JPH05334624A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH05334624A JPH05334624A JP16394792A JP16394792A JPH05334624A JP H05334624 A JPH05334624 A JP H05334624A JP 16394792 A JP16394792 A JP 16394792A JP 16394792 A JP16394792 A JP 16394792A JP H05334624 A JPH05334624 A JP H05334624A
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- film
- magnetic film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気コアの端面が疑似ギャップとして機能す
るのを防止し、記録再生特性の向上を図る。 【構成】 基板上に下部磁性膜７と上部磁性膜８が積層
形成されて磁気回路部が構成される。上記下部磁性膜７
と上部磁性膜８は、磁気記録媒体との対向面（ＡＢＳ面
２ａ）近傍でギャップ材１０を挟んで対向配置され、磁
気ギャップｇ1 を構成する。ここで、上記ＡＢＳ面２ａ
に臨む上部磁性膜７及び上部磁性膜８の端面は、上記ギ
ャップ材１０と接する面（ギャップ形成面７ａ，８ａ）
と対向する面の端部が上記フロントギャップｇ1 と非平
行となるような形状となされている。このように端面の
形状を制御する方法としては、上記下部磁性膜７及び上
部磁性膜８の成膜後、上記ＡＢＳ面側より所定のパター
ンに上記下部磁性膜７と上部磁性膜８をエッチングする
方法がある。
るのを防止し、記録再生特性の向上を図る。 【構成】 基板上に下部磁性膜７と上部磁性膜８が積層
形成されて磁気回路部が構成される。上記下部磁性膜７
と上部磁性膜８は、磁気記録媒体との対向面（ＡＢＳ面
２ａ）近傍でギャップ材１０を挟んで対向配置され、磁
気ギャップｇ1 を構成する。ここで、上記ＡＢＳ面２ａ
に臨む上部磁性膜７及び上部磁性膜８の端面は、上記ギ
ャップ材１０と接する面（ギャップ形成面７ａ，８ａ）
と対向する面の端部が上記フロントギャップｇ1 と非平
行となるような形状となされている。このように端面の
形状を制御する方法としては、上記下部磁性膜７及び上
部磁性膜８の成膜後、上記ＡＢＳ面側より所定のパター
ンに上記下部磁性膜７と上部磁性膜８をエッチングする
方法がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
等の磁気記録媒体に情報を書込み或いは読出しをするの
に好適な薄膜磁気ヘッドに関し、特に磁気コアのコア形
状の改良に関する。
等の磁気記録媒体に情報を書込み或いは読出しをするの
に好適な薄膜磁気ヘッドに関し、特に磁気コアのコア形
状の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドは、磁気回路部
を構成する磁性膜や導体コイルが真空薄膜形成技術によ
り形成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等の微
細寸法化が容易であり、しかも高分解能記録が可能であ
るという特徴を有しており、高密度記録化に対応した磁
気ヘッドとして注目されている。
を構成する磁性膜や導体コイルが真空薄膜形成技術によ
り形成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等の微
細寸法化が容易であり、しかも高分解能記録が可能であ
るという特徴を有しており、高密度記録化に対応した磁
気ヘッドとして注目されている。
【０００３】かかる薄膜磁気ヘッドにおいては、通常、
下部磁性膜上に絶縁膜を介して単層又は複数層の導体コ
イルが積層形成され、更にこの導体コイル上に絶縁膜を
介して上部磁性膜が形成されて磁気回路部が構成され
る。
下部磁性膜上に絶縁膜を介して単層又は複数層の導体コ
イルが積層形成され、更にこの導体コイル上に絶縁膜を
介して上部磁性膜が形成されて磁気回路部が構成され
る。
【０００４】上記下部磁性膜と上部磁性膜は、上記薄膜
磁気ヘッドの磁気記録媒体との対向面側において微小間
隔をもって互いに平行に対向配置され、一対の磁気コア
となって磁気ギャップを形成する。
磁気ヘッドの磁気記録媒体との対向面側において微小間
隔をもって互いに平行に対向配置され、一対の磁気コア
となって磁気ギャップを形成する。
【０００５】ところが、これら下部磁性膜と上部磁性膜
は、一般に断面矩形状とされるので、該下部磁性膜及び
上部磁性膜のギャップ形成面（磁気ギャップ部に臨む
面）と反対側の面の上記磁気記録媒体との対向面に臨む
端部は、磁気ギャップ部に対して平行となる。このため
に、上記ギャップ形成面と反対側の面の端部が疑似ギャ
ップとして機能し、この端部で読み取られた信号が本来
の読み取り信号と合成されることがある。この結果、再
生波形において本来現れるべき位置から若干ズレた位置
にピークが現れ（ピークシフトが起こり）、エラーレー
トが増加するという問題が生じる。
は、一般に断面矩形状とされるので、該下部磁性膜及び
上部磁性膜のギャップ形成面（磁気ギャップ部に臨む
面）と反対側の面の上記磁気記録媒体との対向面に臨む
端部は、磁気ギャップ部に対して平行となる。このため
に、上記ギャップ形成面と反対側の面の端部が疑似ギャ
ップとして機能し、この端部で読み取られた信号が本来
の読み取り信号と合成されることがある。この結果、再
生波形において本来現れるべき位置から若干ズレた位置
にピークが現れ（ピークシフトが起こり）、エラーレー
トが増加するという問題が生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、上述
の従来の実情に鑑みて提案されたものであり、磁気コア
の端面が疑似ギャップとして機能するのを防止し、記録
再生特性の向上を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
の従来の実情に鑑みて提案されたものであり、磁気コア
の端面が疑似ギャップとして機能するのを防止し、記録
再生特性の向上を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものである。即ち、本発明
は、基板上に下部磁性膜と上部磁性膜とが積層され、こ
れら下部磁性膜と上部磁性膜が磁気記録媒体との対向面
に臨んで絶縁膜を介して平行に対向配置されて磁気ギャ
ップが構成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上記下
部磁性膜と上部磁性膜の磁気ギャップ形成面と対向する
面の端部がそれぞれ上記磁気ギャップと非平行であるこ
とを特徴とするものである。
達成するために提案されたものである。即ち、本発明
は、基板上に下部磁性膜と上部磁性膜とが積層され、こ
れら下部磁性膜と上部磁性膜が磁気記録媒体との対向面
に臨んで絶縁膜を介して平行に対向配置されて磁気ギャ
ップが構成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上記下
部磁性膜と上部磁性膜の磁気ギャップ形成面と対向する
面の端部がそれぞれ上記磁気ギャップと非平行であるこ
とを特徴とするものである。
【０００８】また、本発明は、基板上に所定のパターン
で形成された下部磁性膜の表面を覆って絶縁膜を形成し
た後、この絶縁膜を介して上記下部磁性膜上に上部磁性
膜を形成し、次いで、磁気記録媒体との対向面側より上
記下部磁性膜と上部磁性膜をエッチングしてこれら下部
磁性膜と上部磁性膜の磁気ギャップ形成面と対向する面
の端部を磁気ギャップと非平行にすることを特徴とする
ものである。
で形成された下部磁性膜の表面を覆って絶縁膜を形成し
た後、この絶縁膜を介して上記下部磁性膜上に上部磁性
膜を形成し、次いで、磁気記録媒体との対向面側より上
記下部磁性膜と上部磁性膜をエッチングしてこれら下部
磁性膜と上部磁性膜の磁気ギャップ形成面と対向する面
の端部を磁気ギャップと非平行にすることを特徴とする
ものである。
【０００９】
【作用】基板上に積層されて磁気回路部を構成する下部
磁性膜と上部磁性膜は、磁気記録媒体との対向面に臨ん
で絶縁膜を介して互いに平行に対向配置されて磁気ギャ
ップを構成する。これら下部磁性膜と上部磁性膜の磁気
ギャップ形成面と対向する面の端部を上記磁気ギャップ
と非平行となるように形成することにより、前記端部が
そのエッジ効果により疑似ギャップとして作用すること
がなくなり、記録再生特性の劣化が防止される。
磁性膜と上部磁性膜は、磁気記録媒体との対向面に臨ん
で絶縁膜を介して互いに平行に対向配置されて磁気ギャ
ップを構成する。これら下部磁性膜と上部磁性膜の磁気
ギャップ形成面と対向する面の端部を上記磁気ギャップ
と非平行となるように形成することにより、前記端部が
そのエッジ効果により疑似ギャップとして作用すること
がなくなり、記録再生特性の劣化が防止される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について実験結
果にもとづき説明する。本実施例の薄膜磁気ヘッドは、
ハードディスクに対して記録再生する浮上型の磁気ヘッ
ド装置に適用した例である。この磁気ヘッド装置におい
ては、図１に示すように、スライダ２の一側面２ｃに、
磁気ギャップ部がハードディスクとの対向面（エア・ベ
アリング・サーフェス面，ＡＢＳ面）２ａに臨むように
して薄膜磁気ヘッド１が設けられてなる。
果にもとづき説明する。本実施例の薄膜磁気ヘッドは、
ハードディスクに対して記録再生する浮上型の磁気ヘッ
ド装置に適用した例である。この磁気ヘッド装置におい
ては、図１に示すように、スライダ２の一側面２ｃに、
磁気ギャップ部がハードディスクとの対向面（エア・ベ
アリング・サーフェス面，ＡＢＳ面）２ａに臨むように
して薄膜磁気ヘッド１が設けられてなる。
【００１１】上記スライダ２のＡＢＳ面２ａには、該ス
ライダ２をハードディスクに対して微小間隔をもって安
定した浮上姿勢で浮上させるための空気流入溝３が設け
られている。この空気流入溝３は、スライダ２の長手方
向、即ち空気流入端側２ｂより空気流出端側２ｃに亘っ
て上記ＡＢＳ面２ａの略中央部に断面略コ字状のストレ
ート溝として形成されている。この空気流入溝３は、該
溝内に空気を導入することによりスライダ２の左右方向
の振れを防止することでヘッドの安定した浮上姿勢を確
保するようになっている。
ライダ２をハードディスクに対して微小間隔をもって安
定した浮上姿勢で浮上させるための空気流入溝３が設け
られている。この空気流入溝３は、スライダ２の長手方
向、即ち空気流入端側２ｂより空気流出端側２ｃに亘っ
て上記ＡＢＳ面２ａの略中央部に断面略コ字状のストレ
ート溝として形成されている。この空気流入溝３は、該
溝内に空気を導入することによりスライダ２の左右方向
の振れを防止することでヘッドの安定した浮上姿勢を確
保するようになっている。
【００１２】また、上記スライダ２の空気流入溝３の両
側に突出する浮上面を有したスライダレール４，５は、
該スライダレール４，５の浮上面とハードディスク間の
空気層の剛性を高めることにより、該スライダ２を上記
ハードディスクに対して微小空間をもって浮上させる役
目をする。例えば、上記スライダレール４，５のレール
幅を大きくすれば、空気層の剛性が高まってフライング
ハイトが大きくなり、逆にレール幅を狭くすれば、空気
層の剛性が弱まってフライングハイトが小さくなる。
側に突出する浮上面を有したスライダレール４，５は、
該スライダレール４，５の浮上面とハードディスク間の
空気層の剛性を高めることにより、該スライダ２を上記
ハードディスクに対して微小空間をもって浮上させる役
目をする。例えば、上記スライダレール４，５のレール
幅を大きくすれば、空気層の剛性が高まってフライング
ハイトが大きくなり、逆にレール幅を狭くすれば、空気
層の剛性が弱まってフライングハイトが小さくなる。
【００１３】本実施例では、高密度記録化に対応すべく
スライダ長さＬを２．８ｍｍ以下、スライダ幅Ｗ1 を
２．３ｍｍ以下、レール幅Ｗ2 ，Ｗ3 をそれぞれ３００
μｍ以下とする。なお、上記スライダ２としては、非磁
性で且つ導電性を有する材料を使用することが要求さ
れ、例えばチタン酸カリウム、セラミックス、アルミナ
等の非磁性材料からなる基板や、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライ
ト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等の強磁性材料からなる基
板等が使用可能とされる。但し、このスライダ２の構成
材料として強磁性材料を使用した場合には、後述の下層
薄膜磁気コア７及び上層薄膜磁気コア８との絶縁をとる
ために、該スライダ２上にアルミナ等の非磁性膜を形成
する必要がある。なお、本実施例では、上記スライダ２
の構成材料としてＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を使用した。
スライダ長さＬを２．８ｍｍ以下、スライダ幅Ｗ1 を
２．３ｍｍ以下、レール幅Ｗ2 ，Ｗ3 をそれぞれ３００
μｍ以下とする。なお、上記スライダ２としては、非磁
性で且つ導電性を有する材料を使用することが要求さ
れ、例えばチタン酸カリウム、セラミックス、アルミナ
等の非磁性材料からなる基板や、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライ
ト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等の強磁性材料からなる基
板等が使用可能とされる。但し、このスライダ２の構成
材料として強磁性材料を使用した場合には、後述の下層
薄膜磁気コア７及び上層薄膜磁気コア８との絶縁をとる
ために、該スライダ２上にアルミナ等の非磁性膜を形成
する必要がある。なお、本実施例では、上記スライダ２
の構成材料としてＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を使用した。
【００１４】一方、上記薄膜磁気ヘッド１は、図２に示
すように、上記スライダ２の表面性等を確保するため
に、例えばＡｌ2 Ｏ3 等よりなる下地膜６を介して上記
スライダ２の一側面２ｃに真空薄膜形成技術によって形
成されている。この薄膜磁気ヘッド１は、強磁性金属材
料よりなる下層薄膜磁気コア７と上層薄膜磁気コア８と
が上記ＡＢＳ面２ａ側でギャップ膜１０を介して積層さ
れてフロントギャップｇ1 を形成するとともに、その中
間部で所定の対向距離をもって対向配置され、更にバッ
ク側で磁気的に接続されてバックギャップｇ2 を形成す
るようになっている。
すように、上記スライダ２の表面性等を確保するため
に、例えばＡｌ2 Ｏ3 等よりなる下地膜６を介して上記
スライダ２の一側面２ｃに真空薄膜形成技術によって形
成されている。この薄膜磁気ヘッド１は、強磁性金属材
料よりなる下層薄膜磁気コア７と上層薄膜磁気コア８と
が上記ＡＢＳ面２ａ側でギャップ膜１０を介して積層さ
れてフロントギャップｇ1 を形成するとともに、その中
間部で所定の対向距離をもって対向配置され、更にバッ
ク側で磁気的に接続されてバックギャップｇ2 を形成す
るようになっている。
【００１５】上記下層薄膜磁気コア７としては、高飽和
磁束密度を有し且つ軟磁気特性に優れた強磁性材料が使
用可能である。かかる強磁性材料としては、従来より公
知のものが何れも使用可能であり、結晶質、非結晶質を
問わない。具体的に例示するならば、Ｎｉ−Ｆｅ系合
金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ
−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−
Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金等の強磁性金属材料、或いはＦｅ
−Ｇａ−Ｓｉ系合金、更には上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合
金の耐蝕性や耐摩耗性の一層の向上を図るために、Ｆ
ｅ，Ｇａ，Ｃｏ（Ｆｅの一部をＣｏで置換したものを含
む。），Ｓｉを基本組成とする合金に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，
Ｉｒ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖの少なくとも
一種を添加したものであってもよい。但し、通常は磁区
のコントロールが容易な材料、例えばＦｅ−Ｎｉ系合金
（パーマロイ）が使用される。
磁束密度を有し且つ軟磁気特性に優れた強磁性材料が使
用可能である。かかる強磁性材料としては、従来より公
知のものが何れも使用可能であり、結晶質、非結晶質を
問わない。具体的に例示するならば、Ｎｉ−Ｆｅ系合
金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ
−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−
Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金等の強磁性金属材料、或いはＦｅ
−Ｇａ−Ｓｉ系合金、更には上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合
金の耐蝕性や耐摩耗性の一層の向上を図るために、Ｆ
ｅ，Ｇａ，Ｃｏ（Ｆｅの一部をＣｏで置換したものを含
む。），Ｓｉを基本組成とする合金に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，
Ｉｒ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖの少なくとも
一種を添加したものであってもよい。但し、通常は磁区
のコントロールが容易な材料、例えばＦｅ−Ｎｉ系合金
（パーマロイ）が使用される。
【００１６】また、強磁性非晶質金属合金、所謂アモル
ファス合金（例えば、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの一種以上の元
素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの一種以上の元素とからなる合
金、またはこれを主成分としＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，
Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ
等を含んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルファス
合金、或いはＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土類元
素等を主成分とするメタル−メタル系アモルファス合
金）等も使用可能である。
ファス合金（例えば、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの一種以上の元
素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの一種以上の元素とからなる合
金、またはこれを主成分としＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，
Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ
等を含んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルファス
合金、或いはＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土類元
素等を主成分とするメタル−メタル系アモルファス合
金）等も使用可能である。
【００１７】この下層薄膜磁気コア７形成する手法とし
ては、メッキ法、或いは蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等の真空薄膜形成技術が挙げられ
る。この下層薄膜磁気コア７上には、上記ギャップ膜１
０が形成される。このギャップ膜１０としては、例えば
ＳｉＯ2 膜やＴａ2 Ｏ5 膜等が使用可能とされる。
ては、メッキ法、或いは蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等の真空薄膜形成技術が挙げられ
る。この下層薄膜磁気コア７上には、上記ギャップ膜１
０が形成される。このギャップ膜１０としては、例えば
ＳｉＯ2 膜やＴａ2 Ｏ5 膜等が使用可能とされる。
【００１８】また、上記下層薄膜磁気コア７上には、Ｃ
ｕやＡｌ等の導電金属材料よりなる導体コイル４が所定
間隔で複数ターン渦巻状に形成される。なお、この導体
コイル４の形態としては、特に限定されるものではな
く、例えばヘリカル型、ジグザグ型等何れでも良い。ま
た、本実施例では、該導体コイル４を一層巻線構造とし
たが、２層以上の多層巻線構造としても良い。
ｕやＡｌ等の導電金属材料よりなる導体コイル４が所定
間隔で複数ターン渦巻状に形成される。なお、この導体
コイル４の形態としては、特に限定されるものではな
く、例えばヘリカル型、ジグザグ型等何れでも良い。ま
た、本実施例では、該導体コイル４を一層巻線構造とし
たが、２層以上の多層巻線構造としても良い。
【００１９】この導体コイル４は、上記下層薄膜磁気コ
ア７と上記上層薄膜磁気コア８の対向部分に形成され、
これら下層薄膜磁気コア７及び上層薄膜磁気コア８との
絶縁性を保つために、絶縁膜３によって埋め込まれたか
たちとなっている。
ア７と上記上層薄膜磁気コア８の対向部分に形成され、
これら下層薄膜磁気コア７及び上層薄膜磁気コア８との
絶縁性を保つために、絶縁膜３によって埋め込まれたか
たちとなっている。
【００２０】この絶縁膜３上には、上記下層薄膜磁気コ
ア７に共働して磁気回路部を構成する上記上層薄膜磁気
コア８が所定の形状で形成されてなる。即ち、この上層
薄膜磁気コア８は、導体コイル４の渦巻の中央部から上
記ＡＢＳ面２ａ近傍に跨いで形成され、上記渦巻の中央
部では、上記絶縁膜３及びギャップ膜１０に設けられた
窓部を介して上記下層薄膜磁気コア７と直接接続されバ
ックギャップｇ2 を構成している。一方、上記ＡＢＳ面
２ａ近傍では、上記上層薄膜磁気コア８は、上記ギャッ
プ膜１０を挟んで上記下層薄膜磁気コア７と対向し、フ
ロントギャップｇ1 を構成するようになっている。従っ
て、上記下層薄膜磁気コア７と上層薄膜磁気コア８は、
導体コイル４を中央部に挟んでバックギャップｇ2 及び
フロントギャップｇ1 を介して磁気的に結合され、磁気
回路部を構成する。
ア７に共働して磁気回路部を構成する上記上層薄膜磁気
コア８が所定の形状で形成されてなる。即ち、この上層
薄膜磁気コア８は、導体コイル４の渦巻の中央部から上
記ＡＢＳ面２ａ近傍に跨いで形成され、上記渦巻の中央
部では、上記絶縁膜３及びギャップ膜１０に設けられた
窓部を介して上記下層薄膜磁気コア７と直接接続されバ
ックギャップｇ2 を構成している。一方、上記ＡＢＳ面
２ａ近傍では、上記上層薄膜磁気コア８は、上記ギャッ
プ膜１０を挟んで上記下層薄膜磁気コア７と対向し、フ
ロントギャップｇ1 を構成するようになっている。従っ
て、上記下層薄膜磁気コア７と上層薄膜磁気コア８は、
導体コイル４を中央部に挟んでバックギャップｇ2 及び
フロントギャップｇ1 を介して磁気的に結合され、磁気
回路部を構成する。
【００２１】ここで、図３に示すように、上記ＡＢＳ面
２ａに臨む上記下層薄膜磁気コア７及び上層薄膜磁気コ
ア８の端面は、上記ギャップ材１０と接する面（以下、
フロントギャップ形成面７ａ，８ａと称する。）と対向
する面の端部７ｂ，８ｂが上記フロントギャップｇ1 と
非平行となるような形状となされている。即ち、上記Ａ
ＢＳ面２ａ側より上記下層薄膜磁気コア７及び上層薄膜
磁気コア８を見た場合、上記下層薄膜磁気コア７と上層
薄膜磁気コア８は、底辺を対向面として対向配置される
断面略三角形をなしている。
２ａに臨む上記下層薄膜磁気コア７及び上層薄膜磁気コ
ア８の端面は、上記ギャップ材１０と接する面（以下、
フロントギャップ形成面７ａ，８ａと称する。）と対向
する面の端部７ｂ，８ｂが上記フロントギャップｇ1 と
非平行となるような形状となされている。即ち、上記Ａ
ＢＳ面２ａ側より上記下層薄膜磁気コア７及び上層薄膜
磁気コア８を見た場合、上記下層薄膜磁気コア７と上層
薄膜磁気コア８は、底辺を対向面として対向配置される
断面略三角形をなしている。
【００２２】このように、上記ＡＢＳ面２ａ近傍におい
て、上記下層薄膜磁気コア７と上層薄膜磁気コア８のフ
ロントギャップ形成面７ａ，８ａと対向する面の端部７
ｂ，８ｂが上記フロントギャップｇ1 と非平行となるよ
うにされることにより、これら端部７ｂ，８ｂが疑似ギ
ャップとして機能することが防止され、これら端部で読
み取られた信号によって再生波形にピークシフトが起こ
るのを防止することができる。この結果、エラーレート
が低減され、良好な記録再生特性を得ることが可能とな
る。
て、上記下層薄膜磁気コア７と上層薄膜磁気コア８のフ
ロントギャップ形成面７ａ，８ａと対向する面の端部７
ｂ，８ｂが上記フロントギャップｇ1 と非平行となるよ
うにされることにより、これら端部７ｂ，８ｂが疑似ギ
ャップとして機能することが防止され、これら端部で読
み取られた信号によって再生波形にピークシフトが起こ
るのを防止することができる。この結果、エラーレート
が低減され、良好な記録再生特性を得ることが可能とな
る。
【００２３】上述のように下層薄膜磁気コア７と上層薄
膜磁気コア８の上記ＡＢＳ面２ａに臨む端面のコア形状
を制御する方法としては、上記下層薄膜磁気コア７及び
上層薄膜磁気コア８を成膜した後に、これら下層薄膜磁
気コア７及び上層薄膜磁気コア８を上記ＡＢＳ面２ａ側
よりイオンエッチング等により所定の部分を除去する方
法が挙げられる。これにより、図４に示すように、エッ
チング除去されない部分７ｃ，８ｃが上記ＡＢＳ面２ａ
に臨む端面となり、エッチング除去される部分７ｄ，８
ｄとの境界が上記端部７ｂ，８ｂとなる。
膜磁気コア８の上記ＡＢＳ面２ａに臨む端面のコア形状
を制御する方法としては、上記下層薄膜磁気コア７及び
上層薄膜磁気コア８を成膜した後に、これら下層薄膜磁
気コア７及び上層薄膜磁気コア８を上記ＡＢＳ面２ａ側
よりイオンエッチング等により所定の部分を除去する方
法が挙げられる。これにより、図４に示すように、エッ
チング除去されない部分７ｃ，８ｃが上記ＡＢＳ面２ａ
に臨む端面となり、エッチング除去される部分７ｄ，８
ｄとの境界が上記端部７ｂ，８ｂとなる。
【００２４】なお、このようなエッチングによって上記
下層薄膜磁気コア７及び上層薄膜磁気コア８の断面積
は、実質的には減少されることになり、それに伴って上
記フロントギャップ部で磁気的な飽和が起こる虞れがあ
るが、本実施例では、このような問題を回避するため
に、上記エッチング除去される部分７ｄ，８ｄの深さを
２μｍ程度とした。これにより、上記下層薄膜磁気コア
７及び上層薄膜磁気コア８の断面積の減少は無視できる
程度に抑えることができ、上記フロントギャップ部の飽
和を防止することができる。
下層薄膜磁気コア７及び上層薄膜磁気コア８の断面積
は、実質的には減少されることになり、それに伴って上
記フロントギャップ部で磁気的な飽和が起こる虞れがあ
るが、本実施例では、このような問題を回避するため
に、上記エッチング除去される部分７ｄ，８ｄの深さを
２μｍ程度とした。これにより、上記下層薄膜磁気コア
７及び上層薄膜磁気コア８の断面積の減少は無視できる
程度に抑えることができ、上記フロントギャップ部の飽
和を防止することができる。
【００２５】なお、このエッチングによる上記下層薄膜
磁気コア７及び上層薄膜磁気コア８の端面加工は、形状
異方性の制御性等の都合上、各成膜工程後に行われるこ
とが好ましい。また、上記下層薄膜磁気コア７と上層薄
膜磁気コア８の上記ＡＢＳ面２ａに臨む端面の形状は、
本実施例のような断面三角形に限定されるものではな
く、例えば図５に示すように、上記フロントギャップ形
成面７ａ，８ａと対向する面の端部７ｂ，８ｂが円弧状
をなすようになされても良い。
磁気コア７及び上層薄膜磁気コア８の端面加工は、形状
異方性の制御性等の都合上、各成膜工程後に行われるこ
とが好ましい。また、上記下層薄膜磁気コア７と上層薄
膜磁気コア８の上記ＡＢＳ面２ａに臨む端面の形状は、
本実施例のような断面三角形に限定されるものではな
く、例えば図５に示すように、上記フロントギャップ形
成面７ａ，８ａと対向する面の端部７ｂ，８ｂが円弧状
をなすようになされても良い。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の薄膜磁気ヘッド及びその製造方法においては、磁気
コアとして機能する下部磁性膜と上部磁性膜の磁気ギャ
ップ形成面と対向する面の端部が磁気ギャップと非平行
になるようになされているので、該端部が疑似ギャップ
として作用する虞れがない。このため、これら端部で読
み取られる信号によって再生波形にピークシフトが起こ
ることが防止され、良好な記録再生特性を得ることがで
きる。
明の薄膜磁気ヘッド及びその製造方法においては、磁気
コアとして機能する下部磁性膜と上部磁性膜の磁気ギャ
ップ形成面と対向する面の端部が磁気ギャップと非平行
になるようになされているので、該端部が疑似ギャップ
として作用する虞れがない。このため、これら端部で読
み取られる信号によって再生波形にピークシフトが起こ
ることが防止され、良好な記録再生特性を得ることがで
きる。
【図１】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドをスライダに
搭載した状態を示す斜視図である。
搭載した状態を示す斜視図である。
【図２】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一例の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ面に
臨む下層薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアの端面の形状
の一例を示す要部拡大平面図である。
臨む下層薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアの端面の形状
の一例を示す要部拡大平面図である。
【図４】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ面に
臨む下層薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアの端面の形状
の一例を示す要部拡大断面図である。
臨む下層薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアの端面の形状
の一例を示す要部拡大断面図である。
【図５】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ面に
臨む下層薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアの端面の形状
の他の例を示す要部拡大平面図である。
臨む下層薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアの端面の形状
の他の例を示す要部拡大平面図である。
１・・・薄膜磁気ヘッド ２・・・スライダ ２ａ・・・ＡＢＳ面 ３・・・絶縁膜 ４・・・導体コイル ７・・・下層薄膜磁気コア ８・・・上層薄膜磁気コア １０・・・ギャップ材 ｇ1 ・・・フロントギャップ ｇ2 ・・・バックギャップ
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に下部磁性膜と上部磁性膜とが積
層され、これら下部磁性膜と上部磁性膜が磁気記録媒体
との対向面に臨んで絶縁膜を介して平行に対向配置され
て磁気ギャップが構成されてなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、 上記下部磁性膜と上部磁性膜の磁気ギャップ形成面と対
向する面の端部がそれぞれ上記磁気ギャップと非平行で
あることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上記下部磁性膜と上部磁性膜の磁気ギャ
ップ形成面と対向する面の端部が略Ｖ字状をなすことを
特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上記下部磁性膜と上部磁性膜の磁気ギャ
ップ形成面と対向する面の端部が略円弧状をなすことを
特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 基板上に所定のパターンで形成された下
部磁性膜の表面を覆って絶縁膜を形成した後、この絶縁
膜を介して上記下部磁性膜上に上部磁性膜を形成し、 次いで、磁気記録媒体との対向面側より上記下部磁性膜
と上部磁性膜をエッチングして、これら下部磁性膜と上
部磁性膜の磁気ギャップ形成面と対向する面の端部を磁
気ギャップと非平行にすることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16394792A JPH05334624A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16394792A JPH05334624A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05334624A true JPH05334624A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15783847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16394792A Pending JPH05334624A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05334624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09259408A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nec Ibaraki Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP16394792A patent/JPH05334624A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09259408A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nec Ibaraki Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991228 |