JPH03214412A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH03214412A JPH03214412A JP865990A JP865990A JPH03214412A JP H03214412 A JPH03214412 A JP H03214412A JP 865990 A JP865990 A JP 865990A JP 865990 A JP865990 A JP 865990A JP H03214412 A JPH03214412 A JP H03214412A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001289 Manganese-zinc ferrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001053 Nickel-zinc ferrite Inorganic materials 0.000 description 1
- JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録装置における記録情報を再生するた
めに用いる薄膜磁気ヘッドに関する。
めに用いる薄膜磁気ヘッドに関する。
従来の技術
最近、磁気記録装置において、記録媒体に記録された情
報を再生するヘッドとしてヨーク型の磁気抵抗ヘッド（
以下ＹＭＲヘッドと称する）を用いることがある。この
ＹＭＲヘッドは磁気抵抗素（１） 子（以下ＭＲ素子と称する）に磁束を導き、磁界の変化
をＭＲ素子の抵抗値の変化として取り出すものである。
報を再生するヘッドとしてヨーク型の磁気抵抗ヘッド（
以下ＹＭＲヘッドと称する）を用いることがある。この
ＹＭＲヘッドは磁気抵抗素（１） 子（以下ＭＲ素子と称する）に磁束を導き、磁界の変化
をＭＲ素子の抵抗値の変化として取り出すものである。
以下に従来のＹＭＲヘッドを第３図（ａ）〜（Ｃ）に沿
って説明する。
って説明する。
第３図（ａ）は従来のＹＭＲヘッドの斜視図、同図（ｂ
）はＸ−Ｘ線で切断した断面図、同図（Ｃ）はＭＲ素子
および磁気ヨーク部の平面図である。
）はＸ−Ｘ線で切断した断面図、同図（Ｃ）はＭＲ素子
および磁気ヨーク部の平面図である。
第３図（ａ）および（ｂ）に示すように、従来のＹＭＲ
ヘッドはマンガン・亜鉛フエライト基板、ニッケル・亜
鉛フエライト基板または磁性薄膜を形成した基板等の磁
性基板１の上に磁気バイアス印加用導体１１，ＭＲ素子
１２および高透磁率を有する磁気ヨーク１３ａおよび１
３ｂを絶縁層２を介して順次形成したものである。磁気
ヨーク１３ａの一方の端部は媒体走行面４に露出し、絶
縁層２および磁性基板１とともに磁気ギャップ４ａを構
成する。またＭＲ素子１２の引き出し用媒体５および磁
気バイアス印加用媒体１１には金，銅、アルミニウム等
の薄膜導体を用い、絶縁層２には二酸化珪素またはアル
ミナ等を用いる。また磁気ヨーク１３ａおよび１３ｂに
はパーマロイ，センダストまたはアモルファス磁性体等
を用いる。またＭＲ素子１２には磁気抵抗効果を示すニ
ッケル・鉄やニッケル・コバルト等の磁性材料またはイ
ンジウム・アンチモン等の半導体材料を用いる。
ヘッドはマンガン・亜鉛フエライト基板、ニッケル・亜
鉛フエライト基板または磁性薄膜を形成した基板等の磁
性基板１の上に磁気バイアス印加用導体１１，ＭＲ素子
１２および高透磁率を有する磁気ヨーク１３ａおよび１
３ｂを絶縁層２を介して順次形成したものである。磁気
ヨーク１３ａの一方の端部は媒体走行面４に露出し、絶
縁層２および磁性基板１とともに磁気ギャップ４ａを構
成する。またＭＲ素子１２の引き出し用媒体５および磁
気バイアス印加用媒体１１には金，銅、アルミニウム等
の薄膜導体を用い、絶縁層２には二酸化珪素またはアル
ミナ等を用いる。また磁気ヨーク１３ａおよび１３ｂに
はパーマロイ，センダストまたはアモルファス磁性体等
を用いる。またＭＲ素子１２には磁気抵抗効果を示すニ
ッケル・鉄やニッケル・コバルト等の磁性材料またはイ
ンジウム・アンチモン等の半導体材料を用いる。
ＭＲ素子１２は、磁気抵抗効果を示す材料を蒸着または
スパッタリングした後所定のパターンに形成して作製す
る。
スパッタリングした後所定のパターンに形成して作製す
る。
前記構造において、ＹＭＲヘッドは磁気テープ等の記録
媒体に記録された情報を、磁気ヨーク１３ａ＜ＭＲ素子
信号検出部１２ａ９磁気ヨークｌ３ｂ＝Ｏ磁１１基板ｌ
の経路によってＭＲ素子ｌ２に導き、このＭＲ素子１２
の抵抗値の変化古して取り出すものである。この場合、
磁気バイアス印加川媒体１１に所定の電流を流してＭＲ
素子ｌ２に適当なバイアス磁界を与えるようになってい
る。
媒体に記録された情報を、磁気ヨーク１３ａ＜ＭＲ素子
信号検出部１２ａ９磁気ヨークｌ３ｂ＝Ｏ磁１１基板ｌ
の経路によってＭＲ素子ｌ２に導き、このＭＲ素子１２
の抵抗値の変化古して取り出すものである。この場合、
磁気バイアス印加川媒体１１に所定の電流を流してＭＲ
素子ｌ２に適当なバイアス磁界を与えるようになってい
る。
また最近では、記録容量を上げるためにますますトラッ
ク幅が小さ《なる傾向にあり、それに対応して第３図（
Ｃ）に示すａ．ｂによるアスペクト比ｂ ／ ａが小さ
くなってきている。
ク幅が小さ《なる傾向にあり、それに対応して第３図（
Ｃ）に示すａ．ｂによるアスペクト比ｂ ／ ａが小さ
くなってきている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では、トラック幅が小さ
くなるき、アスペクト比ｂ ／ ａが小さくなり，ＹＭ
Ｒヘッドの出力電圧の変動やバルクハウゼンノイズが発
生しやすいという問題があった。またＭＲ素子１２にバ
イアス磁界を印加するための磁気バイアス印加用導体１
ｌが必要であり、そのために構造が複雑になるという問
題があった。
くなるき、アスペクト比ｂ ／ ａが小さくなり，ＹＭ
Ｒヘッドの出力電圧の変動やバルクハウゼンノイズが発
生しやすいという問題があった。またＭＲ素子１２にバ
イアス磁界を印加するための磁気バイアス印加用導体１
ｌが必要であり、そのために構造が複雑になるという問
題があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、磁気バイ
アス印加用導体を必要としない構造の単純な薄膜磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。
アス印加用導体を必要としない構造の単純な薄膜磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の薄膜磁気ヘッドは、
媒体走行面に直角にＭＲ素子の形成面を形成し、かつＭ
Ｒ素子の信号検出部を媒体走行面に対して非平行な直線
または折れ線としたちのである。
媒体走行面に直角にＭＲ素子の形成面を形成し、かつＭ
Ｒ素子の信号検出部を媒体走行面に対して非平行な直線
または折れ線としたちのである。
作用
この構成によって、ＭＲ素子の信号検出部の長さを長く
できるためアスベクト比を大きくでき、出力電圧の変動
およびバルクハウゼンノイズを低減することができる。
できるためアスベクト比を大きくでき、出力電圧の変動
およびバルクハウゼンノイズを低減することができる。
媒体走行面に対しＭＲ素子信号検出部を非平行に配置し
たためＭＲ素子は自動的に磁気バイアスされ、磁気バイ
アス印加用導体は不要となる。
たためＭＲ素子は自動的に磁気バイアスされ、磁気バイ
アス印加用導体は不要となる。
実施例
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッド
の斜視図、同図（ｂ）は同Ｙ−Ｙ線で切断したときの断
面図、同図（Ｃ）はＭＲ素子および磁気ヨーク部の平面
図、第２図（ａ）は本発明の他の実施例による薄膜磁気
ヘッドの斜視図、同図（ｂ）は同２ −．２線で切断し
たときの断面図、同図（Ｃ）はＭＲ素子および磁気ヨー
ク部の平面図である。なお第３図に示す従来例と同一箇
所には同一符号を付して詳細説明は省略する。
の斜視図、同図（ｂ）は同Ｙ−Ｙ線で切断したときの断
面図、同図（Ｃ）はＭＲ素子および磁気ヨーク部の平面
図、第２図（ａ）は本発明の他の実施例による薄膜磁気
ヘッドの斜視図、同図（ｂ）は同２ −．２線で切断し
たときの断面図、同図（Ｃ）はＭＲ素子および磁気ヨー
ク部の平面図である。なお第３図に示す従来例と同一箇
所には同一符号を付して詳細説明は省略する。
第１図の実施例においては、同図（ａ）および（ｂ）に
示すように、従来のＹＭＲヘッドには不可欠であった磁
気バイアス印加用導体ｌ１が不要である。また同図（Ｃ
）に示すように、ＭＲ素子３の形成面は媒体走行面４に
直角にかつＭＲ素子の信号検出部３ａは媒体走行面４に
対して、非平行に形成されており、それにともなって高
透磁率を有する磁気ヨーク６ａおよび６ｂの先端部も媒
体走行面４に非平行になっている。
示すように、従来のＹＭＲヘッドには不可欠であった磁
気バイアス印加用導体ｌ１が不要である。また同図（Ｃ
）に示すように、ＭＲ素子３の形成面は媒体走行面４に
直角にかつＭＲ素子の信号検出部３ａは媒体走行面４に
対して、非平行に形成されており、それにともなって高
透磁率を有する磁気ヨーク６ａおよび６ｂの先端部も媒
体走行面４に非平行になっている。
第２図の実施例においては、同図（Ｃ）に示すように、
ＭＲ素子の信号検出部７ａは中間点で折れ曲がった直線
すなわちＭ字形に形成されている。それにともなって高
透磁率を有する磁気ヨーク８ａおよび８ｂの先端部もＭ
字形に形成されている。
ＭＲ素子の信号検出部７ａは中間点で折れ曲がった直線
すなわちＭ字形に形成されている。それにともなって高
透磁率を有する磁気ヨーク８ａおよび８ｂの先端部もＭ
字形に形成されている。
なお前記以外に、ＭＲ素子を非直線または複雑な直線の
組み合わせとしても同様の効果が得られる。
組み合わせとしても同様の効果が得られる。
前記第１図および第２図の実施例において、引き出し用
導体５は膜厚ｌμｍ程度の金，銅またはアルミニウム等
の薄膜、絶縁層２は１〜３μｒＴ１の酸化けい素（Ｓｉ
０２）またはアルミナ（Ａｔ！２（ｈ）等、磁気ヨーク
６ａ，６｝），８ａおよび８ｂは３〜７μ１ηのパーマ
ロイ，センダンストまたはアモルファス磁性体等の磁性
膜を用いている。
導体５は膜厚ｌμｍ程度の金，銅またはアルミニウム等
の薄膜、絶縁層２は１〜３μｒＴ１の酸化けい素（Ｓｉ
０２）またはアルミナ（Ａｔ！２（ｈ）等、磁気ヨーク
６ａ，６｝），８ａおよび８ｂは３〜７μ１ηのパーマ
ロイ，センダンストまたはアモルファス磁性体等の磁性
膜を用いている。
前記構成により、｛κ来のＹＭＲヘッドと同一形状でも
アスペクト比ｂ ／ ａを大きくすることができ、トラ
ック幅が小さくなっても信号雑音比を充分に確保できる
。
アスペクト比ｂ ／ ａを大きくすることができ、トラ
ック幅が小さくなっても信号雑音比を充分に確保できる
。
発明の効果
以上のように本発明は、ＭＲ素子の形成面を媒体走行面
に対して直角とし同信号検出部を媒体走行而吉非平行に
配置することにより、ｒスペクト比を大きくとることが
できるため出力変動やバルクハウゼンノイズを低減でき
、かつ自動的にＭＲ素子に磁気バイアスがかかるため磁
気バイアス印加用導体を必要としない優れた薄膜磁気ヘ
ッドを実現できるものである。
に対して直角とし同信号検出部を媒体走行而吉非平行に
配置することにより、ｒスペクト比を大きくとることが
できるため出力変動やバルクハウゼンノイズを低減でき
、かつ自動的にＭＲ素子に磁気バイアスがかかるため磁
気バイアス印加用導体を必要としない優れた薄膜磁気ヘ
ッドを実現できるものである。
第１図（ａ）は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッド
の斜視図、同図（ｂ）は同Ｙ−Ｙ線で切断したときの断
面図、同図（Ｃ）は同ＭＲ素子および磁気ヨーク部の平
面図、第２図（ａ）は本発明の他の実施例による薄膜磁
気ヘッド斜視図、同図（ｂ）は同Ｚ−Ｚ線で切断したと
きの断面図、同図（Ｃ）は同ＭＲ素子および磁気ヨーク
部の平面図、第３図（ａ）は従来の薄膜磁気ヘッド斜視
図、同図（ｂ）は同Ｘ−Ｘ線で切断したときの断面図、
同図（Ｃ）は同ＭＲ素子および磁気ヨーク部の平面図で
ある。 ３，７・・・・・・ＭＲ素子（磁気抵抗素子）、３ａ，
７ａ・・・・・・信号検出部、４・・・・・・媒体走行
面．６ａ，６ｂ，８ａ．８ｂ・・・・・・磁気ヨーク。
の斜視図、同図（ｂ）は同Ｙ−Ｙ線で切断したときの断
面図、同図（Ｃ）は同ＭＲ素子および磁気ヨーク部の平
面図、第２図（ａ）は本発明の他の実施例による薄膜磁
気ヘッド斜視図、同図（ｂ）は同Ｚ−Ｚ線で切断したと
きの断面図、同図（Ｃ）は同ＭＲ素子および磁気ヨーク
部の平面図、第３図（ａ）は従来の薄膜磁気ヘッド斜視
図、同図（ｂ）は同Ｘ−Ｘ線で切断したときの断面図、
同図（Ｃ）は同ＭＲ素子および磁気ヨーク部の平面図で
ある。 ３，７・・・・・・ＭＲ素子（磁気抵抗素子）、３ａ，
７ａ・・・・・・信号検出部、４・・・・・・媒体走行
面．６ａ，６ｂ，８ａ．８ｂ・・・・・・磁気ヨーク。
Claims (2)
- （１）高透磁率を有する磁気ヨークにより磁束を磁気抵
抗素子に導く薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗素子の
形成面を媒体走行面に対して直角とし、磁気抵抗素子の
信号検出部を媒体走行面に対して非平行に配置した薄膜
磁気ヘッド。 - （２）磁気抵抗素子の信号検出部を折れ線状に形成した
請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP865990A JPH03214412A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP865990A JPH03214412A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214412A true JPH03214412A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11699060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP865990A Pending JPH03214412A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03214412A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05114121A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP865990A patent/JPH03214412A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05114121A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
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