JPH03248310A

JPH03248310A - ヨーク型薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH03248310A
Application number: JP4668190A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Okamoto; 哲也岡本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1990-02-26
Filing date: 1990-02-26
Publication date: 1991-11-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、磁気記録媒体に記録された信号を検出するた
めの磁気ヘッドに関し、さらに詳しくは、強磁性薄膜の
磁気抵抗を応用した磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子
と称する）を備えたヨーク型薄膜磁気ヘッドに関する。

〈従来の技術〉ＭＲ素子を備えたヨーク型薄膜磁気ヘッドは、第２図（
ａ）、　（ｂ）の要部斜視図および平面図に示すように
、下部ヨーク２７と上部ヨーク２１との間にヘッドギャ
ップ３０が形成されており、また下部ヨーク２７上には
、上部ヨーク２１に対向して上部ヨーク２５が設けられ
ている。この二つの上部ヨーク２１．２５間の下方にＭ
Ｒ素子２２が配設されており、磁気記録媒体９から生じ
た磁気信号はへラドギャップ３０から上部ヨーク２１．
２５によってＭＲ素子２２に導かれる。ＭＲ素子２２の
長手方向（Ａ方向）おける両端部には、強磁性膜２３．
２３を介してシグナルリード２４．２４がそれぞれ接続
されている。また、ＭＲ素子２２の下方には、この素子
に図中Ｂ方向に所望のバイアス磁界を印加するバイアス
リード２６が設けられている。

ＭＲ素子２２の両端部の強磁性膜２３は、ＭＲ素子２２
を構成している膜よりも保持力が充分に大きいハード膜
で、この二つの強磁性′Ｍ２３によってＭＲ素子２２の
Ａ方向に沿う磁界を印加することにより、ＭＲ素子２２
の出力に発生するバルクハウゼンノイズの発生を抑制し
ている。

〈発明が解決しようとする課題〉ところで、ＭＲ素子は、一般に、磁化容易軸の向きは素
子の全ての領域において同一方向に揃っていない。これ
は、ＭＲ素子に用いる強磁性膜の成膜時に、磁化容易軸
の角度分散を生じること、また、成膜後の加工プロセス
中における熱および応力による逆磁歪効果等により成膜
時に比して角度分散が増加する傾向にあること等による
。このため、ＭＲ素子を単磁区化し、磁壁移動によって
発生するバルクハウゼンノイズを抑制しようとしても、
磁化のスイッチングによりそのノイズが誘発される。

そこで、従来では、上述したように、ＭＲ素子２２の両
端部に強磁性膜２３を設けてＭＲ素子の磁化容易軸の向
きを同一方向に揃えようとしているが、この従来法によ
ると、ＭＲ素子の長手方向中央部に印加される磁化は、
その両端部よりも弱く、このため第２図ｂ）の矢印で示
すように、特に中央部における磁化の向きにバラツキが
生じ易い。

従って、バルクハウゼンノイズの発生はある程度は軽減
できるものの、充分満足できる程度まで抑制することは
できなかった。

〈課題を解決するための手段〉本発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、その
特徴とするところは、実施例に対応する第１図に示すよ
うに、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）２の裏面側に複数
枚の強磁性膜１３・・・１３を、この素子２の磁化容易
軸を形成すべき方向（Ａ方向）に沿って配列したことに
ある。

〈作用〉ＭＲ素子２には複数枚の強磁性膜１３・・・１３によっ
て、Ａ方向に沿って弱磁界が印加されるわけであるが、
その各強磁性膜１３・・・１３の配列位置や枚数等の諸
条件を適宜に選定することにより、ＭＲ素子２のＡ方向
における磁界を均一にすることが可能となる。これによ
って、ＭＲ素子２の全域において磁化の向きに大きな角
度分散が生じることがなく、磁化容易軸の向きを一定方
向に揃えることができる。

〈実施例〉第１図は本発明実施例の構造図、（ａ）は要部斜視図、
（ｂ）は要部平面図である。

高透磁率磁性体からなる下部ヨーク７上には、所定のギ
ャップ１０を持って上部ヨーク１が設けられている。こ
の上部ヨーク１の前端部は、下部ヨーク７の前端面７ａ
まで臨み、また、その後部側は上方へと折り曲げられ下
部ヨーク７と所定の間隔を隔てて対向している。

下部ヨーク７上には、上部ヨーク１と対象形状で、かつ
、所定の間隙を挟んで対向するもう一つ上部ヨーク６が
設けられており、この二つの上部ヨーク１および７間の
下方にＭＲ素子２が設置されている。

ＭＲ素子２のＡ方向両端部には、それぞれ強磁性膜３を
挟んで、シグナルリード４，４が接続されている。ＭＲ
素子２の下面には、複数枚の強磁性膜１３・・・１３が
その素子２の長手方向、つまりＡ方向に沿って配列され
ており、これらの強磁性膜１３・・・１３によってＭＲ
素子２にはＡ方向に沿って弱磁界が印加される。この強
磁性膜１３の材料としては、保磁力および比抵抗がとも
に大きい材料、例えばバリウムフェライト磁石等を使用
する。

なお、ＭＲ素子２の直下には、ＭＲ素子２にその幅方向
、Ｂ方向に所望のバイアス磁界を印加するバイアスリー
ド６が形成されている。また、上部および下部ヨーク１
．７の前端面にはスペーシング８が形成されており、そ
の前面に沿って磁気記録媒体９が走行される。

以上の本発明実施例の構造においては、磁気記録媒体９
から生じた磁束は、上部ヨーク１．５によってＭＲ素子
２に導かれ、その磁束変化は電気抵抗変化として検出さ
れる。すなわち、ヨーク１゜５によって捕らえられた磁
気信号は、ＭＲ素子２によって電気信号に変換された後
、シグナルリード４，４を通じて次段の信号処理回路（
図示せず）等に導かれる。

ここで、ＭＲ素子２には、強磁性膜１３・・・１３によ
ってＡ方向に弱磁界が印加されるわけであるが、そのＡ
方向における各位置の磁界の強さは、強磁性膜１３の配
列位置や枚数等の諸条件により決定される。従って、そ
れらの条件を適宜に選定してやることで、ＭＲ素子２の
磁化容易軸の向きを、全ての領域において同一方向、つ
まり第１図（ｂ）の矢印で示す方向に揃えることが可能
となる。

また、ＭＲ素子２とシグナルリード４間の強磁性膜３の
膜厚を、従来に比して薄くすることが可能となって、そ
の成膜時間の短縮化、ならびにシグナルリード４の加工
の容易化等をはかることができるという点の効果もある
。

なお、強磁性膜１３・・・１３は、ＭＲ素子２上面の強
磁性膜３を形成する際と同様の、蒸着、スパッタ、フォ
トリソグラフィ、エツチング等の一般的な技術を用いて
容易に形成できる。

〈発明の効果〉以上説明したように、本発明によれば、ＭＲ素子の下面
等に複数枚の強磁性膜を、磁気記録媒体の走行方向に沿
う一方向に配列したから、ＭＲ素子の磁化容易軸の向き
が一方向に揃い、このＭＲ素子の磁化の向きに大きな角
度分散を生じ難い。

これよって、磁化のスイッチングが起こる確率が低減し
、そのスイッチングに起因するバルクハウゼンノイズの
発生が抑制されて再生出力信号の質が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の構造図で、（ａ）および（ｂ）
はそれぞれ要部斜視図およびその平面図である。第２図は従来のヨーク型磁気薄膜ヘッドの構造図で、（
ａ）および（ｂ）はそれぞれ要部斜視図およびその平面
図である。１．５・・２・・４・・６・・９・・１３・・−１３・・・上部ヨーク・ＭＲ素子・シグナルリード・バイアスリード・磁気記録媒体・強磁性膜

Claims

【特許請求の範囲】

磁気記録媒体から発生した磁束をヨークによって磁気抵
抗効果素子に導き、その磁気信号を電気信号に変換して
出力するヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵
抗効果素子の裏面側に複数枚の強磁性膜を、この素子の
磁化容易軸を形成すべき方向に沿って配列したことを特
徴とする、ヨーク型薄膜磁気ヘッド。