JPS60247816A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS60247816A JPS60247816A JP10513884A JP10513884A JPS60247816A JP S60247816 A JPS60247816 A JP S60247816A JP 10513884 A JP10513884 A JP 10513884A JP 10513884 A JP10513884 A JP 10513884A JP S60247816 A JPS60247816 A JP S60247816A
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- JP
- Japan
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- film
- mask
- etching
- magnetic
- photoresist
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法、特にイオンビー
ムエツチング罠よる磁気コア形成方法に関するものであ
る。
ムエツチング罠よる磁気コア形成方法に関するものであ
る。
まず、薄膜磁気ヘッドの構造について説明する・薄膜磁
気ヘッドは第１図、第２図に示すように、サファイア等
の絶縁体基体（１）上に設けたパーマロイ（ＮＩＦｅ合
金）等の磁性薄膜からなる磁気コア（２）、 （６）、
’１ｖｏｚ又は５１ｏｔ等の非磁性膜からなる磁気ギャ
ツｆ（３）、Ｃｕ又はＡ／等の金属膜（電気導体）から
なるコイル（５）、フォトレジスト、ポリイミド樹脂等
からなる層間絶縁層（４）、ｇ、ｏ、等の非磁性膜から
なる保護層（８）によシ構成されている・図中、（７）
ハコイル端子である。
気ヘッドは第１図、第２図に示すように、サファイア等
の絶縁体基体（１）上に設けたパーマロイ（ＮＩＦｅ合
金）等の磁性薄膜からなる磁気コア（２）、 （６）、
’１ｖｏｚ又は５１ｏｔ等の非磁性膜からなる磁気ギャ
ツｆ（３）、Ｃｕ又はＡ／等の金属膜（電気導体）から
なるコイル（５）、フォトレジスト、ポリイミド樹脂等
からなる層間絶縁層（４）、ｇ、ｏ、等の非磁性膜から
なる保護層（８）によシ構成されている・図中、（７）
ハコイル端子である。
上記層間絶縁Ｍ（４）はコイルに基因する段差を平担化
すると共に磁気ギャッｆ（３）の近傍の形状を所定の清
らかなテーパ形状とし、上部磁気コア（６）の磁気％性
劣化を防止するために設けられている。
すると共に磁気ギャッｆ（３）の近傍の形状を所定の清
らかなテーパ形状とし、上部磁気コア（６）の磁気％性
劣化を防止するために設けられている。
このような構造の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気コア形
成方法はヘッド特性を左右する非常に重要な景素である
。その磁気コア形成方法は磁気コア材となる磁性薄膜を
堆積した後、フォトレジストマスクを用いてエツチング
するエツチング法と、不要部分をフォトレジストで被覆
した後磁性薄膜を電気メッキするパターンメッキ法に大
別される。
成方法はヘッド特性を左右する非常に重要な景素である
。その磁気コア形成方法は磁気コア材となる磁性薄膜を
堆積した後、フォトレジストマスクを用いてエツチング
するエツチング法と、不要部分をフォトレジストで被覆
した後磁性薄膜を電気メッキするパターンメッキ法に大
別される。
後者のパメーンメッキ法位膜堆積手段がメッキに限られ
ること、コアパターン形状に基因する反磁界及びノ青タ
ーンメッキに基因する膜厚、組成、結晶構造の不均一性
によって、コアの磁区に乱れが生じ磁気特性が劣化する
という難点がある。これを極力防止するために、レジス
トパターンの部分ヲ細くするフレームメッキ法があるが
前記の難点はやはり残る。
ること、コアパターン形状に基因する反磁界及びノ青タ
ーンメッキに基因する膜厚、組成、結晶構造の不均一性
によって、コアの磁区に乱れが生じ磁気特性が劣化する
という難点がある。これを極力防止するために、レジス
トパターンの部分ヲ細くするフレームメッキ法があるが
前記の難点はやはり残る。
これに対し、前者のエツチング法は膜厚、組成、構造の
均一な膜を得やすく、加工法としてはパターンメッキ法
に帰シ、また、膜堆積手段はメッキの他にスパッタ、蒸
着等が使える利点がおる。ところが、エツチング手段と
して一般的な湿式化学エツチングを用いると、レジスト
下にアンダーエッチが生じ１１μｍという高精度加工に
は不適という難点がある。
均一な膜を得やすく、加工法としてはパターンメッキ法
に帰シ、また、膜堆積手段はメッキの他にスパッタ、蒸
着等が使える利点がおる。ところが、エツチング手段と
して一般的な湿式化学エツチングを用いると、レジスト
下にアンダーエッチが生じ１１μｍという高精度加工に
は不適という難点がある。
そこで、とれに代るエツチング手段としてイオンビーム
エツチング法がある０これはグラズマ発生室で発生さｉ
たプラズマから電界による加速系を通してエツチング室
中にイオンを引き出し、物理的スパッタ現象によってエ
ツチングするものである。
エツチング法がある０これはグラズマ発生室で発生さｉ
たプラズマから電界による加速系を通してエツチング室
中にイオンを引き出し、物理的スパッタ現象によってエ
ツチングするものである。
このイオンビームエツチング法はグラズマ発生室とエツ
チング室が別になっているだめ、エツチング時の温度上
昇が低く、また、エツチング室の真空度をプラズマ室に
比し高くできるため、高精度加工ができる点に特徴があ
る。
チング室が別になっているだめ、エツチング時の温度上
昇が低く、また、エツチング室の真空度をプラズマ室に
比し高くできるため、高精度加工ができる点に特徴があ
る。
上記イオンとしてＡｒを用いると、そのスパッタ率に応
じて殆んど全ての物質をエツチングできることになるが
マスク材料が問題となる。マスク材として最も一般的な
フォトレジストは、エツチングレートが加速電圧６５０
ｖで３５０人／Ｍ程度とパーマロイの４００人／Ｍと同
程度であるため、３μｍ厚のパーマロイをエツチングす
るためには、フォトレジスト厚を少なくとも２．６μｍ
以上にせねばならず、これを±１μｍ精度で製版するこ
とは難しく不適である。
じて殆んど全ての物質をエツチングできることになるが
マスク材料が問題となる。マスク材として最も一般的な
フォトレジストは、エツチングレートが加速電圧６５０
ｖで３５０人／Ｍ程度とパーマロイの４００人／Ｍと同
程度であるため、３μｍ厚のパーマロイをエツチングす
るためには、フォトレジスト厚を少なくとも２．６μｍ
以上にせねばならず、これを±１μｍ精度で製版するこ
とは難しく不適である。
パーマロイをイオンビームエツチングするのに適したマ
スクとしては、ノ々−マロイに比しエツチングレートが
小さいこと、ノ臂−マロイの磁気特性を劣化させないこ
と、エツチング後パーマロイを侵さずに除去できること
の条件を満たす必要かある。これに適する材料として、
たとえばＴ１がある。Ｔ１のＡｒによるエツチングレー
トは加速電圧６５０ｖにおいて１．７０ Ａ ／ Ｍで
あるが、ＡｒにＯ２を混合すると加速電圧６５０ｖにお
いて５０λ／Ｍとなる。
スクとしては、ノ々−マロイに比しエツチングレートが
小さいこと、ノ臂−マロイの磁気特性を劣化させないこ
と、エツチング後パーマロイを侵さずに除去できること
の条件を満たす必要かある。これに適する材料として、
たとえばＴ１がある。Ｔ１のＡｒによるエツチングレー
トは加速電圧６５０ｖにおいて１．７０ Ａ ／ Ｍで
あるが、ＡｒにＯ２を混合すると加速電圧６５０ｖにお
いて５０λ／Ｍとなる。
一方、このときの・ぐ−マロイのエツチングレートけ３
５０人／Ｍ程度であるから、エツチングレート比は％と
なる。したがって、３μｍ厚のノ臂−マロイをエツチン
グするために必要なＴ１膜厚は３μｍＸ−＝＝０．５μ
ｍ となる。実際にはイオンビームによるパーマロイの
表面損傷を防ぐためにＴ１厚は０．７μｍ程度としＴ１
マスクをパーマロイ上に残す必要がある。
５０人／Ｍ程度であるから、エツチングレート比は％と
なる。したがって、３μｍ厚のノ臂−マロイをエツチン
グするために必要なＴ１膜厚は３μｍＸ−＝＝０．５μ
ｍ となる。実際にはイオンビームによるパーマロイの
表面損傷を防ぐためにＴ１厚は０．７μｍ程度としＴ１
マスクをパーマロイ上に残す必要がある。
上記０．７μｍ厚のＴ１をＡｒでエツチングするに資す
る時間は０．７ μｍ ／ （１７０人／Ｍ）＝４１Ｍ
で、必要なフォトレジスト厚は３５０人／ＭＸ４１Ｍ＋
１．５μｍとなり、写真製版において１１μｍの精度を
十分確保できる。また、エツチング終了後、Ｔ１はＣＦ
４ ガスによるプラズマエツチングによりパーマロイを
侵さず除去できる。
る時間は０．７ μｍ ／ （１７０人／Ｍ）＝４１Ｍ
で、必要なフォトレジスト厚は３５０人／ＭＸ４１Ｍ＋
１．５μｍとなり、写真製版において１１μｍの精度を
十分確保できる。また、エツチング終了後、Ｔ１はＣＦ
４ ガスによるプラズマエツチングによりパーマロイを
侵さず除去できる。
以上によシ磁気コアを精度よくエツチングできるが、磁
気コアエツチング後Ｔ１を除去するためにＣＦ４ガスで
プラズマエツチングすると、絶縁層であるポリイミド樹
脂、フォトレジスト等の有機樹脂層もエツチングされ、
コイルか露出するという難点がある。
気コアエツチング後Ｔ１を除去するためにＣＦ４ガスで
プラズマエツチングすると、絶縁層であるポリイミド樹
脂、フォトレジスト等の有機樹脂層もエツチングされ、
コイルか露出するという難点がある。
コイルが露出すると、プラズマエツチング時のスパッタ
効果によりコイルがエツチングされ断線を生じたり、再
付着効果により短絡が生じたシすることがある。またＴ
１を残しておくことは、後工程のＡ１１ｔＯｓ等の非磁
性膜からなる保護層形成時にＴｉ−、−ｆ−マロイの相
互拡散によってコア磁気特性が劣化する原因となるので
除去しなければならない点がある。
効果によりコイルがエツチングされ断線を生じたり、再
付着効果により短絡が生じたシすることがある。またＴ
１を残しておくことは、後工程のＡ１１ｔＯｓ等の非磁
性膜からなる保護層形成時にＴｉ−、−ｆ−マロイの相
互拡散によってコア磁気特性が劣化する原因となるので
除去しなければならない点がある。
この発明は係る欠点を改善するためになされたもので、
Ｔ１マスクをｈｌ、ｏ、−Ｔｉ２［構造マスクにするこ
とによシ、エツチングマスク除去が不要で、かつ高精度
、高性能な磁気コアを得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を
提供するものである。
Ｔ１マスクをｈｌ、ｏ、−Ｔｉ２［構造マスクにするこ
とによシ、エツチングマスク除去が不要で、かつ高精度
、高性能な磁気コアを得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を
提供するものである。
第３図はこの発明の１実施例を示すものであシ、第３図
において、絶縁体基板（１）上に設けたパーマロイ等の
磁性薄膜からなる磁気コア（２）上にＡｌ＊Ｏｓ膜（９
）、Ｔ１膜（１０）が連続スパッタで形成されている。
において、絶縁体基板（１）上に設けたパーマロイ等の
磁性薄膜からなる磁気コア（２）上にＡｌ＊Ｏｓ膜（９
）、Ｔ１膜（１０）が連続スパッタで形成されている。
（１１）はフォトレジストマスクである〇
以下、第４図を参照しながら、この発明のエッチンググ
ロファイルを説明する。まず、前記第３図のように形成
された第４図ａの状態から、フォトレジスト（１１）を
マスクとして、ＡｒでＴ１膜（１０）をエツチングする
（第４図ｂ）。次にフォトレジスト（１１） （前記に
Ａｒでエツチングされているだめ薄くなっている）とＴ
ｉ１ｌ（１０）層マスクとしてＡｒ Ｏを混合ガステ、
ＡｌｔＯｓ膜（９）ヲーｒ−ツチングする。この途中で
７オトレジスト（１１）は完全に消失しＴ１膜（１０）
ｄｉ層マスクして機能する（第４図Ｃ）。次にＴ１膜
（１ｏ ）（Ａｒ ｏ を混合ガスでエツチングされて
いるため薄くなっている）とＡｌ２Ｏ，膜（９）をマス
クとしてＡｒガスでパーマロイ等の磁性薄膜からなる磁
気コア（２）をエツチングする（第４図ｄ）。この途中
でＴ１膜（１ｏ）は消失しＡ１１ｚｏｓ膜（９）がマス
クとして機能する＠この構成において、３μｍ厚のパー
マロイをエツチングする場合、例えばフォトレジスト厚
を１．２μｍ、Ｔｉ膜厚を０．４ μｍ ％ＡｌｔＯｓ
Ａ１ｔＯｓ ６μＪｎＫ選定すれば十分である。この場
合、Ａｒ、Ａｒ ＋Ｏ，にする／”、’ｖＯイ、Ａ１１
ｔＯｓ、Ｔ１、フォトレジストのエツチングレートは下
表の通シである。
ロファイルを説明する。まず、前記第３図のように形成
された第４図ａの状態から、フォトレジスト（１１）を
マスクとして、ＡｒでＴ１膜（１０）をエツチングする
（第４図ｂ）。次にフォトレジスト（１１） （前記に
Ａｒでエツチングされているだめ薄くなっている）とＴ
ｉ１ｌ（１０）層マスクとしてＡｒ Ｏを混合ガステ、
ＡｌｔＯｓ膜（９）ヲーｒ−ツチングする。この途中で
７オトレジスト（１１）は完全に消失しＴ１膜（１０）
ｄｉ層マスクして機能する（第４図Ｃ）。次にＴ１膜
（１ｏ ）（Ａｒ ｏ を混合ガスでエツチングされて
いるため薄くなっている）とＡｌ２Ｏ，膜（９）をマス
クとしてＡｒガスでパーマロイ等の磁性薄膜からなる磁
気コア（２）をエツチングする（第４図ｄ）。この途中
でＴ１膜（１ｏ）は消失しＡ１１ｚｏｓ膜（９）がマス
クとして機能する＠この構成において、３μｍ厚のパー
マロイをエツチングする場合、例えばフォトレジスト厚
を１．２μｍ、Ｔｉ膜厚を０．４ μｍ ％ＡｌｔＯｓ
Ａ１ｔＯｓ ６μＪｎＫ選定すれば十分である。この場
合、Ａｒ、Ａｒ ＋Ｏ，にする／”、’ｖＯイ、Ａ１１
ｔＯｓ、Ｔ１、フォトレジストのエツチングレートは下
表の通シである。
０．４μｍのＴ１膜をＡｒ でエッチするに裂する時間
ｉ２３．５分、このときフォトレジストは０．４μｍ残
っている。ここで、Ａｒ＋０．に切換えてエツチングす
ると、１１分後にフォトレジストが消失し、７５分後に
マスク外のＡＩｔ０３膜が消失する。このとき、Ｔｉ膜
はマスク上に８００人残っている。
ｉ２３．５分、このときフォトレジストは０．４μｍ残
っている。ここで、Ａｒ＋０．に切換えてエツチングす
ると、１１分後にフォトレジストが消失し、７５分後に
マスク外のＡＩｔ０３膜が消失する。このとき、Ｔｉ膜
はマスク上に８００人残っている。
なお、Ａｒ＋Ｏ，でＴ１ 膜がなくなるまで１６分間エ
ツチングを続ける。このとき、パーマロイは０．５６μ
ｍエツチングされている。次ＫＡｒでＡｌ、０３をマス
クとしてパーマロイをエツチングすゐ。切換後６１分で
パーマロイはエツチングされる。このときＡＡ！！０．
は−ぐターン部に０．１１μｍ残っている。
ツチングを続ける。このとき、パーマロイは０．５６μ
ｍエツチングされている。次ＫＡｒでＡｌ、０３をマス
クとしてパーマロイをエツチングすゐ。切換後６１分で
パーマロイはエツチングされる。このときＡＡ！！０．
は−ぐターン部に０．１１μｍ残っている。
この構成ではフォトレジス） （１１） 、 Ｔｔ ｇ
（ｔｏ）はエツチング除去されるので改めて除去する必
要はない。また磁気コア（２）上に残ったＡＡ’ｔｏｓ
膜（９）は次工程でス・ヤツタされるＡｌ１ｔＯｓ保
護層と同材質であるので除去する必要はない。
（ｔｏ）はエツチング除去されるので改めて除去する必
要はない。また磁気コア（２）上に残ったＡＡ’ｔｏｓ
膜（９）は次工程でス・ヤツタされるＡｌ１ｔＯｓ保
護層と同材質であるので除去する必要はない。
上記実施例ではＴｉ −Ａ１２０３（２）層マスクにつ
いて説明したが、Ｔ１をＶ、ｃｒ、ＭＯに、Ａｌｈ”ｓ
をＳ１０．に変えても同様の効果が得られる。まだ、第
１図では磁気銹導型の薄膜磁気ヘッドについて示してい
るが、この発明による方法を磁気抵抗効果型ヘッドの磁
気シールド層のエツチングに適用しても同様の効果があ
る。
いて説明したが、Ｔ１をＶ、ｃｒ、ＭＯに、Ａｌｈ”ｓ
をＳ１０．に変えても同様の効果が得られる。まだ、第
１図では磁気銹導型の薄膜磁気ヘッドについて示してい
るが、この発明による方法を磁気抵抗効果型ヘッドの磁
気シールド層のエツチングに適用しても同様の効果があ
る。
この発明は以上説明したとおシ、マスクをＴｌ−Ａｌｈ
Ｏｓ等の２層構造とすることにより、３μｍ厚程度の・
ぐ−マロイを高精度にエツチングでき、エツチングマス
ク除去が不要で、高精度、高性能な磁気コアを得ること
ができる。また、本方法は−ぞ一マロ’ｆ −Ａｌｌｔ
Ｏｓ 又ハノ”−マロイー５ｉＯｔ等ヲ複数積層した
多層膜（このようにすると渦電流損失が小さくなるとと
もに磁気交換相互作用によシ磁気特性が向上する）エツ
チングにもそのまま適用できるという効果がある。
Ｏｓ等の２層構造とすることにより、３μｍ厚程度の・
ぐ−マロイを高精度にエツチングでき、エツチングマス
ク除去が不要で、高精度、高性能な磁気コアを得ること
ができる。また、本方法は−ぞ一マロ’ｆ −Ａｌｌｔ
Ｏｓ 又ハノ”−マロイー５ｉＯｔ等ヲ複数積層した
多層膜（このようにすると渦電流損失が小さくなるとと
もに磁気交換相互作用によシ磁気特性が向上する）エツ
チングにもそのまま適用できるという効果がある。
第１図は薄膜磁気ヘッドの断面図、第２図はその薄膜磁
気ヘッドの平面図、第３図はこの発明によるマスク構成
を示す断面図、第４図はこの発明によるエツチングプロ
ファイルを示す断面図である。 図において、（１）は絶縁体基板、（２）、（６）は磁
気コア、（３）は磁気ギャップ、（４）は層間絶縁層、
（５）はコイル、（７）はコイル端子、（８）は保護層
、（９）はＡ１１ｔＯｓ膜、（１０）はＴＩＭ、（１１
）はフォトレジストマスクである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
である。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 （＃丘が２名） 第１図 第２図 ま Ｌ？ （ｂ） １ヤ （ｃ） Ｆ （ｄ）１ 図 一仝→ 蜀な 糸、ワ、 ｈンジニ声紀二 寸−４ 山−
気ヘッドの平面図、第３図はこの発明によるマスク構成
を示す断面図、第４図はこの発明によるエツチングプロ
ファイルを示す断面図である。 図において、（１）は絶縁体基板、（２）、（６）は磁
気コア、（３）は磁気ギャップ、（４）は層間絶縁層、
（５）はコイル、（７）はコイル端子、（８）は保護層
、（９）はＡ１１ｔＯｓ膜、（１０）はＴＩＭ、（１１
）はフォトレジストマスクである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
である。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 （＃丘が２名） 第１図 第２図 ま Ｌ？ （ｂ） １ヤ （ｃ） Ｆ （ｄ）１ 図 一仝→ 蜀な 糸、ワ、 ｈンジニ声紀二 寸−４ 山−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フォトレジストマスクを形成後、イオンビームによって
前記フォトレジストマスク外の上記金属膜、非磁性膜、
磁性薄膜及び該フォトレジストマスク、フォトレジスト
マスク下の上記金属膜の全部、非磁性膜の一部をエツチ
ング除去して磁性膜パターンを形成することを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。 （２） 磁性薄膜が磁性薄膜と非磁性膜との多層積層薄
膜よシなることをＩＰ！ｉ徴とする特許請求の範囲第１
項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10513884A JPS60247816A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10513884A JPS60247816A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247816A true JPS60247816A (ja) | 1985-12-07 |
| JPH0320809B2 JPH0320809B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=14399387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10513884A Granted JPS60247816A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247816A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0786805A2 (en) * | 1996-01-26 | 1997-07-30 | Matsushita Electronics Corporation | Method of plasma etching a film made of one of a ferroelectric material, high dielectric constant material or platinum |
| GB2315675A (en) * | 1995-03-16 | 1998-02-11 | Kanebo Ltd | Antibacterial zeolite causing little discoloration and method of the production thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5858283A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Sharp Corp | エツチング方法 |
| JPS5888815A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-27 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP10513884A patent/JPS60247816A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5858283A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Sharp Corp | エツチング方法 |
| JPS5888815A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-27 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2315675A (en) * | 1995-03-16 | 1998-02-11 | Kanebo Ltd | Antibacterial zeolite causing little discoloration and method of the production thereof |
| GB2315675B (en) * | 1995-03-16 | 1999-03-24 | Kanebo Ltd | Antibacterial zeolite exhibiting less discoloring action and a process for the preparation thereof |
| EP0786805A2 (en) * | 1996-01-26 | 1997-07-30 | Matsushita Electronics Corporation | Method of plasma etching a film made of one of a ferroelectric material, high dielectric constant material or platinum |
| EP0786805A3 (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-20 | Matsushita Electronics Corp | |
| US5840200A (en) * | 1996-01-26 | 1998-11-24 | Matsushita Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0320809B2 (ja) | 1991-03-20 |
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