JPH0520646A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH0520646A JPH0520646A JP17392791A JP17392791A JPH0520646A JP H0520646 A JPH0520646 A JP H0520646A JP 17392791 A JP17392791 A JP 17392791A JP 17392791 A JP17392791 A JP 17392791A JP H0520646 A JPH0520646 A JP H0520646A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生特性の安定化をはかる。
【構成】 非磁性中間層を介して第１及び第２の磁気抵
抗効果を有する薄膜磁性層が積層されて成る感磁部を有
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、第１及び
第２の薄膜磁性層の各磁化容易軸方向ｅａ1 及びｅａ2
を、感磁部に対するセンス電流の通電方向と平行方向及
び直交方向と一致することのない斜め方向に選定する。
抗効果を有する薄膜磁性層が積層されて成る感磁部を有
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、第１及び
第２の薄膜磁性層の各磁化容易軸方向ｅａ1 及びｅａ2
を、感磁部に対するセンス電流の通電方向と平行方向及
び直交方向と一致することのない斜め方向に選定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型（ＭＲ
型）薄膜磁気ヘッドに係る。
型）薄膜磁気ヘッドに係る。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲ型薄膜磁気ヘッドは、誘導型（イン
ダクティブ型）磁気ヘッドに比し、高感度、短波長再生
が可能であることから、各種磁気記録媒体上の記録を読
み出す再生磁気ヘッドとして広く用いられる方向にあ
る。
ダクティブ型）磁気ヘッドに比し、高感度、短波長再生
が可能であることから、各種磁気記録媒体上の記録を読
み出す再生磁気ヘッドとして広く用いられる方向にあ
る。
【０００３】このＭＲ型薄膜磁気ヘッドは、図１にその
一例の略線的拡大断面図を示すように、例えば基体２０
上に、第１及び第２の磁気シールド層２１及び２２が、
これらの前方端間に、磁気記録媒体との対接ないしは対
向面に臨んで所要のギャップ長Ｌg を有する磁気ギャッ
プｇを形成するよう積層される。そして、これら第１及
び第２の磁気シールド層２１及び２２間に、磁気抵抗効
果を有する感磁部２４が配置される。
一例の略線的拡大断面図を示すように、例えば基体２０
上に、第１及び第２の磁気シールド層２１及び２２が、
これらの前方端間に、磁気記録媒体との対接ないしは対
向面に臨んで所要のギャップ長Ｌg を有する磁気ギャッ
プｇを形成するよう積層される。そして、これら第１及
び第２の磁気シールド層２１及び２２間に、磁気抵抗効
果を有する感磁部２４が配置される。
【０００４】この感磁部２４は、その一端が磁気記録媒
体との対接ないしは対向面２３に臨み、これより後方
に、即ち面２３とほぼ直交し、磁気ギャップｇの奥行き
（深さ）方向（図においてＺ方向として示す）に延在し
て形成される。
体との対接ないしは対向面２３に臨み、これより後方
に、即ち面２３とほぼ直交し、磁気ギャップｇの奥行き
（深さ）方向（図においてＺ方向として示す）に延在し
て形成される。
【０００５】そして、この感磁部２４の前方端及び後方
端には、それぞれこの感磁部２４に、これに生じた抵抗
変化を検出するセンス電流を供給する電極２５及び２６
が設けられる。
端には、それぞれこの感磁部２４に、これに生じた抵抗
変化を検出するセンス電流を供給する電極２５及び２６
が設けられる。
【０００６】また、感磁部２４上に、絶縁層２７を介し
て横切るように、通電によって感磁部２４に所要のバイ
アス磁界を与えるバイアス磁界発生用のバイアス導体２
８が設けられる。
て横切るように、通電によって感磁部２４に所要のバイ
アス磁界を与えるバイアス磁界発生用のバイアス導体２
８が設けられる。
【０００７】感磁部２４は、図２にその略線的断面図を
示すように、それぞれ磁気抵抗効果を有する第１及び第
２の薄膜磁性層１及び２が非磁性中間層３を介して積層
されて各薄膜磁性層１及び２内における磁壁の発生を回
避することによってバルクハウゼンノイズの発生を回避
するようになされる。この積層構造による磁気抵抗素子
については、例えば米国特許第４，３５６，５２３号明
細書及び特開昭６２−２３４２１８号公報等に開示され
ているところである。
示すように、それぞれ磁気抵抗効果を有する第１及び第
２の薄膜磁性層１及び２が非磁性中間層３を介して積層
されて各薄膜磁性層１及び２内における磁壁の発生を回
避することによってバルクハウゼンノイズの発生を回避
するようになされる。この積層構造による磁気抵抗素子
については、例えば米国特許第４，３５６，５２３号明
細書及び特開昭６２−２３４２１８号公報等に開示され
ているところである。
【０００８】そして、この構成において、感磁部２４に
対し、両電極２５及び２６によって薄膜磁性層１及び２
に磁気記録媒体との対接ないしは対向面２３と直交する
方向に両薄膜磁性層１及び２に同一向きのＺ方向また−
Ｚ方向で、同一量のセンス電流ｉを通電するようにす
る。
対し、両電極２５及び２６によって薄膜磁性層１及び２
に磁気記録媒体との対接ないしは対向面２３と直交する
方向に両薄膜磁性層１及び２に同一向きのＺ方向また−
Ｚ方向で、同一量のセンス電流ｉを通電するようにす
る。
【０００９】また、磁気ギャップｇを通じて、磁気記録
媒体（図示せず）からの記録情報による信号磁界Ｈｓ
が、センス電流ｉの主たる通電方向即ち、磁気記録媒体
との対接ないしは対向面２３とほぼ直交する方向のＺ方
向若しくは−Ｚ方向に主として与えられるようになされ
る。
媒体（図示せず）からの記録情報による信号磁界Ｈｓ
が、センス電流ｉの主たる通電方向即ち、磁気記録媒体
との対接ないしは対向面２３とほぼ直交する方向のＺ方
向若しくは−Ｚ方向に主として与えられるようになされ
る。
【００１０】このような構成によるＭＲ型磁気ヘッドに
おいては、図５に感磁部２４の略線的平面図を示すよう
に、両薄膜磁性層１及び２は、その磁化容易軸ｅａがＺ
方向、つまり、センス電流ｉの通電方向及び信号時間Ｈ
S の印加方向と直交する方向に選ぶか異方性を持たない
ように構成されている。そして、Ｚ方向にセンス電流ｉ
を通電した状態で、図５のＡ図に矢印ａ1 及びａ2 をも
って示すように、両薄膜磁性層１及び２の磁気モーメン
トが、Ｚ方向と直交し、互いに逆向きとなるようにして
いる。
おいては、図５に感磁部２４の略線的平面図を示すよう
に、両薄膜磁性層１及び２は、その磁化容易軸ｅａがＺ
方向、つまり、センス電流ｉの通電方向及び信号時間Ｈ
S の印加方向と直交する方向に選ぶか異方性を持たない
ように構成されている。そして、Ｚ方向にセンス電流ｉ
を通電した状態で、図５のＡ図に矢印ａ1 及びａ2 をも
って示すように、両薄膜磁性層１及び２の磁気モーメン
トが、Ｚ方向と直交し、互いに逆向きとなるようにして
いる。
【００１１】そして、更に、感磁部２４の、感度と直線
性を上げるために、つまり、その磁気抵抗特性が急峻で
かつ直線性にすぐれた領域で動作させるために、図１の
バイアス導体２８への通電によって発生させたバイアス
磁界ＨB を＋Ｚまたは−Ｚ方向に与えて感磁部２３の各
薄膜磁性層１及び２の磁気モーメントａ1 及びａ2 をＺ
方向に対し４５°に傾けるようにしている。
性を上げるために、つまり、その磁気抵抗特性が急峻で
かつ直線性にすぐれた領域で動作させるために、図１の
バイアス導体２８への通電によって発生させたバイアス
磁界ＨB を＋Ｚまたは−Ｚ方向に与えて感磁部２３の各
薄膜磁性層１及び２の磁気モーメントａ1 及びａ2 をＺ
方向に対し４５°に傾けるようにしている。
【００１２】ところが、このような構成としても、その
再生出力は、必ずしも直線性にすぐれたものにはなら
ず、出力波形が歪むとか、振幅に変動を来すなど、不安
定性を示す場合が生じる。
再生出力は、必ずしも直線性にすぐれたものにはなら
ず、出力波形が歪むとか、振幅に変動を来すなど、不安
定性を示す場合が生じる。
【００１３】そして、このような出力に不安定性を生じ
る場合における感磁部２４の磁気抵抗特性は、図６に示
すように、一部（破線で囲んで示す部分）に不連続部分
が生じる。
る場合における感磁部２４の磁気抵抗特性は、図６に示
すように、一部（破線で囲んで示す部分）に不連続部分
が生じる。
【００１４】これは、薄膜磁性層１，２に内部的欠陥
や、両薄膜磁性層１及び２の膜厚、膜質、磁気的特性等
にばらつきが存在することによって、局部的に、磁気モ
ーメントａ1 及びａ2 が対称的に回転しない部分が生じ
ることに因ると思われる。
や、両薄膜磁性層１及び２の膜厚、膜質、磁気的特性等
にばらつきが存在することによって、局部的に、磁気モ
ーメントａ1 及びａ2 が対称的に回転しない部分が生じ
ることに因ると思われる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな２層の磁気抵抗効果を有する薄膜磁性層の積層構造
による感磁部を有するＭＲ型薄膜磁気ヘッドにおける再
生出力特性の不安定性の問題の改善をはかる。
うな２層の磁気抵抗効果を有する薄膜磁性層の積層構造
による感磁部を有するＭＲ型薄膜磁気ヘッドにおける再
生出力特性の不安定性の問題の改善をはかる。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその適
用例の略線的断面図を示すように、非磁性中間層３を介
してそれぞれ磁気抵抗効果を有する第１及び第２の薄膜
磁性層１及び２が積層されて成る感磁部２４が、磁気記
録媒体との対接ないしは対向面２３に対しほぼ直交する
Ｚ方向に延在して設け、それぞれこのＺ方向に沿う方向
（±Ｚ）に、センス電流ｉ、磁気記録媒体からの信号磁
界ＨS及びバイアス磁界ＨB を感磁部２４に与える磁気
抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、第１及び第２の薄膜磁
性層１及び２の磁化容易軸を、図３Ａに感磁部２４の平
面図を示すように、各層１及び２の膜面に沿ってセンス
電流ｉの通電方向、即ちＺ方向に沿う方向（±Ｚ）及び
これと直交する方向に一致することなく、かつ感磁部２
４へのセンス電流ｉの通電方向に沿う中心線Ｃに対し対
称の方向ｅａ1 及びｅａ2 に選定する。
用例の略線的断面図を示すように、非磁性中間層３を介
してそれぞれ磁気抵抗効果を有する第１及び第２の薄膜
磁性層１及び２が積層されて成る感磁部２４が、磁気記
録媒体との対接ないしは対向面２３に対しほぼ直交する
Ｚ方向に延在して設け、それぞれこのＺ方向に沿う方向
（±Ｚ）に、センス電流ｉ、磁気記録媒体からの信号磁
界ＨS及びバイアス磁界ＨB を感磁部２４に与える磁気
抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、第１及び第２の薄膜磁
性層１及び２の磁化容易軸を、図３Ａに感磁部２４の平
面図を示すように、各層１及び２の膜面に沿ってセンス
電流ｉの通電方向、即ちＺ方向に沿う方向（±Ｚ）及び
これと直交する方向に一致することなく、かつ感磁部２
４へのセンス電流ｉの通電方向に沿う中心線Ｃに対し対
称の方向ｅａ1 及びｅａ2 に選定する。
【００１７】
【作用】上述の構成において、図３Ｂに示すように感磁
部２４に即ち感磁部２４の第１及び第２の薄膜磁性層１
及び２に、センス電流ｉを通電した状態で、磁性層１及
び２の磁気モーメントが互いに逆向きで、通電方向とほ
ぼ直交する方向に向くようになされ、図３Ｃに示すよう
に、センス電流ｉの通電方向（図示の例では＋Ｚ方向）
に沿う＋Ｚまたは−Ｚ方向にバイアス磁界ＨB を与え、
この状態でこの±Ｚ方向に対し４５°に近い角度をなす
向きに各磁性層１及び２の磁気モーメントａ1 及びａ2
が向くようになす。
部２４に即ち感磁部２４の第１及び第２の薄膜磁性層１
及び２に、センス電流ｉを通電した状態で、磁性層１及
び２の磁気モーメントが互いに逆向きで、通電方向とほ
ぼ直交する方向に向くようになされ、図３Ｃに示すよう
に、センス電流ｉの通電方向（図示の例では＋Ｚ方向）
に沿う＋Ｚまたは−Ｚ方向にバイアス磁界ＨB を与え、
この状態でこの±Ｚ方向に対し４５°に近い角度をなす
向きに各磁性層１及び２の磁気モーメントａ1 及びａ2
が向くようになす。
【００１８】そして、この状態で、磁気記録媒体からの
信号磁界ＨS を感磁部２４に与え、このとき生じた各薄
膜磁性層１及び２の抵抗変化を、例えば感磁部２４の両
端電圧の変化として検出する。
信号磁界ＨS を感磁部２４に与え、このとき生じた各薄
膜磁性層１及び２の抵抗変化を、例えば感磁部２４の両
端電圧の変化として検出する。
【００１９】上述の本発明構成では、感磁部２４を構成
する第１及び第２の薄膜磁性層１及び２の磁化容易軸ｅ
ａ1 及びｅａ2 を、感磁部２４に対するセンス電流ｉ、
信号磁界ＨS 、バイアス磁界ＨB の印加方向に対し一致
することのない即ち斜め方向に選定したので、バイアス
磁界によって図３Ｃ、つまり図５Ｂに対応する磁化状態
を得るに、この磁気モーメントは、磁化容易軸ｅａ1 及
びｅａ2 に近づけられる方向に向けられることになる。
する第１及び第２の薄膜磁性層１及び２の磁化容易軸ｅ
ａ1 及びｅａ2 を、感磁部２４に対するセンス電流ｉ、
信号磁界ＨS 、バイアス磁界ＨB の印加方向に対し一致
することのない即ち斜め方向に選定したので、バイアス
磁界によって図３Ｃ、つまり図５Ｂに対応する磁化状態
を得るに、この磁気モーメントは、磁化容易軸ｅａ1 及
びｅａ2 に近づけられる方向に向けられることになる。
【００２０】従って、仮に、両第１及び第２の薄膜磁性
層１及び２の膜質、膜厚等のアンバランス、欠陥等が多
少存在していても確実にバイアス磁界ＨB をもって、両
薄膜磁性層１及び２が最も高い感度と直線性を示す領域
で動作できる状態、即ち磁気モーメントａ1 及びａ2 が
Ｚ方向に４５°の傾きを有する状態を得ることができ、
これによって良好な出力特性と、その安定化を達成する
ことができる。
層１及び２の膜質、膜厚等のアンバランス、欠陥等が多
少存在していても確実にバイアス磁界ＨB をもって、両
薄膜磁性層１及び２が最も高い感度と直線性を示す領域
で動作できる状態、即ち磁気モーメントａ1 及びａ2 が
Ｚ方向に４５°の傾きを有する状態を得ることができ、
これによって良好な出力特性と、その安定化を達成する
ことができる。
【００２１】そして、この場合の感磁部２４の磁気抵抗
特性は、図４に示すように、不連続部等の歪のない良好
な特性を示すことが確認された。
特性は、図４に示すように、不連続部等の歪のない良好
な特性を示すことが確認された。
【００２２】
【実施例】図１及び図２を参照して本発明の一実施例を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２３】この例では、基体２０、例えばハードディ
スクドライブ装置に適用する場合における浮上型磁気ヘ
ッドを構成する場合には、ハードディスクの回転による
相対的移動によって発生する空気流によって浮上するス
ライダ、或いはこのスライダに取付けられる基体上に、
例えばパーマロイより成る第１の磁気シールド層２１
を、蒸着、スパッタ及びパターンエッチングによって、
或いはフレームメッキ等によって形成し、これを覆って
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の非磁性絶縁層２９を被着形成
する。
スクドライブ装置に適用する場合における浮上型磁気ヘ
ッドを構成する場合には、ハードディスクの回転による
相対的移動によって発生する空気流によって浮上するス
ライダ、或いはこのスライダに取付けられる基体上に、
例えばパーマロイより成る第１の磁気シールド層２１
を、蒸着、スパッタ及びパターンエッチングによって、
或いはフレームメッキ等によって形成し、これを覆って
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の非磁性絶縁層２９を被着形成
する。
【００２４】そして、これの上に順次ＭＲ薄膜磁性層、
非磁性層、ＭＲ薄膜磁性層をスパッタ、蒸着等によって
形成する。ここに両ＭＲ薄膜磁性層は、例えばＮｉＦ
ｅ，ＮｉＣｏ，ＮｉＦｅＣｏ等より成り、非磁性層はＡ
ｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ 4 ，Ｍｏ，Ｔｉ等より成
り、これらの層を積層形成して後、所定のパターンにエ
ッチングして、これらパターン化されたＭＲ磁性層、非
磁性層、ＭＲ磁性層によって、第１の薄膜磁性層１、非
磁性中間層３、第２の薄膜磁性層２が構成された感磁部
２４を構成する。
非磁性層、ＭＲ薄膜磁性層をスパッタ、蒸着等によって
形成する。ここに両ＭＲ薄膜磁性層は、例えばＮｉＦ
ｅ，ＮｉＣｏ，ＮｉＦｅＣｏ等より成り、非磁性層はＡ
ｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ 4 ，Ｍｏ，Ｔｉ等より成
り、これらの層を積層形成して後、所定のパターンにエ
ッチングして、これらパターン化されたＭＲ磁性層、非
磁性層、ＭＲ磁性層によって、第１の薄膜磁性層１、非
磁性中間層３、第２の薄膜磁性層２が構成された感磁部
２４を構成する。
【００２５】そして、この感磁部２４の両端に、中間層
３が絶縁性を有する場合には、特に下層の磁性層１につ
いてもその端縁等で電気的に接続するように電極２５及
び２６を被着形成する。
３が絶縁性を有する場合には、特に下層の磁性層１につ
いてもその端縁等で電気的に接続するように電極２５及
び２６を被着形成する。
【００２６】更に、感磁部２４上を同様の絶縁層２９を
介して横切って帯状導電層によるバイアス導体２８を被
着形成する。
介して横切って帯状導電層によるバイアス導体２８を被
着形成する。
【００２７】例えば全体的に同様の絶縁層２９を被覆
し、これの上に、第１の磁気シールド層２１との間に感
磁部２４を挟み込むように、同様にパーマロイ等より成
る第２の磁気シールド層２２をスパッタ、蒸着、メッキ
等によって形成する。
し、これの上に、第１の磁気シールド層２１との間に感
磁部２４を挟み込むように、同様にパーマロイ等より成
る第２の磁気シールド層２２をスパッタ、蒸着、メッキ
等によって形成する。
【００２８】そして、全体を覆って、ガラス等の保護層
３０を被覆する。
３０を被覆する。
【００２９】また、上述の基体２０上に積層されたヘッ
ド構成部の前方部を例えば基体２０と共に研磨して磁気
記録媒体との対接ないしは対向面２３を形成する。
ド構成部の前方部を例えば基体２０と共に研磨して磁気
記録媒体との対接ないしは対向面２３を形成する。
【００３０】このようにして、この面２３に、第１及び
第２の磁気シールド層２１及び２２の前方端間に形成さ
れる磁気ギャップｇが形成され、この磁気ギャップｇ内
に感磁部２４が、即ちＭＲヘッド素子が配されるように
する。
第２の磁気シールド層２１及び２２の前方端間に形成さ
れる磁気ギャップｇが形成され、この磁気ギャップｇ内
に感磁部２４が、即ちＭＲヘッド素子が配されるように
する。
【００３１】この構成において、感磁部２４は、磁気記
録媒体との対接ないしは対向面２３に臨む位置から、こ
れと直交する＋Ｚ方向に延在するように形成する。
録媒体との対接ないしは対向面２３に臨む位置から、こ
れと直交する＋Ｚ方向に延在するように形成する。
【００３２】この感磁部２４において、特にその第１及
び第２の薄膜磁性層１及び２を、その各成膜時のスパッ
タ、蒸着等において例えば所定方向の外部磁界印加を行
うことによって、各磁化容易軸ｅａ1 及びｅａ2 を図３
Ａで示すようにＺ方向とこれを直交する方向に一致する
ことがなく、これら方向に対し、傾きをもって、望まし
くは４５°に近く、４５°±２０°の範囲内の向きでか
つ、Ｚ方向に沿う中心線Ｃに対し対称の方向に向かわし
める。
び第２の薄膜磁性層１及び２を、その各成膜時のスパッ
タ、蒸着等において例えば所定方向の外部磁界印加を行
うことによって、各磁化容易軸ｅａ1 及びｅａ2 を図３
Ａで示すようにＺ方向とこれを直交する方向に一致する
ことがなく、これら方向に対し、傾きをもって、望まし
くは４５°に近く、４５°±２０°の範囲内の向きでか
つ、Ｚ方向に沿う中心線Ｃに対し対称の方向に向かわし
める。
【００３３】この構成において、電極２５及び２６間に
所定のセンス電流を通電し、感磁部２４の第１及び第２
の薄膜磁性層１及び２にそれぞれ同一方向のＺ方向、或
いは−Ｚ方向の通電をなし、バイアス導体２８に通電す
ることによって同様に、Ｚ方向若しくは−Ｚ方向のバイ
アス磁界ＨB を印加して各薄膜磁性層１及び２におい
て、図３Ｃに示すようにＺ方向に対しできるだけ４５°
に近く、互いに中心線Ｃに対し対称的な向きａ1 及びａ
2 に磁気モーメントを向しめる。
所定のセンス電流を通電し、感磁部２４の第１及び第２
の薄膜磁性層１及び２にそれぞれ同一方向のＺ方向、或
いは−Ｚ方向の通電をなし、バイアス導体２８に通電す
ることによって同様に、Ｚ方向若しくは−Ｚ方向のバイ
アス磁界ＨB を印加して各薄膜磁性層１及び２におい
て、図３Ｃに示すようにＺ方向に対しできるだけ４５°
に近く、互いに中心線Ｃに対し対称的な向きａ1 及びａ
2 に磁気モーメントを向しめる。
【００３４】この状態で、磁気記録媒体、例えばハード
ディスク（図示せず）に磁気記録媒体との対接ないしは
対向面２３を対接ないしは対向させ、例えばハードディ
スクの回転による相対的移行によって変化する磁気記録
媒体上の記録に基づく信号磁界ＨS をその主たる方向が
Ｚ方向に沿う方向で感磁部２４に、第１及び第２の磁気
シールド層２１及び２２間の磁気ギャップｇを通じて与
えられるようにする。
ディスク（図示せず）に磁気記録媒体との対接ないしは
対向面２３を対接ないしは対向させ、例えばハードディ
スクの回転による相対的移行によって変化する磁気記録
媒体上の記録に基づく信号磁界ＨS をその主たる方向が
Ｚ方向に沿う方向で感磁部２４に、第１及び第２の磁気
シールド層２１及び２２間の磁気ギャップｇを通じて与
えられるようにする。
【００３５】このような構成によれば、感磁部２４の第
１及び第２の薄膜磁性層１及び２の磁化容易軸ｅａ1 及
びｅａ2 が予め傾けられていることによってバイアス磁
界Ｈ B による磁気モーメントの回転が助成され、これに
よって、バイアス磁界ＨB により得べき感磁部２４の磁
化の向きを確実に得ることができ、信号磁界ＨS による
感磁部２４の抵抗変化を直線性良く、高感度状態とする
ことができて、安定してすぐれた出力特性を得ることが
できる。
１及び第２の薄膜磁性層１及び２の磁化容易軸ｅａ1 及
びｅａ2 が予め傾けられていることによってバイアス磁
界Ｈ B による磁気モーメントの回転が助成され、これに
よって、バイアス磁界ＨB により得べき感磁部２４の磁
化の向きを確実に得ることができ、信号磁界ＨS による
感磁部２４の抵抗変化を直線性良く、高感度状態とする
ことができて、安定してすぐれた出力特性を得ることが
できる。
【００３６】そして、第１及び第２の薄膜磁性層１及び
２の磁化容易軸ｅａ1 及びｅａ2 は、Ｚ軸に対し４５°
±２０°の範囲で良好にバイアス磁界ＨB の印加で安定
した磁気モーメントａ1 及びａ2 に傾きを設定できた。
２の磁化容易軸ｅａ1 及びｅａ2 は、Ｚ軸に対し４５°
±２０°の範囲で良好にバイアス磁界ＨB の印加で安定
した磁気モーメントａ1 及びａ2 に傾きを設定できた。
【００３７】尚、図示の例では、ＭＲ型磁気ヘッドを単
独に有するヘッドに本発明を適用した場合であるが、多
チャンネル型のヘッドを始めとして、インダクティブ型
記録ヘッドとＭＲ型再生ヘッドとの組合せによる複合型
ヘッド等、各種ＭＲ型薄膜磁気ヘッドを有するヘッドに
適用することができる。
独に有するヘッドに本発明を適用した場合であるが、多
チャンネル型のヘッドを始めとして、インダクティブ型
記録ヘッドとＭＲ型再生ヘッドとの組合せによる複合型
ヘッド等、各種ＭＲ型薄膜磁気ヘッドを有するヘッドに
適用することができる。
【００３８】
【発明の効果】上述したように本発明では、非磁性中間
層３を介して第１及び第２の磁気抵抗効果を有する薄膜
磁性層１及び２を積層した構成を採る感磁部２４の、各
磁性層１及び２の磁化容易軸を予めセンス電流ｉの通電
方向とこれに直交する方向とにそれぞれ一致せず、これ
らから傾き、かつ中心線Ｃに対して対称的な向きに選定
したので安定したバイアス状態を設定でき、これによっ
て再生感度の向上と良好な再生出力波形を得ることがで
きる。
層３を介して第１及び第２の磁気抵抗効果を有する薄膜
磁性層１及び２を積層した構成を採る感磁部２４の、各
磁性層１及び２の磁化容易軸を予めセンス電流ｉの通電
方向とこれに直交する方向とにそれぞれ一致せず、これ
らから傾き、かつ中心線Ｃに対して対称的な向きに選定
したので安定したバイアス状態を設定でき、これによっ
て再生感度の向上と良好な再生出力波形を得ることがで
きる。
【図１】本発明による磁気ヘッドの一例の略線的拡大断
面図である。
面図である。
【図２】その感磁部の一例の略線的拡大断面図である。
【図３】本発明による磁気ヘッドの感磁部の平面図であ
る。
る。
【図４】本発明による磁気ヘッドの感磁部の磁気抵抗特
性曲線図である。
性曲線図である。
【図５】従来の磁気ヘッドの感磁部の平面図である。
【図６】従来の磁気ヘッドの感磁部の磁気抵抗特性曲線
図である。
図である。
１ 第１の薄膜磁性層 ２ 第２の薄膜磁性層 ３ 非磁性中間層 ２１ 第１の磁気シールド層 ２２ 第２の磁気シールド層 ２３ 磁気媒体との対接ないしは対向面 ２４ 感磁部 ２８ バイアス導体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 非磁性中間層を介してそれぞれ磁気抵抗
効果を有する第１及び第２の薄膜磁性層が積層されて成
る感磁部が、磁気記録媒体との対接ないしは対向面に対
してほぼ直交する方向に延在して設けられ、それぞれこ
の方向に沿う方向にバイアス磁界、センス電流及び上記
磁気記録媒体からの信号磁界が上記感磁部に与えられる
ようになされた磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、 上記第１及び第２の薄膜磁性層の磁化容易軸を、上記セ
ンス電流の通電方向に沿う方向及びこれと直交する方向
に一致することなく、かつ上記感磁部へのセンス電流の
通電方向に沿う中心線に対し対称の方向に選定したこと
を特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17392791A JPH0520646A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17392791A JPH0520646A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520646A true JPH0520646A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15969656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17392791A Pending JPH0520646A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520646A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712117A2 (en) * | 1994-11-14 | 1996-05-15 | Read-Rite Corporation | Compact read/write head having biased GMR element |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP17392791A patent/JPH0520646A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712117A2 (en) * | 1994-11-14 | 1996-05-15 | Read-Rite Corporation | Compact read/write head having biased GMR element |
| EP0712117A3 (en) * | 1994-11-14 | 1996-08-28 | Read Rite Corp | Compact read / write head with preloaded GMR element |
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