JPS6015813A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6015813A JPS6015813A JP12380983A JP12380983A JPS6015813A JP S6015813 A JPS6015813 A JP S6015813A JP 12380983 A JP12380983 A JP 12380983A JP 12380983 A JP12380983 A JP 12380983A JP S6015813 A JPS6015813 A JP S6015813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- head
- recording medium
- magnetic permeability
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果素子（以下単にＭＲ素子と称す）
を用いた薄膜磁気ヘッドに関するものであり、磁気テー
プ、磁気ディスク、永久磁石などの磁気信号情報源とな
る磁気記録媒体に当近接して信号再生を行なうだめのも
のであって、コンピュータ用のディスク装置あるいはテ
ープ装置、ＰＣ’Ｍ（パルスコード変調）録音機、ビデ
オテープレコーダなどに用いられる磁気ヘッド、あるい
は各種磁気センサとして利用できるものである。
を用いた薄膜磁気ヘッドに関するものであり、磁気テー
プ、磁気ディスク、永久磁石などの磁気信号情報源とな
る磁気記録媒体に当近接して信号再生を行なうだめのも
のであって、コンピュータ用のディスク装置あるいはテ
ープ装置、ＰＣ’Ｍ（パルスコード変調）録音機、ビデ
オテープレコーダなどに用いられる磁気ヘッド、あるい
は各種磁気センサとして利用できるものである。
従来例の構成とその問題点
従来のＭＲ素子１を用いた薄膜磁気ヘッドとして、第１
図に示すように、磁気テープなどの磁気記録媒体２に対
向してＭＲ素子１が配置され、その両側に磁性体３，４
を配置して短波長再生特性を向上させたいわゆるシール
ド型ＭＲヘッドがある。通常、一方の磁性体３としては
フェライト基板を使用し、この上にＭＲ素子１を配置し
、他方の磁性体４としてシールド層がＭＦＩ素子１に関
しフェライト基板３とは反対側に配置された構成となっ
ている。ＭＲ素子１とフェライト基板からなる磁性体３
との間、およそＭＲ素子１とシールド層４からなる磁性
体との間には、非磁性層によってそれぞれギャップ層が
形成されている。それぞれの厚みを９１．ｑ２ とする
。ＭＲ素子１の厚みをｔ、巾をＷとする。なお、２方向
の寸法はトラック巾に相当する。磁気記録媒体２からの
信号磁束がＭＲ素子１に印加され、ＭＲ素子１に２方向
に流れる検知電流ｉにより、ＭＲ素子１両端の抵抗変化
として信号再生を行うものである。第１図で示されたシ
ールド型ＭＲヘッドの場合は、磁性体３．４の透磁率を
無限大としたとき、信号磁束ΦはＭＲ素子１中で次式に
示すような分布となる。
図に示すように、磁気テープなどの磁気記録媒体２に対
向してＭＲ素子１が配置され、その両側に磁性体３，４
を配置して短波長再生特性を向上させたいわゆるシール
ド型ＭＲヘッドがある。通常、一方の磁性体３としては
フェライト基板を使用し、この上にＭＲ素子１を配置し
、他方の磁性体４としてシールド層がＭＦＩ素子１に関
しフェライト基板３とは反対側に配置された構成となっ
ている。ＭＲ素子１とフェライト基板からなる磁性体３
との間、およそＭＲ素子１とシールド層４からなる磁性
体との間には、非磁性層によってそれぞれギャップ層が
形成されている。それぞれの厚みを９１．ｑ２ とする
。ＭＲ素子１の厚みをｔ、巾をＷとする。なお、２方向
の寸法はトラック巾に相当する。磁気記録媒体２からの
信号磁束がＭＲ素子１に印加され、ＭＲ素子１に２方向
に流れる検知電流ｉにより、ＭＲ素子１両端の抵抗変化
として信号再生を行うものである。第１図で示されたシ
ールド型ＭＲヘッドの場合は、磁性体３．４の透磁率を
無限大としたとき、信号磁束ΦはＭＲ素子１中で次式に
示すような分布となる。
透磁率）で表わされ、
Ｗ〉−の場合には、上式で示される分布は、概γ
略、第２図に示すようになる。すなわちＭＲ素子１の先
端の寄与率がきわめて大きい。この傾向はＭＲ素子１の
透磁率が小さい場合、あるいは、ギャップ長ｑ１＋９２
が小さい場合、ＭＲ素子１の厚みｔが小さい場合に、よ
り顕著になる。このことは狭ギャップ化を図り、短波長
再生特性を向上させようとすればするほど、先端部の寄
与が高まることを意味する。
端の寄与率がきわめて大きい。この傾向はＭＲ素子１の
透磁率が小さい場合、あるいは、ギャップ長ｑ１＋９２
が小さい場合、ＭＲ素子１の厚みｔが小さい場合に、よ
り顕著になる。このことは狭ギャップ化を図り、短波長
再生特性を向上させようとすればするほど、先端部の寄
与が高まることを意味する。
このようなヘッドの特性を解析すると、ヘッドと磁気記
録媒体２との間に存在するスペーシングＳが実効的にき
わめて大きくないと説明がつかない特性曲線を示す。通
常スペーシングＳは、ヘッドの表面粗さと磁気記録媒体
の表面粗さと空気層とによって決まっていると考えられ
るが、磁気記録媒体の走行速度が７６ ｃｍ ７秒以下
では空気層はほとんど無視できる。この時どんなに表面
粗さを大きく見積っても０．２μｍを超えないと考えら
れてきた。しかし、実際にヘッドを測定し、その特性面
からみると、Ｓ；ｏ、ｙμη１．程度と逆算され、この
不一致のきわめて大きいことがわかった。
録媒体２との間に存在するスペーシングＳが実効的にき
わめて大きくないと説明がつかない特性曲線を示す。通
常スペーシングＳは、ヘッドの表面粗さと磁気記録媒体
の表面粗さと空気層とによって決まっていると考えられ
るが、磁気記録媒体の走行速度が７６ ｃｍ ７秒以下
では空気層はほとんど無視できる。この時どんなに表面
粗さを大きく見積っても０．２μｍを超えないと考えら
れてきた。しかし、実際にヘッドを測定し、その特性面
からみると、Ｓ；ｏ、ｙμη１．程度と逆算され、この
不一致のきわめて大きいことがわかった。
ＭＲ素子での比抵抗変化ΔρはＭＲ素子を流れる電流ｉ
とＭＲ素子内の磁化の向きとのなす角ψで関係づけられ
、 ΔρＸΔρｍａｘ房ψ となる。ここでΔｐｍａｘは飽和磁界下での最大比抵抗
変化である。磁化の向きは信号磁束によって変化するこ
とは勿論である。
とＭＲ素子内の磁化の向きとのなす角ψで関係づけられ
、 ΔρＸΔρｍａｘ房ψ となる。ここでΔｐｍａｘは飽和磁界下での最大比抵抗
変化である。磁化の向きは信号磁束によって変化するこ
とは勿論である。
ここで述べた実効的なスペーシングＳ。ｆｆの原因とし
て、ヘッド前面加工時、あるいは磁気記録媒体との摺接
によって残留する歪層の影響でＭＲ素子先端部の磁化の
方向がばらばらとなり、本来もっとも敏感に信号磁束と
相互作用を起こさねばならない部分が不感状態になって
いるためではないかと考えられる。このような状態では
、ギャップ長を小さくしギャップ損失を少なくして短波
長再生特性を改善しようとしても、それ以上に大きな要
因でスペーシング損失が存在することになり、実現は不
可能である。この解決法として各種の加工法が検討され
て来たが、このような加工変質層を皆無にすることはで
きなかった。また、加工段階で仮に皆無にできたとして
も、磁気記録媒体との摺接によってなんらかの変質層が
入りこんでいるようであり、最終的には特性を測定する
ことでしか評価する方法がないため、細かい解析が困難
であり、きわめて短い波長を再生するヘッドは実現され
ていなかった。
て、ヘッド前面加工時、あるいは磁気記録媒体との摺接
によって残留する歪層の影響でＭＲ素子先端部の磁化の
方向がばらばらとなり、本来もっとも敏感に信号磁束と
相互作用を起こさねばならない部分が不感状態になって
いるためではないかと考えられる。このような状態では
、ギャップ長を小さくしギャップ損失を少なくして短波
長再生特性を改善しようとしても、それ以上に大きな要
因でスペーシング損失が存在することになり、実現は不
可能である。この解決法として各種の加工法が検討され
て来たが、このような加工変質層を皆無にすることはで
きなかった。また、加工段階で仮に皆無にできたとして
も、磁気記録媒体との摺接によってなんらかの変質層が
入りこんでいるようであり、最終的には特性を測定する
ことでしか評価する方法がないため、細かい解析が困難
であり、きわめて短い波長を再生するヘッドは実現され
ていなかった。
発明の目的
本発明の目的は、ＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッドにお
いてその短波長再生特性を改善した新規なヘッド構成を
提供することにある。
いてその短波長再生特性を改善した新規なヘッド構成を
提供することにある。
発明の構成
本発明によれば、磁気記録媒体に面する側に高透磁率薄
膜の端部が露呈し、その高透磁率薄膜のもう一方の端部
に隣接しもしくはその端部と磁気的に十分接触して、Ｍ
Ｒ素子が並置され、さらにとの高透磁率薄膜およびＭＲ
素子の厚み方向の少くとも一方の側に磁性体が配置され
てシールド型ＭＲヘッドを構成したものである。
膜の端部が露呈し、その高透磁率薄膜のもう一方の端部
に隣接しもしくはその端部と磁気的に十分接触して、Ｍ
Ｒ素子が並置され、さらにとの高透磁率薄膜およびＭＲ
素子の厚み方向の少くとも一方の側に磁性体が配置され
てシールド型ＭＲヘッドを構成したものである。
実施例の説明
本発明の第１の実施例について、第３図を用いて説明す
る。磁気記録媒体５に対向して、ＭＲ素子６が配置され
ており、このＭＲ素子６に隣接してその磁気配録媒体５
に面する側に高透磁率薄膜７が並置されている。短波長
再生を行なうために、ＭＲ素子６および高透磁率薄膜７
の厚み方向の少なくとも一方の側に磁性体が配置されて
いる。この場合、基板８．シールド層９の両方とも磁性
体である方がより短波長再生は効果的である。ＭＲ素子
６には２方向に検知電流ｉが流れ、高透磁率薄膜子より
誘導された信号磁束がＭＲ素子６に流れることにより、
信号再生を行なう。このように高透磁率薄膜７の役割は
磁束を誘導することが、この部分の厚みＴは、ＭＲ素子
６の厚みｔと同程度の厚みに選ぶ。すなわち、高透磁率
薄膜７の厚みＴが厚くなりすぎると、その部分でのギャ
ップ長が小さくなり、磁束をＭＲ素子６に伝達する効率
が悪くなる。一方、それが薄すぎると、高透磁率薄膜７
自身での磁束誘導効率が低下し、しかもその部分でギャ
ップ長が犬になって、ギャップ損失が増加する方向とな
る。高透磁率薄膜７の巾Ｗは、ＭＲ素子６の巾Ｗより小
さく選択される。実際にはＷの寸法は、高透磁率薄膜７
の性質に、依存して決められる。すなわち、高透磁率薄
膜７が磁気抵抗効果を有しないか、あるいはＭＲ素子６
に比べてその効果がきわめて小さい。たとえばΔρｍａ
Ｘ／ρの比で比較したとき、１／１０ｏ以下である場合
、（Δρｍａｘ： 飽和磁界下での最大比抵抗変化：ρ
：磁界Ｑの時の比抵抗）高透磁率薄膜子の比抵抗が、Ｍ
Ｒ素子６のそれに比べて十分大きく、たとえばほぼ１０
０倍以上である場合には、Ｗの選択の巾は広がる。この
ように高透磁率薄膜７はＭＲ素子６への磁束誘導路とし
てのみ作用することが理想であるが、一般には材質的な
意味からもＭＲ素子６の抵抗変化を小さくするよう作用
する。したがって、高透磁率薄膜７としての性質は上述
したような付帯条件がある方が望ましくなる。
る。磁気記録媒体５に対向して、ＭＲ素子６が配置され
ており、このＭＲ素子６に隣接してその磁気配録媒体５
に面する側に高透磁率薄膜７が並置されている。短波長
再生を行なうために、ＭＲ素子６および高透磁率薄膜７
の厚み方向の少なくとも一方の側に磁性体が配置されて
いる。この場合、基板８．シールド層９の両方とも磁性
体である方がより短波長再生は効果的である。ＭＲ素子
６には２方向に検知電流ｉが流れ、高透磁率薄膜子より
誘導された信号磁束がＭＲ素子６に流れることにより、
信号再生を行なう。このように高透磁率薄膜７の役割は
磁束を誘導することが、この部分の厚みＴは、ＭＲ素子
６の厚みｔと同程度の厚みに選ぶ。すなわち、高透磁率
薄膜７の厚みＴが厚くなりすぎると、その部分でのギャ
ップ長が小さくなり、磁束をＭＲ素子６に伝達する効率
が悪くなる。一方、それが薄すぎると、高透磁率薄膜７
自身での磁束誘導効率が低下し、しかもその部分でギャ
ップ長が犬になって、ギャップ損失が増加する方向とな
る。高透磁率薄膜７の巾Ｗは、ＭＲ素子６の巾Ｗより小
さく選択される。実際にはＷの寸法は、高透磁率薄膜７
の性質に、依存して決められる。すなわち、高透磁率薄
膜７が磁気抵抗効果を有しないか、あるいはＭＲ素子６
に比べてその効果がきわめて小さい。たとえばΔρｍａ
Ｘ／ρの比で比較したとき、１／１０ｏ以下である場合
、（Δρｍａｘ： 飽和磁界下での最大比抵抗変化：ρ
：磁界Ｑの時の比抵抗）高透磁率薄膜子の比抵抗が、Ｍ
Ｒ素子６のそれに比べて十分大きく、たとえばほぼ１０
０倍以上である場合には、Ｗの選択の巾は広がる。この
ように高透磁率薄膜７はＭＲ素子６への磁束誘導路とし
てのみ作用することが理想であるが、一般には材質的な
意味からもＭＲ素子６の抵抗変化を小さくするよう作用
する。したがって、高透磁率薄膜７としての性質は上述
したような付帯条件がある方が望ましくなる。
第４図に、本発明の構成をより具体化した第２の実施例
を示す。この実施例は、ＭＲ素子を形成する下地面にき
わめて細かいピッチの縞状の凹凸があるヘアライン型Ｍ
Ｒヘッド（参照；信学会磁気記録研究会資料；ＭＲＢ２
−３９ ； １９８３年３月）に応用した例であるが、
このヘアラインヘッドはセルフバイアス機能を有してお
シ、他のタイプのＭＲヘッド、たとえばシャントバイア
ス型ＭＲヘッドよりも、ＭＲ素子先端部が重要であり本
発明の作用がより顕著になる。第４図を用すて、以下詳
細に説明する。
を示す。この実施例は、ＭＲ素子を形成する下地面にき
わめて細かいピッチの縞状の凹凸があるヘアライン型Ｍ
Ｒヘッド（参照；信学会磁気記録研究会資料；ＭＲＢ２
−３９ ； １９８３年３月）に応用した例であるが、
このヘアラインヘッドはセルフバイアス機能を有してお
シ、他のタイプのＭＲヘッド、たとえばシャントバイア
ス型ＭＲヘッドよりも、ＭＲ素子先端部が重要であり本
発明の作用がより顕著になる。第４図を用すて、以下詳
細に説明する。
フェライト基板１０上に縞状の凹凸をピンチ０．３５μ
ｍ、深さ１００〜５００八で２方向と角度θ（θ−３０
〜８Ｑ０の範囲）で形成する。形成法については、ホロ
グラフィ技術とイオンミリング技術を用いる。ついで第
１のギャップ層となるＳ Ｘ ０２、あるいはＡｌ２Ｏ
３といった非磁性絶縁層（図示せず）をスパッタ法によ
シ形成する。ついでＮｉ−Ｆｅ系合金薄膜、あるいはＮ
ｉ−Ｃｏ系合金薄膜といった磁気抵抗効果が大きいＭＲ
素子１１を形成する。ついで高透磁率薄膜１２を、ＭＲ
素子１１にその一部が重なるよう形成する。重なり部分
は数μｍ以下とする。高透磁率薄膜１２としてはたとえ
ばフェライトなどの酸化物磁性体あるいはアモルファス
磁性体等をスパッタすることによって形成される。フェ
ライト薄膜は、比抵抗も数Ω・（７）程度のものが得ら
れ、また磁気抵抗効果はほとんど観測されない。一方、
アモルファス薄膜は比抵抗は数μΩ・副とＭＲ素子１１
のそれに比べて一桁程度しか大きくないが、磁気抵抗効
果はきわめて小さく有望である。ついでＭＲ素子１１に
電流ｉを供給するためのＡｕ／Ｃｒ、あるいはＡＩ等の
導体層（図示していない）が形成され、第２のギャップ
層となるＳｉＯ２あるいはＡｌ２Ｏ３からなる非磁性絶
縁層（図示していない）がその上部に形成され、さらに
Ｎｉ−Ｆｅ系合金、アモルファス合金などによる０、１
μｍ〜数μ？？？の／−ルド層１３が積層される。その
後、必要とあれば保護膜。
ｍ、深さ１００〜５００八で２方向と角度θ（θ−３０
〜８Ｑ０の範囲）で形成する。形成法については、ホロ
グラフィ技術とイオンミリング技術を用いる。ついで第
１のギャップ層となるＳ Ｘ ０２、あるいはＡｌ２Ｏ
３といった非磁性絶縁層（図示せず）をスパッタ法によ
シ形成する。ついでＮｉ−Ｆｅ系合金薄膜、あるいはＮ
ｉ−Ｃｏ系合金薄膜といった磁気抵抗効果が大きいＭＲ
素子１１を形成する。ついで高透磁率薄膜１２を、ＭＲ
素子１１にその一部が重なるよう形成する。重なり部分
は数μｍ以下とする。高透磁率薄膜１２としてはたとえ
ばフェライトなどの酸化物磁性体あるいはアモルファス
磁性体等をスパッタすることによって形成される。フェ
ライト薄膜は、比抵抗も数Ω・（７）程度のものが得ら
れ、また磁気抵抗効果はほとんど観測されない。一方、
アモルファス薄膜は比抵抗は数μΩ・副とＭＲ素子１１
のそれに比べて一桁程度しか大きくないが、磁気抵抗効
果はきわめて小さく有望である。ついでＭＲ素子１１に
電流ｉを供給するためのＡｕ／Ｃｒ、あるいはＡＩ等の
導体層（図示していない）が形成され、第２のギャップ
層となるＳｉＯ２あるいはＡｌ２Ｏ３からなる非磁性絶
縁層（図示していない）がその上部に形成され、さらに
Ｎｉ−Ｆｅ系合金、アモルファス合金などによる０、１
μｍ〜数μ？？？の／−ルド層１３が積層される。その
後、必要とあれば保護膜。
さらに保護部材等で薄膜素子部を覆い、チップ加工、線
処理などが施されて、薄膜ヘッドに仕上げられる。
処理などが施されて、薄膜ヘッドに仕上げられる。
ここではフェライト基板１１上に直接縞状の凹凸を形成
する例を示したが、ＭＲ素子１１が形成される下地面が
縞状の凹凸を有してｂることが必要であるのであって、
たとえば第１のギャップ層となる非磁性絶縁層上に形成
されてもよいことは自明である。
する例を示したが、ＭＲ素子１１が形成される下地面が
縞状の凹凸を有してｂることが必要であるのであって、
たとえば第１のギャップ層となる非磁性絶縁層上に形成
されてもよいことは自明である。
以上述べた実施例で明らかなように、ヘッド先端部は、
その部分がＭＲ素子そのものであって、磁束と電流ｉと
の相互作用によシ比抵抗変化が起こり、ヘッド出力に直
接的に影響を与えるメカニズムとして動作する部分では
なく、単に高透磁率材としてのみ作用する部分のため、
ヘッド出力への影響は間接的であり、また比較的軽微と
いえる。
その部分がＭＲ素子そのものであって、磁束と電流ｉと
の相互作用によシ比抵抗変化が起こり、ヘッド出力に直
接的に影響を与えるメカニズムとして動作する部分では
なく、単に高透磁率材としてのみ作用する部分のため、
ヘッド出力への影響は間接的であり、また比較的軽微と
いえる。
この現象の別の面からの例証として、きわめて短い波長
を再生するビデオヘッドにおいては、加工法を注意深く
選択することによって、スペーシング層が、ヘッドとテ
ープの表面粗さの和と・して算出されるように、加工歪
等による透磁率といった点での磁気的損傷を極限まで小
さくできている事実があげられる。一方、磁気記録媒体
からの磁束利用という点に関しては、先端部がＭＲ素子
として作用しないので、磁束利用効率は低下し、再生出
力自体は若干小さくなる。しかし、周波数特性が第−義
的に重要なのであって、電流１を増加することにより出
力の絶体値自体は大きくすることができる。したがって
、少々出力値が小さくても問題とならない。
を再生するビデオヘッドにおいては、加工法を注意深く
選択することによって、スペーシング層が、ヘッドとテ
ープの表面粗さの和と・して算出されるように、加工歪
等による透磁率といった点での磁気的損傷を極限まで小
さくできている事実があげられる。一方、磁気記録媒体
からの磁束利用という点に関しては、先端部がＭＲ素子
として作用しないので、磁束利用効率は低下し、再生出
力自体は若干小さくなる。しかし、周波数特性が第−義
的に重要なのであって、電流１を増加することにより出
力の絶体値自体は大きくすることができる。したがって
、少々出力値が小さくても問題とならない。
発明の効果
本発明によれば、スペーシング損失を極限まで小さくす
ることができ、磁気記録媒体上のきわめて短い記録波長
の情報をも効率よく再生することが可能となった。この
ように周波数特性に優れた特性により、従来むずかしい
とされてきた〜１００ＫＰＣＩといった高密度記録時の
再生をも良好に行なうことが可能となった。また、ＭＲ
素子が先端に露呈しないので、磁気記録媒体との摺動等
による熱雑音の発生が抑制される。さらに、高透磁率薄
膜としては磁気抵抗効果を有する必要がなく、耐候性の
良好な薄膜といった観点での材料選択も可能となり、信
頼性の高い薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
ることができ、磁気記録媒体上のきわめて短い記録波長
の情報をも効率よく再生することが可能となった。この
ように周波数特性に優れた特性により、従来むずかしい
とされてきた〜１００ＫＰＣＩといった高密度記録時の
再生をも良好に行なうことが可能となった。また、ＭＲ
素子が先端に露呈しないので、磁気記録媒体との摺動等
による熱雑音の発生が抑制される。さらに、高透磁率薄
膜としては磁気抵抗効果を有する必要がなく、耐候性の
良好な薄膜といった観点での材料選択も可能となり、信
頼性の高い薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
第１図は薄膜磁気ヘッドの従来例の断面図、第２図はシ
ールド型薄膜磁気ぜラドの磁気抵抗効果素子での磁束分
布を示す図である。第３図は本発明の薄膜磁気ヘッドの
第１の実施例の要部断面図、第４図は同じく第２の実施
例の要部斜視図である。 ６・・・・・・磁気抵抗効果素子、７・・・・・・高透
磁率薄膜、８・・・・・・基板、９・・・・・・シール
ド層、１０・・・・・・フェライト基板、１１・・・・
・・磁気抵抗効果素子、１２・・・・・・高透磁率薄膜
、１３・・・・・・シールド層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−６
： 第１図 第３図 第４図 ６
ールド型薄膜磁気ぜラドの磁気抵抗効果素子での磁束分
布を示す図である。第３図は本発明の薄膜磁気ヘッドの
第１の実施例の要部断面図、第４図は同じく第２の実施
例の要部斜視図である。 ６・・・・・・磁気抵抗効果素子、７・・・・・・高透
磁率薄膜、８・・・・・・基板、９・・・・・・シール
ド層、１０・・・・・・フェライト基板、１１・・・・
・・磁気抵抗効果素子、１２・・・・・・高透磁率薄膜
、１３・・・・・・シールド層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−６
： 第１図 第３図 第４図 ６
Claims (1)
- （１）磁気記録媒体に対向して磁気抵抗効果を有する素
子が配置され、この磁気抵抗効果を有する素子に隣接し
て前記磁気記録媒体に面する側に高透磁率薄膜が並置さ
れ、前記磁気抵抗効果を有する素子および前記高透磁率
薄膜の厚み方向の少なくとも一方の側に、磁性体が配置
されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 （→ 磁気抵抗効果を有する素子がＮｉ−Ｆｅ系ルミキ もしくはＮｉ−Ｃｏ系合金薄膜で構成されており、かつ
高透磁率薄膜がフェライトから々ることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 （鴎 磁気抵抗効果を有する素子が形成されている下地
面が縞状の凹凸を有していることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12380983A JPS6015813A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12380983A JPS6015813A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6015813A true JPS6015813A (ja) | 1985-01-26 |
Family
ID=14869863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12380983A Pending JPS6015813A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015813A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2786909A1 (fr) * | 1998-12-03 | 2000-06-09 | Jean Pierre Lazarri | Tete magnetique de lecture a magnetoresistance geante pour hautes densites d'informations |
-
1983
- 1983-07-07 JP JP12380983A patent/JPS6015813A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2786909A1 (fr) * | 1998-12-03 | 2000-06-09 | Jean Pierre Lazarri | Tete magnetique de lecture a magnetoresistance geante pour hautes densites d'informations |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08185612A (ja) | Ｍｒヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH05266434A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| EP0675486A2 (en) | Integrated yoke magnetoresistive transducer with magnetic shunt | |
| US6369992B1 (en) | Yoke-type head with magneto-resistance effect film recessed from medium facing surface and extending across magnetic gap | |
| US5140484A (en) | Magnetoresistive head having electrodes with a predetermined length and positioned to form a predetermined angle with the head surface | |
| JPH05135332A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPS6015813A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| EP0482642B1 (en) | Composite magnetoresistive thin-film magnetic head | |
| JPH0375929B2 (ja) | ||
| JPS61134913A (ja) | 磁気抵抗型薄膜ヘツド | |
| JP3565925B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPS59231728A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH05266437A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH05182146A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2697422B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH07176020A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH08321015A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッドおよびそれを用いた磁気記憶装置 | |
| JP2003208706A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0572642B2 (ja) | ||
| JPH0542729B2 (ja) | ||
| JPH0981910A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 | |
| JPH0668428A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH06223333A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JPS63285718A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH03214412A (ja) | 薄膜磁気ヘッド |