JPS60150217A - 薄膜マルチ磁気ヘツド - Google Patents
薄膜マルチ磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS60150217A JPS60150217A JP500784A JP500784A JPS60150217A JP S60150217 A JPS60150217 A JP S60150217A JP 500784 A JP500784 A JP 500784A JP 500784 A JP500784 A JP 500784A JP S60150217 A JPS60150217 A JP S60150217A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- track
- magnetic
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は狭ギャップ、狭トラツク、マルチトラック化に
よって高密度磁気記録を実現する磁気記録装置のだめの
薄膜磁気ヘッドに関するものである。
よって高密度磁気記録を実現する磁気記録装置のだめの
薄膜磁気ヘッドに関するものである。
２１・・−
従来例の構成とその問題点
近年、高密度−気記録分野において、従来のパーマロイ
やセンダストなどの強磁性バルク材料を加工して作成さ
れる磁気ヘッドに代って、蒸着。
やセンダストなどの強磁性バルク材料を加工して作成さ
れる磁気ヘッドに代って、蒸着。
スパッタ、メツ、キ等の薄膜作成技術及び化学エツチン
グ、プラズマエツチング、イオンビームエツチング等の
微細加工技術を駆使した薄膜磁気ヘッドが開発されてい
る。薄膜磁気ヘッドの特徴は狭トラツク化とその結果と
してのマルチトラック化が容易なことである。特にデー
タの転送スピードが高速になるにつれてトラック数を増
やし、１トラツク当たりの転送レートを下げる必要があ
る。
グ、プラズマエツチング、イオンビームエツチング等の
微細加工技術を駆使した薄膜磁気ヘッドが開発されてい
る。薄膜磁気ヘッドの特徴は狭トラツク化とその結果と
してのマルチトラック化が容易なことである。特にデー
タの転送スピードが高速になるにつれてトラック数を増
やし、１トラツク当たりの転送レートを下げる必要があ
る。
例えば長時間記録を実現するために記呵媒体と一部ヘッ
ドとの相対スピードが下がるにつれてトラック数の増大
化やマルチトラック化を図らなければならない。
ドとの相対スピードが下がるにつれてトラック数の増大
化やマルチトラック化を図らなければならない。
第１図は従来のマルチトランク記録ヘッドの一部を示す
斜視図である。第１図において１．Ｍｎ−Ｚｎ。
斜視図である。第１図において１．Ｍｎ−Ｚｎ。
Ｎｉ−Ｚｎなどの単結晶フェライト基板１上にパーマロ
イ、センダストなどの第一の強磁性薄膜２が３べ−１ 積層されている。但し基板１にフェライト基板が使用さ
れている場合は第１の強磁性薄膜２が省略されることが
多い。強磁性薄膜２の上には８１０２等の第１の絶縁層
３がスパッタ等で形成されている。この絶縁層３上に１
タ一ン分のＡ（＋ 、 ０１１ 、 Ａｎ等から成る引
出し線を兼ねた導電コイル４がフォトリングラフィ技術
によってパターン化されている。第１図ではコイルター
ン数が１ターンであるが、記録起磁力を増やす目的で複
数ターンにすることもケミカルエツチング又はドライエ
ツチングなどのフォトリングラフィ技術によって容易に
実現できる。導電コイル４上には８１０２などの第２の
絶縁層６が形成され、その一部をプラズマエッチ、ケミ
カルエッチ等を用いて除去して所望のパターン化を行な
った後、Ｎ１−Ｆ６等の第２の強磁性層６が電気メッキ
、電子ビーム蒸着法等を用いて形成されかつエツチング
によって微細パターン化される。この強磁性層６は前記
フェライト基板１又は第１の強磁性薄膜２とで磁気コア
が構成される、この磁気コアにおける磁気ギャップは第
１特開昭ＧＯ−１５０２１７（２） の絶縁層３の膜厚によって形成され、バックギャップ部
７は第１の絶縁層３をプラズマエッチ、ケミカルエッチ
等を用いて窓あけされ、第１の強磁性薄膜２と第２の強
磁性層６又はフェライト基板１とが磁気的に短絡されて
いる。
イ、センダストなどの第一の強磁性薄膜２が３べ−１ 積層されている。但し基板１にフェライト基板が使用さ
れている場合は第１の強磁性薄膜２が省略されることが
多い。強磁性薄膜２の上には８１０２等の第１の絶縁層
３がスパッタ等で形成されている。この絶縁層３上に１
タ一ン分のＡ（＋ 、 ０１１ 、 Ａｎ等から成る引
出し線を兼ねた導電コイル４がフォトリングラフィ技術
によってパターン化されている。第１図ではコイルター
ン数が１ターンであるが、記録起磁力を増やす目的で複
数ターンにすることもケミカルエツチング又はドライエ
ツチングなどのフォトリングラフィ技術によって容易に
実現できる。導電コイル４上には８１０２などの第２の
絶縁層６が形成され、その一部をプラズマエッチ、ケミ
カルエッチ等を用いて除去して所望のパターン化を行な
った後、Ｎ１−Ｆ６等の第２の強磁性層６が電気メッキ
、電子ビーム蒸着法等を用いて形成されかつエツチング
によって微細パターン化される。この強磁性層６は前記
フェライト基板１又は第１の強磁性薄膜２とで磁気コア
が構成される、この磁気コアにおける磁気ギャップは第
１特開昭ＧＯ−１５０２１７（２） の絶縁層３の膜厚によって形成され、バックギャップ部
７は第１の絶縁層３をプラズマエッチ、ケミカルエッチ
等を用いて窓あけされ、第１の強磁性薄膜２と第２の強
磁性層６又はフェライト基板１とが磁気的に短絡されて
いる。
以上のマルチトラック薄膜ヘッド構造において、トラッ
ク数の増大や狭ギャップ化が進む中で、特にトラブル原
因となってくるのが導電コイル４又はリード線間の絶縁
不良である。すなわち短波長記録の要請から狭ギャップ
化が進むにつれて、磁気ギャップを形成する例えば５１
０２ 等の第１の絶縁層３の厚さを薄くする必要がある
。例えば磁気ギャップ８のギャップ長が０．３μｍであ
れば第１の絶縁層３の膜厚は０．３μｍとなる。この絶
縁層の薄膜化はピンホール発生確立が大きくなり、この
結果導電コイル４と第１の強磁性薄膜２又はフェライト
基板１との絶縁性が大きく劣化すると共に短絡原因とも
なる。この絶縁性の劣化はトランク間短絡又はトラック
間クロストーク原因となシ、記録品質を著しくそこなわ
せるものである。この５ベ一 対策として従来ではフロントギャップ８から離れた後部
コイルの下部に対応する第１の絶縁層３の膜厚を厚くす
る方法か られている。しかし第１の絶縁層３に段差部
が発生し、この段差はそのまま導電コイルにも発生し、
コイル断線原因となってしまう。
ク数の増大や狭ギャップ化が進む中で、特にトラブル原
因となってくるのが導電コイル４又はリード線間の絶縁
不良である。すなわち短波長記録の要請から狭ギャップ
化が進むにつれて、磁気ギャップを形成する例えば５１
０２ 等の第１の絶縁層３の厚さを薄くする必要がある
。例えば磁気ギャップ８のギャップ長が０．３μｍであ
れば第１の絶縁層３の膜厚は０．３μｍとなる。この絶
縁層の薄膜化はピンホール発生確立が大きくなり、この
結果導電コイル４と第１の強磁性薄膜２又はフェライト
基板１との絶縁性が大きく劣化すると共に短絡原因とも
なる。この絶縁性の劣化はトランク間短絡又はトラック
間クロストーク原因となシ、記録品質を著しくそこなわ
せるものである。この５ベ一 対策として従来ではフロントギャップ８から離れた後部
コイルの下部に対応する第１の絶縁層３の膜厚を厚くす
る方法か られている。しかし第１の絶縁層３に段差部
が発生し、この段差はそのまま導電コイルにも発生し、
コイル断線原因となってしまう。
発明の目的
本発明は記録及び再生用のマルチトラックヘッドあ導電
コイルやその引出し線又は再生出力取出し線等の導電性
薄膜と下層フェライト基板又は強磁性薄膜との高絶縁性
を確保し、トラック間又は同一トラック内のコイル引出
し線又は出力取出し線間の絶縁性を向上させるようにし
たものである。
コイルやその引出し線又は再生出力取出し線等の導電性
薄膜と下層フェライト基板又は強磁性薄膜との高絶縁性
を確保し、トラック間又は同一トラック内のコイル引出
し線又は出力取出し線間の絶縁性を向上させるようにし
たものである。
これに上りトラック間クロストークを低減し、狭ギャッ
プ、狭トラツクのマルチトランク記録及び再生を可能と
する薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
プ、狭トラツクのマルチトランク記録及び再生を可能と
する薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
発明の構成
６ベー
Ｍｎ −Ｚｎ単結晶からなるフェライト基板にトランク
幅方向に平行に伸びた絶縁性物質で充填された少なくと
も１本の溝状部を形成し、この絶縁性物質上上部を平坦
にしてフェライト基板の表面と連続した主面を形成し、
記録ヘッド或いは再生ヘッドの全トラックに亘る記録コ
イル、再生出力線を形成する導電性薄膜層を上記絶縁性
物質上に配するものである。しかしフェライト基板が磁
気コア閉磁路部として動作するヘッド構造においては、
上部磁性層と磁気的に結合するフェライト基板のフロン
トギャップ部及びバックギャップ部以外に溝状部は形成
される。従ってバックギャップ部を挾んで溝状部を２本
形成することもできる。
幅方向に平行に伸びた絶縁性物質で充填された少なくと
も１本の溝状部を形成し、この絶縁性物質上上部を平坦
にしてフェライト基板の表面と連続した主面を形成し、
記録ヘッド或いは再生ヘッドの全トラックに亘る記録コ
イル、再生出力線を形成する導電性薄膜層を上記絶縁性
物質上に配するものである。しかしフェライト基板が磁
気コア閉磁路部として動作するヘッド構造においては、
上部磁性層と磁気的に結合するフェライト基板のフロン
トギャップ部及びバックギャップ部以外に溝状部は形成
される。従ってバックギャップ部を挾んで溝状部を２本
形成することもできる。
実施例の説明
以下本発明の実施例について図面と共に説明する。
第２図、第３図（＆） 、 （Ｂ）はそれぞれ１ターン
マルチトラツクの記録ヘッドの平面図及び断面図、第７
・＼−＝ 第２図に示すマルチトラック記録ヘッドにおけるＸ−Ｙ
線断面を示す第３図（Ａ）を使って説明する。
マルチトラツクの記録ヘッドの平面図及び断面図、第７
・＼−＝ 第２図に示すマルチトラック記録ヘッドにおけるＸ−Ｙ
線断面を示す第３図（Ａ）を使って説明する。
強磁性フェライト基板１０、例えば電気比抵抗の低いＭ
ｎ −Ｚｎ単結晶基板に、断面がほぼ矩形状の幅広な溝
１１がテープ摺動面ａから奥１つだパックギャップ部Ｃ
より後方に形成されている。溝深さは加工のしやすさを
考慮して３ｏμｍ程度が適当である。溝中には絶縁性物
質であるガラス１２がモールドされている。このガラス
１２と連続したフェライト基板１０の表面は鏡面的に平
坦化されている。平坦化されたフェライト基板１ｏの主
面上にフェライト基板１０の磁気飽和を避ける目的でＮ
ｉ −Ｆｅ等の第１の強磁性層１３が電気メッキ、電子
ビーム蒸着法及びエツチング等によって下部磁気コア用
にパターニングされている。その後、磁気ギャップ長相
当の膜厚で８１０２ などの第１の絶縁層１４がスパッ
タ法などで積層されている。第１の絶縁層１４以後の工
程としての導電コ特開昭ＧＯ−１５０２１７（：９） る。ももろん目的によって第１の強磁性層・１３を省略
することもできる。第２図は第２の強磁性層１７がエツ
チングによって微細パターン化された時点での平面図で
ある。
ｎ −Ｚｎ単結晶基板に、断面がほぼ矩形状の幅広な溝
１１がテープ摺動面ａから奥１つだパックギャップ部Ｃ
より後方に形成されている。溝深さは加工のしやすさを
考慮して３ｏμｍ程度が適当である。溝中には絶縁性物
質であるガラス１２がモールドされている。このガラス
１２と連続したフェライト基板１０の表面は鏡面的に平
坦化されている。平坦化されたフェライト基板１ｏの主
面上にフェライト基板１０の磁気飽和を避ける目的でＮ
ｉ −Ｆｅ等の第１の強磁性層１３が電気メッキ、電子
ビーム蒸着法及びエツチング等によって下部磁気コア用
にパターニングされている。その後、磁気ギャップ長相
当の膜厚で８１０２ などの第１の絶縁層１４がスパッ
タ法などで積層されている。第１の絶縁層１４以後の工
程としての導電コ特開昭ＧＯ−１５０２１７（：９） る。ももろん目的によって第１の強磁性層・１３を省略
することもできる。第２図は第２の強磁性層１７がエツ
チングによって微細パターン化された時点での平面図で
ある。
第３回向は上部磁性層である第２の強磁性層１７′と磁
気的に結合するバックギャップ部Ｃ′をはさんで第１の
溝１１′と第２の溝１１″ が形成され、それぞれにガ
ラス１２１ 、１２＃がモールドされている。この場合
、第３図（Ａ）と異なり第１の強磁性層は除去されてい
る。
気的に結合するバックギャップ部Ｃ′をはさんで第１の
溝１１′と第２の溝１１″ が形成され、それぞれにガ
ラス１２１ 、１２＃がモールドされている。この場合
、第３図（Ａ）と異なり第１の強磁性層は除去されてい
る。
第３図（Ａ） 、 （Ｂ）の１８ 、１８’は例えばＳ
ｉＯなどの保護層である。
ｉＯなどの保護層である。
第４図、第６図は本発明による磁気抵抗効果素子を使っ
たシールド型再生専用マルチヘッドの場合である。第６
図に従って説明するとこの再生ヘッドにおいても強磁性
フェライト基板２０．例えばＭｎ−Ｚｎ単結晶板のテー
プ摺動面すから奥まった所に溝２１が形成され、ガラス
２２“がモールド９′く− 薄膜作成プロセスとエツチング等の微細加工技術によっ
てヘッド構造に組立てられる。ガラスモールド溝２１を
有するフェライト基板２０上にはＡ６２０３．５ｉｎ２
ｆｉ ト（ｒ４１ （Ｄ絶ＲＮｔ ２３カスバツタ等で
形成された後、磁気抵抗素子２６への磁気バイアスとし
てのｈｅ 、 Ａｕ 、Ｃｕ等の共通バイアス線２４が
パターニングされている。その後全面にＳｉＯ□ など
の第２の絶縁層２５がスパッタ等で積層されている。こ
の第２の絶縁層２５上のテープ摺動面側すなわちフロン
トギャップ部側に磁気抵抗素子であるＮｉ −Ｆ６膜２
６が電子ビーム蒸着等によって形成された後イオンビー
ムエッチ等で微細パターン化される。第４図、第６図は
シールド型磁気抵抗効果型ヘッド構造を示し、第５図の
Ｎｉ −Ｆｅ膜などの強磁性体シールド磁極２８は磁気
抵抗効果素子２６上に第３の絶縁層２７を挾んで形成さ
れている。２９は例えばＳｉＯ等の保護層である。第４
図の平面図で見ると各トラックの磁気抵抗効果素子２６
の出力取出し線３０．３０’及び共通バイアス線２４が
（トラック数Ｘ２−１−２）１０゜ 本形成されている。
たシールド型再生専用マルチヘッドの場合である。第６
図に従って説明するとこの再生ヘッドにおいても強磁性
フェライト基板２０．例えばＭｎ−Ｚｎ単結晶板のテー
プ摺動面すから奥まった所に溝２１が形成され、ガラス
２２“がモールド９′く− 薄膜作成プロセスとエツチング等の微細加工技術によっ
てヘッド構造に組立てられる。ガラスモールド溝２１を
有するフェライト基板２０上にはＡ６２０３．５ｉｎ２
ｆｉ ト（ｒ４１ （Ｄ絶ＲＮｔ ２３カスバツタ等で
形成された後、磁気抵抗素子２６への磁気バイアスとし
てのｈｅ 、 Ａｕ 、Ｃｕ等の共通バイアス線２４が
パターニングされている。その後全面にＳｉＯ□ など
の第２の絶縁層２５がスパッタ等で積層されている。こ
の第２の絶縁層２５上のテープ摺動面側すなわちフロン
トギャップ部側に磁気抵抗素子であるＮｉ −Ｆ６膜２
６が電子ビーム蒸着等によって形成された後イオンビー
ムエッチ等で微細パターン化される。第４図、第６図は
シールド型磁気抵抗効果型ヘッド構造を示し、第５図の
Ｎｉ −Ｆｅ膜などの強磁性体シールド磁極２８は磁気
抵抗効果素子２６上に第３の絶縁層２７を挾んで形成さ
れている。２９は例えばＳｉＯ等の保護層である。第４
図の平面図で見ると各トラックの磁気抵抗効果素子２６
の出力取出し線３０．３０’及び共通バイアス線２４が
（トラック数Ｘ２−１−２）１０゜ 本形成されている。
発明の効果
以上のように本発明は高密度磁気記録を実現するための
狭ギャップ化、狭トラック化、マルチトラック化薄膜ヘ
ッドとして次に示すような効果が得られる。
狭ギャップ化、狭トラック化、マルチトラック化薄膜ヘ
ッドとして次に示すような効果が得られる。
（１）各トラックの記録用導電コイル、再生ヘッド用出
力取出し線等がフェライト基板を通じて生ぜしめるトラ
ック間絶縁不良に蝕因するトラック間短絡やクロストー
クを大幅に低減できる。
力取出し線等がフェライト基板を通じて生ぜしめるトラ
ック間絶縁不良に蝕因するトラック間短絡やクロストー
クを大幅に低減できる。
（２） ギャップ形成絶縁層膜の厚さを堝＜シて狭ギャ
ップ化が容易である。
ップ化が容易である。
（３） コイル引出し線、再生出力取出し線部の下地を
鏡面的に平坦化できるので、段差部による断線発生を低
減できる。
鏡面的に平坦化できるので、段差部による断線発生を低
減できる。
（４）そして本発明はヘッド基板として耐摩耗性。
磁気特性に優れる。Ｍｎ −ｚｎ単結晶フェライトが使
用される場合に特に有効である。
用される場合に特に有効である。
第１図は従来のマルチトラック記録ヘッドの−１１ベ一
部を示す斜視図、第２図は本発明の実施例を示す要部平
面図、第３図（Ａ） 、 （Ｂ）は同各断面図、第４図
は再生ヘッドに適用した要部平面図、第５図は同断面図
である。 １０・・・・・・強磁性フェライト基板、１１・・・・
・・溝、１２・・・・・・ガラス、１３・・・・・・第
１の強磁性層、１４・・・・・・第１の絶縁層、１５・
・・・・・導電コイル、１６・・・・・・第２の絶縁層
、１７・・・・・・第２の強磁性層、１８・・・・・・
保護層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名特開
昭ＧＯ−１５０２１７（４） 第４図 第３図
面図、第３図（Ａ） 、 （Ｂ）は同各断面図、第４図
は再生ヘッドに適用した要部平面図、第５図は同断面図
である。 １０・・・・・・強磁性フェライト基板、１１・・・・
・・溝、１２・・・・・・ガラス、１３・・・・・・第
１の強磁性層、１４・・・・・・第１の絶縁層、１５・
・・・・・導電コイル、１６・・・・・・第２の絶縁層
、１７・・・・・・第２の強磁性層、１８・・・・・・
保護層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名特開
昭ＧＯ−１５０２１７（４） 第４図 第３図
Claims (1)
- 強磁性フェライト基板上にトラック幅方向に平行に伸び
た絶縁性物質で充填された溝部を形成し、上記絶縁性声
質の上部を平坦にして上記強磁性フェライト基板の表面
と連続した主面を形成し、上記主面上の溝部はフロント
ギャップ及びパックギャップ部で形成される磁気コア開
磁路部以外に配されており、全トラックの記録コイル引
出し線或いは再生出力取出し線を形成する導電性薄膜層
を上記絶縁性物質上に配したことを特徴とする薄膜マル
チ磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005007A JPH0646448B2 (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 薄膜マルチ磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005007A JPH0646448B2 (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 薄膜マルチ磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150217A true JPS60150217A (ja) | 1985-08-07 |
| JPH0646448B2 JPH0646448B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=11599491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59005007A Expired - Lifetime JPH0646448B2 (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 薄膜マルチ磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646448B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814220U (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-28 | ソニー株式会社 | 多チヤンネル薄膜磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP59005007A patent/JPH0646448B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814220U (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-28 | ソニー株式会社 | 多チヤンネル薄膜磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0646448B2 (ja) | 1994-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5168409A (en) | Integrated magnetic head having a magnetic layer functioning as both a magnetic shield and a magnetic pole | |
| US5809637A (en) | Method of making a magnetic head assembly with write pole/shield structure | |
| US5142768A (en) | Method for making magnetic head with enhanced poletip | |
| US5907459A (en) | Magnetoresistive thin film magnetic head with specific shapes of leads | |
| US5745980A (en) | Method of fabricating magnetic recording thin film head having pinched-gap | |
| JPH0644333B2 (ja) | 磁気記録再生ヘツドおよびその製造方法 | |
| US5394285A (en) | Multi-track longitudinal, metal-in-gap head | |
| US5241439A (en) | Combined read/write thin film magnetic head with two pairs of flux guides | |
| US5423116A (en) | Method of manufacturing a multi-track longitudinal, metal-in-gap head | |
| JPS61120318A (ja) | 一体化薄膜磁気ヘツド | |
| US4625250A (en) | Multi-track magnetic head | |
| US4369477A (en) | Magnetic head and method of manufacturing the same | |
| JP2598018B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS60150217A (ja) | 薄膜マルチ磁気ヘツド | |
| EP0585930A2 (en) | Thin film magnetic head | |
| JPS62164203A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS60103512A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0817019A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH05334627A (ja) | ダブルアジマス薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06274836A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS6363117A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0721515A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH08321013A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH06301931A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS63231715A (ja) | 薄膜磁気ヘツド |