JPH0573843A - 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPH0573843A JPH0573843A JP26145491A JP26145491A JPH0573843A JP H0573843 A JPH0573843 A JP H0573843A JP 26145491 A JP26145491 A JP 26145491A JP 26145491 A JP26145491 A JP 26145491A JP H0573843 A JPH0573843 A JP H0573843A
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- magnetic body
- layer
- substrate
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 非磁性材よりなる突起１２をフロントギャッ
プが構成される位置に対応して基板１上に形成した後、
先端側が上記突起１２の平坦部１２ａに形成されるよう
にして上記基板１上に下層磁性体３を形成する。次に、
上記下層磁性体３上に絶縁層８を介して導体コイル５を
複数層積層した後、この導体コイル５を覆ってレジスト
層１８を形成する。そして、このレジスト層１８を上層
磁性体４の外形形状に応じて露光現像する。 【効果】 導体コイルを積層した場合でも、トラック幅
精度を高精度なものとすることができる。
プが構成される位置に対応して基板１上に形成した後、
先端側が上記突起１２の平坦部１２ａに形成されるよう
にして上記基板１上に下層磁性体３を形成する。次に、
上記下層磁性体３上に絶縁層８を介して導体コイル５を
複数層積層した後、この導体コイル５を覆ってレジスト
層１８を形成する。そして、このレジスト層１８を上層
磁性体４の外形形状に応じて露光現像する。 【効果】 導体コイルを積層した場合でも、トラック幅
精度を高精度なものとすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対し情報信号の書込み或いは読出しをするのに好適な
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
に対し情報信号の書込み或いは読出しをするのに好適な
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドは、磁気回路部
を構成する磁性体膜や導体コイルが真空薄膜形成技術に
より形成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等の
微細寸法化が容易でしかも高分解能記録が可能であると
いう特徴を有しており、高密度記録化に対応した磁気ヘ
ッドとして注目され、実際にビデオテープレコーダやハ
ードディスク・ドライブ装置等に使用されている。
を構成する磁性体膜や導体コイルが真空薄膜形成技術に
より形成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等の
微細寸法化が容易でしかも高分解能記録が可能であると
いう特徴を有しており、高密度記録化に対応した磁気ヘ
ッドとして注目され、実際にビデオテープレコーダやハ
ードディスク・ドライブ装置等に使用されている。
【０００３】通常、この種の薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ2
Ｏ3 −ＴｉＣ等からなる基板上に下地膜を介してフレー
ムメッキによって下層磁性体を形成した後、この上に絶
縁層を介して導体コイルをスパイラル状に形成し、さら
にこの上に絶縁層を介して上層磁性体を積層して磁気回
路部が構成されてなる。
Ｏ3 −ＴｉＣ等からなる基板上に下地膜を介してフレー
ムメッキによって下層磁性体を形成した後、この上に絶
縁層を介して導体コイルをスパイラル状に形成し、さら
にこの上に絶縁層を介して上層磁性体を積層して磁気回
路部が構成されてなる。
【０００４】ところで、ハードディスク・ドライブ装置
においては、３．５インチ，２．５インチ等のようによ
り一層の小型化・大容量化が進められており、これに応
じた高出力の薄膜磁気ヘッドが要求されている。その要
求を満たす手段として、例えば図１１に示すように、基
板５１上に相対向して積層した閉磁路を構成する下層磁
性体５２と上層磁性体５３の間に絶縁層５４を介して導
体コイル５５を何層にも積層してコイルの巻数を増や
し、出力アップを図るようなことが行われている。
においては、３．５インチ，２．５インチ等のようによ
り一層の小型化・大容量化が進められており、これに応
じた高出力の薄膜磁気ヘッドが要求されている。その要
求を満たす手段として、例えば図１１に示すように、基
板５１上に相対向して積層した閉磁路を構成する下層磁
性体５２と上層磁性体５３の間に絶縁層５４を介して導
体コイル５５を何層にも積層してコイルの巻数を増や
し、出力アップを図るようなことが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に導体コイル５５を何層にも積層して巻数を増やすと、
下層磁性体５２から上層磁性体５３の上面までの高さｈ
が単層の導体コイル５５の場合に比べて極めて大きくな
る。このため、上層磁性体５３をフォトリソグラフィー
技術によって作製する際、最上段の導体コイル５５を覆
って設けられるレジスト層（図示は省略する。）の露光
がいわゆる高段差露光となり、トラック幅精度が劣化す
る。
に導体コイル５５を何層にも積層して巻数を増やすと、
下層磁性体５２から上層磁性体５３の上面までの高さｈ
が単層の導体コイル５５の場合に比べて極めて大きくな
る。このため、上層磁性体５３をフォトリソグラフィー
技術によって作製する際、最上段の導体コイル５５を覆
って設けられるレジスト層（図示は省略する。）の露光
がいわゆる高段差露光となり、トラック幅精度が劣化す
る。
【０００６】すなわち、上層磁性体５３のコア形状にパ
ターニングしたフォトマスクをレジスト層に密着させて
露光するが、マスクとレジスト層が密着した部分は略等
しい幅でマスクのパターンがレジスト層に転写されるも
のの、磁気ギャップｇが構成される磁気ギャップ部分で
は上記高さｈのためにその分マスクパターンがぼやけて
しまう。このぼやけ方は、上記高さｈが大きくなればな
る程増大する。したがって、正確なトラック幅を出すこ
とができなくなり、今後益々狭トラック化される薄膜磁
気ヘッドへの要求に対処することが困難となる。また、
導体コイル５５を積層すればする程、磁路長が益々長く
なって出力が低下する。
ターニングしたフォトマスクをレジスト層に密着させて
露光するが、マスクとレジスト層が密着した部分は略等
しい幅でマスクのパターンがレジスト層に転写されるも
のの、磁気ギャップｇが構成される磁気ギャップ部分で
は上記高さｈのためにその分マスクパターンがぼやけて
しまう。このぼやけ方は、上記高さｈが大きくなればな
る程増大する。したがって、正確なトラック幅を出すこ
とができなくなり、今後益々狭トラック化される薄膜磁
気ヘッドへの要求に対処することが困難となる。また、
導体コイル５５を積層すればする程、磁路長が益々長く
なって出力が低下する。
【０００７】そこで本発明は、上述の技術的な課題に鑑
みて提案されたものであって、トラック幅精度に優れ、
且つ磁路長の増加を招くことなく巻数アップできる高出
力の薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とするととも
に、導体コイルの多層化が容易に行える高出力化された
薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とす
る。
みて提案されたものであって、トラック幅精度に優れ、
且つ磁路長の増加を招くことなく巻数アップできる高出
力の薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とするととも
に、導体コイルの多層化が容易に行える高出力化された
薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、基板上に積層される下層磁性体と上層
磁性体が磁気記録媒体との対接面側で所定のギャップ長
を持って対向配置してフロントギャップを構成するとと
もに、バック側で磁気的に接続してバックギャップを構
成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上記基板のフロン
トギャップと対応する位置に非磁性材からなる突起が設
けられ、該突起上に積層される下層磁性体及び上層磁性
体間にフロントギャップが構成されていることを特徴と
するものである。
めに、本発明は、基板上に積層される下層磁性体と上層
磁性体が磁気記録媒体との対接面側で所定のギャップ長
を持って対向配置してフロントギャップを構成するとと
もに、バック側で磁気的に接続してバックギャップを構
成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上記基板のフロン
トギャップと対応する位置に非磁性材からなる突起が設
けられ、該突起上に積層される下層磁性体及び上層磁性
体間にフロントギャップが構成されていることを特徴と
するものである。
【０００９】さらに本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、非磁性材よりなる突起をフロントギャップが構成さ
れる位置に対応して基板上に形成する工程と、先端側が
上記非磁性材よりなる突起上に成膜されるようにして上
記基板上に下層磁性体を形成する工程と、上記下層磁性
体上に絶縁層を介してスパイラル状の導体コイルを複数
層形成する工程と、最上層上にレジスト層を形成し、こ
のレジスト層を上層磁性体の外形形状に応じて露光現像
してフレームを形成する工程と、メッキ及びエッチング
により上記フレーム内に上層磁性体を形成する工程とを
有してなるものである。
は、非磁性材よりなる突起をフロントギャップが構成さ
れる位置に対応して基板上に形成する工程と、先端側が
上記非磁性材よりなる突起上に成膜されるようにして上
記基板上に下層磁性体を形成する工程と、上記下層磁性
体上に絶縁層を介してスパイラル状の導体コイルを複数
層形成する工程と、最上層上にレジスト層を形成し、こ
のレジスト層を上層磁性体の外形形状に応じて露光現像
してフレームを形成する工程と、メッキ及びエッチング
により上記フレーム内に上層磁性体を形成する工程とを
有してなるものである。
【００１０】
【作用】本発明にかかる薄膜磁気ヘッドにおいては、基
板のフロントギャップと対応する位置に非磁性材からな
る突起が設けられているので、フロントギャップ部の下
層磁性体と上層磁性体間の対向距離が短くなり、フロン
トギャップのトラック幅精度が向上する。
板のフロントギャップと対応する位置に非磁性材からな
る突起が設けられているので、フロントギャップ部の下
層磁性体と上層磁性体間の対向距離が短くなり、フロン
トギャップのトラック幅精度が向上する。
【００１１】さらに本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの製
造方法においては、フロントギャップが構成される位置
に対応して基板上に形成した非磁性材よりなる突起の上
に下層磁性体を形成した後、この下層磁性体上に導体コ
イルを複数層形成し、最上層上にレジスト層を形成する
と、フロントギャップ位置の下層磁性体が上記突起の高
さ分だけ持ち上げられ、当該下層磁性体からレジスト層
の表面までの高さが短くなる。
造方法においては、フロントギャップが構成される位置
に対応して基板上に形成した非磁性材よりなる突起の上
に下層磁性体を形成した後、この下層磁性体上に導体コ
イルを複数層形成し、最上層上にレジスト層を形成する
と、フロントギャップ位置の下層磁性体が上記突起の高
さ分だけ持ち上げられ、当該下層磁性体からレジスト層
の表面までの高さが短くなる。
【００１２】次に、上記レジスト層に対して上層磁性体
の外形形状に応じたマスクを用いて露光すると、フロン
トギャップ位置のレジスト層と導体コイル上のレジスト
層間の高さが小さくなっていることから、パターンぼけ
することなくマスクパターンが正確に転写される。この
後、現像を行えばトラック幅精度の高い薄膜磁気ヘッド
が作製される。
の外形形状に応じたマスクを用いて露光すると、フロン
トギャップ位置のレジスト層と導体コイル上のレジスト
層間の高さが小さくなっていることから、パターンぼけ
することなくマスクパターンが正確に転写される。この
後、現像を行えばトラック幅精度の高い薄膜磁気ヘッド
が作製される。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の薄
膜磁気ヘッドにおいては、図１に示すように、基板１上
にＡｌ2 Ｏ3 層２を介して閉磁路を構成する下層磁性体
３と上層磁性体４とが積層され、これら下層磁性体３と
上層磁性体４の磁気的結合部を取り囲むようにしてスパ
イラル状の導体コイル５が上記下層磁性体３と上層磁性
体４間に設けられている。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の薄
膜磁気ヘッドにおいては、図１に示すように、基板１上
にＡｌ2 Ｏ3 層２を介して閉磁路を構成する下層磁性体
３と上層磁性体４とが積層され、これら下層磁性体３と
上層磁性体４の磁気的結合部を取り囲むようにしてスパ
イラル状の導体コイル５が上記下層磁性体３と上層磁性
体４間に設けられている。
【００１４】上記基板１には、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｃやチタン酸カリウム等のセラミックス、結晶化ガラ
ス、或いは非磁性のフェライト等が使用される。通常、
この種の基板１には、その表面にＡｌ2 Ｏ3 をスパッタ
リングした後、平面研磨してなるＡｌ2 Ｏ3 層２が形成
される。Ａｌ2 Ｏ3 層２を形成する理由としては、基板
１の表面性の確保及びこの上に形成される下層磁性体３
との絶縁性を確保するためである。また、特に本実施例
の薄膜磁気ヘッドのように、基板１上に後述するグレー
ズドガラス等の非磁性材よりなる突起を形成することか
ら、基板表面とグレーズドガラスが反応しないように防
止するためのものでもある。例えば、非磁性のフェライ
トよりなる基板１の上に直接グレーズドガラスを形成す
ると、グレーズドガラスとフェライトが反応し、ガラス
の発泡が生じ基板１の表面性が損なわれる。
Ｃやチタン酸カリウム等のセラミックス、結晶化ガラ
ス、或いは非磁性のフェライト等が使用される。通常、
この種の基板１には、その表面にＡｌ2 Ｏ3 をスパッタ
リングした後、平面研磨してなるＡｌ2 Ｏ3 層２が形成
される。Ａｌ2 Ｏ3 層２を形成する理由としては、基板
１の表面性の確保及びこの上に形成される下層磁性体３
との絶縁性を確保するためである。また、特に本実施例
の薄膜磁気ヘッドのように、基板１上に後述するグレー
ズドガラス等の非磁性材よりなる突起を形成することか
ら、基板表面とグレーズドガラスが反応しないように防
止するためのものでもある。例えば、非磁性のフェライ
トよりなる基板１の上に直接グレーズドガラスを形成す
ると、グレーズドガラスとフェライトが反応し、ガラス
の発泡が生じ基板１の表面性が損なわれる。
【００１５】上記基板１上に形成される下層磁性体３
は、上層磁性体４とによって閉磁路を構成するもので、
上記Ａｌ2 Ｏ3 層２上にメッキ下地膜６を介してフレー
ムメッキによりトラック幅方向に対して略直交する方
向、すなわち磁気ギャップｇのデプス方向に沿って形成
されている。この下層磁性体３には、高飽和磁束密度を
有し且つ軟磁気特性に優れた強磁性材料が使用される。
は、上層磁性体４とによって閉磁路を構成するもので、
上記Ａｌ2 Ｏ3 層２上にメッキ下地膜６を介してフレー
ムメッキによりトラック幅方向に対して略直交する方
向、すなわち磁気ギャップｇのデプス方向に沿って形成
されている。この下層磁性体３には、高飽和磁束密度を
有し且つ軟磁気特性に優れた強磁性材料が使用される。
【００１６】かかる強磁性材料としては、例えばＮｉ−
Ｆｅ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合
金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合
金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金等の強磁性金属材
料、或いはＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、さらには上記Ｆｅ
−Ｇａ−Ｓｉ系合金の耐蝕性や耐摩耗性の一層の向上を
図るために、Ｆｅ，Ｇａ，Ｃｏ，（Ｆｅの一部をＣｏで
置換したものを含む。），Ｓｉを基本組成とする合金
に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，
Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈ
ｆ，Ｖの少なくとも一種を添加したものであってもよ
い。ただし、通常は磁区のコントロールが容易な材料、
例えばＮｉ−Ｆｅ系合金が使用される。
Ｆｅ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合
金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合
金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金等の強磁性金属材
料、或いはＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、さらには上記Ｆｅ
−Ｇａ−Ｓｉ系合金の耐蝕性や耐摩耗性の一層の向上を
図るために、Ｆｅ，Ｇａ，Ｃｏ，（Ｆｅの一部をＣｏで
置換したものを含む。），Ｓｉを基本組成とする合金
に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，
Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈ
ｆ，Ｖの少なくとも一種を添加したものであってもよ
い。ただし、通常は磁区のコントロールが容易な材料、
例えばＮｉ−Ｆｅ系合金が使用される。
【００１７】上記下層磁性体３上には、上層磁性体４と
の磁気的結合部７を取り囲むようにしてスパイラル状の
導体コイル５が順次絶縁層８を介して複数層形成されて
いる。このように、導体コイル５を何層にも積層すれ
ば、コイルの巻線の増加により出力がアップする。本実
施例では、導体コイル５を３層とした。
の磁気的結合部７を取り囲むようにしてスパイラル状の
導体コイル５が順次絶縁層８を介して複数層形成されて
いる。このように、導体コイル５を何層にも積層すれ
ば、コイルの巻線の増加により出力がアップする。本実
施例では、導体コイル５を３層とした。
【００１８】そして、最上層の導体コイル５を埋め込む
形で設けられる絶縁層８上には、上記下層磁性体３と共
働して磁気回路部を構成する上層磁性体４が形成されて
いる。上層磁性体４は、導体コイル５をその中央部に挾
み込むような形で設けられ、磁気記録媒体との対接面、
すなわちＡＢＳ（エア・ベアリング・サーフェス）面９
側でギャップ膜１０を介して下層磁性体３と接続してフ
ロントギャップｇを構成するとともに、スパイラル状の
導体コイル５の中央部で下層磁性体３と磁気的に結合し
てバックギャップを構成するようになっている。なお、
上層磁性体４の上には、磁気回路部を保護し磁気記録媒
体に対する当たりを確保するための保護膜層１１が設け
られている。
形で設けられる絶縁層８上には、上記下層磁性体３と共
働して磁気回路部を構成する上層磁性体４が形成されて
いる。上層磁性体４は、導体コイル５をその中央部に挾
み込むような形で設けられ、磁気記録媒体との対接面、
すなわちＡＢＳ（エア・ベアリング・サーフェス）面９
側でギャップ膜１０を介して下層磁性体３と接続してフ
ロントギャップｇを構成するとともに、スパイラル状の
導体コイル５の中央部で下層磁性体３と磁気的に結合し
てバックギャップを構成するようになっている。なお、
上層磁性体４の上には、磁気回路部を保護し磁気記録媒
体に対する当たりを確保するための保護膜層１１が設け
られている。
【００１９】そして特に、本実施例の薄膜磁気ヘッドに
おいては、フロントギャップｇが構成される位置に非磁
性材よりなる突起１２が設けられ、この突起１２によっ
て上記フロントギャップ位置が基板１より離れた位置に
設けられるようになっている。上記突起１２は、その一
部がＡＢＳ面９に臨むようにして上記フロントギャップ
ｇが設けられる位置のＡｌ2 Ｏ3 層２と下層磁性体３間
に設けられ、その表面が平坦化された平坦部１２ａ上に
フロントギャップｇを構成するようになっている。この
突起１２は、磁気記録媒体との対接面であるＡＢＳ面９
に臨んで設けられることから、耐摩耗性に優れ、且つ磁
気記録媒体と摺接したときにガス等の発生が生じないよ
うな材料であることが望ましい。なお、上記突起１２に
下層磁性体３や上層磁性体４と同程度の高度を有する材
料を使用すれば、上記ＡＢＳ面９の均一な摩耗が望め
る。例えば、グレーズドガラス等が好適である。
おいては、フロントギャップｇが構成される位置に非磁
性材よりなる突起１２が設けられ、この突起１２によっ
て上記フロントギャップ位置が基板１より離れた位置に
設けられるようになっている。上記突起１２は、その一
部がＡＢＳ面９に臨むようにして上記フロントギャップ
ｇが設けられる位置のＡｌ2 Ｏ3 層２と下層磁性体３間
に設けられ、その表面が平坦化された平坦部１２ａ上に
フロントギャップｇを構成するようになっている。この
突起１２は、磁気記録媒体との対接面であるＡＢＳ面９
に臨んで設けられることから、耐摩耗性に優れ、且つ磁
気記録媒体と摺接したときにガス等の発生が生じないよ
うな材料であることが望ましい。なお、上記突起１２に
下層磁性体３や上層磁性体４と同程度の高度を有する材
料を使用すれば、上記ＡＢＳ面９の均一な摩耗が望め
る。例えば、グレーズドガラス等が好適である。
【００２０】上述のように構成された薄膜磁気ヘッドに
おいては、上記非磁性材よりなる突起１２によってフロ
ントギャップｇ位置が基板１よりも上方に持ち上げられ
るため、下層磁性体３から上層磁性体４の上面までの高
さｈが小さなものとなる。これにより、導体コイル５を
何層にも積層した場合でもフロントギャップｇのトラッ
ク幅精度が向上する。
おいては、上記非磁性材よりなる突起１２によってフロ
ントギャップｇ位置が基板１よりも上方に持ち上げられ
るため、下層磁性体３から上層磁性体４の上面までの高
さｈが小さなものとなる。これにより、導体コイル５を
何層にも積層した場合でもフロントギャップｇのトラッ
ク幅精度が向上する。
【００２１】ところで、上述の薄膜磁気ヘッドを作製す
るには、次のようにして行う。先ず、図２に示すよう
に、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等よりなる基板１上に当該基板
１の表面性等を確保するために、Ａｌ2 Ｏ3 をスパッタ
リング等によって被着する。そして、このＡｌ2 Ｏ3 を
平面研磨して研磨後の厚みが２０〜３０μｍ程度とす
る。
るには、次のようにして行う。先ず、図２に示すよう
に、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等よりなる基板１上に当該基板
１の表面性等を確保するために、Ａｌ2 Ｏ3 をスパッタ
リング等によって被着する。そして、このＡｌ2 Ｏ3 を
平面研磨して研磨後の厚みが２０〜３０μｍ程度とす
る。
【００２２】この結果、表面が平滑化されたＡｌ2 Ｏ3
層２が形成される。
層２が形成される。
【００２３】次に、フロントギャップｇが構成される位
置に対応して上記Ａｌ2 Ｏ3 層２の上にスクリーン印刷
等によってトラック幅方向に沿ってライン状にグレーズ
ドガラス１３を塗布し焼成する。このときのグレーズド
ガラスの塗布厚は、導体コイル５の積層数に応じて決め
られ、例えば本例では導体コイル５の積層数を３層とす
るためその塗布厚を３０μｍ程度としている。なお、上
記グレーズドガラス１３は、例えば図３に示すように、
作製する薄膜磁気ヘッドの数に応じてそれぞれ独立に形
成するようにしても構わない。或いは、２つの薄膜磁気
ヘッドに対して一つのグレーズドガラス１３が対応する
ようにしてもよい。特に、この場合には、隣り合うグレ
ーズドガラス１３，１３間の隙間１４が後述の工程で行
われるレジストを流す際の逃げ道となる。
置に対応して上記Ａｌ2 Ｏ3 層２の上にスクリーン印刷
等によってトラック幅方向に沿ってライン状にグレーズ
ドガラス１３を塗布し焼成する。このときのグレーズド
ガラスの塗布厚は、導体コイル５の積層数に応じて決め
られ、例えば本例では導体コイル５の積層数を３層とす
るためその塗布厚を３０μｍ程度としている。なお、上
記グレーズドガラス１３は、例えば図３に示すように、
作製する薄膜磁気ヘッドの数に応じてそれぞれ独立に形
成するようにしても構わない。或いは、２つの薄膜磁気
ヘッドに対して一つのグレーズドガラス１３が対応する
ようにしてもよい。特に、この場合には、隣り合うグレ
ーズドガラス１３，１３間の隙間１４が後述の工程で行
われるレジストを流す際の逃げ道となる。
【００２４】次いで、上記グレーズドガラス１３の表面
の平坦度を出すために、図４に示すように、このグレー
ズドガラス１３を平面研磨する。平面研磨は、その研磨
された表面の平坦部１２ａの長さが少なくともフロント
ギャップｇのデプスよりも長くなるように行う。具体的
には、グレーズドガラス１３の厚みを１０〜３０μｍ程
度とする。本実施例では、研磨後のグレーズドガラス１
３の厚みを２０μｍとした。
の平坦度を出すために、図４に示すように、このグレー
ズドガラス１３を平面研磨する。平面研磨は、その研磨
された表面の平坦部１２ａの長さが少なくともフロント
ギャップｇのデプスよりも長くなるように行う。具体的
には、グレーズドガラス１３の厚みを１０〜３０μｍ程
度とする。本実施例では、研磨後のグレーズドガラス１
３の厚みを２０μｍとした。
【００２５】この結果、表面が平坦化された平坦部１２
ａを有してなる突起１２が形成される。
ａを有してなる突起１２が形成される。
【００２６】次に、図５及び図６に示すように、上記Ａ
ｌ2 Ｏ3層２上にメッキ下地膜６を形成した後、このメ
ッキ下地膜６の上に下層磁性体３のコア形状に応じてレ
ジストよりなるフレーム１５をフォトリソグラフィー技
術により形成する。このとき、フレーム１５は、後に形
成される下層磁性体３の突起１２の平坦部１２ａ上に積
層されるコア長さが少なくとも完成後のフロントギャッ
プｇのデプスよりも長くなるように形成する。
ｌ2 Ｏ3層２上にメッキ下地膜６を形成した後、このメ
ッキ下地膜６の上に下層磁性体３のコア形状に応じてレ
ジストよりなるフレーム１５をフォトリソグラフィー技
術により形成する。このとき、フレーム１５は、後に形
成される下層磁性体３の突起１２の平坦部１２ａ上に積
層されるコア長さが少なくとも完成後のフロントギャッ
プｇのデプスよりも長くなるように形成する。
【００２７】次いで、上記フレーム１５部分を除いてメ
ッキ下地膜６全面に亘ってパーマロイ１６をメッキす
る。なお、ここでのメッキ条件は、従来よりこの種の分
野で行われている条件が適用でき、特に限定されるもの
ではない。
ッキ下地膜６全面に亘ってパーマロイ１６をメッキす
る。なお、ここでのメッキ条件は、従来よりこの種の分
野で行われている条件が適用でき、特に限定されるもの
ではない。
【００２８】次に、上記フレーム１５で囲まれたパーマ
ロイ１６を覆ってレジストを塗布した後、湿式エッチン
グを施して上記フレーム１５外のパーマロイ１６を除去
する。この結果、図７に示すように、先端側が上記突起
１２の平坦部１２ａに積層された下層磁性体３が形成さ
れる。
ロイ１６を覆ってレジストを塗布した後、湿式エッチン
グを施して上記フレーム１５外のパーマロイ１６を除去
する。この結果、図７に示すように、先端側が上記突起
１２の平坦部１２ａに積層された下層磁性体３が形成さ
れる。
【００２９】そして、図８に示すように、上記下層磁性
体３上に絶縁層８を介してスパイラル状の導体コイル５
を複数層形成する。すなわち、下層磁性体３の上に形成
された絶縁層８上に導体コイル５、絶縁層８、導体コイ
ル５、絶縁層８、導体コイル５、絶縁層８と順番に繰り
返して導体コイル５を３層に形成する。
体３上に絶縁層８を介してスパイラル状の導体コイル５
を複数層形成する。すなわち、下層磁性体３の上に形成
された絶縁層８上に導体コイル５、絶縁層８、導体コイ
ル５、絶縁層８、導体コイル５、絶縁層８と順番に繰り
返して導体コイル５を３層に形成する。
【００３０】次に、フロントギャップｇ位置の下層磁性
体３上にギャップ膜１０を成膜した後、上記導体コイル
５を覆って設けられる最上層の絶縁層８上に上層磁性体
４を形成するためのパーマロイ或いはクロムを含有した
パーマロイをスパッタリングしてメッキ下地膜１７を形
成する。そしてさらに、このメッキ下地膜１７上にレジ
ストをスピンナー等の手法を用いて均一に塗布し、所定
厚のレジスト層１８を形成する。
体３上にギャップ膜１０を成膜した後、上記導体コイル
５を覆って設けられる最上層の絶縁層８上に上層磁性体
４を形成するためのパーマロイ或いはクロムを含有した
パーマロイをスパッタリングしてメッキ下地膜１７を形
成する。そしてさらに、このメッキ下地膜１７上にレジ
ストをスピンナー等の手法を用いて均一に塗布し、所定
厚のレジスト層１８を形成する。
【００３１】次いで、上記上層磁性体４の外形形状、つ
まりコア形状に応じて形成されたフォトマスクを用いて
上記レジスト層１８を露光する。露光は、例えば図９に
示すように、フォトマスク１９をレジスト層１８に直接
接触させて行うコンタクト方式、或いは図１０に示すよ
うに、フォトマスク１９をレジスト層１８に対して所定
距離離してフォトマスク１９から離れた面に焦点を結ぶ
ミラープロジェクション方式のどちらでもよい。なお、
図９及び図１０は、露光状態を理解しやすいものとする
ために、本実施例のマスクパターンとは異なるものと
し、当該フォトマスクパターンを断面矩形状のものとし
て示す。
まりコア形状に応じて形成されたフォトマスクを用いて
上記レジスト層１８を露光する。露光は、例えば図９に
示すように、フォトマスク１９をレジスト層１８に直接
接触させて行うコンタクト方式、或いは図１０に示すよ
うに、フォトマスク１９をレジスト層１８に対して所定
距離離してフォトマスク１９から離れた面に焦点を結ぶ
ミラープロジェクション方式のどちらでもよい。なお、
図９及び図１０は、露光状態を理解しやすいものとする
ために、本実施例のマスクパターンとは異なるものと
し、当該フォトマスクパターンを断面矩形状のものとし
て示す。
【００３２】このとき、フロントギャップｇが構成され
る部分では、非磁性材よりなる突起１２によって下層磁
性体３が基板１より上方に持ち上げられているので、メ
ッキ下地膜１７表面と下層磁性体３表面までの距離ｈ1
が小さなものとなっている。したがって、コンタクト方
式によって露光を行った場合には、フォトマスク１９が
直接レジスト層１８に接触している部分はもちろんのこ
と、フロントギャップｇが構成される部分でもフォトマ
スク１９のパターンが正確に転写される。なお、フロン
トギャップｇにおける段差ｈ2 が大きい場合には、図９
中点線で示すように露光がぼやけ、フォトマスク１９の
パターン幅Ｗが小さなものとなり正確なパターンが転写
されない。同様に、ミラープロジェクション方式の場合
にも、フロントギャップｇが構成される部分はフォトマ
スク１９のパターンが正確に転写される。しかし、フロ
ントギャップｇにおける段差ｈ2 が大きい場合には、図
１０中点線で示すように露光がぼやけてしまう。
る部分では、非磁性材よりなる突起１２によって下層磁
性体３が基板１より上方に持ち上げられているので、メ
ッキ下地膜１７表面と下層磁性体３表面までの距離ｈ1
が小さなものとなっている。したがって、コンタクト方
式によって露光を行った場合には、フォトマスク１９が
直接レジスト層１８に接触している部分はもちろんのこ
と、フロントギャップｇが構成される部分でもフォトマ
スク１９のパターンが正確に転写される。なお、フロン
トギャップｇにおける段差ｈ2 が大きい場合には、図９
中点線で示すように露光がぼやけ、フォトマスク１９の
パターン幅Ｗが小さなものとなり正確なパターンが転写
されない。同様に、ミラープロジェクション方式の場合
にも、フロントギャップｇが構成される部分はフォトマ
スク１９のパターンが正確に転写される。しかし、フロ
ントギャップｇにおける段差ｈ2 が大きい場合には、図
１０中点線で示すように露光がぼやけてしまう。
【００３３】次いで、上記レジスト層１８を現像する。
この結果、フォトマスク１９のパターンに応じた正確な
フレームが形成される。次に、このレジスト層１８より
なるフレーム部を除いてパーマロイをメッキし、当該パ
ーマロイを覆ってレジストを塗布した後、湿式エッチン
グを施して上記フレーム外のパーマロイを除去する。
この結果、フォトマスク１９のパターンに応じた正確な
フレームが形成される。次に、このレジスト層１８より
なるフレーム部を除いてパーマロイをメッキし、当該パ
ーマロイを覆ってレジストを塗布した後、湿式エッチン
グを施して上記フレーム外のパーマロイを除去する。
【００３４】この結果、図１に示すように、上層磁性体
４が導体コイル５の中央部で下層磁性体３と磁気的に結
合してバックギャップを構成するとともに、上記突起１
２の平坦部１２ａ上に積層される下層磁性体３に対して
ギャップ膜１０を介して接続されて作動ギャップとして
動作するフロントギャップｇが構成される。そして最後
に、上記下層磁性体３、導体コイル５、上層磁性体４よ
りなる磁気回路部を覆って保護膜層１１を設け、当該磁
気回路部を保護することで本実施例にかかる薄膜磁気ヘ
ッドが作製される。
４が導体コイル５の中央部で下層磁性体３と磁気的に結
合してバックギャップを構成するとともに、上記突起１
２の平坦部１２ａ上に積層される下層磁性体３に対して
ギャップ膜１０を介して接続されて作動ギャップとして
動作するフロントギャップｇが構成される。そして最後
に、上記下層磁性体３、導体コイル５、上層磁性体４よ
りなる磁気回路部を覆って保護膜層１１を設け、当該磁
気回路部を保護することで本実施例にかかる薄膜磁気ヘ
ッドが作製される。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の薄膜磁気ヘッドによれば、基板のフロントギャップ
と対応する位置に非磁性材からなる突起を設けているの
で、フロントギャップ部の下層磁性体と上層磁性体間の
対向距離を短くすることができ、当該フロントギャップ
部のトラック幅精度を向上させることができる。
明の薄膜磁気ヘッドによれば、基板のフロントギャップ
と対応する位置に非磁性材からなる突起を設けているの
で、フロントギャップ部の下層磁性体と上層磁性体間の
対向距離を短くすることができ、当該フロントギャップ
部のトラック幅精度を向上させることができる。
【００３６】一方、本発明の方法によれば、基板に設け
た非磁性材よりなる突起によって、上層磁性体を形成す
る際のフロントギャップ位置でのレジスト層と最上層の
レジスト層間の高さを小さくしているため、パターンぼ
けすることなくマスクパターンを正確に転写することが
でき、トラック幅精度の高い薄膜磁気ヘッドを作製する
ことができる。
た非磁性材よりなる突起によって、上層磁性体を形成す
る際のフロントギャップ位置でのレジスト層と最上層の
レジスト層間の高さを小さくしているため、パターンぼ
けすることなくマスクパターンを正確に転写することが
でき、トラック幅精度の高い薄膜磁気ヘッドを作製する
ことができる。
【図１】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一例を示す
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図２】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの製造方法を
順次示すもので、非磁性材よりなる突起形成工程を示す
斜視図である。
順次示すもので、非磁性材よりなる突起形成工程を示す
斜視図である。
【図３】突起形成工程の他の例を示す斜視図である。
【図４】突起の平坦化工程を示す断面図である。
【図５】メッキ工程を示す断面図である。
【図６】メッキ工程を示す平面図である。
【図７】下層磁性体形成工程を示す断面図である。
【図８】レジスト層形成工程を示す断面図である。
【図９】コンタクト方式による露光状態を示す模式図で
ある。
ある。
【図１０】ミラープロジェクション方式による露光状態
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
１・・・基板 ２・・・Ａｌ2 Ｏ3 層 ３・・・下層磁性体 ４・・・上層磁性体 ５・・・導体コイル １２・・・非磁性材よりなる突起
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に積層される下層磁性体と上層磁
性体が磁気記録媒体との対接面側で所定のギャップ長を
持って対向配置してフロントギャップを構成するととも
に、バック側で磁気的に接続してバックギャップを構成
してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記基板のフロントギャップと対応する位置に非磁性材
からなる突起が設けられ、該突起上に積層される下層磁
性体及び上層磁性体間にフロントギャップが構成されて
いることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 非磁性材よりなる突起をフロントギャッ
プが構成される位置に対応して基板上に形成する工程
と、 先端側が上記非磁性材よりなる突起上に成膜されるよう
にして上記基板上に下層磁性体を形成する工程と、 上記下層磁性体上に絶縁層を介してスパイラル状の導体
コイルを複数層形成する工程と、 最上層上にレジスト層を形成し、このレジスト層を上層
磁性体の外形形状に応じて露光現像してフレームを形成
する工程と、 メッキ及びエッチングにより上記フレーム内に上層磁性
体を形成する工程とを有してなる薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26145491A JPH0573843A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26145491A JPH0573843A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573843A true JPH0573843A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17362121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26145491A Withdrawn JPH0573843A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0573843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6109973A (en) * | 1999-07-08 | 2000-08-29 | Yazaki North America, Inc. | Electrical connector with combined terminal retainer and circuit component |
| US7428776B2 (en) * | 2001-05-21 | 2008-09-30 | Sony Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP26145491A patent/JPH0573843A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6109973A (en) * | 1999-07-08 | 2000-08-29 | Yazaki North America, Inc. | Electrical connector with combined terminal retainer and circuit component |
| US7428776B2 (en) * | 2001-05-21 | 2008-09-30 | Sony Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |