JPS63293714A - ヨ−ク型磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
ヨ−ク型磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPS63293714A JPS63293714A JP13064787A JP13064787A JPS63293714A JP S63293714 A JPS63293714 A JP S63293714A JP 13064787 A JP13064787 A JP 13064787A JP 13064787 A JP13064787 A JP 13064787A JP S63293714 A JPS63293714 A JP S63293714A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業」Ｊ」ｕ１別比
本発明は、磁気ヘッドに関し、特に、磁気記録媒体から
の信号磁界をヨークを介して磁気抵抗効果素子で検出す
るヨーク型磁気抵抗効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと略す
）に関するものである。
の信号磁界をヨークを介して磁気抵抗効果素子で検出す
るヨーク型磁気抵抗効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと略す
）に関するものである。
匡巌包皮直
従来この種のＭＲへｌ／ドは大きく分けて２種類に分け
られる。１つはＭＲ素子が直接摺動面に露出しているタ
イプ（第２図参照）であり、２つは、ＭＲ素子を摺動面
に垂直な平面上で、摺動面より奥に配置し、信号磁界を
フラックスガイドによってＭＲ素子に導くタイプである
。両タイプ共にトラック幅によってＭＲ素子寸法でか規
制され、特にマルチトラックＭＲヘッドではトラックピ
ッチより長いＭＲ素子寸法を持つヘッドはなかった。
られる。１つはＭＲ素子が直接摺動面に露出しているタ
イプ（第２図参照）であり、２つは、ＭＲ素子を摺動面
に垂直な平面上で、摺動面より奥に配置し、信号磁界を
フラックスガイドによってＭＲ素子に導くタイプである
。両タイプ共にトラック幅によってＭＲ素子寸法でか規
制され、特にマルチトラックＭＲヘッドではトラックピ
ッチより長いＭＲ素子寸法を持つヘッドはなかった。
尚、ＭＲヘッドに関する参考文献としては、対馬立部監
修、総合技術センター発行の高密度磁気記録技術集成Ｐ
１３３〜１４Ｂがある。
修、総合技術センター発行の高密度磁気記録技術集成Ｐ
１３３〜１４Ｂがある。
上述したＭＲヘッドは、磁束応答型であり、第２図に示
すようにＭＲ素子１の両端に導電リード２を接続して通
電し、流れる電流■に対して直交方向に外部磁界Ｈｅｘ
を作用させるとＭＲ素子１内の磁化Ｍが角度θだけ回転
し、その回転角θに対して、ＭＲ素子１内の電流１方向
の比抵抗ρが変化する磁気抵抗効果に基づくものである
。ＭＲ素子の比抵抗ρ（θ）は磁化Ｍの回転角度θに対
して、ρ０をθ＝０の時の比抵抗、△ρＩａＸ を現
される。又その時の出力ｅは、ＭＲ素子１の断面積をＳ
、ＭＲ素子１のトラック幅方向で長手寸法を１１又磁化
がθ からθ２まで変化した！ とするときの比抵抗変化Δρ＝ρ（θ１）−ρ（θ２）
、センス電流の大きさを■、とした時ｅ＝Ｊ／Ｓ・△ρ
・Ｉと表現される。又、ρ（θ）はθ＝０に関して軸対
称型であるのでＭＲ素子の再生信号を実用的なものにす
るためには、信号磁界方向にバイアス磁界を加えて動作
点をθ＝０のポイントよりずらす必要がある。現在に至
るまでＭＲヘッドはテープ上信号磁束のＭＲ素子への導
入方法、ＭＲ素子のバイアス方法、各種ノイズの低減方
法等々によって各種の構造が提案されて来た。
すようにＭＲ素子１の両端に導電リード２を接続して通
電し、流れる電流■に対して直交方向に外部磁界Ｈｅｘ
を作用させるとＭＲ素子１内の磁化Ｍが角度θだけ回転
し、その回転角θに対して、ＭＲ素子１内の電流１方向
の比抵抗ρが変化する磁気抵抗効果に基づくものである
。ＭＲ素子の比抵抗ρ（θ）は磁化Ｍの回転角度θに対
して、ρ０をθ＝０の時の比抵抗、△ρＩａＸ を現
される。又その時の出力ｅは、ＭＲ素子１の断面積をＳ
、ＭＲ素子１のトラック幅方向で長手寸法を１１又磁化
がθ からθ２まで変化した！ とするときの比抵抗変化Δρ＝ρ（θ１）−ρ（θ２）
、センス電流の大きさを■、とした時ｅ＝Ｊ／Ｓ・△ρ
・Ｉと表現される。又、ρ（θ）はθ＝０に関して軸対
称型であるのでＭＲ素子の再生信号を実用的なものにす
るためには、信号磁界方向にバイアス磁界を加えて動作
点をθ＝０のポイントよりずらす必要がある。現在に至
るまでＭＲヘッドはテープ上信号磁束のＭＲ素子への導
入方法、ＭＲ素子のバイアス方法、各種ノイズの低減方
法等々によって各種の構造が提案されて来た。
Ｂ （゛ 。
しかし、前述したようにＭＲ素子のトラック幅方向の長
さは高記録密度化を図ろうとすれば、制約が伴う。すな
わち、ＭＲヘッドの再生出力は、ＭＲ素子に導入される
信号磁界の磁束密度を一定、又ＭＲ素子断面績も一定と
する場合、センス電流の大きさとＭＲ素子長に大きく依
存する。高密度磁気記録を行うための主な方法の１つと
してトラック幅を狭くする事が考えられるが、この事は
ＭＲ素子長を短くする事になり、再生出力の低下を招く
。
さは高記録密度化を図ろうとすれば、制約が伴う。すな
わち、ＭＲヘッドの再生出力は、ＭＲ素子に導入される
信号磁界の磁束密度を一定、又ＭＲ素子断面績も一定と
する場合、センス電流の大きさとＭＲ素子長に大きく依
存する。高密度磁気記録を行うための主な方法の１つと
してトラック幅を狭くする事が考えられるが、この事は
ＭＲ素子長を短くする事になり、再生出力の低下を招く
。
この出力低下をセンス電流を大きくする事によって補う
には、限界があり、ある程度以下の狭トラツク化は非常
に困難である。
には、限界があり、ある程度以下の狭トラツク化は非常
に困難である。
。 ′ 、の
本発明のＭＲヘッドは、平行なＭＲ素子を複数個有し、
しかも媒体摺動面より奥の方向に配列する事、及び、上
下のヨーク基板に溝を形成する事により磁気的に近接す
る突起部とし、それらをフラックスガイドとし、フラッ
クスガイドと複数個のＭＲ素子及び媒体上信号磁化によ
って形成される閉磁気回路内においてＭＲ素子を並列に
配置する事、及び、複数個のＭＲ素子をセンス電流を通
じる電気回路内において直列に結ぶ事を特徴としている
。
しかも媒体摺動面より奥の方向に配列する事、及び、上
下のヨーク基板に溝を形成する事により磁気的に近接す
る突起部とし、それらをフラックスガイドとし、フラッ
クスガイドと複数個のＭＲ素子及び媒体上信号磁化によ
って形成される閉磁気回路内においてＭＲ素子を並列に
配置する事、及び、複数個のＭＲ素子をセンス電流を通
じる電気回路内において直列に結ぶ事を特徴としている
。
１且
この構成は主に２つの点が特徴的である。すなわち、前
者は各ＭＲ素子が蛇行状配列で、かつ電気的に直列に結
ばれている事であり、後者は、磁気回路内で、ＭＲ素子
という大きな磁気抵抗部が磁気的に並列に結ばれている
事であり、それぞれ次の作用がある。すなわち、前者の
ＭＲ素子が電気的に直列に結ばれている点については、
各ＭＲ素子部はヨークの近接突起部であるフラックスガ
イドによって導かれてくる信号磁界によってＭＲ効果を
生じて比抵抗が変化し、これに伴ってＭＲ素子を流れて
いるセンス電流にくる降下電圧変化として現れる。この
場合各ＭＲ素子は電気的に直列に結ばれているので、各
素子ごとに現れる電圧変化は全て累積加算され、それぞ
れの素子の電圧変化の総和が出力となる。又後者のＭＲ
素子が磁気回路内で並列に結ばれている事に関しては、
磁気回路全体においては、ＭＲ素子は、大きな磁気抵抗
部分であるが、これらを磁気的に並列接続する事によっ
て、ＭＲ素子による磁気抵抗を大きく減少させ、ＭＲ素
子を複数個１つの磁気回路内に有する事によって磁路が
長（なり又、磁気抵抗が大きくなるという欠陥を大きく
減じている。
者は各ＭＲ素子が蛇行状配列で、かつ電気的に直列に結
ばれている事であり、後者は、磁気回路内で、ＭＲ素子
という大きな磁気抵抗部が磁気的に並列に結ばれている
事であり、それぞれ次の作用がある。すなわち、前者の
ＭＲ素子が電気的に直列に結ばれている点については、
各ＭＲ素子部はヨークの近接突起部であるフラックスガ
イドによって導かれてくる信号磁界によってＭＲ効果を
生じて比抵抗が変化し、これに伴ってＭＲ素子を流れて
いるセンス電流にくる降下電圧変化として現れる。この
場合各ＭＲ素子は電気的に直列に結ばれているので、各
素子ごとに現れる電圧変化は全て累積加算され、それぞ
れの素子の電圧変化の総和が出力となる。又後者のＭＲ
素子が磁気回路内で並列に結ばれている事に関しては、
磁気回路全体においては、ＭＲ素子は、大きな磁気抵抗
部分であるが、これらを磁気的に並列接続する事によっ
て、ＭＲ素子による磁気抵抗を大きく減少させ、ＭＲ素
子を複数個１つの磁気回路内に有する事によって磁路が
長（なり又、磁気抵抗が大きくなるという欠陥を大きく
減じている。
Ｌ直叶
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ｂ）は本発明の一実施例を示すヨーク型磁気抵抗効果
ヘッドの平面図である。第１図（ａ）は、第１図（ｂ）
ヘッドのＡ−Ａ”線切断断面図である。尚、第１図（ａ
）、（ｂ）に関して、同一部材には、同一番号を付して
いる。このヘッドの構造は、次に述べる製造プロセスの
説明により明らかとなる。まず下部ヨークとなるＮｉ−
Ｚｎフェライト等の基板５及び上部ヨーク（フロントヨ
ークとバックヨークとからなる）となる基板７上に溝４
及び６をドライエツチング法、ダイシングソウ等で形成
し、非磁性体、例えば、ＡＬ２０３．Ｓ１０枦あるいは
ガラス等を充てんし、表面を鏡面に研磨する。それから
電流によるバイアスを行うために、溝中に９のごとくバ
イアス線を設ける。次に溝形成によって基板５，７に生
ずるフェライトの突起部Ｐ、Ｑをフラックスガイドとし
効果的磁気回路を成すように多数平行に、ＭＲ素子１を
蒸着、又はスパッタリング及びドライエツチング等を用
いて形成する。これら複数のＭＲ素子１を導電性材料Ａ
ｕ／Ｃｒあるいは、Ａｕ／ＴＩ等で形成されるリード２
を用いて形状的には蛇行状パターンに、電気的には直列
に結ぶ。さらに記録密度等に鑑み、ギャンプ材８を非磁
性体材料ＡＬ２０３，５Ｓ０２９等をスパッタ又は蒸着
等によってギャップ部に適当な厚さで形成する。
（ｂ）は本発明の一実施例を示すヨーク型磁気抵抗効果
ヘッドの平面図である。第１図（ａ）は、第１図（ｂ）
ヘッドのＡ−Ａ”線切断断面図である。尚、第１図（ａ
）、（ｂ）に関して、同一部材には、同一番号を付して
いる。このヘッドの構造は、次に述べる製造プロセスの
説明により明らかとなる。まず下部ヨークとなるＮｉ−
Ｚｎフェライト等の基板５及び上部ヨーク（フロントヨ
ークとバックヨークとからなる）となる基板７上に溝４
及び６をドライエツチング法、ダイシングソウ等で形成
し、非磁性体、例えば、ＡＬ２０３．Ｓ１０枦あるいは
ガラス等を充てんし、表面を鏡面に研磨する。それから
電流によるバイアスを行うために、溝中に９のごとくバ
イアス線を設ける。次に溝形成によって基板５，７に生
ずるフェライトの突起部Ｐ、Ｑをフラックスガイドとし
効果的磁気回路を成すように多数平行に、ＭＲ素子１を
蒸着、又はスパッタリング及びドライエツチング等を用
いて形成する。これら複数のＭＲ素子１を導電性材料Ａ
ｕ／Ｃｒあるいは、Ａｕ／ＴＩ等で形成されるリード２
を用いて形状的には蛇行状パターンに、電気的には直列
に結ぶ。さらに記録密度等に鑑み、ギャンプ材８を非磁
性体材料ＡＬ２０３，５Ｓ０２９等をスパッタ又は蒸着
等によってギャップ部に適当な厚さで形成する。
最後に、基板７のフェライト突起部ＰとＭＲ素子２と、
基板５のフェライト突起部Ｑとが磁気回路を成し、しか
も有効にＭＲ効果を発生させるごとく、近接配置する。
基板５のフェライト突起部Ｑとが磁気回路を成し、しか
も有効にＭＲ効果を発生させるごとく、近接配置する。
なおこの時バイアス用導体９によって生ずるバイアス磁
界も信号磁界と同様突起部Ｐ、ＭＲ素子２．突起部Ｑ、
バイアス用導体９という順に閉磁気回路を成すようにす
る。第３図は、本発明の実施例によるＭＲヘッドの磁場
シュミレーション図でＭＲ素子を３個有している。第４
図は、本発明のＭＲヘッドと比較するための従来のＭＲ
ヘッドの磁場シュミレーション図でＭＲ素子を１つ有し
ており、ヨーク型ＭＲヘッドの類似構造となっている。
界も信号磁界と同様突起部Ｐ、ＭＲ素子２．突起部Ｑ、
バイアス用導体９という順に閉磁気回路を成すようにす
る。第３図は、本発明の実施例によるＭＲヘッドの磁場
シュミレーション図でＭＲ素子を３個有している。第４
図は、本発明のＭＲヘッドと比較するための従来のＭＲ
ヘッドの磁場シュミレーション図でＭＲ素子を１つ有し
ており、ヨーク型ＭＲヘッドの類似構造となっている。
第３図、第４図において各部図番は第１図と同様である
。この第３図、すなわち本発明によるＭＲヘッドのＭＲ
素子部に導入される磁束量と第４図のＭＲヘッドに導入
される磁束量をシュミレーションによって比較すると、
第４図のＭＲ素子に導入される磁束量１に対して第３図
のＭＲ素子にはそれぞれ約０．６づつ計１．８となり、
センス電流を両ヘッド共に一定とする場合、出力の比も
ｌ：１．８となり、本発明を適用したＭＲヘッドは従来
のＭＲヘッドの比して、８０％出力が高くなる効果があ
る。第５図は、本発明のその他の実施例を示すＭＲヘッ
ドの平面図で上側ヨークとなる基板の突起部は省略しで
ある。３は下側ヨークとなる基板のフェライト突起部、
は下側基板上にＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ□、ガラス等を充て
んして形成した溝である。又１はテープ上磁化による磁
束が上下の基板の突起部とＭＲ効果を起すのに十分有効
な閉磁気回路を構成するように配置されたＭＲ素子であ
る。又２は、これらのＭＲ素子を電気的に直列に結ぶた
めの導電性材料Ａｕ／Ｃｒ。
。この第３図、すなわち本発明によるＭＲヘッドのＭＲ
素子部に導入される磁束量と第４図のＭＲヘッドに導入
される磁束量をシュミレーションによって比較すると、
第４図のＭＲ素子に導入される磁束量１に対して第３図
のＭＲ素子にはそれぞれ約０．６づつ計１．８となり、
センス電流を両ヘッド共に一定とする場合、出力の比も
ｌ：１．８となり、本発明を適用したＭＲヘッドは従来
のＭＲヘッドの比して、８０％出力が高くなる効果があ
る。第５図は、本発明のその他の実施例を示すＭＲヘッ
ドの平面図で上側ヨークとなる基板の突起部は省略しで
ある。３は下側ヨークとなる基板のフェライト突起部、
は下側基板上にＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ□、ガラス等を充て
んして形成した溝である。又１はテープ上磁化による磁
束が上下の基板の突起部とＭＲ効果を起すのに十分有効
な閉磁気回路を構成するように配置されたＭＲ素子であ
る。又２は、これらのＭＲ素子を電気的に直列に結ぶた
めの導電性材料Ａｕ／Ｃｒ。
Ａｕ／ ＴＩ等で構成されるリードである。この実施例
では、ＭＲ素子に流れる電流りの向きが、全ての素子で
同一方向であるため各ＭＲ素子に流れる電流自体によっ
て発生する磁界が閉磁気回路を作り、ＭＲ素子自身をバ
イアスする助けとなる。この構成の場合は以上の理由の
ため、バイアス手段としてシャントバイアス法をとると
他の構成によるＭＲヘッドのシャントバイアス法に比べ
少量の電流によって有効バイアスが印加できるという利
点がある。なお、上記実施例で述べたヨーク上の突起部
で形成したフェライトのフラックスガイドは、強磁性材
料を局所的スパッタリング等によって設ける事も可能で
ある。
では、ＭＲ素子に流れる電流りの向きが、全ての素子で
同一方向であるため各ＭＲ素子に流れる電流自体によっ
て発生する磁界が閉磁気回路を作り、ＭＲ素子自身をバ
イアスする助けとなる。この構成の場合は以上の理由の
ため、バイアス手段としてシャントバイアス法をとると
他の構成によるＭＲヘッドのシャントバイアス法に比べ
少量の電流によって有効バイアスが印加できるという利
点がある。なお、上記実施例で述べたヨーク上の突起部
で形成したフェライトのフラックスガイドは、強磁性材
料を局所的スパッタリング等によって設ける事も可能で
ある。
光ｊ廊と復果−
以上説明したように本発明は、複数のＭＲ素子に対し媒
体上磁化が発生する信号磁界をＭＲ素子に導くフラック
スガイドを有し、しかもそれらの構成が閉磁気回路内に
あるＭＲ素子を磁気的に並列に配置し、しかもセンス電
流が流れる電気回路においてＭＲ素子を電気的に直列に
結ぶ事により、複数のＭＲ素子に信号磁界を有効に導き
、しかも各ＭＲ素子で発生する信号電圧を全て加算した
ものを出力電圧として取り出す事を可能とし、よってト
ラック幅当りの出力を著しく高め、飛躍的な高記録密度
再生が出来る。
体上磁化が発生する信号磁界をＭＲ素子に導くフラック
スガイドを有し、しかもそれらの構成が閉磁気回路内に
あるＭＲ素子を磁気的に並列に配置し、しかもセンス電
流が流れる電気回路においてＭＲ素子を電気的に直列に
結ぶ事により、複数のＭＲ素子に信号磁界を有効に導き
、しかも各ＭＲ素子で発生する信号電圧を全て加算した
ものを出力電圧として取り出す事を可能とし、よってト
ラック幅当りの出力を著しく高め、飛躍的な高記録密度
再生が出来る。
第１図（ｂ）は、本発明による第１の実施例を示す磁気
抵抗効果ヘッドの平面図、第１図（ａ）は、第１図（ｂ
）ヘッドのＡ−Ａ’線切断断面図、第２図は、従来の磁
気抵抗効果型ヘッドの平面図、第３図は、本発明の実施
例の磁気抵抗効果ヘッド磁場を示す模擬パターン図、第
４図は、従来のヘッドの模擬パターン図、第５図は本発
明のその他の実施例を示すヘッドの平面図である。 １・・・磁気抵抗効果素子 ２・・・導電性リート３、
Ｐ、Ｑ・・・フラックスガイド突起部４・・・非磁性材
溝 ５・・・下部フェライト基板６・・・非磁性体材溝
７・・・上部フェライト基板８・・・非磁性ギャップ
材 第 １ 図（改） （ｂ） 第２図
抵抗効果ヘッドの平面図、第１図（ａ）は、第１図（ｂ
）ヘッドのＡ−Ａ’線切断断面図、第２図は、従来の磁
気抵抗効果型ヘッドの平面図、第３図は、本発明の実施
例の磁気抵抗効果ヘッド磁場を示す模擬パターン図、第
４図は、従来のヘッドの模擬パターン図、第５図は本発
明のその他の実施例を示すヘッドの平面図である。 １・・・磁気抵抗効果素子 ２・・・導電性リート３、
Ｐ、Ｑ・・・フラックスガイド突起部４・・・非磁性材
溝 ５・・・下部フェライト基板６・・・非磁性体材溝
７・・・上部フェライト基板８・・・非磁性ギャップ
材 第 １ 図（改） （ｂ） 第２図
Claims (1)
- ヨーク型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素
子を摺動面より奥の方へ複数本平行に分割して形成し、
それらの磁気抵抗効果素子を導電体で電気的には直列に
結び、さらに磁気抵抗効果素子と媒体摺動面からの磁束
を媒体磁化と閉磁気回路を成すようにヨークに磁気抵抗
効果素子へ近接配置する突起部を設け、しかも各磁気抵
抗効果素子は磁気回路内で並列に配置する事を特徴とす
るヨーク型磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13064787A JPS63293714A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ヨ−ク型磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13064787A JPS63293714A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ヨ−ク型磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63293714A true JPS63293714A (ja) | 1988-11-30 |
Family
ID=15039254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13064787A Pending JPS63293714A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ヨ−ク型磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63293714A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06325331A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-11-25 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘッド |
| EP0644529A2 (en) * | 1993-09-20 | 1995-03-22 | Fujitsu Limited | A magnetic memory device |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP13064787A patent/JPS63293714A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06325331A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-11-25 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘッド |
| EP0644529A2 (en) * | 1993-09-20 | 1995-03-22 | Fujitsu Limited | A magnetic memory device |
| EP0644529A3 (en) * | 1993-09-20 | 1995-12-06 | Fujitsu Ltd | Magnetic memory device. |
| US5717630A (en) * | 1993-09-20 | 1998-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic memory device |
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