JPH07176018A

JPH07176018A - 磁気抵抗効果型ヘッド

Info

Publication number: JPH07176018A
Application number: JP31794193A
Authority: JP
Inventors: Kazunori Onuma; 一紀大沼; Chiharu Watanabe; 千春渡辺
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-12-17
Filing date: 1993-12-17
Publication date: 1995-07-14

Abstract

(57)【要約】【目的】十分な引出し導体の厚み及び十分なデプスマ
ーカーの厚みを保ちつつ、しかも狭磁気ギャップ化を達
成し、周波数特性を大幅に改善して高い再生分解能を得
る【構成】磁性体基板２に対し、イオン入射角４５度に
てエッチングを行い、角度ほぼ４５度のテーパ面部２ａ
を形成し、絶縁層３を介してＭＲ素子４及びバイアス導
体５を蒸着或はスパッタ法により成膜し、引出し導体
６，７を接続形成して、絶縁層８を介して接着材９によ
り保護基板となるＮｉ−Ｚｎヘマタイトを材料とした磁
性体基板１０を接合し固定して、引出し電極６，７の端
子部及び絶縁層８の末端部にイオンエッチングを施し形
成し構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばディジタルテー
プレコーダやデータストレージ等の高密度ディジタル記
録再生装置等に搭載され、磁気抵抗効果を利用して記録
信号を再生する磁気抵抗効果型ヘッドに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パソコンに代表
されるような可搬型コンピュータへの適用が考慮される
用途では、例えば２．５インチハードディスク装置に対
する要求が高まっている。

【０００３】このような小型ハードディスクでは、ディ
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。

【０００４】しかし、磁界によって抵抗率が変化する磁
気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と記す）の抵抗変
化を再生出力電圧として検出する磁気抵抗効果型ヘッド
は、その再生出力が媒体速度に依存せず、低媒体速度で
も高再生出力が得られるという特徴を有するため、小型
ハードディスクにおいて大容量化を実現する磁気ヘッド
として注目されている。

【０００５】磁気抵抗効果型ヘッド（以下、単にＭＲヘ
ッドと記す）には大きく分類して、上記ＭＲ素子の両側
を非磁性材にて挟み込んだノンシールド型ヘッド、この
ノンシールド型ヘッドの再生周波数特性を改善するため
に上記ＭＲ素子の両側を軟磁性材にてシールドしたシー
ルド型ヘッド、及び耐摩耗性等の諸特性の安定化のため
に磁束を上記ＭＲ素子へ導きこのＭＲ素子を非露出型と
したいわゆるヨーク型ヘッドの３種のものがある。

【０００６】上記シールド型ヘッドは、ノンシールド型
ヘッドと比較して周波数特性が良好であり、高い分解能
が得られ、しかも上記ヨーク型ヘッドと比較してその作
製が容易であり再生出力も高いことから最も実用化がな
されているＭＲヘッドである。このシールド型ヘッドに
は、センス電流がトラック幅方向に流れる横型タイプと
センス電流がトラック幅方向に対して垂直方向に流れる
縦型タイプとがあるが、現在では横型タイプが主流とな
っている。

【０００７】従来の上記横型タイプのＭＲヘッドは、図
２４及び図２５（図２４中の線分Ａ−Ａ’による断面
図）に示すように、軟磁性材の基板１０１上に絶縁層１
０２を介してＭＲ素子１０３が形成され、このＭＲ素子
１０３の長手方向両端部にそれぞれ電極である引出し導
体１０５，１０６が形成されて、ＭＲ素子１０３の長手
方向に沿って（即ち、磁気記録媒体摺動面Ａに沿って）
センス電流が流れるように構成されている。更にこのＭ
Ｒ素子１０３上にはバイアス導体１０７が形成され、前
記絶縁層１０２を介して軟磁性の基板１０４が積層され
構成されている。ここで、ＭＲ素子１０３は、その長手
方向が磁気記録媒体摺動面Ａと平行となるように配置さ
れ、その長手方向端部の一方を上記磁気記録媒体摺動面
Ａに露出させたかたちに形成されている。

【０００８】上述の従来の横型タイプのＭＲヘッドの製
造方法としては、図２５に示すように、先ず軟磁性材か
らなる磁性基板（或は非磁性基板上へ軟磁性薄膜を成膜
した基板）１０１上に絶縁層１０２を形成する。そし
て、ＭＲ素子１０３及びバイアス磁界をこのＭＲ素子１
０３に印加するためのバイアス導体１０７を成膜し、フ
ォトリソグラフィー技術により所望の形状に加工する。
このとき、ＭＲ素子１０３を磁化容易磁区方向をトラッ
ク幅方向に安定化させる必要があり、ＭＲ素子１０３の
形状及びＭＲ素子１０３形成面の面粗度が磁区を安定さ
せる重要な要因となっている。次に、ＭＲ素子１０３へ
センス電流を供給するための電極である引出し導体１０
５，１０６をＭＲ素子１０３の引出し導体接合部１０３
ａ，１０３ｂにおいてこのＭＲ素子１０３と接続し、更
にこの上に絶縁層１０２を介して軟磁性材からなる磁性
基板１０４を接着材１０８により接合し、磁気記録媒体
摺動面Ａの研削工程等の後工程を経て上記ＭＲヘッドが
完成する。

【０００９】ところで、このＭＲヘッドの作製の際に、
その磁気記録媒体摺動面Ａの研削工程において、ＭＲ素
子１０３のヘッドデプスを正確に規定する必要上、この
ＭＲ素子１０３の近傍にデプスマーカーを配設して、こ
のデプスマーカーを目安としてＭＲ素子１０３のヘッド
デプスを決定する方法がある。すなわち、図２４に示す
ように、ＭＲ素子１０３の近傍に、磁気記録媒体摺動面
Ａが底辺となるように直角二等辺三角形状のデプスマー
カー１１１を配設し、その直角部の頂点がデプス０の位
置に規定されている。つまり、この磁気記録媒体摺動面
Ａを研削するときに、デプスマーカー１１１の底辺１１
１ａの幅の１／２の値が研削したデプスとなる。このデ
プスマーカー１１１により、ヘッドデプスを所定値に規
定することができる。

【００１０】また、ＭＲ素子１０３のヘッドデプスを決
定する他の方法としては、図２７に示すように、磁気記
録媒体摺動面Ａの研削時にＭＲ素子１０３の形状が変化
してゆくことによるこのＭＲ素子１０３の抵抗値の変化
を抵抗測定機１１２により測定し、この抵抗値により所
定のヘッドデプスに規定するものがある。しかしなが
ら、この方法では研削時に大規模な抵抗値モニタが必要
であり、端子接続を行うことのより作業時間が大幅に増
加する等の問題があり、現在では上記デプスマーカーを
使用する方法が主流となっている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記シール
ド型のＭＲヘッドにおいては、その周波数特性は、図２
６（図２４中の線分Ｂ−Ｂ’による断面図）中の磁気ギ
ャップ間隔ｂによって決定され、この磁気ギャップ間隔
ｂが小さい程周波数特性は良好なものとなり、より高密
度の再生を行うことが可能となる。

【００１２】ところが、上記ＭＲヘッドの場合、ＭＲ素
子１０３を軟磁性材による基板１０１及び１０４で挟み
込むため、磁気ギャップ間隔ｂの大きさは最も膜厚の大
きい引出し導体１０５，１０６の厚みにより規制される
ので、これら引出し導体１０５，１０６を薄く形成する
必要がある。しかしながら、引出し導体１０５，１０６
を薄くすれば、それだけこれら引出し導体１０５，１０
６の電気抵抗が増大する。すると、ＭＲ素子１０３へ流
すセンス電流を制御するセンス電流回路の負荷の増加
や、電圧の増加による引出し導体１０５，１０６の断
線、信号ノイズの増加等が発生することとなる。従っ
て、引出し導体１０５，１０６を薄く形成することは非
常に困難であり、磁気ギャップ間隔ｂを満足な値とする
ことは難しい。

【００１３】それに加えて、このＭＲヘッドの作製の際
に、上述のようにデプスマーカー１１１をＭＲ素子１０
３の近傍に配設する必要があるが、測定の要請からこの
デプスマーカー１１１の厚みは１μｍ程度は必要であ
る。この値は、デプスマーカー１１１がない場合の磁気
ギャップ間隔ｂ以上のものであり、このデプスマーカー
１１１の存在によって磁気ギャップ間隔ｂの値は２倍以
上となってしまう。このため、周波数特性の著しい劣化
が引き起こされるという深刻な問題が生じ、この磁気ギ
ャップ間隔ｂの値を小さくすることが困難であるという
ことは高密度の再生特性の達成を阻む主要な原因の一つ
となっている。

【００１４】本発明は、上述の様々な課題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、十分な引出
し導体の厚み及び十分なデプスマーカーの厚みを保ちつ
つ、しかも狭磁気ギャップ化を達成し、周波数特性を大
幅に改善して高い再生分解能を得ることを可能とする磁
気抵抗効果型ヘッドを提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、磁気抵抗効果
素子の上下を軟磁性材で挟持してなる磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、磁気抵抗効果素子と電気的に接続される
引出し導体を、前記磁気抵抗効果素子形成面より低い段
差面上に形成して構成する。

【００１６】この場合、上記軟磁性材を多結晶フェライ
トからなる軟磁性基板として形成し構成してもよい。

【００１７】またこの場合、磁気記録媒体摺動面に臨む
引出し導体を高融点金属材料により形成して構成しても
よい。

【００１８】本発明は、磁気抵抗効果素子の上下を軟磁
性材で挟持してなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、ヘ
ッドデプスを検出するためのデプスマーカーを、磁気抵
抗効果素子形成面より低い段差面上に形成して構成す
る。

【００１９】

【作用】本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
は、磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と記す）と
電気的に接続される引出し導体が、上記ＭＲ素子形成面
より低い段差面上に形成されているので、上記ＭＲ素子
やこのＭＲ素子の上部に形成されているバイアス導体よ
りも大きな厚みを有する上記引出し導体が磁気ギャップ
間隔の値に影響を及ぼすことはない。従って、上記引出
し導体厚を所望の十分な大きさに形成してセンス電流を
安定に確保しつつも、磁気ギャップ間隔を所定の小さな
値とすることで良好な周波数特性が得られることとな
る。

【００２０】さらに、本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッ
ドにおいては、ヘッドデプスを検出するためのデプスマ
ーカーが、ＭＲ素子形成面より低い段差面上に形成され
ているので、上記ＭＲ素子やこのＭＲ素子の上部に形成
されているバイアス導体よりも大きな厚みを有する上記
デプスマーカーが磁気ギャップ間隔の値に影響を及ぼす
ことはない。従って、上記デプスマーカーを所望の十分
な大きさに形成してギャップデプスの測定を容易なもの
としつつも、磁気ギャップ間隔を所定の小さな値とする
ことで良好な周波数特性が得られることとなる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドの
いくつかの実施例を図面を参照しながら説明する。

【００２２】先ず、第１実施例に係る磁気抵抗効果型ヘ
ッド（以下、単にＭＲヘッドと記す）は、図１及び図２
（図１中で線分Ｃ−Ｃ’による断面図）に示すように、
磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と記す）４が、
再生時の磁路となる軟磁性体よりなる磁性体基板２で挟
み込まれた構造となっている。

【００２３】具体的には、先ず絶縁性に優れたＮｉ−Ｚ
ｎヘマタイト等の多結晶フェライトを材料とした磁性体
基板２が角度ほぼ４５度のテーパ面部２ａを有して形成
され、その上にこのテーパ面部２ａを滑らかにする目的
でいわゆるＳＯＧ（スピン・オン・グラス）の絶縁膜
（図示は省略）が成膜されている。ここで、上記ＳＯＧ
とは、ＳｉＯ₂（酸化珪素）系被膜形成用塗布液のこと
であり、各種電子部品材料を製造する工程でＳｉＯ₂を
主成分とする被膜を塗布−焼成法で形成する目的で用い
られる。このＳＯＧの組成は、珪素化合物（ＲｎＳｉ
（ＯＨ）_4-n）及び添加材（拡散用不純物，ガラス質形
成材，有機バインダ）を有機溶剤（アルコール主成分，
エステル，ケトン）に溶解したものである。

【００２４】そして、その上部に絶縁層３を介してＭＲ
素子４が形成され、このＭＲ素子４を丁度覆うようにこ
のＭＲ素子４にバイアス磁界を印加するためのバイアス
導体５が成膜されている。そして、これらＭＲ素子４及
びバイアス導体５の端部（ＭＲ素子４及びバイアス導体
５のテーパ面部の終端部）の引出し導体接合部４ａ及び
４ｂにおいて、接合部６ａ及び７ａでその一部が重ねら
れ接続された高融点金属を材料とする引出し電極６，７
が形成されている。ここで、これら引出し電極６，７の
接合部６ａ及び７ａが形成されている位置の高さは、Ｍ
Ｒ素子４のそれよりも低い。そして、これらバイアス導
体５及び引出し電極６，７の上部に絶縁層８を介して接
着材９によりＮｉ−Ｚｎヘマタイトを材料とした磁性体
基板１０が固定されて形成されている。

【００２５】ここで、図１に示すように、上記ＭＲ素子
４の近傍位置の磁性体基板２上には、上記ＭＲヘッドの
磁気記録媒体摺動面Ａの研削工程においてＭＲ素子４の
ヘッドデプスを正確に規定するためのデプスマーカー１
１が形成されている。このデプスマーカー１１は、図７
（図１中の線分Ｄ−Ｄ’による断面図）に示すように、
磁性体基板２上にデプスマーカー１１と略々同一形状で
ありこのデプスマーカー１１の厚みよりも深い溝部１２
が形成され、この溝部１２に絶縁層３を介して形成され
ている。そして、絶縁層８を介して接着材９によりＮｉ
−Ｚｎヘマタイトを材料とした磁性体基板１０が接着固
定されている。このデプスマーカー１１は、磁気記録媒
体摺動面Ａが底辺となるような直角二等辺三角形状であ
り、その直角部の頂点がデプス０の位置に規定されてい
る。つまり、この磁気記録媒体摺動面Ａを研削するとき
に、デプスマーカー１１の底辺１１ａの幅の１／２の値
が研削したデプスとなる。このデプスマーカー１１によ
り、ヘッドデプスを所定値に規定することができる。

【００２６】上記第１実施例に係るＭＲヘッドの作製方
法としては、先ず図３に示すように、絶縁性に優れたＮ
ｉ−Ｚｎヘマタイトを材料とした磁性体基板２に対し、
Ａｒイオンエッチング法によりイオン入射角４５度にて
３００ｎｍエッチングを行い、角度ほぼ４５度のテーパ
面部２ａを形成する。ここで、このＡｒイオンエッチン
グ法におけるイオン入射角は、図６に示すように、入射
角４５度でエッチング対象物の表面の面粗度が最も低い
値を示す。即ち、入射角４５度でエッチングを行なうこ
とで面粗度が最小値となり、ＭＲ特性に悪影響を及ぼす
ことが防止できる。

【００２７】その後、このテーパ面部２ａが形成された
磁性体基板２上にテーパ面部２ａを滑らかにする目的で
いわゆるＳＯＧ（スピン・オン・グラス）の絶縁膜（図
示は省略）をスピンコート（又はディッピング，吹き付
け）によって塗布して形成し、塗布型の絶縁層３を２０
０ｎｍに塗布して熱処理を行い、その上部にＭＲ素子４
及びバイアス導体５を蒸着或はスパッタ法により成膜す
る。そして、これら成膜したＭＲ素子４及びバイアス導
体５を、フォトリソグラフィー技術により所定の形状に
パターニングを行いイオンエッチング法によりエッチン
グ形成する。

【００２８】そして、図４に示すように、これらＭＲ素
子４及びバイアス導体５の端部（ＭＲ素子４及びバイア
ス導体５のテーパ面部の終端部）の引出し導体接合部４
ａ及び４ｂにおいて、Ｔｉ／Ｃｕよりなる厚さ約３００
ｎｍの引出し導体６，７をその接合部６ａ及び７ａでそ
の一部が重ね合わせられるように接続して形成し、その
上部にＳｉＯ₂またはＡｌ₂Ｏ₃等の絶縁層８をスパッ
タ法により成膜する。

【００２９】その後、図５に示すように、接着材９によ
り保護基板となるＮｉ−Ｚｎヘマタイトを材料とした磁
性体基板１０を接合し固定して、引出し電極６，７の端
子部及び絶縁層８の末端部にイオンエッチングを施す。
そして、上記デプスマーカー１１を指針としてこのＭＲ
ヘッドの磁気記録媒体摺動面Ａを所定のヘッドデプスに
研削して、上記ＭＲヘッドが完成する。

【００３０】ここで、上記図１に示すデプスマーカー１
１の作製方法について説明する。先ず、図８に示すよう
に、上記磁性体基板２に対してデプスマーカー１１より
も広く且つ深くエッチングを施して上記溝部１２を形成
する。この溝部１２は、フォトリソグラフィー技術によ
り非エッチング部分をレジスト樹脂によりマスクし、イ
オンミーリングにて形成するものである。なお、デプス
マーカー１１を磁性体基板２の基準面ｃよりも低く形成
するために、エッチング量はデプスマーカー１１の厚み
より大きくする必要がある。

【００３１】次いで、この溝部１２が形成された磁性体
基板２に図９に示すような絶縁層３をスパッタ形成し、
上述のようにＭＲ素子４やバイアス導体５等がこの溝部
１２の近傍で形成される前に、図１０に示すように、こ
の溝部１２の深さよりも厚みの薄いデプスマーカー１１
をＭＲ素子４に対する位置決めを行った後にこの溝部１
２内に形成する。なお、このデプスマーカー１１は、磁
気記録媒体摺動面Ａの研削時にその底辺１１ａの幅（即
ち、研削部に臨むデプスマーカー１１の底辺部）を測長
する必要上、金属顕微鏡での観察がし易いＣｕやＣｒ、
Ｔｉ等の金属を材料として形成する。このデプスマーカ
ー１１は、金属顕微鏡で正確な測定を行うために、その
厚み（膜厚）が０．５μｍ以上であることが必須である
ことから１μｍ程度の膜厚にて形成する。このとき、デ
プスマーカー１１は、上記ＭＲ素子４を保護する目的か
らいわゆるリフトオフ法により形成することが望まし
い。

【００３２】そして、図１１に示すように、バイアス導
体５及び引出し電極６，７の上部とともに絶縁層８を形
成し、接着材９によりＮｉ−Ｚｎヘマタイトを材料とし
た磁性体基板１０を接着固定してデプスマーカー１１が
完成する。

【００３３】上記第１実施例に係るＭＲヘッドにおいて
は、ＭＲ素子４と電気的に接続される引出し導体６，７
が、上記ＭＲ素子４の形成面より低い段差面上に形成さ
れているので、ＭＲ素子４やこのＭＲ素子４の上部に形
成されているバイアス導体５よりも大きな厚みを有する
上記引出し導体６，７が磁気ギャップ間隔の値に影響を
及ぼすことはない。従って、上記引出し導体６，７の膜
厚を所望の十分な大きさに形成してセンス電流を安定に
確保しつつも、磁気ギャップ間隔を所定の小さな値とす
ることで良好な周波数特性が得られることとなる。

【００３４】さらに、上記第１実施例に係るＭＲヘッド
においては、ヘッドデプスを検出するためのデプスマー
カー１１が、ＭＲ素子４の形成面より低い段差面上に形
成されているので、上記ＭＲ素子４やこのＭＲ素子４の
上部に形成されているバイアス導体５よりも大きな厚み
を有する上記デプスマーカー１１が磁気ギャップ間隔の
値に影響を及ぼすことはない。従って、このデプスマー
カー１１を所望の十分な大きさに形成してギャップデプ
スの測定を容易なものとしつつも、磁気ギャップ間隔を
所定の小さな値とすることで良好な周波数特性が得られ
ることとなる。

【００３５】次に、本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド
の第２実施例について図面を参照しながら説明する。な
お、上記第１実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドと対応
するものについては同符号を記す。

【００３６】この第２実施例は上記第１実施例とほぼ同
様の構成及び機能を有し、同様の方法により作製される
が、図１２及び図１３（図１２中で線分Ｅ−Ｅ’による
断面図）に示すように、ＭＲ素子２１及び引出し導体２
２，２３，２４及び２５の形状等と、デプスマーカー３
１の形状が異なる点で相違する。

【００３７】上記第２実施例では、ＭＲ素子の形状が磁
区を制御する上で重要な要因であることを考慮して、図
１２に示すように、ＭＲ素子２１がライン形状に形成さ
れている。すなわち、この第２実施例では、図１３、図
１４（図１２中で線分Ｆ−Ｆ’による断面図）及び図１
５（図１２中で線分Ｇ−Ｇ’による断面図）に示すよう
に、先ず絶縁性に優れたＮｉ−Ｚｎヘマタイト等の多結
晶フェライトを材料とした磁性体基板２が２つの角度ほ
ぼ４５度のテーパ面部２ｃ及び２ｄによって形成された
段差部２ｅ及び２ｆを有し、上記第１実施例と同様にＳ
ＯＧ（スピン・オン・グラス）の絶縁膜（図示は省略）
が成膜されている。そして、磁気記録媒体摺動面Ａにそ
の一側面部が臨むようにライン形状にＭＲヘッド２１が
形成され、このＭＲ素子２１を丁度覆うようにこのＭＲ
素子２１にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体
２６が成膜されている。そして、これらＭＲ素子２１及
びバイアス導体２６の第１の引出し導体接合部２１ａ及
び２１ｂにおいて、上記段差部２ｅにて接合部２２ａ及
び２３ａでその一部が重ねられ接続された高融点金属を
材料とする第１の引出し導体２２，２３が上記段差部２
ｅから上記段差部２ｆに架けて形成されている。更に、
これら第１の引出し導体２２，２３の他端の接合部２２
ｂ及び２３ｂには、上記段差部２ｆにおいて接合部２４
ａ及び２５ａで第１の引出し導体２２，２３と重ねられ
接続された第２の引出し導体２４，２５が形成されてい
る。

【００３８】そして、上記第１実施例と同様に、これら
バイアス導体２６、第１及び第２の引出し導体２２〜２
５の上部に絶縁層８を介して接着材９によりＮｉ−Ｚｎ
ヘマタイトを材料とした磁性体基板１０が固定されて形
成されている。

【００３９】ここで、上記図１２に示すように、上記Ｍ
Ｒ素子２１の近傍位置の磁性体基板２上には、上記ＭＲ
ヘッドの磁気記録媒体摺動面Ａの研削工程においてＭＲ
素子２１のヘッドデプスを正確に規定するためのデプス
マーカー３１が形成されている。このデプスマーカー３
１は、図１６（図１１中の線分Ｉ−Ｉ’による断面図）
に示すように、磁気記録媒体摺動面Ａが底辺となるよう
な直角二等辺三角形状であり、その直角部の頂点がデプ
ス０の位置に規定されている。つまり、この磁気記録媒
体摺動面Ａを研削するときに、デプスマーカー１１の底
辺１１ａの幅の１／２の値が研削したデプスとなる。こ
のデプスマーカー１１により、ヘッドデプスを所定値に
規定することができる。このデプスマーカー３１は、磁
性体基板２上にデプスマーカー３１と同一形状の溝部２
７が形成され、この溝部２７に成膜されている。これら
デプスマーカー３１及び磁性体基板２上には、絶縁層３
が形成され、このデプスマーカー３１の近傍上部に上述
のＭＲ素子２１やバイアス導体２５等が形成されてい
る。そして、これらバイアス導体２６及び引出し導体２
２〜２５の上部に絶縁層８を介して接着材９によりＮｉ
−Ｚｎヘマタイトを材料とした磁性体基板１０が固定さ
れて形成されている。

【００４０】上記第２実施例に係るＭＲヘッドの作製方
法としては、先ず図１７に示すように、絶縁性に優れた
Ｎｉ−Ｚｎヘマタイトを材料とした磁性体基板２に対
し、Ａｒイオンエッチング法によりイオン入射角４５度
にて１００ｎｍ及び３００ｎｍエッチングを行い、テー
パ面部２ｃ及び２ｄを形成することで上記段差部２ｅ及
び２ｆを形成し、上記ＳＯＧ（スピン・オン・グラス）
の絶縁膜（図示は省略）をスピンコート（又はディッピ
ング，吹き付け）によって塗布して形成し、その上部に
塗布型の絶縁層３を成膜する。

【００４１】その後、図１８に示すように、磁気記録媒
体摺動面Ａにその一端部が臨むようにＭＲ素子２１及び
バイアス導体２６を成膜し、フォトリソグラフィー技術
により所定の形状にパターニングを行いイオンエッチン
グ法によりエッチング形成する。そして、図１９（図１
２中の折れ線Ｈ−Ｈ’による断面図）に示すように、こ
れらＭＲ素子２１及びバイアス導体２６の第１の引出し
導体接合部２１ａ及び２１ｂにおいて、上記段差部２ｅ
にて接合部２２ａ及び２３ａでその一部が重ねられ接続
された第１の引出し導体２２，２３を上記段差部２ｅか
ら上記段差部２ｆに架けて形成する。更に、これら第１
の引出し導体２２，２３の他端の接合部２２ｂ及び２３
ｂに、上記段差部２ｆにおいて接合部２４ａ及び２５ａ
で第１の引出し導体２２，２３と重ねられ接続された第
２の引出し導体２４，２５を形成し、その上部にＳｉＯ
₂またはＡｌ₂Ｏ₃等の絶縁層８をスパッタ法により成
膜する。

【００４２】その後、接着材９により保護基板となるＮ
ｉ−Ｚｎヘマタイトを材料とした磁性体基板１０を接合
し固定して、第１及び第２の引出し電極２２〜２５の端
子部及び絶縁層８の末端部にイオンエッチングを施す。
そして、上記デプスマーカー３１を指針としてこのＭＲ
ヘッドの磁気記録媒体摺動面Ａを所定のヘッドデプスに
研削して、上記ＭＲヘッドが完成する。

【００４３】ここで、上記図１２に示すデプスマーカー
３１の作製方法について説明する。先ず、図２０に示す
ように、上記磁性体基板２に対してデプスマーカー３１
よりも所定分深くエッチングを施して上記溝部２７を形
成する。この溝部２７は、フォトリソグラフィー技術に
より非エッチング部分をレジスト樹脂によりマスクし、
イオンミーリングにて形成するものである。

【００４４】その後、図２１に示すように、溝部２７が
形成された磁性体基板２の全面にデプスマーカー３１の
材料である金属膜３２を成膜する。そしてこの金属膜３
２が成膜された磁性体基板２を、図２２に示すようにダ
イヤモンド等を用いて機械的に研削し、デプスマーカー
３１が上記溝部２７に完全に埋め込まれた形状とする。
なお、この研削量としては、磁性体基板２が１μｍ程度
研削される位を目安とする。

【００４５】そして、図２３に示すように、バイアス導
体５及び第１及び第２の引出し導体２２〜２５の上部と
ともに絶縁層８を形成し、接着材９によりＮｉ−Ｚｎヘ
マタイトを材料とした磁性体基板１０を接着固定してデ
プスマーカー３１が完成する。

【００４６】上記第２実施例に係るＭＲヘッドにおいて
は、上記第１実施例と同様に、ＭＲ素子２１と電気的に
接続される第１及び第２の引出し導体２２〜２５が、上
記ＭＲ素子２１の形成面より低い段差面上に形成されて
いるので、ＭＲ素子２１やこのＭＲ素子２１の上部に形
成されているバイアス導体２６よりも大きな厚みを有す
る第１及び第２の引出し導体２２〜２５が磁気ギャップ
間隔の値に影響を及ぼすことはない。従って、第１及び
第２の引出し導体２２〜２５の膜厚を所望の十分な大き
さに形成してセンス電流を安定に確保しつつも、磁気ギ
ャップ間隔を所定の小さな値とすることで良好な周波数
特性が得られることとなる。

【００４７】さらに、上記第２実施例に係るＭＲヘッド
においては、ヘッドデプスを検出するためのデプスマー
カー３１が、ＭＲ素子２１の形成面より低い段差面上に
形成されているので、上記ＭＲ素子２１やこのＭＲ素子
２１の上部に形成されているバイアス導体２６よりも大
きな厚みを有する上記デプスマーカー３１が磁気ギャッ
プ間隔の値に影響を及ぼすことはない。従って、このデ
プスマーカー３１を所望の十分な大きさに形成してギャ
ップデプスの測定を容易なものとしつつも、磁気ギャッ
プ間隔を所定の小さな値とすることで良好な周波数特性
が得られることとなる。

【００４８】なお、本発明は上記第１及び第２実施例に
係るＭＲヘッドに限定されるものではなく、例えば、上
記第１実施例において、そのデプスマーカーとしてデプ
スマーカー３１を用いたり、さらに上記第２実施例にお
いて、そのデプスマーカーとしてデプスマーカー１１を
用いたりすることも可能である。

【００４９】

【発明の効果】本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドによ
れば、磁気抵抗効果素子の上下を軟磁性材で挟持してな
る磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と
電気的に接続される引出し導体を、前記磁気抵抗効果素
子形成面より低い段差面上に形成して構成したので、十
分な引出し導体の厚みを保ちつつ、しかも狭磁気ギャッ
プ化を達成し、周波数特性を大幅に改善して高い再生分
解能を得ることが可能となる。

【００５０】また、本発明によれば、磁気抵抗効果素子
の上下を軟磁性材で挟持してなる磁気抵抗効果型ヘッド
において、ヘッドデプスを検出するためのデプスマーカ
ーを、磁気抵抗効果素子形成面より低い段差面上に形成
して構成したので、十分なデプスマーカーの厚みを保ち
つつ、しかも狭磁気ギャップ化を達成し、周波数特性を
大幅に改善して高い再生分解能を得ることを可能とす
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッ
ドの要部を模式的に示す断面図である。

【図２】本第１実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの図
１中の線分Ｃ−Ｃ’による断面を模式的に示す断面図で
ある。

【図３】本第１実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの作
製工程において、バイアス導体まで作製された様子を模
式的に示す断面図である。

【図４】本第１実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの作
製工程において、引出し導体及び絶縁層まで作製された
様子を模式的に示す断面図である。

【図５】本第１実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドが作
製された様子を模式的に示す断面図である。

【図６】イオンエッチング法において、イオン入射角と
対象物の表面の粗面度に関係を示す特性図である。

【図７】本第１実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの構
成要素であるデプスマーカーの線分Ｄ−Ｄ’による断面
模式的に示す断面図である。

【図８】上記デプスマーカーの作製工程において、磁性
対基板にイオンエッチングが施されて溝部が形成された
様子を模式的に示す断面図である。

【図９】上記デプスマーカーの作製工程において、イオ
ンエッチングが施されて溝部が形成された磁性対基板に
絶縁層が形成された様子を模式的に示す断面図である。

【図１０】上記デプスマーカーの作製工程において、イ
オンエッチングが施された磁性対基板の溝部に上記デプ
スマーカーが形成された様子を模式的に示す断面図であ
る。

【図１１】上記デプスマーカーの作製工程において、こ
のデプスマーカーが完成した様子を模式的に示す断面図
である。

【図１２】本発明の第２実施例に係る磁気抵抗効果型ヘ
ッドの要部を模式的に示す断面図である。

【図１３】本第２実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの
図１中の線分Ｅ−Ｅ’による断面を模式的に示す断面図
である。

【図１４】本第２実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの
図１中の線分Ｆ−Ｆ’による断面を模式的に示す断面図
である。

【図１５】本第２実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの
図１中の線分Ｇ−Ｇ’による断面を模式的に示す断面図
である。

【図１６】本第１実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの
構成要素であるデプスマーカーの線分Ｉ−Ｉ’による断
面を模式的に示す断面図である。

【図１７】本第２実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの
作製工程において、イオンエッチングが施された磁性対
基板上に絶縁層が形成された様子を模式的に示す断面図
である。

【図１８】本第２実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの
作製工程において、イオンエッチングが施され、絶縁層
が形成された磁性体基板上に金属膜が成膜された様子を
模式的に示す断面図である。

【図１９】本第２実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの
作製工程において、この磁気抵抗効果型ヘッドが完成し
た様子を模式的に示す断面図である。

【図２０】上記デプスマーカーの作製工程において、磁
性対基板にイオンエッチングが施されて溝部が形成され
た様子を模式的に示す断面図である。

【図２１】上記デプスマーカーの作製工程において、イ
オンエッチングが施されて溝部が形成された磁性対基板
に絶縁層が形成された様子を模式的に示す断面図であ
る。

【図２２】上記デプスマーカーの作製工程において、イ
オンエッチングが施された磁性対基板の溝部に上記デプ
スマーカーが形成された様子を模式的に示す断面図であ
る。

【図２３】上記デプスマーカーの作製工程において、こ
のデプスマーカーが完成した様子を模式的に示す断面図
である。

【図２４】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの要部を模式的
に示す断面図である。

【図２５】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの図２４中の線
分Ａ−Ａ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図２６】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの図２４中の線
分Ｂ−Ｂ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図２７】磁気記録媒体摺動面の研削の際に、磁気抵抗
効果型素子の抵抗変化によりギャップデプスを測定する
方法を示す模式図である。

【符号の説明】

２，１０・・・磁性体基板４，２１・・・ＭＲ薄膜ヘッド５，２６・・・バイアス導体６，７・・・引出し導体１１，３１・・・デプスマーカー２２，２３・・・第１の引出し導体２４，２５・・・第２の引出し導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果素子の上下を軟磁性材で挟
持してなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と電気的に接続される引出し導体が、
前記磁気抵抗効果素子形成面より低い段差面上に形成さ
れてなることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２】軟磁性材が多結晶フェライトからなる軟
磁性基板であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵
抗効果型ヘッド。
【請求項３】磁気記録媒体摺動面に臨む引出し導体が
高融点金属材料により形成されていることを特徴とする
請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項４】磁気抵抗効果素子の上下を軟磁性材で挟
持してなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、ヘッドデプスを検出するためのデプスマーカーが、磁気
抵抗効果素子形成面より低い段差面上に形成されてなる
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。