JP3509077B2 - 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド、
磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置に関する。
磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録分野では、磁気ディスクドライ
ブ装置の高密度化、小型化の進展に対応すべく、スピン
バルブ膜（以下ＳＶ膜と称する）や強磁性トンネル接合
膜（以下ＴＭＲ膜と称する）等の磁気抵抗効果膜を、読
み取り素子として用いた薄膜磁気ヘッドが主流となって
いる。
ブ装置の高密度化、小型化の進展に対応すべく、スピン
バルブ膜（以下ＳＶ膜と称する）や強磁性トンネル接合
膜（以下ＴＭＲ膜と称する）等の磁気抵抗効果膜を、読
み取り素子として用いた薄膜磁気ヘッドが主流となって
いる。
【０００３】これらの薄膜磁気ヘッドでは、磁化方向が
固定された第２の強磁性層（ピンド層）と、磁化方向が
外部から印加される磁界に応答して自由に動く第１の強
磁性層（フリー層）とを含み、第２の強磁性層（ピンド
層）の磁化方向と、第１の強磁性層（フリー層）の磁化
方向とが同じであるときに、抵抗値が最小になり、逆方
向の時に最大になる。この抵抗変化特性を利用して、外
部磁界を検出する第１の強磁性層（フリー層）には、磁
区制御膜による縦バイアス磁界が印加される。この縦バ
イアス磁界により、第１の強磁性層（フリー層）を単磁
区化し、磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイズを抑
止する。縦バイアス磁界を印加する手法としては、反強
磁性膜と磁性膜との間の交換結合を利用する交換バイア
ス法と、硬磁性膜を用いた硬磁性バイアス法とが知られ
ている。
固定された第２の強磁性層（ピンド層）と、磁化方向が
外部から印加される磁界に応答して自由に動く第１の強
磁性層（フリー層）とを含み、第２の強磁性層（ピンド
層）の磁化方向と、第１の強磁性層（フリー層）の磁化
方向とが同じであるときに、抵抗値が最小になり、逆方
向の時に最大になる。この抵抗変化特性を利用して、外
部磁界を検出する第１の強磁性層（フリー層）には、磁
区制御膜による縦バイアス磁界が印加される。この縦バ
イアス磁界により、第１の強磁性層（フリー層）を単磁
区化し、磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイズを抑
止する。縦バイアス磁界を印加する手法としては、反強
磁性膜と磁性膜との間の交換結合を利用する交換バイア
ス法と、硬磁性膜を用いた硬磁性バイアス法とが知られ
ている。
【０００４】磁気抵抗効果膜のトラック幅方向（トラッ
ク幅方向とする）の両端には、センス電流を流す一対の
電極膜が接続されており、この一対の電極膜を通して、
磁気抵抗効果膜にセンス電流が供給される。
ク幅方向とする）の両端には、センス電流を流す一対の
電極膜が接続されており、この一対の電極膜を通して、
磁気抵抗効果膜にセンス電流が供給される。
【０００５】上述した従来の薄膜磁気ヘッドでは、通
常、磁気抵抗効果素子、ハードバイアス磁石膜、電極膜
は一括してイオンミリングにより形成される。従って、
トラック幅方向と直交する奥行き方向で見て、磁気抵抗
効果膜、磁区制御膜及び電極膜のそれぞれは、奥行き幅
が互いにほぼ同幅になるのが普通である。
常、磁気抵抗効果素子、ハードバイアス磁石膜、電極膜
は一括してイオンミリングにより形成される。従って、
トラック幅方向と直交する奥行き方向で見て、磁気抵抗
効果膜、磁区制御膜及び電極膜のそれぞれは、奥行き幅
が互いにほぼ同幅になるのが普通である。
【０００６】上述したように、磁区制御膜の奥行き幅
を、磁気抵抗効果膜の奥行き幅と同幅にすると、磁気抵
抗効果膜に対して縦バイアス磁界が均一に印加され、バ
ルクハウゼンノイズ等の抑制により、信号対ノイズ比を
大きくすることができる。
を、磁気抵抗効果膜の奥行き幅と同幅にすると、磁気抵
抗効果膜に対して縦バイアス磁界が均一に印加され、バ
ルクハウゼンノイズ等の抑制により、信号対ノイズ比を
大きくすることができる。
【０００７】しかしながら、電極膜の奥行き幅が磁気抵
抗効果膜の奥行き幅と一致すると、電極膜と磁気抵抗効
果膜との隣接部分で電流集中現象が発生し、見掛け上、
電気抵抗が上がる。この電気抵抗はクラウディング抵抗
と称される。
抗効果膜の奥行き幅と一致すると、電極膜と磁気抵抗効
果膜との隣接部分で電流集中現象が発生し、見掛け上、
電気抵抗が上がる。この電気抵抗はクラウディング抵抗
と称される。
【０００８】クラウディング抵抗が高くなると、リード
抵抗が上がってしまい、信号対ノイズ比が十分にとれな
くなる。特に、高密度、狭トラックにともない、奥行き
方向の寸法が小さくなることは著しい抵抗上昇とそれに
伴う、ノイズ源抵抗増大の原因にもなっていた。
抵抗が上がってしまい、信号対ノイズ比が十分にとれな
くなる。特に、高密度、狭トラックにともない、奥行き
方向の寸法が小さくなることは著しい抵抗上昇とそれに
伴う、ノイズ源抵抗増大の原因にもなっていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高密
度化及び狭トラック化された場合でも、信号対ノイズ比
（Ｓ／Ｎ比）を十分に大きく採り得る薄膜磁気ヘッド、
磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することで
ある。
度化及び狭トラック化された場合でも、信号対ノイズ比
（Ｓ／Ｎ比）を十分に大きく採り得る薄膜磁気ヘッド、
磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、読み取り素子を有
する。前記読み取り素子は、磁気抵抗効果膜と、一対の
磁区制御膜と、一対の電極膜とを含む。前記磁気抵抗効
果膜は、外部から印加される磁界に応答する。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、読み取り素子を有
する。前記読み取り素子は、磁気抵抗効果膜と、一対の
磁区制御膜と、一対の電極膜とを含む。前記磁気抵抗効
果膜は、外部から印加される磁界に応答する。
【００１１】前記磁区制御膜のそれぞれは、前記磁気抵
抗効果膜のトラック幅方向の両側にそれぞれ備えられ、
前記磁気抵抗効果膜に対し、前記トラック幅方向と直交
する奥行き方向においてほぼ同幅で隣接する。
抗効果膜のトラック幅方向の両側にそれぞれ備えられ、
前記磁気抵抗効果膜に対し、前記トラック幅方向と直交
する奥行き方向においてほぼ同幅で隣接する。
【００１２】前記電極膜のそれぞれは、前記一対の磁区
制御膜の上にそれぞれ備えられ、前記磁区制御膜が前記
磁気抵抗効果膜とほぼ同幅を保つ領域において、前記磁
区制御膜の奥行き方向の外部にはみ出す延長部分を含
む。
制御膜の上にそれぞれ備えられ、前記磁区制御膜が前記
磁気抵抗効果膜とほぼ同幅を保つ領域において、前記磁
区制御膜の奥行き方向の外部にはみ出す延長部分を含
む。
【００１３】上述したように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、読み取り素子は、一対の磁区制御膜を含
んでおり、一対の磁区制御膜のそれぞれは、磁気抵抗効
果膜のトラック幅方向の相対する両端部の一端のそれぞ
れに対し、前記トラック幅方向と直交する奥行き方向に
おいてほぼ同幅で隣接しているから、磁区制御膜から磁
気抵抗効果膜に対して、縦バイアス磁界が均一に印加さ
れ、バルクハウゼンノイズが抑制される。このため、信
号対ノイズ比が大きくなる。
ッドにおいて、読み取り素子は、一対の磁区制御膜を含
んでおり、一対の磁区制御膜のそれぞれは、磁気抵抗効
果膜のトラック幅方向の相対する両端部の一端のそれぞ
れに対し、前記トラック幅方向と直交する奥行き方向に
おいてほぼ同幅で隣接しているから、磁区制御膜から磁
気抵抗効果膜に対して、縦バイアス磁界が均一に印加さ
れ、バルクハウゼンノイズが抑制される。このため、信
号対ノイズ比が大きくなる。
【００１４】一対の電極膜のそれぞれは、一対の磁区制
御膜の上にそれぞれ備えられ、磁区制御膜が磁気抵抗効
果膜とほぼ同幅を保つ領域において、磁区制御膜の奥行
き方向の外部にはみ出す延長部分を含む。この構造によ
れば、電極膜と磁気抵抗効果膜との隣接部分における電
流集中現象を回避し、クラウディング抵抗の増大を抑制
できる。このため、リード抵抗の上昇を回避し、高密度
化及び狭トラック化された場合でも、信号対ノイズ比
（Ｓ／Ｎ比）を十分に大きくとれるようになる。
御膜の上にそれぞれ備えられ、磁区制御膜が磁気抵抗効
果膜とほぼ同幅を保つ領域において、磁区制御膜の奥行
き方向の外部にはみ出す延長部分を含む。この構造によ
れば、電極膜と磁気抵抗効果膜との隣接部分における電
流集中現象を回避し、クラウディング抵抗の増大を抑制
できる。このため、リード抵抗の上昇を回避し、高密度
化及び狭トラック化された場合でも、信号対ノイズ比
（Ｓ／Ｎ比）を十分に大きくとれるようになる。
【００１５】磁気抵抗効果膜は、異方性磁気抵抗効果膜
であってもよいが、磁気ディスクドライブ装置の高密度
化、小型化への対応の観点から、好ましくは、ＳＶ膜と
する。
であってもよいが、磁気ディスクドライブ装置の高密度
化、小型化への対応の観点から、好ましくは、ＳＶ膜と
する。
【００１６】本発明は、更に、上述した薄膜磁気ヘッド
を用いた磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置について
も開示する。本発明の他の構成及び効果は、添付図面を
参照して、更に詳しく説明する。添付図面は単なる例示
にすぎない。
を用いた磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置について
も開示する。本発明の他の構成及び効果は、添付図面を
参照して、更に詳しく説明する。添付図面は単なる例示
にすぎない。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの斜視図、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドの拡大
断面図である。
ドの斜視図、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドの拡大
断面図である。
【００１８】図示の薄膜磁気ヘッドは、スライダ１の上
に読み取り素子３及び誘導型ＭＲ素子でなる書き込み素
子２を有する。
に読み取り素子３及び誘導型ＭＲ素子でなる書き込み素
子２を有する。
【００１９】スライダ１はセラミック構造体で構成さ
れ、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等でなる基体の上にＡｌ2Ｏ3また
はＳｉＯ2等でなる絶縁膜が設けられている。スライダ
１は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面
（以下ＡＢＳ面と称する）１３、１４を有する。スライ
ダ１としては、図１に示すように、磁気ディスクと対向
する面側に、正圧発生用のレール部１１、１２を設け、
レール部１１、１２の表面をＡＢＳ面１３、１４として
利用するタイプの他、ＡＢＳ面１３、１４の平面に、特
殊な幾何学的形状を付与したものや、負圧タイプのもの
等が知られており、何れのタイプも用いることができ
る。
れ、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等でなる基体の上にＡｌ2Ｏ3また
はＳｉＯ2等でなる絶縁膜が設けられている。スライダ
１は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面
（以下ＡＢＳ面と称する）１３、１４を有する。スライ
ダ１としては、図１に示すように、磁気ディスクと対向
する面側に、正圧発生用のレール部１１、１２を設け、
レール部１１、１２の表面をＡＢＳ面１３、１４として
利用するタイプの他、ＡＢＳ面１３、１４の平面に、特
殊な幾何学的形状を付与したものや、負圧タイプのもの
等が知られており、何れのタイプも用いることができ
る。
【００２０】書き込み素子２は、上部シールド膜を兼ね
ている下部磁性膜２１、上部磁性膜２２、コイル膜２
３、アルミナ等でなるギャップ膜２４、絶縁膜２５及び
保護膜２６などを有して、アルミナ等でなる第２のギャ
ップ膜３３の上に積層されている。下部磁性膜２１及び
上部磁性膜２２の先端部は微小厚みのギャップ膜２４を
隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となっており、矢印
Ａ１の方向に高速移動する磁気ディスク（図示しない）
に対して、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行な
う。
ている下部磁性膜２１、上部磁性膜２２、コイル膜２
３、アルミナ等でなるギャップ膜２４、絶縁膜２５及び
保護膜２６などを有して、アルミナ等でなる第２のギャ
ップ膜３３の上に積層されている。下部磁性膜２１及び
上部磁性膜２２の先端部は微小厚みのギャップ膜２４を
隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となっており、矢印
Ａ１の方向に高速移動する磁気ディスク（図示しない）
に対して、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行な
う。
【００２１】下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、ポ
ール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギャップ部に
おいて、磁気回路を完成するように互いに結合されてい
る。絶縁膜２５の上に、ヨーク部の結合部のまわりを渦
巻状にまわるように、コイル膜２３を形成してある。図
示された書き込み素子２は単なる例であり、このような
構造に限定されるものではない。
ール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギャップ部に
おいて、磁気回路を完成するように互いに結合されてい
る。絶縁膜２５の上に、ヨーク部の結合部のまわりを渦
巻状にまわるように、コイル膜２３を形成してある。図
示された書き込み素子２は単なる例であり、このような
構造に限定されるものではない。
【００２２】読み取り素子３は、磁気抵抗効果膜３００
と、一対の磁区制御膜３１１、３１２と、一対の電極膜
３５、３６とを含んでいる。読み取り素子３は、この実
施例では、書き込み素子２の下側の第２のギャップ膜３
３と第１のギャップ膜３２との間に配置されている。第
１及び第２のギャップ膜３２、３３はアルミナ等でな
り、下部シールド膜３１の上に備えられている。下部シ
ールド膜３１はスライダ基体の上に備えられている。図
示とは異なって、読み取り素子３を、書き込み素子２の
上に配置する構造であってもよい。
と、一対の磁区制御膜３１１、３１２と、一対の電極膜
３５、３６とを含んでいる。読み取り素子３は、この実
施例では、書き込み素子２の下側の第２のギャップ膜３
３と第１のギャップ膜３２との間に配置されている。第
１及び第２のギャップ膜３２、３３はアルミナ等でな
り、下部シールド膜３１の上に備えられている。下部シ
ールド膜３１はスライダ基体の上に備えられている。図
示とは異なって、読み取り素子３を、書き込み素子２の
上に配置する構造であってもよい。
【００２３】図３は読み取り素子３の部分の拡大分解斜
視図、図４は図３に示した読み取り素子３の部分の積層
状態を示す斜視図、図５は図３、図４に示した読み取り
素子３の部分をＡＢＳ面側から見た図である。
視図、図４は図３に示した読み取り素子３の部分の積層
状態を示す斜視図、図５は図３、図４に示した読み取り
素子３の部分をＡＢＳ面側から見た図である。
【００２４】磁気抵抗効果膜３００は、外部から印加さ
れる磁界に応答する膜であり、異方性磁気抵抗効果膜
（ＡＭＲ膜）や、ＳＶ膜によって構成できる。図示実施
例の磁気抵抗効果膜３００はＳＶ膜である。ＳＶ膜に関
しては、種々の積層膜、膜組成等が提案され、実用に供
されており、本発明においては、殆ど制限なく、これら
のＳＶ膜に適用できる。
れる磁界に応答する膜であり、異方性磁気抵抗効果膜
（ＡＭＲ膜）や、ＳＶ膜によって構成できる。図示実施
例の磁気抵抗効果膜３００はＳＶ膜である。ＳＶ膜に関
しては、種々の積層膜、膜組成等が提案され、実用に供
されており、本発明においては、殆ど制限なく、これら
のＳＶ膜に適用できる。
【００２５】ＳＶ膜は、基本的には、第１の強磁性層
（フリー層）と、第２の強磁性層（ピンド層）とを、非
磁性層を介して積層した構造を有する。第２の強磁性層
は磁化方向が一方向に固定されており、第１の強磁性層
は磁化方向が外部から印加される磁界に応答して自由に
動く。ＳＶ膜では、第２の強磁性層の磁化方向と、第１
の強磁性層の磁化方向とが同じであるときに、抵抗値が
最小になり、逆方向の時に最大になる。この抵抗変化特
性を利用して、外部磁界を検出する。
（フリー層）と、第２の強磁性層（ピンド層）とを、非
磁性層を介して積層した構造を有する。第２の強磁性層
は磁化方向が一方向に固定されており、第１の強磁性層
は磁化方向が外部から印加される磁界に応答して自由に
動く。ＳＶ膜では、第２の強磁性層の磁化方向と、第１
の強磁性層の磁化方向とが同じであるときに、抵抗値が
最小になり、逆方向の時に最大になる。この抵抗変化特
性を利用して、外部磁界を検出する。
【００２６】図示されたＳＶ膜は、第１の強磁性層３０
１、非磁性層３０２、第２の強磁性層３０３及び反強磁
性層３０４を順次積層して構成される。上記構造によ
り、反強磁性層３０４と接した第２の強磁性層３０３
（強磁性層）が一定方向に磁化された状態になる。
１、非磁性層３０２、第２の強磁性層３０３及び反強磁
性層３０４を順次積層して構成される。上記構造によ
り、反強磁性層３０４と接した第２の強磁性層３０３
（強磁性層）が一定方向に磁化された状態になる。
【００２７】上述したＳＶ膜を有する磁気抵抗効果膜３
００において、外部磁界が印加された場合、第１の強磁
性層３０１の磁化方向が外部磁界の強さに応じて回転す
る。ＳＶ膜の抵抗値は、第２の強磁性層３０３の磁化方
向に対する第１の強磁性層３０１の磁化方向の角度によ
って定まる。ＳＶ膜の抵抗値は、第１の強磁性層３０１
の磁化方向が第２の強磁性層３０３の磁化方向に対し
て、逆方向のときに最大となり、同一の方向のときに最
小になる。それに対応して、磁気抵抗効果膜３００内を
トラック幅方向に流れるセンス電流Ｉｓの大きさが変化
するので、このセンス電流Ｉｓから、外部磁界を検出す
ることができる。
００において、外部磁界が印加された場合、第１の強磁
性層３０１の磁化方向が外部磁界の強さに応じて回転す
る。ＳＶ膜の抵抗値は、第２の強磁性層３０３の磁化方
向に対する第１の強磁性層３０１の磁化方向の角度によ
って定まる。ＳＶ膜の抵抗値は、第１の強磁性層３０１
の磁化方向が第２の強磁性層３０３の磁化方向に対し
て、逆方向のときに最大となり、同一の方向のときに最
小になる。それに対応して、磁気抵抗効果膜３００内を
トラック幅方向に流れるセンス電流Ｉｓの大きさが変化
するので、このセンス電流Ｉｓから、外部磁界を検出す
ることができる。
【００２８】磁区制御膜３１１、３１２は、第１の強磁
性層３０１のトラック幅方向の両端に結合されている。
磁区制御膜３１１、３１２は反強磁性膜であってもよい
し、硬磁性膜で構成されていてもよい。図は、磁区制御
膜３１１、３１２として硬磁性膜を用いた例を示してい
る。硬磁性膜としては、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ等を用
いることができる。
性層３０１のトラック幅方向の両端に結合されている。
磁区制御膜３１１、３１２は反強磁性膜であってもよい
し、硬磁性膜で構成されていてもよい。図は、磁区制御
膜３１１、３１２として硬磁性膜を用いた例を示してい
る。硬磁性膜としては、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ等を用
いることができる。
【００２９】一対の磁区制御膜３１１、３１２のそれぞ
れは、磁気抵抗効果膜３００のトラック幅方向ＴＷの相
対する両端部の一端のそれぞれに対し、トラック幅方向
ＴＷと直交する奥行き方向Ｈにおいてほぼ同幅で隣接Ａ
Ｂ１、ＡＢ２し、トラック幅方向ＴＷに延びる部分を有
している。
れは、磁気抵抗効果膜３００のトラック幅方向ＴＷの相
対する両端部の一端のそれぞれに対し、トラック幅方向
ＴＷと直交する奥行き方向Ｈにおいてほぼ同幅で隣接Ａ
Ｂ１、ＡＢ２し、トラック幅方向ＴＷに延びる部分を有
している。
【００３０】一対の電極膜３５、３６は磁気抵抗効果膜
３００にセンス電流Ｉｓを供給するために用いられる。
電極膜３５、３６は磁区制御膜３１１、３１２のそれぞ
れに、隣接して備えられ、一端が磁気抵抗効果膜３００
の相対する両端部の一端のそれぞれに隣接ＡＢ１、ＡＢ
２する。電極膜３５、３６が磁気抵抗効果膜３００と隣
接する２つの隣接位置ＡＢ１、ＡＢ２の間隔によって定
まるトラック幅ＴＷ１は、限定するものではないが、狭
トラック幅実現の観点から、０．５μｍ以下であること
が好ましい。
３００にセンス電流Ｉｓを供給するために用いられる。
電極膜３５、３６は磁区制御膜３１１、３１２のそれぞ
れに、隣接して備えられ、一端が磁気抵抗効果膜３００
の相対する両端部の一端のそれぞれに隣接ＡＢ１、ＡＢ
２する。電極膜３５、３６が磁気抵抗効果膜３００と隣
接する２つの隣接位置ＡＢ１、ＡＢ２の間隔によって定
まるトラック幅ＴＷ１は、限定するものではないが、狭
トラック幅実現の観点から、０．５μｍ以下であること
が好ましい。
【００３１】図６は磁区制御膜３１１、３２１に対する
電極膜３５、３６の相対関係を示す平面図である。電極
膜３５、３６は、トラック幅方向ＴＷに沿って延びる部
分を有する。この部分は、奥行き方向Ｈで見て、磁区制
御膜３１１、３１２が磁気抵抗効果膜３００とほぼ同幅
を保つ領域において、磁区制御膜３１１、３１２の奥行
き方向Ｈの外部にはみ出す延長部分３５１、３６１を含
む。図６において、ハッチングの施された部分が延長部
分３５１、３６１を示している。延長部分３５１、３６
１の形状は図示表示に限定されない。
電極膜３５、３６の相対関係を示す平面図である。電極
膜３５、３６は、トラック幅方向ＴＷに沿って延びる部
分を有する。この部分は、奥行き方向Ｈで見て、磁区制
御膜３１１、３１２が磁気抵抗効果膜３００とほぼ同幅
を保つ領域において、磁区制御膜３１１、３１２の奥行
き方向Ｈの外部にはみ出す延長部分３５１、３６１を含
む。図６において、ハッチングの施された部分が延長部
分３５１、３６１を示している。延長部分３５１、３６
１の形状は図示表示に限定されない。
【００３２】延長部分３５１、３６１は、奥行き方向Ｈ
の沿って直線状に延びる端縁３５０、３６０を有し、そ
の終点Ｈ２から、奥行き寸法を増大させ、トラック幅方
向ＴＷの寸法を減少させる方向に、角度θで傾斜する傾
斜縁３５２、３６２を有する。傾斜縁３５２、３６２の
傾斜角度θは、４５度〜６０度の範囲内にあることが好
ましい。傾斜縁３５２、３６２は、更に、奥行き方向Ｈ
にほぼ同幅で延びる後方部３５３、３６３に連なる。
の沿って直線状に延びる端縁３５０、３６０を有し、そ
の終点Ｈ２から、奥行き寸法を増大させ、トラック幅方
向ＴＷの寸法を減少させる方向に、角度θで傾斜する傾
斜縁３５２、３６２を有する。傾斜縁３５２、３６２の
傾斜角度θは、４５度〜６０度の範囲内にあることが好
ましい。傾斜縁３５２、３６２は、更に、奥行き方向Ｈ
にほぼ同幅で延びる後方部３５３、３６３に連なる。
【００３３】図示実施例では、更に、平坦化膜３８を含
んでいる。電極膜３５、３６は、延長部分３５１、３６
１が平坦化膜３８の上に位置する。平坦化膜３８の表面
は、磁区制御膜３１１、３１２の表面位置とほぼ一致し
て折り、従って、電極膜３５、３６はほぼ同じ厚さをも
って、平面状に形成されることになる。平坦化膜３８
は、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2等の非磁性絶縁膜によって
構成することができる。
んでいる。電極膜３５、３６は、延長部分３５１、３６
１が平坦化膜３８の上に位置する。平坦化膜３８の表面
は、磁区制御膜３１１、３１２の表面位置とほぼ一致し
て折り、従って、電極膜３５、３６はほぼ同じ厚さをも
って、平面状に形成されることになる。平坦化膜３８
は、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2等の非磁性絶縁膜によって
構成することができる。
【００３４】上述したように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、読み取り素子３は、一対の磁区制御膜３
１１、３１２を含んでおり、一対の磁区制御膜３１１、
３１２のそれぞれは、磁気抵抗効果膜３００のトラック
幅方向ＴＷの相対する両端部の一端のそれぞれに対し、
トラック幅方向ＴＷと直交する奥行き方向Ｈにおいて、
ほぼ同幅で隣接ＡＢ１、ＡＢ２しているから、図７に示
すように、磁区制御膜３１１、３１２から磁気抵抗効果
膜３００に対して、トラック幅方向ＴＷの縦バイアス磁
界φｖが均一に印加され、バルクハウゼンノイズが抑制
される。このため、信号対ノイズ比が大きくなる。これ
を、仮に、磁区制御膜３１１、３１２が、図７の点線で
表示された電極膜３５、３６とほぼ同じ形状になった場
合は、ＳＶ膜の第１の強磁性層３０１が磁壁を持ち易く
なるため、バルクハウゼンノイズが発生し、信号対ノイ
ズ比が劣化する。
ッドにおいて、読み取り素子３は、一対の磁区制御膜３
１１、３１２を含んでおり、一対の磁区制御膜３１１、
３１２のそれぞれは、磁気抵抗効果膜３００のトラック
幅方向ＴＷの相対する両端部の一端のそれぞれに対し、
トラック幅方向ＴＷと直交する奥行き方向Ｈにおいて、
ほぼ同幅で隣接ＡＢ１、ＡＢ２しているから、図７に示
すように、磁区制御膜３１１、３１２から磁気抵抗効果
膜３００に対して、トラック幅方向ＴＷの縦バイアス磁
界φｖが均一に印加され、バルクハウゼンノイズが抑制
される。このため、信号対ノイズ比が大きくなる。これ
を、仮に、磁区制御膜３１１、３１２が、図７の点線で
表示された電極膜３５、３６とほぼ同じ形状になった場
合は、ＳＶ膜の第１の強磁性層３０１が磁壁を持ち易く
なるため、バルクハウゼンノイズが発生し、信号対ノイ
ズ比が劣化する。
【００３５】電極膜３５、３６のそれぞれは、磁区制御
膜３１１、３１２にそれぞれ備えられ、磁区制御膜３１
１、３１２が磁気抵抗効果膜３００とほぼ同幅を保つ領
域において、磁区制御膜３１１、３１２の奥行き方向Ｈ
の外部にはみ出す延長部分３５１、３６１を含んでい
る。
膜３１１、３１２にそれぞれ備えられ、磁区制御膜３１
１、３１２が磁気抵抗効果膜３００とほぼ同幅を保つ領
域において、磁区制御膜３１１、３１２の奥行き方向Ｈ
の外部にはみ出す延長部分３５１、３６１を含んでい
る。
【００３６】この構造によれば、図８に示すように、磁
気抵抗効果膜３００から離れた位置で電極面積を広げ、
電極膜３５、３６と磁気抵抗効果膜３００との隣接部分
ＡＢ１、ＡＢ２における電流集中現象を回避し、クラウ
ディング抵抗の増大を抑制できる。このため、リード抵
抗の上昇を回避し、高密度化及び狭トラック化された場
合でも、信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を十分に大きくと
れるようになる。
気抵抗効果膜３００から離れた位置で電極面積を広げ、
電極膜３５、３６と磁気抵抗効果膜３００との隣接部分
ＡＢ１、ＡＢ２における電流集中現象を回避し、クラウ
ディング抵抗の増大を抑制できる。このため、リード抵
抗の上昇を回避し、高密度化及び狭トラック化された場
合でも、信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を十分に大きくと
れるようになる。
【００３７】これを仮に、電極膜３５、３６の奥行き幅
を、図８に示す磁気抵抗効果膜３００及び磁区制御膜３
１１、３１２の奥行き寸法Ｈ１とほぼ同じにした場合に
は、電極膜３５、３６と磁気抵抗効果膜３００との隣接
部分ＡＢ１、ＡＢ２における電流集中現象が発生し、ク
ラウディング抵抗が増大する。
を、図８に示す磁気抵抗効果膜３００及び磁区制御膜３
１１、３１２の奥行き寸法Ｈ１とほぼ同じにした場合に
は、電極膜３５、３６と磁気抵抗効果膜３００との隣接
部分ＡＢ１、ＡＢ２における電流集中現象が発生し、ク
ラウディング抵抗が増大する。
【００３８】電流集中抑制作用、及び、クラウディング
抵抗増大抑制作用は、傾斜縁３５２、３６２の傾斜角度
θが６０度以下の範囲内に設定された場合に、特に顕著
に表れる。
抵抗増大抑制作用は、傾斜縁３５２、３６２の傾斜角度
θが６０度以下の範囲内に設定された場合に、特に顕著
に表れる。
【００３９】図９は傾斜角θとクラウディング抵抗
（Ω）との関係を示す測定データである。この測定デー
タは、次の条件で得られたものである。
（Ω）との関係を示す測定データである。この測定デー
タは、次の条件で得られたものである。
【００４０】磁気抵抗効果膜３００の抵抗：３０．８Ω
磁気抵抗効果膜３００の奥行き幅Ｈ１：０．２μｍ
センス電流Ｉｓ：５ｍＡ
電極膜：膜厚５００オングストロームのＡｕ膜
比抵抗２×１０-6（Ω・ｃｍ）
図９を見ると、傾斜角度θが６０度以下の範囲では、ク
ラウディング抵抗（Ω）は、２（Ω）以下の小さい値に
維持できる。しかも、傾斜角度θが６０度以下の範囲で
は、傾斜角度θの変化に対するクラウディング抵抗
（Ω）の変化量が小さい。これに対して、傾斜角度θが
６０度を超すと、クラウディング抵抗（Ω）が急激に上
昇する。
ラウディング抵抗（Ω）は、２（Ω）以下の小さい値に
維持できる。しかも、傾斜角度θが６０度以下の範囲で
は、傾斜角度θの変化に対するクラウディング抵抗
（Ω）の変化量が小さい。これに対して、傾斜角度θが
６０度を超すと、クラウディング抵抗（Ω）が急激に上
昇する。
【００４１】従って、傾斜角度θは、６０度≧θ≧０度
の範囲で選定することが好ましいことになる。
の範囲で選定することが好ましいことになる。
【００４２】磁気抵抗効果膜３００の奥行き寸法をＨ１
とし、延長部分３５１、３６１において直線状に延びる
端縁３５０、３６０の奥行き寸法Ｈ２としたとき、（Ｈ
２／Ｈ１）≧２を満たすことが好ましい。
とし、延長部分３５１、３６１において直線状に延びる
端縁３５０、３６０の奥行き寸法Ｈ２としたとき、（Ｈ
２／Ｈ１）≧２を満たすことが好ましい。
【００４３】図１０は（Ｈ２／Ｈ１）とクラウディング
抵抗（Ω）との関係を示す測定データである。この測定
データは、次の条件で得られたものである。
抵抗（Ω）との関係を示す測定データである。この測定
データは、次の条件で得られたものである。
【００４４】磁気抵抗効果膜３００の抵抗：３１Ω
磁気抵抗効果膜３００の奥行き幅Ｈ１：０．２μｍ
センス電流Ｉｓ：５ｍＡ
傾斜角度θ：４５度
上記条件において、延長部分３５１、３６１において直
線状に延びる端縁３５０、３６０の奥行き寸法Ｈ２を変
え、そのときのクラウディング抵抗（Ω）を測定した。
線状に延びる端縁３５０、３６０の奥行き寸法Ｈ２を変
え、そのときのクラウディング抵抗（Ω）を測定した。
【００４５】図１０に示すように、（Ｈ２／Ｈ１）≧２
の範囲ではクラウディング抵抗（Ω）は４（Ω）以下の
低抵抗になる。これに対して、（Ｈ２／Ｈ１）＜２の領
域ではクラウディング抵抗（Ω）は急激に増大する。従
って、（Ｈ２／Ｈ１）≧２を満たすことが好ましいこと
になる。
の範囲ではクラウディング抵抗（Ω）は４（Ω）以下の
低抵抗になる。これに対して、（Ｈ２／Ｈ１）＜２の領
域ではクラウディング抵抗（Ω）は急激に増大する。従
って、（Ｈ２／Ｈ１）≧２を満たすことが好ましいこと
になる。
【００４６】図１１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドに含
まれる読み取り素子の別の実施例を示す斜視図である。
図において、図３〜図５に表れた構成部分と同一の構成
部分については、同一の参照符号を付してある。この実
施例では、電極膜３５、３６は、先端部が磁気抵抗効果
膜３００の表面に、所定の重なり寸法で重なるリードオ
ーバレイ構造となっている。この実施例の場合も、先に
述べた作用効果を奏する。
まれる読み取り素子の別の実施例を示す斜視図である。
図において、図３〜図５に表れた構成部分と同一の構成
部分については、同一の参照符号を付してある。この実
施例では、電極膜３５、３６は、先端部が磁気抵抗効果
膜３００の表面に、所定の重なり寸法で重なるリードオ
ーバレイ構造となっている。この実施例の場合も、先に
述べた作用効果を奏する。
【００４７】図１２は本発明に係る薄膜磁気ヘッドに含
まれる読み取り素子の別の実施例を示す斜視図である。
図において、図３〜図５に表れた構成部分と同一の構成
部分については、同一の参照符号を付してある。図１２
は、平坦化膜を持たない構造を示している。他の構造
は、図３〜図５に示した実施例と同じである。
まれる読み取り素子の別の実施例を示す斜視図である。
図において、図３〜図５に表れた構成部分と同一の構成
部分については、同一の参照符号を付してある。図１２
は、平坦化膜を持たない構造を示している。他の構造
は、図３〜図５に示した実施例と同じである。
【００４８】この実施例の場合も、バルクハウゼンノイ
ズ抑制作用、及び、クラウディング抵抗低減作用が得ら
れる。
ズ抑制作用、及び、クラウディング抵抗低減作用が得ら
れる。
【００４９】図１３は図１２に示した実施例について、
（Ｈ２／Ｈ１）とクラウディング抵抗（Ω）との関係を
示す測定データである。この測定データは、次の条件で
得られたものである。
（Ｈ２／Ｈ１）とクラウディング抵抗（Ω）との関係を
示す測定データである。この測定データは、次の条件で
得られたものである。
【００５０】磁気抵抗効果膜３００の抵抗：３１Ω
磁気抵抗効果膜３００の奥行き幅Ｈ１：０．２μｍ
センス電流Ｉｓ：５ｍＡ
傾斜角度θ：４５度
上記条件において、延長部分３５１、３６１において直
線状に延びる端縁３５０、３６０の奥行き寸法Ｈ２を変
え、そのときのクラウディング抵抗（Ω）を測定した。
線状に延びる端縁３５０、３６０の奥行き寸法Ｈ２を変
え、そのときのクラウディング抵抗（Ω）を測定した。
【００５１】図１３に示すように、（Ｈ２／Ｈ１）≧２
の範囲ではクラウディング抵抗（Ω）は４（Ω）以下の
低抵抗になる。これに対して、（Ｈ２／Ｈ１）＜２の領
域ではクラウディング抵抗（Ω）は急激に増大する。従
って、（Ｈ２／Ｈ１）≧２を満たすことが好ましいこと
になる。
の範囲ではクラウディング抵抗（Ω）は４（Ω）以下の
低抵抗になる。これに対して、（Ｈ２／Ｈ１）＜２の領
域ではクラウディング抵抗（Ω）は急激に増大する。従
って、（Ｈ２／Ｈ１）≧２を満たすことが好ましいこと
になる。
【００５２】図１４〜図１６は本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドに含まれる読み取り素子の更に別々の実施例を示す
斜視図である。これらの図において、先に示された図面
に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の
参照符号を付し、重複説明は省略する。
ッドに含まれる読み取り素子の更に別々の実施例を示す
斜視図である。これらの図において、先に示された図面
に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の
参照符号を付し、重複説明は省略する。
【００５３】まず、図１４の実施例では、磁区制御膜３
１１、３１２は、強磁性膜３１３と反強磁性膜３１４と
を含み、強磁性膜３１３と反強磁性膜３１４との交換結
合による交換バイアス磁界を生じさせる。強磁性膜３１
３は磁気抵抗効果膜３００を構成する第１の強磁性層３
０１に隣接して設けられており、第１の強磁性層３０１
には、強磁性膜３１３と反強磁性膜３１４との交換結合
による交換バイアス磁界による縦方向バイアスが加わ
る。
１１、３１２は、強磁性膜３１３と反強磁性膜３１４と
を含み、強磁性膜３１３と反強磁性膜３１４との交換結
合による交換バイアス磁界を生じさせる。強磁性膜３１
３は磁気抵抗効果膜３００を構成する第１の強磁性層３
０１に隣接して設けられており、第１の強磁性層３０１
には、強磁性膜３１３と反強磁性膜３１４との交換結合
による交換バイアス磁界による縦方向バイアスが加わ
る。
【００５４】図１５の実施例では、磁区制御膜３１１、
３１２は、反強磁性膜３１５を含んでおり、この反強磁
性膜３１５と、磁気抵抗効果膜３００を構成する第１の
強磁性層３０１との間に交換結合を生じさせる。第１の
強磁性層３０１には、反強磁性膜３１４との交換結合に
よる交換バイアス磁界による縦方向バイアスが加わる。
３１２は、反強磁性膜３１５を含んでおり、この反強磁
性膜３１５と、磁気抵抗効果膜３００を構成する第１の
強磁性層３０１との間に交換結合を生じさせる。第１の
強磁性層３０１には、反強磁性膜３１４との交換結合に
よる交換バイアス磁界による縦方向バイアスが加わる。
【００５５】更に、図１６の実施例では、磁区制御膜３
１１、３１２は、硬磁性膜で構成されており、磁気抵抗
効果膜３００を構成する強磁性膜３０１の面に直接に隣
接させてある。
１１、３１２は、硬磁性膜で構成されており、磁気抵抗
効果膜３００を構成する強磁性膜３０１の面に直接に隣
接させてある。
【００５６】説明及び図示は省略するが、図１４〜図１
６の実施例の場合にも、特に矛盾を生じない限り、図１
〜図８を参照して説明した構造を採用できるし、また、
図９、図１０に示したような特性が期待できることはい
うまでもない。
６の実施例の場合にも、特に矛盾を生じない限り、図１
〜図８を参照して説明した構造を採用できるし、また、
図９、図１０に示したような特性が期待できることはい
うまでもない。
【００５７】図１７は本発明に係る磁気ヘッド装置の一
部を示す正面図、図１８は図１７に示した磁気ヘッド装
置の底面図である。磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッド
４と、ヘッド支持装置５とを含んでいる。薄膜磁気ヘッ
ド４は図１〜図１６を参照して説明にした本発明に係る
薄膜磁気ヘッドである。
部を示す正面図、図１８は図１７に示した磁気ヘッド装
置の底面図である。磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッド
４と、ヘッド支持装置５とを含んでいる。薄膜磁気ヘッ
ド４は図１〜図１６を参照して説明にした本発明に係る
薄膜磁気ヘッドである。
【００５８】ヘッド支持装置５は、金属薄板でなる支持
体５３の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄
板でなる可撓体５１を取付け、この可撓体５１の下面に
薄膜磁気ヘッド４を取付けた構造となっている。
体５３の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄
板でなる可撓体５１を取付け、この可撓体５１の下面に
薄膜磁気ヘッド４を取付けた構造となっている。
【００５９】可撓体５１は、支持体５３の長手方向軸線
と略平行して伸びる２つの外側枠部５５、５６と、支持
体５３から離れた端において外側枠部５５、５６を連結
する横枠５４と、横枠５４の略中央部から外側枠部５
５、５６に略平行するように延びていて先端を自由端と
した舌状片５２とを有する。
と略平行して伸びる２つの外側枠部５５、５６と、支持
体５３から離れた端において外側枠部５５、５６を連結
する横枠５４と、横枠５４の略中央部から外側枠部５
５、５６に略平行するように延びていて先端を自由端と
した舌状片５２とを有する。
【００６０】舌状片５２のほぼ中央部には、支持体５３
から隆起した、例えば半球状の荷重用突起５７が設けら
れている。この荷重用突起５７により、支持体５３の自
由端から舌状片５２へ荷重力が伝えられる。
から隆起した、例えば半球状の荷重用突起５７が設けら
れている。この荷重用突起５７により、支持体５３の自
由端から舌状片５２へ荷重力が伝えられる。
【００６１】舌状片５２の下面に薄膜磁気ヘッド４を接
着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド４０
は、空気流出側端側が横枠５４の方向になるように、舌
状片５２に取付けられている。本発明に適用可能なヘッ
ド支持装置５は、上記実施例に限らない。
着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド４０
は、空気流出側端側が横枠５４の方向になるように、舌
状片５２に取付けられている。本発明に適用可能なヘッ
ド支持装置５は、上記実施例に限らない。
【００６２】図１９は本発明に係る磁気記録再生装置の
平面図である。図示された磁気記録再生装置は、磁気ヘ
ッド装置６と、磁気ディスク７とを含む。磁気ヘッド装
置６は図１７、１８に図示したものである。磁気ヘッド
装置６は、ヘッド支持装置５の一端が位置決め装置８に
よって支持され、かつ、駆動される。磁気ヘッド装置の
薄膜磁気ヘッド４は、ヘッド支持装置５によって支持さ
れ、磁気ディスク７の磁気記録面と対向するように配置
される。
平面図である。図示された磁気記録再生装置は、磁気ヘ
ッド装置６と、磁気ディスク７とを含む。磁気ヘッド装
置６は図１７、１８に図示したものである。磁気ヘッド
装置６は、ヘッド支持装置５の一端が位置決め装置８に
よって支持され、かつ、駆動される。磁気ヘッド装置の
薄膜磁気ヘッド４は、ヘッド支持装置５によって支持さ
れ、磁気ディスク７の磁気記録面と対向するように配置
される。
【００６３】磁気ディスク７が、図示しない駆動装置に
より、矢印Ａ１の方向に回転駆動されると、薄膜磁気ヘ
ッド４が、微小浮上量で、磁気ディスク７の面から浮上
する。駆動方式としては、ロータリー．アクチュエータ
方式が一般的であるが、リニアアクチュエータ方式を採
用してもよい。図１９はロータリー．アクチュエータ方
式を示し、ヘッド支持装置５の先端部に取り付けられた
薄膜磁気ヘッド４が、磁気ディスク７の径方向ｂ１また
はｂ２に駆動される。そして、ヘッド支持装置５を回転
駆動する位置決め装置８により、薄膜磁気ヘッド４が、
磁気ディスク７上の所定のトラック位置に位置決めされ
る。
より、矢印Ａ１の方向に回転駆動されると、薄膜磁気ヘ
ッド４が、微小浮上量で、磁気ディスク７の面から浮上
する。駆動方式としては、ロータリー．アクチュエータ
方式が一般的であるが、リニアアクチュエータ方式を採
用してもよい。図１９はロータリー．アクチュエータ方
式を示し、ヘッド支持装置５の先端部に取り付けられた
薄膜磁気ヘッド４が、磁気ディスク７の径方向ｂ１また
はｂ２に駆動される。そして、ヘッド支持装置５を回転
駆動する位置決め装置８により、薄膜磁気ヘッド４が、
磁気ディスク７上の所定のトラック位置に位置決めされ
る。
【００６４】以上、好ましい実施例を参照して本発明の
内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及
び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を
採り得ることは自明である。
内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及
び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を
採り得ることは自明である。
【００６５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
密度化及び狭トラック化された場合でも、信号対ノイズ
比（Ｓ／Ｎ比）を十分に大きく採り得る薄膜磁気ヘッ
ド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供するこ
とができる。
密度化及び狭トラック化された場合でも、信号対ノイズ
比（Ｓ／Ｎ比）を十分に大きく採り得る薄膜磁気ヘッ
ド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供するこ
とができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの拡大断面図であ
る。
る。
【図３】読み取り素子の部分の拡大分解斜視図である。
【図４】図３に示した読み取り素子の部分の積層状態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図５】図３、図４に示した読み取り素子の部分をＡＢ
Ｓ面側から見た図である。
Ｓ面側から見た図である。
【図６】磁区制御膜に対する電極膜の相対関係を示す平
面図である。
面図である。
【図７】磁区制御膜の奥行き幅とバイアス磁界との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図８】電極膜の奥行き幅とセンス電流との関係を示す
図である。
図である。
【図９】傾斜角θとクラウディング抵抗（Ω）との関係
を示す測定データである。
を示す測定データである。
【図１０】（Ｈ２／Ｈ１）とクラウディング抵抗（Ω）
との関係を示す測定データである。
との関係を示す測定データである。
【図１１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドに含まれる読み
取り素子の別の実施例を示す斜視図である。
取り素子の別の実施例を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドに含まれる読み
取り素子の別の実施例を示す斜視図である。
取り素子の別の実施例を示す斜視図である。
【図１３】図１２に示した実施例について、（Ｈ２／Ｈ
１）とクラウディング抵抗（Ω）との関係を示す測定デ
ータである。
１）とクラウディング抵抗（Ω）との関係を示す測定デ
ータである。
【図１４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドに含まれる読み
取り素子の更に別の実施例を示す斜視図である。
取り素子の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドに含まれる読み
取り素子の更に別の実施例を示す斜視図である。
取り素子の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドに含まれる読み
取り素子の更に別の実施例を示す斜視図である。
取り素子の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１７】本発明に係る磁気ヘッド装置の一部を示す正
面図である。
面図である。
【図１８】図１７に示した磁気ヘッド装置の底面図であ
る。
る。
【図１９】本発明に係る磁気記録再生装置の平面図であ
る。
る。
２ 書き込み素子
３ 読み取り素子
３００ 磁気抵抗効果膜
３１１、３１２ 磁区制御膜
３５、３６ 電極膜
３５１、３６１ 延長部分
３５２、３６２ 傾斜縁
ＴＷ トラック幅方向
Ｈ 奥行き方向
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−255237（ＪＰ，Ａ)
特開2001−43512（ＪＰ，Ａ)
特開2000−200404（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−49829（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−326021（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−287421（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】 読み取り素子を有する薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記読み取り素子は、磁気抵抗効果膜と、一対の磁区制
御膜と、一対の電極膜とを含んでおり、 前記磁気抵抗効果膜は、外部から印加される磁界に応答
するものであり、 前記磁区制御膜のそれぞれは、前記磁気抵抗効果膜のト
ラック幅方向の両側において、横にのみ備えられ、前記
磁気抵抗効果膜に対し、前記トラック幅方向と直交する
奥行き方向においてほぼ同幅で隣接し、その幅を保って
トラック幅方向に伸びる部分を有しており、 前記電極膜のそれぞれは、前記磁区制御膜の上にそれぞ
れ備えられ、前記磁区制御膜が前記磁気抵抗効果膜とほ
ぼ同幅を保つ領域に重なり、前記領域から前記磁区制御
膜の奥行き方向の外部にはみ出す延長部分を含み、 前記延長部分は、前記磁気抵抗効果膜と隣接し前記奥行
き方向に直線状に延びる端縁を有するとともに、前記端
縁の終点から前記トラック幅方向の寸法を減少させる方
向に傾斜する傾斜縁を有しており、前記傾斜縁の傾斜角
度は０度よりは大きい６０度以下の範囲内にあり、前記磁気抵抗効果膜の奥行き寸法をＨ１とし、前記延長
部分において直線状に延びる端縁の奥行き寸法をＨ２と
したとき ４．５≧（Ｈ２／Ｈ１）≧２ を満たす薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、トラック幅は、０．５μｍ以下である薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、更に、平坦化膜を含み、前記一対の電極膜は、
少なくとも前記延長部分が前記平坦化膜の上に位置する
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッドであって、更にスライダを含み、前記スラ
イダは、前記読み取り素子を支持している薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果膜はスピンバ
ルブ膜または強磁性トンネル接合膜の何れかである薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項６】 薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを
含む磁気ヘッド装置であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、請求項１乃至５の何れかに記載
されたものでなり、 前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する
磁気ヘッド装置。 - 【請求項７】 磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含
む磁気記録再生装置であって、 前記磁気ヘッド装置は、請求項６に記載されたものでな
り、 前記磁気記録媒体は、前記磁気ヘッド装置と協働して磁
気記録再生を行う磁気記録再生装置。
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