JPH05166132A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH05166132A JPH05166132A JP33648891A JP33648891A JPH05166132A JP H05166132 A JPH05166132 A JP H05166132A JP 33648891 A JP33648891 A JP 33648891A JP 33648891 A JP33648891 A JP 33648891A JP H05166132 A JPH05166132 A JP H05166132A
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- JP
- Japan
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- insulating layer
- gap
- track width
- magnetic head
- film magnetic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気コアの厚さにかかわらず高精度なトラッ
ク幅の薄膜磁気ヘッドをうる。 【構成】 上コアが所定のトラック幅よりも大きく、所
定のトラック幅を高精度に規定するための第１の絶縁層
の溝部と、ギャップに非平行に形成された第２の絶縁層
の溝部にわたって形成されている。
ク幅の薄膜磁気ヘッドをうる。 【構成】 上コアが所定のトラック幅よりも大きく、所
定のトラック幅を高精度に規定するための第１の絶縁層
の溝部と、ギャップに非平行に形成された第２の絶縁層
の溝部にわたって形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえばＨＤＤ、ＶＴ
Ｒ、ＦＤＤなどに使用される薄膜磁気ヘッドであって、
新規な構造を有する薄膜磁気ヘッドに関する。
Ｒ、ＦＤＤなどに使用される薄膜磁気ヘッドであって、
新規な構造を有する薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３はたとえば特開昭61-110320号公報
に示された従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
図において、１は非磁性基板、２は下コア、３はたとえ
ばアルミナなどからなるギャップ材、３ａはギャップ
部、４は絶縁層、５はコイル、６は上コア、７は保護層
である。Ｇｄはギャップ深さ、Ｋは磁気記録媒体に情報
を記録、再生する記録、再生面である。
に示された従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
図において、１は非磁性基板、２は下コア、３はたとえ
ばアルミナなどからなるギャップ材、３ａはギャップ
部、４は絶縁層、５はコイル、６は上コア、７は保護層
である。Ｇｄはギャップ深さ、Ｋは磁気記録媒体に情報
を記録、再生する記録、再生面である。
【０００３】また、図４は前記従来の薄膜磁気ヘッドの
絶縁層４と保護層７を除いたものを示す平面図である。
Ｔｗはトラック幅である。下コア２と上コア６は１箇所
で接続されており、コイル５は下コア２と上コア６の接
続部の周りにスパイラル状に巻かれている。図３は図４
のＡ−Ａ線断面を示している。
絶縁層４と保護層７を除いたものを示す平面図である。
Ｔｗはトラック幅である。下コア２と上コア６は１箇所
で接続されており、コイル５は下コア２と上コア６の接
続部の周りにスパイラル状に巻かれている。図３は図４
のＡ−Ａ線断面を示している。
【０００４】また、図５は磁気記録媒体の記録、再生面
Ｋから見た前記従来の薄膜磁気ヘッドを示す正面図であ
る。
Ｋから見た前記従来の薄膜磁気ヘッドを示す正面図であ
る。
【０００５】従来の薄膜磁気ヘッドは、前記のように構
成されており、記録はコイル５に流れる信号電流により
発生する磁束がコア２、６を流れ、ギャップ部３ａでの
漏れ磁束で磁気記録媒体にトラック幅で信号を記録す
る。また、再生は磁気記録媒体からの漏れ磁束をギャッ
プ部３ａで拾い、コア２、６を流れる磁束の変化を電磁
誘導によりコイル５に発生する電圧に変換することによ
って行なう。
成されており、記録はコイル５に流れる信号電流により
発生する磁束がコア２、６を流れ、ギャップ部３ａでの
漏れ磁束で磁気記録媒体にトラック幅で信号を記録す
る。また、再生は磁気記録媒体からの漏れ磁束をギャッ
プ部３ａで拾い、コア２、６を流れる磁束の変化を電磁
誘導によりコイル５に発生する電圧に変換することによ
って行なう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記のような従来の薄
膜磁気ヘッドでは、磁気コア厚は一般に４μｍ前後であ
る。高記録密度化を実現するには、磁気コアをイオンビ
ームエッチングなどの方法によって加工し、狭トラック
幅にする必要がある。しかし、狭トラック幅の厚さ４μ
ｍ前後の磁気コアを高精度に形成することは容易ではな
いという問題点がある。
膜磁気ヘッドでは、磁気コア厚は一般に４μｍ前後であ
る。高記録密度化を実現するには、磁気コアをイオンビ
ームエッチングなどの方法によって加工し、狭トラック
幅にする必要がある。しかし、狭トラック幅の厚さ４μ
ｍ前後の磁気コアを高精度に形成することは容易ではな
いという問題点がある。
【０００７】とくに、従来の薄膜磁気ヘッドをＶＴＲ、
ＦＤＤに適用することを考えた場合、磁気ヘッドと磁気
記録媒体はこすれあうので磁気ヘッドの摩耗が重大な課
題となる。寿命を確保するために、ギャップ深さＧｄを
10μｍ以上にしても、良好な記録再生特性をうるために
は磁気コアの厚さをギャップ深さＧｄ程度以上の厚さに
する必要がある。しかし、10μｍ以上の厚い磁気コアで
狭トラック幅の加工を高精度に行なうことは非常に困難
である。
ＦＤＤに適用することを考えた場合、磁気ヘッドと磁気
記録媒体はこすれあうので磁気ヘッドの摩耗が重大な課
題となる。寿命を確保するために、ギャップ深さＧｄを
10μｍ以上にしても、良好な記録再生特性をうるために
は磁気コアの厚さをギャップ深さＧｄ程度以上の厚さに
する必要がある。しかし、10μｍ以上の厚い磁気コアで
狭トラック幅の加工を高精度に行なうことは非常に困難
である。
【０００８】本発明は、かかる問題点を解決するために
なされたもので、磁気コア厚によらず高精度なトラック
幅を有する薄膜磁気ヘッドをうることを目的としてい
る。
なされたもので、磁気コア厚によらず高精度なトラック
幅を有する薄膜磁気ヘッドをうることを目的としてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、下コア、ギャップ、コイル、絶縁層、上コアおよび
保護層を備え、ギャップ部を介して上コアと下コアが対
向するように配置され、ギャップ部での漏れ磁束により
磁気記録媒体に信号を所定のトラック幅で記録、再生す
る薄膜磁気ヘッドであって、上コアが前記トラック幅よ
りも大きく、かつ所定のトラック幅を規定するための第
１の絶縁層の溝部と、ギャップに非平行に形成された第
２の絶縁層の溝部にわたって形成されていることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドに関する。
は、下コア、ギャップ、コイル、絶縁層、上コアおよび
保護層を備え、ギャップ部を介して上コアと下コアが対
向するように配置され、ギャップ部での漏れ磁束により
磁気記録媒体に信号を所定のトラック幅で記録、再生す
る薄膜磁気ヘッドであって、上コアが前記トラック幅よ
りも大きく、かつ所定のトラック幅を規定するための第
１の絶縁層の溝部と、ギャップに非平行に形成された第
２の絶縁層の溝部にわたって形成されていることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドに関する。
【００１０】また、所定のトラック幅を規定するための
第１の絶縁層の厚さがギャップ厚の２倍以上であり、か
つ第１の絶縁層の溝部が垂直異方性リアクティブイオン
エッチングで形成された前記薄膜磁気ヘッドに関する。
第１の絶縁層の厚さがギャップ厚の２倍以上であり、か
つ第１の絶縁層の溝部が垂直異方性リアクティブイオン
エッチングで形成された前記薄膜磁気ヘッドに関する。
【００１１】また、ギャップに非平行な第２の絶縁層の
溝部が、現像後の熱処理により所望の傾斜角に流動した
レジストマスクを用いてリアクティブイオンエッチング
で形成された前記薄膜磁気ヘッドに関する。
溝部が、現像後の熱処理により所望の傾斜角に流動した
レジストマスクを用いてリアクティブイオンエッチング
で形成された前記薄膜磁気ヘッドに関する。
【００１２】また、ギャップに非平行な第２の絶縁層の
溝部が、レジスト塗布前のプライマー処理または現像後
の熱処理により、絶縁層との密着力を制御して、ケミカ
ルウエットエッチングで形成された前記薄膜磁気ヘッド
に関する。
溝部が、レジスト塗布前のプライマー処理または現像後
の熱処理により、絶縁層との密着力を制御して、ケミカ
ルウエットエッチングで形成された前記薄膜磁気ヘッド
に関する。
【００１３】また、第２の絶縁層が第１の絶縁層と選択
エッチングが可能であり、かつ第１の絶縁層および第２
の絶縁層がいずれも下コアと選択エッチングが可能な部
材からなる前記薄膜磁気ヘッドに関する。
エッチングが可能であり、かつ第１の絶縁層および第２
の絶縁層がいずれも下コアと選択エッチングが可能な部
材からなる前記薄膜磁気ヘッドに関する。
【００１４】
【作用】前記のように構成された薄膜磁気ヘッドでは、
上コアの加工精度によらず、第１の絶縁層の溝部で所定
のトラック幅を高精度に規定することができる。また、
第２の絶縁層のギャップに非平行な溝部が、所定のトラ
ック幅よりも大きな上コアの余分な部分が疑似ギャップ
として作用することを防止する。
上コアの加工精度によらず、第１の絶縁層の溝部で所定
のトラック幅を高精度に規定することができる。また、
第２の絶縁層のギャップに非平行な溝部が、所定のトラ
ック幅よりも大きな上コアの余分な部分が疑似ギャップ
として作用することを防止する。
【００１５】
［実施例１］図１は、本発明の一実施例である薄膜磁気
ヘッドの記録、再生面Ｋを示す正面図である。図におい
て、21は下コア、61は上コア、41は絶縁層、81は所定の
トラック幅を規定するための溝部を有する第１の絶縁
層、82はギャップに非平行に形成された溝部を有する第
２の絶縁層である。１、３および７は前記従来の薄膜磁
気ヘッドと同様のものである。
ヘッドの記録、再生面Ｋを示す正面図である。図におい
て、21は下コア、61は上コア、41は絶縁層、81は所定の
トラック幅を規定するための溝部を有する第１の絶縁
層、82はギャップに非平行に形成された溝部を有する第
２の絶縁層である。１、３および７は前記従来の薄膜磁
気ヘッドと同様のものである。
【００１６】本実施例において、所定のトラック幅Ｔｗ
を規定するための第１の絶縁層の溝部の幅はギャップ３
の側壁部の膜厚による減少を見込んだ寸法で形成され
る。前記溝部の幅は、トラック幅Ｔｗより、ギャップ３
の側壁部の膜厚の２倍広い程度が好ましい。ギャップ３
の側壁部の膜厚はスパッタで形成する場合はギャップ厚
の0.2〜0.4倍程度である。
を規定するための第１の絶縁層の溝部の幅はギャップ３
の側壁部の膜厚による減少を見込んだ寸法で形成され
る。前記溝部の幅は、トラック幅Ｔｗより、ギャップ３
の側壁部の膜厚の２倍広い程度が好ましい。ギャップ３
の側壁部の膜厚はスパッタで形成する場合はギャップ厚
の0.2〜0.4倍程度である。
【００１７】また、第１の絶縁層81の膜厚はギャップ３
の膜厚よりも２倍以上厚いことが、第１の絶縁層81の第
２の絶縁層82の溝底部に相当するギャップ３に平行な微
小部分が疑似ギャップとして作用することを防止する点
で有効である。第１の絶縁層81の膜厚はギャップ厚の２
倍以上が好ましい。また、第１の絶縁層の溝は寸法精度
にすぐれる垂直異方性リアクティブイオンエッチングで
形成するのが好ましい。
の膜厚よりも２倍以上厚いことが、第１の絶縁層81の第
２の絶縁層82の溝底部に相当するギャップ３に平行な微
小部分が疑似ギャップとして作用することを防止する点
で有効である。第１の絶縁層81の膜厚はギャップ厚の２
倍以上が好ましい。また、第１の絶縁層の溝は寸法精度
にすぐれる垂直異方性リアクティブイオンエッチングで
形成するのが好ましい。
【００１８】上コア61の所定のトラック幅よりも大きな
部分は、第２の絶縁層82のギャップ３に非平行な溝部に
わたって形成されており、ギャップ３に平行な部分を最
小限にして、この部分が疑似ギャップとして作用するこ
とを防止している。上コア61の大きさは、第１の絶縁層
の溝部全面を被覆できればよく、アライメント誤差、加
工寸法誤差よりも大きめに設計しておけばよい。
部分は、第２の絶縁層82のギャップ３に非平行な溝部に
わたって形成されており、ギャップ３に平行な部分を最
小限にして、この部分が疑似ギャップとして作用するこ
とを防止している。上コア61の大きさは、第１の絶縁層
の溝部全面を被覆できればよく、アライメント誤差、加
工寸法誤差よりも大きめに設計しておけばよい。
【００１９】第２の絶縁層82は、第１の絶縁層81と選択
エッチングが可能な部材で構成することが第１の絶縁層
の溝幅を変化させないうえで必要である。このばあい、
第２の絶縁層82の溝はリアクティブイオンエッチングで
形成することが寸法精度の点で望ましい。このばあい、
マスク材として現像後の熱処理により所定の傾斜角に流
動した厚膜レジストを用いれば所望の傾斜エッチングが
可能である。前記レジストとしては通常のポジレジスト
（たとえばヘキスト社製、ＡＺ−4000レジスト）が用い
られる。第２の絶縁層82の厚さは２〜６μｍ程度が好ま
しく、上コア61のトラック幅よりも大きな部分のギャッ
プに対する角度を規定する傾斜角θは30〜60°程度が好
ましい。
エッチングが可能な部材で構成することが第１の絶縁層
の溝幅を変化させないうえで必要である。このばあい、
第２の絶縁層82の溝はリアクティブイオンエッチングで
形成することが寸法精度の点で望ましい。このばあい、
マスク材として現像後の熱処理により所定の傾斜角に流
動した厚膜レジストを用いれば所望の傾斜エッチングが
可能である。前記レジストとしては通常のポジレジスト
（たとえばヘキスト社製、ＡＺ−4000レジスト）が用い
られる。第２の絶縁層82の厚さは２〜６μｍ程度が好ま
しく、上コア61のトラック幅よりも大きな部分のギャッ
プに対する角度を規定する傾斜角θは30〜60°程度が好
ましい。
【００２０】第２の絶縁層82の溝はケミカルウエットエ
ッチングで形成することも可能である。ただし、所望の
傾斜角をうるためには、第２の絶縁層82とマスク材との
密着力を制御することが必要である。密着力が弱いほど
エッチング液が第２の絶縁層82とマスク材の界面にしみ
込むので、傾斜角が緩い溝が形成される。マスク材とし
てはレジストが有効であり、密着力はレジスト塗布前に
密着力強化剤であるＨＭＤＳ（ヘキサメチレンジシラ
ン）などによるプライマー処理を行なうことまたは現像
後に熱処理を行なうことによって制御可能である。
ッチングで形成することも可能である。ただし、所望の
傾斜角をうるためには、第２の絶縁層82とマスク材との
密着力を制御することが必要である。密着力が弱いほど
エッチング液が第２の絶縁層82とマスク材の界面にしみ
込むので、傾斜角が緩い溝が形成される。マスク材とし
てはレジストが有効であり、密着力はレジスト塗布前に
密着力強化剤であるＨＭＤＳ（ヘキサメチレンジシラ
ン）などによるプライマー処理を行なうことまたは現像
後に熱処理を行なうことによって制御可能である。
【００２１】なお、第２の絶縁層のエッチングは、第１
の絶縁層81の溝部が完全に露出するようにエッチング時
間を多少長めにするとよい。
の絶縁層81の溝部が完全に露出するようにエッチング時
間を多少長めにするとよい。
【００２２】また、第１の絶縁層81、第２の絶縁層82
は、下コア21と選択エッチング可能な部材であることが
必要である。たとえば第１の絶縁層の部材としてはＡｌ
2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、２ＭｇＯ・ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、サイ
アロン（Ｓｉ・Ａｌ・Ｏ・Ｎ）などがあげられ、第２の
絶縁層の部材としてはＤＬＣ（ダイヤモンド状カーボ
ン）、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3などがあげられ、
その組み合わせが、ＣＦ4、Ｏ2、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、
ＣＨ3Ｆ、ＳＦ6などのエッチングガスの選択によって決
められる。なお下コア21および上コア61の部材としては
パーマロイ、センダスト、Ｃｏアモルファス合金などが
あげられる。
は、下コア21と選択エッチング可能な部材であることが
必要である。たとえば第１の絶縁層の部材としてはＡｌ
2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、２ＭｇＯ・ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、サイ
アロン（Ｓｉ・Ａｌ・Ｏ・Ｎ）などがあげられ、第２の
絶縁層の部材としてはＤＬＣ（ダイヤモンド状カーボ
ン）、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3などがあげられ、
その組み合わせが、ＣＦ4、Ｏ2、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、
ＣＨ3Ｆ、ＳＦ6などのエッチングガスの選択によって決
められる。なお下コア21および上コア61の部材としては
パーマロイ、センダスト、Ｃｏアモルファス合金などが
あげられる。
【００２３】図２はこの実施例１による薄膜磁気ヘッド
の断面図である。Ｇｄはギャップ深さである。この実施
例では、第１の絶縁層81、第２の絶縁層82はコイル５の
絶縁層を兼ねている。
の断面図である。Ｇｄはギャップ深さである。この実施
例では、第１の絶縁層81、第２の絶縁層82はコイル５の
絶縁層を兼ねている。
【００２４】前記のように構成された薄膜磁気ヘッドで
は、トラック幅は前記第１の絶縁層81の溝部の幅によっ
て規定されるものであり、その精度は上コア61の膜厚に
依存しない。したがって１〜６μｍ程度のトラック幅Ｔ
ｗでも±0.2μｍ以下の精度で形成することができる。
は、トラック幅は前記第１の絶縁層81の溝部の幅によっ
て規定されるものであり、その精度は上コア61の膜厚に
依存しない。したがって１〜６μｍ程度のトラック幅Ｔ
ｗでも±0.2μｍ以下の精度で形成することができる。
【００２５】また、前記実施例では、ギャップ３は上コ
ア61と同様に第１の絶縁層81、第２の絶縁層82の溝部に
わたっているものを示したが、絶縁層81、82とエッチン
グ選択性があれば、下コア21、絶縁層41にわたって直線
状に配置してもよい。このばあい、第１の絶縁層81の溝
幅はトラック幅でよい。
ア61と同様に第１の絶縁層81、第２の絶縁層82の溝部に
わたっているものを示したが、絶縁層81、82とエッチン
グ選択性があれば、下コア21、絶縁層41にわたって直線
状に配置してもよい。このばあい、第１の絶縁層81の溝
幅はトラック幅でよい。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、上コア
が所定のトラック幅よりも大きく、所定のトラック幅を
高精度に規定するための第１の絶縁層の溝部と、ギャッ
プに非平行に形成された第２の絶縁層の溝部にわたって
形成されているので、磁気コアの厚さにかかわらず高精
度なトラック幅の薄膜磁気ヘッドを提供できる効果があ
る。
が所定のトラック幅よりも大きく、所定のトラック幅を
高精度に規定するための第１の絶縁層の溝部と、ギャッ
プに非平行に形成された第２の絶縁層の溝部にわたって
形成されているので、磁気コアの厚さにかかわらず高精
度なトラック幅の薄膜磁気ヘッドを提供できる効果があ
る。
【図１】実施例１の薄膜磁気ヘッドを示す正面図であ
る。
る。
【図２】実施例１の薄膜磁気ヘッドを示す断面図であ
る。
る。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドを示す平面図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドを示す正面図である。
３ ギャップ材 ３ａ ギャップ部 ４ 絶縁層 ５ コイル ７ 保護層 21 下コア 61 上コア 81 第１の絶縁層 82 第２の絶縁層
Claims (5)
- 【請求項１】 下コア、ギャップ、コイル、絶縁層、上
コアおよび保護層を備え、ギャップ部を介して上コアと
下コアが対向するように配置され、ギャップ部での漏れ
磁束により磁気記録媒体に信号を所定のトラック幅で記
録、再生する薄膜磁気ヘッドであって、上コアが前記ト
ラック幅よりも大きく、かつ所定のトラック幅を規定す
るための第１の絶縁層の溝部と、ギャップに非平行に形
成された第２の絶縁層の溝部にわたって形成されている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 所定のトラック幅を規定するための第１
の絶縁層の厚さがギャップ厚の２倍以上であり、かつ第
１の絶縁層の溝部が垂直異方性リアクティブイオンエッ
チングで形成されたことを特徴とする請求項１記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 ギャップに非平行な第２の絶縁層の溝部
が、現像後の熱処理により所望の傾斜角に流動したレジ
ストマスクを用いてリアクティブイオンエッチングで形
成されたことを特徴とする請求項１または２記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項４】 ギャップに非平行な第２の絶縁層の溝部
が、レジスト塗布前のプライマー処理または現像後の熱
処理により、前記絶縁層との密着力を制御して、ケミカ
ルウエットエッチングで形成されたことを特徴とする請
求項１、２または３記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 第２の絶縁層が第１の絶縁層と選択エッ
チングが可能であり、かつ第１の絶縁層および第２の絶
縁層がいずれも下コアと選択エッチングが可能な部材か
らなることを特徴とする請求項１、２、３または４記載
の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33648891A JPH05166132A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33648891A JPH05166132A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166132A true JPH05166132A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18299656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33648891A Pending JPH05166132A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166132A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998036410A1 (fr) * | 1997-02-17 | 1998-08-20 | Hitachi, Ltd. | Tete magnetique a couche mince, tete d'enregistrement/reproduction de type a separation, appareil a disque magnetique et procede de production de tete magnetique a couche mince |
| US6597534B1 (en) | 1999-07-06 | 2003-07-22 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head suitable for narrower tracks and preventing write fringing and method for making the same |
| US7093348B2 (en) * | 1999-11-12 | 2006-08-22 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin film magnetic head |
| US9099643B2 (en) | 2013-02-26 | 2015-08-04 | Tdk Corporation | Method of etching a magnesium oxide film |
-
1991
- 1991-12-19 JP JP33648891A patent/JPH05166132A/ja active Pending
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