JP2005251254A - 薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、および薄膜磁気ヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005251254A JP2005251254A JP2004057525A JP2004057525A JP2005251254A JP 2005251254 A JP2005251254 A JP 2005251254A JP 2004057525 A JP2004057525 A JP 2004057525A JP 2004057525 A JP2004057525 A JP 2004057525A JP 2005251254 A JP2005251254 A JP 2005251254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- bias
- magnetic head
- film magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/098—Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0008—Magnetic conditionning of heads, e.g. biasing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
【課題】 CIP型のMR素子において、サイドローブの発生とリード層の直列抵抗の増加を抑える。
【解決手段】 薄膜磁気ヘッドは、MR素子2と、MR素子2にバイアス磁場を与える1対のバイアス層6と、媒体対向面から、バイアス層6の各々の少なくとも一部を覆って延び、MR素子2にセンス電流を供給する1対のリード層7とを有している。バイアス層6は、記録媒体のトラック幅方向にMR素子2の両側側方に略対称形で延び、MR素子2との接合部において、MR素子2が記録媒体と対向する媒体対向面と垂直な方向にMR素子2と略同じ長さで接合し、媒体対向面に沿った記録媒体のトラック幅方向を長辺とし、媒体対向面と垂直な方向を短辺とする仮想長方形の内側に包含され、かつ、仮想長方形のMR素子2と接する辺と対向する辺に一部が接する形状を有する。
【選択図】 図2
【解決手段】 薄膜磁気ヘッドは、MR素子2と、MR素子2にバイアス磁場を与える1対のバイアス層6と、媒体対向面から、バイアス層6の各々の少なくとも一部を覆って延び、MR素子2にセンス電流を供給する1対のリード層7とを有している。バイアス層6は、記録媒体のトラック幅方向にMR素子2の両側側方に略対称形で延び、MR素子2との接合部において、MR素子2が記録媒体と対向する媒体対向面と垂直な方向にMR素子2と略同じ長さで接合し、媒体対向面に沿った記録媒体のトラック幅方向を長辺とし、媒体対向面と垂直な方向を短辺とする仮想長方形の内側に包含され、かつ、仮想長方形のMR素子2と接する辺と対向する辺に一部が接する形状を有する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、磁気記録媒体等の磁界強度を信号として読み書きする薄膜磁気ヘッド、特にCIP構造の薄膜磁気ヘッドの構造および製造方法に関し、さらに薄膜磁気ヘッドのウエハ、薄膜磁気ヘッドを用いたヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置に関する。
ハードディスクドライブの磁気記録の高密度化は、100Gbpsiクラスの量産を目前とする段階にまで達している。このような高密度化に対応するため、再生素子としてGMR(Giant Magneto-resistive)膜を用いた磁気ヘッドが用いられている。とりわけ、スピンバルブ(SV)膜を用いたGMR素子は、記録媒体の記録を読み出すために素子に流されるセンス電流に対する抵抗変化が大きく、より高感度の磁気ヘッドを提供することができる。ここでSV膜とは、磁化の方向が一方向に固定された強磁性膜(以下、ピンド層ということもある。)と、記録媒体が発生する外部磁界に応じて磁化の方向を変える強磁性膜(以下、フリー層ということもある。)との間に非磁性中間層を挟んで構成された積層膜である。SV膜では、フリー層の磁化方向は、ピンド層の磁化方向に対して、外部磁界に応じて相対角度をなし、相対角度に応じて伝導電子のスピン依存散乱が変化して磁気抵抗変化が生じる。磁気ヘッドは、この磁気抵抗変化を検出して、記録媒体の磁気情報を読み取る。
現在、読み出し素子の主流は、膜面に平行にセンス電流を流すCIP(Current in Plane)-GMR素子である。最近では、更なる高記録密度化に対応するため、膜面に垂直にセンス電流を流すCPP(Current Perpendicular to the Plane)-GMR素子や、TMR(Tunnnel Magneto-resistance)膜を用いたTMR素子の開発も進められているが、今後もCIP-GMR素子の重要性は変わらないと考えられている。
図15には従来の薄膜磁気ヘッドの読み取り部の部分斜視図を示す。薄膜磁気ヘッド101は読み込み専用のヘッドでもよく、記録部をさらに有するMR/インダクティブ複合ヘッドでもよい。MR素子102は、下部磁気シールド103と上部磁気シールド109との間に挟まれ、先端部が記録媒体Dと対向する位置に配置されている。また、MR素子102と下部磁気シールド103との間には下部絶縁層104が、MR素子102と上部磁気シールド109との間には上部絶縁層108が、各々設けられている(なお、MR素子102と上部絶縁層108とは、実際には図15と異なり接触している)。記録媒体Dと対向する面は、以降、媒体対向面ABSと呼ぶこともある。MR素子102の側方には側方層105a、105bが設けられ、図15中の黒線矢印に示すように、MR素子102の積層面に平行にセンス電流122が流れている。媒体対向面ABSの、MR素子102と対向する位置における記録媒体Dの磁界は、図15中の白抜矢印に示す記録媒体Dの記録媒体移動方向Tへの移動につれて変化する。MR素子102は、この磁界の変化を、GMR効果によって得られるセンス電流122の電気抵抗変化として検出することにより、記録媒体Dの各磁区に書き込まれた磁気情報を読み出すことができる。
図16には、MR素子102の媒体対向面ABS、すなわち、図15中A−A方向から見た断面図を示す。MR素子102は、下部強磁性層121と、非磁性層122と、上部強磁性層123がこの順で積層されて形成され、これらの両側側方に側方層105a、105bが設けられている。そしてこれらの上に上部絶縁層108と上部磁気シールド109とがこの順で積層されている。
側方層105a、105bは、バイアス層106とリード層107とで構成され、さらに、バイアス層106は軟磁性層と反強磁性層とからなる(図示せず)。リード層107はセンス電流122を流す電極として機能し、上部に保護膜(図示せず)が設けられている場合もある。バイアス層106はMR素子102にバイアス磁界を印加する。バイアス層106について、以下さらに詳細に説明する。
一般に、CIP-GMR素子をはじめとするMR素子では、外部磁界の変化に対する抵抗変化が線形性を示すことが望ましく、そのために、MR素子にバイアス磁界を印加した状態で外部磁界を検出することが行われている。そして、従来のMR素子では、バイアス磁界を印加する磁性体として、硬質磁性層が用いられてきた。ところで、記録媒体の高記録密度化を進めるには書き込み素子とMR素子の狭トラック化が必要である。量産が近い100Gbpsiクラスではフリー層の幅を100nm程度にする必要があり、一層の微細加工技術が必要である。しかし、微細加工技術にも限界があり、歩留まりの悪化を招く可能性がある。そのような状況の中で、硬質磁性層を軟磁性層と反強磁性層との積層体に置換した交換バイアス(Exchange Bias)層を用いると、同じフリー層の幅に対して読み込み上の有効トラック幅を狭くでき、高記録密度化に有効であることが知られるようになってきた。その理由は必ずしも明らかではないが、軟磁性層を用いることによる一種のサイドシールド効果が働いていると考えられる。本明細書においてはバイアス層という場合、交換バイアス層を意味する。
バイアス層106とリード層107は略同一の平面形状で、バイアス層106を下方に、リード層107を上方にして積層され、図15に側方層105a、105bとして示すように、媒体対向面ABSから深い位置まで形成されている。ここで、本明細書において、「深い」の言葉は、媒体対向面ABSと垂直な方向について用いられる。「高さ」についても同様である。このようにバイアス層106とリード層107とが深い位置まで形成されているのは、製造工程上の理由と、リード層107の直列抵抗の抑制のためである。すなわち、従来技術によってMR素子をつくるには、まず、基板の全面に、下部強磁性層121と、非磁性層122と、上部強磁性層123とをこの順に積層した後、これらの層の一部をトラック幅TWを隔てた1対のバイアス層106とリード層107とに置換する。その後レジストを形成し、下部強磁性層121、非磁性層122、および上部強磁性層123の、媒体対向面ABSからみて背面側を除去して、所定のMR高さを有するMR素子102を形成していた。このときリード層107が十分厚くないか、または、リード層107上に十分な厚さの保護層が存在しない場合、上部のリード層107がMR素子102の近傍で削られてしまい、センス電流に対するリード層107の直列抵抗が増加し、感度が上がらなくなってしまう。そのため、リード層107を十分厚くするか、または、リード層107上に十分な厚さの保護層を、バイアス層106、リード層107と同時に形成し、リード層107がMR素子102近傍で不必要に削られないように保護して、十分な断面積を確保できるようにしていた。この結果、同時に形成するバイアス層も、リード層107とほぼ同じコの字状で、深い位置まで形成されていた。
しかし、交換バイアス層を用いたMR素子には以下の問題があった。薄膜磁気ヘッドの製造段階においては、性能確認のため各種の測定が行われる。その一つに擬似静特性テスト(QST:Quasi Static Test)がある。これは、ハードディスク装置としての最終組立て前に実際の使用環境を模擬して行うテストであり、具体的には、記録媒体の磁界の代わりに磁界発生手段で発生させた均一な磁界を外部から印加して、製造途中の磁気ヘッドの各種特性を測定、評価するものである。
ところが、このテストで印加される磁界は数万A/m(数100Oe)と、製品が実環境で受ける磁界に比べて比較的大きなものである。そして、交換バイアス層は、硬質磁性層と比べて外部磁場に対して変動しやすい性質を有しており、このような強い磁界を受けると、部分的に磁化の方向が乱れ、MR素子に適正なバイアス磁界をかけることができなくなる。そして、この結果、実効トラック幅を拡大(悪化)させてしまう。
この点についてさらに詳細に説明する。実効トラック幅を評価するにはマイクロトラックプロファイル法と呼ばれる測定方法が用いられる。マイクロトラックプロファイル法では、まず、書き込まれたトラックに対してヘッドをオフトラック(トラック幅方向にずらすこと)させ、トラックの両側あるいは片側を消すことにより、書き込みトラック幅の約1/5〜1/10の幅のトラック幅を形成する。次に、その狭いトラック上で再生ヘッドをオフトラックさせ、再生出力の変化を測定する。再生出力は、通常、図17(a)に示すように、横軸にオフトラック量、縦軸に再生出力をとったときに、トラックセンターを頂点とする釣鐘状の形状になる。そして、その再生出力の半値幅に相当するオフトラック量を実効トラック幅とみなしている。
ところが、例えばQSTによる大きな磁場を受けると、図17(b)のように、ピークがトラックセンターからずれるだけでなく、ピーク以外の位置に極大点を生じることがある。また、外部磁場はQST以外にも様々な状況で受けることが考えられる。この極大点はサイドローブと呼ばれ、トラック幅方向の分解能の悪化を招き、ひいては実効トラック幅の増加につながる。そしてその結果、高記録密度化が阻害されることとなる。
サイドローブの発生を抑えるためには、バイアス層をなるべく細長い長方形状にすることが有効と考えられている。これは、バイアス層の形状異方性効果によって、深さ方向の強い磁場、主にQSTによる磁場に対してバイアス層が安定化されるためであると考えられており、このような細長い形状のバイアス層は多数開示されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2001−351208号公報
しかし、従来の技術においては、リード層の直列抵抗を抑えるためにリード層を深い位置まで形成すると、バイアス層も同時に深い位置まで形成されてしまい、バイアス層を細長く形成することによるサイドローブの抑制は望めない。一方、サイドローブの問題を解決するためにバイアス層を細長く形成すると、リード層がMR素子の近傍で削られてしまい、センス電流に対する直列抵抗が増えてしまう。
このように、従来技術においては、サイドローブの発生と、リード層の直列抵抗を抑えるという、相反する要求を満たすことのできる技術は開示されていなかった。しかしながら、今後の高記録密度化を達成するためには、この相反する要求にも対処していく必要がある。
本発明は、以上の状況に鑑みて、CIP型のMR素子において、サイドローブの発生と、リード層の直列抵抗の増加をともに抑え、高記録密度化に対応できる薄膜磁気ヘッドおよびその製作方法を提供するとともに、かかる薄膜磁気ヘッドを用いたヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置等を提供することを目的とする。
本発明の薄膜磁気ヘッドは、外部磁界に対して磁化方向が固定された第1の強磁性層と、非磁性中間層と、外部磁界に対して磁化方向が変化する第2の磁性層とが積層され、積層面と略平行にセンス電流が流れるMR素子と、MR素子にバイアス磁場を与える1対のバイアス層と、媒体対向面からバイアス層の各々の少なくとも一部を覆って延び、MR素子にセンス電流を供給する1対のリード層とを有している。バイアス層は、記録媒体のトラック幅方向にMR素子の両側側方に略対称形で延び、MR素子との接合部において、MR素子が記録媒体と対向する媒体対向面と垂直な方向にMR素子と略同じ長さで接合している。また、バイアス層は、媒体対向面に沿った記録媒体のトラック幅方向を長辺とし、媒体対向面と垂直な方向を短辺とする仮想長方形の内側に、仮想長方形のMR素子と接する辺と対向する辺に一部が接して包含される形状を有している。
これによって、バイアス層はMR素子とほぼ同じ高さの細長い形状に形成することが可能となり、形状異方性効果によってMR素子に適切なバイアス磁界を印加することができ、一方、リード層は、バイアス層の上に深い位置まで十分な広がりをもって形成することが可能となり、リード層が絞られてセンス電流に対する抵抗が無用に増加することを避けられる。これらの効果によって薄膜磁気ヘッドの再生特性の向上が可能となる。
バイアス層は、軟磁性層と反強磁性層とを有する積層体であるように構成することができ、これによって、実効トラック幅を縮小して、高記録密度化を実現することができる。
バイアス層は、短辺の長さに対する長辺の長さの比が5倍以上である仮想長方形の内側に包含される形状を有するように構成することができ、これによって形状異方性効果を十分に発揮することができる。
また、バイアス層の媒体対向面の反対側に、バイアス層と接して絶縁層が形成され、リード層は、バイアス層と絶縁層の各々の少なくとも一部を覆っているようにしてもよい。
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、外部磁界に対して磁化方向が固定された第1の強磁性層と、非磁性中間層と、外部磁界に対して磁化方向が変化する第2の磁性層とが積層され、積層面と略平行にセンス電流が流れるMR素子を一部に含む少なくとも1つのセンター層をウエハ上に形成する工程と、センター層の各々の両側に、MR素子にバイアス磁場を与える1対のバイアス層を一部に含む1対の初期バイアス層を形成する工程を有している。さらに、センター層の各々の両側に、初期バイアス層の各々の少なくとも一部を覆って延び、MR素子に前記センス電流を供給する1対のリード層を含む1対の初期リード層を形成する工程と、ウエハと、センター層と、初期バイアス層と、初期リード層とを加工して、MR素子が媒体と対向する媒体対向面を露出させてMR素子を形成し、1対のバイアス層を、記録媒体のトラック幅方向にMR素子の両側側方に略対称形で延び、MR素子との接合部において、媒体対向面と垂直な方向にMR素子と略同じ長さで接合し、媒体対向面に沿った記録媒体のトラック幅方向を長辺とし、媒体対向面と垂直な方向を短辺とする仮想長方形の内側に、仮想長方形のMR素子と接する辺と対向する辺に一部が接して包含される形状を有するように形成し、1対のリード層を、媒体対向面からバイアス層の各々の少なくとも一部を覆って延びるように形成する工程を有している。
これによって、バイアス層とリード層とを別の工程で作ることが可能となり、バイアス層は細長い形状にして形状異方性効果によってMR素子に適切なバイアス磁界を印加することができ、一方、リード層は、バイアス層の上に深い位置まで十分な広がりをもって形成することが可能となり、リード層が絞られてセンス電流に対する抵抗が無用に増加することを避けられる。これらの効果によって薄膜磁気ヘッドの再生特性の向上が可能となる。
初期バイアス層を形成する工程は、軟磁性層と反強磁性層とを含む積層体を形成する工程を有することができる。
バイアス層を形成する工程は、短辺の長さに対する前記長辺の長さの比が5倍以上であるような仮想長方形の内側に包含される形状を有するように形成する工程を含むことができる。
また、初期バイアス層の媒体対向面となる面の反対側に、初期バイアス層に接して絶縁層を形成する工程をさらに有してもよく、初期リード層を形成する工程は、初期バイアス層と絶縁層の各々の少なくとも一部を覆って延びるように形成する工程を有していてもよい。
本発明のウエハは、上述の薄膜磁気ヘッドの製造に用いる、少なくとも1つの薄膜磁気変換素子が設けられたウエハである。
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、上述の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向して配置されるスライダと、スライダを弾性的に支持するサスペンションとを有する。
本発明のハードディスク装置は、上述の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向して配置されるスライダと、スライダを支持するとともに記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを有する。
このように、本発明の薄膜磁気ヘッドは、バイアス層をMR素子とほぼ同じ高さの細長い形状に形成されるため、形状異方性効果によってMR素子に適切なバイアス磁界を印加することができ、一方、リード層は、バイアス層の上に深い位置まで十分な広がりをもって形成されるため、センス電流に対する抵抗の増加を回避できる。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、かかる特徴を有する薄膜磁気ヘッドを確実かつ効率的に製造することができる。
以下、図面を用いて本発明の薄膜磁気ヘッドおよび製造方法について詳細に説明する。図1は、本発明の薄膜磁気ヘッドのMR素子の近傍を媒体対向面ABS側から見た断面図である。薄膜磁気ヘッド1は読み込み専用のヘッドでもよく、記録部をさらに有するMR/インダクティブ複合ヘッドでもよい。MR素子2は、下部強磁性層21と、非磁性層22と、上部強磁性層23とがこの順で積層されて形成されており、下部磁気シールド3と下部絶縁層4とが積層された層の上に設けられている。MR素子2の両側側方にはバイアス層6とリード層7とが設けられている。下部磁気シールド3はNiFe、下部絶縁層4はAl2O3などが用いられる。
下部強磁性層21は前述したピンド層であり、磁化の方向が記録媒体等の外部磁場に影響されず、一方向に固定された強磁性膜である。ピンド層は、Fe、Co、Ni等を主成分とする強磁性合金が用いられる。いわゆるシンセティックピンド層(磁性層である第1ピンド層と、非磁性金属層と、磁性層である第2ピンド層とがこの順で積層され、第1ピンド層と第2ピンド層とが反強磁性的に結合した積層構造のピンド層)を用いてもよい。非磁性層22には一般的にCuが用いられる。上部強磁性層23は前述したフリー層であり、記録媒体から発生する外部磁界に応じて磁化の方向を変える強磁性膜である。フリー層はCoFe、NiFe系などの合金を主体とする強磁性合金が用いられる。
バイアス層6は本実施形態においては軟磁性層61と反強磁性層62とがこの順に積層されて形成されているが、積層順は逆でもよい。バイアス層6はMR素子2にバイアス磁界を印加する。軟磁性層61には例えば、NiFe、CoFe等が、反強磁性層62には例えばIrMn、RuRhMn、PtMn等が用いられる。
リード層7はMR素子2にセンス電流22を流す電極として機能する。リード層7には例えばAuCuが用いられ、上下をTa等からなる保護膜(図示せず)によって覆う構造とすることもできる。リード層7はMR素子2とともに、上部絶縁層8と上部磁気シールド9とによって覆われている。上部絶縁層8はAl2O3、上部磁気シールド9はNiFeなどが用いられる。
図2は、薄膜磁気ヘッドのMR素子の近傍の平面図である。本図では、上部絶縁層8と上部磁気シールド9は図示していない。MR素子2は媒体対向面ABSに面しており、その背面は、所定のMR高さ(以下、MRHという場合がある。)に形成されている。また、媒体対向面ABSに面する幅はトラック幅TWを規定する。
バイアス層6は、媒体対向面ABSに面して、MR素子2を挟んで両側にほぼ対称形に形成された1対の細長い長方形であり、高さBHはMRHと略同一であり、媒体対向面ABSに面する幅BWは高さBHよりも大きい。高さBHに対する幅BWの比は、形状異方性効果を得るために、5以上とすることが望ましい。
1対のリード層7は、トラック幅TWを隔てて両側にほぼ対称形に形成され、媒体対向面ABSに面して2つのバイアス層6を各々覆い、さらに後方に延びている。すなわち、リード層の高さLHはバイアス層の高さBHより大きい。リード層7は本実施形態ではMR素子2の上部を覆っていないが、一部を覆っていてもよく、この場合はリード層7の間隔はトラック幅TWより狭いことになる。また、リード層7の間隔はトラック幅TWより広くてもよい。
図2Aは、同じく薄膜磁気ヘッドのMR素子の近傍の平面図である。バイアス層6の形状は以上述べたような長方形の形状に限られず、図2Aに示すように、より一般化した形状をとることができる。すなわち、バイアス層6の形状は事実上形状異方性効果が期待できる細長状のものであればよく、必ずしも厳密な長方形形状である必要はない。例えば、図2A(a)、(b)に示すように、トラック幅方向を長辺とし、媒体対向面ABSと垂直な方向を短辺とする仮想長方形65a、65bの中に包含されるような形状であればよく、(a)のように全体が不規則な形状や、(b)のように長方形の先端部が深い位置まで形成されているような形状など、任意の形状を用いることができる。ただし、この場合でも長方形の短辺W1に対する長辺H1の比(または短辺W2に対する長辺H2の比)は5以上とすることが望ましい。また、リード層は必ずしもバイアス層全体を覆っている必要はなく、例えば図2A(c)のように、リード層7cがバイアス層6cの一部を覆わないような構成も可能である。
図3は、図2のA−A方向から見た薄膜磁気ヘッドの、バイアス層を含む断面図である。図2同様、上部絶縁層8と上部磁気シールド9は図示していない。バイアス層6は媒体対向面ABSの近傍にのみ形成されるため、上部を覆うリード層7はバイアス層6の部分だけ盛り上がり、その後方は低くなっている。
引き続いて、本薄膜磁気ヘッドの製造方法について、図4から7を用いて説明する。
まず、図4(a)に示す断面図のように、下部磁気シールド3、下部絶縁層4を例えばAl2O3・TiC(アルティック)からなる基板(図示せず)上に積層する。さらにMR素子2を構成する下部強磁性層21、非磁性層22、上部強磁性層23をこの順で下部絶縁層4を覆うように積層する。図4(b)は図4(a)の平面図であって、このとき、上面全体は上部強磁性層23で覆われている。なお、この時点における下部強磁性層21、非磁性層22、上部強磁性層23をまとめてセンター層24ということもある。
次に、元バイアス層63を形成する。図5(b)はこのときの平面図を、図5(a)は図5(b)中、X−Xの位置での断面図を示す。図5(b)に示す元バイアス層63の位置をミリングしてセンター層24を除去し、元バイアス層63で置換する。このとき、両方の元バイアス層63の間隔はトラック幅TWに等しくなるよう調整される。この結果、図5(b)に示すように、MR素子2の両側に深い位置まで元バイアス層63が形成される(なお、この時点では図5(b)中のレジスト層31は形成されていない。)。また、元バイアス層63は図5(a)に示すとおり、上部強磁性層23より若干高く形成されるが、低く形成されてもよい。
次に、図5(b)に示すように、細長い形状のレジスト層31を形成し、ミリングで、レジスト層31で保護されている部分を除く元バイアス層63およびセンター層24を除去する。図6(b)はこのときの平面図を、図6(a)は図6(b)中、Y−Yの位置での断面図を示す。この結果、図6(a)、(b)に示すように、センター層24の両側に細長い初期バイアス層64が形成される。
次に、初期バイアス層64を覆うように初期リード層71を形成する。初期リード層71は本実施形態ではセンター層24の両側にトラック幅TWの間隔で形成されるが、前述のとおりトラック幅TWより狭くても広くてもよく、また、初期バイアス層64の全部を覆わなくてもよい。図7(b)はこのときの平面図を、図7(a)は図7(b)中、Z−Zの位置での断面図を示す。この結果、図7(a)、(b)に示すように、センター層24の両側に、初期バイアス層64を覆って、下部絶縁層4の上を延びる初期リード層71が形成される。このように、元バイアス層63および初期バイアス層64を初期リード層71とは別に先行して形成する点が本製造方法の特徴である。
この後、上部絶縁層8と上部磁気シールド9とを積層し、図1〜3に示した膜構成が完成する。さらに必要に応じて書き込みヘッド部(図示せず)を形成し、これらが多数形成されたウエハを切断し、機械加工によって媒体対向面ABSを形成する。これによって、初期バイアス層64の高さがMRHに等しく加工されてバイアス層6が形成され、初期リード層71の一部がリード層7に加工される。
このように構成され、このような製造方法で製造された薄膜磁気ヘッド1においては、バイアス層6は細長い形状を有しており、形状異方性効果によってMR素子2に対して均一なバイアス磁化をかけることができる。また、リード層7は、電気抵抗の増加を生じない十分な断面積を有するように、バイアス層6と独立の工程で作成されるため、十分なセンス電流22を流すことができ、読み取り感度の増加にもつながる。
次に、本発明の実施例として、薄膜磁気ヘッドの性能を実際に試料を作成して確認した。まず、比較例として、背景技術で述べたプロセスおよび構造で薄膜磁気ヘッドを100個作成した。本磁気ヘッドは、図15に示したように、バイアス層が媒体対向面ABSから後方の深い位置まで形成されている。具体的な膜構成は表1に示す。次に、実施例として、本発明のプロセスで薄膜磁気ヘッドを100個作成した。本磁気ヘッドは、図2、3に示したように、細長いバイアス層を有している。具体的な膜構成は表2に示す。両者とも基本的には同一の膜構成であるが、従来構造ではリード層の上に保護膜が形成されている点が異なる。また、両者ともトラック幅TW=0.1μm、MRH=0.1μmとし、実施例においてはバイアス層のトラック幅方向の幅BW=1μmとした。なお、表中、A/B/Cなる記載は下方からA層、B層、C層の順に積層されていることを示し、組成式の右の数値は膜厚を示す。
サイドローブ発生率は、表1に示す従来構造では75%、表2に示す本発明では4%であった。また、図8には、従来プロセスと本発明のプロセスで作った薄膜磁気ヘッドの、代表的なサイドローブ特性を示す。これより、本発明の薄膜磁気ヘッドはサイドローブ発生を有効に抑制できることが確認された。なお、サイドローブは、図8(b)においてピーク信号の出力Aに対するサイドローブの出力Bが10%以上の場合に発生したものと定義した。
図9には本発明の第2の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図を示す。本実施形態では、バイアス層6の背面をアルミナ等の絶縁層11で埋めてバイアス層6と接するようにして、その上からリード層7aを積層している。絶縁層11は元バイアス層63をミリングして、初期バイアス層64を形成した後、初期バイアス層64の後方に成膜され、リフトオフ法によって、初期バイアス層64と接するように形成される。このような構成とすることで、上部シールド層9をより平坦化することができるので、素子特性の安定化が図れる。
次に、上述した薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるウエハについて説明する。図10はウエハの概念的な平面図である。ウエハ100は複数の薄膜磁気変換素子集合体101に区画される。薄膜磁気変換素子集合体101は、少なくとも下部磁気シールド3から上部磁気シールド9までが積層された薄膜磁気変換素子102を含み、媒体対向面ABSを研磨加工する際の作業単位となる。薄膜磁気変換素子集合体101間および薄膜磁気変換素子102間には切断のための切り代(図示せず)が設けられている。
次に、本薄膜磁気ヘッドを用いたヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置について説明する。まず、図11を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ210について説明する。ハードディスク装置において、スライダ210は、回転駆動される円盤状の記録媒体であるハードディスクに対向するように配置される。スライダ210は、主に図11における基板1およびオーバーコート層17からなる基体211を備えている。基体211は、ほぼ六面体形状をなしている。基体211の六面のうちの一面は、ハードディスクに対向するようになっている。この一面には、媒体対向面となるエアベアリング面20が形成されている。ハードディスクが図11におけるz方向に回転すると、ハードディスクとスライダ210との間を通過する空気流によって、スライダ210に、図11におけるy方向の下方に揚力が生じる。スライダ210は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。なお、図11におけるx方向は、ハードディスクのトラック横断方向である。スライダ210の空気流出側の端部(図11における左下の端部)の近傍には、本発明の薄膜磁気ヘッド100が形成されている。
次に、図12を参照して、薄膜磁気ヘッドをヘッド素子として用いたヘッドジンバルアセンブリ220について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ220は、スライダ210と、スライダ210を弾性的に支持するサスペンション221とを備えている。サスペンション221は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム222と、ロードビーム222の一端部に設けられると共にスライダ210が接合され、スライダ210に適度な自由度を与えるフレクシャ223と、ロードビーム222の他端部に設けられたベースプレート224とを有している。ベースプレート224は、スライダ210をハードディスク262のトラック横断方向xに移動させるためのアクチュエータのアーム230に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム230と、アーム230を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ223において、スライダ210が取り付けられる部分には、スライダ210の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。
ヘッドジンバルアセンブリ220は、アクチュエータのアーム230に取り付けられる。1つのアーム230にヘッドジンバルアセンブリ220を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ220を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。
図12は、ヘッドアームアセンブリの一例を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム230の一端部にヘッドジンバルアセンブリ220が取り付けられている。アーム230の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル231が取り付けられている。アーム230の中間部には、アーム230を回動自在に支持するための軸234に取り付けられる軸受け部233が設けられている。
次に、図13および図14を参照して、薄膜磁気ヘッドをヘッド素子として用いたヘッドスタックアセンブリとハードディスク装置について説明する。図13はハードディスク装置の要部を示す説明図、図14はハードディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ250は、複数のアーム252を有するキャリッジ251を有している。複数のアーム252には、複数のヘッドジンバルアセンブリ220が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ251においてアーム252の反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル253が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ250は、ハードディスク装置に組み込まれる。ハードディスク装置は、スピンドルモータ261に取り付けられた複数枚のハードディスク262を有している。ハードディスク262毎に、ハードディスク262を挟んで対向するように2つのスライダ210が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ250のコイル253を挟んで対向する位置に配置された永久磁石263を有している。
スライダ210を除くヘッドスタックアセンブリ250およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、スライダ210を支持すると共にハードディスク262に対して位置決めする。
本ハードディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ210をハードディスク262のトラック横断方向に移動させて、スライダ210をハードディスク262に対して位置決めする。スライダ210に含まれる薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって、ハードディスク262に情報を記録し、薄膜磁気ヘッドをヘッド素子として用いた再生ヘッドによって、ハードディスク262に記録されている情報を再生する。
1 薄膜磁気ヘッド
2 MR素子
21 下部強磁性層
22 非磁性層
23 上部強磁性層
24 センター層
3 下部磁気シールド
4 下部絶縁層
6 バイアス層
61 軟磁性層
62 反強磁性層
63 元バイアス層
64 初期バイアス層
7 リード層
71 初期リード層
8 上部絶縁層
9 上部磁気シールド
ABS 媒体対向面
2 MR素子
21 下部強磁性層
22 非磁性層
23 上部強磁性層
24 センター層
3 下部磁気シールド
4 下部絶縁層
6 バイアス層
61 軟磁性層
62 反強磁性層
63 元バイアス層
64 初期バイアス層
7 リード層
71 初期リード層
8 上部絶縁層
9 上部磁気シールド
ABS 媒体対向面
Claims (11)
- 外部磁界に対して磁化方向が固定された第1の強磁性層と、非磁性中間層と、前記外部磁界に対して磁化方向が変化する第2の磁性層とが積層され、積層面と略平行にセンス電流が流れるMR素子と、
記録媒体のトラック幅方向に前記MR素子の両側側方に略対称形で延び、前記MR素子との接合部において、前記MR素子が記録媒体と対向する媒体対向面と垂直な方向に前記MR素子と略同じ長さで接合し、前記媒体対向面に沿った該記録媒体のトラック幅方向を長辺とし、前記媒体対向面と垂直な方向を短辺とする仮想長方形の内側に、該仮想長方形の前記MR素子と接する辺と対向する辺に一部が接して包含される形状を有する、該MR素子にバイアス磁場を与える1対のバイアス層と、
前記媒体対向面から、前記バイアス層の各々の少なくとも一部を覆って延び、前記MR素子に前記センス電流を供給する1対のリード層とを有する、薄膜磁気ヘッド。 - 前記バイアス層は、軟磁性層と反強磁性層とを有する積層体である、請求項1に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記バイアス層は、前記短辺の長さに対する前記長辺の長さの比が5倍以上である前記仮想長方形の内側に包含される形状を有する、請求項1または2に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記バイアス層の前記媒体対向面の反対側に、該バイアス層と接して絶縁層が形成され、前記リード層は、該バイアス層と該絶縁層の各々の少なくとも一部を覆っている、請求項1から3のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 外部磁界に対して磁化方向が固定された第1の強磁性層と、非磁性中間層と、前記外部磁界に対して磁化方向が変化する第2の磁性層とが積層され、積層面と略平行にセンス電流が流れるMR素子を一部に含む少なくとも1つのセンター層をウエハ上に形成する工程と、
該センター層の各々の両側に、該MR素子にバイアス磁場を与える1対のバイアス層を一部に含む1対の初期バイアス層を形成する工程と、
該センター層の各々の両側に、前記初期バイアス層の各々の少なくとも一部を覆って延び、前記MR素子に前記センス電流を供給する1対のリード層を含む1対の初期リード層を形成する工程と、
前記ウエハと、前記センター層と、前記初期バイアス層と、前記初期リード層とを加工して、前記MR素子が媒体と対向する媒体対向面を露出させて前記MR素子を形成し、前記1対のバイアス層を、前記記録媒体のトラック幅方向に前記MR素子の両側側方に略対称形で延び、前記MR素子との接合部において、前記媒体対向面と垂直な方向に前記MR素子と略同じ長さで接合し、前記媒体対向面に沿った該記録媒体のトラック幅方向を長辺とし、前記媒体対向面と垂直な方向を短辺とする仮想長方形の内側に、該仮想長方形の前記MR素子と接する辺と対向する辺に一部が接して包含される形状を有するように形成し、1対のリード層を、前記媒体対向面から前記バイアス層の各々の少なくとも一部を覆って延びるように形成する工程とを有する、薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記初期バイアス層を形成する工程は、軟磁性層と反強磁性層とを含む積層体を形成する工程を有する、請求項5に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記バイアス層を形成する工程は、前記短辺の長さに対する前記長辺の長さの比が5倍以上であるような前記仮想長方形の内側に包含される形状を有するように形成する工程を含む、請求項5または6に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記初期バイアス層の前記媒体対向面となる面の反対側に、該初期バイアス層に接して絶縁層を形成する工程をさらに有し、
前記初期リード層を形成する工程は、該初期バイアス層と該絶縁層の各々の少なくとも一部を覆って延びるように形成する工程を有する、請求項5から7のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造に用いる、少なくとも1つの薄膜磁気変換素子が設けられたウエハ。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドを含み、前記記録媒体に対向して配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションとを有するヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向して配置されるスライダと、
前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを有するハードディスク装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004057525A JP2005251254A (ja) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | 薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、および薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
US11/066,763 US7548400B2 (en) | 2004-03-02 | 2005-02-28 | Thin-film magnetic head comprising bias layers having a large length in track width direction |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004057525A JP2005251254A (ja) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | 薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、および薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005251254A true JP2005251254A (ja) | 2005-09-15 |
Family
ID=34909036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004057525A Pending JP2005251254A (ja) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | 薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、および薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7548400B2 (ja) |
JP (1) | JP2005251254A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7808750B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-10-05 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising magneto-resistive effect device, and hard disk system |
US7813086B2 (en) | 2007-05-21 | 2010-10-12 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head comprising metal layer and having improved asymmetry characteristic and method of producing the same |
US7916430B2 (en) | 2007-08-09 | 2011-03-29 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100726241B1 (ko) * | 2005-05-02 | 2007-06-11 | 삼성전기주식회사 | 금-구리 층을 포함하는 도전성 기판, 모터, 진동모터 및전기 접점용 금속 단자 |
JP2007066460A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド評価装置及びそれを用いた磁気ディスク装置の製造方法 |
JP2007317269A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッド |
US9007727B2 (en) * | 2007-07-17 | 2015-04-14 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic head having CPP sensor with improved stabilization of the magnetization of the pinned magnetic layer |
US8031442B2 (en) * | 2007-08-01 | 2011-10-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head having CPP sensor with improved biasing for free magnetic layer |
JP2009123287A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Fujitsu Ltd | リードヘッド、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 |
US20090161269A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | James Mac Freitag | Magnetoresistive sensor having an enhanced free layer stabilization mechanism |
EP2323189B1 (en) * | 2008-09-12 | 2019-01-30 | Hitachi Metals, Ltd. | Use of a self-pinned spin valve magnetoresistance effect film |
JP5338711B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2013-11-13 | Tdk株式会社 | 磁気センサー、磁気検出装置、及び磁気ヘッド |
KR101109231B1 (ko) * | 2010-07-08 | 2012-01-30 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 진동모터 |
US8797694B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-08-05 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic sensor having hard bias structure for optimized hard bias field and hard bias coercivity |
US10074387B1 (en) | 2014-12-21 | 2018-09-11 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having symmetric antiferromagnetically coupled shields |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0660326A (ja) | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
US5712751A (en) * | 1994-03-17 | 1998-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic sensor and magnetic recording-reproducing head and magnetic recording-reproducing apparatus using same |
JPH09128712A (ja) | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
US5847904A (en) * | 1995-12-08 | 1998-12-08 | Quantum Peripherals Colorado, Inc. | Magnetoresistive device incorporating conductor geometry providing substantially uniform current flow for improved magnetic stability |
US5739990A (en) * | 1996-11-13 | 1998-04-14 | Read-Rite Corporation | Spin-valve GMR sensor with inbound exchange stabilization |
JPH10335714A (ja) | 1997-06-05 | 1998-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
JP2000132815A (ja) | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
JP2000200404A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Read Rite Smi Kk | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
US6606216B1 (en) * | 1999-05-05 | 2003-08-12 | Maxtor Corporation | Transducer head with separate data and servo read elements |
JP2001014616A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Tdk Corp | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 |
JP3367477B2 (ja) * | 1999-07-28 | 2003-01-14 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド及び磁気抵抗検出システム並びに磁気記憶システム |
JP2001351208A (ja) | 2000-06-12 | 2001-12-21 | Mitsumi Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
JP2002353538A (ja) | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子、磁気検出素子の製造方法及び磁気ヘッド |
JP3509077B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2004-03-22 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 |
US7229706B2 (en) * | 2003-01-15 | 2007-06-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic detecting element having pinned magnetic layers disposed on both sides of free magnetic layer |
JP2005032780A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 |
JP3695459B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2005-09-14 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
2004
- 2004-03-02 JP JP2004057525A patent/JP2005251254A/ja active Pending
-
2005
- 2005-02-28 US US11/066,763 patent/US7548400B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7813086B2 (en) | 2007-05-21 | 2010-10-12 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head comprising metal layer and having improved asymmetry characteristic and method of producing the same |
US7808750B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-10-05 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising magneto-resistive effect device, and hard disk system |
US7916430B2 (en) | 2007-08-09 | 2011-03-29 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7548400B2 (en) | 2009-06-16 |
US20050195536A1 (en) | 2005-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4458302B2 (ja) | Cpp型磁界検出素子及びその製造方法 | |
US7548400B2 (en) | Thin-film magnetic head comprising bias layers having a large length in track width direction | |
US8089734B2 (en) | Magnetoresistive element having a pair of side shields | |
US8023230B2 (en) | Magnetoresistive element including a pair of ferromagnetic layers coupled to a pair of shield layers | |
US20100027168A1 (en) | Thin film magnetic head having a pair of magnetic layers whose magnetization is controlled by shield layers | |
JP4008456B2 (ja) | 磁界検出センサ、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置 | |
US7808742B2 (en) | Thin-film magnetic head comprising shield/magnetic-pole layer having surface without right nor sharp angle | |
JP2007317824A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP2008047737A (ja) | 磁気抵抗効果装置、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
US8077436B2 (en) | CPP-type magnetoresistance effect element having three magnetic layers | |
JP2007116003A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
JP4160945B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置 | |
JP2007150254A (ja) | 磁気抵抗効果素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ | |
US7782576B2 (en) | Exchange-coupling film incorporating stacked antiferromagnetic layer and pinned layer, and magnetoresistive element including the exchange-coupling film | |
JP4854002B2 (ja) | 垂直磁気記録用磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP2006086275A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置 | |
JP4377777B2 (ja) | 磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、および磁気再生装置 | |
JP2008227457A (ja) | 磁歪低減層を含むフリー層を有する磁気抵抗効果素子および薄膜磁気ヘッド | |
JP2006286669A (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP2009176400A (ja) | Cpp型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 | |
JP3683577B1 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP2005223193A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、およびハードディスク装置 | |
JP2005293761A (ja) | 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 | |
JP2006041120A (ja) | 磁気抵抗効果装置およびその製造方法、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP2005302938A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、およびハードディスク装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060816 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061213 |