JP2000076622A - 磁気ヘッド、その製造方法及び磁気再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、外部磁界によって高周波インピー
ダンスが変化することを利用して媒体の磁化情報を再生
する磁気ヘッドを提供すること。 【解決手段】 高Ｂｓ膜１ａと高透磁率膜１ｂとからな
る主磁極膜１と、コア２と、主磁極膜を貫通する導体線
４と、導体線コイル３と、を有する。前記キャリア電流
導体線３に高周波キャリア電流が流れたときに上下磁性
膜のインダクタンスによって生じるインピーダンスが外
部磁化８の強度によって変化すると、外部磁化の変化が
逆起電圧の変化として電極端子５、６から取り出され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、映像、音声、文字
等に関する情報が磁化の向きと強度等で記録された磁気
記憶媒体からその情報を読みとり再生する磁気ヘッド、
磁気ヘッドの製造方法及びこの磁気ヘッドを用いた磁気
再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年ますます、情報記憶装置の高記録密
度化による小型化及び大容量化の要求が強くなってい
る。記憶装置の記憶容量が大きくなればなるほど、記録
情報へのアクセス速度や情報の転送速度などの高速化が
求められる。このような要求に対して、ハードディスク
装置では特開昭５５−８４０２０号公報に開示されてい
る様なインダクティブ型の薄膜磁気ヘッドを用いるもの
が主流になりつつある。前記薄膜磁気ヘッドは、以前か
らあるバルク型ヘッドに比べてインダクタンスが低く、
より高い周波数での記録再生ができる。

【０００３】しかしながら、ハードディスク装置の小型
化にともなってディスク径が小さくなり、再生時の再生
ヘッドと媒体間の相対速度が低下するに従い、磁束応答
型の再生ヘッドが求められるようになってきた。そこで
磁束応答型であり且つ狭トラック化に対しても有利な、
単位トラック幅当たりの出力（感度）が高い磁気抵抗効
果素子（ＭＲ効果素子：Ｍａｇｎｅｔｅｔｏ−Ｒｅｓｉ
ｓｔａｎｃｅ ｅｆｆｅｃｔ ｅｌｅｍｅｎｔ）を用い
たＭＲ再生ヘッドが注目されている。実際には前記イン
ダクティブ型薄膜ヘッドと複合した形の複合型ＭＲヘッ
ドが実用化されている。

【０００４】また最近では、再生出力をさらに向上させ
るため、より大きな磁気抵抗効果を示す薄膜材料を用い
た巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用する複合型ＭＲヘ
ッドの研究開発も盛んに行われている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】大容量記憶を実現する
ためには再生時の高い再生感度が重要であり、その点に
おいて複合型ＭＲヘッドは有望である。しかしながら、
ＭＲ効果を磁気ヘッドの再生原理に用いる場合、ＭＲ効
果素子部の回りにはシールド膜や再生用のギャップが必
要であり、また磁気抵抗効果膜を単磁区化する必要があ
る。そのためヘッド構造は従来のインダクティブヘッド
よりかなり複雑である。

【０００６】磁気ヘッドの構造が複雑になれば、それだ
け高度な製造技術が要求され、高い歩留まりを確保する
ことが難しくなることは言うまでもない。本発明は、上
記問題点に鑑み、比較的簡単な構造でかつ再生感度が従
来のインダクティブヘッドよりも優れた磁気ヘッドとそ
の製造方法及びこれを用いた記録再生装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドは、
絶縁物の基板の表面に、一端が、前記基板の記録媒体に
対向する面に露出するように、形成された第１の磁性膜
と、前記第１の軟磁性膜の表面に絶縁膜を介して形成さ
れ、一端が前記第１の磁性膜に磁気的に結合し、他端が
前記記録媒体に対向する面に露出している第２の軟磁性
膜と、前記第２の軟磁性膜の上において、端部が前記基
板の記録媒体に対向する面から離れるように形成された
第３の軟磁性膜と、前記第２及び第３の軟磁性膜の回り
に巻回され、両軟磁性膜に交流磁界を生成する第１の導
体膜と、前記第２及び第３の軟磁性膜の近傍に形成さ
れ、両軟磁性膜に直流バイアスされた交流磁界を生成す
る第２の導体膜と、前記第３の軟磁性膜の上に絶縁膜を
介して形成され、一端が前記第３の軟磁性膜に磁気的に
結合し、他端が前記記録媒体に対向する面に露出してい
る第４の軟磁性膜と、前記第１の導体膜の両端にそれぞ
れ接続され、第１の導体膜に交流電流を流すための一対
の第１の電極端子と、前記第２の導体膜の両端にそれぞ
れ接続され、第２の導体膜を流れる電流によって生じる
逆起電圧を出力するための一対の第２の電極端子と、を
備えたことを特徴とする。記録媒体の磁化に応じて、第
２及び第３の軟磁性膜に生じる磁束によって、第２及び
第３の軟磁性膜の透磁率が低下する。透磁率の低下によ
って第２の導体膜のインピーダンスが低下し、第２の電
極端子間の電圧も低下する。これにより磁化の変化を電
圧信号として取り出すことができる。

【０００８】本発明の磁気再生方法は、絶縁物の基板の
表面に、一端が、前記基板の記録媒体に対向する面に露
出するように、形成された第１の磁性膜と、前記第１の
軟磁性膜の表面に絶縁膜を介して形成され、一端が前記
第１の磁性膜に磁気的に結合し、他端が前記記録媒体に
対向する面に露出している第２の軟磁性膜と、前記第２
の軟磁性膜の上において、端部が前記基板の記録媒体に
対向する面から離れるように形成された第３の軟磁性膜
と、前記第２及び第３の軟磁性膜の回りに巻回され、両
軟磁性膜に交流磁界を生成する第１の導体膜と、前記第
２及び第３の軟磁性膜の近傍に形成され、両軟磁性膜に
直流バイアスされた交流磁界を生成する第２の導体膜
と、前記第３の軟磁性膜の上に絶縁膜を介して形成さ
れ、一端が前記第３の軟磁性膜に磁気的に結合し、他端
が前記記録媒体に対向する面に露出している第４の軟磁
性膜と、前記第１の導体膜の両端にそれぞれ接続され、
第１の導体膜に交流電流を流すための一対の第１の電極
端子と、前記第２の導体膜の両端にそれぞれ接続され、
第２の導体膜を流れる電流によって生じる逆起電圧を検
出するための一対の第２の電極端子と、を備えた磁気ヘ
ッドにおいて、前記１対の電極端子を、直流バイアスさ
れた５０ＭＨｚ以上の高周波電流源に接続して通電しつ
つこの磁気ヘッドで磁気記録媒体上をトレースする。前
記磁気記録媒体からの漏洩磁界によって変化する前記高
周波の電圧信号を検出することにより前記磁気記録媒体
に記録された情報を高い感度で再生できる。

【０００９】本発明の磁気ヘッド製造方法は、絶縁体か
らなる基板の表面に所定のパターンの第１の軟磁性膜を
形成するステップと、前記第１の軟磁性膜の上に絶縁膜
を介して第１の導体膜の半体を形成するステップと、前
記第１の軟磁性膜の一部を露出させ他の部分を覆う第１
の絶縁膜を形成するステップと、前記第１の絶縁膜と第
１の軟磁性膜の上に所定のパターンの高飽和磁束密度の
第２の軟磁性膜を形成するステップと、前記第１の軟磁
性膜に沿って線状の第２の導体膜を形成するステップ
と、前記第１の導体膜と第２の軟磁性膜の上に高透磁率
の第３の軟磁性膜を形成するステップと、前記第３の軟
磁性膜の上に絶縁膜を介して第１の導体膜の半体を形成
し、前記の半体と接続することにより、前記第２および
第３の軟磁性膜を取り巻く第１の導体コイルを形成する
ステップと、前記第１の導体膜と前記第２の導体コイル
とが各々接続された電極端子を形成するステップと、前
記第２の軟磁性膜の一部を露出させ他の部分を覆う第２
の絶縁膜を形成するステップと、前記第２の絶縁膜上に
前記所定のパターンの第４の軟磁性膜を形成するステッ
プと、前記電極端子と第１、第２、第３および第４の軟
磁性膜を保護するための絶縁膜を形成するステップと、
前記保護膜から前記電極端子が表面に露出させるための
加工をするステップと、を有することを特徴とする。各
軟磁性膜及び導体膜を薄膜で形成するので、構造が簡略
化されるとともに、製造工程の自動化が容易となり生産
の歩留まりが向上する。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施例を
添付の図１ないし図９を参照して説明する。第１の実施
例は本発明の磁気ヘッドの構成とその再生方法に関する
ものであり、第２の実施例は本発明の磁気再生装置に関
するものであり、第３の実施例は本発明の磁気ヘッドの
製造方法に関するものである。

【００１１】《第１実施例》本発明の第１の実施例を、
図１から図６を用いて以下に説明する。図１は、本発明
の磁気ヘッド２００の平面図である。図２の（ａ）は、
図１の磁気ヘッド２００のIIａ−IIａ断面図であり、図
２の（ｂ）は磁気記録媒体に対向する面Ｆの正面図であ
る。図３は、図１の磁気ヘッド２００が垂直磁気記録媒
体２０に対向している状態を示す斜視図である。図４は
再生時における、磁気ヘッド２００内の磁束の状態を示
す断面図である。図５は再生時の磁気ヘッドの等価回路
である。図６は、本実施例の磁気ヘッド２００の再生原
理を示す図である。図１の平面図は、本実施例の磁気ヘ
ッドの基板である非磁性基板１３０の面上に配置され
た、各要素の形状及び配置位置を示すものであり、各要
素の概要を以下に説明する。非磁性基板１３０の面上
に、ＮｉＦｅ合金と絶縁膜の多層構造の軟磁性膜１ａ
と、Ｆｅ系の高Ｂｓ膜の軟磁性膜１ｂからなる主磁極１
が設けられている。いずれの膜も矢印Ａで示す短尺方向
が容易軸となるように異方性が付されている。軟磁性膜
２ａ、２ｂからなる磁気コア２は、ＮｉＦｅ合金よりな
る高透磁率膜である。

【００１２】導体コイル３は、主磁極１の周囲を巻回す
るように形成されたＣｕ薄膜よりなる記録用の励磁コイ
ルである。導体線４は、後で詳しく説明するように、前
記導体コイル３の中に形成され、主磁極１を構成してい
る多層薄膜１ａと高Ｂｓ膜１ｂとの間に挟まれ、矢印Ｂ
で示す長尺方向に長い形状を有する。導体線４は、導体
コイル３と同様にＣｕ薄膜でもよいが、所定周波数での
インピーダンス値が所望の値になるように幅および長さ
が調整されていることが重要である。本実施例では導体
線４に高抵抗率を有するタンタル（Ｔａ）薄膜を用いて
いる。導体コイル３の両端子は薄膜の接続線１３ａ及び
１３ｂを経て、それぞれ電極５及び６に接続されてい
る。また導体コイル４の両端子は薄膜の接続線４ａ及び
４ｂを経て、それぞれ電極７１及び８１に接続されてい
る。

【００１３】図２を用いて、詳しく本実施例の磁気ヘッ
ドの構造を説明する。図２の（ａ）において、アルミナ
・チタンカーバイト等の基板１００の面にアルミナの絶
縁膜３００を形成したものを非磁性基板１３０という。
非磁性基板１３０の面に軟磁性膜２ａを形成し、その上
に薄い絶縁膜５２を設けた後、導体コイル３の半体とな
るコイル３ａを設ける。コイル３ａを有する軟磁性膜２
ａの部分に酸化物膜５３を設け、コイル３ａを絶縁して
いる。酸化物膜５３と軟磁性膜２ａの上に軟磁性膜１ａ
を設け、その上に絶縁膜５４を設けている。絶縁膜５４
上の、コイル３ａに対向する領域に導体線４を設けてい
る。導体線４の上に絶縁膜５５を形成し、導体線４を含
む絶縁膜５５上に高透磁率薄膜の軟磁性膜１ｂを設けて
いる。軟磁性膜１ｂの左端は磁気ヘッドの記録媒体に対
向する面Ｆから所定距離離れた位置にくるようになされ
ている。軟磁性膜１ｂの上に、絶縁膜５６を介してコイ
ル３ｂを形成している。コイル３ａと３ｂはそれぞれの
端部が接続され、１個の導体コイル３となる。導体コイ
ル３は、２の磁気ヘッドで記録を行うときに記録信号を
印加する記録用のコイルである。コイル３ｂを含む絶縁
膜５６上に更に絶縁膜８２を設けてコイル３ｂを絶縁す
る。絶縁膜８２と高透磁率薄膜１ｂの上に高透磁率軟磁
性膜２ｂが設けられている。軟磁性膜２ｂの上には保護
膜４００が設けられている。前記の軟磁性膜１ａは高Ｂ
ｓ膜で形成され、膜厚は約０．１μmである。また高透
磁率の軟磁性膜１ｂの膜厚は約０．７μｍである。図２
の（ｂ）は、図２の（ａ）の磁気ヘッドの、磁気記録媒
体への対向面Ｆの正面図である。図において対向面Ｆに
は軟磁性膜２ａ、１ａ、２ｂの端面が露出している。図
４は、磁気ヘッド２００が磁気記録媒体２０に対向して
いるときの磁束の状態を示す断面図である。矢印７は、
記録媒体２０中に記録された媒体磁化をベクトル表示し
たものである。矢印９は、主磁極１が媒体磁化７に対向
している時、媒体磁化７からの漏洩磁界によって磁気コ
ア２の内部を通る磁束を示すものであり、以下磁束９と
表記する。

【００１４】図５は磁気ヘッド２００の等価回路であ
り、図１で示した磁気ヘッド２００の導体線４を等価的
にインピーダンス素子２９によって表している。抵抗Ｒ
１及びＲ２は、それぞれ接続線４ａ、４ｂの直流抵抗で
ある。キャリア信号発生器２２は、インピーダンス素子
２９に交流の定電流を流すための回路であり、直流バイ
アスを印加するための直流電流３０が直列に接続されて
いる。

【００１５】前記のように構成された磁気ヘッドの再生
動作を以下に説明する。図４に示した様に、磁気ヘッド
の主磁極１が記録媒体２０の磁化７に対向している時、
磁束９が主磁極１と磁気コア２を通り、主磁極１は磁束
９によって磁化される。その結果、主磁極１の透磁率は
低下する。主磁極１の透磁率が低下すると、主磁極１を
貫通する導体線４すなわち、図５におけるインピーダン
ス素子２９のインピーダンスが低下する。このインピー
ダンスは主磁極１の透磁率に比例する。このとき導体線
４に高周波の定電流が流れていると、端子７１と８１と
の間にはインピーダンス素子２９のインピーダンスに比
例した電圧Ｖが発生する。従って端子７１と８１との間
の出力電圧は、磁束９の密度すなわち磁化７の強さに比
例することになり、磁束応答型の再生が行われる。出力
電圧値を大きくするには、インピーダンスを大きくする
のが好ましい。また磁界応答性が高いことが望まれる。
従って、磁気コア２の透磁率が高い範囲でできるだけ高
い周波数を用いるのが好ましい。

【００１６】図６は、磁束（Ｈｅｘ）と再生電圧（Ｖ）
の関係を示すグラフである。このグラフは、磁気ヘッド
２００と磁気記録媒体２０が図４に示したような位置関
係にあり、磁気記録媒体２０が移動して媒体の磁化７か
ら極性が変化する漏洩磁界が磁気ヘッドの主磁極１に印
加されている場合において、主磁極１に直流バイアス磁
界Ｈｂを加えたときに出力される再生電圧波形を示した
ものである。図６に示したように、直流バイアス磁界Ｈ
ｂが加わっている場合は、磁化７の変化が大きな出力電
圧（Ｖ）の変化として現れる。直流バイアス磁界Ｈｂの
印加方法としては、例えば、導体線４を流れる交流電流
に直流電源３０により直流電流を重畳しても良い。この
場合は、図５で示したように直流電源３０を高周波発振
器２２に直列に接続すれば良い。以上説明したように、
本発明の磁気ヘッドは、従来のＭＲ複合ヘッドに比べて
比較的簡単な構成で磁束応答型の再生ヘッドが得られ
る。 《第２実施例》

【００１７】本発明の第２の実施例について、図７を用
いて以下に説明する。図７は、本発明の磁気再生装置の
構成を示すブロック図である。図７では、本発明の磁気
ヘッド２００の再生機能を有する部分のみを示してい
る。導体線４の端子７１、８１はＡＭ検波器４６に接続
されている。ＡＭ検波器４６は外部磁化７の漏洩磁界に
よって生じるインピーダンス変化に応じて導体線４に生
じるＡＭ変調された逆起電圧を検波し出力する。高周波
の定電流源である高周波発振器２２は、端子７１及び８
１間に接続され、導体線４に振幅一定の高周波キャリア
電流を流す。ＡＭ検波器４６の出力端は再生アンプ４７
の入力端に接続され、検波出力が増幅される。再生アン
プ４８の出力端は復調回路４８の入力端に接続され再生
された電圧波形から例えば１や０で表現されるようなデ
ジタル再生信号を取り出す。

【００１８】以下に再生動作の具体例を説明する。磁気
ヘッド２００の電極７１、８１に高周波発振器２２が接
続され、例えば１２００ＭＨｚの一定振幅の高周波電流
がインピーダンス素子２９に流されている。図４に示す
ように外部磁化７が主磁極１の近傍に有るとき、その漏
洩磁界によって図７に示した導体線４のインピーダンス
が変化する。インピーダンスの変化による出力電圧の変
化を図６を用いてさらに詳しく説明する。図６におい
て、横軸は磁気ヘッド２００の主磁極１の磁束Ｈｅｘを
示す。縦軸は導体線４の出力電圧を示し、曲線Ｃは磁束
−出力電圧特性を示す。導体線４に直流電源３０から直
流電流を流して適当な直流バイアス磁界Ｈｂを印加して
動作点Ｋが磁束−出力電圧特性の傾斜部の中央付近にく
るようにする。記録媒体２０の外部磁化７からの漏洩磁
界の強度と方向に応じて主磁極１の磁束Ｈｓｉｇは、磁
束ＨａとＨｃの間で変化する。この磁束変化によって、
導体線４のインピーダンスが変化する。

【００１９】導体線４には定電流源の高周波発振器２２
から高周波キャリア電流が流れているので、導体線４の
インピーダンス変化により、その両端子７１と８１間に
前記キャリア周波数がＡＭ変調された電圧が現れる。す
なわち端子７１及び８１間の高周波電圧は、導体線４の
インピーダンス変化に応じて変化する。この高周波電圧
はＡＭ検波器４６に入力されて検波され、図６に放絡線
Ｌで示す再生出力が得られる。 《第３実施例》

【００２０】本発明の第３の実施例として、図８及び図
９を用いて本発明の磁気ヘッドの製造方法を説明する。
図８及び図９は磁気ヘッドの断面図であり、各断面図の
左側のかっこ付の数値（１）ないし（９）は各工程（ス
テップ）を示す。

【００２１】工程（１）：厚さ１〜２ｍｍ（本実施例で
は１ｍｍ）のアルミナ・チタンカーバイド（ＡｌＴｉ
Ｃ）基板１００上に厚さ約５０μｍのアルミナ膜３００
を被着し表面を鏡面加工する。 工程（２）：アルミナ膜３００上にＮｉＦｅ合金をスパ
ッタ形成した後にイオンミリング処理して軟磁性膜２ａ
を形成する。軟磁性膜２ａ上に薄い絶縁膜５２を形成
し、その上に導体コイル３の半体となるＣｕ膜のコイル
３ａをスパッター法で形成し、イオンミリング処理で所
定の線状のパターンにする。 工程（３）：前記励磁用コイル３ａを覆って絶縁する酸
化物の絶縁膜５３を設け、スパッタ法とミリング法とで
表面の平坦化処理を施す。

【００２２】工程（４）：絶縁膜５３と軟磁性膜２ａの
上に軟磁性膜１ａを飽和磁束密度の特に高いＦｅ系の薄
膜で形成する。 工程（５）：軟磁性膜１ａの上にアルミナの絶縁膜５４
を形成し、アルミナ膜５４の上に矢印Ｂの方向（長尺方
向）の長さが、紙面に垂直な方向（短尺方向）の長さの
２〜３倍である導体線４を形成する。導体線４はタンタ
ル（Ｔａ）をスパッタリングしてＴａ膜を形成した後に
イオンミリング処理で軟磁性膜１ａの長尺方向に沿った
帯状のパターンに形成する。この工程では、導体線４の
１２００ＭＨｚでのインピーダンスが５０オームになる
ように、Ｔａ膜の厚みと短尺方向の幅が調整される。

【００２３】次に図９に示す工程（６）ないし（９）に
続く。 工程（６）：前記導体線４の上にスパッタ法でＮｉＦｅ
合金からなる高透磁率の軟磁性膜１ｂを形成し、イオン
ミリング処理で図１に示す形状に形成する。 工程（７）：高透磁率の軟磁性膜１ｂの上に薄い絶縁膜
５５を設け、その上にスパッタ法によってＣｕ膜からな
る導体コイル３の半体のコイル３ｂを形成する。コイル
３ｂは工程（３）：で形成したコイル３ａと各端部にお
いて接続されるようにイオンミリング処理で図１に示す
形状に形成される。 工程（８）：絶縁膜５５とコイル３ｂの上に酸化物の絶
縁膜８１を設け、コイル３ｂを絶縁するとともに、面を
平坦にする。絶縁膜８１はスパッタ法で形成され、平坦
化処理の後にイオンミリング処理でパターンを形成す
る。平坦化された絶縁膜８１の上にＮｉＦｅ合金をスパ
ッタして高透磁率軟磁性膜２ｂを設ける。高透磁率軟磁
性膜２ｂは図の右端部で高透磁率薄膜１ｂの右端部に接
しており、主磁極１のリターンパスコアとなる。この工
程のパターンの形成はイオンミリング処理で行ってい
る。

【００２４】工程（９）：上記の各工程で形成した薄膜
を保護するために保護膜４００を形成する。保護膜４０
０は、酸化物の膜であってスパッタ法で形成する。電極
端子５、６、７１及び８１の形成方法については、図示
及び説明を省略するか基本的には、Ｃｕの膜であるコイ
ル３ａ及び３ｂあるいは導体膜４を形成する際に同時に
形成すればよい。電極端子５、６、７１、８１の厚膜化
された部分のみを保護膜４００の表面に露出させるため
には、前記の酸化物の絶縁保護膜４００をラッピングな
どの処理によって平坦化して、各電極端子５、６、７
１、８１を露出させる。 上記の磁気ヘッドの製造方法において、各膜の成膜法お
よび材質は、ここに記載したものに限られるものではな
い。

【００２５】軟磁性膜２ａ及び高透磁率膜２ｂとして
は、例えばＣｏ系のアモルファス膜でも良いし、Ｆｅ系
の膜でも良い。また製法も、蒸着、スパッタリング、メ
ッキ等様々な薄膜の製法を用いることができる。さら
に、高周波での透磁率を高めるために多層化したり、異
方性の調整なども、必要に応じて行えばよいことは言う
までもない。さらに基板の材質や保護膜の材質及び製法
も本実施例に限定されるものではない。

【００２６】

【発明の効果】以上各実施例について詳細に説明したと
ころから明らかなように、本発明の磁気ヘッドは次の効
果を有する。すなわち、従来のインダクティブヘッドや
従来のＭＲヘッドよりも簡単な構造なので製造工程もよ
り単純であって、比較的高い歩留まりを確保しやすく、
量産性に優れている。さらに、再生感度の高い磁気イン
ピーダンス効果により再生が行われるので、より一層の
高記録密度化がはかれる。さらに磁束応答型なので、記
録再生装置の小型化により磁気ヘッドに対する記録媒体
の走行速度が低下しても、再生出力が低下することはな
く、高い再生感度が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの平面図

【図２】（ａ）図１の磁気ヘッドのＡ−Ａ断面図 （ｂ）本発明の磁気ヘッドの磁気記録媒体への対向面を
示す正面図

【図３】本発明の磁気再生装置における磁気ヘッドと媒
体の配置を示す斜視図

【図４】本発明の磁気ヘッドと媒体中の記録磁化との関
係を示す側断面図

【図５】本発明の磁気ヘッドの等価回路

【図６】本発明の磁気再生の原理を説明する波形図

【図７】本発明の磁気再生装置のブロック図

【図８】本発明の磁気ヘッドの製造法の工程を示す断面
図

【図９】本発明の磁気ヘッドの製造法の図８に続く工程
を示す断面図

【符号の説明】

１ 主磁極 １ａ 軟磁性膜 １ｂ 軟磁性膜 ２ 磁気コア ２ａ 軟磁性膜 ２ｂ 軟磁性膜 ３ 導体コイル ４ 導体線 ５、６、 電極端子 ７ 外部磁化 ９ 磁性膜中の磁束 ２０ 磁気ディスク ２９ インピーダンス素子 ７１、８１ 本発明の磁気ヘッドの電極端子 ２２ 高周波定電流源 ４６ ＡＭ検波器 ４７ 再生アンプ ４８ 再生信号処理回路 ５２、５３、５４、５５、５６ 絶縁膜 １００ 基板 ２００ 磁気ヘッド ３００ 絶縁膜 ４００ 絶縁保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒江 章郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D031 AA10 BB01 DD11 5D091 AA08 BB06 CC11 DD04 DD05 DD09 DD20 GG33 HH20

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁物の基板の表面に、一端が、前記基
   板の記録媒体に対向する面に露出するように、形成され
   た第１の磁性膜と、 前記第１の軟磁性膜の表面に絶縁膜を介して形成され、
   一端が前記第１の磁性膜に磁気的に結合し、他端が前記
   記録媒体に対向する面に露出している第２の軟磁性膜
   と、 前記第２の軟磁性膜の上において、端部が前記基板の記
   録媒体に対向する面から離れるように形成された第３の
   軟磁性膜と、 前記第２及び第３の軟磁性膜の回りに巻回され、両軟磁
   性膜に交流磁界を生成する第１の導体膜と、 前記第２及び第３の軟磁性膜の近傍に形成され、両軟磁
   性膜に直流バイアスされた交流磁界を生成する第２の導
   体膜と、 前記第３の軟磁性膜の上に絶縁膜を介して形成され、一
   端が前記第３の軟磁性膜に磁気的に結合し、他端が前記
   記録媒体に対向する面に露出している第４の軟磁性膜
   と、 前記第１の導体膜の両端にそれぞれ接続され、第１の導
   体膜に交流電流を流すための一対の第１の電極端子と、 前記第２の導体膜の両端にそれぞれ接続され、第２の導
   体膜を流れる電流と前記第２及び第３の軟磁性膜とによ
   って生じる逆起電圧を出力するための一対の第２の電極
   端子と、 を備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記第３の軟磁性薄膜は第３の軟磁性膜
   を通る磁束の方向に直交する方向に異方性が付与されて
   いることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記第２及び第３の軟磁性薄膜は第２及
   び第３の軟磁性膜を通る磁束の方向に直交する方向に異
   方性が付与されていることを特徴とする請求項１記載の
   磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記第２の軟磁性膜は、第１、第３、第
   ４の軟磁性膜よりも飽和磁束密度が高くなされているこ
   とを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記第３の磁軟磁性膜は、第１、第２、
   第４の軟磁性膜よりも透磁率が高くなされていることを
   特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 前記第２の導体膜は第２の軟磁性膜に並
   行するように形成されていることを特徴とする特許請求
   項１記載の磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 前記第１の導体膜は螺旋状であることを
   特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 前記第２の導体膜は、第２の導体膜に接
   続された両電極端子間の所定周波数におけるインピーダ
   ンスが所定値になるように調整されていることを特徴と
   する請求項１記載の磁気ヘッド。
9. 【請求項９】 絶縁物の基板の表面に、一端が、前記基
   板の記録媒体に対向する面に露出するように、形成され
   た第１の磁性膜と、 前記第１の軟磁性膜の表面に絶縁膜を介して形成され、
   一端が前記第１の磁性膜に磁気的に結合し、他端が前記
   記録媒体に対向する面に露出している第２の軟磁性膜
   と、 前記第２の軟磁性膜の上において、端部が前記基板の記
   録媒体に対向する面から離れるように形成された第３の
   軟磁性膜と、 前記第２及び第３の軟磁性膜の回りに巻回され、両軟磁
   性膜に交流磁界を生成する第１の導体膜と、 前記第２及び第３の軟磁性膜の近傍に形成され、両軟磁
   性膜に直流バイアスされた交流磁界を生成する第２の導
   体膜と、 前記第３の軟磁性膜の上に絶縁膜を介して形成され、一
   端が前記第３の軟磁性膜に磁気的に結合し、他端が前記
   記録媒体に対向する面に露出している第４の軟磁性膜
   と、 前記第１の導体膜の両端にそれぞれ接続され、第１の導
   体膜に交流電流を流すための一対の第１の電極端子と、 前記第２の導体膜の両端にそれぞれ接続され、第２の導
   体膜を流れる電流と前記第２及び第３の軟磁性膜とによ
   って生じる逆起電圧を検出するための一対の第２の電極
   端子と、 を備えたことを特徴とする磁気ヘッドの再生方法であっ
   て、 前記１対の第２の電極端子を、直流バイアスされた５０
   ＭＨｚ以上の高周波の電流源に接続して前記磁気ヘッド
   に高周波電流を流すステップ、 磁気ヘッドに対向する磁気記録媒体からの漏洩磁界によ
   って生じる前記第２の電極端子間の逆起電圧の変化を検
   出することにより、前記磁気記録媒体に記録された情報
   を再生するステップ、 を有する磁気再生方法。
10. 【請求項１０】 前記請求項１から６に記載されたいず
    れかの磁気ヘッドと、 ディスク状磁気記録媒体と、 前記磁気ヘッドに直流バイアス磁界を印加するバイアス
    磁界印加手段と、 を備えたことを特徴とする磁気再生装置。
11. 【請求項１１】 絶縁体からなる基板の表面に所定のパ
    ターンの第１の軟磁性膜を形成するステップと、 前記第１の軟磁性膜の上に絶縁膜を介して第１の導体膜
    の半体を形成するステップと、 前記第１の軟磁性膜の一部を露出させ他の部分を覆う第
    １の絶縁膜を形成するステップと、 前記第１の絶縁膜と第１の軟磁性膜の上に所定のパター
    ンの高飽和磁束密度の第２の軟磁性膜を形成するステッ
    プと、 前記第１の軟磁性膜に沿って線状の第２の導体膜を形成
    するステップと、 前記第１の導体膜と第２の軟磁性膜の上に高透磁率の第
    ３の軟磁性膜を形成するステップと、 前記第３の軟磁性膜の上に絶縁膜を介して第１の導体膜
    の半体を形成し、前記の半体と接続することにより、前
    記第２および第３の軟磁性膜を取り巻く導体コイルを形
    成するステップと、 前記導体コイルと前記第２の導体膜とが各々接続された
    電極端子を形成するステップと、 前記第３の軟磁性膜の一部を露出させ他の部分を覆う第
    ２の絶縁膜を形成するステップと、 前記第２の絶縁膜上に前記所定のパターンの第４の軟磁
    性膜を形成するステップと、 前記電極端子と第１、第２、第３および第４の軟磁性膜
    を保護するための絶縁膜を形成するステップと、 前記保護膜から前記電極端子を露出させるための加工を
    するステップと、 を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。