JPH02198016A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH02198016A JPH02198016A JP1901689A JP1901689A JPH02198016A JP H02198016 A JPH02198016 A JP H02198016A JP 1901689 A JP1901689 A JP 1901689A JP 1901689 A JP1901689 A JP 1901689A JP H02198016 A JPH02198016 A JP H02198016A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置や磁気テープ装置やフロッピ
ィディスク装置等に用いる磁気抵抗効果素子を用いた磁
気ヘッドに関する。
ィディスク装置等に用いる磁気抵抗効果素子を用いた磁
気ヘッドに関する。
磁気ディスク装置や磁気テープ装置やフロッピィディス
ク装置に用いる磁気抵抗効果素子を用いた従来の磁気抵
抗効果ヘッド(以下MRヘッドと云う)は、強磁性体の
異常磁気抵抗効果、すなわち磁化の向きと電流の方向と
のなす角度によって抵抗値が変化する性質を利用した磁
気ヘッドである。MRヘッドは、再生専用の磁気ヘッド
であるが、再生出力が磁気ヘッドと磁気記録媒体との間
の相対速度に依存せず、また極めて高感度であることか
ら、磁気記録装置の小型化や高密度化に対して有効な手
段である。
ク装置に用いる磁気抵抗効果素子を用いた従来の磁気抵
抗効果ヘッド(以下MRヘッドと云う)は、強磁性体の
異常磁気抵抗効果、すなわち磁化の向きと電流の方向と
のなす角度によって抵抗値が変化する性質を利用した磁
気ヘッドである。MRヘッドは、再生専用の磁気ヘッド
であるが、再生出力が磁気ヘッドと磁気記録媒体との間
の相対速度に依存せず、また極めて高感度であることか
ら、磁気記録装置の小型化や高密度化に対して有効な手
段である。
上述したようなMRヘッドにおいては、磁気抵抗効果を
有するNI F、やC6N1等の強磁性膜を矩形状に形
成した磁気抵抗効果素子(以下MR素子と云う)の両端
にCuやAIなどの良導電体膜からなる電極を接続して
いる。電極として用いる良導電体膜は、磁気ヘッドを構
成する他の材料と比較して極めて軟かい、従って、電極
が記憶媒体(媒体)との対抗面に露出していると、電極
の損傷や変形が生じやすいため、短絡や断線の原因とな
る。
有するNI F、やC6N1等の強磁性膜を矩形状に形
成した磁気抵抗効果素子(以下MR素子と云う)の両端
にCuやAIなどの良導電体膜からなる電極を接続して
いる。電極として用いる良導電体膜は、磁気ヘッドを構
成する他の材料と比較して極めて軟かい、従って、電極
が記憶媒体(媒体)との対抗面に露出していると、電極
の損傷や変形が生じやすいため、短絡や断線の原因とな
る。
第2図は、このような従来のMRヘッドの例の媒体対向
面の近傍の形状を示す断面図である。第2図において、
MR素子11および21および31の両端に接続された
電極12および22および32は、媒体対向面13およ
び23および33に対して露出する面積を極力少くする
ため、MR素子11および12および31から離れるほ
ど媒体対向面から後退するように配設されている。
面の近傍の形状を示す断面図である。第2図において、
MR素子11および21および31の両端に接続された
電極12および22および32は、媒体対向面13およ
び23および33に対して露出する面積を極力少くする
ため、MR素子11および12および31から離れるほ
ど媒体対向面から後退するように配設されている。
第2図(a)は媒体対向面13の加工が理想的に行なわ
れた例であり、電極12は、MR素子11との接続点に
おいてのみ、その一端が媒体対向面13に接している。
れた例であり、電極12は、MR素子11との接続点に
おいてのみ、その一端が媒体対向面13に接している。
このような形状においては、電極12が媒体対向面13
に対して殆ど露出していないため、信頼性の高いMRヘ
ッドを得ることができる。
に対して殆ど露出していないため、信頼性の高いMRヘ
ッドを得ることができる。
第2図(b)は媒体対向面の加工が深く行なわれた例で
あり、MR素子21の両端で電極22が媒体対向面に大
きく露出している。このような形状においては、上述の
ように、電極22の損傷や変形が生じやすいために信頼
性が低下する。
あり、MR素子21の両端で電極22が媒体対向面に大
きく露出している。このような形状においては、上述の
ように、電極22の損傷や変形が生じやすいために信頼
性が低下する。
第2図(c)は媒体対向面33の加工が浅く行なわれた
例であり、MR素子31が媒体対向面33に対して全く
露出していない。この場合は、電極32は、媒体対向面
33に対して露出しないが、MR素子31ち磁気記録媒
体との間隔(スペーシング)が大きくなり、MRヘッド
の再生出力が減少し、また分解能も低下する。
例であり、MR素子31が媒体対向面33に対して全く
露出していない。この場合は、電極32は、媒体対向面
33に対して露出しないが、MR素子31ち磁気記録媒
体との間隔(スペーシング)が大きくなり、MRヘッド
の再生出力が減少し、また分解能も低下する。
上述のように、従来のMRヘッドにおいては、信頼性が
高くしかも再生出力の減少が少ない形状を得るための媒
体対向面の加工マージンが極めて狭く、このため量産性
に劣っている。また、量産性を上げるためには、電極が
媒体対向面に対して露出するような構成を採用せざるを
得ないため、信頼性が大幅に低くなっている。
高くしかも再生出力の減少が少ない形状を得るための媒
体対向面の加工マージンが極めて狭く、このため量産性
に劣っている。また、量産性を上げるためには、電極が
媒体対向面に対して露出するような構成を採用せざるを
得ないため、信頼性が大幅に低くなっている。
本発明の目的は、このような従来のMRヘッドの欠点を
除去し、信頼性が高く、しかも量産性にも優れたMRヘ
ッドを提供することにある。
除去し、信頼性が高く、しかも量産性にも優れたMRヘ
ッドを提供することにある。
本発明は磁気ヘッドは、セラミック基板上に絶縁層を介
して磁気抵抗効果膜を形成し、前記磁気抵抗効果膜上に
電流シャントを形成し、前記電流シャント膜の上にソフ
トフィルムと電極とを形成し、磁気抵抗素子となる部分
の前記電極を除去したものである。
して磁気抵抗効果膜を形成し、前記磁気抵抗効果膜上に
電流シャントを形成し、前記電流シャント膜の上にソフ
トフィルムと電極とを形成し、磁気抵抗素子となる部分
の前記電極を除去したものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図である。第1図
において、4はMR膜、5は電流シャント膜、6はソフ
トフィルム、7は媒体対向面の加工限界線である0MR
素子1は、MR膜4と電流シャント膜4とソフトフィル
ム6との3層の構造を有しており、電極2は、MR素子
1との境界において、媒体対向面3から後退した位置に
配設されている。すなわち、媒体対向面の加工のとき、
MR素子1が露出してから加工限界線7までの間は、電
Vi!2は露出してない。従って、MR素子1のみを媒
体に対して露出させ、電極2を露出させないための加工
上のマージンを大きくとることができ、信頼性が高く量
産性の優れたMRヘッドを得ることができる。
において、4はMR膜、5は電流シャント膜、6はソフ
トフィルム、7は媒体対向面の加工限界線である0MR
素子1は、MR膜4と電流シャント膜4とソフトフィル
ム6との3層の構造を有しており、電極2は、MR素子
1との境界において、媒体対向面3から後退した位置に
配設されている。すなわち、媒体対向面の加工のとき、
MR素子1が露出してから加工限界線7までの間は、電
Vi!2は露出してない。従って、MR素子1のみを媒
体に対して露出させ、電極2を露出させないための加工
上のマージンを大きくとることができ、信頼性が高く量
産性の優れたMRヘッドを得ることができる。
本実施例においては、電極2からMR素子に供給するセ
ンス電流は、MR素子1全体に広がって流れる。また、
MR素子1のみが媒体に対して露出しているため、磁気
記録媒体との間隔が増加することがなく、従って再生出
力や分解能の低下は生じない。このため再生能力の高い
MRヘッドを得ることがきる。
ンス電流は、MR素子1全体に広がって流れる。また、
MR素子1のみが媒体に対して露出しているため、磁気
記録媒体との間隔が増加することがなく、従って再生出
力や分解能の低下は生じない。このため再生能力の高い
MRヘッドを得ることがきる。
次に第1図の実施例の製造方法について説明する。
まず、セラミック基板8上に絶縁層を介してN、F、か
らなるMR膜4を形成し、次にTIからなる電流シャン
ト膜5を形成し、次にC0Z、M、アモルファス膜から
なるソフトフィルム6およびA、C0合金からなる電極
2を順次成膜する。成膜方法として、スパッタリング法
および真空蒸着法およびイオンビーム成膜法などを用い
ることができる。次に、イオンミリング法を用いて、M
R膜4と電流シャント膜5とソフトフィルムロおよび電
極2とを一括して加工する。次に、化学エツチング法を
用いてMR素子1となる部分の電極2を除去する。
らなるMR膜4を形成し、次にTIからなる電流シャン
ト膜5を形成し、次にC0Z、M、アモルファス膜から
なるソフトフィルム6およびA、C0合金からなる電極
2を順次成膜する。成膜方法として、スパッタリング法
および真空蒸着法およびイオンビーム成膜法などを用い
ることができる。次に、イオンミリング法を用いて、M
R膜4と電流シャント膜5とソフトフィルムロおよび電
極2とを一括して加工する。次に、化学エツチング法を
用いてMR素子1となる部分の電極2を除去する。
以上のように形成したMR素子1は、電極2から供給さ
れて、MR素子1の中を流れるセンス電流によってソフ
トフィルム6が磁化され、ソフトフィルム6の発生する
磁界がMR膜4のバイアス磁界となり、MR膜4にバイ
アスが与えられる。
れて、MR素子1の中を流れるセンス電流によってソフ
トフィルム6が磁化され、ソフトフィルム6の発生する
磁界がMR膜4のバイアス磁界となり、MR膜4にバイ
アスが与えられる。
このバイアスにより、MR素子1からなる直線性の良い
応答が得られる。
応答が得られる。
なお、第1図の実施例においては、MR膜4としてNI
F、を、電流シャフト膜5としてT。
F、を、電流シャフト膜5としてT。
を、ソフトフィルム6としてCoZrM0アモルファス
膜を用いたが、MRMとしてNtC’、を、電流シャフ
ト膜5としてT、またはWまたはCを、ソフトフィルム
としてC9ZrNb等のC6系アモルファス膜を用いる
ことができる。またバイアス法として、バーバーポール
バイアス法や永久磁石バイアス法等の他の手段を用いる
こともできる。さらに、MR素子1の上下に絶縁膜を介
して磁気シールドを配設したシールド系MRヘッドとす
ることもできる。
膜を用いたが、MRMとしてNtC’、を、電流シャフ
ト膜5としてT、またはWまたはCを、ソフトフィルム
としてC9ZrNb等のC6系アモルファス膜を用いる
ことができる。またバイアス法として、バーバーポール
バイアス法や永久磁石バイアス法等の他の手段を用いる
こともできる。さらに、MR素子1の上下に絶縁膜を介
して磁気シールドを配設したシールド系MRヘッドとす
ることもできる。
以上説明したように、本発明の磁気ヘッドは、電極を媒
体対向面から後退させ、MR素子のみを媒体対向面に露
出させることにより、信頼性が高くしかも再生能力に優
れかつ量産性のよいMRヘッドを得ることができるとい
う効果がある。
体対向面から後退させ、MR素子のみを媒体対向面に露
出させることにより、信頼性が高くしかも再生能力に優
れかつ量産性のよいMRヘッドを得ることができるとい
う効果がある。
第1図は、本発明の一実施例を示す斜視図、第2図は従
来のMRヘッドの例を示す断面図である。 1・11・21・31・・・・・・MR素子、2・12
・22・32・・・・・・電極、3・13・23・33
・・・・・・媒体対向面、4・・・・・・MR膜、5・
・・・・・電流シャント膜、6・・・・・・ソフトフィ
ルム、7・・・・・・加工限界線、8・・・・・・セラ
ミック基板。
来のMRヘッドの例を示す断面図である。 1・11・21・31・・・・・・MR素子、2・12
・22・32・・・・・・電極、3・13・23・33
・・・・・・媒体対向面、4・・・・・・MR膜、5・
・・・・・電流シャント膜、6・・・・・・ソフトフィ
ルム、7・・・・・・加工限界線、8・・・・・・セラ
ミック基板。
Claims (1)
- セラミック基板上に絶縁層を介して磁気抵抗効果膜を形
成し、前記磁気抵抗効果膜上に電流シャントを形成し、
前記電流シャント膜の上にソフトフィルムと電極とを形
成し、磁気抵抗素子となる部分の前記電極を除去したこ
とを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1019016A JP2702210B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1019016A JP2702210B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02198016A true JPH02198016A (ja) | 1990-08-06 |
JP2702210B2 JP2702210B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=11987691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1019016A Expired - Fee Related JP2702210B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2702210B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03244170A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-30 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果ヘッド |
JPH04252088A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nec Corp | 磁気抵抗素子 |
JPH04284443A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気ヘッド |
WO1992020637A1 (en) * | 1991-05-23 | 1992-11-26 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Ceramic board having glaze, manufacturing method therefor, and electronic device using the ceramic board |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5945629A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-14 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
JPS61296522A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-27 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1019016A patent/JP2702210B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5945629A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-14 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
JPS61296522A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-27 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03244170A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-30 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果ヘッド |
JPH04252088A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nec Corp | 磁気抵抗素子 |
JPH04284443A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気ヘッド |
WO1992020637A1 (en) * | 1991-05-23 | 1992-11-26 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Ceramic board having glaze, manufacturing method therefor, and electronic device using the ceramic board |
GB2273292A (en) * | 1991-05-23 | 1994-06-15 | Asahi Chemical Ind | Ceramic board having glaze,manufacture method therefor,and electronic device using the ceramic board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2702210B2 (ja) | 1998-01-21 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071003 Year of fee payment: 10 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
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