JP3455140B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係
り、狭トラック化に対応できるとともに、適切にライト
フリンジングの発生と磁束の飽和を抑制することが可能
な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置などに搭載される薄
膜磁気ヘッドは、例えばハードディスクなどの記録媒体
へ信号を書き込むインダクティブヘッドと、前記記録媒
体からの信号を読み込むＭＲヘッドとから構成される。

【０００３】一般的に前記インダクティブヘッドは、磁
性材料製の下部コア層および上部コア層と、前記コア層
に記録磁界を誘導するコイル層とを有して構成され、前
記コア層間における漏れ磁界により、記録媒体に磁気信
号が記録されるようになっている。

【０００４】ところで近年の高記録密度化に伴い、イン
ダクティブヘッドのトラック幅Ｔｗを小さくして、狭ト
ラック化に対応する必要性がある。前記トラック幅Ｔｗ
は、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）で露出する上部コ
ア層の先端の幅寸法で決定される。

【０００５】従来では、例えば上部コア層は、いわゆる
フレームメッキ法で形成されていた。このフレームメッ
キ法では、前記上部コア層の形状にパターン形成された
レジスト層を形成し、前記パターン内に上部コア層の材
質となる磁性材料をメッキ形成する。そして前記レジス
ト層を除去すると、その先端がトラック幅Ｔｗで形成さ
れた上部コア層が完成する。

【０００６】しかしながら前記フレームメッキ法では、
レジスト層のパターン形成時における露光の分解能の限
界などにより、微小なトラック幅Ｔｗを前記レジスト層
にパターン形成することは非常に困難であり、さらに今
後の高記録密度化に伴い、上記問題は顕著となる。

【０００７】ここで特開平７−２９６３２８号公報に
は、上記フレームメッキ法とは異なる方法で形成された
インダクティブヘッドの構造およびその製造方法が開示
されている。図１０は前記特開平７−２９６３２８号公
報に記載されたフレームメッキ法を示している。

【０００８】図１０に示す符号１０２は、下部磁極層
（下部コア層）であり、この下部磁極層１０２の上に例
えば、二酸化ケイ素等で形成されたノッチ構造体１２０
が形成されている。このノッチ構造体１２０は、図１１
の斜視図に示す形状であり、前記ノッチ構造体１２０に
はトレンチ１４８が形成されている。このトレンチ１４
８内に、磁極端層Ｐ１（Ｔ）、ギャップ層Ｇ、および磁
極端層Ｐ２（Ｔ）が積層される。

【０００９】また前記磁極端層Ｐ２（Ｔ）及びノッチ構
造体１２０の上に、前記磁極端層Ｐ２（Ｔ）の幅寸法よ
りも大きい幅寸法を有する上部磁極層（上部コア層）１
０４の磁極端部１０８が形成される。

【００１０】この公報には、上記製造方法により、サブ
ミクロンのトラック幅を有する薄膜磁気書込みヘッドを
提供できると記載されている。また図１０に示すよう
に、磁極端層Ｐ２（Ｔ）上には、前記磁極端層Ｐ２
（Ｔ）よりも幅寸法の大きい磁極端部１０８が形成され
ることで、狭トラック化に伴う磁気的な飽和を、前記磁
極端部１０８の形成により防ぐことが可能であるとして
いる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】図１０に示すインダク
ティブヘッドは、コア層間で発生する漏れ磁界により、
記録媒体へ記録信号を書き込む機能を有している。しか
し、磁極端層Ｐ２（Ｔ）の上端に磁極端部１０８が直角
に形成されているため、図１０において破線で示すよう
に、前記漏れ磁界が磁極端部１０８から磁極端層Ｐ１
（Ｔ）に及び、その結果、記録媒体に対しトラック幅Ｔ
ｗの両側方に大きくはみ出るライトフリンジング（書き
込み滲み）が形成されやすい。

【００１２】このライトフリンジングが発生すると、書
き込まれた記録媒体でのトラック位置検出を高精度に行
なうことができず、トラッキングサーボエラーを引き起
こす。特に、高密度記録を行なう場合には、隣接するト
ラックのピッチが狭くなるため、ライトフリンジングに
よる影響が大きくなる。

【００１３】このようにライトフリンジングの問題は、
磁極端部１０８から磁極端層Ｐ２（Ｔ）に向けて漏れ磁
界が発生することにより顕著に表れ、前記ライトフリン
ジングの発生を抑制する一つの方法として、前記磁極端
部１０８の幅寸法を小さくすることが考えられる。しか
しながら、前記磁極端部１０８の幅寸法が小さくなる
と、今度は、磁気的な飽和が問題となり、磁束密度が減
衰し、記録特性の低下に繋がる。

【００１４】このように特開平７−２９６３２８号公報
に掲載されたインダクティブヘッドでは、ライトフリン
ジングの発生と磁気的な飽和を同時に抑制できる効果的
な構造には至っていない。

【００１５】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、特に狭トラック化に対応することができると共
に、ライトフリンジングを有効に防止でき、しかも磁束
の飽和を効果的に緩和することが可能な薄膜磁気ヘッド
を提供することを目的としている。

【００１６】また本発明は、ライトフリンジングの発生
と磁束の飽和を効果的に抑制できるインダクティブヘッ
ドを、容易にしかも再現性良く形成することが可能な薄
膜磁気ヘッドとその製造方法を提供することを目的とし
ている。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、磁性材料製の
下部コア層と、磁性材料製の上部コア層と、前記下部コ
ア層と上部コア層とを磁気的に絶縁するギャップ層と、
前記下部コア層と上部コア層との間に位置する絶縁層と
が、記録媒体との対向面に現れている薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記絶縁層には、この絶縁層上面から前記下部
コア層に通じ、しかも記録媒体との対向面からハイト方
向に延びる溝部が形成されており、前記溝部は、前記下
部コア層上から所定の高さまでトラック幅を規制するト
ラック幅領域と、前記トラック幅領域の上端から前記絶
縁層の上面にかけて、前記溝部の幅寸法が徐々に広がる
傾斜面を有する傾斜領域とで構成され、前記トラック幅
領域と前記傾斜領域とは前記トラック幅領域の上端を介
して連続して形成されており、前記トラック幅領域内に
は、下から下部磁極層、前記ギャップ層および上部磁極
層がこの順に形成されており、前記上部コア層は、前記
上部磁極層上から前記傾斜面上、及び前記傾斜面と前記
絶縁層の上面との境界部まで延び、さらに前記上部コア
層の側端面は前記境界部を介して絶縁層の上面と連続面
を成すとともに、前記下部コア層と離れる方向に延びて
いることを特徴とするものである。

【００１８】本発明では、上記のように、下部コア層上
に形成された絶縁層の溝部は、下部コア層上から一定の
高さまでトラック幅を規制するトラック幅領域と、前記
トラック幅領域の上端から絶縁層上面にかけて、前記溝
部の幅寸法が徐々に広がる傾斜面を有する傾斜領域とを
有している。そして前記上部コア層は、前記上部磁極層
上から前記傾斜面上、及び前記傾斜面と前記絶縁層の上
面との境界部まで延び、さらに前記上部コア層の側端面
は前記境界部を介して絶縁層の上面と連続面を成すとと
もに、前記下部コア層と離れる方向へ延びて形成されて
いるのである。

【００１９】このように本発明では、前記上部コア層
を、絶縁層の溝部の幅寸法が、徐々に広がるように形成
された傾斜面上から形成することで、前記上部コア層の
幅寸法をトラック幅Ｔｗよりも大きく形成することがで
き、磁束の飽和を抑制できると同時に、前記上部コア層
と、前記溝部のトラック幅領域内に形成される、例えば
下部コア層と磁気的に接続する下部磁極層との距離を適
切に離すことが可能になり、ライトフリンジングの発生
を適性に抑制することが可能になっている。

【００２０】また本発明では、前記上部コア層は、下部
コア層の膜面方向に対して垂直方向へ延びるように形成
されていることが好ましい。

【００２１】また本発明では、前記絶縁層は、前記傾斜
面と絶縁層表面との境界から溝部と離れる方向へ向け
て、徐々に膜厚が薄くなるように形成されていてもよ
い。この場合、前記絶縁層の表面は、凹状に湾曲して形
成されていてもよい。

【００２２】

【００２３】

【００２４】また本発明は、磁性材料製の下部コア層
と、記録媒体との対向面で前記下部コア層の上に非磁性
のギャップ層を介して対向する磁性材料製の上部コア層
とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部コ
ア層上に、記録媒体との対向面からハイト方向にかけて
トラック幅寸法に相当する内幅寸法の溝部を有する絶縁
層を形成する工程と、前記溝部内に下部コア層と磁気的
に接続する下部磁極層、ギャップ層、及び上部コア層と
磁気的に接続する上部磁極層を連続して積層する工程
と、前記積層工程の前または後に、前記溝部の途中か
ら、溝部の幅寸法が徐々に広くなる傾斜面を形成する工
程と、前記絶縁層上に、前記絶縁層の上面での溝部の開
口幅寸法よりも広い間隔を開けてレジスト層を露光現像
により形成して、前記レジスト層の間隔内に、上部磁極
層の上面、絶縁層に形成された溝部の傾斜面、及び絶縁
層の上面の一部を露出させる工程と、前記レジスト層の
前記間隔内に上部コア層を形成し、前記レジスト層を除
去する工程と、前記上部コア層の側端面と前記絶縁層の
上面とが、前記傾斜面の頂点を介して連続するように、
前記上部コア層の側端面を、イオンミリングによりエッ
チングする工程と、を有することを特徴とするものであ
る。

【００２５】上記における本発明の製造方法によれば、
絶縁層に形成された溝部よりも幅寸法の広い間隔を有す
る、上部コア層の形成のために必要なレジスト層を露光
現像によって形成している。

【００２６】すなわち本発明では露光現像によって、絶
縁層の溝部内に塗布されたレジスト層を除去し、平坦な
絶縁層の上面上に塗布された、膜厚がほぼ同程度である
レジスト層のみを残そうとしている。このため露光現像
の際に、フォーカスが異なることによる乱反射は起こり
にくく、前記レジスト層を絶縁層の上面上に、安定した
形状で形成することが可能である。

【００２７】前記レジスト層間からは、上部磁極層の上
面、及び溝部の傾斜面のみならず、絶縁層の上面の一部
も露出した状態にあるので、前記レジスト層間に上部コ
ア層をメッキ形成すると、前記上部コア層は、上部磁極
層の上面及び溝部の傾斜面上のみならず、絶縁層の上面
にまで延びて形成されてしまう。このままの状態である
と、前記絶縁層の上面上に延出して形成された上部コア
層と、下部磁極層との間で漏れ磁界が発生し、ライトフ
リンジングが発生する可能性があり、このために本発明
では、次工程で、前記上部コア層の側端面と前記絶縁層
の上面とが、前記傾斜面の頂点を介して連続するよう
に、前記上部コア層の側端面を、イオンミリングによっ
てエッチングし、絶縁層の上面にまで延出して形成され
た上部コア層を除去している。

【００２８】このようにして形成された本発明における
薄膜磁気ヘッドは、狭トラック化に対応することができ
るとともに、ライトフリンジングを有効に防止し、しか
も磁束の飽和を効果的に抑制することが可能になってい
る。

【００２９】そして本発明における製造方法によれば、
ライトフリンジング及び磁束飽和の問題に多大な影響を
与える上部コア層を、容易にしかも再現性良く形成する
ことができ、歩留まりを向上させることが可能である。

【００３０】また本発明では、上部コア層の側端面をイ
オンミリングによりエッチングすると同時に、絶縁層の
上面を前記イオンミリングによりエッチングし、前記絶
縁層の上面に、前記絶縁層表面と溝部の傾斜面との境界
から、前記溝部と離れる方向にかけて徐々に前記絶縁層
の膜厚が小さくなるように凹状に湾曲した面を形成して
もよい。

【００３１】さらに本発明では、前記イオンミリングに
より、前記上部コア層を、下部コア層の膜面方向に対
し、垂直な方向に形成することが好ましい。

【００３２】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の薄膜磁気ヘッド
の構造を示す部分正面図、図２は図１に示す２−２線か
ら切断した薄膜磁気ヘッドをＦ方向から見た部分断面図
である。

【００３３】図１および図２に示す薄膜磁気ヘッドは書
き込み用のいわゆるインダクティブヘッドであり、この
インダクティブヘッドは、磁気抵抗効果を利用した読み
出しヘッドの上に積層されている。

【００３４】なお上記読み出しヘッドは、例えばスピン
バルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭ
Ｒ素子や、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で
形成される磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子
の上下にギャップ層を介して形成されたシールド層とを
有して構成されている。

【００３５】図１と図２に示す符号１０は、Ｆｅ―Ｎｉ
系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形
成された下部コア層である。

【００３６】そして本発明では図１及び図２に示すよう
に、前記下部コア層１０上に絶縁材料で形成された絶縁
層１１が形成されている。前記絶縁材料は、ＡｌＯ、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳ
ｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ
₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から
なり、前記絶縁層１１は、単層であるいは多層化されて
形成されている。

【００３７】また図１及び図２に示すように、前記絶縁
層１１の厚さ寸法は最も膜厚が厚い部分はＨ１で形成さ
れ、具体的には、前記厚さ寸法Ｈ１は約１．０μｍから
４．０μｍ程度であることが好ましい。

【００３８】本発明では、前記絶縁層１１には、前記絶
縁層１１の表面１１ｂから下部コア層１０上にまで通
じ、しかも記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト
方向（図示Ｙ方向）にかけて、所定の長さ寸法Ｌ１で形
成された溝部１１ａが形成されている。

【００３９】さらに図１に示すように、前記溝部１１ａ
は、下部コア層１０上から一定の高さＨ２までトラック
幅Ｔｗで形成されたトラック幅領域Ａと、前記トラック
幅領域Ａの上端１１ｄ，１１ｄから絶縁層１１の表面１
１ｂにかけて、前記溝部１１ａの幅寸法が徐々に広がる
ように傾斜面１１ｃ，１１ｃが形成された傾斜領域Ｂと
を有して構成されている。この溝部１１ａは、後述する
製造方法で説明するように、例えば異方性エッチングを
用いて形成される。なお前記のように絶縁層１１の厚さ
寸法Ｈ１は、具体的には約１．０μｍから４．０μｍ程
度で形成されているが、前記厚さ寸法Ｈ１が、あまり厚
くなりすぎると、パターン精度の問題から、前記溝部１
１ａを、従来よりも微小なトラック幅Ｔｗで形成できな
いといった問題がある。

【００４０】本発明では、前記溝部１１ａのトラック幅
領域Ａの幅寸法（すなわちトラック幅Ｔｗ）は、１．０
μｍ以下で形成されており、好ましくは、０．７μｍ以
下で形成されている。

【００４１】また図１に示す実施例では、前記トラック
幅領域Ａの内部には、最下層として、下部コア層１０と
磁気的に接続する下部磁極層１２が形成されている。

【００４２】この下部磁極層１２は、パーマロイなどの
磁性材料で形成されており、前記下部コア層１０と同じ
材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよ
い。また前記下部磁極層１２は、前記溝部１１ａ内に電
気メッキ法にて形成される。メッキ形成により前記下部
磁極層１２は、溝部１１ａ内に均一な膜厚で矩形状に形
成され、膜面（表面）に歪み等が発生しにくい。

【００４３】また図１及び図２に示すように、溝部１１
ａ内で、前記下部磁極層１２の上には、ギャップ層１３
が積層されている。

【００４４】本発明では、前記ギャップ層１３は、非磁
性金属材料で形成され、前記溝部１１ａ内に電気メッキ
法により形成されていることが好ましい。メッキ形成に
より、前記ギャップ層１３は、下部磁極層１２上に均一
な膜厚で形成され、前記ギャップ層１３の表面に歪み等
が発生しにくい。

【００４５】本発明では、前記非磁性金属材料として、
ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２
種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層１３
は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていて
もどちらであってもよい。

【００４６】さらに図１及び図２に示すように、前記溝
部１１ａ内で、ギャップ層１３の上には、上部磁極層１
４が積層されている。この上部磁極層１４は、後述する
上部コア層１６と磁気的に接続されており、前述した下
部磁極層１２と同様に、パーマロイ等の磁性材料によっ
てメッキ形成されている。なお前記上部磁極層１４は、
上部コア層１６と同じ材質で形成されていてもよいし、
異なる材質で形成されていてもよい。

【００４７】なお図１では、前記トラック幅領域Ａ内
に、下部磁極層１２、ギャップ層１３及び上部磁極層１
４が連続してメッキ形成されているが、前記トラック幅
領域Ａ内に積層される膜構成は、上記構成に限られな
い。ただし、上部磁極層１４と下部磁極層１２との間に
介在するギャップ層１３を、少なくともトラック幅領域
Ａ内に形成する必要がある。

【００４８】また図１に示すように、前記下部磁極層１
２、ギャップ層１３及び上部磁極層１４の各膜厚を合わ
せた総合膜厚Ｈ３は、トラック幅領域Ａの高さ寸法Ｈ２
とほぼ同じ寸法となっている。

【００４９】ただし本発明では、前記総合膜厚Ｈ３とト
ラック幅領域Ａの高さ寸法Ｈ２とがほぼ同じ値でなくて
もよい。すなわち前記総合膜厚Ｈ３がトラック幅領域Ａ
の高さ寸法Ｈ２よりも高く形成され、上部磁極層１４
が、溝部１１ａの傾斜領域Ｂにまで突出して形成されて
いてもかまわない。また、前記総合膜厚Ｈ３がトラック
幅領域Ａの高さ寸法Ｈ２よりも低く形成されていてもよ
い。

【００５０】そして本発明では、図１に示すように、上
部コア層１６は、溝部１１ａに形成された傾斜面１１
ｃ，１１ｃ上から、前記傾斜面１１ｃ，１１ｃと絶縁層
１１の表面１１ｂとの境界部Ｃまで延び、さらに前記境
界部Ｃから下部コア層１０と離れる方向（図示上方向）
に延びて形成されている。

【００５１】前記上部コア層１６は、図１に示すよう
に、その底面が、上部磁極層１４と磁気的に接続されて
いる。なお前記上部コア層１６は、パーマロイなどの磁
性材料で形成され、上部磁極層１４と同じ材質でも異な
った材質で形成されていてもどちらでもよい。

【００５２】また図１に示す実施例では、前記上部コア
層１６が、溝部１１ａの傾斜面１１ｃと絶縁層１１の表
面１１ｂとの境界部Ｃから図示上方向に延びて形成され
ているが、前記上部コア層１６が、絶縁層１１の表面１
１ｂにまで延出して形成されていなければ、例えば前記
上部コア層１６が、前記溝部１１ａの傾斜面１１ｃ上の
途中から図示上方向に延びて形成されていてもかまわな
い。

【００５３】ただし本発明のように、前記上部コア層１
６が、溝部１１ａの傾斜面１１ｃと絶縁層１１の表面１
１ｂとの境界部Ｃから図示上方向に延びて形成されてい
る方が、前記上部コア層１６の幅寸法Ｔ１をより大きく
することができ、磁束飽和の防止という観点からすれば
好ましい。

【００５４】また後述する製造方法で説明するように、
前記上部コア層１６を、溝部１１ａの傾斜面１１ｃと絶
縁層１１の表面１１ｂとの境界部Ｃから図示上方向に延
ばした形態は、前記上部コア層１６を、容易にしかも再
現性良く所定形状で形成でき、歩留まりを向上させるこ
とが可能である。

【００５５】また本発明では、図１に示すように、前記
上部コア層１６は、その側端面１６ａが、下部コア層１
０の膜面方向（図示Ｘ方向）に対して、垂直方向（図示
Ｚ方向）に延びて形成されていることが好ましい。ただ
し、前記上部コア層１６の側端面１６ａは、下部コア層
１０の膜面方向（図示Ｘ方向）に対してやや傾斜しなが
ら図示上方向に延びていてもよい。この場合、前記上部
コア層１６は、下部コア層１０から離れるに従って幅寸
法が広がる方向に傾斜している方が、磁束飽和の抑制と
いう観点からすれば好ましい。

【００５６】また図１に示す実施例では、前記絶縁層１
１は、前記溝部１１ａの傾斜面１１ｃと前記絶縁層１１
の表面１１ｂとの境界部Ｃ付近で膜厚がＨ１で形成さ
れ、さらに前記境界部Ｃから、前記溝部１１ａと離れる
方向に向けて徐々に膜厚が薄くなるように形成されてい
る。図１に示すように前記絶縁層１１の表面１１ｂは、
凹状に湾曲して形成されていることがわかる。

【００５７】このように図１では、前記絶縁層１１の表
面１１ｂは、溝部１１ａから離れる方向に向けて徐々に
前記絶縁層１１の膜厚が薄くなるように凹状に湾曲した
形状となっているが、この形態は、後述する製造方法に
よって形成することが可能である。なお本発明では、前
記絶縁層１１の膜厚がどの位置においても、ほぼ同じ膜
厚で形成されるようにしてもよいし、また前記絶縁層１
１の表面１１ｂは、湾曲した形状でなく、テーパ面（傾
斜面）で形成されていてもかまわない。

【００５８】また本発明では、図２に示すように、絶縁
層１１の溝部１１ａ内に形成されたギャップ層１３上
に、ＡＢＳ面からハイト方向（図示Ｙ方向）に一定の間
隔（Ｇｄ）が空けられ、この間隔の後方のギャップ層１
３上からハイト側に位置する絶縁層１１上にかけてＧｄ
決め絶縁層１７が形成されている。なお前記Ｇｄ決め絶
縁層１７は、例えばポリイミドやレジスト材料などの有
機樹脂材料で形成されている。

【００５９】このＧｄ決め絶縁層１７は、ギャップデプ
ス（Ｇｄ）を決定するために設けられたものであり、ギ
ャップデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電気特性に大き
な影響を与えることから、適正な長さ寸法で形成される
必要性がある。

【００６０】このように本発明では、前記ギャップデプ
スＧｄを、所定の長さ寸法に設定するために、ギャップ
層１３の上にＧｄ決め絶縁層１７を形成しているが、本
発明では他の形態として、絶縁層１１に形成された溝部
１１ａの長さ寸法Ｌ１を、ギャップデプスＧｄとして設
定した場合、前記溝部１１ａの長さ寸法Ｌ１がギャップ
デプスＧｄとなり、この場合には、前記Ｇｄ決め絶縁層
１７を形成する必要がない。

【００６１】また図２に示すように、絶縁層１１に形成
された溝部１１ａよりもハイト側に延びる前記絶縁層１
１の上には、コイル層１８が螺旋状にパターン形成され
ている。図２に示す実施例では、前記コイル層１８が絶
縁層１１の上に直接形成されているが、前記コイル層１
８と絶縁層１１との間に、前述したＧｄ決め絶縁層１７
が形成されていてもよい。

【００６２】さらに前記コイル層１８の上には、前記コ
イル層１８を覆うようにしてコイル絶縁層１９が形成さ
れており、なお、このコイル絶縁層１９はレジスト材料
やポリイミドなどの有機樹脂材料で形成されている。

【００６３】また図２に示すように、上述した上部コア
層１６は、ＡＢＳ面からハイト方向に延びて形成され、
上部コア層１６の基端部１６ｃは、下部コア層１０上に
磁気的に接続されて形成されている。

【００６４】図３は、本発明の別の実施形態の薄膜磁気
ヘッドの構造を示す部分正面図である。図３に示す薄膜
磁気ヘッドは、図１に示す薄膜磁気ヘッドと同様に、下
部コア層１０の上に、トラック幅領域Ａと傾斜領域Ｂと
を有する溝部１１ａが形成された絶縁層１１が形成され
ており、前記溝部１１ａの内部には、下から順に下部磁
極層１２、ギャップ層１３、及び上部磁極層１４が積層
されている。

【００６５】図３に示す実施例では、前記上部磁極層１
４が、トラック幅領域Ａよりもさらに傾斜領域Ｂにまで
突出して形成されている。

【００６６】また前記上部磁極層１４の上に磁気的に接
続されて形成される上部コア層１６は、図３に示すよう
に、溝部１１ａに形成された傾斜面１１ｃの途中から下
部コア層１０と離れる方向（図示Ｚ方向）に垂直に延び
て形成されている。このため図３に示すように、上部コ
ア層１６の幅寸法Ｔ２は、溝部１１ａの絶縁層１１表面
１１ｂにおける幅寸法Ｔ３よりも小さくなっている。

【００６７】またこの実施例では、絶縁層１１の表面１
１ｂは、下部コア層１０の膜面方向（図示Ｘ方向）とほ
ぼ平行な方向に形成され、前記絶縁層１１は、どの位置
においてもほぼ均一な膜厚Ｈ１で形成されていることが
わかる。

【００６８】図１及び図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、
コイル層１８に記録電流が与えられると、下部コア層１
０及び上部コア層１６に記録磁界が誘導され、ギャップ
層１３を介して対向する下部磁極層１２及び上部磁極層
１４間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハー
ドディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。

【００６９】以上詳述した本発明によれば、下部コア層
１０上に形成された絶縁層１１に、微小な幅、具体的に
は１．０μｍ以下の内幅寸法で形成された溝部１１ａを
形成して、前記内幅寸法をトラック幅Ｔｗと規制し、前
記溝部１１ａ内に、記録媒体に磁気信号を記録するため
に必要な漏れ磁界を発生させるための下部磁極層１２及
び前記下部磁極層１２上にギャップ層１３を介して上部
磁極層１４を形成することで、前記下部磁極層１２と上
部磁極層１４間で発生する漏れ磁界を、微小なトラック
幅Ｔｗ、具体的には１．０μｍ以下のトラック幅Ｔｗ内
に収めることができ、今後の高記録密度化における狭ト
ラック化に対応することが可能になっている。

【００７０】しかも本発明では図１及び図３に示すよう
に、前記絶縁層１１に形成された溝部１１ａにトラック
幅領域Ａと、このトラック幅領域Ａの上端１１ｄ，１１
ｄから絶縁層１１の表面１１ｂにかけて、前記溝部１１
ａの幅寸法が徐々に広がるように傾斜面１１ｃ，１１ｃ
が形成された傾斜領域Ｂを形成し、前記上部磁極層１４
と磁気的に接続する上部コア層１６を、前記傾斜面１１
ｃ，１１ｃ上に形成することで、前記上部コア層１６
を、例えば絶縁層１１の溝部１１ａ内に形成された下部
磁極層１２から適切に離すことができるので、前記上部
コア層１６と下部磁極層１２との間で漏れ磁界の発生は
ほとんど無くなり、いわゆるライトフリンジングの発生
を適正に抑制することが可能になる。

【００７１】さらに本発明では、前記溝部１１ａに形成
された傾斜面１１ｃ上から、好ましくは前記傾斜面１１
ｃと絶縁層１１の表面１１ｂとの境界部Ｃから、上部コ
ア層１６の側端面１６ａが、下部コア層１０から離れる
方向に延びており、前記上部コア層１６の幅寸法Ｔ１
は、トラック幅Ｔｗよりも大きく形成されている。従っ
て従来のように前記上部コア層１０の先端領域がトラッ
ク幅Ｔｗで形成されていた場合に比べ、磁気飽和を緩和
することができ、従って磁束密度の減衰を抑えることが
可能になっている。

【００７２】特に本発明では、以下で説明する製造方法
によって、ライトフリンジング及び磁束飽和の問題に非
常に大きな影響を与える上部コア層１６を、容易にしか
も再現性良く所定形状に形成することができ、歩留まり
を向上させることが可能である。

【００７３】図４から図７は、本発明における薄膜磁気
ヘッドの特に上部コア層１６の形成方法を示す工程図で
ある。図４から図７に示す工程図は、薄膜磁気ヘッドを
正面から見た図となっている。

【００７４】図４に示す工程では、まず下部コア層１０
上に、絶縁層１１を形成する。この絶縁層１１の膜厚は
Ｈ４で形成され、具体的には１．０μｍから４．０μｍ
の範囲内で形成されることが好ましい。膜厚が大きくな
りすぎると、次に説明する溝部１１ａを微小なトラック
幅Ｔｗで前記絶縁層１１に形成しづらくなるといった問
題が発生するからである。なお前記絶縁層１１として使
用される絶縁材料には、ＡｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、
Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、Ｓｉ
Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、
ＳｉＯＮのうち少なくとも１種が選択され、前記絶縁層
１１は、単層であるいは多層化されて、スパッタ法や蒸
着法などで形成される。

【００７５】そして本発明では、前記絶縁層１１に、記
録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト方向（図示Ｙ
方向）にかけて、内幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成され
た溝部１１ａを、例えば異方性エッチングによって形成
する。

【００７６】本発明では、前記溝部１１ａの幅寸法（＝
トラック幅Ｔｗ）を、具体的には１．０μｍ以下、好ま
しくは０．５μｍ以下で形成することが可能であり、今
後の高記録密度化における狭トラック化に対応可能な薄
膜磁気ヘッドを製造することが可能となっている。

【００７７】次に絶縁層１１に形成された溝部１１ａ内
に、下から順に下部コア層１０に磁気的に接続する下部
磁極層１２、ギャップ層１３及び上部コア層１６に磁気
的に接続する上部磁極層１４をメッキ形成する。

【００７８】前記下部磁極層１２及び上部磁極層１４
は、例えばＮｉＦｅ等の磁性材料で形成され、これらの
材質は、下部コア層１０または上部コア層１６と異なる
材質であってもよい。

【００７９】またギャップ層１３は、非磁性金属材料で
形成されることが好ましく、具体的には、ＮｉＰ、Ｎｉ
Ｐｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択
することが好ましい。また本発明では、前記ギャップ層
１３は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されて
いてもどちらであってもよい。

【００８０】次に図４に示すように、前記絶縁層１１に
形成された溝部１１ａの幅寸法が、トラック幅Ｔｗより
も大きくなるように、前記溝部１１ａの両側端面に一定
の高さ位置Ｈ２から絶縁層１１の表面１１ｂにかけて傾
斜面１１ｃ，１１ｃを形成する。そして前記絶縁層１１
表面１１ｂにおける前記溝部１１ａの幅寸法はＴ４とな
っている。

【００８１】なお上記の製造方法では、前記絶縁層１１
の溝部１１ａを、トラック幅Ｔｗで形成した後、前記溝
部１１ａ内に、下部磁極層１２、ギャップ層１３及び上
部磁極層１４を連続してメッキ形成し、さらにその後
に、前記溝部１１ａに、一定の高さ位置Ｈ２から絶縁層
１１の表面１１ｂに傾斜面１１ｃ，１１ｃを形成してい
るが、形成工程の順番は違っていてもかまわない。

【００８２】例えば、まず前記絶縁層１１の溝部１１ａ
をトラック幅Ｔｗで形成し、前記溝部１１ａに、一定の
高さ位置Ｈ２から前記絶縁層１１の表面１１ｂに傾斜面
１１ｃ，１１ｃを形成した後に、前記溝部１１ａ内に、
下部磁極層１２、ギャップ層１３及び上部磁極層１４を
連続してメッキ形成してもよい。

【００８３】また図４に示すように、前記溝部１１ａ内
に形成された下部磁極層１２、ギャップ層１３及び上部
磁極層１４の総合膜厚Ｈ３は、前記溝部１１ａのトラッ
ク幅Ｔｗで形成された領域Ａの高さ寸法Ｈ２とほぼ一致
しているが、前記総合膜厚Ｈ３が、前記高さ寸法Ｈ２よ
り大きくても小さくてもよい。

【００８４】次に本発明では、前記絶縁層１１の表面１
１ｂから溝部１１ａの傾斜面１１ｃ上及び上部磁極層１
４上にかけて、レジスト層２０を形成し、このレジスト
層２０に、絶縁層１１の表面１１ｂ上に形成された溝部
１１ａの開口幅寸法Ｔ４よりも大きい幅寸法Ｔ６を有す
る間隔２０ａを露光現像によってパターン形成する。

【００８５】この間隔２０ａは、記録媒体との対向面
（ＡＢＳ面）からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて幅
寸法Ｔ６で一定の長さ位置まで形成され、さらにそれよ
りも後端側では前記間隔２０ａの幅寸法は漸次的に広が
りを持って形成されている。

【００８６】すなわち前記レジスト層２０に形成される
間隔２０ａのパターン形状は、図２に示す上部コア層１
６の形状そのものであり、特に本発明では、図４に示す
ように前記上部コア層１６の先端付近のパターン形状と
なるレジスト層２０の間隔２０ａの幅寸法Ｔ６をトラッ
ク幅Ｔｗよりも大きく形成するので、露光の際における
分解能は良好であり、前記レジスト層２０に所定形状の
間隔２０ａをパターン精度良く形成することができる。

【００８７】特に本発明では、前述したように、前記レ
ジスト層２０に形成される間隔２０ａの幅寸法Ｔ６は、
前記絶縁層１１の表面１１ｂ上における絶縁層１１の溝
部１１ａの開口幅寸法Ｔ４よりも大きく形成されるよう
にしている。

【００８８】すなわち、絶縁層１１に形成された溝部１
１ａ内も含め、前記絶縁層１１の表面１１ｂ全体に塗布
されたレジスト層２０のうち、露光現像によって、平坦
な絶縁層１１の表面１１ｂ上に形成されたレジスト層２
０を残すようにし、溝部１１ａ内に塗布されたレジスト
層２０を除去しようとしている。残されるべきレジスト
層２０の膜厚は、図４に示すように、ほぼどの位置にお
いてもほぼ同程度であるから、露光現像の際に、フォー
カスが異なることによる乱反射が起こりにくく、前記レ
ジスト層２０に所定形状の間隔２０ａをパターン精度良
く形成できる。

【００８９】図４に示すように、前記レジスト層２０の
間隔２０ａからは、上部磁極層１４の表面１４ａ、絶縁
層１１に形成された溝部１１ａの傾斜面１１ｃ、及び絶
縁層１１表面１１ｂの一部が露出した状態になってい
る。なおレジスト層２０間に露出した絶縁層１１の表面
１１ｂの幅寸法はＴ５である。

【００９０】そして本発明では、図５に示すように、レ
ジスト層２０に形成された間隔２０ａ内に、上部コア層
１６をメッキ形成する。

【００９１】図５では、上部コア層１６を、レジスト層
２０の表面２０ｂとほぼ同程度にまでメッキ形成してい
るが、本発明では前記上部コア層１６を、レジスト層２
０表面２０ｂよりも低くなるように形成してもよい。

【００９２】図５に示す工程により、絶縁層１１の溝部
１１ａ内に形成された上部磁極層１４と、前記上部磁極
層１４上に形成された上部コア層１６とが磁気的に接続
された状態になる。そして図６に示す工程で、前記レジ
スト層２０を除去する。

【００９３】図６に示すように、上部コア層１６は、上
部磁極層１４の表面１４ａから絶縁層１１に形成された
溝部１１ａの傾斜面１１ｃ、さらには絶縁層１１の表面
１１ｂにまで広がり、前記上部コア層１６の側端面１６
ａが、下部コア層１０から離れる方向（図示Ｚ方向）に
延びて形成されている。

【００９４】ところで図６に示す形態では、上部コア層
１６が絶縁層１１の表面１１ｂ上にまで延びて形成され
ているため、このままの状態で製品化されると、絶縁層
１１の表面１１ｂ上に幅寸法Ｔ５で延出した上部コア層
１６から、上部コア層１６の傾斜面１１ｃに対し漏れ磁
界（点線の矢印で示す）が発生し、ライトフリンジング
の問題が起こりやすくなる。

【００９５】このため本発明では、図７に示すように、
絶縁層１１の表面１１ｂに延出する上部コア層１６を、
例えばイオンミリングにより削り、絶縁層１１の表面１
１ｂに延出する上部コア層１６の部分を無くすようにし
ている。

【００９６】図７に示すように、上部コア層１６の側端
面１６ａと、傾斜面１１ｃの頂点とが連続するように、
前記上部コア層１６の側端面１６ａを削る。

【００９７】また上部コア層１６の側端面１６ａをイオ
ンミリングにより削ることにより、同時に上部コア層１
６の表面１６ｂも削られていき、さらに、絶縁層１１の
表面１１ｂも削られていく。

【００９８】すなわちイオンミリングにより図７に示す
点線部分の上部コア層１６及び絶縁層１１が削られるこ
とになる。

【００９９】上記のように上部コア層１６の側端面１６
ａと、絶縁層１１に形成された溝部１１ａの傾斜面１１
ｃの頂点とが連続するように、前記上部コア層１６を削
り、同時に絶縁層１１の表面１１ｂも削られていくこと
により、イオンミリングを終了した状態での、前記上部
コア層１６の側端面１６ａ（実線）は、前記溝部１１ａ
の傾斜面と絶縁層１１の表面１１ｂ（実線）との境界部
Ｃから、図示Ｚ方向に延びた状態となっており、イオン
ミリング後の前記上部コア層１６には、絶縁層１１の表
面１１ｂにまで延出した部分が全く無くなっている。

【０１００】ただし、上部コア層１６の側端面１６ａと
溝部１１ａの傾斜面１１ｃの頂点とが連続するに至って
もなお、上部コア層１６の側端面１６ａを削り込んでい
き、上部コア層１６の幅寸法をあまり小さくしてはいけ
ない。上部コア層１６の幅寸法が小さくなりすぎると、
磁束飽和の問題が発生するからである。このため、イオ
ンミリングの時間などを制御しながら前記イオンミリン
グによって上部コア層１６の側端面１６ａをどの位置ま
で削るかを、予め設定しておくことが好ましい。

【０１０１】また図７に示すように、絶縁層１１の表面
１１ｂ（点線）は、イオンミリングにより削られてい
き、イオンミリングが終了した状態での、前記表面１１
ｂ（実線）には、前記絶縁層１１の表面１１ｂと溝部１
１ａの傾斜面１１ｃとの境界部Ｃから、前記溝部１１ａ
と離れる方向にかけて、徐々に前記絶縁層１１の膜厚が
小さくなるように凹状の湾曲した面が形成される。

【０１０２】なお前記イオンミリングによる絶縁層１１
のミリングレートは、上部コア層１６のミリングレート
よりも速いため、前記絶縁層１１の方が、上部コア層１
６よりも多く削られる。

【０１０３】ただし、絶縁層１１の膜厚Ｈ４は、上記し
たように具体的には１．０μｍ以上４．０μｍ以下程度
であり、また上部コア層１６の絶縁層１１表面１１ｂに
延出した部分の幅寸法Ｔ５は、具体的には精々０．１μ
ｍ程度であり、従って前記上部コア層１６の側端面１６
ａを幅寸法Ｔ５以上削ったとしても、その際に絶縁層１
１側が、膜厚Ｈ４分全て削り込まれて、前記絶縁層１１
の下に形成されている下部コア層１０が露出するといっ
たことはない。

【０１０４】また本発明では、イオンミリングにより、
前記上部コア層１６を、下部コア層１０の膜面方向（図
示Ｘ方向）に対して垂直な方向（図示Ｚ方向）に形成す
ることが可能である。

【０１０５】以上詳述した本発明の製造方法によれば、
前記絶縁層１１表面１１ｂにおける溝部１１ａの開口幅
寸法Ｔ４（図４参照）よりも、大きな間隔Ｔ６を有する
レジスト層２０を前記絶縁層１１上に形成することで、
前記レジスト層２０をパターン精度良く所定形状に形成
することが可能であり、従って前記レジスト層２０間に
歪みなどのない上部コア層１６をメッキ形成できる。

【０１０６】さらに本発明では、上部コア層１６の側端
面と前記絶縁層の溝部１１ａの頂点とが連続するよう
に、前記上部コア層１６の前記側端面を、イオンミリン
グにより削り、絶縁層１１の表面１１ｂに延出した上部
コア層１６をすべて除去することにより、ライトフリン
ジング発生を抑制でき且つ磁束飽和を緩和できる上部コ
ア層１６を容易にしかも再現性良く形成することが可能
である。

【０１０７】図８は、上記製造方法とは異なる他の上部
コア層１６の製造方法を示す一工程図である。図８に示
す製造方法では、絶縁層１１の溝部１１ａに形成された
傾斜面１１ｃ上から、絶縁層１１表面１１ｂにかけて、
上部コア層１６の形成に使用されるレジスト層２１を形
成している。

【０１０８】すなわちこの実施例では、レジスト層２１
間に空けられた間隔Ｔ７が、絶縁層１１の表面１１ｂに
おける溝部１１ａの開口幅寸法Ｔ４よりも小さくなって
いるのである。

【０１０９】そして図８に示す状態で、前記レジスト層
２１間に上部コア層１６をメッキ形成し、前記レジスト
層２１を除去すると、溝部１１ａの傾斜面１１ｃ上から
図示Ｚ方向に上部コア層１６が延びて形成された状態に
なっているので、上記で説明した製造方法の場合と違っ
て、前記上部コア層１６は、絶縁層１１の表面１１ｂに
まで延出して形成されていない。

【０１１０】このため上部コア層１６を形成した後、前
記上部コア層１６の側端面１６ａをイオンミリングによ
り削る工程（図７参照）が不要になり、製造工程を簡略
化すうることが可能である。

【０１１１】ただし、図８に示す製造方法であると、前
記絶縁層１１の表面１１ｂ上に形成されるレジスト層２
１の膜厚Ｈ５よりも、溝部１１ａの傾斜面１１ｃ上に形
成されるレジスト層２１の膜厚Ｈ６の方が大きいため
に、露光現像の際に、フォーカスが異なることにより、
乱反射が発生し、前記傾斜面１１ｃ上に形成されたレジ
スト層２１の部分（点線で囲んだＤ内）に、歪みなどが
発生するなどし、前記レジスト層２１の形成・形状が不
安定化する虞がある。

【０１１２】ただし図８に示す製造方法で形成された上
部コア層１６でも、十分にライトフリンジングの発生を
抑制でき且つ磁束飽和を緩和することが可能である。

【０１１３】図９は、本発明における他の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を示す一工程図である。この実施例では、
まず下部コア層１０上に絶縁層１１を形成し、この絶縁
層１１に、トラック幅Ｔｗで形成されたトラック幅領域
Ａと、前記トラック幅領域Ａの両側端部から絶縁層１１
の表面１１ｂにかけて幅寸法が徐々に広がるように傾斜
面１１ｃ，１１ｃが形成された傾斜領域Ｂとを形成す
る。

【０１１４】そして前記溝部１１ａ内に、下から順に下
部コア層１０と磁気的に接続する下部磁極層１２、ギャ
ップ層１３及び上部コア層１６と磁気的に接続する上部
磁極層１４をメッキ形成する。

【０１１５】図９に示す実施例では、前記上部磁極層１
４を、トラック幅領域Ａ内ではなく、傾斜領域Ｂにまで
突出させて形成している。

【０１１６】そして前記上部磁極層１４の表面１４ａ上
に、一定の間隔Ｔ８を空けて前記表面１４ａ上から絶縁
層１１の表面１１ｂ上にかけてレジスト層２２を形成す
る。

【０１１７】その後、前記レジスト層２２間に空けられ
た間隔Ｔ８内に上部コア層１６をメッキ形成し、前記レ
ジスト層２２を除去すると、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。

【０１１８】この実施例では、図８で説明した製造方法
と同様に、上部コア層１６をレジスト層２２間に形成し
た後、前記上部コア層１６の側端面１６ａをイオンミリ
ングによって削る必要性がなく、しかも図９に示す実施
例では、上部磁極層１４が傾斜領域Ｂにまで延びて形成
されているから、前記上部磁極層１４表面１４ａに形成
されるレジスト層２２の膜厚Ｈ８は、絶縁層１１の表面
１１ｂ上に形成されるレジスト層２２の膜厚Ｈ７と比較
しても、極端に大きいことはなく、露光現像の際にフォ
ーカスが異なることによる乱反射はさほど起こらない。

【０１１９】従って図９の実施例では、図８の実施例の
場合に比べてレジスト層２２の形成・形状の安定性を向
上させることができ、上部コア層１６を所定の形状で形
成しやすいといった利点がある。

【０１２０】ただし、前記上部磁極層１４の表面１４ａ
から絶縁層１１の表面１１ｂにかけて形成されるレジス
ト層２２の間隔Ｔ８をあまり小さく形成してしまうと、
前記レジスト層２２間に形成された上部コア層１６と、
上部磁極層１４との間で段差Ｅが形成されてしまい、こ
の段差Ｅの存在により、上部コア層１６と上部磁極層１
４との間で漏れ磁界の発生が起こりやすくなる。

【０１２１】このような漏れ磁界の発生を低減させるた
めには、できるだけレジスト層２２間の間隔Ｔ８を広
げ、前記上部コア層１６と、上部磁極層１４との間に形
成される段差Ｅを小さくすればよい。なお前記レジスト
層２２間における間隔Ｔ８は、少なくとも絶縁層１１の
表面１１ｂにおける溝部１１ａの開口幅寸法Ｔ４よりも
小さく形成する必要がある。

【０１２２】仮に前記開口幅寸法Ｔ４よりもレジスト層
２２間の間隔Ｔ８を大きくした場合には、上部コア層１
６が、絶縁層１１の表面１１ｂにまで延出して形成され
てしまうから、図７に示す工程と同様に、前記絶縁層１
１の表面１１ｂにまで延出した上部コア層１６をイオン
ミリングによって削る必要性がある。

【０１２３】なお本発明では、絶縁層１１に形成される
溝部１１ａの形成方法を限定するものではない。前記溝
部１１ａにトラック幅Ｔｗで形成されたトラック幅領域
Ａと、前記トラック幅領域Ａの両側端面から絶縁層１１
の表面１１ｂにまで幅寸法が徐々に広がるように傾斜面
１１ｃが形成された傾斜領域Ｂとが形成されるようにす
れば、前記溝部１１ａがどのようにして形成されていて
もよい。

【０１２４】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、下部コア
層上に形成された絶縁層の溝部に、下部コア層上から所
定の高さまでトラック幅を規制するトラック幅領域と、
前記トラック幅領域の上端から絶縁層表面にかけて、前
記溝部の幅寸法が徐々に広がる傾斜面を有する傾斜領域
とを形成している。そして上部コア層を、前記傾斜面上
から、下部コア層と離れる方向に形成している。

【０１２５】このように本発明では、前記上部コア層
を、絶縁層の溝部の幅寸法が、徐々に広がるように形成
された傾斜面上から形成することで、前記上部コア層の
幅寸法をトラック幅Ｔｗよりも大きく形成することがで
き、磁束の飽和を抑制できると同時に、前記上部コア層
と、前記溝部のトラック幅領域内に形成される、例えば
下部コア層と磁気的に接続する下部磁極層との距離を適
切に離すことが可能になり、ライトフリンジングの発生
を適性に抑制することが可能になっている。

【０１２６】また本発明における製造方法によれば、絶
縁層に形成された溝部よりも幅寸法の広い間隔を有す
る、上部コア層の形成のために必要なレジスト層を露光
現像によって形成している。

【０１２７】すなわち本発明では露光現像によって、絶
縁層の溝部内に塗布されたレジスト層を除去し、平坦な
絶縁層表面上に塗布された、膜厚がほぼ同一であるレジ
スト層のみを残そうとしている。このため露光現像の際
に、フォーカスが異なることによる乱反射は起こりにく
く、前記レジスト層を絶縁層表面に、安定した形状で形
成することが可能である。そして前記レジスト層間に上
部コア層を形成し、その後、絶縁層表面にまで延出した
上部コア層の部分を、イオンミリングでエッチングする
と、所定形状の上部コア層が完成する。

【０１２８】本発明における製造方法によれば、ライト
フリンジング及び磁束飽和の問題に多大な影響を与える
上部コア層を、容易にしかも再現性良く所定形状に形成
することができ、歩留まりを向上させることが可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッ
ド）のＡＢＳ面構造を示す部分正面図、

【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドを、Ｆ方向から見た部分断面図、

【図３】本発明の他の薄膜磁気ヘッド（インダクティブ
ヘッド）のＡＢＳ面構造を示す部分正面図、

【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工
程図、

【図５】図４に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、

【図６】図５に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、

【図７】図６に示す製造工程の次に行なわれる一工程
図、

【図８】本発明の他の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
一工程図、

【図９】本発明の他の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
一工程図、

【図１０】従来の薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッ
ド）のＡＢＳ面構造を示す部分正面図、

【図１１】図１０に示す薄膜磁気ヘッドの部分斜視図、

【符号の説明】

１０ 下部コア層 １１ 絶縁層 １１ａ 溝部 １１ｂ （絶縁層の）表面 １１ｃ 傾斜面 １２ 下部磁極層 １３ ギャップ層 １４ 上部磁極層 １４ａ （上部磁極層の）表面 １６ 上部コア層 １７ Ｇｄ決め絶縁層 １８ コイル層 １９ コイル絶縁層 ２０、２１、２２ レジスト層 Ａ トラック幅領域 Ｂ 傾斜領域 Ｔｗ トラック幅

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁性材料製の下部コア層と、磁性材料製
   の上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層とを磁気
   的に絶縁するギャップ層と、前記下部コア層と上部コア
   層との間に位置する絶縁層とが、記録媒体との対向面に
   現れている薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記絶縁層には、この絶縁層上面から前記下部コア層に
   通じ、しかも記録媒体との対向面からハイト方向に延び
   る溝部が形成されており、 前記溝部は、前記下部コア層上から所定の高さまでトラ
   ック幅を規制するトラック幅領域と、前記トラック幅領
   域の上端から前記絶縁層の上面にかけて、前記溝部の幅
   寸法が徐々に広がる傾斜面を有する傾斜領域とで構成さ
   れ、前記トラック幅領域と前記傾斜領域とは前記トラッ
   ク幅領域の上端を介して連続して形成されており、 前記トラック幅領域内には、下から下部磁極層、前記ギ
   ャップ層および上部磁極層がこの順に形成されており、 前記 上部コア層は、前記上部磁極層上から前記傾斜面
   上、及び前記傾斜面と前記絶縁層の上面との境界部まで
   延び、さらに前記上部コア層の側端面は前記境界部を介
   して絶縁層の上面と連続面を成すとともに、前記下部コ
   ア層と離れる方向に延びていることを特徴とする薄膜磁
   気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記上部コア層は、下部コア層の膜面に
   対して垂直方向へ延びるように形成されている請求項１
   記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記絶縁層は、前記傾斜面と絶縁層表面
   との境界から溝部と離れる方向へ向けて、徐々に膜厚が
   薄くなるように形成されている請求項１または２記載の
   薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記絶縁層の表面は、前記傾斜面と絶縁
   層表面との境界から溝部と離れる方向へかけて、凹状に
   湾曲して形成されている請求項３記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。
5. 【請求項５】 磁性材料製の下部コア層と、記録媒体と
   の対向面で前記下部コア層の上に非磁性のギャップ層を
   介して対向する磁性材料製の上部コア層とを有する薄膜
   磁気ヘッドの製造方法において、 下部コア層上に、記録媒体との対向面からハイト方向に
   かけてトラック幅寸法に相当する内幅寸法の溝部を有す
   る絶縁層を形成する工程と、 前記溝部内に下部コア層と磁気的に接続する下部磁極
   層、ギャップ層、及び上部コア層と磁気的に接続する上
   部磁極層を連続して積層する工程と、 前記積層工程の前または後に、前記溝部の途中から、溝
   部の幅寸法が徐々に広くなる傾斜面を形成する工程と、 前記絶縁層上に、前記絶縁層の上面での溝部の開口幅寸
   法よりも広い間隔を開けてレジスト層を露光現像により
   形成して、前記レジスト層の間隔内に、上部磁極層の上
   面、絶縁層に形成された溝部の傾斜面、及び絶縁層の上
   面の一部を露出させる工程と、 前記レジスト層の前記間隔内に上部コア層を形成し、前
   記レジスト層を除去する工程と、前記上部コア層の側端面と前記絶縁層の上面とが、前記
   傾斜面の頂点を介して 連続するように、前記上部コア層
   の側端面を、イオンミリングによりエッチングする工程
   と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
6. 【請求項６】 上部コア層の側端面をイオンミリングに
   よりエッチングすると同時に、絶縁層の上面を前記イオ
   ンミリングによりエッチングし、前記絶縁層の上面に、
   前記絶縁層上面と溝部の傾斜面との境界から、前記溝部
   と離れる方向にかけて徐々に前記絶縁層の膜厚が小さく
   なるように凹状に湾曲した面を形成する請求項５記載の
   薄膜磁気ヘッドの製造方法。
7. 【請求項７】 前記イオンミリングにより、前記上部コ
   ア層を、下部コア層の膜面方向に対し、垂直な方向に形
   成する請求項５または６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
   方法。