JPH1125419A

JPH1125419A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH1125419A
Application number: JP17263697A
Authority: JP
Inventors: Osamu Ishikawa; 理石川
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-06-27
Filing date: 1997-06-27
Publication date: 1999-01-29

Abstract

(57)【要約】【課題】渦電流損失を抑えて高周波数領域における透
磁率を向上させるとともに、非磁性絶縁膜を介在させる
ことに起因する磁束の漏洩を抑制して、記録再生出力を
大幅に向上させる薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】少なくとも上層コア６を、第１の磁性膜
９上に非磁性絶縁膜１０を介して第２の磁性膜１０が積
層された積層膜構造とし、非磁性絶縁膜１０の膜厚を、
５０ｎｍ未満かつギャップ長に対して１／１０以下とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばハードディ
スク等の磁気記録媒体に対し情報の書き込みまたは読出
しをするのに好適な薄膜磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク等の磁気記録媒体に対
し、情報信号の記録再生を行う磁気ヘッドとして、薄膜
磁気ヘッドが知られている。この薄膜磁気ヘッドは、磁
気回路を構成する上層コア、下層コア及びギャップ膜等
を蒸着やスパッタ等の成膜技術により形成しているの
で、容易に狭トラック化を図ることができるという利点
を有し、高密度記録に対応した磁気ヘッドとして広く利
用されてきている。

【０００３】この薄膜磁気ヘッドの磁気コアの材料とし
ては、従来よりＮｉ−Ｆｅ合金が用いられてきた。しか
しながら、ハードディスク等のさらなる高密度記録化、
記録周波数の向上にともない、磁気コアもさらに高い飽
和磁束密度を有するとともに高周波数領域において高い
透磁率を有するものが要求されている。

【０００４】そこで、特開平５−２９０３２９号公報に
示す如く、磁気コアをＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜と高飽和
磁束密度を有する磁性膜との積層膜により構成して、飽
和磁束密度の向上及び高周波数領域における透磁率の向
上を図るようにした薄膜磁気ヘッドが提案されている。

【０００５】この薄膜磁気ヘッドは、Ｎｉ−Ｆｅ合金め
っき膜と高飽和磁束密度を有する磁性膜との間に非磁性
絶縁膜を介在させ、磁気コアを膜厚方向に分断すること
により、磁気コアの磁区が安定化して透磁率が向上し、
渦電流損失が抑えられ、特に高周波数領域において良好
な特性を発揮するようになる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気コ
アを構成するＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜と高飽和磁束密度
を有する磁性膜との間に非磁性絶縁膜を介在させた薄膜
磁気ヘッドにおいては、この非磁性絶縁膜が疑似ギャッ
プとして作用して、非磁性絶縁膜が形成された箇所から
磁束が漏洩してしまうことがある。そして、この薄膜磁
気ヘッドは、この漏洩磁束の量が多いと、出力ロスが大
きくなって、大幅な記録再生出力の向上が望めないとの
問題があった。

【０００７】そこで、本発明は、磁気コアの渦電流損失
を抑えて高周波数領域における透磁率を向上させるとと
もに、非磁性絶縁膜を介在させることに起因する磁束の
漏洩を抑制して、記録再生出力を大幅に向上させる薄膜
磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した目
的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、Ｎｉ−Ｆｅ合金
めっき膜等の磁性膜と飽和磁束密度の高い磁性膜との間
に介在させた非磁性絶縁膜の膜厚を、５０ｎｍ未満かつ
磁気ギャップの間隔の１／１０以下とすることにより、
非磁性絶縁膜が形成された箇所からの磁束の漏洩を記録
再生に悪影響を及ぼさない程度に抑えることができるこ
とを見出した。

【０００９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、このよう
な知見に基づいて創案されたものであり、基板上に設け
られた下層コアと、この下層コア上に設けられ、磁気ギ
ャップを構成する非磁性層と、この非磁性層に埋設され
た導体コイルと、非磁性層上に設けられ、下層コアとと
もに閉磁路を構成する上層コアとを備えている。

【００１０】そして、この薄膜磁気ヘッドの上層コア
は、非磁性層上に設けられた第１の磁性膜と、この第１
の磁性膜上に設けられた非磁性絶縁層と、この非磁性絶
縁層上に設けられた第２の磁性膜とを備え、第１の磁性
膜の飽和磁束密度が、第２の磁性膜の飽和磁束密度より
も高く、非磁性絶縁膜の膜厚が、５０ｎｍ未満かつ上記
磁気ギャップの間隔の１／１０以下であることを特徴と
している。

【００１１】上層コアの第１の磁性膜は、磁気ギャップ
を構成する非磁性層側に配されることにより、その高飽
和磁束密度性を十分に発揮し、薄膜磁気ヘッドの記録再
生出力を大幅に向上させる。

【００１２】また、非磁性絶縁膜は、第１の磁性膜と第
２の磁性膜とを分断し、磁気コアの磁区を安定化させる
とともに、渦電流損失を抑えて、特に高周波数領域にお
ける透磁率を向上させる。

【００１３】そして、この薄膜磁気ヘッドは、非磁性絶
縁膜の膜厚が５０ｎｍ未満かつ磁気ギャップの間隔の１
／１０以下とされることにより、磁束の漏洩が記録再生
に悪影響を及ぼさない程度に抑えられる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの実施の形態について、図面を参照して説明する。

【００１５】この薄膜磁気ヘッド１は、図１に示すよう
に、基板２上に下層コア３が形成され、下層コア３上に
非磁性層４及び導体コイル５を介して上層コア６が形成
されている。

【００１６】基板２としては、例えばチタン酸カリウ
ム，アルミナ，アルチック等の非磁性材料よりなる基
板、あるいはＭｎ−Ｚｎ系フェライト，Ｎｉ−Ｚｎ系フ
ェライト等の強磁性材料よりなる基板が使用される。

【００１７】基板２上には、下層コア３が形成されてい
る。この下層コア３は、良好な軟磁気特性を有し、且つ
熱的に安定な強磁性材料からなり、例えばパーマロイ等
のＮｉ−Ｆｅ合金により構成される。また、下層コア３
の材料として、Ｎｉ−Ｆｅ合金の他に、Ｆｅ−Ａｌ系合
金、Ｆｅ−Ｍ−（Ｃ，Ｎ）（Ｍ；Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，
Ｗ）系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ
ｏ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ
系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金等の強磁性金属
材料、あるいはＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金の耐蝕性や耐摩
耗性の一層の向上を図るために、Ｆｅ，Ｇａ，Ｃｏ（Ｆ
ｅの一部をＣｏで置換したものを含む。），Ｓｉを基本
組成とする合金に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｎｉ，
Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖの少なくとも一種を添加したもの
を用いるようにしてもよい。これら磁性材料は上記特性
を有するとともに、スパッタリング法等による膜形成が
可能であり、生産性を得る上でも有利である。

【００１８】下層コア３上には、非磁性層４と導体コイ
ル５とが形成されている。非磁性膜４は、磁気記録媒体
対向面ａに臨むように形成されるギャップ膜７と、導体
コイル５の周囲に形成される平坦化層８とにより構成さ
れている。

【００１９】ギャップ膜７は、磁気ギャップｇを構成す
る膜であり、例えばＳｉＯ₂やＴａ₂Ｏ₅等の非磁性膜
からなる。また、平坦化層８は、下層コア３の表面を平
坦化して導体コイル５の形成を容易にするとともに、導
体コイル５上を覆って上層コア６の形成を容易にするた
めのものであり、形成が容易でかつ精密な形状が得られ
る感光性材料等により形成される。

【００２０】導体コイル５は、ＣｕやＡｌ等の導電金属
材料よりなり、平坦化層８に埋め込まれた形で、所定間
隔の複数ターン渦巻状に形成されている。

【００２１】非磁性層４上には、上層コア６が形成され
ている。上層コア６は、導体コイル５の渦巻の中央部か
ら磁気記録媒体対向面ａの近傍に跨がって形成され、渦
巻の中央部で下層コア３と接続されている。一方、磁気
記録媒体対向面ａの近傍では、上層コア６は磁気ギャッ
プｇを構成するギャップ膜７を挟んで下層コア３と対向
する。したがって、上層コア６は、磁気ギャップｇを介
して下層コア３と磁気的に結合され、下層コア３ととも
に閉磁路を構成する。また、上層コア６と下層コア３間
には、非磁性層４に埋設された導体コイル５が挟み込ま
れ、これら上層コア６、下層コア３及び導体コイル５に
より磁気回路部が構成される。

【００２２】上層コア６は、高飽和磁束密度を獲得する
ために、非磁性層４上に形成された第１の磁性膜９と、
この第１の磁性膜９上に形成された非磁性絶縁膜１０
と、この非磁性絶縁膜１０上に形成された第２の磁性膜
１１とからなる積層膜構造とされる。

【００２３】第１の磁性膜９としては、例えばＣｏを含
有する非晶質合金等の１Ｔ（テスラ）以上の飽和磁束密
度を有する磁性材料が用いられる。具体的には、Ｃｏ−
Ｚｒ−Ｎｂ系非晶質合金等が用いられる。

【００２４】また、第１の磁性膜９としては、Ｃｏを含
有する非晶質合金の他に、センダスト、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓ
ｉ−Ｒｕ合金、Ｆｅ−Ｍ−（Ｃ，Ｎ）微結晶合金薄膜の
ような結晶系の磁性材料を用いてもよい。なお、センダ
ストやＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ合金等は、良好な軟磁性
をもたせるために高熱処理を施す必要があるので、これ
らを第１の磁性膜９として用いる場合には、非磁性層４
の材料として、耐熱性の高いＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂を用
いることが望ましい。

【００２５】この第１の磁性膜９の膜厚は、１μｍ以下
に設定することが望ましい。Ｃｏを含有する非晶質合金
を第１の磁性膜９の材料として用いた場合、第１の磁性
膜９は、ドライプロセスによって形成されることにな
り、形成に時間がかかるとともに、形状にばらつきが生
じやすい傾向がある。しかし、第１の磁性膜９は、その
膜厚を１μｍ以下に設定することにより、形成時間の短
縮が図られるとともに、形状のばらつきを最小限に抑え
ることができる。

【００２６】また、第１の磁性膜９は、その膜厚が１μ
ｍ以下に設定されても、非磁性層４側、すなわち磁気ギ
ャップｇ側に配されることにより、その高飽和磁束密度
性を十分に発揮することができる。

【００２７】第１の磁性膜９上に形成される非磁性絶縁
膜１０としては、例えばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂、Ｔａ₂
Ｏ₅等が用いられる。この非磁性絶縁膜１０は、第１の
磁性膜９と第２の磁性膜１１間に介在されることによ
り、上層コア６を厚さ方向に磁気的及び電気的に分断す
る。

【００２８】非磁性絶縁膜１０上に形成される第２の磁
性膜１１としては、下層コア３に用いた材料がいずれも
適用可能であり、例えばパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金
が用いられる。パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金は、電解
メッキにより成膜可能なため、第２の磁性膜１１として
パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金を用いれば、精密なコア
形状を容易に形成できるとともに、磁気コア形成時間を
短縮し、薄膜磁気ヘッド１の生産性を向上させることが
できる。

【００２９】上層コア６は、以上のように、非磁性層４
側、すなわち磁気ギャップｇ側に、１Ｔ以上の飽和磁束
密度を有する磁性材料からなる第１の磁性膜９を配する
ことにより、高飽和磁束密度性を発揮して、薄膜磁気ヘ
ッド１の記録再生出力を向上させることができる。

【００３０】また、第１の磁性膜９と第２の磁性膜１１
間に非磁性絶縁膜１０を介在させることにより、上層コ
ア６は厚さ方向に磁気的及び電気的に分断され、磁区を
安定化させることができるとともに、渦電流損失が抑え
られ、特に高周波数領域における透磁率を向上させるこ
とができる。

【００３１】ところで、薄膜磁気ヘッド１は、上層コア
６を厚さ方向に分断する非磁性絶縁膜１０が、疑似ギャ
ップとして作用してしまうことがあるという問題があ
る。そして、薄膜磁気ヘッド１は、非磁性絶縁膜１０の
膜厚ｔを厚く設定すると、この疑似ギャップからの磁束
の漏洩が大となり、記録再生出力の低下を招くばかり
か、記録再生に悪影響を及ぼしてしまうことになる。そ
こで、この薄膜磁気ヘッド１においては、非磁性絶縁膜
１０の膜厚ｔを、５０ｎｍ未満かつ磁気ギャップｇの間
隔に対して１／１０以下に設定するようにしている。

【００３２】薄膜磁気ヘッド１は、このように、非磁性
絶縁膜１０の膜厚ｔが５０ｎｍ未満かつ磁気ギャップｇ
の間隔に対して１／１０以下とされることにより、非磁
性絶縁膜１０を形成した箇所からの磁束の漏洩が、記録
再生に悪影響を及ぼさない程度に抑えられる。また、こ
の薄膜磁気ヘッド１は、非磁性絶縁膜１０の膜厚ｔを３
０ｎｍ未満かつ磁気ギャップｇの間隔に対して１／１７
以下であれば、さらに磁束の漏洩が抑制され、記録再生
出力が大幅に向上する。

【００３３】なお、以上は、上層コア６のみを、第１の
磁性膜９と第２の磁性膜１１とこれらの間に介在される
非磁性絶縁膜１０とからなる積層膜構造とした例につい
て説明したが、本発明に係る薄膜磁気ヘッド１は、下層
コア３も上層コア６と同様に、積層膜構造としてもよ
い。この場合も、磁気ギャップｇに隣接する側に飽和磁
束密度が１Ｔ以上の磁性膜を形成し、非磁性絶縁膜によ
って下層コア６が厚さ方向に磁気的及び電気的に分断さ
れるようにする。そして、非磁性絶縁膜の膜厚は、５０
ｎｍ未満かつ磁気ギャップｇの間隔に対して１／１０以
下、好ましくは、３０ｎｍ未満かつ磁気ギャップｇの間
隔に対して１／１７以下に設定する。

【００３４】薄膜磁気ヘッド１は、このように下層コア
３も積層膜構造とすることにより、高周波数領域におけ
る透磁率がさらに向上し、より大きな記録再生出力が得
られる。

【００３５】また、この薄膜磁気ヘッド１は、図２に示
すように、基板２と下層コア３間に、磁気抵抗効果素子
（以下、ＭＲ素子２２という。）によって磁気記録媒体
からの磁気信号を検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッド部
（以下、ＭＲヘッド部２１という。）を設けて、いわゆ
る複合型薄膜磁気ヘッド２０として用いられるようにし
てもよい。

【００３６】この複合型薄膜磁気ヘッド２０は、薄膜磁
気ヘッド１の下層コア３から上層コア６にわたる部分に
より、情報信号の記録を行い、ＭＲヘッド部２１により
情報信号の再生を行うようになされている。

【００３７】ＭＲヘッド部２１は、パーマロイ等の磁性
材料よりなり、基板２上に形成された下部シールドコア
２３上に、Ａｌ₂Ｏ₃等よりなる第１の絶縁層２４が成膜
されている。そして、この第１の絶縁層２４上にＭＲ素
子２２が、その長手方向が磁気記録媒体対向面ａと垂直
になるように配され、かつ、その一方の端面が磁気記録
媒体対向面ａに露出するように形成されている。

【００３８】ＭＲ素子２２の後端部上には、このＭＲ素
子２２にセンス電流を供給するための後端電極２５が設
けられ、ＭＲ素子２２の前端部上、即ち磁気記録媒体対
向面ａ側には、このＭＲ素子２２にセンス電流を提供す
るための先端電極２６が設けられている。

【００３９】また、ＭＲ素子２２上には、第２の絶縁層
２７を介してこのＭＲ素子２２にバイアス磁界を印可す
るためのバイアス導体２８が設けられている。そして、
後端電極及２５びバイアス導体２８上にＡｌ₂Ｏ₃等より
なる第２の絶縁層２７が成膜されている。

【００４０】そして、先端電極２６及び第２の絶縁層２
７上にパーマロイ等の磁性材料よりなる上部シールドコ
ア２９が成膜されてなる。なお、この上部シール度コア
２９は、図２に示すように、上述した薄膜磁気ヘッド１
の下層コア３と兼用されることが望ましい。

【００４１】このＭＲヘッド部２１は、後端電極２５及
び先端電極２６を介してＭＲ素子２２にセンス電流が供
給されると、このセンス電流が、磁気記録媒体対向面ａ
に沿ってＭＲ素子２２の長手方向に流される。そして、
このセンス電流により、磁気記録媒体からの磁気による
ＭＲ素子２２の抵抗値が変化する。ＭＲヘッド部２１
は、このＭＲ素子２２の抵抗値の変化を検出することに
より、磁気記録媒体から情報信号を再生している。

【００４２】複合型薄膜磁気ヘッド２０は、このＭＲヘ
ッド部２１上に、上述した下層コア３、非磁性層４、導
体コイル５及び上層コア６がそれぞれ形成されている。
そして、上層コア６は、第１の磁性膜９と第２の磁性膜
１１とこれらの間に介在される非磁性絶縁膜１０とから
なる積層膜構造とし、非磁性絶縁膜の膜厚は、５０ｎｍ
未満かつ磁気ギャップｇの間隔に対して１／１０以下、
好ましくは、３０ｎｍ未満かつ磁気ギャップｇの間隔に
対して１／１７以下に設定する。なお、これらの各構成
要素の詳細については、上述した薄膜磁気ヘッド１の場
合と同様であるので、図２中に同一の符号を付して、説
明を省略する。

【００４３】この複合型薄膜磁気ヘッド２０は、上層コ
ア６が、第１の磁性膜９と第２の磁性膜１１とこれらの
間に介在される非磁性絶縁膜１０とからなる積層膜構造
とされることにより、高周波数領域における透磁率が向
上し、大きな記録再生出力を得ることができる。

【００４４】また、この複合型薄膜磁気ヘッド２０は、
非磁性絶縁膜の膜厚が、５０ｎｍ未満かつ磁気ギャップ
ｇの間隔に対して１／１０以下に設定されることによ
り、非磁性絶縁膜１０を形成した箇所からの磁束の漏洩
が、記録再生に悪影響を及ぼさない程度に抑えられる。

【００４５】

【実施例】本発明の効果を確認すべく、以下のような実
験を行った。

【００４６】まず、上層コアを、飽和磁束密度の高い磁
性膜上に非磁性絶縁膜を介してＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜
が積層された積層膜構造とすることによる効果を確認し
た。すなわち、上層コアを、膜厚が０．６μｍのＣｏ−
Ｚｒ−Ｎｂ膜と、膜厚が４０ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃膜と、膜厚
が２．９μｍのＮｉ−Ｆｅ合金メッキ膜よりなる積層膜
構造とした薄膜磁気ヘッド（実施例１）を作製し、Ｎｉ
−Ｆｅ合金メッキ膜のみで上層コアを構成した薄膜磁気
ヘッド（比較例１）と、透磁率の周波数依存性を比較し
た。結果を図３に示す。なお、図２中●は、実施例１の
各周波数領域における透磁率を示し、図２中○は、比較
例１の各周波数領域における透磁率を示している。

【００４７】図２から明らかなように、薄膜磁気ヘッド
は、上層コアを積層膜構造とすることにより、特に高周
波数領域における透磁率が向上することがわかる。

【００４８】次に、薄膜磁気ヘッド上層コアを、飽和磁
束密度の高い磁性膜上に非磁性絶縁膜を介してＮｉ−Ｆ
ｅ合金めっき膜が積層された積層膜構造とした薄膜磁気
ヘッドにおいて、非磁性絶縁膜の膜厚と疑似ギャップの
漏洩磁力による出力ロスとの関係を検討した。

【００４９】（薄膜磁気ヘッドの作製）以下のようにし
て複数の薄膜磁気ヘッドを作製した。すなわち、まず、
アルミナ層とアルチック層との２層構造からなる基板上
に、下層コアとなるＮｉ−Ｆｅ合金メッキ層を形成し
た。そして、この下層コア上に、ギャップ膜となるＳｉ
Ｏ₂膜及び絶縁層を形成し、絶縁層に埋め込むかたちで
Ｃｕからなる導体コイルを形成した。そして、ギャップ
膜及び絶縁層上に、上層コアを形成した。

【００５０】上層コアは、高飽和磁束密度軟磁性膜上に
非磁性絶縁膜を介してＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜が積層さ
れた積層膜により構成した。ここでは、高飽和磁束密度
軟磁性膜として、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系非晶質合金を用
い、非磁性絶縁膜としては、Ａｌ₂Ｏ₃膜を用いた。そ
して、磁気ギャップのギャップ長及び非磁性絶縁膜の膜
厚を変更して、複数の薄膜磁気ヘッドを作製した。

【００５１】それぞれの薄膜磁気ヘッドのギャップ長及
び非磁性絶縁膜の膜厚は、以下に示す通りである。

【００５２】実施例２ギャップ長０．５μｍ非磁性絶縁膜の膜厚３０ｎｍ非磁性絶縁膜の膜厚のギャップ長に対する比率約１／１７実施例３ギャップ長０．５μｍ非磁性絶縁膜の膜厚５０ｎｍ非磁性絶縁膜の膜厚のギャップ長に対する比率１／１０実施例４ギャップ長０．３μｍ非磁性絶縁膜の膜厚３０ｎｍ非磁性絶縁膜の膜厚のギャップ長に対する比率１／１０実施例５ギャップ長０．６μｍ非磁性絶縁膜の膜厚５０ｎｍ非磁性絶縁膜の膜厚のギャップ長に対する比率１／１２比較例２ギャップ長０．５μｍ非磁性絶縁膜の膜厚１００ｎｍ非磁性絶縁膜の膜厚のギャップ長に対する比率１／５比較例３ギャップ長０．５μｍ非磁性絶縁膜の膜厚７０ｎｍ非磁性絶縁膜の膜厚のギャップ長に対する比率約１／７比較例４ギャップ長０．６μｍ非磁性絶縁膜の膜厚６０ｎｍ非磁性絶縁膜の膜厚のギャップ長に対する比率１／１０（評価）実施例２乃至５、比較例２乃至４の薄膜磁気ヘ
ッドを用いて孤立波をディスク状の磁気記録媒体に記録
した。そして、それぞれの孤立波を磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを用いて再生し、波形を評価した。

【００５３】実施例２の薄膜磁気ヘッドを用いて記録さ
れた孤立波は、図４に示すように、波形にほとんど乱れ
がみられず、非磁性絶縁膜が疑似ギャップとして作用し
ても、ほとんど磁束の漏洩がないことがわかる。

【００５４】実施例３の薄膜磁気ヘッドを用いて記録さ
れた孤立波は、図５に示すように、多少波形が乱れてい
るものの、波形のピーク以外の箇所でめだった突起が生
じておらず、非磁性絶縁膜が疑似ギャップとして作用し
ても、磁束の漏洩がわずかであることがわかる。

【００５５】実施例４の薄膜磁気ヘッドを用いて記録さ
れた孤立波も、図６に示すように、多少波形が乱れてい
るものの、波形のピーク以外の箇所でめだった突起が生
じておらず、非磁性絶縁膜が疑似ギャップとして作用し
ても、磁束の漏洩がわずかであることがわかる。

【００５６】実施例５の薄膜磁気ヘッドを用いて記録さ
れた孤立波も、図７に示すように、多少波形が乱れてい
るものの、波形のピーク以外の箇所でめだった突起が生
じておらず、非磁性絶縁膜が疑似ギャップとして作用し
ても、磁束の漏洩がわずかであることがわかる。

【００５７】比較例２の薄膜磁気ヘッドを用いて記録さ
れた孤立波は、図８に示すように、波形のピーク以外の
箇所に大きな突起が生じており、磁束の漏洩による出力
ロスが大きいことがわかる。

【００５８】比較例３の薄膜磁気ヘッドを用いて記録さ
れた孤立波も、図９に示すように、波形のピーク以外の
箇所に大きな突起が生じており、磁束の漏洩による出力
ロスが大きいことがわかる。

【００５９】比較例４の薄膜磁気ヘッドを用いて記録さ
れた孤立波も、比較例２及び３を用いた場合ほどではな
いが、図１０に示すように、波形のピーク以外の箇所に
突起が生じており、磁束の漏洩による出力ロスが大きい
ことがわかる。

【００６０】以上の結果から、上層コアを、飽和磁束密
度の高い磁性膜上に非磁性絶縁膜を介してＮｉ−Ｆｅ合
金めっき膜が積層された積層膜構造とした薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、非磁性絶縁膜の膜厚を５０ｎｍ未満かつギ
ャップ長に対して１／１０以下とすることにより、磁束
の漏洩が抑制され、良好な記録再生出力が得られること
がわかる。

【００６１】

【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上層コ
アが、飽和磁束密度の高い第１の磁性膜とＮｉ−Ｆｅ合
金めっき膜等の第２の磁性膜とが、非磁性絶縁膜を介し
て積層された積層膜構造とされ、第１の磁性膜が、磁気
ギャップ側に配されているので、高飽和磁束密度性が十
分に発揮され、記録再生出力が大幅に向上する。

【００６２】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上
層コアが非磁性絶縁膜により厚さ方向に分断されるの
で、上層コアの磁区が安定化するとともに、渦電流損失
が抑えられて、特に高周波数領域における透磁率が向上
する。

【００６３】また、この薄膜磁気ヘッドは、非磁性絶縁
膜の膜厚が５０ｎｍ未満かつギャップ長に対して１／１
０以下とされているので、磁束の漏洩が記録再生に悪影
響を及ぼさない程度に抑えられ、良好な記録再生出力を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドを示す要部断面図であ
る。

【図２】本発明の他の薄膜磁気ヘッドを示す要部断面図
である。

【図３】薄膜磁気ヘッドの透磁率の周波数依存性を示す
図である。

【図４】本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドにより記
録された孤立波を示す図である。

【図５】本発明の他の実施例に係る薄膜磁気ヘッドによ
り記録された孤立波を示す図である。

【図６】本発明の更に他の実施例に係る薄膜磁気ヘッド
により記録された孤立波を示す図である。

【図７】本発明の更に他の実施例に係る薄膜磁気ヘッド
により記録された孤立波を示す図である。

【図８】比較例に係る薄膜磁気ヘッドにより記録された
孤立波を示す図である。

【図９】他の比較例に係る薄膜磁気ヘッドにより記録さ
れた孤立波を示す図である。

【図１０】更に他の比較例に係る薄膜磁気ヘッドにより
記録された孤立波を示す図である。

【符号の説明】

１薄膜磁気ヘッド、３下層コア、４絶縁層、５
導体コイル、６上層コア、９第１の磁性膜、１０
非磁性絶縁膜、１１第２の磁性膜、２０複合型薄膜
磁気ヘッド、２１ＭＲヘッド部、２２ＭＲ素子、

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に設けられた下層コアと、上記下層コア上に設けられ、磁気ギャップを構成する非
磁性層と、上記非磁性層に埋設された導体コイルと、上記非磁性層上に設けられ、上記下層コアとともに閉磁
路を構成する上層コアとを備え、上記上層コアは、上記非磁性層上に設けられた第１の磁性膜と、上記第１の磁性膜上に設けられた非磁性絶縁膜と、上記非磁性絶縁層上に設けられた第２の磁性膜とを備
え、上記第１の磁性膜の飽和磁束密度が、上記第２の磁性膜
の飽和磁束密度よりも高く、上記非磁性絶縁膜の膜厚が、５０ｎｍ未満かつ上記磁気
ギャップの間隔の１／１０以下であることを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】上記第１の磁性膜は、Ｎｉ−Ｆｅ合金か
らなることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項３】上記第２の磁性膜は、Ｃｏを含有する非
晶質合金からなることを特徴とする請求項１記載の薄膜
磁気ヘッド。
【請求項４】上記下層コアは、上記非磁性層下に設けられた第３の磁性膜と、上記第３の磁性膜下に設けられた第２の非磁性絶縁層
と、上記第２の非磁性絶縁層下に設けられた第４の磁性膜と
を備え、上記第３の磁性膜の飽和磁束密度が、上記第４の磁性膜
の飽和磁束密度よりも高く、上記第２の非磁性絶縁膜の膜厚が、５０ｎｍ未満かつ上
記磁気ギャップの間隔の１／１０以下であることを特徴
とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】上記基板と上記下層コア間には、磁気抵
抗効果素子によって磁気記録媒体からの磁気信号を検出
する磁気抵抗効果型磁気ヘッド部が設けられていること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。