JPH06162440A - 薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン形成方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン形成方法Info
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- JPH06162440A JPH06162440A JP4336821A JP33682192A JPH06162440A JP H06162440 A JPH06162440 A JP H06162440A JP 4336821 A JP4336821 A JP 4336821A JP 33682192 A JP33682192 A JP 33682192A JP H06162440 A JPH06162440 A JP H06162440A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 精度の高いパターニングが容易に行える薄膜
磁気ヘッドにおける薄膜パターン形成方法を提供する。 【構成】 フォトレジスト１０、４０による通常テーパ
のポジパターンをまず形成し、その上に所定の金属物質
によるリフトオフ膜１１、４１をドライプロセスによっ
て形成し、上述のフォトレジスト１０、４０を除去した
後、所望の物質による薄膜１２、４２を成膜し、その
後、この金属物質によるリフトオフ膜１１、４１を選択
的に溶解する。
磁気ヘッドにおける薄膜パターン形成方法を提供する。 【構成】 フォトレジスト１０、４０による通常テーパ
のポジパターンをまず形成し、その上に所定の金属物質
によるリフトオフ膜１１、４１をドライプロセスによっ
て形成し、上述のフォトレジスト１０、４０を除去した
後、所望の物質による薄膜１２、４２を成膜し、その
後、この金属物質によるリフトオフ膜１１、４１を選択
的に溶解する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜パターンの形成方
法に関し、特に、磁気ディスク等の磁気媒体について記
録及び再生を行う薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン
の形成方法に関する。
法に関し、特に、磁気ディスク等の磁気媒体について記
録及び再生を行う薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、種
々の薄膜パターン形成工程が実施される。これら薄膜パ
ターン形成工程の中には、形成すべき薄膜パターンの下
層が削られてしまうために、イオンミリング等の物理的
エッチングを直接的に使用できない工程がある。例え
ば、磁気抵抗効果ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓ
ｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称する）を製造
する場合、ＭＲ層（磁気抵抗効果層）上にリード電極層
をパターニングすることが行われるが、不要なリード電
極層部分をイオンミリングで除去することは、その下の
ＭＲ層まで削ってしまう恐れがあるのでそのままでは使
用できない。
々の薄膜パターン形成工程が実施される。これら薄膜パ
ターン形成工程の中には、形成すべき薄膜パターンの下
層が削られてしまうために、イオンミリング等の物理的
エッチングを直接的に使用できない工程がある。例え
ば、磁気抵抗効果ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓ
ｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称する）を製造
する場合、ＭＲ層（磁気抵抗効果層）上にリード電極層
をパターニングすることが行われるが、不要なリード電
極層部分をイオンミリングで除去することは、その下の
ＭＲ層まで削ってしまう恐れがあるのでそのままでは使
用できない。
【０００３】このため、従来は、一般的なリフトオフ法
によってリード電極パターンを形成するか、又はＭＲ層
上のリード電極で挟まれるべき部分にイオンミリングに
対するＭＲ層の保護膜を形成した後、イオンミリング工
程を実施してリード電極パターンを形成していた。
によってリード電極パターンを形成するか、又はＭＲ層
上のリード電極で挟まれるべき部分にイオンミリングに
対するＭＲ層の保護膜を形成した後、イオンミリング工
程を実施してリード電極パターンを形成していた。
【０００４】前者の方法（一般的なリフトオフ法により
リード電極パターンを形成する方法）による場合、ま
ず、所定のフォトレジストパターンを形成し、このパタ
ーンにアンモニア処理又はクロロベンゼン処理を施すこ
とによってレジストに逆テーパを与えてリード電極層を
成膜することが行われる。
リード電極パターンを形成する方法）による場合、ま
ず、所定のフォトレジストパターンを形成し、このパタ
ーンにアンモニア処理又はクロロベンゼン処理を施すこ
とによってレジストに逆テーパを与えてリード電極層を
成膜することが行われる。
【０００５】後者の方法（ＭＲ層の保護膜を形成した
後、イオンミリングする方法）による場合、上述したリ
フトオフ法により保護膜を形成した後、イオンミリング
によってリード電極パターンを形成することが行われ
る。
後、イオンミリングする方法）による場合、上述したリ
フトオフ法により保護膜を形成した後、イオンミリング
によってリード電極パターンを形成することが行われ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようにイオンミリ
ング等の物理的エッチングを直接的に使用できない工程
においては、いずれにせよ、リフトオフ法による薄膜パ
ターンの形成が行われる。しかしながら一般的なリフト
オフ法においては、上述したように、逆テーパのフォト
レジストパターンを形成する必要があるため、パターニ
ングの精度を向上させることが難しくなる。また、逆テ
ーパにするための付加的な処理が必要となるから工程数
が増大して製造コストが大きくなってしまう。特にＭＲ
ヘッドにおいては、ＭＲ層上のリード電極の間隔が非常
に重要な要素となりこの間隔を高い精度で制御すること
が要求されるから、リード電極のパターニング精度が低
いことは深刻な問題となる。
ング等の物理的エッチングを直接的に使用できない工程
においては、いずれにせよ、リフトオフ法による薄膜パ
ターンの形成が行われる。しかしながら一般的なリフト
オフ法においては、上述したように、逆テーパのフォト
レジストパターンを形成する必要があるため、パターニ
ングの精度を向上させることが難しくなる。また、逆テ
ーパにするための付加的な処理が必要となるから工程数
が増大して製造コストが大きくなってしまう。特にＭＲ
ヘッドにおいては、ＭＲ層上のリード電極の間隔が非常
に重要な要素となりこの間隔を高い精度で制御すること
が要求されるから、リード電極のパターニング精度が低
いことは深刻な問題となる。
【０００７】従って本発明は、精度の高いパターニング
が容易に行える薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン形
成方法を提供するものである。
が容易に行える薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン形
成方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、フォト
レジストによる通常テーパのポジパターンをまず形成
し、その上に所定の金属物質によるリフトオフ膜をドラ
イプロセスによって形成し、上述のフォトレジストを除
去した後、所望の物質による薄膜を成膜し、その後、こ
の金属物質によるリフトオフ膜を選択的に溶解するよう
にした薄膜パターン形成方法が提供される。
レジストによる通常テーパのポジパターンをまず形成
し、その上に所定の金属物質によるリフトオフ膜をドラ
イプロセスによって形成し、上述のフォトレジストを除
去した後、所望の物質による薄膜を成膜し、その後、こ
の金属物質によるリフトオフ膜を選択的に溶解するよう
にした薄膜パターン形成方法が提供される。
【０００９】リフトオフ膜の所定の金属物質が金又は銅
であり、この金又は銅によるリフトオフ膜をヨウ素溶液
又は過硫酸アンモニウム溶液によって選択的に溶解す
る。
であり、この金又は銅によるリフトオフ膜をヨウ素溶液
又は過硫酸アンモニウム溶液によって選択的に溶解す
る。
【００１０】
【作用】通常テーパのレジストポジパターン上に所定の
金属物質による膜（リフトオフ膜）を形成しているの
で、この金属物質膜は逆テーパとなり、あたかも通常の
リフトオフ法における逆テーパのレジストのごとくな
る。そして、薄膜を成膜後にこの金属物質膜を選択的に
溶解しているので、従来のリフトオフ法と同様に容易に
実施できる。また、通常テーパのレジストでポジパター
ンを形成しているので、側壁制御が非常に容易となりパ
ターニング精度が極めて高くなる。しかも、リフトオフ
膜である金属物質膜をドライプロセスによって形成して
いるので、このリフトオフ膜の下に下地膜が残るような
不都合も全くない。
金属物質による膜（リフトオフ膜）を形成しているの
で、この金属物質膜は逆テーパとなり、あたかも通常の
リフトオフ法における逆テーパのレジストのごとくな
る。そして、薄膜を成膜後にこの金属物質膜を選択的に
溶解しているので、従来のリフトオフ法と同様に容易に
実施できる。また、通常テーパのレジストでポジパター
ンを形成しているので、側壁制御が非常に容易となりパ
ターニング精度が極めて高くなる。しかも、リフトオフ
膜である金属物質膜をドライプロセスによって形成して
いるので、このリフトオフ膜の下に下地膜が残るような
不都合も全くない。
【００１１】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００１２】図２は、本発明の一実施例によって製造さ
れるＭＲヘッドの一部をＡＢＳ（エアーベアリング面）
側から概略的に表した断面図である。
れるＭＲヘッドの一部をＡＢＳ（エアーベアリング面）
側から概略的に表した断面図である。
【００１３】同図に示すように、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより形成された下部シールド層
２０上には酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等をスパッ
タして得られた下部ギャップ絶縁層２１が積層されてお
り、その上にパーマロイ等をスパッタしてＭＲ膜２２が
形成されている。ＭＲ膜２２上のＭＲ素子としての領域
上には、後述するごとくＡｌ2 Ｏ3 等による保護膜２３
が形成されている。ＭＲ膜２２上及び保護膜２３の一部
の上に、例えば金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、タングステン
（Ｗ）等のリード電極２４がスパッタで成膜の後、イオ
ンミリング等の物理的エッチングによってパターニング
をされて形成され、さらにその上に上部ギャップ絶縁層
２５がＡｌ2 Ｏ3 等をスパッタして形成されている。上
部ギャップ絶縁層２５の上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより上部シールド層２６が形成
されている。
膜をめっき等することにより形成された下部シールド層
２０上には酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等をスパッ
タして得られた下部ギャップ絶縁層２１が積層されてお
り、その上にパーマロイ等をスパッタしてＭＲ膜２２が
形成されている。ＭＲ膜２２上のＭＲ素子としての領域
上には、後述するごとくＡｌ2 Ｏ3 等による保護膜２３
が形成されている。ＭＲ膜２２上及び保護膜２３の一部
の上に、例えば金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、タングステン
（Ｗ）等のリード電極２４がスパッタで成膜の後、イオ
ンミリング等の物理的エッチングによってパターニング
をされて形成され、さらにその上に上部ギャップ絶縁層
２５がＡｌ2 Ｏ3 等をスパッタして形成されている。上
部ギャップ絶縁層２５の上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより上部シールド層２６が形成
されている。
【００１４】図１は、図２で示した本実施例のＭＲヘッ
ドにおける保護膜２３の製造工程を表している。
ドにおける保護膜２３の製造工程を表している。
【００１５】まず、下部ギャップ絶縁層２１（図２）上
に、パーマロイ等をスパッタして図１（Ａ）に示すＭＲ
膜２２が形成される。
に、パーマロイ等をスパッタして図１（Ａ）に示すＭＲ
膜２２が形成される。
【００１６】次いで、同図（Ｂ）に示すように、このＭ
Ｒ膜２２上のポジパターン部分にポジ型のフォトレジス
ト１０が通常テーパ（順テーパ）で形成される。このよ
うに、通常テーパで逆テーパ処理を施すことなくレジス
トパターンを形成しているので、側壁制御が非常に容易
となりこのレジストのパターニング精度は極めて高いも
のとなる。
Ｒ膜２２上のポジパターン部分にポジ型のフォトレジス
ト１０が通常テーパ（順テーパ）で形成される。このよ
うに、通常テーパで逆テーパ処理を施すことなくレジス
トパターンを形成しているので、側壁制御が非常に容易
となりこのレジストのパターニング精度は極めて高いも
のとなる。
【００１７】次いで、同図（Ｃ）に示すように、このレ
ジストパターンの上にＡｕによるリフトオフ膜１１を蒸
着等のドライプロセスによって形成する。ドライプロセ
スとしては、蒸着の他にスパッタリングやＣＶＤ等が適
用可能である。このようにドライプロセスでリフトオフ
膜１１を形成することにより、めっき法のごとく導電性
の下地膜を形成する必要がなくなり、この下地膜が最終
的に残ってしまうような不都合がない。特にＭＲヘッド
においては、ＭＲ膜上に導電性の下地膜が残るとＭＲ素
子として正しく作動しなくなる恐れが多分にあるため、
このドライプロセスでリフトオフ膜１１を形成すること
が非常に重要となる。
ジストパターンの上にＡｕによるリフトオフ膜１１を蒸
着等のドライプロセスによって形成する。ドライプロセ
スとしては、蒸着の他にスパッタリングやＣＶＤ等が適
用可能である。このようにドライプロセスでリフトオフ
膜１１を形成することにより、めっき法のごとく導電性
の下地膜を形成する必要がなくなり、この下地膜が最終
的に残ってしまうような不都合がない。特にＭＲヘッド
においては、ＭＲ膜上に導電性の下地膜が残るとＭＲ素
子として正しく作動しなくなる恐れが多分にあるため、
このドライプロセスでリフトオフ膜１１を形成すること
が非常に重要となる。
【００１８】次に同図（Ｄ）に示すように、アセトン等
の溶剤に浸漬し必要に応じて超音波を印加することによ
ってフォトレジスト１０を溶解除去してリフトオフを行
う。
の溶剤に浸漬し必要に応じて超音波を印加することによ
ってフォトレジスト１０を溶解除去してリフトオフを行
う。
【００１９】次いで、同図（Ｅ）に示すごとく、例えば
Ａｌ2 Ｏ3 等の絶縁膜１２を成膜する。
Ａｌ2 Ｏ3 等の絶縁膜１２を成膜する。
【００２０】その後、ヨウ素溶液にこれを浸漬してＡｕ
によるリフトオフ膜１１を溶解除去し、同図（Ｆ）に示
す保護膜２３（１２）を得る。ヨウ素溶液としては、そ
の一例として、１８００ｃｃのエタノールにヨウ素を３
６ｇ、Ｈ2 Ｏを１２００ｃｃ、ヨウ化アンモニウムを２
４０ｇ加えたものを用いる。４０℃のこのヨウ素溶液中
に浸漬することによってＡｕのリフトオフ膜１１のみが
選択的に除去される。パーマロイ等によるＭＲ膜２２は
この溶液によってはほとんど溶解されない。
によるリフトオフ膜１１を溶解除去し、同図（Ｆ）に示
す保護膜２３（１２）を得る。ヨウ素溶液としては、そ
の一例として、１８００ｃｃのエタノールにヨウ素を３
６ｇ、Ｈ2 Ｏを１２００ｃｃ、ヨウ化アンモニウムを２
４０ｇ加えたものを用いる。４０℃のこのヨウ素溶液中
に浸漬することによってＡｕのリフトオフ膜１１のみが
選択的に除去される。パーマロイ等によるＭＲ膜２２は
この溶液によってはほとんど溶解されない。
【００２１】このように本実施例によれば、レジスト１
０のパターニング精度が非常に高いため、リフトオフ膜
１１の従って保護膜２３のパターニングを非常に高い精
度で行うことができる。
０のパターニング精度が非常に高いため、リフトオフ膜
１１の従って保護膜２３のパターニングを非常に高い精
度で行うことができる。
【００２２】上述した実施例においては、リフトオフ膜
１１としてＡｕを用いかつこれを溶解する溶液としてヨ
ウ素溶液を用いているが、リフトオフ膜１１としてＣｕ
を用いかつこれを溶解する溶液として過硫酸アンモニウ
ム溶液を用いてもよい。
１１としてＡｕを用いかつこれを溶解する溶液としてヨ
ウ素溶液を用いているが、リフトオフ膜１１としてＣｕ
を用いかつこれを溶解する溶液として過硫酸アンモニウ
ム溶液を用いてもよい。
【００２３】図３は、本発明の他の実施例によって製造
されるＭＲヘッドの一部をＡＢＳ側から概略的に表した
断面図である。
されるＭＲヘッドの一部をＡＢＳ側から概略的に表した
断面図である。
【００２４】同図に示すように、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより形成された下部シールド層
３０上にはＡｌ2 Ｏ3 等をスパッタして得られた下部ギ
ャップ絶縁層３１が積層されており、その上にパーマロ
イ等をスパッタしてＭＲ膜３２が形成されている。ＭＲ
膜３２上のＭＲ素子としての領域を挟む部分には、例え
ばＡｕ、Ｗ等のリード電極３４が後述のごとく形成され
ている。さらにその上に上部ギャップ絶縁層３５がＡｌ
2 Ｏ3 等をスパッタして形成されている。上部ギャップ
絶縁層３５の上には、パーマロイ等の軟磁性膜をめっき
等することにより上部シールド層３６が形成されてい
る。
膜をめっき等することにより形成された下部シールド層
３０上にはＡｌ2 Ｏ3 等をスパッタして得られた下部ギ
ャップ絶縁層３１が積層されており、その上にパーマロ
イ等をスパッタしてＭＲ膜３２が形成されている。ＭＲ
膜３２上のＭＲ素子としての領域を挟む部分には、例え
ばＡｕ、Ｗ等のリード電極３４が後述のごとく形成され
ている。さらにその上に上部ギャップ絶縁層３５がＡｌ
2 Ｏ3 等をスパッタして形成されている。上部ギャップ
絶縁層３５の上には、パーマロイ等の軟磁性膜をめっき
等することにより上部シールド層３６が形成されてい
る。
【００２５】図４は、図３で示した本実施例のＭＲヘッ
ドにおけるリード電極３４の製造工程を表している。
ドにおけるリード電極３４の製造工程を表している。
【００２６】まず、下部ギャップ絶縁層３１（図３）上
に、パーマロイ等をスパッタして図４（Ａ）に示すＭＲ
膜３２が形成される。
に、パーマロイ等をスパッタして図４（Ａ）に示すＭＲ
膜３２が形成される。
【００２７】次いで、同図（Ｂ）に示すように、このＭ
Ｒ膜３２上のポジパターン部分にポジ型のフォトレジス
ト４０が通常テーパ（順テーパ）で形成される。このよ
うに、通常テーパで逆テーパ処理を施すことなくレジス
トパターンを形成しているので、側壁制御が非常に容易
となりこのレジストのパターニング精度は極めて高いも
のとなる。
Ｒ膜３２上のポジパターン部分にポジ型のフォトレジス
ト４０が通常テーパ（順テーパ）で形成される。このよ
うに、通常テーパで逆テーパ処理を施すことなくレジス
トパターンを形成しているので、側壁制御が非常に容易
となりこのレジストのパターニング精度は極めて高いも
のとなる。
【００２８】次いで、同図（Ｃ）に示すように、このレ
ジストパターンの上にＡｕによるリフトオフ膜４１を蒸
着等のドライプロセスによって形成する。ドライプロセ
スとしては、蒸着の他にスパッタリングやＣＶＤ等が適
用可能である。このようにドライプロセスでリフトオフ
膜４１を形成することにより、めっき法のごとく導電性
の下地膜を形成する必要がなくなり、この下地膜が最終
的に残ってしまうような不都合がない。特にＭＲヘッド
においては、ＭＲ膜上に導電性の下地膜が残るとＭＲ素
子として正しく作動しなくなる恐れが多分にあるため、
このドライプロセスでリフトオフ膜４１を形成すること
が非常に重要となる。
ジストパターンの上にＡｕによるリフトオフ膜４１を蒸
着等のドライプロセスによって形成する。ドライプロセ
スとしては、蒸着の他にスパッタリングやＣＶＤ等が適
用可能である。このようにドライプロセスでリフトオフ
膜４１を形成することにより、めっき法のごとく導電性
の下地膜を形成する必要がなくなり、この下地膜が最終
的に残ってしまうような不都合がない。特にＭＲヘッド
においては、ＭＲ膜上に導電性の下地膜が残るとＭＲ素
子として正しく作動しなくなる恐れが多分にあるため、
このドライプロセスでリフトオフ膜４１を形成すること
が非常に重要となる。
【００２９】次に同図（Ｄ）に示すように、アセトン等
の溶剤に浸漬し必要に応じて超音波を印加することによ
ってフォトレジスト４０を溶解除去してリフトオフを行
う。
の溶剤に浸漬し必要に応じて超音波を印加することによ
ってフォトレジスト４０を溶解除去してリフトオフを行
う。
【００３０】次いで、同図（Ｅ）に示すごとく、例えば
Ｃｕ、Ｗ等の導体層４２を成膜する。
Ｃｕ、Ｗ等の導体層４２を成膜する。
【００３１】その後、ヨウ素溶液にこれを浸漬してＡｕ
によるリフトオフ膜４１を溶解除去し、同図（Ｆ）に示
すリード電極３４（４２）を得る。ヨウ素溶液として
は、その一例として、１８００ｃｃのエタノールにヨウ
素を３６ｇ、Ｈ2 Ｏを１２００ｃｃ、ヨウ化アンモニウ
ムを２４０ｇ加えたものを用いる。４０℃のこのヨウ素
溶液中に約３〜５分間浸漬することによってＡｕのリフ
トオフ膜４１のみが選択的に除去される。パーマロイ等
によるＭＲ膜４２はこの溶液によってはほとんど溶解さ
れない。
によるリフトオフ膜４１を溶解除去し、同図（Ｆ）に示
すリード電極３４（４２）を得る。ヨウ素溶液として
は、その一例として、１８００ｃｃのエタノールにヨウ
素を３６ｇ、Ｈ2 Ｏを１２００ｃｃ、ヨウ化アンモニウ
ムを２４０ｇ加えたものを用いる。４０℃のこのヨウ素
溶液中に約３〜５分間浸漬することによってＡｕのリフ
トオフ膜４１のみが選択的に除去される。パーマロイ等
によるＭＲ膜４２はこの溶液によってはほとんど溶解さ
れない。
【００３２】このように本実施例によれば、レジスト４
０のパターニング精度が非常に高いため、リフトオフ膜
４１の従ってリード電極３４のパターニングを非常に高
い精度で行うことができる。
０のパターニング精度が非常に高いため、リフトオフ膜
４１の従ってリード電極３４のパターニングを非常に高
い精度で行うことができる。
【００３３】上述した実施例においては、リフトオフ膜
４１としてＡｕを用いかつこれを溶解する溶液としてヨ
ウ素溶液を用いているが、リフトオフ膜４１としてＣｕ
を用いかつこれを溶解する溶液として過硫酸アンモニウ
ム溶液を用いてもよい。ただし、リフトオフ膜４１とし
てＣｕを用いる場合は、導体層４２にＡｕ、Ｗ等を用い
る。
４１としてＡｕを用いかつこれを溶解する溶液としてヨ
ウ素溶液を用いているが、リフトオフ膜４１としてＣｕ
を用いかつこれを溶解する溶液として過硫酸アンモニウ
ム溶液を用いてもよい。ただし、リフトオフ膜４１とし
てＣｕを用いる場合は、導体層４２にＡｕ、Ｗ等を用い
る。
【００３４】なお、以上説明した実施例は、ＭＲヘッド
に関するものであるが、本発明の薄膜パターン形成方法
は、他のあらゆる種類の薄膜磁気ヘッド製造におけるイ
オンミリング等の物理的エッチングを直接的に使用でき
ない工程にも同様に適用可能である。
に関するものであるが、本発明の薄膜パターン形成方法
は、他のあらゆる種類の薄膜磁気ヘッド製造におけるイ
オンミリング等の物理的エッチングを直接的に使用でき
ない工程にも同様に適用可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、フォトレジストによる通常テーパのポジパターンを
まず形成し、その上に所定の金属物質によるリフトオフ
膜をドライプロセスによって形成し、上述のフォトレジ
ストを除去した後、所望の物質による薄膜を成膜し、そ
の後、この金属物質によるリフトオフ膜を選択的に溶解
するようにしているため、従来のリフトオフ法と同様に
容易に実施でき、しかも側壁制御が非常に容易となりパ
ターニング精度が極めて高くなる。さらに、リフトオフ
膜である金属物質膜をドライプロセスによって形成して
いるので、このリフトオフ膜の下に下地膜が残るような
不都合も全くない。
ば、フォトレジストによる通常テーパのポジパターンを
まず形成し、その上に所定の金属物質によるリフトオフ
膜をドライプロセスによって形成し、上述のフォトレジ
ストを除去した後、所望の物質による薄膜を成膜し、そ
の後、この金属物質によるリフトオフ膜を選択的に溶解
するようにしているため、従来のリフトオフ法と同様に
容易に実施でき、しかも側壁制御が非常に容易となりパ
ターニング精度が極めて高くなる。さらに、リフトオフ
膜である金属物質膜をドライプロセスによって形成して
いるので、このリフトオフ膜の下に下地膜が残るような
不都合も全くない。
【図１】本発明の一実施例のＭＲヘッドにおける保護膜
パターンの形成工程を示す工程図である。
パターンの形成工程を示す工程図である。
【図２】図１の実施例により製造されるＭＲヘッドの一
部をＡＢＳ側から見た断面図である。
部をＡＢＳ側から見た断面図である。
【図３】本発明の他の実施例のＭＲヘッドにおけるリー
ド電極パターンの形成工程を示す工程図である。
ド電極パターンの形成工程を示す工程図である。
【図４】図３の実施例により製造されるＭＲヘッドの一
部をＡＢＳ側から見た断面図である。
部をＡＢＳ側から見た断面図である。
１０、４０ フォトレジスト １１、４１ リフトオフ膜 １２ 絶縁膜 ２０、３０ 下部シールド層 ２１、３１ 下部ギャップ絶縁層 ２２、３２ ＭＲ膜 ２３ 保護膜 ２４、３４ リード電極 ２５、３５ 上部ギャップ絶縁層 ２６、３６ 上部シールド層 ４２ 導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇野 泰史 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 フォトレジストによる通常テーパのポジ
パターンを形成し、その上に所定の金属物質によるリフ
トオフ膜をドライプロセスによって形成し、前記フォト
レジストを除去した後、所望の物質による薄膜を成膜
し、その後、前記金属物質によるリフトオフ膜を選択的
に溶解することを特徴とする薄膜磁気ヘッドにおける薄
膜パターン形成方法。 - 【請求項２】 前記所定の金属物質が金であり、該金に
よるリフトオフ膜をヨウ素溶液によって選択的に溶解す
ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜パターン形成
方法。 - 【請求項３】 前記所定の金属物質が銅であり、該銅に
よるリフトオフ膜を過硫酸アンモニウム溶液によって選
択的に溶解することを特徴とする請求項１に記載の薄膜
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04336821A JP3141592B2 (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04336821A JP3141592B2 (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162440A true JPH06162440A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3141592B2 JP3141592B2 (ja) | 2001-03-05 |
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JP3141592B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3641186A1 (de) * | 1985-12-04 | 1987-07-02 | Olympus Optical Co | Bildsignalkorrekturschaltung |
-
1992
- 1992-11-25 JP JP04336821A patent/JP3141592B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3641186A1 (de) * | 1985-12-04 | 1987-07-02 | Olympus Optical Co | Bildsignalkorrekturschaltung |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3141592B2 (ja) | 2001-03-05 |
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