JPH0646448B2 - 薄膜マルチ磁気ヘツド - Google Patents
薄膜マルチ磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0646448B2 JPH0646448B2 JP59005007A JP500784A JPH0646448B2 JP H0646448 B2 JPH0646448 B2 JP H0646448B2 JP 59005007 A JP59005007 A JP 59005007A JP 500784 A JP500784 A JP 500784A JP H0646448 B2 JPH0646448 B2 JP H0646448B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- ferrite substrate
- ferromagnetic
- magnetic
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は狭ギャップ，狭トラック，マルチトラック化に
よって高密度磁気記録を実現する磁気記録装置のための
薄膜磁気ヘッドに関するものである。
よって高密度磁気記録を実現する磁気記録装置のための
薄膜磁気ヘッドに関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、高密度磁気記録分野において、従来のパーマロイ
やセンダストなどの強磁性バルク材料を加工して作成さ
れる磁気ヘッドに代って、蒸着，スパッタ，メッキ等の
薄膜作成技術及び化学エッチング，プラズマエッチン
グ，イオンビームエッチング等の微細加工技術を駆使し
た薄膜磁気ヘッドが開発されている。薄膜磁気ヘッドの
特徴は狭トラック化とその結果としてのマルチトラック
化が容易なことである。特にデータの転送スピードが高
速になるにつれてトラック数を増やし、１トラック当た
りの転送レートを下げる必要がある。例えば長時間記録
を実現するために記録媒体と磁気ヘッドとの相対スピー
ドが下がるにつれてトラック数の増大化やマルチトラッ
ク化を図らなければならない。
やセンダストなどの強磁性バルク材料を加工して作成さ
れる磁気ヘッドに代って、蒸着，スパッタ，メッキ等の
薄膜作成技術及び化学エッチング，プラズマエッチン
グ，イオンビームエッチング等の微細加工技術を駆使し
た薄膜磁気ヘッドが開発されている。薄膜磁気ヘッドの
特徴は狭トラック化とその結果としてのマルチトラック
化が容易なことである。特にデータの転送スピードが高
速になるにつれてトラック数を増やし、１トラック当た
りの転送レートを下げる必要がある。例えば長時間記録
を実現するために記録媒体と磁気ヘッドとの相対スピー
ドが下がるにつれてトラック数の増大化やマルチトラッ
ク化を図らなければならない。
第１図は従来のマルチトラック記録ヘッドの一部を示す
斜視図である。第１図において、Mn−Zn，Ni−Znなどの
単結晶フェライト基板１上にパーマロイ，センダストな
どの第一の強磁性薄膜２が積層されている。但し基板１
にフェライト基板が使用されている場合は第１の強磁性
薄膜２が省略されることが多い。強磁性薄膜２の上には
SiO２等の第１の絶縁層３がスパッタ等で形成されてい
る。この絶縁層３上に１ターン分のA，Cu，An等から成
る引出し線を兼ねた導電コイル４がフォトリンソグラフ
ィ技術によってパターン化されている。第１図ではコイ
ルターン数が１ターンであるが、記録起磁力を増やす目
的で複数ターンにすることもケミカルエッチング又はド
ライエッチングなどのフォトリソグラフィ技術によって
容易に実現できる。導電コイル４上にはSiO2などの第２
の絶縁層５が形成され、その一部をプラズマエッチ，ケ
ミカルエッチ等を用いて除去して所望のパターン化を行
なった後、Ni−Fe等の第２の強磁性層６が電気メッキ，
電子ビーム蒸着法等を用いて形成されかつエッチングに
よって微細パターン化される。この強磁性層６は前記フ
ェライト基板１又は第１の強磁性薄膜２とで磁気コアが
構成される。この磁気コアにおける磁気ギャップは第１
の絶縁層３の膜厚によって形成され、バックギャップ部
７は第１の絶縁層３をプラズマエッチ，ケミカルエッチ
等を用いて窓あけされ、第１の強磁性薄膜２と第２の強
磁性層６又はフェライト基板１とが磁気的に短絡されて
いる。
斜視図である。第１図において、Mn−Zn，Ni−Znなどの
単結晶フェライト基板１上にパーマロイ，センダストな
どの第一の強磁性薄膜２が積層されている。但し基板１
にフェライト基板が使用されている場合は第１の強磁性
薄膜２が省略されることが多い。強磁性薄膜２の上には
SiO２等の第１の絶縁層３がスパッタ等で形成されてい
る。この絶縁層３上に１ターン分のA，Cu，An等から成
る引出し線を兼ねた導電コイル４がフォトリンソグラフ
ィ技術によってパターン化されている。第１図ではコイ
ルターン数が１ターンであるが、記録起磁力を増やす目
的で複数ターンにすることもケミカルエッチング又はド
ライエッチングなどのフォトリソグラフィ技術によって
容易に実現できる。導電コイル４上にはSiO2などの第２
の絶縁層５が形成され、その一部をプラズマエッチ，ケ
ミカルエッチ等を用いて除去して所望のパターン化を行
なった後、Ni−Fe等の第２の強磁性層６が電気メッキ，
電子ビーム蒸着法等を用いて形成されかつエッチングに
よって微細パターン化される。この強磁性層６は前記フ
ェライト基板１又は第１の強磁性薄膜２とで磁気コアが
構成される。この磁気コアにおける磁気ギャップは第１
の絶縁層３の膜厚によって形成され、バックギャップ部
７は第１の絶縁層３をプラズマエッチ，ケミカルエッチ
等を用いて窓あけされ、第１の強磁性薄膜２と第２の強
磁性層６又はフェライト基板１とが磁気的に短絡されて
いる。
以上のマルチトラック薄膜ヘッド構造において、トラッ
ク数の増大や狭ギャップ化が進む中で、特にトラブル原
因となってくるのが導電コイル４又はリード線間の絶縁
不良である。すなわち短波長記録の要請から狭ギャップ
化が進むにつれて、磁気ギャップを形成する例えばSiO
２等の第１の絶縁層３の厚さを薄くする必要がある。例
えば磁気ギャップ８のギャップ長が０．３μｍであれば
第１の絶縁層３の膜厚は０．３μｍとなる。この絶縁層
の薄膜化はピンホール発生確立が大きくなり、この結果
導電コイル４と第１の強磁性薄膜２又はフェライト基板
１との絶縁性が大きく劣化すると共に短絡原因ともな
る。この絶縁性の劣化はトラック間短絡又はトラック間
クロストーク原因となり、記録品質を著しくそこなわせ
るものである。この対策として従来ではフロントギャッ
プ８から離れた後部コイルの下部に対応する第１の絶縁
層３の膜厚を厚くする方法が られている。しかし第１
の絶縁層３に段差部が発生し、この段差はそのまま導電
コイルにも発生し、コイル断線原因となってしまう。
ク数の増大や狭ギャップ化が進む中で、特にトラブル原
因となってくるのが導電コイル４又はリード線間の絶縁
不良である。すなわち短波長記録の要請から狭ギャップ
化が進むにつれて、磁気ギャップを形成する例えばSiO
２等の第１の絶縁層３の厚さを薄くする必要がある。例
えば磁気ギャップ８のギャップ長が０．３μｍであれば
第１の絶縁層３の膜厚は０．３μｍとなる。この絶縁層
の薄膜化はピンホール発生確立が大きくなり、この結果
導電コイル４と第１の強磁性薄膜２又はフェライト基板
１との絶縁性が大きく劣化すると共に短絡原因ともな
る。この絶縁性の劣化はトラック間短絡又はトラック間
クロストーク原因となり、記録品質を著しくそこなわせ
るものである。この対策として従来ではフロントギャッ
プ８から離れた後部コイルの下部に対応する第１の絶縁
層３の膜厚を厚くする方法が られている。しかし第１
の絶縁層３に段差部が発生し、この段差はそのまま導電
コイルにも発生し、コイル断線原因となってしまう。
発明の目的 本発明は記録及び再生用のマルチトラックヘッドの導電
コイルやその引出し線又は再生出力取出し線等の導電性
薄膜と下層フェライト基板又は強磁性薄膜との高絶縁性
を確保し、トラック間又は同一トラック内のコイル引出
し線又は出力取出し線間の絶縁性を向上させるようにし
たものである。これによりトラック間クロストークを低
減し、狭ギャップ，狭トラックのマルチトラック記録及
び再生を可能とする薄膜磁気ヘッドを提供するものであ
る。
コイルやその引出し線又は再生出力取出し線等の導電性
薄膜と下層フェライト基板又は強磁性薄膜との高絶縁性
を確保し、トラック間又は同一トラック内のコイル引出
し線又は出力取出し線間の絶縁性を向上させるようにし
たものである。これによりトラック間クロストークを低
減し、狭ギャップ，狭トラックのマルチトラック記録及
び再生を可能とする薄膜磁気ヘッドを提供するものであ
る。
発明の構成 本発明は薄膜ヘッド基板として使用される高透磁率で高
周波特性及び耐摩耗性に優れた強磁性Mn−Zn単結晶から
なるフェライト基板にトラック幅方向に平行に伸びた絶
縁性物質で充填された少なくとも１本の溝状部を形成
し、この絶縁性物質の上部を平坦にしてフェライト基板
の表面と連続した主面を形成し、記録ヘッド或いは再生
ヘッドの全トラックに亘る記録コイル，再生出力線を形
成する導電性薄膜層を上記絶縁性物質上に配するもので
ある。しかしフェライト基板が磁気コア閉磁路部として
動作するヘッド構造においては、上部磁性層と磁気的に
結合するフェライト基板のフロントギャップ部及びバッ
クギャップ部以外に溝状部は形成される。従ってバック
ギャップ部を挾んで溝状部を２本形成することもでき
る。
周波特性及び耐摩耗性に優れた強磁性Mn−Zn単結晶から
なるフェライト基板にトラック幅方向に平行に伸びた絶
縁性物質で充填された少なくとも１本の溝状部を形成
し、この絶縁性物質の上部を平坦にしてフェライト基板
の表面と連続した主面を形成し、記録ヘッド或いは再生
ヘッドの全トラックに亘る記録コイル，再生出力線を形
成する導電性薄膜層を上記絶縁性物質上に配するもので
ある。しかしフェライト基板が磁気コア閉磁路部として
動作するヘッド構造においては、上部磁性層と磁気的に
結合するフェライト基板のフロントギャップ部及びバッ
クギャップ部以外に溝状部は形成される。従ってバック
ギャップ部を挾んで溝状部を２本形成することもでき
る。
実施例の説明 以下本発明の実施例について図面と共に説明する。
第２図，第３図(A)，(B)はそれぞれ１ターンマルチトラ
ックの記録ヘッドの平面図及び断面図、第４図，第５図
は磁気抵抗効果素子を使った再生ヘッドの平面図及び断
面図である。
ックの記録ヘッドの平面図及び断面図、第４図，第５図
は磁気抵抗効果素子を使った再生ヘッドの平面図及び断
面図である。
第２図に示すマルチトラック記録ヘッドにおけるＸ−Ｙ
線断面を示す第３図(A)を使って説明する。強磁性フェ
ライト基板１０、例えば電気比抵抗の低いMn−Zn単結晶
基板に、断面がほぼ矩形状の幅広な溝１１がテープ摺動
面ａから奥まったバックギャップ部ｃより後方に形成さ
れている。溝深さは加工のしやすさを考慮して３０μｍ
程度が適当である。溝中には絶縁性物質であるガラス１
２がモールドされている。このガラス１２と連続したフ
ェライト基板１０の表面は鏡面的に平坦化されている。
平坦化されたフェライト基板１０の主面上にフェライト
基板１０の磁気飽和を避ける目的でNi−Fe等の第１の強
磁性層１３が電気メッキ，電子ビーム蒸着法及びエッチ
ング等によって下部磁気コア用にパターニングされてい
る。その後、磁気ギャップ長相当の膜厚でSiO２などの
第１の絶縁層１４がスパッタ法などで積層されている。
第１の絶縁層１４以後の工程としての導電コイル１５、
第２の絶縁層１６、第２の強磁性層１７の形成法は第１
図に示した従来法と同じである。もちろん目的によって
第１の強磁性層１３を省略することもできる。第２図は
第２の強磁性層１７がエッチングによって微細パターン
化された時点での平面図である。
線断面を示す第３図(A)を使って説明する。強磁性フェ
ライト基板１０、例えば電気比抵抗の低いMn−Zn単結晶
基板に、断面がほぼ矩形状の幅広な溝１１がテープ摺動
面ａから奥まったバックギャップ部ｃより後方に形成さ
れている。溝深さは加工のしやすさを考慮して３０μｍ
程度が適当である。溝中には絶縁性物質であるガラス１
２がモールドされている。このガラス１２と連続したフ
ェライト基板１０の表面は鏡面的に平坦化されている。
平坦化されたフェライト基板１０の主面上にフェライト
基板１０の磁気飽和を避ける目的でNi−Fe等の第１の強
磁性層１３が電気メッキ，電子ビーム蒸着法及びエッチ
ング等によって下部磁気コア用にパターニングされてい
る。その後、磁気ギャップ長相当の膜厚でSiO２などの
第１の絶縁層１４がスパッタ法などで積層されている。
第１の絶縁層１４以後の工程としての導電コイル１５、
第２の絶縁層１６、第２の強磁性層１７の形成法は第１
図に示した従来法と同じである。もちろん目的によって
第１の強磁性層１３を省略することもできる。第２図は
第２の強磁性層１７がエッチングによって微細パターン
化された時点での平面図である。
第３図(B)は上部磁性層である第２の強磁性層１７′と
磁気的に結合するバックギャップ部Ｃ′をはさんで第１
の溝１１′と第２の溝１１″が形成され、それぞれにガ
ラス１２′，１２″がモールドされている。この場合、
第３図(A)と異なり第１の強磁性層は除去されている。
磁気的に結合するバックギャップ部Ｃ′をはさんで第１
の溝１１′と第２の溝１１″が形成され、それぞれにガ
ラス１２′，１２″がモールドされている。この場合、
第３図(A)と異なり第１の強磁性層は除去されている。
第３図(A)，(B)の１８，１８′は例えばSiOなどの保護
層である。
層である。
第４図，第５図は本発明による磁気抵抗効果素子を使っ
たシールド型再生専用マルチヘッドの場合である。第５
図に従って説明するとこの再生ヘッドにおいても強磁性
フェライト基板２０、例えばMn−Zn単結晶板のテープ摺
動面ｂから奥まった所に溝２１が形成され、ガラス２２
がモールドされた状態で、フェライト基板２０の上面は
平坦に鏡面研磨されている。この後蒸着，スパッタ等の
薄膜作成プロセスとエッチング等の微細加工技術によっ
てヘッド構造に組立てられる。ガラスモールド溝２１を
有するフェライト基板２０上にはAl2O3，SiO２などの第
１の絶縁層２３がスパッタ等で形成された後、磁気抵抗
素子２６への磁気バイアスとしてのAl，Au，Cu等の共通
バイアス線２４がパターニングされている。その後全面
にSiO２などの第２の絶縁層２５がスパッタ等で積層さ
れている。この第２の絶縁層２５上のテープ摺動面側す
なわちフロントギャップ部側に磁気抵抗素子であるNi−
Fe膜２６が電子ビーム蒸着等によって形成された後イオ
ンビームエッチ等で微細パターン化される。第４図，第
５図はシールド型磁気抵抗効果型ヘッド構造を示し、第
５図のNi−Fe膜などの強磁性体シールド磁極２８は磁気
抵抗効果素子２６上に第３の絶縁層２７を挾んで形成さ
れている。２９は例えばSiO等の保護層である。第４図
の平面図で見ると各トラックの磁気抵抗効果素子２６の
出力取出し線３０，３０′及び共通バイアス線２４が
（トラック数×２＋２）本形成されている。
たシールド型再生専用マルチヘッドの場合である。第５
図に従って説明するとこの再生ヘッドにおいても強磁性
フェライト基板２０、例えばMn−Zn単結晶板のテープ摺
動面ｂから奥まった所に溝２１が形成され、ガラス２２
がモールドされた状態で、フェライト基板２０の上面は
平坦に鏡面研磨されている。この後蒸着，スパッタ等の
薄膜作成プロセスとエッチング等の微細加工技術によっ
てヘッド構造に組立てられる。ガラスモールド溝２１を
有するフェライト基板２０上にはAl2O3，SiO２などの第
１の絶縁層２３がスパッタ等で形成された後、磁気抵抗
素子２６への磁気バイアスとしてのAl，Au，Cu等の共通
バイアス線２４がパターニングされている。その後全面
にSiO２などの第２の絶縁層２５がスパッタ等で積層さ
れている。この第２の絶縁層２５上のテープ摺動面側す
なわちフロントギャップ部側に磁気抵抗素子であるNi−
Fe膜２６が電子ビーム蒸着等によって形成された後イオ
ンビームエッチ等で微細パターン化される。第４図，第
５図はシールド型磁気抵抗効果型ヘッド構造を示し、第
５図のNi−Fe膜などの強磁性体シールド磁極２８は磁気
抵抗効果素子２６上に第３の絶縁層２７を挾んで形成さ
れている。２９は例えばSiO等の保護層である。第４図
の平面図で見ると各トラックの磁気抵抗効果素子２６の
出力取出し線３０，３０′及び共通バイアス線２４が
（トラック数×２＋２）本形成されている。
発明の効果 以上のように本発明は高密度磁気記録を実現するための
狭ギャップ化，狭トラック化，マルチトラック化薄膜ヘ
ッドとして次に示すような効果が得られる。
狭ギャップ化，狭トラック化，マルチトラック化薄膜ヘ
ッドとして次に示すような効果が得られる。
(1) 各トラックの記録用導電コイル，再生ヘッド用出
力取出し線等がフェライト基板を通じて生ぜしめるトラ
ック間絶縁不良に起因するトラック間短絡やクロストー
クを大幅に低減できる。
力取出し線等がフェライト基板を通じて生ぜしめるトラ
ック間絶縁不良に起因するトラック間短絡やクロストー
クを大幅に低減できる。
(2) ギャップ形成絶縁層膜の厚さを薄くして狭ギャッ
プ化が容易である。
プ化が容易である。
(3) コイル引出し線，再生出力取出し線部の下地を鏡
面的に平坦化できるので、段差部による断線発生を低減
できる。
面的に平坦化できるので、段差部による断線発生を低減
できる。
(4) そして本発明はヘッド基板として耐摩耗性，磁気
特性に優れるMn−Zn単結晶フェライトが使用される場合
に特に有効である。
特性に優れるMn−Zn単結晶フェライトが使用される場合
に特に有効である。
第１図は従来のマルチトラック記録ヘッドの一部を示す
斜視図、第２図は本発明の実施例を示す要部平面図、第
３図(A)，(B)は同各断面図、第４図は再生ヘッドに適用
した要部平面図、第５図は同断面図である。 １０……強磁性フェライト基板、１１……溝、１２……
ガラス、１３……第１の強磁性層、１４……第１の絶縁
層、１５……導電コイル、１６……第２の絶縁層、１７
……第２の強磁性層、１８……保護層。
斜視図、第２図は本発明の実施例を示す要部平面図、第
３図(A)，(B)は同各断面図、第４図は再生ヘッドに適用
した要部平面図、第５図は同断面図である。 １０……強磁性フェライト基板、１１……溝、１２……
ガラス、１３……第１の強磁性層、１４……第１の絶縁
層、１５……導電コイル、１６……第２の絶縁層、１７
……第２の強磁性層、１８……保護層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 徹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 紙中 伸征 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 実開 昭58−14220（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】強磁性フェライト基板上にトラック幅方向
に平行に伸びた絶縁性物質で充填された溝部を形成し、
上記絶縁性物質の上部を平坦にして上記強磁性フェライ
ト基板の表面と連続した主面を形成し、上記主面上の溝
部はフロントギャップ及びバックギャップ部で形成され
る磁気コア閉磁路部以外に配されており、全トラックの
記録コイル引出し線或いは再生出力取出し線を形成する
導電性薄膜層を上記絶縁性物質上に配したことを特徴と
する薄膜マルチ磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005007A JPH0646448B2 (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 薄膜マルチ磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005007A JPH0646448B2 (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 薄膜マルチ磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150217A JPS60150217A (ja) | 1985-08-07 |
| JPH0646448B2 true JPH0646448B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=11599491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59005007A Expired - Lifetime JPH0646448B2 (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 薄膜マルチ磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646448B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814220U (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-28 | ソニー株式会社 | 多チヤンネル薄膜磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP59005007A patent/JPH0646448B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60150217A (ja) | 1985-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5168409A (en) | Integrated magnetic head having a magnetic layer functioning as both a magnetic shield and a magnetic pole | |
| US5142768A (en) | Method for making magnetic head with enhanced poletip | |
| US5907459A (en) | Magnetoresistive thin film magnetic head with specific shapes of leads | |
| JP2857286B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| EP0881627A2 (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH09106512A (ja) | 倒置型磁気抵抗ヘッドの製造方法 | |
| JPH08185612A (ja) | Ｍｒヘッドおよびその製造方法 | |
| US6101067A (en) | Thin film magnetic head with a particularly shaped magnetic pole piece and spaced relative to an MR element | |
| US5239435A (en) | Laminated magnetic record/playback head with thin films of high permeability material spaced apart by very thin films of insulating magnetic material for high bit densities and data transfer rates | |
| EP0574896A2 (en) | Composite type thin film magnetic head | |
| JPH0646448B2 (ja) | 薄膜マルチ磁気ヘツド | |
| JP3475868B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP2718242B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2618380B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPH05151533A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘツド | |
| JPH07244822A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS62164203A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP2948182B2 (ja) | 録再分離複合型磁気ヘッド | |
| JPS5971124A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JP3171183B2 (ja) | 録再分離複合型磁気ヘッド | |
| JPS58146017A (ja) | 薄膜多重トラツク磁気ヘツド | |
| JPH05242433A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH06274836A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS60150222A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH06267027A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |