JP2007141288A - 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】再生ヘッドを備えた垂直磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドにおいて、トラック消去の発生と、バイアス磁界印加層の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動とを抑制する。
【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子５と、磁気抵抗効果素子５を挟むように配置された第１および第２の再生シールド層３，９と、磁気抵抗効果素子５に対してバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加層とを備えている。第１および第２の再生シールド層３，９は、媒体対向面３０に配置された第１の端面３ａ，９ａと、第１の端面３ａ，９ａとは反対側の第２の端面３ｂ，９ｂと、第１の端面３ａ，９ａに近づくに従って連続的に幅が減少する第１の幅変化部分３Ａ，９Ａと、第２の端面３ｂ，９ｂに近づくに従って連続的に幅が減少する第２の幅変化部分３Ｂ，９Ｂとを有している。
【選択図】図４

Description

本発明は、再生ヘッドを備えた垂直磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッド、ならびにこの薄膜磁気ヘッドを含むヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置に関する。

近年、磁気ディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。

また、磁気ディスク装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。

ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（Anisotropic Magnetoresistive）効果を用いたＡＭＲ素子や、巨大磁気抵抗（Giant Magnetoresistive）効果を用いたＧＭＲ素子や、トンネル磁気抵抗（Tunnel-type Magnetoresistive）効果を用いたＴＭＲ素子等がある。

再生ヘッドの特性としては、高感度および高出力であることが要求される。この要求を満たす再生ヘッドとして、既に、スピンバルブ型ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドが量産されている。

一般的なスピンバルブ型ＧＭＲ素子は、互いに反対側を向く２つの面を有する非磁性導電層と、この非磁性導電層の一方の面に隣接するように配置されたフリー層と、非磁性導電層の他方の面に隣接するように配置された固定層と、この固定層における非磁性導電層とは反対側の面に隣接するように配置された反強磁性層とを有している。フリー層は信号磁界に応じて磁化の方向が変化する層である。固定層は、磁化の方向が固定された強磁性層である。反強磁性層は、固定層との交換結合により、固定層の磁化の方向を固定する層である。

また、再生ヘッドは、ＧＭＲ素子のトラック幅方向の両側に配置された一対のバイアス磁界印加層を備えている。このバイアス磁界印加層は、フリー層にバイアス磁界を印加するものである。バイアス磁界は、フリー層に記録媒体からの信号磁界が印加されない状態において、フリー層の磁化をトラック幅方向に向ける。一方、固定層の磁化の方向は、ヘッドの媒体対向面に垂直な方向に固定される。従って、フリー層に記録媒体からの信号磁界が印加されない状態では、固定層の磁化の方向とフリー層の磁化の方向とがなす角度は９０°に保たれる。この再生ヘッドに、記録媒体から、媒体対向面に垂直な方向の信号磁界が印加されると、フリー層の磁化の方向が変化し、その結果、固定層の磁化の方向とフリー層の磁化の方向とがなす角度が変化する。この角度によってＧＭＲ素子の電気抵抗が変化する。従って、このＧＭＲ素子の電気抵抗の変化を検出することにより、記録媒体に記録された情報を再生することができる。

再生ヘッドは、更に、ＧＭＲ素子を挟むように配置された一対の再生シールド層を備えている。再生シールド層は、ＧＭＲ素子が、対向していないビットからの磁界の影響を受けないようにするためのものである。

一方、垂直磁気記録用の記録ヘッドとしては、単磁極ヘッドとシールド型ヘッドとが知られている。単磁極ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層（主磁極）と、媒体対向面に配置された端面を有し、媒体対向面から離れた位置において磁極層に連結された補助磁極と、非磁性材料よりなり、磁極層と補助磁極との間に設けられたギャップ層とを備えている。媒体対向面において、補助磁極の端面は、磁極層の端面に対して、記録媒体の進行方向の後側に配置されている。補助磁極は、磁極層の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能を有する。

シールド型ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、媒体対向面に配置された端面を有し、媒体対向面から離れた位置において磁極層に連結された記録シールド層と、非磁性材料よりなり、磁極層と記録シールド層との間に設けられたギャップ層とを備えている。媒体対向面において、記録シールド層の端面は、磁極層の端面に対して、ギャップ層の厚みによる所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置されている。シールド型ヘッドにおいて、記録シールド層は、磁極層より発生された磁束を吸い込むことにより、磁界勾配を急峻にすることができる。そのため、シールド型ヘッドによれば、線記録密度のより一層の向上が可能になる。なお、磁界勾配とは、磁極層から発生された磁界のうち記録媒体の面に垂直な方向の成分の、記録媒体の進行方向における単位長さ当たりの変化量を言う。また、記録シールド層は、磁極層の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能も有する。

ところで、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドでは、再生シールド層や記録シールド層に起因して、記録または再生の対象となっているトラック以外のトラックに記録された信号が減衰する現象（以下、トラック消去という。）が生じる場合があった。このトラック消去が生じる原因は、再生シールド層や記録シールド層において、媒体対向面に配置された端面とトラック幅方向の両側部とによって形成される２つの角部の近傍で、媒体対向面に対して垂直な方向の磁界成分が局所的に大きくなるためと考えられる。薄膜磁気ヘッドの信頼性確保のためには、トラック消去の発生を抑制する必要がある。

特許文献１には、トラック消去の発生を抑制するために、再生シールド層や記録シールド層が、媒体対向面に配置された端面に近づくに従って連続的に幅が小さくなる幅変化部分を含むようにした技術が記載されている。

特開２００４−３９１４８号公報

薄膜磁気ヘッドでは、バイアス磁界印加層の磁化がトラック幅方向に向くようにバイアス磁界印加層を着磁する必要がある。この着磁は、薄膜磁気ヘッドに対して、トラック幅方向の磁界を印加することによって行われる。また、この着磁は、例えば薄膜磁気ヘッドの製造時や出荷時に行われる。

ところで、バイアス磁界印加層の着磁は、薄膜磁気ヘッドの製造時と出荷時のように、複数回行われる場合もある。ここで、前述のような幅変化部分を含む再生シールド層や記録シールド層を備えた薄膜磁気ヘッドでは、バイアス磁界印加層の着磁を行う毎に、再生ヘッドの出力が変動する現象が発生する場合があることが分かった。この現象は、再生シールド層や記録シールド層の平面形状が長方形の場合には発生していなかった。薄膜磁気ヘッドの信頼性確保のためには、バイアス磁界印加層の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動を抑制する必要がある。

また、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドでは、トラック幅方向の広い範囲にわたって、記録または再生の対象となっているトラックに隣接する１以上のトラックに記録された信号が減衰する現象（以下、広範囲隣接トラック消去という。）が顕著に生じる場合があった。広範囲隣接トラック消去は、記録シールド層の磁気的な状態の不安定性に起因していると考えられる。すなわち、媒体対向面において、記録シールド層の端面は、磁極層の端面に対して、ギャップ層の厚みによる所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置されている。記録シールド層の端面の幅は、磁極層の端面の幅よりも大きい。そのため、記録シールド層の磁気的な状態が不安定であると、記録シールド層の端面を通過する磁束が変動し、その結果、広範囲隣接トラック消去が生じると考えられる。高記録密度化と薄膜磁気ヘッドの信頼性確保のためには、この広範囲隣接トラック消去の発生を抑制する必要もある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、再生ヘッドを備えた垂直磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドであって、トラック消去の発生と、バイアス磁界印加層の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動とを抑制できるようにした薄膜磁気ヘッド、ならびに、この薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置を提供することにある。

本発明の第２の目的は、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えた垂直磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドであって、トラック消去の発生、バイアス磁界印加層の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動、および広範囲隣接トラック消去の発生を抑制できるようにした薄膜磁気ヘッド、ならびに、この薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置を提供することにある。

本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
互いに反対側を向き且つ媒体対向面と交差するように配置された第１および第２の面を有し、媒体対向面の近傍に配置され、垂直磁気記録方式によって記録媒体に記録された情報を再生する磁気抵抗効果素子と、
磁気抵抗効果素子の第１の面に対向するように配置された第１の再生シールド層と、
磁気抵抗効果素子の第２の面に対向するように配置された第２の再生シールド層と、
磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加層とを備えている。

本発明の第１の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１および第２の再生シールド層はそれぞれ、媒体対向面に配置された第１の端面と、第１の端面とは反対側の第２の端面と、第１の端面に近づくに従って連続的に幅が減少する第１の幅変化部分と、第２の端面に近づくに従って連続的に幅が減少する第２の幅変化部分とを有している。第１および第２の再生シールド層の平面形状はそれぞれ、上記平面形状に外接する外接長方形における４つの角部を切り欠いて形成される形状である。上記平面形状を形成するために外接長方形から切り離された４つの切片のうち、第１の端面に近い２つの切片を第１の切片とし、第２の端面に近い２つの切片を第２の切片とし、媒体対向面に平行な仮想の中心線を中心として、上記平面形状および外接長方形を折り返したときに、第１の切片および第２の切片のうち互いに重ならない部分の面積を、第１の切片と第２の切片の面積の和で除した値は、０〜０．２の範囲内である。

本発明の第１の薄膜磁気ヘッドでは、第１および第２の再生シールド層がそれぞれ、第１の幅変化部分と第２の幅変化部分とを有し、且つ上記の平面形状を有することにより、トラック消去の発生とバイアス磁界印加層の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動とが抑制される。

なお、本出願において、平面形状とは、対象となる層における下地とは反対側の面を上面としたとき、その上面の上方から対象を見たときの対象の形状を言う。また、「外接長方形」における「長方形」は、広義の長方形であり、正方形を含む。

本発明の第１の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１および第２の再生シールド層の平面形状はそれぞれ、仮想の中心線によって分けられた２つの部分が中心線を中心として線対称の関係となる形状であってもよい。

また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の幅変化部分は、第１の端面の幅方向の各端部に接続された第１および第２の斜面を有し、第２の幅変化部分は、第２の端面の幅方向の各端部に接続された第３および第４の斜面を有していてもよい。この場合、第１および第２の再生シールド層はそれぞれ、更に、第１の斜面と第３の斜面とを接続する第１の側面と、第２の斜面と第４の斜面とを接続する第２の側面とを有していてもよい。第１および第２の側面は平面であってもよいし、幅方向外側に突出する曲面であってもよい。

また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の端面を含む第１の仮想の平面と第１の斜面とのなす角度、第１の仮想の平面と第２の斜面とのなす角度、第２の端面を含む第２の仮想の平面と第３の斜面とのなす角度、および第２の仮想の平面と第４の斜面とのなす角度は、いずれも２°〜３０°の範囲内であってもよい。

また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の再生シールド層の平面形状と第２の再生シールド層の平面形状は等しくてもよい。

本実施の形態の第２の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
互いに反対側を向き且つ媒体対向面と交差するように配置された第１および第２の面を有し、媒体対向面の近傍に配置され、垂直磁気記録方式によって記録媒体に記録された情報を再生する磁気抵抗効果素子と、
磁気抵抗効果素子の第１の面に対向するように配置された第１の再生シールド層と、
磁気抵抗効果素子の第２の面に対向するように配置された第２の再生シールド層と、
磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加層と、
記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
媒体対向面に配置された第１の端面を有し、媒体対向面から離れた位置において磁極層に連結された記録シールド層と、
媒体対向面に配置された端面を有し、磁極層と記録シールド層との間に設けられたギャップ層とを備えている。

本実施の形態の第２の薄膜磁気ヘッドでは、媒体対向面において、記録シールド層の第１の端面は、磁極層の端面に対して、ギャップ層の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置されている。また、記録シールド層の第１の端面の幅は、磁極層の端面の幅よりも大きい。また、第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層はそれぞれ、媒体対向面に配置された第１の端面と、第１の端面とは反対側の第２の端面と、第１の端面に近づくに従って連続的に幅が減少する第１の幅変化部分と、第２の端面に近づくに従って連続的に幅が減少する第２の幅変化部分とを有している。第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層の平面形状はそれぞれ、上記平面形状に外接する外接長方形における４つの角部を切り欠いて形成される形状である。上記平面形状を形成するために外接長方形から切り離された４つの切片のうち、第１の端面に近い２つの切片を第１の切片とし、第２の端面に近い２つの切片を第２の切片とし、媒体対向面に平行な仮想の中心線を中心として、上記平面形状および外接長方形を折り返したときに、第１の切片および第２の切片のうち互いに重ならない部分の面積を、第１の切片と第２の切片の面積の和で除した値は、０〜０．２の範囲内である。

本発明の第２の薄膜磁気ヘッドでは、第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層がそれぞれ、第１の幅変化部分と第２の幅変化部分とを有し、且つ上記の平面形状を有することにより、トラック消去の発生、バイアス磁界印加層の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動、および広範囲隣接トラック消去の発生が抑制される。

本発明の第２の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層の平面形状はそれぞれ、仮想の中心線によって分けられた２つの部分が中心線を中心として線対称の関係となる形状であってもよい。

また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の幅変化部分は、第１の端面の幅方向の各端部に接続された第１および第２の斜面を有し、第２の幅変化部分は、第２の端面の幅方向の各端部に接続された第３および第４の斜面を有していてもよい。この場合、第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層はそれぞれ、更に、第１の斜面と第３の斜面とを接続する第１の側面と、第２の斜面と第４の斜面とを接続する第２の側面とを有していてもよい。第１および第２の側面は平面であってもよいし、幅方向外側に突出する曲面であってもよい。

また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の端面を含む第１の仮想の平面と第１の斜面とのなす角度、第１の仮想の平面と第２の斜面とのなす角度、第２の端面を含む第２の仮想の平面と第３の斜面とのなす角度、および第２の仮想の平面と第４の斜面とのなす角度は、いずれも２°〜３０°の範囲内であってもよい。

また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の再生シールド層の平面形状と第２の再生シールド層の平面形状と記録シールドの平面形状は等しくてもよい。

本発明のヘッドジンバルアセンブリは、本発明の第１または第２の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを弾性的に支持するサスペンションとを備えたものである。

本発明のヘッドアームアセンブリは、本発明の第１または第２の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを弾性的に支持するサスペンションと、スライダを記録媒体のトラック横断方向に移動させるためのアームとを備え、サスペンションがアームに取り付けられているものである。

本発明の磁気ディスク装置は、本発明の第１または第２の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを支持すると共に記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えたものである。

本発明の第１の薄膜磁気ヘッド、あるいは第１の薄膜磁気ヘッドを含むヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリまたは磁気ディスク装置によれば、第１および第２の再生シールド層がそれぞれ、第１の幅変化部分と第２の幅変化部分とを有し、且つ前述の平面形状を有することにより、トラック消去の発生とバイアス磁界印加層の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動とを抑制することが可能になるという効果を奏する。

また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッド、あるいは第２の薄膜磁気ヘッドを含むヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリまたは磁気ディスク装置によれば、第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層がそれぞれ、第１の幅変化部分と第２の幅変化部分とを有し、且つ前述の平面形状を有することにより、トラック消去の発生、バイアス磁界印加層の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動、および広範囲隣接トラック消去の発生を抑制することが可能になるという効果を奏する。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
始めに、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録すると共に、垂直磁気記録方式によって記録媒体に記録された情報を再生するものである。図１は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図２は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。なお、図１は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図１において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。

図１および図２に示したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドと記す。）は、アルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる第１の再生シールド層３と、この第１の再生シールド層３の上に配置された絶縁層４と、この絶縁層４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、絶縁層４の上においてＭＲ素子５の両側に配置された一対のバイアス磁界印加層６とを備えている。

磁気ヘッドは、更に、一対のバイアス磁界印加層６の上に配置された一対の電極層７と、ＭＲ素子５、電極層７および絶縁層４を覆うように配置された絶縁層８と、この絶縁層８の上に配置された磁性材料よりなる第２の再生シールド層９とを備えている。

ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面３０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。図２には、ＭＲ素子５が、ＣＩＰタイプのＧＭＲ素子である例を示している。ＭＲ素子５がＴＭＲ素子またはＣＰＰタイプのＧＭＲ素子である場合には、一対の電極層７がＭＲ素子５の上下の各面に接するように配置されるか、再生シールド層３，９が電極層を兼ねてＭＲ素子５の上下の各面に接するように配置される。

磁気ヘッドは、更に、第２の再生シールド層９の上に配置されたアルミナ等の非磁性材料よりなる非磁性層１０と、この非磁性層１０の上に配置された磁性材料よりなる中間磁性層１１とを備えている。第１の再生シールド層３から中間磁性層１１までの部分は、再生ヘッドを構成する。中間磁性層１１は、再生シールド層の機能と後述する記録ヘッドにおける補助磁極としての機能とを有している。

磁気ヘッドは、更に、中間磁性層１１の上に配置されたアルミナ等の非磁性材料よりなる非磁性層１２と、この非磁性層１２の上に配置された磁性材料よりなるヨーク層１３と、アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料よりなり、ヨーク層１３の周囲に配置された非磁性層１４とを備えている。ヨーク層１３の媒体対向面３０側の端部は、媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。また、ヨーク層１３および非磁性層１４の上面は平坦化されている。

磁気ヘッドは、更に、ヨーク層１３および非磁性層１４の上面の上に配置された磁性材料よりなる磁極層１５と、アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料よりなり、磁極層１５の周囲に配置された非磁性層１６とを備えている。磁極層１５の下面は、ヨーク層１３の上面に接している。また、磁極層１５および非磁性層１６の上面は平坦化されている。

磁気ヘッドは、更に、磁極層１５および非磁性層１６の上に配置されたギャップ層１７と、アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料よりなり、ギャップ層１７の上において、後述するコイル１９を配置すべき領域に配置された非磁性層１８と、非磁性層１８の上に配置されたコイル１９と、このコイル１９を覆うように形成された絶縁層２０とを備えている。コイル１９は、平面渦巻き形状をなしている。ギャップ層１７には、コイル１９の中心部に対応する位置に開口部が形成されている。絶縁層２０は媒体対向面３０に露出していない。なお、ギャップ層１７は、非磁性導電層であってもよい。

磁気ヘッドは、更に、磁性材料よりなり、磁極層１５、ギャップ層１７および絶縁層２０の上に配置された記録シールド層２１を備えている。記録シールド層２１は、ギャップ層１７に形成された開口部を通して磁極層１５に連結されている。また、記録シールド層２１の媒体対向面３０側の端部は、媒体対向面３０に配置されている。非磁性層１２から記録シールド層２１までの部分は、記録ヘッドを構成する。

磁気ヘッドは、更に、記録シールド層２１を覆うように形成されたアルミナ等の絶縁材料よりなる保護層２２を備えている。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面３０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。この磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。

図３は、媒体対向面のうちの再生ヘッドに対応する部分を示している。図３に示したように、再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、このＭＲ素子５をシールドするための第１の再生シールド層３および第２の再生シールド層９とを備えている。ＭＲ素子５は、媒体対向面３０の近傍に配置され、垂直磁気記録方式によって記録媒体に記録された情報を再生する。ＭＲ素子５は、互いに反対側を向き且つ媒体対向面３０と交差するように配置された第１の面（下面）５ａおよび第２の面（上面）５ｂを有している。第１の再生シールド層３は、絶縁層４を介してＭＲ素子５の第１の面５ａに対向するように配置されている。第２の再生シールド層９は、絶縁層８を介してＭＲ素子５の第２の面５ｂに対向するように配置されている。

ＭＲ素子５は、例えば、互いに反対側を向く２つの面を有する非磁性導電層と、この非磁性導電層の一方の面に隣接するように配置されたフリー層と、非磁性導電層の他方の面に隣接するように配置された固定層と、この固定層における非磁性導電層とは反対側の面に隣接するように配置された反強磁性層とを有している。

再生ヘッドは、更に、ＭＲ素子５のトラック幅方向の両側に配置された一対のバイアス磁界印加層６と、ＭＲ素子５に対して磁気的信号検出用の電流を流すための一対の電極層７とを備えている。バイアス磁界印加層６は、硬磁性層（ハードマグネット）や、強磁性層と反強磁性層との積層体等を用いて構成される。電極層７は、例えば、Ｔａ層とＡｕ層との積層体、Ｔｉｗ層とＴａ層の積層体、あるいはＴｉＮ層とＴａ層の積層体等によって構成される。バイアス磁界印加層６は、バイアス磁界印加層６の磁化がトラック幅方向に向くように着磁され、ＭＲ素子５に対してトラック幅方向のバイアス磁界を印加する。

再生ヘッドにおいて、ＭＲ素子５のフリー層に外部磁界が印加されない状態では、フリー層の磁化は、バイアス磁界印加層６からのバイアス磁界によって、トラック幅方向に向けられている。一方、固定層の磁化の方向は、媒体対向面３０に垂直な方向に固定されている。従って、フリー層に記録媒体からの信号磁界が印加されない状態では、固定層の磁化の方向とフリー層の磁化の方向とがなす角度は９０°に保たれる。この再生ヘッドに、記録媒体から、媒体対向面３０に垂直な方向の信号磁界が印加されると、フリー層の磁化の方向が変化し、その結果、固定層の磁化の方向とフリー層の磁化の方向とがなす角度が変化する。この角度によってＭＲ素子５の電気抵抗が変化する。従って、このＭＲ素子５の電気抵抗の変化を検出することにより、記録媒体に記録された情報を再生することができる。ＭＲ素子５の電気抵抗は、ＭＲ素子５に磁気的信号検出用の電流を流したときの２つの電極層７間の電位差より求めることができる。

記録ヘッドは、磁極層１５、ギャップ層１７、コイル１９および記録シールド層２１を備えている。コイル１９は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁極層１５は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、コイル１９によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。記録シールド層２１は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１５に連結されている。ギャップ層１７は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、磁極層１５と記録シールド層２１との間に設けられている。

コイル１９の少なくとも一部は、磁極層１５および記録シールド層２１に対して絶縁された状態で、磁極層１５と記録シールド層２１との間に配置されている。磁極層１５、ヨーク層１３および記録シールド層２１は、コイル１９によって発生された磁界に対応する磁束を通過させる磁路を構成する。

媒体対向面３０において、記録シールド層２１の端面は、磁極層１５の端面に対して、ギャップ層１７の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。記録シールド層２１の端面の幅は、磁極層１５の端面の幅よりも大きい。また、記録シールド層２１の端面の面積は、磁極層１５の端面の面積よりも大きい。記録シールド層２１は、磁極層１５の端面より発生された磁束を吸い込むことにより、磁界勾配を急峻にすることができる。また、記録シールド層２１は、磁極層１５の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能も有する。また、記録シールド層２１は、磁極層１５の端面より発生される還流磁束のうちの不要な広がり成分を、記録媒体に達する前に吸い込むことにより、磁気的なシールドとして機能する。

次に、図４を参照して、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９および中間磁性層１１の形状について詳しく説明する。図４は、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９および中間磁性層１１の平面形状を示す平面図である。図４に示したように、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９および中間磁性層１１の平面形状は等しい。

層３，９，１１はそれぞれ、媒体対向面３０に配置された第１の端面３ａ，９ａ，１１ａと、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａとは反対側の第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂと、媒体対向面３０に対して垂直になるように配置された第１の側面３ｃ，９ｃ，１１ｃと、第１の側面３ｃ，９ｃ，１１ｃとは反対側の第２の側面３ｄ，９ｄ，１１ｄとを有している。第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ、第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂ、第１の側面３ｃ，９ｃ，１１ｃおよび第２の側面３ｄ，９ｄ，１１ｄは、いずれも平面である。

層３，９，１１はそれぞれ、更に、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａの一端部（図４における左側の端部）と第１の側面３ｃ，９ｃ，１１ｃの一端部（媒体対向面３０に近い端部）とを接続する第１の斜面３ｅ，９ｅ，１１ｅと、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａの他端部と第２の側面３ｄ，９ｄ，１１ｄの一端部（媒体対向面３０に近い端部）とを接続する第２の斜面３ｆ，９ｆ，１１ｆと、第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂの一端部（図４における左側の端部）と第１の側面３ｃ，９ｃ，１１ｃの他端部とを接続する第３の斜面３ｇ，９ｇ，１１ｇと、第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂの他端部と第２の側面３ｄ，９ｄ，１１ｄの他端部とを接続する第４の斜面３ｈ，９ｈ，１１ｈとを有している。

第１の端面３ａ，９ａ，１１ａと第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂは平行になっている。また、第１の側面３ｃ，９ｃ，１１ｃと第２の側面３ｄ，９ｄ，１１ｄは平行になっている。また、第１の斜面３ｅ，９ｅ，１１ｅと第４の斜面３ｈ，９ｈ，１１ｈは平行になっている。また、第２の斜面３ｆ，９ｆ，１１ｆと第３の斜面３ｇ，９ｇ，１１ｇは平行になっている。

また、層３，９，１１はそれぞれ、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａに近づくに従って連続的に幅が減少する第１の幅変化部分３Ａ，９Ａ，１１Ａと、第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂに近づくに従って連続的に幅が減少する第２の幅変化部分３Ｂ，９Ｂ，１１Ｂとを有している。

第１の幅変化部分３Ａ，９Ａ，１１Ａは、層３，９，１１のうち、第１の斜面３ｅ，９ｅ，１１ｅと第１の側面３ｃ，９ｃ，１１ｃの接続位置および第２の斜面３ｆ，９ｆ，１１ｆと第２の側面３ｄ，９ｄ，１１ｄの接続位置よりも媒体対向面３０に近い部分である。従って、第１の幅変化部分３Ａ，９Ａ，１１Ａは、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａの幅方向の各端部に接続された第１の斜面３ｅ，９ｅ，１１ｅおよび第２の斜面３ｆ，９ｆ，１１ｆを有している。

第２の幅変化部分３Ｂ，９Ｂ，１１Ｂは、層３，９，１１のうち、第３の斜面３ｇ，９ｇ，１１ｇと第１の側面３ｃ，９ｃ，１１ｃの接続位置および第４の斜面３ｈ，９ｈ，１１ｈと第２の側面３ｄ，９ｄ，１１ｄの接続位置よりも媒体対向面３０から遠い部分である。従って、第２の幅変化部分３Ｂ，９Ｂ，１１Ｂは、第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂの幅方向の各端部に接続された第３の斜面３ｇ，９ｇ，１１ｇおよび第４の斜面３ｈ，９ｈ，１１ｈを有している。

層３，９，１１の最大の幅は、例えば約９０μｍである。第１の端面３ａ，９ａ，１１ａおよび第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂの各幅は、層３，９，１１の最大の幅の約８０％であることが好ましい。

ここで、図４に示したように、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａを含む仮想の平面Ｐ１１と第１の斜面３ｅ，９ｅ，１１ｅとのなす角度を角度θ１１とする。また、仮想の平面Ｐ１１と第２の斜面３ｆ，９ｆ，１１ｆとのなす角度を角度θ１２とする。また、第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂを含む仮想の平面Ｐ１２と第３の斜面３ｇ，９ｇ，１１ｇとのなす角度を角度θ１３とする。また、仮想の平面Ｐ１２と第４の斜面３ｈ，９ｈ，１１ｈとのなす角度を角度θ１４とする。角度θ１１，θ１２，θ１３，θ１４は等しい。また、角度θ１１，θ１２，θ１３，θ１４は、２°〜３０°の範囲内であることが好ましく、４°〜２５°の範囲内であることがより好ましい。その理由については、後で詳しく説明する。

図４に示した例では、層３，９，１１の平面形状はそれぞれ、媒体対向面３０に平行な仮想の中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬによって分けられた２つの部分が中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬを中心として線対称の関係となる形状になっている。しかし、後で詳しく説明するように、中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬによって分けられた２つの部分は、線対称でなくとも、線対称に近ければよい。

次に、図５を参照して、記録シールド層２１の形状について詳しく説明する。図５は、記録シールド層２１の平面形状を示す平面図である。記録シールド層２１の平面形状は、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９および中間磁性層１１の平面形状と等しい。

記録シールド層２１は、媒体対向面３０に配置された第１の端面２１ａと、第１の端面２１ａとは反対側の第２の端面２１ｂと、媒体対向面３０に対して垂直になるように配置された第１の側面２１ｃと、第１の側面２１ｃとは反対側の第２の側面２１ｄとを有している。第１の端面２１ａ、第２の端面２１ｂ、第１の側面２１ｃおよび第２の側面２１ｄは、いずれも平面である。

記録シールド層２１は、更に、第１の端面２１ａの一端部（図５における左側の端部）と第１の側面２１ｃの一端部（媒体対向面３０に近い端部）とを接続する第１の斜面２１ｅと、第１の端面２１ａの他端部と第２の側面２１ｄの一端部（媒体対向面３０に近い端部）とを接続する第２の斜面２１ｆと、第２の端面２１ｂの一端部（図５における左側の端部）と第１の側面２１ｃの他端部とを接続する第３の斜面２１ｇと、第２の端面２１ｂの他端部と第２の側面２１ｄの他端部とを接続する第４の斜面２１ｈとを有している。

第１の端面２１ａと第２の端面２１ｂは平行になっている。また、第１の側面２１ｃと第２の側面２１ｄは平行になっている。また、第１の斜面２１ｅと第４の斜面２１ｈは平行になっている。また、第２の斜面２１ｆと第３の斜面２１ｇは平行になっている。

また、記録シールド層２１は、第１の端面２１ａに近づくに従って連続的に幅が減少する第１の幅変化部分２１Ａと、第２の端面２１ｂに近づくに従って連続的に幅が減少する第２の幅変化部分２１Ｂとを有している。

第１の幅変化部分２１Ａは、記録シールド層２１のうち、第１の斜面２１ｅと第１の側面２１ｃの接続位置および第２の斜面２１ｆと第２の側面２１ｄの接続位置よりも媒体対向面３０に近い部分である。従って、第１の幅変化部分２１Ａは、第１の端面２１ａの幅方向の各端部に接続された第１の斜面２１ｅおよび第２の斜面２１ｆを有している。

第２の幅変化部分２１Ｂは、記録シールド層２１のうち、第３の斜面２１ｇと第１の側面２１ｃの接続位置および第４の斜面２１ｈと第２の側面２１ｄの接続位置よりも媒体対向面３０から遠い部分である。従って、第２の幅変化部分２１Ｂは、第２の端面２１ｂの幅方向の各端部に接続された第３の斜面２１ｇおよび第４の斜面２１ｈを有している。

ここで、図５に示したように、第１の端面２１ａを含む仮想の平面Ｐ２１と第１の斜面２１ｅとのなす角度を角度θ２１とする。また、仮想の平面Ｐ２１と第２の斜面２１ｆとのなす角度を角度θ２２とする。また、第２の端面２１ｂを含む仮想の平面Ｐ２２と第３の斜面２１ｇとのなす角度を角度θ２３とする。また、仮想の平面Ｐ２２と第４の斜面２１ｈとのなす角度を角度θ２４とする。角度θ２１，θ２２，θ２３，θ２４は等しい。また、角度θ２１，θ２２，θ２３，θ２４は、いずれも、２°〜３０°の範囲内であることが好ましく、４°〜２５°の範囲内であることがより好ましい。その理由については、後で詳しく説明する。

図５に示した例では、記録シールド層２１の平面形状は、媒体対向面３０に平行な仮想の中心線２１ＣＬによって分けられた２つの部分が中心線２１ＣＬを中心として線対称の関係となる形状になっている。しかし、後で詳しく説明するように、中心線２１ＣＬによって分けられた２つの部分は、線対称でなくとも、線対称に近ければよい。

次に、図６および図７を参照して、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９、中間磁性層１１および記録シールド層２１の平面形状について詳しく説明する。図６および図７は、これらの層３，９，１１，２１の平面形状を説明するための説明図である。

図６に示したように、層３，９，１１，２１の平面形状はそれぞれ、平面形状に外接する外接長方形における４つの角部を切り欠いて形成される形状である。ここで、上記平面形状を形成するために外接長方形から切り離された４つの切片のうち、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ，２１ａに近い２つの切片を第１の切片Ｃ１１，Ｃ１２とし、第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂ，２１ｂに近い２つの切片を第２の切片Ｃ２１，Ｃ２２とする。

また、図７に示したように、仮想の中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬ，２１ＣＬを中心として、層３，９，１１，２１の平面形状および上記外接長方形を折り返したときに、第１の切片Ｃ１１，Ｃ１２および第２の切片Ｃ２１，Ｃ２２のうち互いに重ならない部分Ｄの面積をＳｄとする。また、第１の切片Ｃ１１，Ｃ１２と第２の切片Ｃ２１，Ｃ２２の面積の和をＳｓとする。本実施の形態において、重ならない部分Ｄの面積Ｓｄを第１の切片Ｃ１１，Ｃ１２と第２の切片Ｃ２１，Ｃ２２の面積の和Ｓｓで除した値を、対称からのずれを表すパラメータＰとする。パラメータＰの値の取り得る範囲は０〜１である。図４および図５に示したように、層３，９，１１，２１の平面形状が、仮想の中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬ，２１ＣＬによって分けられた２つの部分が中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬ，２１ＣＬを中心として線対称の関係となる形状の場合、パラメータＰの値は０となる。パラメータＰの値が０以外のときは、上記の２つの部分は線対称ではない。しかし、パラメータＰの値が０以外であっても０に近ければ、２つの部分は線対称に近いと言える。パラメータＰの値が大きくなるに従って、２つの部分は線対称の関係から遠ざかる。本実施の形態では、パラメータＰの値が０〜０．２の範囲内となるようする。その理由については後で詳しく説明する。

次に、図５を参照して、磁極層１５の形状について詳しく説明する。図５に示したように、磁極層１５は、一端部が媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１５Ａと、このトラック幅規定部１５Ａの他端部に連結され、トラック幅規定部１５Ａよりも大きな幅を有する幅広部１５Ｂとを有している。トラック幅規定部１５Ａの上面の幅は、ほぼ一定になっている。媒体対向面３０におけるトラック幅規定部１５Ａの上面の幅は、トラック幅を規定する。幅広部１５Ｂの幅は、例えば、トラック幅規定部１５Ａとの境界の位置ではトラック幅規定部１５Ａの幅と等しく、媒体対向面３０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。

図２に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１５（トラック幅規定部１５Ａ）の端面は、基板１から遠い第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１とは反対側の第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有する台形形状をなしている。第１の辺Ａ１は、トラック幅を規定する。磁極層１５の端面の幅は、第２の辺Ａ２に近づくに従って、すなわち基板１に近づくに従って小さくなっている。これにより、スキューに起因して、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象を抑制することができる。なお、スキューとは、円盤状の記録媒体における円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きのことである。なお、磁極層１５の端面の形状は、長方形または正方形であってもよい。また、磁極層１５の端面の形状は、第２の辺Ａ２がない三角形であってもよい。

なお、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、以下のような種々の変更が可能である。まず、ヨーク層１３は設けられていなくてもよいし、磁極層１５の上側に設けられていてもよいし、磁極層１５の上下にそれぞれ設けられていてもよい。また、平面渦巻き状のコイル１９の代わりに、磁極層１５を中心にして螺旋状に配置されたコイルを設けてもよい。あるいは、磁極層１５の上下にそれぞれ、平面渦巻き状のコイルを設けてもよい。また、記録シールド層２１は、２つ以上の層によって形成されていてもよい。

本実施の形態に係る磁気ヘッドを含む磁気ディスク装置における記録媒体は、例えば、基板と、この基板上に順に積層された水平磁化層および垂直磁化層を備えている。垂直磁化層は、情報を記録する層である。水平磁化層は、磁束を通過させる磁路を形成する層である。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの効果について説明する。まず、本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９、中間磁性層１１および記録シールド層２１はそれぞれ、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ，２１ａに近づくに従って連続的に幅が減少する第１の幅変化部分３Ａ，９Ａ，１１Ａ，２１Ａを有している。これにより、本実施の形態によれば、トラック消去の発生を抑制することができる。

また、本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９、中間磁性層１１および記録シールド層２１はそれぞれ、更に、第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂ，２１ｂに近づくに従って連続的に幅が減少する第２の幅変化部分３Ｂ，９Ｂ，１１Ｂ，２１Ｂを有している。また、本実施の形態では、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９、中間磁性層１１および記録シールド層２１の平面形状はそれぞれ、前述のパラメータＰの値が０〜０．２の範囲内となるような形状である。言い換えると、これらの層３，９，１１，２１の平面形状は、媒体対向面３０に平行な仮想の中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬ，２１ＣＬによって分けられた２つの部分が中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬ，２１ＣＬを中心として線対称の関係か線対称に近い関係となる形状である。これらのことから、本実施の形態によれば、バイアス磁界印加層６の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動を抑制することができる。

また、本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、記録シールド層２１が第１の幅変化部分２１Ａと第２の幅変化部分２１Ｂとを有し、記録シールド層２１の平面形状が、上述のように、中心線２１ＣＬによって分けられた２つの部分が中心線２１ＣＬを中心として線対称の関係か線対称に近い関係となる形状になっている。これにより、本実施の形態によれば、広範囲隣接トラック消去の発生を抑制することができる。

本実施の形態において、上記の各効果が得られる理由については、第２の実施の形態の説明の後で、実験の結果を参照しながら詳しく説明する。

また、本実施の形態において、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９、中間磁性層１１および記録シールド層２１の平面形状は等しい。これにより、これらの層３，９，１１，２１を同一形状のマスクを用いてパターニングすることが可能となり、その結果、磁気ヘッドの製造効率を向上させることが可能になる。

以下、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置について説明する。まず、図８を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ２１０について説明する。磁気ディスク装置において、スライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体である磁気ディスクに対向するように配置される。このスライダ２１０は、主に図１における基板１および保護層２２からなる基体２１１を備えている。基体２１１は、ほぼ六面体形状をなしている。基体２１１の六面のうちの一面は、磁気ディスクに対向するようになっている。この一面には、媒体対向面（エアベアリング面）３０が形成されている。磁気ディスクが図８におけるｚ方向に回転すると、磁気ディスクとスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、図８におけるｙ方向の下方に揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によって磁気ディスクの表面から浮上するようになっている。なお、図８におけるｘ方向は、磁気ディスクのトラック横断方向である。スライダ２１０の空気流出側の端部（図８における左下の端部）の近傍には、本実施の形態に係る磁気ヘッド１００が形成されている。

次に、図９を参照して、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、このスライダ２１０を弾性的に支持するサスペンション２２１とを備えている。サスペンション２２１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２、このロードビーム２２２の一端部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４とを有している。ベースプレート２２４は、スライダ２１０を磁気ディスク２６２のトラック横断方向ｘに移動させるためのアクチュエータのアーム２３０に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム２３０と、このアーム２３０を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ２２３において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。

ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、アクチュエータのアーム２３０に取り付けられる。１つのアーム２３０にヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。

図９は、本実施の形態に係るヘッドアームアセンブリを示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム２３０の一端部にヘッドジンバルアセンブリ２２０が取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を回動自在に支持するための軸２３４に取り付けられる軸受け部２３３が設けられている。

次に、図１０および図１１を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例と本実施の形態に係る磁気ディスク装置について説明する。図１０は磁気ディスク装置の要部を示す説明図、図１１は磁気ディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１を有している。複数のアーム２５２には、複数のヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１においてアーム２５２とは反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、磁気ディスク装置に組み込まれる。磁気ディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚の磁気ディスク２６２を有している。各磁気ディスク２６２毎に、磁気ディスク２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ２５０のコイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。

スライダ２１０を除くヘッドスタックアセンブリ２５０およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、スライダ２１０を支持すると共に磁気ディスク２６２に対して位置決めする。

本実施の形態に係る磁気ディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ２１０を磁気ディスク２６２のトラック横断方向に移動させて、スライダ２１０を磁気ディスク２６２に対して位置決めする。スライダ２１０に含まれる磁気ヘッドは、記録ヘッドによって、磁気ディスク２６２に情報を記録し、再生ヘッドによって、磁気ディスク２６２に記録されている情報を再生する。

本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置は、前述の本実施の形態に係る磁気ヘッドと同様の効果を奏する。

［第２の実施の形態］
次に、図１２および図１３を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１２は、本実施の形態における第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９および中間磁性層１１の平面形状を示す平面図である。図１２に示したように、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９および中間磁性層１１の平面形状は等しい。

図１２に示したように、本実施の形態における第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９および中間磁性層１１はそれぞれ、第１の実施の形態における第１の側面３ｃ，９ｃ，１１ｃおよび第２の側面３ｄ，９ｄ，１１ｄの代わりに、第１の側面３ｉ，９ｉ，１１ｉおよび第２の側面３ｊ，９ｊ，１１ｊを有している。第１の側面３ｉ，９ｉ，１１ｉおよび第２の側面３ｊ，９ｊ，１１ｊは、幅方向外側に突出する曲面である。この曲面は、円筒の一部となる面であってもよい。

また、本実施の形態における第１の幅変化部分３Ａ，９Ａ，１１Ａは、層３，９，１１のうち、最も幅が大きくなる位置よりも媒体対向面３０に近い部分である。また、本実施の形態における第２の幅変化部分３Ｂ，９Ｂ，１１Ｂは、層３，９，１１のうち、最も幅が大きくなる位置よりも媒体対向面３０から遠い部分である。

図１２に示した例では、層３，９，１１の平面形状はそれぞれ、媒体対向面３０に平行な仮想の中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬによって分けられた２つの部分が中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬを中心として線対称の関係となる形状になっている。しかし、中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬによって分けられた２つの部分は、線対称でなくとも、線対称に近ければよい。

図１３は、本実施の形態における記録シールド層２１の平面形状を示す平面図である。記録シールド層２１の平面形状は、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９および中間磁性層１１の平面形状と等しい。

図１３に示したように、本実施の形態における記録シールド層２１は、第１の実施の形態における第１の側面２１ｃおよび第２の側面２１ｄの代わりに、第１の側面２１ｉおよび第２の側面２１ｊを有している。第１の側面２１ｉおよび第２の側面２１ｊは、幅方向外側に突出する曲面である。この曲面は、円筒の一部となる面であってもよい。

また、本実施の形態における第１の幅変化部分２１Ａは、記録シールド層２１のうち、最も幅が大きくなる位置よりも媒体対向面３０に近い部分である。また、本実施の形態における第２の幅変化部分２１Ｂは、記録シールド層２１のうち、最も幅が大きくなる位置よりも媒体対向面３０から遠い部分である。

図１３に示した例では、記録シールド層２１の平面形状はそれぞれ、媒体対向面３０に平行な仮想の中心線２１ＣＬによって分けられた２つの部分が中心線２１ＣＬを中心として線対称の関係となる形状になっている。しかし、中心線２１ＣＬによって分けられた２つの部分は、線対称でなくとも、線対称に近ければよい。

次に、図１４および図１５を参照して、第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９、中間磁性層１１および記録シールド層２１の平面形状について詳しく説明する。図１４および図１５は、これらの層３，９，１１，２１の平面形状を説明するための説明図である。

図１４に示したように、層３，９，１１，２１の平面形状はそれぞれ、平面形状に外接する外接長方形における４つの角部を切り欠いて形成される形状である。ここで、上記平面形状を形成するために外接長方形から切り離された４つの切片のうち、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ，２１ａに近い２つの切片を第１の切片Ｃ１１，Ｃ１２とし、第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂ，２１ｂに近い２つの切片を第２の切片Ｃ２１，Ｃ２２とする。

また、図１５に示したように、媒体対向面３０に平行な仮想の中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬ，２１ＣＬを中心として、層３，９，１１，２１の平面形状および上記外接長方形を折り返したときに、第１の切片Ｃ１１，Ｃ１２および第２の切片Ｃ２１，Ｃ２２のうち互いに重ならない部分Ｄの面積をＳｄとする。また、第１の切片Ｃ１１，Ｃ１２と第２の切片Ｃ２１，Ｃ２２の面積の和をＳｓとする。第１の実施の形態と同様に、本実施の形態においても、重ならない部分Ｄの面積Ｓｄを第１の切片Ｃ１１，Ｃ１２と第２の切片Ｃ２１，Ｃ２２の面積の和Ｓｓで除した値を、対称からのずれを表すパラメータＰとする。図１２および図１３に示したように、層３，９，１１，２１の平面形状が、仮想の中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬ，２１ＣＬによって分けられた２つの部分が中心線３ＣＬ，９ＣＬ，１１ＣＬ，２１ＣＬを中心として線対称の関係となる形状の場合、パラメータＰの値は０となる。パラメータＰの値が０以外のときは、上記の２つの部分は線対称ではない。しかし、パラメータＰの値が０以外であっても０に近ければ、２つの部分は線対称に近いと言える。パラメータＰの値が大きくなるに従って、２つの部分は線対称の関係から遠ざかる。本実施の形態では、パラメータＰの値が０〜０．２の範囲内となるようする。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

次に、第１および第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの効果を確認するために行った大１ないし第５の実験の結果を参照しながら、第１および第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの効果について詳しく説明する。

［第１の実験］
第１の実験は、トラック消去に関する実験である。第１の実験では、以下で説明する第１ないし第３の種類の磁気ヘッドの試料を用いた。

第１の種類の試料は、第１の実施の形態に対応するものである。すなわち、第１の種類の試料は、図４に示した形状の第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９および中間磁性層１１と、図５に示した形状の記録シールド層２１とを有している。第１の種類の試料において、層３，９，１１，２１の最大の幅は約９０μｍであり、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ，２１ａおよび第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂ，２１ｂの各幅は約７２μｍである。

第２の種類の試料は、第２の実施の形態に対応するものである。すなわち、第２の種類の試料は、図１２に示した形状の第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９および中間磁性層１１と、図１３に示した形状の記録シールド層２１とを有している。第２の種類の試料において、層３，９，１１，２１の最大の幅は約９６μｍであり、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ，２１ａおよび第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂ，２１ｂの各幅は約７２μｍである。

第３の種類の試料は、図１６に示した形状の第１の再生シールド層３、第２の再生シールド層９、中間磁性層１１および記録シールド層２１を有している。図１６は、第３の試料における層３，９，１１，２１の平面形状を示す平面図である。図１６に示したように、第３の試料における層３，９，１１，２１は、第１の実施の形態における第２の幅変化部分３Ｂ，９Ｂ，１１Ｂ，２１Ｂ、第３の斜面３ｇ，９ｇ，１１ｇおよび第４の斜面３ｈ，９ｈ，１１ｈを有していない。また、第３の試料における層３，９，１１，２１では、第２の端面３ｂ，９ｂ，１１ｂ，２１ｂの幅方向の両側に、それぞれ第１の側面３ｃ，９ｃ，１１ｃ，２１ｃと第２の側面３ｄ，９ｄ，１１ｄ，２１ｄが直接接続されている。第３の種類の試料において、層３，９，１１，２１の最大の幅は約９０μｍであり、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ，２１ａの幅は約７２μｍである。第３の試料において、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ，２１ａを含む仮想の平面Ｐ３１と第１の斜面３ｅ，９ｅ，１１ｅ，２１ｅとのなす角度を角度θ３１とする。また、仮想の平面Ｐ３１と第２の斜面３ｆ，９ｆ，１１ｆ，２１ｆとのなす角度を角度θ３２とする。第３の試料のその他の特徴は、第１の試料と同様である。

第１の実験では、第１および第２の種類の試料における角度θ１１，θ１２，θ１３，θ１４，θ２１，θ２２，θ２３，θ２４および第３の種類の試料における角度θ３１，θ３２を、角度θと表す。角度θは、０°〜７０°の範囲内とした。なお、第１の種類の試料において角度θが０°のときの層３，９，１１，２１の平面形状と、第３の種類の試料において角度θが０°のときの層３，９，１１，２１の平面形状は、いずれも長方形である。また、第２の種類の試料において角度θが０°のとき、曲面である第１の側面とこれに続く平面との境界位置において第１の側面に接する平面と第１の側面に続く平面とのなす角度、および曲面である第２の側面とこれに続く平面との境界位置において第２の側面に接する平面と第２の側面に続く平面とのなす角度は、いずれも４５°である。

次に、図１７を参照して、第１の実験の方法について説明する。第１の実験では、図１７に示した実験装置を使用した。この実験装置は、第１の実施の形態において説明した磁気ディスク装置にコイル３００を付加した構成になっている。この実験装置において、スライダ２１０は上述の磁気ヘッドの試料を含んでいる。コイル３００は、必要なときに磁気ディスク２６２の面に対して垂直な方向の外部磁界を発生するようになっている。

第１の実験は、以下の第１ステップないし第６ステップを含んでいる。第１ステップでは、磁気ディスク２６２において、中心トラック、および中心トラックの両側におけるそれぞれ５０μｍの幅の領域内の全てのトラックに、低周波（１ＭＨｚ）の信号を記録した。

第２ステップでは、低周波の信号を記録した全トラックより低周波の信号を再生して、トラック毎に、得られた再生信号出力の平均値を求めた。この値を初期信号出力と呼ぶ。

第３ステップでは、磁気ヘッドの試料を中心トラックに配置して、磁気ディスク２６２を回転させながら、コイル３００から外部磁界を発生させた。このとき、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ，２１ａ、第１の斜面３ｅ，９ｅ，１１ｅ，２１ｅおよび第２の斜面３ｆ，９ｆ，１１ｆ，２１ｆにおいて、媒体対向面３０に対して垂直な方向の磁界成分が局所的に大きくなると、トラック消去が発生し得る。第４ステップでは、コイル３００からの外部磁界の発生を停止した。

第５ステップでは、低周波の信号を記録した全トラックより低周波の信号を再生して、トラック毎に、得られた再生信号出力の平均値を求めた。この値を残留信号出力と呼ぶ。

第６ステップでは、各試料について、トラック消去に関して不良か否かを判定した。ここでは、初期信号出力に対する残留信号出力の割合が７０％以下となったトラックが１つでもあれば不良であると判定し、初期信号出力に対する残留信号出力の割合が７０％以下となったトラックが全くなければ不良ではないと判定した。

以上の内容の実験を多数の試料について行い、条件が同じ複数の試料において不良と判定される割合を求めた。この割合を百分率で表した数値を不良率とする。第１の実験の結果を、図１８ないし図２０に示す。図１８は、第１の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。図１９は、第２の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。図２０は、第３の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。

図１８ないし図２０から分かるように、第１ないし第３の種類の試料で同様な傾向が見られる。すなわち、いずれの種類の試料においても、角度θが２°〜４０°の範囲で、トラック消去の発生を抑制する効果が得られている。この効果は、いずれの種類の試料においても、角度θが４°〜３５°の範囲内のときに顕著になる。このことから、トラック消去の発生を抑制するためには、層３，９，１１，２１が第１の幅変化部分３Ａ，９Ａ，１１Ａ，２１Ａを有することが重要であることが分かる。また、第１の実験の結果から分かるように、トラック消去の発生を抑制するためには、第１および第２の実施の形態において、角度θ１１，θ１２，θ２１，θ２２は、２°〜４０°の範囲内であることが好ましく、４°〜３５°の範囲内であることがより好ましい。

なお、第１ないし第３のいずれの種類の試料においても、角度θが４０°を超えると不良率が大きくなっている。この原因は、角度θが４０°を超えると、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ，２１ａと第１の斜面３ｅ，９ｅ，１１ｅ，２１ｅとによって形成される角部の近傍と、第１の端面３ａ，９ａ，１１ａ，２１ａと第２の斜面３ｆ，９ｆ，１１ｆ，２１ｆとによって形成される角部の近傍において、媒体対向面３０に対して垂直な方向の磁界成分が大きくなるためと考えられる。

［第２の実験］
第２の実験は、バイアス磁界印加層６の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動に関する実験である。第２の実験では、第１の実験と同様の第１ないし第３の種類の磁気ヘッドの試料を用いた。ただし、第２の実験では、角度θを１０°とした。第１ないし第３の種類の試料のその他の特徴は、第１の実験と同様である。

次に、第２の実験の方法について説明する。第２の実験は、第１の実施の形態において説明した磁気ディスク装置を使用して行った。第２の実験は、以下の第１ステップないし第１２ステップを含んでいる。第１ステップでは、バイアス磁界印加層６の着磁を行った。この着磁を初期着磁と呼ぶ。

第２ステップでは、磁気ディスク２６２における所定のトラックへ低周波（１ＭＨｚ）の信号を記録した後、この信号を再生した。そして、得られた再生信号出力の平均値を求めた。この値を初期信号出力と呼ぶ。

第３ステップでは、再度、バイアス磁界印加層６の着磁を行った。この着磁を１回目の再着磁と呼ぶ。第４ステップでは、磁気ディスク２６２における所定のトラックへ低周波の信号を記録した後、この信号を再生し、得られた再生信号出力の平均値を求めた。この値を１回目の再着磁後の信号出力と呼ぶ。

第５ステップでは、再度、バイアス磁界印加層６の着磁を行った。この着磁を２回目の再着磁と呼ぶ。第６ステップでは、磁気ディスク２６２における所定のトラックへ低周波の信号を記録した後、この信号を再生し、得られた再生信号出力の平均値を求めた。この値を２回目の再着磁後の信号出力と呼ぶ。

第７ステップでは、再度、バイアス磁界印加層６の着磁を行った。この着磁を３回目の再着磁と呼ぶ。第８ステップでは、磁気ディスク２６２における所定のトラックへ低周波の信号を記録した後、この信号を再生し、得られた再生信号出力の平均値を求めた。この値を３回目の再着磁後の信号出力と呼ぶ。

第９ステップでは、再度、バイアス磁界印加層６の着磁を行った。この着磁を４回目の再着磁と呼ぶ。第１０ステップでは、磁気ディスク２６２における所定のトラックへ低周波の信号を記録した後、この信号を再生し、得られた再生信号出力の平均値を求めた。この値を４回目の再着磁後の信号出力と呼ぶ。

第１１ステップでは、再度、バイアス磁界印加層６の着磁を行った。この着磁を５回目の再着磁と呼ぶ。第１２ステップでは、磁気ディスク２６２における所定のトラックへ低周波の信号を記録した後、この信号を再生し、得られた再生信号出力の平均値を求めた。この値を５回目の再着磁後の信号出力と呼ぶ。

第４ステップ、第６ステップ、第８ステップ、第１０ステップおよび第１２ステップでは、再着磁後の信号出力が、初期信号出力に比べて初期信号出力の２０％以上変化した場合には不良であると判定し、そうでない場合には不良ではないと判定した。

以上の内容の実験を多数の試料について行い、条件が同じ複数の試料において不良と判定される割合を求めた。この割合を百分率で表した数値を不良率とする。第２の実験の結果を、図２１ないし図２３に示す。図２１は、第３の種類の試料における再着磁毎の不良率を示す特性図である。図２２は、第１の種類の試料における再着磁毎の不良率を示す特性図である。図２３は、第２の種類の試料における再着磁毎の不良率を示す特性図である。図２１ないし図２３において、横軸の０〜５の数字は、それぞれ、初期着磁、１回目の再着磁、２回目の再着磁、３回目の再着磁、４回目の再着磁、５回目の再着磁を表している。

図２１から分かるように、第３の種類の試料では再着磁毎の不良率が大きい。これに対し、図２２および図２３から分かるように、第１の種類および第２の種類の試料では再着磁毎の不良率が非常に小さくなっている。また、図２２と図２３を比較すると、第１の種類の試料よりも第２の種類の試料の方が、再着磁毎の不良率が小さくなっていることが分かる。

ここで、第３の種類の試料では再着磁毎の不良率が大きくなり、第１の種類および第２の種類の試料では再着磁毎の不良率が小さくなる原因について考察する。図２４は、第３の種類の試料における再生シールド層３，９の磁区構造の一例を模式的に示したものである。図２４において、（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ初期着磁後、１回目の再着磁後、２回目の再着磁後、３回目の再着磁後、４回目の再着磁後、５回目の再着磁後の再生シールド層３，９の磁区構造を示している。図中の矢印は、磁化の方向を示している。なお、図２４に示したような磁区構造は、磁区観察装置によって容易に観察することができる。

図２４に示したように、第３の種類の試料では、着磁毎に再生シールド層３，９の磁区構造が変化している。これは、再生シールド層３，９の平面形状が、媒体対向面３０に平行な仮想の中心線によって分けられた２つの部分が中心線を中心として線対称の関係となる形状にはなっていないことに起因していると考えられる。図２４に示したように、着磁毎に再生シールド層３，９の磁区構造が変化すると、媒体対向面３０の近傍における再生シールド層３，９の磁化の方向が、着磁毎に変化し得る。

図２５は、再生シールド層３，９の磁区構造が図２４（ａ）に示した構造になっているときの媒体対向面３０の近傍における再生ヘッドの状態を示す説明図である。図２６は、再生シールド層３，９の磁区構造が図２４（ｂ）に示した構造になっているときの媒体対向面３０の近傍における再生ヘッドの状態を示す説明図である。図２５および図２６において、符号４１で示す矢印は再生シールド層３の磁化の方向を表し、符号４２で示す矢印は再生シールド層９の磁化の方向を表し、符号４３で示す矢印はバイアス磁界印加層６によるバイアス磁界の方向を表している。また、図２５および図２６において、符号４４で示す矢印は、再生シールド層３，９の磁化によってＭＲ素子５に印加される磁界の方向を表している。図２５に示した状態と図２６に示した状態とでは、再生シールド層３，９の磁化によってＭＲ素子５に印加される磁界の方向が互いに反対になっている。

図２５および図２６に示したように、ＭＲ素子５には、バイアス磁界と、再生シールド層３，９の磁化による磁界とが印加される。そのため、再生シールド層３，９の磁化の方向が変化することによって、再生シールド層３，９の磁化によってＭＲ素子５に印加される磁界の方向が変化すると、再生ヘッドの出力が変化する。

図２７は、第３の種類の試料における着磁毎の再生ヘッドの出力の変化の一例を示す特性図である。図２７において、横軸の０〜５の数字は、それぞれ、初期着磁、１回目の再着磁、２回目の再着磁、３回目の再着磁、４回目の再着磁、５回目の再着磁を表している。図２７において、縦軸は、規格化出力を表している。ここで、規格化出力とは、各着磁後の信号出力を初期信号出力で除した値とする。また、図２７において、符号５１で示す破線は、初期信号出力の８０％のレベルを表し、符号５２で示す破線は、初期信号出力の１２０％のレベルを表している。図２７に示した例では、１回目、３回目および５回目の再着磁後の信号出力が、初期信号出力に比べて初期信号出力の２０％以上変化している。

以上の考察から、第３の種類の試料では、着磁毎に再生シールド層３，９の磁区構造が変化しやすいことから、再着磁毎の不良率が大きくなると考えられる。

図２８は、第１の種類の試料における再生シールド層３，９の磁区構造の一例を模式的に示したものである。図２９は、第２の種類の試料における再生シールド層３，９の磁区構造の一例を模式的に示したものである。図２８および図２９において、（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ初期着磁後、１回目の再着磁後、２回目の再着磁後、３回目の再着磁後、４回目の再着磁後、５回目の再着磁後の再生シールド層３，９の磁区構造を示している。図中の矢印は、磁化の方向を示している。図２８に示した第１の種類の試料における例では、（ｂ）に示した１回目の再着磁後を除いて、着磁後の再生シールド層３，９の磁区構造は一定である。図２９に示した第２の種類の試料における例では、全ての着磁後の再生シールド層３，９の磁区構造は一定である。従って、図２８および図２９に示した例では、第１の種類の試料よりも第２の種類の試料の方が、着磁毎の再生シールド層３，９の磁区構造の変化が抑制されている。

第１の種類および第２の種類の試料では、再生シールド層３，９の平面形状が、媒体対向面３０に平行な仮想の中心線によって分けられた２つの部分が中心線を中心として線対称の関係となる形状になっている。これにより、第１の種類および第２の種類の試料では、着磁後の再生シールド層３，９の磁区構造は一定の構造になりやすいと考えられる。そのため、第１の種類および第２の種類の試料では、着磁毎の再生シールド層３，９の磁区構造の変化が抑制され、その結果、再着磁毎の不良率が小さくなると考えられる。また、第２の種類の試料では、第１の種類の試料に比べて、着磁後の再生シールド層３，９の磁区構造はより一定の構造になりやすいと考えられる。そのため、第１の種類の試料よりも第２の種類の試料の方が、再着磁毎の不良率が小さくなると考えられる。

第２の実験の結果と上記の考察から、バイアス磁界印加層６の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動を抑制するには、第１および第２の実施の形態のように、再生シールド層３，９が第１の幅変化部分３Ａ，９Ａだけでなく、第２の幅変化部分３Ｂ，９Ｂをも有することが重要であると言える。更に、第２の実験の結果から、第１の実施の形態に比べて第２の実施の形態の方が、バイアス磁界印加層６の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動を抑制する効果が大きいことが分かる。

［第３の実験］
第３の実験は、第２の実験と同様に、バイアス磁界印加層６の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動に関する実験である。第３の実験では、第１の実験と同様の第１ないし第３の種類の磁気ヘッドの試料を用いた。第３の実験では、角度θを０°〜４５°の範囲内とした。第１ないし第３の種類の試料のその他の特徴は、第１の実験と同様である。なお、第１の種類の試料において角度θが０°のときの層３，９，１１，２１の平面形状と、第３の種類の試料において角度θが０°のときの層３，９，１１，２１の平面形状は、いずれも長方形である。

第３の実験では、各試料について、第２の実験と同様の第１ステップないし第１２ステップを実行した。第３の実験では、条件が同じ複数の試料において、１回目ないし５回目の再着磁後において１回以上、不良と判定された試料の割合を求め、この割合を百分率で表した数値を不良率とした。第３の実験の結果を、図３０ないし図３２に示す。図３０は、第３の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。図３１は、第１の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。図３２は、第２の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。

図３０から分かるように、第３の種類の試料では、角度θが２°以上になると不良率が非常に大きくなる。また、図３１および図３２から分かるように、第１および第２の種類の試料では、角度θが０°〜３０°の範囲で不良率が十分小さくなり、特に角度θが０°〜２５°の範囲で不良率が非常に小さくなる。従って、バイアス磁界印加層６の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動を抑制するためには、第１および第２の種類の試料において、角度θは、０°〜３０°の範囲内であることが好ましく、０°〜２５°の範囲内であることがより好ましい。

第１の実験の結果から、トラック消去の発生を抑制するためには、第１および第２の実施の形態において、角度θ１１，θ１２，θ２１，θ２２は、２°〜４０°の範囲内であることが好ましく、４°〜３５°の範囲内であることがより好ましいことが分かった。この第１の実験の結果と第３の実験の結果を合わせて考えると、トラック消去の発生と、バイアス磁界印加層６の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動とを抑制するためには、第１および第２の実施の形態において、再生シールド層３，９における角度θ１１，θ１２，θ１３，θ１４は、２°〜３０°の範囲内であることが好ましく、４°〜２５°の範囲内であることがより好ましいと言える。中間磁性層１１は、再生シールド層の機能を有することから、トラック消去の発生と、バイアス磁界印加層６の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動とを抑制するためには、中間磁性層１１の形状は、再生シールド層３，９と同様の形状とすることが好ましい。

記録シールド層２１の形状は、バイアス磁界印加層６の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動には影響を与えない。しかし、この後で説明する第４の実験の結果から、記録シールド層２１の形状も、再生シールド層３，９と同様の形状とすることが好ましい。

［第４の実験］
第４の実験は、広範囲隣接トラック消去に関する実験である。第４の実験では、実施例の磁気ヘッドの試料と比較例の磁気ヘッドの試料とを用いた。実施例の試料は、第１の実施の形態に対応するものである。実施例の試料は、第１の実験の第１の種類の試料において、再生シールド層３，９および中間磁性層１１（図４参照）における角度θ１１，θ１２，θ１３，θ１４および記録シールド層２１（図５参照）における角度θ２１，θ２２，θ２３，θ２４を、いずれも１０°としたものである。比較例の試料は、記録シールド層２１の形状のみが実施例の試料と異なるものである。比較例の試料における記録シールド層２１の形状は、第１の実験の第３の種類の試料における記録シールド２１（図１６参照）において角度θ３１，θ３２を１０°としたものである。

第４の実験では、まず、磁気ディスク２６２において、中心トラック、および中心トラックの両側におけるそれぞれ５０μｍの幅の領域内の全てのトラックに、低周波（１ＭＨｚ）の信号を記録した。次に、低周波の信号を記録した全トラックより低周波の信号を再生して、トラック毎に、得られた再生信号出力の平均値を求めた。この値を初期信号出力と呼ぶ。次に、中心トラックに、高周波（１６０ＭＨｚ）の信号を記録した。次に、中心トラックを除く、低周波の信号を記録した全トラックより、最初に記録した低周波の信号を再生して、トラック毎に、得られた再生信号出力の平均値を求めた。この値を残留信号出力と呼ぶ。そして、初期信号出力に対する残留信号出力の割合を規格化出力とした。広範囲隣接トラック消去が発生すると、１以上のトラックにおいて規格化出力が大きく低下する。

第４の実験の結果を図３３および図３４に示す。図３３は、比較例の試料における中心トラックからの距離と規格化出力との関係を示す特性図である。図３４は、実施例の試料における中心トラックからの距離と規格化出力との関係を示す特性図である。図３３と図３４から分かるように、比較例の試料では広範囲隣接トラック消去が発生しているのに対し、実施例の試料では広範囲隣接トラック消去は発生していない。

比較例の試料において広範囲隣接トラック消去が発生するのは、記録シールド層２１の平面形状が、媒体対向面３０に平行な仮想の中心線によって分けられた２つの部分が中心線を中心として線対称の関係となる形状にはなっていないことに起因していると考えられる。すなわち、比較例における記録シールド層２１では、図２４に示した再生シールド層３，９と同様に、磁気的な状態が不安定になりやすく、その結果、第１の端面２１ａを通過する磁束が変動して、広範囲隣接トラック消去が生じると考えられる。

一方、実施例における記録シールド層２１の平面形状は、媒体対向面３０に平行な仮想の中心線によって分けられた２つの部分が中心線を中心として線対称の関係となる形状になっている。これにより、実施例における記録シールド層２１では、磁気的な状態が安定になりやすく、その結果、広範囲隣接トラック消去の発生が抑制されると考えられる。

第４の実験の結果から、トラック消去の発生とバイアス磁界印加層６の着磁に伴う再生ヘッドの出力変動の抑制に加え、広範囲隣接トラック消去の発生も抑制するためには、記録シールド層２１の形状を、再生シールド層３，９と同様の形状とすることが好ましいと言える。

［第５の実験］
第５の実験は、第１および第２の実施の形態において説明した対称からのずれを表すパラメータＰの値の好ましい範囲を求めるための実験である。第５の実験では、以下で説明する第４および第５の種類の磁気ヘッドの試料を用いた。

第４の種類の試料は、第１の実施の形態に対応するものである。第４の種類の試料は、第２の実験における第１の種類の試料を含んでいる。この第１の種類の試料を、第４の種類における基本試料と呼ぶ。この基本試料では、パラメータＰの値は０となる。第４の種類の試料は、基本試料と、これに類似した試料とを含む。基本試料に類似した試料とは、角度θ１１，θ１２，θ２１，θ２２を１０゜とし、角度θ１３，θ１４，θ２３，θ２４を１０°以外の角度とするか、あるいは、角度θ１１，θ１２，θ１３，θ１４，θ２１，θ２２，θ２３，θ２４を１０°とし、第３の斜面３ｇ，９ｇ，１１ｇ，２１ｇおよび第４の斜面３ｈ，９ｈ，１１ｈ，２１ｈの長さを、第１の斜面３ｅ，９ｅ，１１ｅ，２１ｅおよび第４の斜面３ｆ，９ｆ，１１ｆ，２１ｆの長さとは異ならせることによって、パラメータＰの値を０．０２〜０．４０の範囲内で変化させた試料である。

第５の種類の試料は、第２の実施の形態に対応するものである。第５の種類の試料は、第２の実験における第２の種類の試料を含んでいる。この第２の種類の試料を、第５の種類における基本試料と呼ぶ。この基本試料では、パラメータＰの値は０となる。第５の種類の試料は、基本試料と、これに類似した試料とを含む。基本試料に類似した試料とは、角度θ１１，θ１２，θ２１，θ２２を１０゜とし、角度θ１３，θ１４，θ２３，θ２４を１０°以外の角度とするか、あるいは、角度θ１１，θ１２，θ１３，θ１４，θ２１，θ２２，θ２３，θ２４を１０°とし、第３の斜面３ｇ，９ｇ，１１ｇ，２１ｇおよび第４の斜面３ｈ，９ｈ，１１ｈ，２１ｈの長さを、第１の斜面３ｅ，９ｅ，１１ｅ，２１ｅおよび第４の斜面３ｆ，９ｆ，１１ｆ，２１ｆの長さとは異ならせることによって、パラメータＰの値を０．０２〜０．４０の範囲内で変化させた試料である。

第５の実験では、各試料について、第２の実験と同様の第１ステップないし第１２ステップを実行した。第５の実験では、条件が同じ複数の試料において、１回目ないし５回目の再着磁後の信号出力のうち、初期信号出力に対する変化量が最も大きい信号出力が、初期信号出力に比べて初期信号出力の２０％以上変化した試料の割合を求め、この割合を百分率で表した数値を不良率とした。

第５の実験の結果を、図３５に示す。図３５は、第４および第５の種類の試料におけるパラメータＰと不良率との関係を示す特性図である。図３５において、三角形の複数の点およびこれらを接続する直線は、第４の種類の試料の特性を表している。また、図３５において、丸形状の複数の点およびこれらを接続する直線は、第５の種類の試料の特性を表している。

図３５から分かるように、第４の種類の試料と第５の種類の試料のいずれにおいても、パラメータＰの値が０〜０．２の範囲内であれば、不良率は１０％未満の小さな値になっている。しかし、第４の種類の試料と第５の種類の試料のいずれにおいても、パラメータＰの値が０．２よりも大きくなると不良率は増加する。この第５の実験の結果に基づいて、第１および第２の実施の形態では、パラメータＰの値の範囲を０〜０．２としている。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、層３，９，１１，２１の形状は、第１および第２の実施の形態に示した形状に限らない。例えば、第１および第２の実施の形態において、第１ないし第４の斜面の代わりに、それぞれ曲面を配置してもよい。この場合、第１の端面とこれに続く曲面との境界位置において曲面に接する平面と第１の端面とのなす角度、および第２の端面とこれに続く曲面との境界位置において曲面に接する平面と第２の端面とのなす角度は、それぞれ２°〜３０°の範囲内であることが好ましく、４°〜２５°の範囲内であることがより好ましい。

また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 図１に示した磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 図１に示した磁気ヘッドの媒体対向面のうちの再生ヘッドに対応する部分を示す正面図である。 図１に示した磁気ヘッドにおける第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および中間磁性層の平面形状を示す平面図である。 図１に示した磁気ヘッドにおける記録シールド層の平面形状を示す平面図である。 図１に示した磁気ヘッドにおける第１の再生シールド層、第２の再生シールド層、中間磁性層および記録シールド層の平面形状を説明するための説明図である。 図１に示した磁気ヘッドにおける第１の再生シールド層、第２の再生シールド層、中間磁性層および記録シールド層の平面形状を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ディスク装置の要部を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ディスク装置の平面図である。 本発明の第２の実施の形態における第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および中間磁性層の平面形状を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態における記録シールド層の平面形状を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態における第１の再生シールド層、第２の再生シールド層、中間磁性層および記録シールド層の平面形状を説明するための説明図である。 本発明の第２の実施の形態における第１の再生シールド層、第２の再生シールド層、中間磁性層および記録シールド層の平面形状を説明するための説明図である。 第１の実験で使用した第３の試料における第１の再生シールド層、第２の再生シールド層、中間磁性層および記録シールド層の平面形状を示す平面図である。 第１の実験で使用した実験装置の構成を示す説明図である。 第１の実験によって得られた第１の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。 第１の実験によって得られた第２の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。 第１の実験によって得られた第３の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。 第２の実験によって得られた第３の種類の試料における再着磁毎の不良率を示す特性図である。 第２の実験によって得られた第１の種類の試料における再着磁毎の不良率を示す特性図である。 第２の実験によって得られた第２の種類の試料における再着磁毎の不良率を示す特性図である。 第３の実験で使用した第３の種類の試料における第１および第２の再生シールド層の磁区構造の一例を模式的に示す説明図である。 第１および第２の再生シールド層の磁区構造が図２４（ａ）に示した構造になっているときの媒体対向面の近傍における再生ヘッドの状態を示す説明図である。 第１および第２の再生シールド層の磁区構造が図２４（ｂ）に示した構造になっているときの媒体対向面の近傍における再生ヘッドの状態を示す説明図である。 第２の実験で使用した第３の種類の試料における着磁毎の再生ヘッドの出力の変化の一例を示す特性図である。 第２の実験で使用した第１の種類の試料における第１および第２の再生シールド層の磁区構造の一例を模式的に示す説明図である。 第２の実験で使用した第２の種類の試料における第１および第２の再生シールド層の磁区構造の一例を模式的に示す説明図である。 第３の実験によって得られた第３の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。 第３の実験によって得られた第１の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。 第３の実験によって得られた第２の種類の試料における角度θと不良率との関係を示す特性図である。 第４の実験によって得られた比較例の試料における中心トラックからの距離と規格化出力との関係を示す特性図である。 第４の実験によって得られた実施例の試料における中心トラックからの距離と規格化出力との関係を示す特性図である。 第５の実験によって得られた第４および第５の種類の試料におけるパラメータＰと不良率との関係を示す特性図である。

符号の説明

３…第１の再生シールド層、５…ＭＲ素子、６…バイアス磁界印加層、９…第２の再生シールド層、１１…中間磁性層、１５…磁極層、１７…ギャップ層、１９…コイル、２１…記録シールド層、３０…媒体対向面。

Claims (17)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   互いに反対側を向き且つ前記媒体対向面と交差するように配置された第１および第２の面を有し、前記媒体対向面の近傍に配置され、垂直磁気記録方式によって前記記録媒体に記録された情報を再生する磁気抵抗効果素子と、
   前記磁気抵抗効果素子の第１の面に対向するように配置された第１の再生シールド層と、
   前記磁気抵抗効果素子の第２の面に対向するように配置された第２の再生シールド層と、
   前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加層とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
   前記第１および第２の再生シールド層はそれぞれ、前記媒体対向面に配置された第１の端面と、前記第１の端面とは反対側の第２の端面と、前記第１の端面に近づくに従って連続的に幅が減少する第１の幅変化部分と、前記第２の端面に近づくに従って連続的に幅が減少する第２の幅変化部分とを有し、
   前記第１および第２の再生シールド層の平面形状はそれぞれ、前記平面形状に外接する外接長方形における４つの角部を切り欠いて形成される形状であり、
   前記平面形状を形成するために前記外接長方形から切り離された４つの切片のうち、前記第１の端面に近い２つの切片を第１の切片とし、前記第２の端面に近い２つの切片を第２の切片とし、前記媒体対向面に平行な仮想の中心線を中心として、前記平面形状および外接長方形を折り返したときに、第１の切片および第２の切片のうち互いに重ならない部分の面積を、第１の切片と第２の切片の面積の和で除した値が、０〜０．２の範囲内であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 前記第１および第２の再生シールド層の平面形状はそれぞれ、前記仮想の中心線によって分けられた２つの部分が前記中心線を中心として線対称の関係となる形状であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 前記第１の幅変化部分は、前記第１の端面の幅方向の各端部に接続された第１および第２の斜面を有し、前記第２の幅変化部分は、前記第２の端面の幅方向の各端部に接続された第３および第４の斜面を有することを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 前記第１および第２の再生シールド層はそれぞれ、更に、前記第１の斜面と第３の斜面とを接続する第１の側面と、前記第２の斜面と第４の斜面とを接続する第２の側面とを有し、前記第１および第２の側面は平面であることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 前記第１および第２の再生シールド層はそれぞれ、更に、前記第１の斜面と第３の斜面とを接続する第１の側面と、前記第２の斜面と第４の斜面とを接続する第２の側面とを有し、前記第１および第２の側面は、幅方向外側に突出する曲面であることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 前記第１の端面を含む第１の仮想の平面と前記第１の斜面とのなす角度、前記第１の仮想の平面と前記第２の斜面とのなす角度、前記第２の端面を含む第２の仮想の平面と前記第３の斜面とのなす角度、および前記第２の仮想の平面と前記第４の斜面とのなす角度は、いずれも２°〜３０°の範囲内であることを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 前記第１の再生シールド層の平面形状と第２の再生シールド層の平面形状は等しいことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   互いに反対側を向き且つ前記媒体対向面と交差するように配置された第１および第２の面を有し、前記媒体対向面の近傍に配置され、垂直磁気記録方式によって前記記録媒体に記録された情報を再生する磁気抵抗効果素子と、
   前記磁気抵抗効果素子の第１の面に対向するように配置された第１の再生シールド層と、
   前記磁気抵抗効果素子の第２の面に対向するように配置された第２の再生シールド層と、
   前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加層と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
   前記媒体対向面に配置された第１の端面を有し、前記媒体対向面から離れた位置において前記磁極層に連結された記録シールド層と、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記磁極層と記録シールド層との間に設けられたギャップ層とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
   前記媒体対向面において、前記記録シールド層の第１の端面は、前記磁極層の前記端面に対して、前記ギャップ層の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置され、
   前記記録シールド層の第１の端面の幅は、前記磁極層の前記端面の幅よりも大きく、
   前記第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層はそれぞれ、前記媒体対向面に配置された第１の端面と、前記第１の端面とは反対側の第２の端面と、前記第１の端面に近づくに従って連続的に幅が減少する第１の幅変化部分と、前記第２の端面に近づくに従って連続的に幅が減少する第２の幅変化部分とを有し、
   前記第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層の平面形状はそれぞれ、前記平面形状に外接する外接長方形における４つの角部を切り欠いて形成される形状であり、
   前記平面形状を形成するために前記外接長方形から切り離された４つの切片のうち、前記第１の端面に近い２つの切片を第１の切片とし、前記第２の端面に近い２つの切片を第２の切片とし、前記媒体対向面に平行な仮想の中心線を中心として、前記平面形状および外接長方形を折り返したときに、第１の切片および第２の切片のうち互いに重ならない部分の面積を、第１の切片と第２の切片の面積の和で除した値が、０〜０．２の範囲内であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
9. 前記第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層の平面形状はそれぞれ、前記仮想の中心線によって分けられた２つの部分が前記中心線を中心として線対称の関係となる形状であることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
10. 前記第１の幅変化部分は、前記第１の端面の幅方向の各端部に接続された第１および第２の斜面を有し、前記第２の幅変化部分は、前記第２の端面の幅方向の各端部に接続された第３および第４の斜面を有することを特徴とする請求項８または９記載の薄膜磁気ヘッド。
11. 前記第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層はそれぞれ、更に、前記第１の斜面と第３の斜面とを接続する第１の側面と、前記第２の斜面と第４の斜面とを接続する第２の側面とを有し、前記第１および第２の側面は平面であることを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッド。
12. 前記第１の再生シールド層、第２の再生シールド層および記録シールド層はそれぞれ、更に、前記第１の斜面と第３の斜面とを接続する第１の側面と、前記第２の斜面と第４の斜面とを接続する第２の側面とを有し、前記第１および第２の側面は、幅方向外側に突出する曲面であることを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッド。
13. 前記第１の端面を含む第１の仮想の平面と前記第１の斜面とのなす角度、前記第１の仮想の平面と前記第２の斜面とのなす角度、前記第２の端面を含む第２の仮想の平面と前記第３の斜面とのなす角度、および前記第２の仮想の平面と前記第４の斜面とのなす角度は、いずれも２°〜３０°の範囲内であることを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
14. 前記第１の再生シールド層の平面形状と前記第２の再生シールド層の平面形状と前記記録シールドの平面形状は等しいことを特徴とする請求項８ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
15. 請求項１ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
    前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと
    を備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
16. 請求項１ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
    前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
    前記スライダを記録媒体のトラック横断方向に移動させるためのアームと
    を備え、前記サスペンションが前記アームに取り付けられていることを特徴とするヘッドアームアセンブリ。
17. 請求項１ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
    前記スライダを支持すると共に前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と
    を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
    

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