ヘッドは書
き込み用のいわゆるインダクティブヘッドであり、この
インダクティブヘッドは、磁気抵抗効果を利用した読み
出しヘッドの上に積層されている。
き込み用のいわゆるインダクティブヘッドであり、この
インダクティブヘッドは、磁気抵抗効果を利用した読み
出しヘッドの上に積層されている。
【００５５】なお上記読み出しヘッドは、例えばスピン
バルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭ
Ｒ素子や、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で
形成される磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子
の上下に磁気ギャップ層を介して形成されたシールド層
とを有して構成されている。
バルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭ
Ｒ素子や、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で
形成される磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子
の上下に磁気ギャップ層を介して形成されたシールド層
とを有して構成されている。
【００５６】図１と図２に示す符号１０は、Ｆｅ―Ｎｉ
系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形
成された下部コア層である。
系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形
成された下部コア層である。
【００５７】そして本発明では図１及び図２に示すよう
に、前記下部コア層１０上に絶縁材料で形成された主絶
縁層１１が形成されている。前記絶縁材料は、Ａｌ
2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、Ｃ
ｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されるこ
とが好ましく、単層膜で形成されていてもよいし、多層
膜で形成されていてもどちらでもよい。また図１に示す
ように、前記主絶縁層１１の厚さ寸法は、膜厚Ｈ２で形
成され、具体的には、前記厚さ寸法Ｈ２は約１．０μｍ
から３．０μｍ程度であることが好ましい。
に、前記下部コア層１０上に絶縁材料で形成された主絶
縁層１１が形成されている。前記絶縁材料は、Ａｌ
2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、Ｃ
ｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されるこ
とが好ましく、単層膜で形成されていてもよいし、多層
膜で形成されていてもどちらでもよい。また図１に示す
ように、前記主絶縁層１１の厚さ寸法は、膜厚Ｈ２で形
成され、具体的には、前記厚さ寸法Ｈ２は約１．０μｍ
から３．０μｍ程度であることが好ましい。
【００５８】また本発明では、前記主絶縁層１１上に、
副絶縁層１５が形成されている。前記副絶縁層１５は、
その膜厚がＨ３で形成され、前記膜厚Ｈ３は、主絶縁層
１１の膜厚Ｈ２よりも小さく形成されることが好まし
い。一例として、主絶縁層１１の膜厚Ｈ２は、１．５μ
ｍ程度で形成され、副絶縁層１５の膜厚Ｈ３は、０．７
μｍ程度で形成されている。なお前記副絶縁層１５は、
単層膜で形成されていてもよいし、多層膜で形成されて
いてもどちらでもよい。
副絶縁層１５が形成されている。前記副絶縁層１５は、
その膜厚がＨ３で形成され、前記膜厚Ｈ３は、主絶縁層
１１の膜厚Ｈ２よりも小さく形成されることが好まし
い。一例として、主絶縁層１１の膜厚Ｈ２は、１．５μ
ｍ程度で形成され、副絶縁層１５の膜厚Ｈ３は、０．７
μｍ程度で形成されている。なお前記副絶縁層１５は、
単層膜で形成されていてもよいし、多層膜で形成されて
いてもどちらでもよい。
【００５９】また本発明では前記副絶縁層１５は、上記
した主絶縁層１１として使用される絶縁材料の中から選
択された絶縁材料により形成されていてもよいが、特に
後述する製造方法を使用する場合、反応性イオンエッチ
ングに対するエッチングレートは、主絶縁層１１の方が
副絶縁層１５よりも大きい必要がある。
した主絶縁層１１として使用される絶縁材料の中から選
択された絶縁材料により形成されていてもよいが、特に
後述する製造方法を使用する場合、反応性イオンエッチ
ングに対するエッチングレートは、主絶縁層１１の方が
副絶縁層１５よりも大きい必要がある。
【００６０】このように主絶縁層１１のエッチングレー
トを副絶縁層のエッチングレートに比べて大きくするに
は、主絶縁層１１に上記した絶縁材料を選択し、しかも
副絶縁層１５を、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ
Ｎのうち少なくとも１種以上で形成することが好まし
い。
トを副絶縁層のエッチングレートに比べて大きくするに
は、主絶縁層１１に上記した絶縁材料を選択し、しかも
副絶縁層１５を、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ
Ｎのうち少なくとも１種以上で形成することが好まし
い。
【００６１】また本発明では、前記主絶縁層１１のエッ
チングレートの大きさは、前記副絶縁層１５のエッチン
グレートの大きさに比べ、１０倍以上であることが好ま
しい。例えば、前記主絶縁層１１を、ＳｉＯ2及び／ま
たはＳｉＯＮで形成し、前記副絶縁層１５を、Ａｌ2Ｏ3
及び／またはＳｉ3Ｎ4で形成することが好ましい。
チングレートの大きさは、前記副絶縁層１５のエッチン
グレートの大きさに比べ、１０倍以上であることが好ま
しい。例えば、前記主絶縁層１１を、ＳｉＯ2及び／ま
たはＳｉＯＮで形成し、前記副絶縁層１５を、Ａｌ2Ｏ3
及び／またはＳｉ3Ｎ4で形成することが好ましい。
【００６２】前記主絶縁層１１をＳｉＯ2で形成し、副
絶縁層１５をＡｌ2Ｏ3で形成し、反応性イオンエッチン
グの際に使用されるガスとしてＣ3Ｆ8＋（Ａｒ）を使用
した場合、反応性イオンエッチングに対する前記主絶縁
層１１のエッチングレートを、副絶縁層１５のエッチン
グレートに比べて１５倍程度大きくすることができる。
絶縁層１５をＡｌ2Ｏ3で形成し、反応性イオンエッチン
グの際に使用されるガスとしてＣ3Ｆ8＋（Ａｒ）を使用
した場合、反応性イオンエッチングに対する前記主絶縁
層１１のエッチングレートを、副絶縁層１５のエッチン
グレートに比べて１５倍程度大きくすることができる。
【００６３】また前記主絶縁層１１をＳｉＯ2で形成
し、副絶縁層１５をＳｉ3Ｎ4で形成し、反応性イオンエ
ッチングの際に使用されるガスとしてＣ5Ｆ8＋（Ａｒ）
を使用した場合、反応性イオンエッチングに対する前記
主絶縁層１１のエッチングレートを、副絶縁層１５のエ
ッチングレートに比べて１５倍程度大きくすることがで
きる。
し、副絶縁層１５をＳｉ3Ｎ4で形成し、反応性イオンエ
ッチングの際に使用されるガスとしてＣ5Ｆ8＋（Ａｒ）
を使用した場合、反応性イオンエッチングに対する前記
主絶縁層１１のエッチングレートを、副絶縁層１５のエ
ッチングレートに比べて１５倍程度大きくすることがで
きる。
【００６４】上記のように、反応性イオンエッチングに
対する主絶縁層１１のエッチングレートを、副絶縁層１
５のエッチングレートよりも大きくすることにより、後
述する製造方法によって、狭トラック化を適正に実現す
ることができる。
対する主絶縁層１１のエッチングレートを、副絶縁層１
５のエッチングレートよりも大きくすることにより、後
述する製造方法によって、狭トラック化を適正に実現す
ることができる。
【００６５】図１及び図２に示すように、下部コア層１
０に形成された主絶縁層１１には、少なくとも幅寸法が
トラック幅Ｔｗで形成されたトラック幅規制溝１１ａが
形成されている。
０に形成された主絶縁層１１には、少なくとも幅寸法が
トラック幅Ｔｗで形成されたトラック幅規制溝１１ａが
形成されている。
【００６６】図１及び図２に示すように、前記トラック
幅規制溝１１ａは、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）か
ら、ハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法Ｌ１を
有して形成されている。
幅規制溝１１ａは、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）か
ら、ハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法Ｌ１を
有して形成されている。
【００６７】そして図１及び図２に示す実施例では、前
記トラック幅規制溝１１ａ内に、最下層として、下部コ
ア層１０と連続する下部磁極層１２が形成され、さらに
前記下部磁極層１２上に、非磁性金属材料で形成された
磁気ギャップ層１３が形成され、さらに前記磁気ギャッ
プ層１３の上には、後述する上部コア層１６と連続する
上部磁極層１４がメッキ形成されている。前記下部磁極
層１２及び上部磁極層１４は、それぞれ下部コア層１０
及び上部コア層１６に磁気的に接続された状態になって
いる。
記トラック幅規制溝１１ａ内に、最下層として、下部コ
ア層１０と連続する下部磁極層１２が形成され、さらに
前記下部磁極層１２上に、非磁性金属材料で形成された
磁気ギャップ層１３が形成され、さらに前記磁気ギャッ
プ層１３の上には、後述する上部コア層１６と連続する
上部磁極層１４がメッキ形成されている。前記下部磁極
層１２及び上部磁極層１４は、それぞれ下部コア層１０
及び上部コア層１６に磁気的に接続された状態になって
いる。
【００６８】ただし、前記磁気ギャップ幅規制溝１１ａ
内に形成される積層構成は、上記構成以外であってもか
まわない。すなわち本発明では、前記磁気ギャップ幅規
制溝１１ａ内に、下部コア層１０と連続する下部磁極層
１２及び／または上部コア層１６と連続する上部磁極層
１４、ならびに前記一方のコア層１０，１６とこれに対
向する前記一方の磁極層１２，１４との間または両磁極
層１２，１４の間に位置する磁気ギャップ層１３が設け
られていればよい。
内に形成される積層構成は、上記構成以外であってもか
まわない。すなわち本発明では、前記磁気ギャップ幅規
制溝１１ａ内に、下部コア層１０と連続する下部磁極層
１２及び／または上部コア層１６と連続する上部磁極層
１４、ならびに前記一方のコア層１０，１６とこれに対
向する前記一方の磁極層１２，１４との間または両磁極
層１２，１４の間に位置する磁気ギャップ層１３が設け
られていればよい。
【００６９】また前記上部磁極層１４及び下部磁極層１
２は、各磁極層が磁気的に接続するコア層の飽和磁束密
度に対し高い飽和磁束密度を有していることが好まし
い。これにより、より記録効率の向上を図ることが可能
である。
２は、各磁極層が磁気的に接続するコア層の飽和磁束密
度に対し高い飽和磁束密度を有していることが好まし
い。これにより、より記録効率の向上を図ることが可能
である。
【００７０】前記主絶縁層１１に形成されたトラック幅
規制溝１１ａの幅寸法は、トラック幅Ｔｗとして規定さ
れており、図１のように、前記トラック幅規制溝１１ａ
内に、磁気ギャップ層１３と、前記磁気ギャップ層１３
を介して対向する磁極層１２，１４とが形成されている
と、前記磁極層１２，１４間で発生する漏れ磁界は、ト
ラック幅Ｔｗ内に納まり、記録特性を良好に維持するこ
とができる。
規制溝１１ａの幅寸法は、トラック幅Ｔｗとして規定さ
れており、図１のように、前記トラック幅規制溝１１ａ
内に、磁気ギャップ層１３と、前記磁気ギャップ層１３
を介して対向する磁極層１２，１４とが形成されている
と、前記磁極層１２，１４間で発生する漏れ磁界は、ト
ラック幅Ｔｗ内に納まり、記録特性を良好に維持するこ
とができる。
【００７１】特に本発明では、前記トラック幅規制溝１
１ａの幅寸法、すなわちトラック幅Ｔｗを、後述する製
造方法によって、レジストの解像度以下の幅寸法で形成
することができ、具体的には前記トラック幅Ｔｗを、
０．７μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下、より好ま
しくは０．３μｍ以下に形成することができ、今後の更
なる高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造す
ることが可能である。
１ａの幅寸法、すなわちトラック幅Ｔｗを、後述する製
造方法によって、レジストの解像度以下の幅寸法で形成
することができ、具体的には前記トラック幅Ｔｗを、
０．７μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下、より好ま
しくは０．３μｍ以下に形成することができ、今後の更
なる高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造す
ることが可能である。
【００７２】次に、前記主絶縁層１１の上に形成された
副絶縁層１５には、前記主絶縁層１１に形成されたトラ
ック幅規制溝１１ａの上端から、前記副絶縁層１５の表
面１５ｂにかけて、徐々にトラック幅方向（図示Ｘ方
向）に広がる対向面１５ａ，１５ａが形成されている。
副絶縁層１５には、前記主絶縁層１１に形成されたトラ
ック幅規制溝１１ａの上端から、前記副絶縁層１５の表
面１５ｂにかけて、徐々にトラック幅方向（図示Ｘ方
向）に広がる対向面１５ａ，１５ａが形成されている。
【００７３】そして、前記トラック幅規制溝１１ａ内に
形成された上部磁極層１４の表面から、前記対向面１５
ａ上にかけて、上部コア層１６が、フレームメッキ法な
どにより形成されている。
形成された上部磁極層１４の表面から、前記対向面１５
ａ上にかけて、上部コア層１６が、フレームメッキ法な
どにより形成されている。
【００７４】なお前記上部コア層１６は、図１に示す実
施例のように、前記対向面１５ａ上から、前記対向面１
５ａと副絶縁層１５の表面１５ｂとの境界Ａにまで延び
て形成されていることが好ましい。前記上部コア層１６
が、前記境界Ａにまで延びて形成されれば、前記上部コ
ア層１６の幅寸法を大きくすることができ、今後の高記
録密度化においても磁気飽和が起こりにくくなる。
施例のように、前記対向面１５ａ上から、前記対向面１
５ａと副絶縁層１５の表面１５ｂとの境界Ａにまで延び
て形成されていることが好ましい。前記上部コア層１６
が、前記境界Ａにまで延びて形成されれば、前記上部コ
ア層１６の幅寸法を大きくすることができ、今後の高記
録密度化においても磁気飽和が起こりにくくなる。
【００７５】また上部コア層１６の下に磁気的に接続さ
れる上部磁極層１４が形成される場合には、例えば図１
に示すように前記上部磁極層１４が、トラック幅規制溝
１１ａ内にのみ形成されるのではなく、前記トラック幅
規制溝１１ａから対向面１５ａ上にまで延出して形成さ
れていてもかまわない。さらに前記上部磁極層１４表面
は、主絶縁層１１表面と同一平面上で形成されている必
要はなく、前記上部磁極層１４の表面が、主絶縁層１１
表面よりも下部コア層１０側に位置していてもかまわな
い。この場合、前記上部磁極層１４上に形成される上部
コア層１６の一部は、トラック幅規制溝１１ａ内に形成
されることになる。
れる上部磁極層１４が形成される場合には、例えば図１
に示すように前記上部磁極層１４が、トラック幅規制溝
１１ａ内にのみ形成されるのではなく、前記トラック幅
規制溝１１ａから対向面１５ａ上にまで延出して形成さ
れていてもかまわない。さらに前記上部磁極層１４表面
は、主絶縁層１１表面と同一平面上で形成されている必
要はなく、前記上部磁極層１４の表面が、主絶縁層１１
表面よりも下部コア層１０側に位置していてもかまわな
い。この場合、前記上部磁極層１４上に形成される上部
コア層１６の一部は、トラック幅規制溝１１ａ内に形成
されることになる。
【００７６】そして本発明では、前記対向面１５ａ，１
５ａ上に上部コア層１６及び／または上部磁極層１４が
形成されることにより、前記上部コア層１６及び／また
は上部磁極層１４と、例えば磁気ギャップ層１３の下側
に形成された下部磁極層１２との距離を適切に離すこと
ができ、ライトフリンジングの発生を適正に防止するこ
とができる。
５ａ上に上部コア層１６及び／または上部磁極層１４が
形成されることにより、前記上部コア層１６及び／また
は上部磁極層１４と、例えば磁気ギャップ層１３の下側
に形成された下部磁極層１２との距離を適切に離すこと
ができ、ライトフリンジングの発生を適正に防止するこ
とができる。
【００７７】ところで図１及び図２に示す実施例では、
副絶縁層１５に形成された対向面１５ａ，１５ａは、前
記副絶縁層１５がエッチングなどにより削られて形成さ
れたものであり、前記対向面１５ａ，１５ａは、ほぼ直
線的に傾斜した面となっている。本発明における後述す
る製造方法では、副絶縁層１５の対向面１５ａ，１５ａ
を斜めに削り込む工程を含み、前記対向面１５ａ，１５
ａを左右対称にほぼ同じ傾斜角で形成することが可能に
なっている。
副絶縁層１５に形成された対向面１５ａ，１５ａは、前
記副絶縁層１５がエッチングなどにより削られて形成さ
れたものであり、前記対向面１５ａ，１５ａは、ほぼ直
線的に傾斜した面となっている。本発明における後述す
る製造方法では、副絶縁層１５の対向面１５ａ，１５ａ
を斜めに削り込む工程を含み、前記対向面１５ａ，１５
ａを左右対称にほぼ同じ傾斜角で形成することが可能に
なっている。
【００７８】なお本発明では、図２に示すように、主絶
縁層１１のトラック幅規制溝１１ａ内に形成された磁気
ギャップ層１３上に、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）
からハイト方向（図示Ｙ方向）に一定の間隔（Ｇｄ）が
空けられ、この間隔の後方の磁気ギャップ層１３上から
ハイト側に位置する副絶縁層１５上にかけてＧｄ決め絶
縁層１７が形成されている。なお前記Ｇｄ決め絶縁層１
７は、例えばポリイミドやレジスト材料などの有機樹脂
材料で形成されている。
縁層１１のトラック幅規制溝１１ａ内に形成された磁気
ギャップ層１３上に、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）
からハイト方向（図示Ｙ方向）に一定の間隔（Ｇｄ）が
空けられ、この間隔の後方の磁気ギャップ層１３上から
ハイト側に位置する副絶縁層１５上にかけてＧｄ決め絶
縁層１７が形成されている。なお前記Ｇｄ決め絶縁層１
７は、例えばポリイミドやレジスト材料などの有機樹脂
材料で形成されている。
【００７９】このＧｄ決め絶縁層１７は、ギャップデプ
スＧｄを決定するために設けられたものであり、ギャッ
プデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電気特性に大きな影
響を与えることから、適正な長さ寸法で形成される必要
性がある。
スＧｄを決定するために設けられたものであり、ギャッ
プデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電気特性に大きな影
響を与えることから、適正な長さ寸法で形成される必要
性がある。
【００８０】このように本発明では、前記ギャップデプ
スＧｄを、所定の長さ寸法に設定するために、磁気ギャ
ップ層１３の上にＧｄ決め絶縁層１７を形成している
が、本発明では他の形態として、主絶縁層１１に形成さ
れたトラック幅規制溝１１ａの長さ寸法Ｌ１を、ギャッ
プデプスＧｄとして設定した場合、前記トラック幅規制
溝１１ａの長さ寸法Ｌ１がギャップデプスＧｄとなり、
この場合には、前記Ｇｄ決め絶縁層１７を形成する必要
がない。
スＧｄを、所定の長さ寸法に設定するために、磁気ギャ
ップ層１３の上にＧｄ決め絶縁層１７を形成している
が、本発明では他の形態として、主絶縁層１１に形成さ
れたトラック幅規制溝１１ａの長さ寸法Ｌ１を、ギャッ
プデプスＧｄとして設定した場合、前記トラック幅規制
溝１１ａの長さ寸法Ｌ１がギャップデプスＧｄとなり、
この場合には、前記Ｇｄ決め絶縁層１７を形成する必要
がない。
【００８１】また図３に示すように、Ｇｄ決め絶縁層１
７を下部コア層１０上から形成し、その後、下部磁極層
１２、磁気ギャップ層１３、上部磁極層１４を連続形成
してもかまわない。
７を下部コア層１０上から形成し、その後、下部磁極層
１２、磁気ギャップ層１３、上部磁極層１４を連続形成
してもかまわない。
【００８２】また図２に示すように、前記副絶縁層１５
の上には、コイル層１８が螺旋状にパターン形成されて
いる。図２に示す実施例では、前記コイル層１８が副絶
縁層１５の上に直接形成されているが、前記コイル層１
８と副絶縁層１５との間に、前述したＧｄ決め絶縁層１
７が形成されていてもよい。
の上には、コイル層１８が螺旋状にパターン形成されて
いる。図２に示す実施例では、前記コイル層１８が副絶
縁層１５の上に直接形成されているが、前記コイル層１
８と副絶縁層１５との間に、前述したＧｄ決め絶縁層１
７が形成されていてもよい。
【００８３】さらに前記コイル層１８の上には、前記コ
イル層１８を覆うようにしてコイル絶縁層１９が形成さ
れており、なお、このコイル絶縁層１９はレジスト材料
やポリイミドなどの有機樹脂材料で形成されている。
イル層１８を覆うようにしてコイル絶縁層１９が形成さ
れており、なお、このコイル絶縁層１９はレジスト材料
やポリイミドなどの有機樹脂材料で形成されている。
【００８４】また図２に示すように、上述した上部コア
層１６は、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト
方向に延びて形成され、上部コア層１６の基端部１６ａ
は、下部コア層１０上に磁気的に接続されて形成されて
いる。
層１６は、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト
方向に延びて形成され、上部コア層１６の基端部１６ａ
は、下部コア層１０上に磁気的に接続されて形成されて
いる。
【００８５】図１ないし３に示す薄膜磁気ヘッドでは、
コイル層１８に記録電流が与えられると、下部コア層１
０及び上部コア層１６に記録磁界が誘導され、磁気ギャ
ップ層１３を介して対向する下部磁極層１２及び上部磁
極層１４間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、
ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録され
る。
コイル層１８に記録電流が与えられると、下部コア層１
０及び上部コア層１６に記録磁界が誘導され、磁気ギャ
ップ層１３を介して対向する下部磁極層１２及び上部磁
極層１４間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、
ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録され
る。
【００８６】以上詳述した本発明によれば、少なくとも
下部コア層１０上に形成された主絶縁層１１に、微小な
幅、具体的には０．７μｍ以下の内幅寸法で形成された
トラック幅規制溝１１ａを形成して、前記内幅寸法をト
ラック幅Ｔｗと規定し、前記トラック幅規制溝１１ａ内
に、記録媒体に磁気信号を記録するために必要な漏れ磁
界を発生させるための下部磁極層１２及び前記下部磁極
層１２上に磁気ギャップ層１３を介して上部磁極層１４
を形成することで、前記下部磁極層１２と上部磁極層１
４間で発生する漏れ磁界を、微小なトラック幅Ｔｗ内に
収めることができ、今後の高記録密度化における狭トラ
ック化に対応することが可能になっている。
下部コア層１０上に形成された主絶縁層１１に、微小な
幅、具体的には０．７μｍ以下の内幅寸法で形成された
トラック幅規制溝１１ａを形成して、前記内幅寸法をト
ラック幅Ｔｗと規定し、前記トラック幅規制溝１１ａ内
に、記録媒体に磁気信号を記録するために必要な漏れ磁
界を発生させるための下部磁極層１２及び前記下部磁極
層１２上に磁気ギャップ層１３を介して上部磁極層１４
を形成することで、前記下部磁極層１２と上部磁極層１
４間で発生する漏れ磁界を、微小なトラック幅Ｔｗ内に
収めることができ、今後の高記録密度化における狭トラ
ック化に対応することが可能になっている。
【００８７】特に本発明では、後述する製造方法によっ
て、主絶縁層１１に形成されたトラック幅規制溝１１ａ
の幅寸法を、レジストの解像度以下の幅寸法で形成する
ことが可能である。
て、主絶縁層１１に形成されたトラック幅規制溝１１ａ
の幅寸法を、レジストの解像度以下の幅寸法で形成する
ことが可能である。
【００８８】しかも本発明では、前記主絶縁層１１上に
形成された副絶縁層１５に、前記主絶縁層１１に形成さ
れたトラック幅規制溝１１ａの両側端部の上端から、前
記副絶縁層１５の表面１５ｂにかけて、トラック幅方向
（図示Ｘ方向）の幅寸法が徐々に広がる対向面１５ａ，
１５ａを形成し、上部磁極層１４及び／または前記上部
磁極層１４と磁気的に接続する上部コア層１６を、前記
対向面１５ａ，１５ａ上に形成することで、例えば前記
上部コア層１６及び／または上部磁極層１４と、下部磁
極層１２との間で漏れ磁界の発生はほとんど無くなり、
いわゆるライトフリンジングの発生を適正に抑制するこ
とが可能になる。
形成された副絶縁層１５に、前記主絶縁層１１に形成さ
れたトラック幅規制溝１１ａの両側端部の上端から、前
記副絶縁層１５の表面１５ｂにかけて、トラック幅方向
（図示Ｘ方向）の幅寸法が徐々に広がる対向面１５ａ，
１５ａを形成し、上部磁極層１４及び／または前記上部
磁極層１４と磁気的に接続する上部コア層１６を、前記
対向面１５ａ，１５ａ上に形成することで、例えば前記
上部コア層１６及び／または上部磁極層１４と、下部磁
極層１２との間で漏れ磁界の発生はほとんど無くなり、
いわゆるライトフリンジングの発生を適正に抑制するこ
とが可能になる。
【００８９】特に本発明では、後述する製造方法によ
り、狭トラック化においても、副絶縁層１５に形成され
る対向面１５ａ，１５ａをほぼ左右対称に形成すること
ができ、ライトフリンジングの発生を、より適性に抑制
することが可能である。
り、狭トラック化においても、副絶縁層１５に形成され
る対向面１５ａ，１５ａをほぼ左右対称に形成すること
ができ、ライトフリンジングの発生を、より適性に抑制
することが可能である。
【００９０】図４は、本発明の薄膜磁気ヘッドにおける
他の形態を示す部分正面図である。なお図４に示す薄膜
磁気ヘッドの縦断面の構造は図２に示す構造と同じであ
る。
他の形態を示す部分正面図である。なお図４に示す薄膜
磁気ヘッドの縦断面の構造は図２に示す構造と同じであ
る。
【００９１】この実施例においても、符号１０は、Ｆｅ
―Ｎｉ系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材
料で形成された下部コア層であり、前記下部コア層１０
上に、トラック幅Ｔｗとして規制されるトラック幅規制
溝１１ａを有する主絶縁層１１が形成されている。
―Ｎｉ系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材
料で形成された下部コア層であり、前記下部コア層１０
上に、トラック幅Ｔｗとして規制されるトラック幅規制
溝１１ａを有する主絶縁層１１が形成されている。
【００９２】前記主絶縁層１１は、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、Ｓ
ｉＯＮのうち少なくとも１種から形成されることが好ま
しく、単層膜で形成されていてもよいし、多層膜で形成
されていてもどちらでもよい。また図４に示すように、
前記主絶縁層１１の厚さ寸法は、膜厚Ｈ２で形成され、
具体的には、前記厚さ寸法Ｈ２は約１．０μｍから３．
０μｍ程度であることが好ましい。
Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、Ｓ
ｉＯＮのうち少なくとも１種から形成されることが好ま
しく、単層膜で形成されていてもよいし、多層膜で形成
されていてもどちらでもよい。また図４に示すように、
前記主絶縁層１１の厚さ寸法は、膜厚Ｈ２で形成され、
具体的には、前記厚さ寸法Ｈ２は約１．０μｍから３．
０μｍ程度であることが好ましい。
【００９３】図４に示すように、前記トラック幅規制溝
１１ａ内には、最下層として、下部コア層１０と連続す
る下部磁極層１２が形成され、さらに前記下部磁極層１
２上に、非磁性金属材料で形成された磁気ギャップ層１
３が形成され、さらに前記磁気ギャップ層１３の上に
は、後述する上部コア層１６と連続する上部磁極層１４
がメッキ形成されている。前記下部磁極層１２及び上部
磁極層１４は、それぞれ、下部コア層１０及び上部コア
層１６に磁気的に接続された状態になっている。
１１ａ内には、最下層として、下部コア層１０と連続す
る下部磁極層１２が形成され、さらに前記下部磁極層１
２上に、非磁性金属材料で形成された磁気ギャップ層１
３が形成され、さらに前記磁気ギャップ層１３の上に
は、後述する上部コア層１６と連続する上部磁極層１４
がメッキ形成されている。前記下部磁極層１２及び上部
磁極層１４は、それぞれ、下部コア層１０及び上部コア
層１６に磁気的に接続された状態になっている。
【００９４】ただし、前記磁気ギャップ幅規制溝１１ａ
内に形成される積層構成は、上記構成以外であってもか
まわない。すなわち本発明では、前記磁気ギャップ幅規
制溝１１ａ内に、下部コア層１０と連続する下部磁極層
１２及び／または上部コア層１６と連続する上部磁極層
１４、ならびに前記一方のコア層１０，１６とこれに対
向する前記一方の磁極層１２，１４との間または両磁極
層１２，１４の間に位置する磁気ギャップ層１３が設け
られていればよい。また磁極層１２、１４は、各磁極層
が磁気的に接続するコア層の飽和磁束密度に比べて高い
飽和磁束密度を有している方が、記録効率の向上を適切
に図ることが可能である。
内に形成される積層構成は、上記構成以外であってもか
まわない。すなわち本発明では、前記磁気ギャップ幅規
制溝１１ａ内に、下部コア層１０と連続する下部磁極層
１２及び／または上部コア層１６と連続する上部磁極層
１４、ならびに前記一方のコア層１０，１６とこれに対
向する前記一方の磁極層１２，１４との間または両磁極
層１２，１４の間に位置する磁気ギャップ層１３が設け
られていればよい。また磁極層１２、１４は、各磁極層
が磁気的に接続するコア層の飽和磁束密度に比べて高い
飽和磁束密度を有している方が、記録効率の向上を適切
に図ることが可能である。
【００９５】図４に示すように、前記主絶縁層１１上に
は副絶縁層２５が形成されている。前記副絶縁層２５
は、その膜厚がＨ５で形成され、前記膜厚Ｈ５は、主絶
縁層１１の膜厚Ｈ２よりも小さく形成されることが好ま
しい。一例として、主絶縁層１１の膜厚Ｈ２は、１．５
μｍ程度で形成され、副絶縁層２５の膜厚Ｈ５は、０．
７μｍ程度で形成されている。なお前記副絶縁層２５
は、単層膜で形成されていてもよいし、多層膜で形成さ
れていてもどちらでもよい。
は副絶縁層２５が形成されている。前記副絶縁層２５
は、その膜厚がＨ５で形成され、前記膜厚Ｈ５は、主絶
縁層１１の膜厚Ｈ２よりも小さく形成されることが好ま
しい。一例として、主絶縁層１１の膜厚Ｈ２は、１．５
μｍ程度で形成され、副絶縁層２５の膜厚Ｈ５は、０．
７μｍ程度で形成されている。なお前記副絶縁層２５
は、単層膜で形成されていてもよいし、多層膜で形成さ
れていてもどちらでもよい。
【００９６】また図１で説明したように、前記副絶縁層
２５は、上記した主絶縁層１１として使用される絶縁材
料の中から選択された絶縁材料により形成されていても
よいが、特に後述する製造方法を使用する場合、反応性
イオンエッチングに対するエッチングレートは、主絶縁
層１１の方が副絶縁層２５よりも大きい必要がある。
２５は、上記した主絶縁層１１として使用される絶縁材
料の中から選択された絶縁材料により形成されていても
よいが、特に後述する製造方法を使用する場合、反応性
イオンエッチングに対するエッチングレートは、主絶縁
層１１の方が副絶縁層２５よりも大きい必要がある。
【００９７】このように主絶縁層１１のエッチングレー
トを副絶縁層のエッチングレートに比べて大きくするに
は、主絶縁層１１に上記した絶縁材料を選択し、しかも
副絶縁層２５を、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ
Ｎのうち少なくとも１種以上で形成することが好まし
い。
トを副絶縁層のエッチングレートに比べて大きくするに
は、主絶縁層１１に上記した絶縁材料を選択し、しかも
副絶縁層２５を、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ
Ｎのうち少なくとも１種以上で形成することが好まし
い。
【００９８】また本発明では、前記主絶縁層１１のエッ
チングレートの大きさは、前記副絶縁層２５のエッチン
グレートの大きさに比べ、１０倍以上であることが好ま
しい。例えば、前記主絶縁層１１を、ＳｉＯ2及び／ま
たはＳｉＯＮで形成し、前記副絶縁層２５を、Ａｌ2Ｏ3
及び／またはＳｉ3Ｎ4で形成することが好ましい。
チングレートの大きさは、前記副絶縁層２５のエッチン
グレートの大きさに比べ、１０倍以上であることが好ま
しい。例えば、前記主絶縁層１１を、ＳｉＯ2及び／ま
たはＳｉＯＮで形成し、前記副絶縁層２５を、Ａｌ2Ｏ3
及び／またはＳｉ3Ｎ4で形成することが好ましい。
【００９９】前記主絶縁層１１をＳｉＯ2で形成し、副
絶縁層２５をＡｌ2Ｏ3で形成し、反応性イオンエッチン
グの際に使用されるガスとしてＣ3Ｆ8＋（Ａｒ）を使用
した場合、反応性イオンエッチングに対する前記主絶縁
層１１のエッチングレートを、副絶縁層２５のエッチン
グレートに比べて１５倍程度大きくすることができる。
絶縁層２５をＡｌ2Ｏ3で形成し、反応性イオンエッチン
グの際に使用されるガスとしてＣ3Ｆ8＋（Ａｒ）を使用
した場合、反応性イオンエッチングに対する前記主絶縁
層１１のエッチングレートを、副絶縁層２５のエッチン
グレートに比べて１５倍程度大きくすることができる。
【０１００】また前記主絶縁層１１をＳｉＯ2で形成
し、副絶縁層２５をＳｉ3Ｎ4で形成し、反応性イオンエ
ッチングの際に使用されるガスとしてＣ5Ｆ8＋（Ａｒ）
を使用した場合、反応性イオンエッチングに対する前記
主絶縁層１１のエッチングレートを、副絶縁層２５のエ
ッチングレートに比べて１５倍程度大きくすることがで
きる。
し、副絶縁層２５をＳｉ3Ｎ4で形成し、反応性イオンエ
ッチングの際に使用されるガスとしてＣ5Ｆ8＋（Ａｒ）
を使用した場合、反応性イオンエッチングに対する前記
主絶縁層１１のエッチングレートを、副絶縁層２５のエ
ッチングレートに比べて１５倍程度大きくすることがで
きる。
【０１０１】上記のように、反応性イオンエッチングに
対する主絶縁層１１のエッチングレートを、副絶縁層２
５のエッチングレートよりも大きくすることにより、後
述する製造方法によって、狭トラック化を適正に実現す
ることができる。
対する主絶縁層１１のエッチングレートを、副絶縁層２
５のエッチングレートよりも大きくすることにより、後
述する製造方法によって、狭トラック化を適正に実現す
ることができる。
【０１０２】図４に示すように前記副絶縁層２５には、
トラック幅規制溝１１ａの両端部の上端から前記副絶縁
層２５の表面２５ｂ，２５ｂにかけて徐々に前記トラッ
ク幅方向の間隔が広がる対向面２５ａ，２５ａが形成さ
れている。
トラック幅規制溝１１ａの両端部の上端から前記副絶縁
層２５の表面２５ｂ，２５ｂにかけて徐々に前記トラッ
ク幅方向の間隔が広がる対向面２５ａ，２５ａが形成さ
れている。
【０１０３】そして図４に示すように、上部磁極層１４
上から前記対向面１５ａ上にかけて上部コア層１６が、
例えばフレームメッキ法などによって形成されている。
上から前記対向面１５ａ上にかけて上部コア層１６が、
例えばフレームメッキ法などによって形成されている。
【０１０４】図４に示す薄膜磁気ヘッドは、図１に示す
実施例と異なる製造方法で形成されたものであり、図４
に示すように、副絶縁層２５に形成された対向面２５
ａ，２５ａの形状は図１に示す副絶縁層１５に形成され
た対向面１５ａ，１５ａの形状と異なることがわかる。
実施例と異なる製造方法で形成されたものであり、図４
に示すように、副絶縁層２５に形成された対向面２５
ａ，２５ａの形状は図１に示す副絶縁層１５に形成され
た対向面１５ａ，１５ａの形状と異なることがわかる。
【０１０５】図４に示す前記対向面２５ａ，２５ａは、
前記副絶縁層２５をスパッタまたはイオンビームスパッ
タで成膜することにより形成されたものであり、前記対
向面２５ａは、下部コア層１０から離れるに従って間隔
が広がるように、なだらかに湾曲していることがわか
る。後述する製造方法によれば、前記対向面２５ａ，２
５ａを左右対称に形成することが可能になっている。
前記副絶縁層２５をスパッタまたはイオンビームスパッ
タで成膜することにより形成されたものであり、前記対
向面２５ａは、下部コア層１０から離れるに従って間隔
が広がるように、なだらかに湾曲していることがわか
る。後述する製造方法によれば、前記対向面２５ａ，２
５ａを左右対称に形成することが可能になっている。
【０１０６】なおこの実施例においても、前記主絶縁層
１１に形成されたトラック幅規制部１１ａの幅寸法を、
微小な幅、具体的には０．７μｍ以下の内幅寸法で形成
することが可能であり、前記内幅寸法をトラック幅Ｔｗ
と規定し、前記トラック幅規制溝１１ａ内に、記録媒体
に磁気信号を記録するために必要な漏れ磁界を発生させ
るための下部磁極層１２及び前記下部磁極層１２上に磁
気ギャップ層１３を介して上部磁極層１４を形成するこ
とで、前記下部磁極層１２と上部磁極層１４間で発生す
る漏れ磁界を、微小なトラック幅Ｔｗ内に収めることが
でき、今後の高記録密度化における狭トラック化に対応
することが可能になっている。なお前記トラック幅規制
部１１ａの内幅寸法を、０．５μｍ以下で形成すること
がより好ましく、さらに好ましくは、０．３μｍ以下で
形成することである。
１１に形成されたトラック幅規制部１１ａの幅寸法を、
微小な幅、具体的には０．７μｍ以下の内幅寸法で形成
することが可能であり、前記内幅寸法をトラック幅Ｔｗ
と規定し、前記トラック幅規制溝１１ａ内に、記録媒体
に磁気信号を記録するために必要な漏れ磁界を発生させ
るための下部磁極層１２及び前記下部磁極層１２上に磁
気ギャップ層１３を介して上部磁極層１４を形成するこ
とで、前記下部磁極層１２と上部磁極層１４間で発生す
る漏れ磁界を、微小なトラック幅Ｔｗ内に収めることが
でき、今後の高記録密度化における狭トラック化に対応
することが可能になっている。なお前記トラック幅規制
部１１ａの内幅寸法を、０．５μｍ以下で形成すること
がより好ましく、さらに好ましくは、０．３μｍ以下で
形成することである。
【０１０７】特に本発明では、後述する製造方法によっ
て、主絶縁層１１に形成されたトラック幅規制溝１１ａ
の幅寸法を、レジストの解像度以下の幅寸法で形成する
ことが可能である。
て、主絶縁層１１に形成されたトラック幅規制溝１１ａ
の幅寸法を、レジストの解像度以下の幅寸法で形成する
ことが可能である。
【０１０８】しかも本発明では、前記主絶縁層１１上に
形成された副絶縁層２５に、前記主絶縁層１１に形成さ
れたトラック幅規制溝１１ａの両側端部の上端から、前
記副絶縁層２５の表面２５ｂにかけて、トラック幅方向
（図示Ｘ方向）の幅寸法が徐々に広がる対向面２５ａ，
２５ａを形成し、上部磁極層１４及び／または前記上部
磁極層１４と磁気的に接続する上部コア層１６を、前記
対向面２５ａ，２５ａ上に形成することで、例えば前記
上部コア層１６及び／または上部磁極層１４と、下部磁
極層１２との間で漏れ磁界の発生はほとんど無くなり、
いわゆるライトフリンジングの発生を適正に抑制するこ
とが可能になる。
形成された副絶縁層２５に、前記主絶縁層１１に形成さ
れたトラック幅規制溝１１ａの両側端部の上端から、前
記副絶縁層２５の表面２５ｂにかけて、トラック幅方向
（図示Ｘ方向）の幅寸法が徐々に広がる対向面２５ａ，
２５ａを形成し、上部磁極層１４及び／または前記上部
磁極層１４と磁気的に接続する上部コア層１６を、前記
対向面２５ａ，２５ａ上に形成することで、例えば前記
上部コア層１６及び／または上部磁極層１４と、下部磁
極層１２との間で漏れ磁界の発生はほとんど無くなり、
いわゆるライトフリンジングの発生を適正に抑制するこ
とが可能になる。
【０１０９】次に図５ないし図８に示す工程図を用い
て、本発明の図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて以下に説明する。なお図５ないし図８に示す工程図
は、薄膜磁気ヘッドを、記録媒体との対向面（ＡＢＳ
面）から見た部分正面図で表している。
て、本発明の図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて以下に説明する。なお図５ないし図８に示す工程図
は、薄膜磁気ヘッドを、記録媒体との対向面（ＡＢＳ
面）から見た部分正面図で表している。
【０１１０】図５に示す工程では、まず下部コア層２０
の上に、主絶縁層２１を形成し、さらに前記主絶縁層２
１の上に、副絶縁層２２を形成する。
の上に、主絶縁層２１を形成し、さらに前記主絶縁層２
１の上に、副絶縁層２２を形成する。
【０１１１】図５に示すように、前記副絶縁層２２の膜
厚は、主絶縁層２１の膜厚よりも小さいことが好まし
い。一例として、前記主絶縁層２１の膜厚を１．５μｍ
程度で形成し、副絶縁層２２の膜厚を０．７μｍ程度で
形成することが好ましい。
厚は、主絶縁層２１の膜厚よりも小さいことが好まし
い。一例として、前記主絶縁層２１の膜厚を１．５μｍ
程度で形成し、副絶縁層２２の膜厚を０．７μｍ程度で
形成することが好ましい。
【０１１２】特に本発明では、前記主絶縁層２１として
使用された絶縁材料の反応性イオンエッチングに対する
エッチングレートに比べて、エッチングレートの小さい
絶縁材料を副絶縁層２２として使用しなければならな
い。
使用された絶縁材料の反応性イオンエッチングに対する
エッチングレートに比べて、エッチングレートの小さい
絶縁材料を副絶縁層２２として使用しなければならな
い。
【０１１３】このように、反応性イオンエッチングに対
する副絶縁層２２のエッチングレートを、主絶縁層２１
のエッチングレートに比べて小さくし、換言すれば、主
絶縁層２１のエッチングレートを、副絶縁層２２のエッ
チングレートに比べて大きくすることにより、後の工程
で行なわれる前記主絶縁層２１へのトラック幅規制溝の
形成を、所定の形状で形成することが可能になる。
する副絶縁層２２のエッチングレートを、主絶縁層２１
のエッチングレートに比べて小さくし、換言すれば、主
絶縁層２１のエッチングレートを、副絶縁層２２のエッ
チングレートに比べて大きくすることにより、後の工程
で行なわれる前記主絶縁層２１へのトラック幅規制溝の
形成を、所定の形状で形成することが可能になる。
【０１１４】本発明では、前記主絶縁層２１を、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、Ｃ
ｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上で形成し、前
記副絶縁層２２を、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｓｉ
ＯＮのうち少なくとも１種以上で形成することが好まし
い。これにより前記主絶縁層２１のエッチングレートを
副絶縁層２２のエッチングレートよりも大きくすること
ができる。
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、Ｃ
ｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上で形成し、前
記副絶縁層２２を、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｓｉ
ＯＮのうち少なくとも１種以上で形成することが好まし
い。これにより前記主絶縁層２１のエッチングレートを
副絶縁層２２のエッチングレートよりも大きくすること
ができる。
【０１１５】また本発明では、前記主絶縁層２１に使用
された絶縁材料のエッチングレートは、副絶縁層２２に
使用された絶縁材料のエッチングレートに比べて１０倍
以上の大きさを有することが好ましい。この条件を満た
すには、前記主絶縁層２１を、ＳｉＯ2及び／またはＳ
ｉＯＮで形成し、前記副絶縁層２２を、Ａｌ2Ｏ3及び／
またはＳｉ3Ｎ4で形成することが好ましい。
された絶縁材料のエッチングレートは、副絶縁層２２に
使用された絶縁材料のエッチングレートに比べて１０倍
以上の大きさを有することが好ましい。この条件を満た
すには、前記主絶縁層２１を、ＳｉＯ2及び／またはＳ
ｉＯＮで形成し、前記副絶縁層２２を、Ａｌ2Ｏ3及び／
またはＳｉ3Ｎ4で形成することが好ましい。
【０１１６】次に図５に示すように、前記副絶縁層２２
の上に、レジスト層２３を形成する。
の上に、レジスト層２３を形成する。
【０１１７】このレジスト層２３には、露光現像によ
り、所定の間隔２３ａがパターン形成により開けられて
いる。この間隔２３ａの幅寸法Ｔ１は、小さければ小さ
いほど好ましく、特に、レジスト層２３への露光現像の
際の解像度のほぼ限界値で形成されることが好ましい。
前記解像度は、露光現像の際に使用される波長に大きく
係り、例えば前記波長にｉ線を使用した場合には、解像
度の限界値は０．４μｍ程度である。よって、波長にｉ
線を使用した場合には、前記間隔２３ａの幅寸法Ｔ１
は、０．４μｍ程度にまで小さく形成されることが好ま
しい。
り、所定の間隔２３ａがパターン形成により開けられて
いる。この間隔２３ａの幅寸法Ｔ１は、小さければ小さ
いほど好ましく、特に、レジスト層２３への露光現像の
際の解像度のほぼ限界値で形成されることが好ましい。
前記解像度は、露光現像の際に使用される波長に大きく
係り、例えば前記波長にｉ線を使用した場合には、解像
度の限界値は０．４μｍ程度である。よって、波長にｉ
線を使用した場合には、前記間隔２３ａの幅寸法Ｔ１
は、０．４μｍ程度にまで小さく形成されることが好ま
しい。
【０１１８】また図５に示すように、前記レジスト層２
３にパターン形成によって開けられた間隔２３ａの両側
端面には、下部コア層２０から離れるに従って徐々にト
ラック幅方向（図示Ｘ方向）に広がる対向面２３ｂ，２
３ｂが形成されていることが好ましい。
３にパターン形成によって開けられた間隔２３ａの両側
端面には、下部コア層２０から離れるに従って徐々にト
ラック幅方向（図示Ｘ方向）に広がる対向面２３ｂ，２
３ｂが形成されていることが好ましい。
【０１１９】前記レジスト層２３に傾斜形成された対向
面２３ｂ，２３ｂは、次の工程で、副絶縁層２２側に所
定形状の対向面を形成するために必要なものであり、前
記対向面２３ｂ，２３ｂは、例えば前記レジスト層２３
に、露光現像により間隔２３ａをパターン形成した後、
熱処理（ポストベーク）を施して、前記間隔２３ａの両
側端部にだれを生じさせ、これによって前記両側端部
に、下部コア層２０から離れるに従って徐々にトラック
幅方向に広がる対向面２３ｂ，２３ｂを形成すことがで
きる。なお両側端部に形成された前記対向面２３ｂ，２
３ｂの傾きは、それぞれほぼ同じ傾斜角で形成されてい
ることが好ましく、また前記対向面２３ｂ，２３ｂの傾
きは、熱処理温度を変えることによって、調整すること
ができる。前記対向面２３ｂ，２３ｂの傾斜形成によ
り、イオンミリングにおけるシャドー効果を抑制するこ
とができる。
面２３ｂ，２３ｂは、次の工程で、副絶縁層２２側に所
定形状の対向面を形成するために必要なものであり、前
記対向面２３ｂ，２３ｂは、例えば前記レジスト層２３
に、露光現像により間隔２３ａをパターン形成した後、
熱処理（ポストベーク）を施して、前記間隔２３ａの両
側端部にだれを生じさせ、これによって前記両側端部
に、下部コア層２０から離れるに従って徐々にトラック
幅方向に広がる対向面２３ｂ，２３ｂを形成すことがで
きる。なお両側端部に形成された前記対向面２３ｂ，２
３ｂの傾きは、それぞれほぼ同じ傾斜角で形成されてい
ることが好ましく、また前記対向面２３ｂ，２３ｂの傾
きは、熱処理温度を変えることによって、調整すること
ができる。前記対向面２３ｂ，２３ｂの傾斜形成によ
り、イオンミリングにおけるシャドー効果を抑制するこ
とができる。
【０１２０】また本発明では、前記レジスト層２３の膜
厚は、Ｈ４で形成されており、この膜厚Ｈ４は、図１５
に示す従来の製造方法に使用されたレジスト層８の膜厚
Ｈ１に比べて薄く形成されている。このように前記レジ
スト層２３の膜厚Ｈ４が薄く形成されると、露光現像の
際にフォーカスを取り易く、所定形状のパターンを前記
レジスト層２３に形成できる。
厚は、Ｈ４で形成されており、この膜厚Ｈ４は、図１５
に示す従来の製造方法に使用されたレジスト層８の膜厚
Ｈ１に比べて薄く形成されている。このように前記レジ
スト層２３の膜厚Ｈ４が薄く形成されると、露光現像の
際にフォーカスを取り易く、所定形状のパターンを前記
レジスト層２３に形成できる。
【０１２１】特に本発明では、前記レジスト層２３の膜
厚Ｈ４を、後の工程で主絶縁層２１に形成される、トラ
ック幅規制溝の幅寸法の１倍から３倍の範囲内で形成す
ることが好ましい。その理由については後述する。
厚Ｈ４を、後の工程で主絶縁層２１に形成される、トラ
ック幅規制溝の幅寸法の１倍から３倍の範囲内で形成す
ることが好ましい。その理由については後述する。
【０１２２】次に図６に示す工程では、前記レジスト層
２３に開けられた間隔２３ａから露出する副絶縁層２２
を、イオンミリングにより斜めに削って前記副絶縁層２
２に溝２２ａを形成し、前記溝２２ａの両側端部に、前
記レジスト層２３の対向面２３ｂ，２３ｂと連続する対
向面２２ｂ，２２ｂを形成する。なお前記イオンミリン
グにより、副絶縁層２２だけでなく、レジスト層２３の
表面なども削られる（図６に示す点線部分）。
２３に開けられた間隔２３ａから露出する副絶縁層２２
を、イオンミリングにより斜めに削って前記副絶縁層２
２に溝２２ａを形成し、前記溝２２ａの両側端部に、前
記レジスト層２３の対向面２３ｂ，２３ｂと連続する対
向面２２ｂ，２２ｂを形成する。なお前記イオンミリン
グにより、副絶縁層２２だけでなく、レジスト層２３の
表面なども削られる（図６に示す点線部分）。
【０１２３】またこのイオンミリングによって、前記副
絶縁層２２の溝２２ａは、主絶縁層２１にまで通じて形
成されるため、前記溝２２ａからは主絶縁層２１が露出
し、露出した前記主絶縁層２１もまた、前記イオンミリ
ングによって若干削り取られる（図６に示す点線部
分）。
絶縁層２２の溝２２ａは、主絶縁層２１にまで通じて形
成されるため、前記溝２２ａからは主絶縁層２１が露出
し、露出した前記主絶縁層２１もまた、前記イオンミリ
ングによって若干削り取られる（図６に示す点線部
分）。
【０１２４】前記副絶縁層２２に傾斜形成された対向面
２２ｂ，２２ｂは、ライトフリンジングの発生を抑制す
るために必要なものであり、前記対向面２２ｂ，２２ｂ
上には、図１に示す上部コア層１６や上部磁極層１４が
形成される。
２２ｂ，２２ｂは、ライトフリンジングの発生を抑制す
るために必要なものであり、前記対向面２２ｂ，２２ｂ
上には、図１に示す上部コア層１６や上部磁極層１４が
形成される。
【０１２５】前述したように、レジスト層２３の膜厚Ｈ
４は、後の工程で主絶縁層２１に形成されるトラック幅
規制溝の幅寸法に対して、１倍から３倍程度の薄い膜厚
で形成される。
４は、後の工程で主絶縁層２１に形成されるトラック幅
規制溝の幅寸法に対して、１倍から３倍程度の薄い膜厚
で形成される。
【０１２６】このようにレジスト層２３の膜厚Ｈ４が薄
く形成されると、イオンミリングの際にイオンが均一分
散していない場合、例えば図６に示す矢印Ｂ方向から入
射するイオンの入射角と、矢印Ｃ方向から入射するイオ
ンの入射角が異なっていても、前記レジスト層２３に開
けられた間隔２３ａ内に入射するイオン量は、矢印Ｂ方
向からでも矢印Ｃ方向からでもそれ程変わらず、前記間
隔２３ａ内に露出する副絶縁層２２を適切にエッチング
することができ、前記副絶縁層２２にほぼ左右対称な傾
斜面２２ｂ，２２ｂを形成することができる。
く形成されると、イオンミリングの際にイオンが均一分
散していない場合、例えば図６に示す矢印Ｂ方向から入
射するイオンの入射角と、矢印Ｃ方向から入射するイオ
ンの入射角が異なっていても、前記レジスト層２３に開
けられた間隔２３ａ内に入射するイオン量は、矢印Ｂ方
向からでも矢印Ｃ方向からでもそれ程変わらず、前記間
隔２３ａ内に露出する副絶縁層２２を適切にエッチング
することができ、前記副絶縁層２２にほぼ左右対称な傾
斜面２２ｂ，２２ｂを形成することができる。
【０１２７】これに対し、前記レジスト層２３の膜厚Ｈ
４が、従来と同様に厚く形成されると、イオン分散が不
均一な場合、イオンの入射角によって、前記レジスト層
２３に開けられた間隔２３ａ内に入射するイオン量は、
大きく異なり、前記副絶縁層２２に左右対称な傾斜面２
２ｂ，２２ｂを形成できない。
４が、従来と同様に厚く形成されると、イオン分散が不
均一な場合、イオンの入射角によって、前記レジスト層
２３に開けられた間隔２３ａ内に入射するイオン量は、
大きく異なり、前記副絶縁層２２に左右対称な傾斜面２
２ｂ，２２ｂを形成できない。
【０１２８】また本発明では、イオンミリングの際にお
けるイオンの入射角θ３は、約２０°から６０°の範囲
内であることが好ましい。
けるイオンの入射角θ３は、約２０°から６０°の範囲
内であることが好ましい。
【０１２９】このように入射角θ３を２０°から６０°
の範囲内に設定するのは、レジストをマスクとしたと
き、確実に、前記マスクから露出する副絶縁層２２にイ
オンが照射され、且つイオンミリングによる不純物の再
付着が発生しづらいからである。
の範囲内に設定するのは、レジストをマスクとしたと
き、確実に、前記マスクから露出する副絶縁層２２にイ
オンが照射され、且つイオンミリングによる不純物の再
付着が発生しづらいからである。
【０１３０】また上記したように、副絶縁層２２に形成
された対向面２２ｂ，２２ｂは斜め方向からのイオン入
射によって削られることにより形成されるものであり、
前記対向面２２ｂは、図６に示すように、ほぼ直線的に
傾斜した面となる。
された対向面２２ｂ，２２ｂは斜め方向からのイオン入
射によって削られることにより形成されるものであり、
前記対向面２２ｂは、図６に示すように、ほぼ直線的に
傾斜した面となる。
【０１３１】次に、図６に示すレジスト層２３を除去す
る。その状態を示すのが図７である。図７に示すよう
に、副絶縁層２２における溝２２ａ底面の幅寸法はＴ２
であり、この幅寸法Ｔ２は、図５に示すレジスト層２３
に開けられた間隔２３ａの幅寸法Ｔ１よりも小さく形成
される。
る。その状態を示すのが図７である。図７に示すよう
に、副絶縁層２２における溝２２ａ底面の幅寸法はＴ２
であり、この幅寸法Ｔ２は、図５に示すレジスト層２３
に開けられた間隔２３ａの幅寸法Ｔ１よりも小さく形成
される。
【０１３２】このため本発明では、前記レジスト層２３
に開けられた間隔２３ａの幅寸法Ｔ１が、露光現像の際
の解像度のほぼ限界値であったとすると、副絶縁層２２
における溝２２ａ底面の幅寸法Ｔ２は、前記解像度の限
界値よりも小さい寸法で形成されることになる。
に開けられた間隔２３ａの幅寸法Ｔ１が、露光現像の際
の解像度のほぼ限界値であったとすると、副絶縁層２２
における溝２２ａ底面の幅寸法Ｔ２は、前記解像度の限
界値よりも小さい寸法で形成されることになる。
【０１３３】そして図７に示す工程では、反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ法）により、主絶縁層２１にトラッ
ク幅規制溝２１ａを形成する。
エッチング（ＲＩＥ法）により、主絶縁層２１にトラッ
ク幅規制溝２１ａを形成する。
【０１３４】前述したように、主絶縁層２１に使用され
た絶縁材料の反応性イオンエッチングに対するエッチン
グレートは、副絶縁層２２に使用された絶縁材料のエッ
チングレートよりも大きい。特に本発明では、副絶縁層
２２に対して１０倍以上の大きさのエッチングレートを
主絶縁層２１が有していることが好ましい。
た絶縁材料の反応性イオンエッチングに対するエッチン
グレートは、副絶縁層２２に使用された絶縁材料のエッ
チングレートよりも大きい。特に本発明では、副絶縁層
２２に対して１０倍以上の大きさのエッチングレートを
主絶縁層２１が有していることが好ましい。
【０１３５】このように主絶縁層２１のエッチングレー
トが、副絶縁層２２のエッチングレートよりも大きい
と、反応性イオンエッチングにより、副絶縁層２２はほ
とんど削られず、主に主絶縁層２１が削られることにな
る。
トが、副絶縁層２２のエッチングレートよりも大きい
と、反応性イオンエッチングにより、副絶縁層２２はほ
とんど削られず、主に主絶縁層２１が削られることにな
る。
【０１３６】このため、反応性イオンエッチングの際
の、図７に示す副絶縁層２２は、レジストと同様なマス
クとしての働きをしており、前記副絶縁層２２に形成さ
れた溝２２ａから露出する主絶縁層２１のみが主に、反
応性イオンエッチングにより削り取られる。
の、図７に示す副絶縁層２２は、レジストと同様なマス
クとしての働きをしており、前記副絶縁層２２に形成さ
れた溝２２ａから露出する主絶縁層２１のみが主に、反
応性イオンエッチングにより削り取られる。
【０１３７】そして反応性イオンエッチングによって、
図８に示すように、前記主絶縁層２１には、前記主絶縁
層２１の表面から下部コア層２０上にまで通じるトラッ
ク幅規制溝２１ａが形成される。
図８に示すように、前記主絶縁層２１には、前記主絶縁
層２１の表面から下部コア層２０上にまで通じるトラッ
ク幅規制溝２１ａが形成される。
【０１３８】前述したように、副絶縁層２２に形成され
た溝２２ａ底面の幅寸法Ｔ２は、レジストの解像度以下
の幅寸法で形成されており、そして図７に示す工程で
は、反応性イオンエッチングの際に、前記副絶縁層２２
が、マスクとしての役割を果たし、前記溝２２ａから露
出する主絶縁層２１の部分のみが主に削られていくため
に、前記主絶縁層２１に形成されたトラック幅規制溝２
１ａの幅寸法は、レジスト層の解像度以下の幅寸法で形
成されることになる。
た溝２２ａ底面の幅寸法Ｔ２は、レジストの解像度以下
の幅寸法で形成されており、そして図７に示す工程で
は、反応性イオンエッチングの際に、前記副絶縁層２２
が、マスクとしての役割を果たし、前記溝２２ａから露
出する主絶縁層２１の部分のみが主に削られていくため
に、前記主絶縁層２１に形成されたトラック幅規制溝２
１ａの幅寸法は、レジスト層の解像度以下の幅寸法で形
成されることになる。
【０１３９】そして前記トラック幅規制溝２１ａの幅寸
法は、トラック幅Ｔｗとして規定されるので、このよう
に本発明では、レジスト層の解像度以下の幅寸法でトラ
ック幅Ｔｗを形成することができ、今後のさらなる高記
録密度化に伴う狭トラック化に適正に対応可能な薄膜磁
気ヘッドを製造することができる。
法は、トラック幅Ｔｗとして規定されるので、このよう
に本発明では、レジスト層の解像度以下の幅寸法でトラ
ック幅Ｔｗを形成することができ、今後のさらなる高記
録密度化に伴う狭トラック化に適正に対応可能な薄膜磁
気ヘッドを製造することができる。
【０１４０】そして本発明では、前記トラック幅規制溝
２１ａ内に、下部コア層２０と連続する下部磁極層及び
／または上部コア層と連続する上部磁極層、ならびに前
記一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層との
間または両磁極層の間に位置する磁気ギャップ層を設け
る。
２１ａ内に、下部コア層２０と連続する下部磁極層及び
／または上部コア層と連続する上部磁極層、ならびに前
記一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層との
間または両磁極層の間に位置する磁気ギャップ層を設け
る。
【０１４１】さらに前記上部磁極層上あるいは磁気ギャ
ップ層上に上部コア層を、副絶縁層２２に形成された対
向面２２ｂ上に、フレームメッキ法により形成する。
ップ層上に上部コア層を、副絶縁層２２に形成された対
向面２２ｂ上に、フレームメッキ法により形成する。
【０１４２】以上詳述した本発明における製造方法によ
れば、下部コア層２０上に、主絶縁層２１を形成し、さ
らに前記主絶縁層２１に使用された絶縁材料よりも反応
性イオンエッチングに対するエッチングレートが小さい
絶縁材料を、副絶縁層として、前記主絶縁層２１上に形
成して、まずイオンミリングにより、前記副絶縁層２２
に、前記副絶縁層２２の表面から下部コア層２０方向に
かけて、徐々に間隔が狭まる対向面を形成する。
れば、下部コア層２０上に、主絶縁層２１を形成し、さ
らに前記主絶縁層２１に使用された絶縁材料よりも反応
性イオンエッチングに対するエッチングレートが小さい
絶縁材料を、副絶縁層として、前記主絶縁層２１上に形
成して、まずイオンミリングにより、前記副絶縁層２２
に、前記副絶縁層２２の表面から下部コア層２０方向に
かけて、徐々に間隔が狭まる対向面を形成する。
【０１４３】そして次に、反応性イオンエッチングによ
り、前記副絶縁層の対向面の下に現れる主絶縁層２１
に、トラック幅Ｔｗを規定するためのトラック幅規制溝
２１ａを形成している。
り、前記副絶縁層の対向面の下に現れる主絶縁層２１
に、トラック幅Ｔｗを規定するためのトラック幅規制溝
２１ａを形成している。
【０１４４】本発明では、特に上記した製造方法によれ
ば、前記トラック幅規制溝２１ａの幅寸法を、レジスト
層の解像度以下の幅寸法で形成することが可能であり、
今後の高記録密度化における狭トラック化に対応可能な
薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
ば、前記トラック幅規制溝２１ａの幅寸法を、レジスト
層の解像度以下の幅寸法で形成することが可能であり、
今後の高記録密度化における狭トラック化に対応可能な
薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１４５】さらに本発明では、前記副絶縁層２２に、
ほぼ左右対称に下部コア層２０から離れるに従って間隔
が徐々に広がる対向面２２ｂ，２２ｂを形成することが
可能であり、ライトフリンジングの発生を適正に抑制す
ることができる。
ほぼ左右対称に下部コア層２０から離れるに従って間隔
が徐々に広がる対向面２２ｂ，２２ｂを形成することが
可能であり、ライトフリンジングの発生を適正に抑制す
ることができる。
【０１４６】次に図９ないし図１２に示す工程図を用い
て、本発明の図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて以下に説明する。なお図９ないし図１２に示す工程
図は、薄膜磁気ヘッドを、記録媒体との対向面（ＡＢＳ
面）から見た部分正面図で表している。
て、本発明の図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて以下に説明する。なお図９ないし図１２に示す工程
図は、薄膜磁気ヘッドを、記録媒体との対向面（ＡＢＳ
面）から見た部分正面図で表している。
【０１４７】図９に示す工程では、まず下部コア層３０
の上に、主絶縁層３１を形成し、さらに前記主絶縁層３
１の上に、リフトオフ用のレジスト層３３を形成する。
前記主絶縁層３１の膜厚は、例えば１．５μｍ程度で形
成される。
の上に、主絶縁層３１を形成し、さらに前記主絶縁層３
１の上に、リフトオフ用のレジスト層３３を形成する。
前記主絶縁層３１の膜厚は、例えば１．５μｍ程度で形
成される。
【０１４８】本発明では、前記主絶縁層２１を、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、Ｃ
ｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上で形成するこ
とが好ましい。これら絶縁材料は、後述する副絶縁層３
２に使用される絶縁材料よりもエッチングレートの大き
いものである。
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、Ｃ
ｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上で形成するこ
とが好ましい。これら絶縁材料は、後述する副絶縁層３
２に使用される絶縁材料よりもエッチングレートの大き
いものである。
【０１４９】ところで図９に示す工程では、主絶縁層３
１上にリフトオフ用レジスト層３３を形成しているが、
このレジスト層３３は、後工程で形成される副絶縁層３
２を主絶縁層３３上に前記レジスト層３３への露光現像
の際の解像度以下の寸法を空けて形成するために設けら
れたものである。
１上にリフトオフ用レジスト層３３を形成しているが、
このレジスト層３３は、後工程で形成される副絶縁層３
２を主絶縁層３３上に前記レジスト層３３への露光現像
の際の解像度以下の寸法を空けて形成するために設けら
れたものである。
【０１５０】図９に示すように、前記レジスト層３３の
上面３３ａの幅寸法はＴ３で形成されるが、この幅寸法
Ｔ３は、どれだけ小さく形成しても、露光現像の際にお
ける解像度の限界値である。例えば露光現像の際の波長
にｉ線を使用した場合には、解像度の限界値は０．４μ
ｍ程度であるから、前記レジスト層３３の上面３３ａの
幅寸法Ｔ３は、約０．４μｍ程度まで小さく形成するこ
とは可能であるが、それ以上小さく形成することは不可
能である。
上面３３ａの幅寸法はＴ３で形成されるが、この幅寸法
Ｔ３は、どれだけ小さく形成しても、露光現像の際にお
ける解像度の限界値である。例えば露光現像の際の波長
にｉ線を使用した場合には、解像度の限界値は０．４μ
ｍ程度であるから、前記レジスト層３３の上面３３ａの
幅寸法Ｔ３は、約０．４μｍ程度まで小さく形成するこ
とは可能であるが、それ以上小さく形成することは不可
能である。
【０１５１】しかしながら前記レジスト層３３はリフト
オフ用であるために、現像液により前記レジスト層３３
の下面は、前記上面３３ａよりも内部方向に、さらに溶
け出し、前記レジスト層３３の下面には図９に示すよう
な切り込み部３３ｂ，３３ｂが形成される。
オフ用であるために、現像液により前記レジスト層３３
の下面は、前記上面３３ａよりも内部方向に、さらに溶
け出し、前記レジスト層３３の下面には図９に示すよう
な切り込み部３３ｂ，３３ｂが形成される。
【０１５２】すなわち前記レジスト層３３の下面の幅寸
法Ｔ４は、前記切り込み部３３ｂ，３３ｂ形成のため
に、上面３３ａの幅寸法Ｔ３よりも小さくなり、前記上
面３３ａの幅寸法Ｔ３が、露光現像の際の解像度のほぼ
限界値で形成されている場合には、前記下面の幅寸法Ｔ
４は、前記露光現像の際の解像度以下の寸法になってい
るのである。
法Ｔ４は、前記切り込み部３３ｂ，３３ｂ形成のため
に、上面３３ａの幅寸法Ｔ３よりも小さくなり、前記上
面３３ａの幅寸法Ｔ３が、露光現像の際の解像度のほぼ
限界値で形成されている場合には、前記下面の幅寸法Ｔ
４は、前記露光現像の際の解像度以下の寸法になってい
るのである。
【０１５３】そして図１０に示す工程では、前記リフト
オフ用レジスト層３３に形成された切り込み部３３ｂ内
から主絶縁層３１上面にかけて、副絶縁層３２をスパッ
タ成膜する。
オフ用レジスト層３３に形成された切り込み部３３ｂ内
から主絶縁層３１上面にかけて、副絶縁層３２をスパッ
タ成膜する。
【０１５４】上記のように本発明では前記レジスト層３
３に形成された切り込み部３３ｂ内にまで副絶縁層３２
を形成する必要性があるので、斜め方向からイオン照射
を施し、前記切り込み部３３ｂ内に適切に副絶縁層３２
が入り込むようにする。なおスパッタ法としては、イオ
ンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、あるい
はコリメーションスパッタ法など既存の方法を使用する
ことが可能である。
３に形成された切り込み部３３ｂ内にまで副絶縁層３２
を形成する必要性があるので、斜め方向からイオン照射
を施し、前記切り込み部３３ｂ内に適切に副絶縁層３２
が入り込むようにする。なおスパッタ法としては、イオ
ンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、あるい
はコリメーションスパッタ法など既存の方法を使用する
ことが可能である。
【０１５５】前述のように、レジスト層３３には切り込
み部３３ｂ，３３ｂが形成され、この切り込み部３３ｂ
内にまで副絶縁層３２を延出して形成するため斜め方向
からのイオン照射により、前記副絶縁層３２には、下部
コア層３０から離れるに従って間隔が徐々に広がる対向
面３２ａ，３２ａが形成され、この対向面３２ａ，３２
ａは、イオンミリングによって削って形成された面と異
なり（図６の副絶縁層２２の対向面２２ｂ参照）、なだ
らかに湾曲した面となっている。
み部３３ｂ，３３ｂが形成され、この切り込み部３３ｂ
内にまで副絶縁層３２を延出して形成するため斜め方向
からのイオン照射により、前記副絶縁層３２には、下部
コア層３０から離れるに従って間隔が徐々に広がる対向
面３２ａ，３２ａが形成され、この対向面３２ａ，３２
ａは、イオンミリングによって削って形成された面と異
なり（図６の副絶縁層２２の対向面２２ｂ参照）、なだ
らかに湾曲した面となっている。
【０１５６】なお本発明では、副絶縁層３２のエッチン
グレートは、主絶縁層３１のエッチングレートよりも小
さいことが必要であり、前記副絶縁層３２を、Ａｌ
2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１
種以上で形成することが好ましい。
グレートは、主絶縁層３１のエッチングレートよりも小
さいことが必要であり、前記副絶縁層３２を、Ａｌ
2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１
種以上で形成することが好ましい。
【０１５７】また本発明では、前記主絶縁層３１に使用
された絶縁材料のエッチングレートは、副絶縁層３２に
使用された絶縁材料のエッチングレートに比べて１０倍
以上の大きさを有することが好ましい。この条件を満た
すには、前記主絶縁層３１を、ＳｉＯ2及び／またはＳ
ｉＯＮで形成し、前記副絶縁層３２を、Ａｌ2Ｏ3及び／
またはＳｉ3Ｎ4で形成することが好ましい。
された絶縁材料のエッチングレートは、副絶縁層３２に
使用された絶縁材料のエッチングレートに比べて１０倍
以上の大きさを有することが好ましい。この条件を満た
すには、前記主絶縁層３１を、ＳｉＯ2及び／またはＳ
ｉＯＮで形成し、前記副絶縁層３２を、Ａｌ2Ｏ3及び／
またはＳｉ3Ｎ4で形成することが好ましい。
【０１５８】そして図１０に示すリフトオフ用レジスト
層３３を除去する。その状態を示したのが図１１であ
る。
層３３を除去する。その状態を示したのが図１１であ
る。
【０１５９】図１１に示すように、主絶縁層３１上に形
成された副絶縁層３２には、所定の間隔３２ｃが幅寸法
Ｔ５で空けられている。この間隔３２ｃの幅寸法Ｔ５
は、リフトオフ用レジスト層３３の下面の幅寸法Ｔ４と
ほぼ同じか、あるいは前記幅寸法Ｔ４よりも若干広い程
度である。
成された副絶縁層３２には、所定の間隔３２ｃが幅寸法
Ｔ５で空けられている。この間隔３２ｃの幅寸法Ｔ５
は、リフトオフ用レジスト層３３の下面の幅寸法Ｔ４と
ほぼ同じか、あるいは前記幅寸法Ｔ４よりも若干広い程
度である。
【０１６０】よって図９に示したリフトオフ用レジスト
層３３の上面３３ａが、露光現像の際の解像度のほぼ限
界値で形成されている場合には、前記レジスト層３３の
下面の幅寸法Ｔ４は、前記解像度以下の寸法になるの
で、前記副絶縁層３２に形成された間隔３２ｃの幅寸法
Ｔ５もまた、露光現像の際の解像度の限界値以下の寸法
で形成されることになる。
層３３の上面３３ａが、露光現像の際の解像度のほぼ限
界値で形成されている場合には、前記レジスト層３３の
下面の幅寸法Ｔ４は、前記解像度以下の寸法になるの
で、前記副絶縁層３２に形成された間隔３２ｃの幅寸法
Ｔ５もまた、露光現像の際の解像度の限界値以下の寸法
で形成されることになる。
【０１６１】そして図１２に示す工程では、反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ法）により、主絶縁層３１にトラ
ック幅規制溝３１ａを形成する。
ンエッチング（ＲＩＥ法）により、主絶縁層３１にトラ
ック幅規制溝３１ａを形成する。
【０１６２】前述したように、主絶縁層３１に使用され
た絶縁材料の反応性イオンエッチングに対するエッチン
グレートは、副絶縁層３２に使用された絶縁材料のエッ
チングレートよりも大きい。特に本発明では、副絶縁層
３２に対して１０倍以上の大きさのエッチングレートを
主絶縁層３１が有していることが好ましい。
た絶縁材料の反応性イオンエッチングに対するエッチン
グレートは、副絶縁層３２に使用された絶縁材料のエッ
チングレートよりも大きい。特に本発明では、副絶縁層
３２に対して１０倍以上の大きさのエッチングレートを
主絶縁層３１が有していることが好ましい。
【０１６３】このように主絶縁層３１のエッチングレー
トが、副絶縁層３２のエッチングレートよりも大きい
と、反応性イオンエッチングにより、副絶縁層３２はほ
とんど削られず、主に主絶縁層３１が削られることにな
る。
トが、副絶縁層３２のエッチングレートよりも大きい
と、反応性イオンエッチングにより、副絶縁層３２はほ
とんど削られず、主に主絶縁層３１が削られることにな
る。
【０１６４】このため、反応性イオンエッチングの際
の、図１２に示す副絶縁層３２は、レジストと同様なマ
スクとしての働きをしており、前記副絶縁層３２に形成
された間隔３２ｃから露出する主絶縁層３１のみが主
に、反応性イオンエッチングにより削り取られる。
の、図１２に示す副絶縁層３２は、レジストと同様なマ
スクとしての働きをしており、前記副絶縁層３２に形成
された間隔３２ｃから露出する主絶縁層３１のみが主
に、反応性イオンエッチングにより削り取られる。
【０１６５】そして反応性イオンエッチングによって、
図１２に示すように、前記主絶縁層３１には、前記主絶
縁層３１の表面から下部コア層３０上にまで通じるトラ
ック幅規制溝３１ａが形成される。
図１２に示すように、前記主絶縁層３１には、前記主絶
縁層３１の表面から下部コア層３０上にまで通じるトラ
ック幅規制溝３１ａが形成される。
【０１６６】前述したように、副絶縁層３２に形成され
た間隔３２ｃの幅寸法Ｔ５は、レジストの解像度以下の
幅寸法で形成されており、そして図１２に示す工程で
は、反応性イオンエッチングの際に、前記副絶縁層３２
が、マスクとしての役割を果たし、前記間隔３２ｃから
露出する主絶縁層３１の部分のみが主に削られていくた
めに、前記主絶縁層３１に形成されたトラック幅規制溝
３１ａの幅寸法は、レジスト層の解像度以下の幅寸法で
形成されることになる。
た間隔３２ｃの幅寸法Ｔ５は、レジストの解像度以下の
幅寸法で形成されており、そして図１２に示す工程で
は、反応性イオンエッチングの際に、前記副絶縁層３２
が、マスクとしての役割を果たし、前記間隔３２ｃから
露出する主絶縁層３１の部分のみが主に削られていくた
めに、前記主絶縁層３１に形成されたトラック幅規制溝
３１ａの幅寸法は、レジスト層の解像度以下の幅寸法で
形成されることになる。
【０１６７】そして前記トラック幅規制溝３１ａの幅寸
法は、トラック幅Ｔｗとして規定されるので、このよう
に本発明では、レジスト層の解像度以下の幅寸法でトラ
ック幅Ｔｗを形成することができ、今後のさらなる高記
録密度化に伴う狭トラック化に適正に対応可能な薄膜磁
気ヘッドを製造することができる。
法は、トラック幅Ｔｗとして規定されるので、このよう
に本発明では、レジスト層の解像度以下の幅寸法でトラ
ック幅Ｔｗを形成することができ、今後のさらなる高記
録密度化に伴う狭トラック化に適正に対応可能な薄膜磁
気ヘッドを製造することができる。
【０１６８】そして本発明では、前記トラック幅規制溝
３１ａ内に、下部コア層２０と連続する下部磁極層及び
／または上部コア層と連続する上部磁極層、ならびに前
記一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層との
間または両磁極層の間に位置する磁気ギャップ層を設け
る。
３１ａ内に、下部コア層２０と連続する下部磁極層及び
／または上部コア層と連続する上部磁極層、ならびに前
記一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層との
間または両磁極層の間に位置する磁気ギャップ層を設け
る。
【０１６９】さらに前記上部磁極層上あるいは磁気ギャ
ップ層上に上部コア層を、副絶縁層３２に形成された対
向面３２ａ上に、フレームメッキ法により形成する。
ップ層上に上部コア層を、副絶縁層３２に形成された対
向面３２ａ上に、フレームメッキ法により形成する。
【０１７０】以上詳述した本発明における製造方法によ
れば、下部コア層３０上に、主絶縁層３１を形成し、さ
らに前記主絶縁層３１上にリフトオフ用レジスト層３３
を形成する。次に前記レジスト層３３に形成された切り
込み部３３ｂ内から主絶縁層３１上にかけて、前記主絶
縁層３１よりも反応性イオンエッチングに対するエッチ
ングレートの小さい絶縁材料を、副絶縁層３２として形
成し、前記レジスト層３３を除去する。この際、前記副
絶縁層３２には、下部コア層３０から離れるに従って徐
々に間隔が広がる対向面３２ａ，３２ａが形成されてい
る。また前記副絶縁層３２に形成された間隔３２ｃの幅
寸法Ｔ５は、露光現像の際の解像度以下の寸法となって
いる。
れば、下部コア層３０上に、主絶縁層３１を形成し、さ
らに前記主絶縁層３１上にリフトオフ用レジスト層３３
を形成する。次に前記レジスト層３３に形成された切り
込み部３３ｂ内から主絶縁層３１上にかけて、前記主絶
縁層３１よりも反応性イオンエッチングに対するエッチ
ングレートの小さい絶縁材料を、副絶縁層３２として形
成し、前記レジスト層３３を除去する。この際、前記副
絶縁層３２には、下部コア層３０から離れるに従って徐
々に間隔が広がる対向面３２ａ，３２ａが形成されてい
る。また前記副絶縁層３２に形成された間隔３２ｃの幅
寸法Ｔ５は、露光現像の際の解像度以下の寸法となって
いる。
【０１７１】そして次に、反応性イオンエッチングによ
り、前記副絶縁層３２の対向面の下に現れる主絶縁層３
１に、トラック幅Ｔｗを規定するためのトラック幅規制
溝３１ａを形成している。
り、前記副絶縁層３２の対向面の下に現れる主絶縁層３
１に、トラック幅Ｔｗを規定するためのトラック幅規制
溝３１ａを形成している。
【０１７２】本発明では、特に上記した製造方法によれ
ば、前記トラック幅規制溝３１ａの幅寸法を、レジスト
層の解像度以下の幅寸法で形成することが可能であり、
今後の高記録密度化における狭トラック化に対応可能な
薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
ば、前記トラック幅規制溝３１ａの幅寸法を、レジスト
層の解像度以下の幅寸法で形成することが可能であり、
今後の高記録密度化における狭トラック化に対応可能な
薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１７３】さらに本発明では、前記副絶縁層３２に、
ほぼ左右対称に下部コア層３０から離れるに従って間隔
が徐々に広がる対向面３２ｂ，３２ｂを形成することが
可能であり、ライトフリンジングの発生を適正に抑制す
ることができる。
ほぼ左右対称に下部コア層３０から離れるに従って間隔
が徐々に広がる対向面３２ｂ，３２ｂを形成することが
可能であり、ライトフリンジングの発生を適正に抑制す
ることができる。
【０１７４】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、下部コア
層上に主絶縁層を形成し、さらに前記主絶縁層上に副絶
縁層を形成し、前記主絶縁層に少なくともトラック幅を
規定するためのトラック幅規制溝を形成し、さらに副絶
縁層に、前記トラック幅規制溝の両側端部の上端から、
前記副絶縁層の表面にかけて、間隔が徐々に広がる対向
面を形成している。
層上に主絶縁層を形成し、さらに前記主絶縁層上に副絶
縁層を形成し、前記主絶縁層に少なくともトラック幅を
規定するためのトラック幅規制溝を形成し、さらに副絶
縁層に、前記トラック幅規制溝の両側端部の上端から、
前記副絶縁層の表面にかけて、間隔が徐々に広がる対向
面を形成している。
【０１７５】特に本発明では、トラック幅規制溝の幅寸
法を、レジスト層の解像度以下の幅寸法で形成でき、狭
トラック化に対応することができるとともに、副絶縁層
に徐々に間隔が広がる対向面をほぼ左右対称に形成する
ことができ、より適性にライトフリンジングの発生を抑
制することができる。
法を、レジスト層の解像度以下の幅寸法で形成でき、狭
トラック化に対応することができるとともに、副絶縁層
に徐々に間隔が広がる対向面をほぼ左右対称に形成する
ことができ、より適性にライトフリンジングの発生を抑
制することができる。
【０１７６】本発明における製造方法によれば、前記副
絶縁層に使用される絶縁材料の反応性イオンエッチング
に対するエッチングレートよりも大きい絶縁材料を主絶
縁層として使用し、前記主絶縁層上に副絶縁層を形成
し、さらに前記副絶縁層上に所定の間隔を空けたレジス
ト層を形成する。
絶縁層に使用される絶縁材料の反応性イオンエッチング
に対するエッチングレートよりも大きい絶縁材料を主絶
縁層として使用し、前記主絶縁層上に副絶縁層を形成
し、さらに前記副絶縁層上に所定の間隔を空けたレジス
ト層を形成する。
【０１７７】そして、前記間隔内から露出する副絶縁層
に対し、エッチングにより下部コア層から離れるに従っ
て徐々に間隔が広がる対向面の形成を行ない、次に主絶
縁層にトラック幅規制溝の形成を行なうことで、前記ト
ラック幅規制溝の幅寸法を、レジスト層の解像度以下の
幅寸法で形成することができ、しかも前記副絶縁層に形
成される前記対向面を、左右対称に形成することができ
る。
に対し、エッチングにより下部コア層から離れるに従っ
て徐々に間隔が広がる対向面の形成を行ない、次に主絶
縁層にトラック幅規制溝の形成を行なうことで、前記ト
ラック幅規制溝の幅寸法を、レジスト層の解像度以下の
幅寸法で形成することができ、しかも前記副絶縁層に形
成される前記対向面を、左右対称に形成することができ
る。
【０１７８】あるいは本発明ではリフトオフ用レジスト
層を使用し、前記リフトオフ用レジスト層に形成される
切り込み部内にまで副絶縁層を形成することで、主絶縁
層に形成されるトラック幅規制溝の幅寸法を、レジスト
層の解像度以下の幅寸法で形成することが可能であり、
しかも前記副絶縁層に下部コア層から離れるに従って徐
々に間隔が広がる対向面を左右対称に形成することがで
きる。
層を使用し、前記リフトオフ用レジスト層に形成される
切り込み部内にまで副絶縁層を形成することで、主絶縁
層に形成されるトラック幅規制溝の幅寸法を、レジスト
層の解像度以下の幅寸法で形成することが可能であり、
しかも前記副絶縁層に下部コア層から離れるに従って徐
々に間隔が広がる対向面を左右対称に形成することがで
きる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッ
ド）を記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）から見た構造を
示す部分正面図、
ド）を記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）から見た構造を
示す部分正面図、
【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドを、矢印方向から見た部分断面図、
ドを、矢印方向から見た部分断面図、
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの他の実施形態の部分
断面図、
断面図、
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの他の実施形態を記録
媒体との対向面（ＡＢＳ面）から見た構造を示す部分正
面図、
媒体との対向面（ＡＢＳ面）から見た構造を示す部分正
面図、
【図５】本発明の図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法
を示す一工程図、
を示す一工程図、
【図６】図５に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、
図、
【図７】図６に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、
図、
【図８】図７に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、
図、
【図９】本発明の図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法
を示す一工程図、
を示す一工程図、
【図１０】図９に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、
図、
【図１１】図１０に示す製造工程の次に行なわれる一工
程図、
程図、
【図１２】図１１に示す製造工程の次に行なわれる一工
程図、
程図、
【図１３】従来の薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッ
ド）のＡＢＳ面構造を示す部分正面図、
ド）のＡＢＳ面構造を示す部分正面図、
【図１４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工
程図、
程図、
【図１５】図１４に示す製造工程の次に行なわれる一工
程図、
程図、
【図１６】図１５に示す製造工程の次に行なわれる一工
程図、
程図、
１０、２０、３０ 下部コア層
１１、２１、３１ 主絶縁層
１１ａ、２１ａ、３１ａ トラック幅規制溝
１２ 下部磁極層
１３ 磁気ギャップ層
１４ 上部磁極層
１５、２２、２５、３２ 副絶縁層
１５ａ、２２ｂ、２５ａ、３２ａ 対向面
１６ 上部コア層
１７ Ｇｄ決め絶縁層
１８ コイル層
１９ コイル絶縁層
３３ リフトオフ用レジスト層
３３ｂ 切り込み部
Claims (12)
- 【請求項１】 下部コア層と、上部コア層と、両コア層
の間に位置する少なくとも１層の絶縁層とを有し、前記
絶縁層にはトラック幅規制溝が形成され、このトラック
幅規制溝内に、前記下部コア層と連続する下部磁極層及
び／または上部コア層と連続する上部磁極層、ならびに
前記一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層と
の間または両磁極層の間に位置する磁気ギャップ層が設
けられており、 前記絶縁層は、下部コア層側に位置し、ＳｉＯ 2 、Ｔｉ
Ｏ、ＷＯ、ＷＯ 3 、ＳｉＯＮから選ばれる材料によって
形成される主絶縁層と、その上に形成されたＡｌ 2 Ｏ 3 ま
たはＳｉ 3 Ｎ 4 から選ばれる材料によって形成される副絶
縁層から成り、少なくとも前記主絶縁層に前記トラック
幅規制溝が形成され、前記副絶縁層に、前記トラック幅
規制溝の両側部の上端から前記副絶縁層の表面にかけ
て、徐々に前記トラック幅方向の間隔が広がる対向面が
形成されており、 前記対向面上に、前記上部磁極層及び／または上部コア
層が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記主絶縁層は、ＳｉＯ 2 またはＳｉＯ
Ｎで形成され、前記副絶縁層は、Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3
Ｎ 4 で形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記対向面は、前記副絶縁層が削られて
形成されたものである請求項１または２記載の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項４】 前記対向面は、前記副絶縁層をスパッタ
成膜することにより形成されたものである請求項１また
は２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 ガスとしてＣ 3 Ｆ 8 ＋（Ａｒ）を使用する
反応性イオンエッチングに対する、前記主絶縁層のエッ
チングレートが、前記副絶縁層の前記エッチングレート
に比べて大きい請求項１ないし４のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 ガスとしてＣ 5 Ｆ 8 ＋（Ａｒ）を使用する
反応性イオンエッチングに対する、前記主絶縁層のエッ
チングレートが、前記副絶縁層の前記エッチングレート
に比べて大きい請求項１ないし４のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘ ッド。 - 【請求項７】 （ａ）下部コア層上に、主絶縁層を、Ｓ
ｉＯ 2 、ＴｉＯ、ＷＯ、ＷＯ 3 、ＳｉＯＮから選ばれる材
料を用いて形成する工程と、 （ｂ）Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 を用いて、前記主絶縁層
の上に副絶縁層を形成する工程と、 （ｃ）前記副絶縁層の上に、所定の間隔を開けて一対の
レジスト層を形成し、前記一対のレジスト層に、下部コ
ア層に近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭ま
る対向面を形成する工程と、 （ｄ）前記レジスト層の間隔内に露出する副絶縁層を、
イオンミリングにより削り、前記副絶縁層に、下部コア
層に近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭まる
対向面を形成する工程と、 （ｅ）前記レジスト層を除去する工程と、 （ｆ）前記対向面間に現れる前記主絶縁層を反応性イオ
ンエッチングで削り、前記主絶縁層にトラック幅規制溝
を形成する工程と、 （ｇ）前記トラック幅規制溝内で、前記下部コア層と連
続する下部磁極層および前記下部磁極層の上に磁気ギャ
ップ層を形成する工程、または前記下部コア層の上に磁
気ギャップ層を形成する工程と、 （ｈ）前記トラック幅規制溝内で前記磁気ギャップ層の
上に上部磁極層を形成し、さらに上部磁極層の上に上部
コア層を形成する工程、または前記磁気ギャップ層の上
に直接上部コア層を形成する工程と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 前記（ａ）工程で、前記主絶縁層を、Ｓ
ｉＯ 2 またはＳｉＯＮで形成し、前記（ｂ）工程で、前
記副絶縁層を、Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 で形成する請求
項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 前記（ｃ）工程において、前記レジスト
層に露光現像によって、所定の間隔を開けた後、熱処理
を施すことにより、前記間隔の両側端部に、下部コア層
に近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭まる対
向面を形成する請求項７または８に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１０】 前記（ｂ）工程から（ｅ）工程に代え
て、以下の工程を有する請求項７ないし９のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。（ｉ）下面に切り込
み部が形成されたリフトオフ用のレジスト層を前記主絶
縁層上に形成する工程と、 （ｊ）Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 を用いて、前記レジスト
層の切り込み部内から前記主絶縁層上にかけて副絶縁層
をスパッタ成膜し、この際、前記副絶縁層に下部コア層
に近づくにしたがってトラック幅方向の間隔が狭まる対
向面を形成する工程と、 （ｋ）前記レジスト層を除去する工程、 - 【請求項１１】 前記（ｆ）工程における反応性イオン
エッチングに用いるガスとしてＣ 3 Ｆ 8 ＋（Ａｒ）を使用
する請求項７ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記（ｆ）工程における反応性イオン
エッチングに用いるガスとしてＣ 5 Ｆ 8 ＋（Ａｒ）を使用
する請求項７ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
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