JPS60150217A - 薄膜マルチ磁気ヘツド - Google Patents
薄膜マルチ磁気ヘツドInfo
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- JPS60150217A JPS60150217A JP500784A JP500784A JPS60150217A JP S60150217 A JPS60150217 A JP S60150217A JP 500784 A JP500784 A JP 500784A JP 500784 A JP500784 A JP 500784A JP S60150217 A JPS60150217 A JP S60150217A
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- Japan
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- thin film
- track
- magnetic
- layer
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は狭ギャップ、狭トラツク、マルチトラック化に
よって高密度磁気記録を実現する磁気記録装置のだめの
薄膜磁気ヘッドに関するものである。
よって高密度磁気記録を実現する磁気記録装置のだめの
薄膜磁気ヘッドに関するものである。
21・・−
従来例の構成とその問題点
近年、高密度−気記録分野において、従来のパーマロイ
やセンダストなどの強磁性バルク材料を加工して作成さ
れる磁気ヘッドに代って、蒸着。
やセンダストなどの強磁性バルク材料を加工して作成さ
れる磁気ヘッドに代って、蒸着。
スパッタ、メツ、キ等の薄膜作成技術及び化学エツチン
グ、プラズマエツチング、イオンビームエツチング等の
微細加工技術を駆使した薄膜磁気ヘッドが開発されてい
る。薄膜磁気ヘッドの特徴は狭トラツク化とその結果と
してのマルチトラック化が容易なことである。特にデー
タの転送スピードが高速になるにつれてトラック数を増
やし、1トラツク当たりの転送レートを下げる必要があ
る。
グ、プラズマエツチング、イオンビームエツチング等の
微細加工技術を駆使した薄膜磁気ヘッドが開発されてい
る。薄膜磁気ヘッドの特徴は狭トラツク化とその結果と
してのマルチトラック化が容易なことである。特にデー
タの転送スピードが高速になるにつれてトラック数を増
やし、1トラツク当たりの転送レートを下げる必要があ
る。
例えば長時間記録を実現するために記呵媒体と一部ヘッ
ドとの相対スピードが下がるにつれてトラック数の増大
化やマルチトラック化を図らなければならない。
ドとの相対スピードが下がるにつれてトラック数の増大
化やマルチトラック化を図らなければならない。
第1図は従来のマルチトランク記録ヘッドの一部を示す
斜視図である。第1図において1.Mn−Zn。
斜視図である。第1図において1.Mn−Zn。
Ni−Znなどの単結晶フェライト基板1上にパーマロ
イ、センダストなどの第一の強磁性薄膜2が3べ−1 積層されている。但し基板1にフェライト基板が使用さ
れている場合は第1の強磁性薄膜2が省略されることが
多い。強磁性薄膜2の上には8102等の第1の絶縁層
3がスパッタ等で形成されている。この絶縁層3上に1
タ一ン分のA(+ 、 011 、 An等から成る引
出し線を兼ねた導電コイル4がフォトリングラフィ技術
によってパターン化されている。第1図ではコイルター
ン数が1ターンであるが、記録起磁力を増やす目的で複
数ターンにすることもケミカルエツチング又はドライエ
ツチングなどのフォトリングラフィ技術によって容易に
実現できる。導電コイル4上には8102などの第2の
絶縁層6が形成され、その一部をプラズマエッチ、ケミ
カルエッチ等を用いて除去して所望のパターン化を行な
った後、N1−F6等の第2の強磁性層6が電気メッキ
、電子ビーム蒸着法等を用いて形成されかつエツチング
によって微細パターン化される。この強磁性層6は前記
フェライト基板1又は第1の強磁性薄膜2とで磁気コア
が構成される、この磁気コアにおける磁気ギャップは第
1特開昭GO−150217(2) の絶縁層3の膜厚によって形成され、バックギャップ部
7は第1の絶縁層3をプラズマエッチ、ケミカルエッチ
等を用いて窓あけされ、第1の強磁性薄膜2と第2の強
磁性層6又はフェライト基板1とが磁気的に短絡されて
いる。
イ、センダストなどの第一の強磁性薄膜2が3べ−1 積層されている。但し基板1にフェライト基板が使用さ
れている場合は第1の強磁性薄膜2が省略されることが
多い。強磁性薄膜2の上には8102等の第1の絶縁層
3がスパッタ等で形成されている。この絶縁層3上に1
タ一ン分のA(+ 、 011 、 An等から成る引
出し線を兼ねた導電コイル4がフォトリングラフィ技術
によってパターン化されている。第1図ではコイルター
ン数が1ターンであるが、記録起磁力を増やす目的で複
数ターンにすることもケミカルエツチング又はドライエ
ツチングなどのフォトリングラフィ技術によって容易に
実現できる。導電コイル4上には8102などの第2の
絶縁層6が形成され、その一部をプラズマエッチ、ケミ
カルエッチ等を用いて除去して所望のパターン化を行な
った後、N1−F6等の第2の強磁性層6が電気メッキ
、電子ビーム蒸着法等を用いて形成されかつエツチング
によって微細パターン化される。この強磁性層6は前記
フェライト基板1又は第1の強磁性薄膜2とで磁気コア
が構成される、この磁気コアにおける磁気ギャップは第
1特開昭GO−150217(2) の絶縁層3の膜厚によって形成され、バックギャップ部
7は第1の絶縁層3をプラズマエッチ、ケミカルエッチ
等を用いて窓あけされ、第1の強磁性薄膜2と第2の強
磁性層6又はフェライト基板1とが磁気的に短絡されて
いる。
以上のマルチトラック薄膜ヘッド構造において、トラッ
ク数の増大や狭ギャップ化が進む中で、特にトラブル原
因となってくるのが導電コイル4又はリード線間の絶縁
不良である。すなわち短波長記録の要請から狭ギャップ
化が進むにつれて、磁気ギャップを形成する例えば51
02 等の第1の絶縁層3の厚さを薄くする必要がある
。例えば磁気ギャップ8のギャップ長が0.3μmであ
れば第1の絶縁層3の膜厚は0.3μmとなる。この絶
縁層の薄膜化はピンホール発生確立が大きくなり、この
結果導電コイル4と第1の強磁性薄膜2又はフェライト
基板1との絶縁性が大きく劣化すると共に短絡原因とも
なる。この絶縁性の劣化はトランク間短絡又はトラック
間クロストーク原因となシ、記録品質を著しくそこなわ
せるものである。この5ベ一 対策として従来ではフロントギャップ8から離れた後部
コイルの下部に対応する第1の絶縁層3の膜厚を厚くす
る方法か られている。しかし第1の絶縁層3に段差部
が発生し、この段差はそのまま導電コイルにも発生し、
コイル断線原因となってしまう。
ク数の増大や狭ギャップ化が進む中で、特にトラブル原
因となってくるのが導電コイル4又はリード線間の絶縁
不良である。すなわち短波長記録の要請から狭ギャップ
化が進むにつれて、磁気ギャップを形成する例えば51
02 等の第1の絶縁層3の厚さを薄くする必要がある
。例えば磁気ギャップ8のギャップ長が0.3μmであ
れば第1の絶縁層3の膜厚は0.3μmとなる。この絶
縁層の薄膜化はピンホール発生確立が大きくなり、この
結果導電コイル4と第1の強磁性薄膜2又はフェライト
基板1との絶縁性が大きく劣化すると共に短絡原因とも
なる。この絶縁性の劣化はトランク間短絡又はトラック
間クロストーク原因となシ、記録品質を著しくそこなわ
せるものである。この5ベ一 対策として従来ではフロントギャップ8から離れた後部
コイルの下部に対応する第1の絶縁層3の膜厚を厚くす
る方法か られている。しかし第1の絶縁層3に段差部
が発生し、この段差はそのまま導電コイルにも発生し、
コイル断線原因となってしまう。
発明の目的
本発明は記録及び再生用のマルチトラックヘッドあ導電
コイルやその引出し線又は再生出力取出し線等の導電性
薄膜と下層フェライト基板又は強磁性薄膜との高絶縁性
を確保し、トラック間又は同一トラック内のコイル引出
し線又は出力取出し線間の絶縁性を向上させるようにし
たものである。
コイルやその引出し線又は再生出力取出し線等の導電性
薄膜と下層フェライト基板又は強磁性薄膜との高絶縁性
を確保し、トラック間又は同一トラック内のコイル引出
し線又は出力取出し線間の絶縁性を向上させるようにし
たものである。
これに上りトラック間クロストークを低減し、狭ギャッ
プ、狭トラツクのマルチトランク記録及び再生を可能と
する薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
プ、狭トラツクのマルチトランク記録及び再生を可能と
する薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
発明の構成
6ベー
Mn −Zn単結晶からなるフェライト基板にトランク
幅方向に平行に伸びた絶縁性物質で充填された少なくと
も1本の溝状部を形成し、この絶縁性物質上上部を平坦
にしてフェライト基板の表面と連続した主面を形成し、
記録ヘッド或いは再生ヘッドの全トラックに亘る記録コ
イル、再生出力線を形成する導電性薄膜層を上記絶縁性
物質上に配するものである。しかしフェライト基板が磁
気コア閉磁路部として動作するヘッド構造においては、
上部磁性層と磁気的に結合するフェライト基板のフロン
トギャップ部及びバックギャップ部以外に溝状部は形成
される。従ってバックギャップ部を挾んで溝状部を2本
形成することもできる。
幅方向に平行に伸びた絶縁性物質で充填された少なくと
も1本の溝状部を形成し、この絶縁性物質上上部を平坦
にしてフェライト基板の表面と連続した主面を形成し、
記録ヘッド或いは再生ヘッドの全トラックに亘る記録コ
イル、再生出力線を形成する導電性薄膜層を上記絶縁性
物質上に配するものである。しかしフェライト基板が磁
気コア閉磁路部として動作するヘッド構造においては、
上部磁性層と磁気的に結合するフェライト基板のフロン
トギャップ部及びバックギャップ部以外に溝状部は形成
される。従ってバックギャップ部を挾んで溝状部を2本
形成することもできる。
実施例の説明
以下本発明の実施例について図面と共に説明する。
第2図、第3図(&) 、 (B)はそれぞれ1ターン
マルチトラツクの記録ヘッドの平面図及び断面図、第7
・\−= 第2図に示すマルチトラック記録ヘッドにおけるX−Y
線断面を示す第3図(A)を使って説明する。
マルチトラツクの記録ヘッドの平面図及び断面図、第7
・\−= 第2図に示すマルチトラック記録ヘッドにおけるX−Y
線断面を示す第3図(A)を使って説明する。
強磁性フェライト基板10、例えば電気比抵抗の低いM
n −Zn単結晶基板に、断面がほぼ矩形状の幅広な溝
11がテープ摺動面aから奥1つだパックギャップ部C
より後方に形成されている。溝深さは加工のしやすさを
考慮して3oμm程度が適当である。溝中には絶縁性物
質であるガラス12がモールドされている。このガラス
12と連続したフェライト基板10の表面は鏡面的に平
坦化されている。平坦化されたフェライト基板1oの主
面上にフェライト基板10の磁気飽和を避ける目的でN
i −Fe等の第1の強磁性層13が電気メッキ、電子
ビーム蒸着法及びエツチング等によって下部磁気コア用
にパターニングされている。その後、磁気ギャップ長相
当の膜厚で8102 などの第1の絶縁層14がスパッ
タ法などで積層されている。第1の絶縁層14以後の工
程としての導電コ特開昭GO−150217(:9) る。ももろん目的によって第1の強磁性層・13を省略
することもできる。第2図は第2の強磁性層17がエツ
チングによって微細パターン化された時点での平面図で
ある。
n −Zn単結晶基板に、断面がほぼ矩形状の幅広な溝
11がテープ摺動面aから奥1つだパックギャップ部C
より後方に形成されている。溝深さは加工のしやすさを
考慮して3oμm程度が適当である。溝中には絶縁性物
質であるガラス12がモールドされている。このガラス
12と連続したフェライト基板10の表面は鏡面的に平
坦化されている。平坦化されたフェライト基板1oの主
面上にフェライト基板10の磁気飽和を避ける目的でN
i −Fe等の第1の強磁性層13が電気メッキ、電子
ビーム蒸着法及びエツチング等によって下部磁気コア用
にパターニングされている。その後、磁気ギャップ長相
当の膜厚で8102 などの第1の絶縁層14がスパッ
タ法などで積層されている。第1の絶縁層14以後の工
程としての導電コ特開昭GO−150217(:9) る。ももろん目的によって第1の強磁性層・13を省略
することもできる。第2図は第2の強磁性層17がエツ
チングによって微細パターン化された時点での平面図で
ある。
第3回向は上部磁性層である第2の強磁性層17′と磁
気的に結合するバックギャップ部C′をはさんで第1の
溝11′と第2の溝11″ が形成され、それぞれにガ
ラス121 、12#がモールドされている。この場合
、第3図(A)と異なり第1の強磁性層は除去されてい
る。
気的に結合するバックギャップ部C′をはさんで第1の
溝11′と第2の溝11″ が形成され、それぞれにガ
ラス121 、12#がモールドされている。この場合
、第3図(A)と異なり第1の強磁性層は除去されてい
る。
第3図(A) 、 (B)の18 、18’は例えばS
iOなどの保護層である。
iOなどの保護層である。
第4図、第6図は本発明による磁気抵抗効果素子を使っ
たシールド型再生専用マルチヘッドの場合である。第6
図に従って説明するとこの再生ヘッドにおいても強磁性
フェライト基板20.例えばMn−Zn単結晶板のテー
プ摺動面すから奥まった所に溝21が形成され、ガラス
22“がモールド9′く− 薄膜作成プロセスとエツチング等の微細加工技術によっ
てヘッド構造に組立てられる。ガラスモールド溝21を
有するフェライト基板20上にはA6203.5in2
fi ト(r41 (D絶RNt 23カスバツタ等で
形成された後、磁気抵抗素子26への磁気バイアスとし
てのhe 、 Au 、Cu等の共通バイアス線24が
パターニングされている。その後全面にSiO□ など
の第2の絶縁層25がスパッタ等で積層されている。こ
の第2の絶縁層25上のテープ摺動面側すなわちフロン
トギャップ部側に磁気抵抗素子であるNi −F6膜2
6が電子ビーム蒸着等によって形成された後イオンビー
ムエッチ等で微細パターン化される。第4図、第6図は
シールド型磁気抵抗効果型ヘッド構造を示し、第5図の
Ni −Fe膜などの強磁性体シールド磁極28は磁気
抵抗効果素子26上に第3の絶縁層27を挾んで形成さ
れている。29は例えばSiO等の保護層である。第4
図の平面図で見ると各トラックの磁気抵抗効果素子26
の出力取出し線30.30’及び共通バイアス線24が
(トラック数X2−1−2)10゜ 本形成されている。
たシールド型再生専用マルチヘッドの場合である。第6
図に従って説明するとこの再生ヘッドにおいても強磁性
フェライト基板20.例えばMn−Zn単結晶板のテー
プ摺動面すから奥まった所に溝21が形成され、ガラス
22“がモールド9′く− 薄膜作成プロセスとエツチング等の微細加工技術によっ
てヘッド構造に組立てられる。ガラスモールド溝21を
有するフェライト基板20上にはA6203.5in2
fi ト(r41 (D絶RNt 23カスバツタ等で
形成された後、磁気抵抗素子26への磁気バイアスとし
てのhe 、 Au 、Cu等の共通バイアス線24が
パターニングされている。その後全面にSiO□ など
の第2の絶縁層25がスパッタ等で積層されている。こ
の第2の絶縁層25上のテープ摺動面側すなわちフロン
トギャップ部側に磁気抵抗素子であるNi −F6膜2
6が電子ビーム蒸着等によって形成された後イオンビー
ムエッチ等で微細パターン化される。第4図、第6図は
シールド型磁気抵抗効果型ヘッド構造を示し、第5図の
Ni −Fe膜などの強磁性体シールド磁極28は磁気
抵抗効果素子26上に第3の絶縁層27を挾んで形成さ
れている。29は例えばSiO等の保護層である。第4
図の平面図で見ると各トラックの磁気抵抗効果素子26
の出力取出し線30.30’及び共通バイアス線24が
(トラック数X2−1−2)10゜ 本形成されている。
発明の効果
以上のように本発明は高密度磁気記録を実現するための
狭ギャップ化、狭トラック化、マルチトラック化薄膜ヘ
ッドとして次に示すような効果が得られる。
狭ギャップ化、狭トラック化、マルチトラック化薄膜ヘ
ッドとして次に示すような効果が得られる。
(1)各トラックの記録用導電コイル、再生ヘッド用出
力取出し線等がフェライト基板を通じて生ぜしめるトラ
ック間絶縁不良に蝕因するトラック間短絡やクロストー
クを大幅に低減できる。
力取出し線等がフェライト基板を通じて生ぜしめるトラ
ック間絶縁不良に蝕因するトラック間短絡やクロストー
クを大幅に低減できる。
(2) ギャップ形成絶縁層膜の厚さを堝<シて狭ギャ
ップ化が容易である。
ップ化が容易である。
(3) コイル引出し線、再生出力取出し線部の下地を
鏡面的に平坦化できるので、段差部による断線発生を低
減できる。
鏡面的に平坦化できるので、段差部による断線発生を低
減できる。
(4)そして本発明はヘッド基板として耐摩耗性。
磁気特性に優れる。Mn −zn単結晶フェライトが使
用される場合に特に有効である。
用される場合に特に有効である。
第1図は従来のマルチトラック記録ヘッドの−11ベ一
部を示す斜視図、第2図は本発明の実施例を示す要部平
面図、第3図(A) 、 (B)は同各断面図、第4図
は再生ヘッドに適用した要部平面図、第5図は同断面図
である。 10・・・・・・強磁性フェライト基板、11・・・・
・・溝、12・・・・・・ガラス、13・・・・・・第
1の強磁性層、14・・・・・・第1の絶縁層、15・
・・・・・導電コイル、16・・・・・・第2の絶縁層
、17・・・・・・第2の強磁性層、18・・・・・・
保護層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名特開
昭GO−150217(4) 第4図 第3図
面図、第3図(A) 、 (B)は同各断面図、第4図
は再生ヘッドに適用した要部平面図、第5図は同断面図
である。 10・・・・・・強磁性フェライト基板、11・・・・
・・溝、12・・・・・・ガラス、13・・・・・・第
1の強磁性層、14・・・・・・第1の絶縁層、15・
・・・・・導電コイル、16・・・・・・第2の絶縁層
、17・・・・・・第2の強磁性層、18・・・・・・
保護層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名特開
昭GO−150217(4) 第4図 第3図
Claims (1)
- 強磁性フェライト基板上にトラック幅方向に平行に伸び
た絶縁性物質で充填された溝部を形成し、上記絶縁性声
質の上部を平坦にして上記強磁性フェライト基板の表面
と連続した主面を形成し、上記主面上の溝部はフロント
ギャップ及びパックギャップ部で形成される磁気コア開
磁路部以外に配されており、全トラックの記録コイル引
出し線或いは再生出力取出し線を形成する導電性薄膜層
を上記絶縁性物質上に配したことを特徴とする薄膜マル
チ磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59005007A JPH0646448B2 (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 薄膜マルチ磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59005007A JPH0646448B2 (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 薄膜マルチ磁気ヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60150217A true JPS60150217A (ja) | 1985-08-07 |
JPH0646448B2 JPH0646448B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=11599491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59005007A Expired - Lifetime JPH0646448B2 (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 薄膜マルチ磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0646448B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814220U (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-28 | ソニー株式会社 | 多チヤンネル薄膜磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP59005007A patent/JPH0646448B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814220U (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-28 | ソニー株式会社 | 多チヤンネル薄膜磁気ヘツド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0646448B2 (ja) | 1994-06-15 |
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