JPS6171407A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS6171407A JPS6171407A JP19154584A JP19154584A JPS6171407A JP S6171407 A JPS6171407 A JP S6171407A JP 19154584 A JP19154584 A JP 19154584A JP 19154584 A JP19154584 A JP 19154584A JP S6171407 A JPS6171407 A JP S6171407A
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- magnetoresistive element
- film
- magnetoresistive
- magnet film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体に記録
された信号磁束を検出する磁気ヘッドに係り、特に磁気
抵抗素子に印加するバイアス磁界を好適にした磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。
された信号磁束を検出する磁気ヘッドに係り、特に磁気
抵抗素子に印加するバイアス磁界を好適にした磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、信号検出波形の
非対称性の向上、高調波歪の低減等のために、磁気抵抗
効果を有する強磁性体薄膜素子（磁気抵抗素子）に流す
信号検出電流の方向に対して当該磁気抵抗素子内の磁化
の方向が略４５゜の角度をなすように、適当なバイアス
磁界を磁気抵抗素子に対して外部から印加する必要があ
る。
非対称性の向上、高調波歪の低減等のために、磁気抵抗
効果を有する強磁性体薄膜素子（磁気抵抗素子）に流す
信号検出電流の方向に対して当該磁気抵抗素子内の磁化
の方向が略４５゜の角度をなすように、適当なバイアス
磁界を磁気抵抗素子に対して外部から印加する必要があ
る。
従来、このようなバイアス磁界印加方法としては、特開
昭５０−１７１２号のように、磁気抵抗素子に近接して
永久磁石膜を配置し、永久磁石膜の作る磁界をバイアス
磁界とする永久磁石バイアス方法、また、特開昭４９−
７４５２２号、および特開昭４９−７４５２３号のよう
に磁気抵抗素子と当該磁気抵抗素子に接置されたシャン
ト膜の両方に電流を流し、シャント膜に分流する電流の
作る磁界をバイアス磁界とするシャントバイアス方法等
が知られている。これらのバイアス磁界印加方法につい
てみると、永久磁石バイアス方法は、検出出力が大きく
再生感度が高いという有利な点を持つが、永久磁石膜か
らのバイアス磁界の大きさは当該永久磁石膜の特性によ
っているため、上記磁気抵抗素子に対する最適なバイア
ス点が変動した場合にはその変動に対してバイアス磁界
のｉｗＷＪができず、また膜特性のばらつきによってバ
イアス磁界強度がばらつくという欠点がある。また、シ
ャントバイアス方法は。
昭５０−１７１２号のように、磁気抵抗素子に近接して
永久磁石膜を配置し、永久磁石膜の作る磁界をバイアス
磁界とする永久磁石バイアス方法、また、特開昭４９−
７４５２２号、および特開昭４９−７４５２３号のよう
に磁気抵抗素子と当該磁気抵抗素子に接置されたシャン
ト膜の両方に電流を流し、シャント膜に分流する電流の
作る磁界をバイアス磁界とするシャントバイアス方法等
が知られている。これらのバイアス磁界印加方法につい
てみると、永久磁石バイアス方法は、検出出力が大きく
再生感度が高いという有利な点を持つが、永久磁石膜か
らのバイアス磁界の大きさは当該永久磁石膜の特性によ
っているため、上記磁気抵抗素子に対する最適なバイア
ス点が変動した場合にはその変動に対してバイアス磁界
のｉｗＷＪができず、また膜特性のばらつきによってバ
イアス磁界強度がばらつくという欠点がある。また、シ
ャントバイアス方法は。
上記磁気抵抗素子に欠陥があっても、シャント膜に電流
が分流するために磁気抵抗素子の信頼性を高めるととも
にバイアス磁界の調節が可能であるが、検出出力が低く
素子が摩耗した場合のバイアス磁界の低下と検出出力の
低下を補うためには素子電流を増加しなければならない
ため、電力の消費が大きく、さらに磁気抵抗素子のジュ
ール熱により熱雑音も発生するという欠点がある。この
ように、個々のバイアス印加方法には、それぞれ長所が
あると同時に欠点もある。
が分流するために磁気抵抗素子の信頼性を高めるととも
にバイアス磁界の調節が可能であるが、検出出力が低く
素子が摩耗した場合のバイアス磁界の低下と検出出力の
低下を補うためには素子電流を増加しなければならない
ため、電力の消費が大きく、さらに磁気抵抗素子のジュ
ール熱により熱雑音も発生するという欠点がある。この
ように、個々のバイアス印加方法には、それぞれ長所が
あると同時に欠点もある。
本発明の目的は、磁気抵抗素子の出力を高く保ち、上記
磁気抵抗素子に印加するバイアス磁界の調節が可能で該
磁気抵抗素子に最適なバイアス磁界を与えるバイアス磁
界印加手段を有する磁気抵抗効果型磁界ヘッドを提供す
ることにある。
磁気抵抗素子に印加するバイアス磁界の調節が可能で該
磁気抵抗素子に最適なバイアス磁界を与えるバイアス磁
界印加手段を有する磁気抵抗効果型磁界ヘッドを提供す
ることにある。
上述したように、永久磁石バイアス方法、゛シャントバ
イアス方法等のバイアス磁界印加方法には、各々の長所
もあれば欠点もある０本発明は、上記バイアス方法の各
々の長所を生かして欠点を補い合うという考えに基づい
て案出したものであり、永久磁石バイアス方法にシャン
トバイアス方法等の長所を取り入れた構造からなる。
イアス方法等のバイアス磁界印加方法には、各々の長所
もあれば欠点もある０本発明は、上記バイアス方法の各
々の長所を生かして欠点を補い合うという考えに基づい
て案出したものであり、永久磁石バイアス方法にシャン
トバイアス方法等の長所を取り入れた構造からなる。
永久磁石バイアス方法では、当該永久磁石膜から上記磁
気抵抗素子に印加される磁気抵抗素子内のバイアス磁界
は、第９図（ａ）に示すように磁気抵抗素子の両端近傍
において最大で、内部において減少している（曲線１）
が、摩耗等により磁気抵抗素子の幅が小さくなった場合
には、内部のバイアス磁界の減少量は小さくなって（曲
線２）、平均のバイアス磁界が第９図（ｂ）に示すよう
に磁気抵抗素子幅の減少とともに増加するという現象が
ある。一方、シャントバイアス方法では、当該シャント
膜に流れる電流により上記磁気抵抗素子に印加される磁
気抵抗素子内のバイアス磁界は、第１０図（ａ）に示す
ように、磁気抵抗素子の両端でほぼ零で中心部で最大と
なる（曲線１）。しがし、定電圧駆動において、摩耗等
により磁気抵抗素子の幅が小さくなった場合には、素子
抵抗の増加に伴なう素子電流の減少のために中心部のバ
イアス磁界も減少しく曲線２）、平均のバイアス磁界が
第１０図（ｂ）に示すように磁気抵抗素子幅の減少とと
もに減少するという現象がある。上記２つの現象は、本
発明において見出された新たな現象であり、上記現象を
組み合せることで、摩耗によって磁気抵抗素子幅が減少
してもバイアス磁界の変動を抑えることができる。すな
わち、永久磁石バイアス方法において、磁気抵抗素子上
にシャント膜を積層した複合構造とすることで可能であ
る。しかし、シャント膜を設けた場合、上記磁気抵抗素
子の出力はシャント膜に素子電流が分流される割合に比
例して低下することになるため、シャント膜の抵抗を小
さくする、すなわちシャント膜を厚くした場合、出力が
大きいという永久磁石バイアス方法の利点を損う恐れが
ある。一方、シャント膜中に流れる電流が小さい場合に
は、上記のバイアス磁界の変動を抑える効果が不十分に
なる恐れもある。そこで、本発明においては、さらに、
当該永久磁石膜の端部に一対の導体を設けて永久磁石膜
中に電流を流せるようにし、その電流の作る磁界を当該
磁気抵抗素子に印加させることで、シャント膜の効果の
不十分な点を補うようにしたものである。上記永久磁石
膜中に流す電流の作る磁界の分布は、シャント膜の作る
磁界の分布とほぼ同様であるので、シャント膜の効果を
補うことが可能である。
気抵抗素子に印加される磁気抵抗素子内のバイアス磁界
は、第９図（ａ）に示すように磁気抵抗素子の両端近傍
において最大で、内部において減少している（曲線１）
が、摩耗等により磁気抵抗素子の幅が小さくなった場合
には、内部のバイアス磁界の減少量は小さくなって（曲
線２）、平均のバイアス磁界が第９図（ｂ）に示すよう
に磁気抵抗素子幅の減少とともに増加するという現象が
ある。一方、シャントバイアス方法では、当該シャント
膜に流れる電流により上記磁気抵抗素子に印加される磁
気抵抗素子内のバイアス磁界は、第１０図（ａ）に示す
ように、磁気抵抗素子の両端でほぼ零で中心部で最大と
なる（曲線１）。しがし、定電圧駆動において、摩耗等
により磁気抵抗素子の幅が小さくなった場合には、素子
抵抗の増加に伴なう素子電流の減少のために中心部のバ
イアス磁界も減少しく曲線２）、平均のバイアス磁界が
第１０図（ｂ）に示すように磁気抵抗素子幅の減少とと
もに減少するという現象がある。上記２つの現象は、本
発明において見出された新たな現象であり、上記現象を
組み合せることで、摩耗によって磁気抵抗素子幅が減少
してもバイアス磁界の変動を抑えることができる。すな
わち、永久磁石バイアス方法において、磁気抵抗素子上
にシャント膜を積層した複合構造とすることで可能であ
る。しかし、シャント膜を設けた場合、上記磁気抵抗素
子の出力はシャント膜に素子電流が分流される割合に比
例して低下することになるため、シャント膜の抵抗を小
さくする、すなわちシャント膜を厚くした場合、出力が
大きいという永久磁石バイアス方法の利点を損う恐れが
ある。一方、シャント膜中に流れる電流が小さい場合に
は、上記のバイアス磁界の変動を抑える効果が不十分に
なる恐れもある。そこで、本発明においては、さらに、
当該永久磁石膜の端部に一対の導体を設けて永久磁石膜
中に電流を流せるようにし、その電流の作る磁界を当該
磁気抵抗素子に印加させることで、シャント膜の効果の
不十分な点を補うようにしたものである。上記永久磁石
膜中に流す電流の作る磁界の分布は、シャント膜の作る
磁界の分布とほぼ同様であるので、シャント膜の効果を
補うことが可能である。
以下１本発明の実施例について具体的に説明する。
実施例１
第１図は本発明の一実施例による磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの構造を示すものである。第２図は、第１図の一点
鎖線で示した部分の断面図を示す。
ッドの構造を示すものである。第２図は、第１図の一点
鎖線で示した部分の断面図を示す。
セラミック材、ガラス、ＡＱ、０３．５ｉｎ２あるいは
他の任意の非磁性材料からなる基体１の上には、蒸着あ
るいはスパッタ、さらにはエツチング。
他の任意の非磁性材料からなる基体１の上には、蒸着あ
るいはスパッタ、さらにはエツチング。
イオンミーリング等のフォトリソグラフィの技術を用い
て形成した、例えばＧｏ−Ｐｔ、Ｇｏ−Ｃｒ等の硬磁性
材料からなる永久磁石膜２で配置され、その両端にはＡ
Ｑ ＨＭ ｏ等からなる上記永久磁石膜２に電流を流
すための一対の導体３が形成されている。また、磁気抵
抗素子４は、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎ１−Ｇｏ、Ｎ１−Ｆｅ−Ｇ
ｏ等の磁気抵抗効果を有する軟磁性体の薄膜からなり、
上記永久磁石膜２とはＳｉＯ□、 ＡＭ、Ｏ，等からな
る絶縁層６を介して配置されているが、当該磁気抵抗素
子４の上記永久磁石膜２に対する側面には磁気抵抗素子
４の比抵抗と大幅に違わない比抵抗をもつ、例えばＴｉ
、Ｍｏ等の導電体薄膜５が積層される。上記磁気抵抗素
子４および上記導電体薄膜５の両端にはＡｎ、Ｍｏ等か
らなる一対の導体７が形成され、最後に保護膜としてＡ
ｎ ｔ Ｏａ −８ｉＯ，等からなる絶縁層８が覆われ
ている。ここで、導体３，７、磁気抵抗素子４、導電体
薄膜５、絶縁層６，８等も上記永久磁石膜２と同様にフ
ォトリソグラフィの技術で容易に形成できることは言う
までもなく、シたがって１本実施例は全てフォトリソグ
ラフィ技術で高精度に形成可能である。
て形成した、例えばＧｏ−Ｐｔ、Ｇｏ−Ｃｒ等の硬磁性
材料からなる永久磁石膜２で配置され、その両端にはＡ
Ｑ ＨＭ ｏ等からなる上記永久磁石膜２に電流を流
すための一対の導体３が形成されている。また、磁気抵
抗素子４は、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎ１−Ｇｏ、Ｎ１−Ｆｅ−Ｇ
ｏ等の磁気抵抗効果を有する軟磁性体の薄膜からなり、
上記永久磁石膜２とはＳｉＯ□、 ＡＭ、Ｏ，等からな
る絶縁層６を介して配置されているが、当該磁気抵抗素
子４の上記永久磁石膜２に対する側面には磁気抵抗素子
４の比抵抗と大幅に違わない比抵抗をもつ、例えばＴｉ
、Ｍｏ等の導電体薄膜５が積層される。上記磁気抵抗素
子４および上記導電体薄膜５の両端にはＡｎ、Ｍｏ等か
らなる一対の導体７が形成され、最後に保護膜としてＡ
ｎ ｔ Ｏａ −８ｉＯ，等からなる絶縁層８が覆われ
ている。ここで、導体３，７、磁気抵抗素子４、導電体
薄膜５、絶縁層６，８等も上記永久磁石膜２と同様にフ
ォトリソグラフィの技術で容易に形成できることは言う
までもなく、シたがって１本実施例は全てフォトリソグ
ラフィ技術で高精度に形成可能である。
かカフる構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、
永久磁石ｌｌＩ２から磁、低抵抗素子４に対して、第９
図（ａ）の曲線１に示すようなバイアス磁界印加がなさ
れる。また一方、導電体薄膜５のシャントバイアスの効
果によって、第１０図（ａ）の曲線１に示すようなバイ
アス磁界が印加されるため、当該磁気抵抗素子内のバイ
アス磁界はほぼ一様の大きさになる。さらに、摩耗等に
より当該磁気抵抗素子の幅が小さくなった場合でも、上
記永久磁石膜２からのバイアス磁界は、第９図（ａ）の
曲線２のように、中心部において増大し、上記導電体薄
膜５からのバイアス磁界は第１０図（ａ）の曲線２のよ
うに逆に中心部で減少するため、当該磁気抵抗素子内の
バイアス磁界はほぼ一定にしたままであり、磁気抵抗素
子幅の減少によるバイアス磁界の変動を抑えることが可
能となる。しかし、実際には、例えば出力を高めるため
に上記導電体簿膜を薄くしたりして上記導電体薄膜によ
るシャントバイアスの効果が常に十分であるとは限らず
、さらにまた、上記永久磁石膜２からのバイアス磁界も
当該永久磁石膜２の磁気特性等の変動により常に一定で
あるとは限らない。したがって、本発明では、上記永久
磁石膜２の両端に設けた一対の導体３より永久磁石膜中
に電流を流し、この電流の大きさを増減したり、この電
流の方向を変えたりすることにより、該電流の作る磁界
の強度を増減する、あるいは磁界の方向を逆転すること
で、上記磁気抵抗素子内のバイアス磁界をほぼ一定の大
きさに調節することを可能とする。したがって、かかる
構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、常に最適なバイ
アス磁界印加が可能なので、検出波形の非対称性を向上
し、さらに検出波形における高調波歪を常に最小の状態
に保つことができる特徴を有する。
永久磁石ｌｌＩ２から磁、低抵抗素子４に対して、第９
図（ａ）の曲線１に示すようなバイアス磁界印加がなさ
れる。また一方、導電体薄膜５のシャントバイアスの効
果によって、第１０図（ａ）の曲線１に示すようなバイ
アス磁界が印加されるため、当該磁気抵抗素子内のバイ
アス磁界はほぼ一様の大きさになる。さらに、摩耗等に
より当該磁気抵抗素子の幅が小さくなった場合でも、上
記永久磁石膜２からのバイアス磁界は、第９図（ａ）の
曲線２のように、中心部において増大し、上記導電体薄
膜５からのバイアス磁界は第１０図（ａ）の曲線２のよ
うに逆に中心部で減少するため、当該磁気抵抗素子内の
バイアス磁界はほぼ一定にしたままであり、磁気抵抗素
子幅の減少によるバイアス磁界の変動を抑えることが可
能となる。しかし、実際には、例えば出力を高めるため
に上記導電体簿膜を薄くしたりして上記導電体薄膜によ
るシャントバイアスの効果が常に十分であるとは限らず
、さらにまた、上記永久磁石膜２からのバイアス磁界も
当該永久磁石膜２の磁気特性等の変動により常に一定で
あるとは限らない。したがって、本発明では、上記永久
磁石膜２の両端に設けた一対の導体３より永久磁石膜中
に電流を流し、この電流の大きさを増減したり、この電
流の方向を変えたりすることにより、該電流の作る磁界
の強度を増減する、あるいは磁界の方向を逆転すること
で、上記磁気抵抗素子内のバイアス磁界をほぼ一定の大
きさに調節することを可能とする。したがって、かかる
構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、常に最適なバイ
アス磁界印加が可能なので、検出波形の非対称性を向上
し、さらに検出波形における高調波歪を常に最小の状態
に保つことができる特徴を有する。
本発明では、特に永久磁石膜２の膜厚が２００〜２００
０人、導電体薄膜５の膜厚が２００〜３０００人、磁気
抵抗素子４の膜厚が２００〜２０００人、さらに絶縁層
６の膜厚が５００〜５０００人のときに効果的である。
０人、導電体薄膜５の膜厚が２００〜３０００人、磁気
抵抗素子４の膜厚が２００〜２０００人、さらに絶縁層
６の膜厚が５００〜５０００人のときに効果的である。
実施例２
第３図に、本発明による他の実施例（断面図）を示す６
本実施例は上記磁気抵抗素子４の上記永久磁石膜２と反
対側の側面に当該磁気抵抗素子４の比抵抗と大幅に遠ね
ない比抵抗をもつ１例えば。
本実施例は上記磁気抵抗素子４の上記永久磁石膜２と反
対側の側面に当該磁気抵抗素子４の比抵抗と大幅に遠ね
ない比抵抗をもつ１例えば。
Ｔｉ、Ｍｏ等の導電体薄膜５が積層された構造を有し、
その他の構造は実施例１の場合と同様である。したがっ
て、本実施例の効果を実施例１と全く同じ効果が期待で
きる。
その他の構造は実施例１の場合と同様である。したがっ
て、本実施例の効果を実施例１と全く同じ効果が期待で
きる。
実施例３
第４図に、本発明による他の実施例（断面図）を示す。
本実施例では上記磁気抵抗素子４の両側面に当該磁気抵
抗素子４の比抵抗と大幅に違わない比抵抗をもつ、例え
ばＴｉ、Ｍｏ等の導電体薄膜５が積層された構造を有し
、その他の構造は実施例１の場合と同様である。したが
って、本実施例の効果も実施例１と全く同じ効果が期待
できる。
抗素子４の比抵抗と大幅に違わない比抵抗をもつ、例え
ばＴｉ、Ｍｏ等の導電体薄膜５が積層された構造を有し
、その他の構造は実施例１の場合と同様である。したが
って、本実施例の効果も実施例１と全く同じ効果が期待
できる。
実施例４
第５図に１本発明によるさらに他の実施例（断面図）を
示す０本発明では、セラミック材、ガラス、Ｓ ｉ Ｏ
Ｈ、Ａ Ｑ、Ｏ，あるいは他の任意の非磁性材料からな
る基体１上にまず上記磁気抵抗素子４を形成し、その後
絶縁層６を介して上記永久磁石膜２を形成し、さらに上
記磁気抵抗素子４の上記永久磁石膜２に面する側面上に
当該磁気抵抗素子４の比抵抗と大幅に違わない比抵抗を
もつ、例えばＴｉ、Ｍｏ等の導電体薄ｌｌ１５を積層し
た構造を有し、その他の構造は実施例１の場合と同様で
ある１本実施例の効果も実施例１と同様であるが、本実
施例の場合、上記磁気抵抗素子４を上記永久磁石膜２形
成前に形成するので、上記磁気抵抗素子４の磁気特性は
永久磁石膜の影響を受けないという利点を有する。
示す０本発明では、セラミック材、ガラス、Ｓ ｉ Ｏ
Ｈ、Ａ Ｑ、Ｏ，あるいは他の任意の非磁性材料からな
る基体１上にまず上記磁気抵抗素子４を形成し、その後
絶縁層６を介して上記永久磁石膜２を形成し、さらに上
記磁気抵抗素子４の上記永久磁石膜２に面する側面上に
当該磁気抵抗素子４の比抵抗と大幅に違わない比抵抗を
もつ、例えばＴｉ、Ｍｏ等の導電体薄ｌｌ１５を積層し
た構造を有し、その他の構造は実施例１の場合と同様で
ある１本実施例の効果も実施例１と同様であるが、本実
施例の場合、上記磁気抵抗素子４を上記永久磁石膜２形
成前に形成するので、上記磁気抵抗素子４の磁気特性は
永久磁石膜の影響を受けないという利点を有する。
実施例５
第６図に、本発明によるさらに他の実施例（断面図）を
示す。本発明では、実施例４における磁気抵抗素子４上
の導電体薄膜５を当該磁気抵抗素子４の上記永久磁石膜
２側と反対側の側面、すなわち基板１側の側面上に積層
した構造を有するもので、その他の構造は実施例４の場
合と同様である。したがって、本実施例の効果も実施例
４と全く同じ効果が期待できる。
示す。本発明では、実施例４における磁気抵抗素子４上
の導電体薄膜５を当該磁気抵抗素子４の上記永久磁石膜
２側と反対側の側面、すなわち基板１側の側面上に積層
した構造を有するもので、その他の構造は実施例４の場
合と同様である。したがって、本実施例の効果も実施例
４と全く同じ効果が期待できる。
実施例６
第７図に、本発明によるさらに他の実施例（断面図）を
示す６本発明では、実施例４における磁気抵抗素子４上
の導電体薄膜５を当該磁気抵抗素子４の両側面に積層し
た構造を有し、その他の構造は実施例４の場合と同様で
ある。したがって、本実施例の効果も実施例４と全く同
じ効果が期待・ できる。
示す６本発明では、実施例４における磁気抵抗素子４上
の導電体薄膜５を当該磁気抵抗素子４の両側面に積層し
た構造を有し、その他の構造は実施例４の場合と同様で
ある。したがって、本実施例の効果も実施例４と全く同
じ効果が期待・ できる。
実施例７
第８図に、本発明によるさらに他の実施例（断面図）を
示す。本実施例では、実施例１に示した永久磁石膜２．
磁気抵抗素子４．導電体薄膜５等を全て挾むようにＳｉ
ｎ、、ＡＭ、Ｏ，等からなる絶縁Ｍ８，９を介して軟磁
性材料よりなる一対の磁気シールド層１０．１１を設け
た構造を有するもので、実施例１の効果にさらに磁気シ
ールド層の効果が加わった効果が期待できる。また、実
施例２〜６の構造において一対の磁気シールド層を同様
に設けた場合、効果は全く同様である。
示す。本実施例では、実施例１に示した永久磁石膜２．
磁気抵抗素子４．導電体薄膜５等を全て挾むようにＳｉ
ｎ、、ＡＭ、Ｏ，等からなる絶縁Ｍ８，９を介して軟磁
性材料よりなる一対の磁気シールド層１０．１１を設け
た構造を有するもので、実施例１の効果にさらに磁気シ
ールド層の効果が加わった効果が期待できる。また、実
施例２〜６の構造において一対の磁気シールド層を同様
に設けた場合、効果は全く同様である。
本発明によれば、磁気抵抗素子内のバイアス磁界分布は
永久磁石バイアス磁界とシャントバイアス磁界との合成
によりほぼ一様となり、さらに摩耗等により磁気抵抗素
子の幅が減少した場合にも、永久磁石バイアス磁界が上
記磁気抵抗素子中心部で増加するのに対して、シャント
バイアス磁界が上記磁気抵抗素子中心部で減少するので
、上記磁気抵抗素子内のバイアス磁界の変動を小さく抑
えることができる。さらに、本発明では、永久磁石膜の
両端に設けた一対の導体より永久磁石膜に電流を流し、
この電流の大きさ、方向を調節することでこの電流の作
る上記磁気抵抗素子にかかる磁界の大きさ、方向を調節
し、上記磁気抵抗素子内のバイアス磁界の大きさ等を微
調節することが可能である。したがって、本発明によれ
ば、上記磁気抵抗素子にかかるバイアス磁界を常に最適
バイアス磁界に設定することができるので、磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの検出波形の非対称性および高調波歪を
常に最小の状態に保つ効果がある。
永久磁石バイアス磁界とシャントバイアス磁界との合成
によりほぼ一様となり、さらに摩耗等により磁気抵抗素
子の幅が減少した場合にも、永久磁石バイアス磁界が上
記磁気抵抗素子中心部で増加するのに対して、シャント
バイアス磁界が上記磁気抵抗素子中心部で減少するので
、上記磁気抵抗素子内のバイアス磁界の変動を小さく抑
えることができる。さらに、本発明では、永久磁石膜の
両端に設けた一対の導体より永久磁石膜に電流を流し、
この電流の大きさ、方向を調節することでこの電流の作
る上記磁気抵抗素子にかかる磁界の大きさ、方向を調節
し、上記磁気抵抗素子内のバイアス磁界の大きさ等を微
調節することが可能である。したがって、本発明によれ
ば、上記磁気抵抗素子にかかるバイアス磁界を常に最適
バイアス磁界に設定することができるので、磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの検出波形の非対称性および高調波歪を
常に最小の状態に保つ効果がある。
第１図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの概略
を示す斜視図、第２図は第、１図の一点鎖線の断面図、
第３図〜第８図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの概略を示す断面図、第９図（ａ）は永久磁石バイア
ス方法における磁気抵抗素子内のバイアス磁界分布を示
す図、第９図（ｂ）は平均バイアス磁界と磁気抵抗素子
幅との関係を示す図、第１０図（ａ）はシャントバイア
ス方法における磁気抵抗素子内のバイアス磁界分布を示
す図、第１０図（ｂ）は平均バイアス磁界と磁気抵抗素
子幅との関係を示す図である。 １・・・基体、２・・・永久磁石膜、３・・・導体、４
・・・磁気抵抗素子、５・・・導電体薄膜、６・・・絶
縁層、７・・・導体、８．９・・・絶縁層、１０．１１
・・・磁気シールド層。 Ｍｌ 口 第Ｚ 図 ｙ１３ 図 第６ 図 ″ｆＪ’Ｍ２１第δ 口 第 １０ （（Ｌ） （ｂン
を示す斜視図、第２図は第、１図の一点鎖線の断面図、
第３図〜第８図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの概略を示す断面図、第９図（ａ）は永久磁石バイア
ス方法における磁気抵抗素子内のバイアス磁界分布を示
す図、第９図（ｂ）は平均バイアス磁界と磁気抵抗素子
幅との関係を示す図、第１０図（ａ）はシャントバイア
ス方法における磁気抵抗素子内のバイアス磁界分布を示
す図、第１０図（ｂ）は平均バイアス磁界と磁気抵抗素
子幅との関係を示す図である。 １・・・基体、２・・・永久磁石膜、３・・・導体、４
・・・磁気抵抗素子、５・・・導電体薄膜、６・・・絶
縁層、７・・・導体、８．９・・・絶縁層、１０．１１
・・・磁気シールド層。 Ｍｌ 口 第Ｚ 図 ｙ１３ 図 第６ 図 ″ｆＪ’Ｍ２１第δ 口 第 １０ （（Ｌ） （ｂン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体上に直接あるいは絶縁層を介して設けられたバ
イアス磁界印加用の永久磁石膜と、該永久磁石膜上に絶
縁層を介して設けられた強磁性体薄膜からなる磁気抵抗
素子と、該磁気抵抗素子の両端部に素子中に電流を流す
るために設けられた一対の導体とから成る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、上記永久磁石膜の両端部に該永
久磁石膜中に電流を流するため一対の導体を設け、さら
に上記磁気抵抗素子の上記永久磁石膜に面する側面に接
するように導電体薄膜を設けたことを特徴とする磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。 ２、上記磁気抵抗素子と接するように設けた上記導電体
薄膜を上記磁気抵抗素子の上記永久磁石膜側の面と反対
側の側面に接するように設けたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 ３、上記導電体薄膜を上記磁気抵抗素子の両側面に接す
るように設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 ４、基板上に直接あるいは絶縁層を介して設けられた上
記磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子上に絶縁層を介して
設けられた上記永久磁石膜と、上記磁気抵抗素子の両端
部に素子中に電流を流すために設けられた一対の導体と
から成る磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記永久
磁石膜の両端部に該永久磁石膜中に電流を流すため一対
の導体を設け、さらに上記磁気抵抗素子の上記永久磁石
膜に面する側面に接するように導電体薄膜を設けたこと
を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 ５、上記導電体薄膜を上記磁気抵抗素子の上記永久磁石
膜側の面と反対側の側面に接するように設けたことを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の磁気抵抗効果型磁
気ヘッド。 ６、上記導電体薄膜を上記磁気抵抗素子の両側面に接す
るように設けたことを特徴とする特許請求の範囲第４項
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 ７、上記磁気抵抗素子の上記永久磁石膜側と反対の側お
よび該永久磁石膜の該磁気抵抗素子側と反対の側に絶縁
層を介して該磁気抵抗素子と該永久磁石膜とを挾むよう
に強磁性体薄膜からなる一対の磁気シールド層を配置し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第６項の
いずれかの項記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19154584A JPS6171407A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19154584A JPS6171407A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6171407A true JPS6171407A (ja) | 1986-04-12 |
Family
ID=16276454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19154584A Pending JPS6171407A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6171407A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323216A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-30 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US5402292A (en) * | 1991-09-27 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP19154584A patent/JPS6171407A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323216A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-30 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US5402292A (en) * | 1991-09-27 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films |
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