JPH04182912A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH04182912A JPH04182912A JP2311492A JP31149290A JPH04182912A JP H04182912 A JPH04182912 A JP H04182912A JP 2311492 A JP2311492 A JP 2311492A JP 31149290 A JP31149290 A JP 31149290A JP H04182912 A JPH04182912 A JP H04182912A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
- Y10T29/49052—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing] by etching
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は磁気ディスク装置、あるいはＶＴＲ等の磁気テ
ープ装置用の再生専用磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
ープ装置用の再生専用磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
最近の磁気記録装置の記憶容量の増大に伴い、例えば磁
気ディスク装置ではトラック幅は数μｍになりつつある
。また、装置は小型になり低周速度になっている。この
ように狭く記録された信号を高Ｓ／Ｎに検出するヘッド
として、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型ヘ
ッドの開発が進められている。磁気抵抗効果型ヘッドは
、例えば第３図に示したような構造をしている。（例え
ば第１３回目本応用磁気学会学術講演概要集（１９８９
）ｐｐ２２８）この図はシャントバイアス型ヘッドとよ
ばれるヘッドである。磁気抵抗効果型ヘッドは基板１に
積層された下部シールド膜２、下部ギャップ膜３、磁気
抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電極６、上部ギ
ャップ膜７、および上部シールド膜８より構成される。 各膜厚は上下部シールド膜２．８を除き、一般に非常に
薄い。例えば。 磁気抵抗効果膜４は数１０ｎｍ、上部、下部ギャップ膜
３，７は０．２μｍ程度である。 磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、さらに高密度に記録さ
れた信号を高Ｓ／Ｈに再生しようとすると、磁気抵抗効
果膜４、上部、下部ギャップ膜７，３の膜厚をより小さ
くしなければならない。このように薄膜化されると、パ
ターニングにより下地膜がエツチングされ、最悪の場合
下地膜がなくなってしまうことさえ起こりうる。 特に、被エツチング膜が厚い場合に顕著となる。 第３図に示したヘッドでは、上部シールド膜８のエツチ
ング時における上部ギャップ膜７、さらには上部ギャッ
プ膜７の下に形成されている電極６のエツチングが問題
となる。 ［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は、高密度に記録された信号の再生に用い
る磁気抵抗効果型ヘッドを、高い歩留まりで作製可能な
ヘッド構造を捉供することである。一般に基板内、基板
間の膜厚分布、エツチング速度の分布等のために、被エ
ツチング膜の下に形成されている薄膜も多少なりともエ
ツチングされてしまう。特に、ヘッドの作製に多用され
ているイオンミリング法等の物理的エツチングを主とす
るエツチング法では顕著である。上述したように磁気抵
抗効果ヘッドは非常に薄い膜から構成されており、下地
膜のエツチングは歩留まりを著しく低下させる。 ［課題を解決するための手段］ 上記問題点を解決するために、本発明では被エツチング
膜の下に保護膜を形成した。保護膜の厚さを被エツチン
グ膜の膜厚分布、エツチング速度の分布を考慮して十分
に厚くしておくことで、上述の目的は達せられる。
気ディスク装置ではトラック幅は数μｍになりつつある
。また、装置は小型になり低周速度になっている。この
ように狭く記録された信号を高Ｓ／Ｎに検出するヘッド
として、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型ヘ
ッドの開発が進められている。磁気抵抗効果型ヘッドは
、例えば第３図に示したような構造をしている。（例え
ば第１３回目本応用磁気学会学術講演概要集（１９８９
）ｐｐ２２８）この図はシャントバイアス型ヘッドとよ
ばれるヘッドである。磁気抵抗効果型ヘッドは基板１に
積層された下部シールド膜２、下部ギャップ膜３、磁気
抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電極６、上部ギ
ャップ膜７、および上部シールド膜８より構成される。 各膜厚は上下部シールド膜２．８を除き、一般に非常に
薄い。例えば。 磁気抵抗効果膜４は数１０ｎｍ、上部、下部ギャップ膜
３，７は０．２μｍ程度である。 磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、さらに高密度に記録さ
れた信号を高Ｓ／Ｈに再生しようとすると、磁気抵抗効
果膜４、上部、下部ギャップ膜７，３の膜厚をより小さ
くしなければならない。このように薄膜化されると、パ
ターニングにより下地膜がエツチングされ、最悪の場合
下地膜がなくなってしまうことさえ起こりうる。 特に、被エツチング膜が厚い場合に顕著となる。 第３図に示したヘッドでは、上部シールド膜８のエツチ
ング時における上部ギャップ膜７、さらには上部ギャッ
プ膜７の下に形成されている電極６のエツチングが問題
となる。 ［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は、高密度に記録された信号の再生に用い
る磁気抵抗効果型ヘッドを、高い歩留まりで作製可能な
ヘッド構造を捉供することである。一般に基板内、基板
間の膜厚分布、エツチング速度の分布等のために、被エ
ツチング膜の下に形成されている薄膜も多少なりともエ
ツチングされてしまう。特に、ヘッドの作製に多用され
ているイオンミリング法等の物理的エツチングを主とす
るエツチング法では顕著である。上述したように磁気抵
抗効果ヘッドは非常に薄い膜から構成されており、下地
膜のエツチングは歩留まりを著しく低下させる。 ［課題を解決するための手段］ 上記問題点を解決するために、本発明では被エツチング
膜の下に保護膜を形成した。保護膜の厚さを被エツチン
グ膜の膜厚分布、エツチング速度の分布を考慮して十分
に厚くしておくことで、上述の目的は達せられる。
以下、本発明の作用を第１図を用いて説明する。第１図
は第３図（ｂ）のＡ−Ａ’断面に対応する図である。初
めに、基板１上に下部シールド２、下部ギャップ膜３、
磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電極６、上
部ギャップ膜７を形成する。その後、保護膜９を形成す
る。 保護Ｍ９は電気的絶縁材料で、摺動面には達しておらず
、かつ上部ギャップ膜７、電極６を被覆している。続い
て保護膜９上に上部シールド膜８を成膜し、パターニン
グする。上部シールド膜８の一端は保護膜９に達するよ
うに形成する。このようにすることにより、上部シール
ド膜８のエツチング時において電極６、上部ギャップ膜
７がエツチングされることを防止できる。 電極６は外部の配線と接続しなければならないが、保護
膜の一部を除去することで可能となる。 保護膜の厚さは、上部シールド膜８の膜厚分布、エツチ
ング速度の分布を考慮して決めるが、通常１μｍもあれ
ば十分である。また、保護膜９の材質は保護膜９形成後
の工程の、特に熱処理に耐えるものであればＡ１□○１
等の無機材料、あるいはホトレジストのような有機材料
のどちらであってもかまわない。 ［実施例］ 以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。 〔実施例１〕 第１図を用いて述べる。基板１はＡ１２０１−ＴｉＣ板
である。先ず、基板１上に下部シールド膜２を成膜する
。下部シールド膜２はＮｉＦｅ合金薄膜で、スパッタリ
ング法で成膜した。膜厚は３μｍである。パターニング
はホトレジスト膜をマスクとしてイオンミリング法で行
った。続いて下部ギャップ膜３としてＡ１□Ｏ１をスパ
ッタリング法で成膜した。膜厚は０゜１９μｍである。 下部ギャップ膜３上に磁気抵抗効果膜４．およびシャン
トバイアス膜５となるＮｉＦｅ、Ｎｂ膜を連続的に成膜
する。成膜は真空蒸着法で行った。それぞれの膜厚は２
５ｎｍ、３６ｒｚｎである。両膜のパターニングは、ホ
トレジスト膜をマスクとしたイオンミリング法で一括し
て行った。この工程においても下部ギャップ膜３がエツ
チングされるが、その量は数ｎｍ程度であり問題はない
。これは磁気抵抗効果膜４．およびシャントバイアス膜
５の膜厚が薄いこと、さらに両膜に比較し下部ギャップ
膜であるＡ１□Ｏ３のミリング速度が小さいためである
。次に、電極６を形成する。ここでは、Ｃｒ ／ Ｃｕ
／ Ｃｒ積層膜を用いた。下層のＣｒ膜は下地膜との
付着力を高め、上層のＣｒ膜は付着力向上の他に工程中
でのＣｕの酸化を防止するための膜である。膜厚はそれ
ぞれ０．０２．０．４．０．０２μｍとした。パターニ
ングは上記同様ホトレジスト膜をマスクにイオンミリン
グ法で行った。この工程ではシャントバイアス膜５、お
よび下部ギャップ膜３の両膜がエツチングされるが、そ
の量はわずかである。これはＣｒ膜が非常に薄いこと、
Ｃｕのミリング速度が下部ギャップ膜３である Ａ１□○３、シャント膜であるＮｂに比較し大きいため
にである。上部ギャップ膜７は下部ギャップ膜３と同じ
Ａ１□０３で形成した。膜厚は０．１５μｍである９す
なわち、上部、下部シールド間隔で約０．４μｍとなる
。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクにイ
オンミリング法で行なった。上部ギャップ膜７のパター
ニングでは電極６のエツチングが問題となる、この工程
では、下地膜である電極５の方が上部ギャップ膜７であ
るＡ１□Ｏ１よりミリング速度が大きい。電極５がエツ
チングされる時間は、上部ギャップ膜７のエツチング時
間の約１０％程度であった。Ａ１□Ｑ□に対するＣｕの
ミリング速度比は約５であるから、電極５は約７５ｎｍ
エツチングされるが、上述したように電極５の膜厚は約
０．４μｍあり問題にはならない。次に保護膜９を形成
する。保護膜９にはホトレジスト膜（ＯＦＰＲ８００、
東京応化社製）を用いた。ホトレジスト膜は回転塗布法
で成膜し、膜厚は１μｍとした。露光、現像を行ない、
ホトレジスト膜で電極５および電極５上の上部ギャップ
膜７の一部を被覆する。また、ホトレジスト膜は２５０
℃、３時間の熱処理を行ない、後の工程での熱処理に耐
えるようにした。次に、上部シールド膜８となるＮ ｉ
Ｆ ｅ膜をスパッタリング法で成膜する。膜厚は１μ
ｍである。パターニングはホトレジスト膜をマスクにイ
オンミリング法で行った。上部シールド膜のエツチング
では保護膜９がエツチングされる。保護膜９がエツチン
グされる時間は、上記同様上部シールド膜８のエツチン
グ時間の約１０％程度である。上部シールド膜であるＮ
ｉＦｅ膜と保護膜９であるホトレジスト膜のミリング速
度はほぼ同じであるから、保護膜９のエツチング量は約
０．１μｍｌ程度である。保護膜９の初期の膜厚は１μ
ｍであるがら、十分に電極５、および上部ギャップ膜７
を保護できる。ここでは保護膜９の膜厚を１μｍとした
が、上部シールド膜８のエツチングに対し電極５、上部
ギャップ膜７を保護できればよく、最小では０．１μｍ
でもよい。ただし、プロセスのマージンを考慮すれば０
．２μｍ以上が好ましい。 最後に外部との接続を行うために保護膜９にスルーホー
ルを形成する。ここでは、レジスト膜をマスクに酸素ガ
スを用いた反応性イオンエツチング法でパターニングし
た。 本実施例ではシャントバイアス型のヘッドについて述べ
たが、ソフトバイアス型、シャントバイアス型とソフト
バイアス型を組合せた複合バイアス型等の他のバイアス
方式のヘッドでも本発明は有効である。 また、磁気抵抗効果膜４の両端に磁区制御用の膜、が形
成さおだヘッドでも、同様な効果がある。なお、磁区制
御膜としてはＦ ｅ Ｍ、 ｎ反強磁性膜などがある。 〔実施例２〕 他の実施例として以下の方法もある。本実施例はヘッド
ノイズの低減、およびプロセスの簡略化を目的にしてい
る。ヘッドノイズを下げるためには電極６の電気抵抗を
小さくすることが有効である。第２図に本実施例による
ヘッドの断面構造を示す。本図は第３図のＡ−Ａ’断面
に相当する図である。本実施例では、電極６の上に電極
６の電気抵抗を低減するために導体層１０を形成した。 導体ｆｆ１ｏは電極６より若干大きくしておくほうが望
ましい。導体層１０としては上部シールド膜８で兼用さ
せることが有効で、工程数を増すことなく電気抵抗を低
減できる。また、上記実施例１では保護膜９で電極６上
の全面を被覆した後、スルーホールを形成した。しかし
、本実施例では露光、現像工程ではじめからスルーホー
ルを形成しておき、かっ上部シールド膜８で形成される
導体層１０が保護膜９の一部を覆うように形成した。こ
のようにすることにより、上部シールド膜８のエツチン
グ工程で電極６および上部ギャップ膜７がエツチングさ
れるのを防止できるとともに、保護膜９のスルーホール
形成工程を省略できる。 電極５の電気抵抗をより下げるためには、電極６の下に
導体層を形成することも有効である。 例えば、下部シールド膜２で導体層を構成するようにす
れば、工程数を増すことなく電気抵抗を低減できる。
は第３図（ｂ）のＡ−Ａ’断面に対応する図である。初
めに、基板１上に下部シールド２、下部ギャップ膜３、
磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電極６、上
部ギャップ膜７を形成する。その後、保護膜９を形成す
る。 保護Ｍ９は電気的絶縁材料で、摺動面には達しておらず
、かつ上部ギャップ膜７、電極６を被覆している。続い
て保護膜９上に上部シールド膜８を成膜し、パターニン
グする。上部シールド膜８の一端は保護膜９に達するよ
うに形成する。このようにすることにより、上部シール
ド膜８のエツチング時において電極６、上部ギャップ膜
７がエツチングされることを防止できる。 電極６は外部の配線と接続しなければならないが、保護
膜の一部を除去することで可能となる。 保護膜の厚さは、上部シールド膜８の膜厚分布、エツチ
ング速度の分布を考慮して決めるが、通常１μｍもあれ
ば十分である。また、保護膜９の材質は保護膜９形成後
の工程の、特に熱処理に耐えるものであればＡ１□○１
等の無機材料、あるいはホトレジストのような有機材料
のどちらであってもかまわない。 ［実施例］ 以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。 〔実施例１〕 第１図を用いて述べる。基板１はＡ１２０１−ＴｉＣ板
である。先ず、基板１上に下部シールド膜２を成膜する
。下部シールド膜２はＮｉＦｅ合金薄膜で、スパッタリ
ング法で成膜した。膜厚は３μｍである。パターニング
はホトレジスト膜をマスクとしてイオンミリング法で行
った。続いて下部ギャップ膜３としてＡ１□Ｏ１をスパ
ッタリング法で成膜した。膜厚は０゜１９μｍである。 下部ギャップ膜３上に磁気抵抗効果膜４．およびシャン
トバイアス膜５となるＮｉＦｅ、Ｎｂ膜を連続的に成膜
する。成膜は真空蒸着法で行った。それぞれの膜厚は２
５ｎｍ、３６ｒｚｎである。両膜のパターニングは、ホ
トレジスト膜をマスクとしたイオンミリング法で一括し
て行った。この工程においても下部ギャップ膜３がエツ
チングされるが、その量は数ｎｍ程度であり問題はない
。これは磁気抵抗効果膜４．およびシャントバイアス膜
５の膜厚が薄いこと、さらに両膜に比較し下部ギャップ
膜であるＡ１□Ｏ３のミリング速度が小さいためである
。次に、電極６を形成する。ここでは、Ｃｒ ／ Ｃｕ
／ Ｃｒ積層膜を用いた。下層のＣｒ膜は下地膜との
付着力を高め、上層のＣｒ膜は付着力向上の他に工程中
でのＣｕの酸化を防止するための膜である。膜厚はそれ
ぞれ０．０２．０．４．０．０２μｍとした。パターニ
ングは上記同様ホトレジスト膜をマスクにイオンミリン
グ法で行った。この工程ではシャントバイアス膜５、お
よび下部ギャップ膜３の両膜がエツチングされるが、そ
の量はわずかである。これはＣｒ膜が非常に薄いこと、
Ｃｕのミリング速度が下部ギャップ膜３である Ａ１□○３、シャント膜であるＮｂに比較し大きいため
にである。上部ギャップ膜７は下部ギャップ膜３と同じ
Ａ１□０３で形成した。膜厚は０．１５μｍである９す
なわち、上部、下部シールド間隔で約０．４μｍとなる
。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクにイ
オンミリング法で行なった。上部ギャップ膜７のパター
ニングでは電極６のエツチングが問題となる、この工程
では、下地膜である電極５の方が上部ギャップ膜７であ
るＡ１□Ｏ１よりミリング速度が大きい。電極５がエツ
チングされる時間は、上部ギャップ膜７のエツチング時
間の約１０％程度であった。Ａ１□Ｑ□に対するＣｕの
ミリング速度比は約５であるから、電極５は約７５ｎｍ
エツチングされるが、上述したように電極５の膜厚は約
０．４μｍあり問題にはならない。次に保護膜９を形成
する。保護膜９にはホトレジスト膜（ＯＦＰＲ８００、
東京応化社製）を用いた。ホトレジスト膜は回転塗布法
で成膜し、膜厚は１μｍとした。露光、現像を行ない、
ホトレジスト膜で電極５および電極５上の上部ギャップ
膜７の一部を被覆する。また、ホトレジスト膜は２５０
℃、３時間の熱処理を行ない、後の工程での熱処理に耐
えるようにした。次に、上部シールド膜８となるＮ ｉ
Ｆ ｅ膜をスパッタリング法で成膜する。膜厚は１μ
ｍである。パターニングはホトレジスト膜をマスクにイ
オンミリング法で行った。上部シールド膜のエツチング
では保護膜９がエツチングされる。保護膜９がエツチン
グされる時間は、上記同様上部シールド膜８のエツチン
グ時間の約１０％程度である。上部シールド膜であるＮ
ｉＦｅ膜と保護膜９であるホトレジスト膜のミリング速
度はほぼ同じであるから、保護膜９のエツチング量は約
０．１μｍｌ程度である。保護膜９の初期の膜厚は１μ
ｍであるがら、十分に電極５、および上部ギャップ膜７
を保護できる。ここでは保護膜９の膜厚を１μｍとした
が、上部シールド膜８のエツチングに対し電極５、上部
ギャップ膜７を保護できればよく、最小では０．１μｍ
でもよい。ただし、プロセスのマージンを考慮すれば０
．２μｍ以上が好ましい。 最後に外部との接続を行うために保護膜９にスルーホー
ルを形成する。ここでは、レジスト膜をマスクに酸素ガ
スを用いた反応性イオンエツチング法でパターニングし
た。 本実施例ではシャントバイアス型のヘッドについて述べ
たが、ソフトバイアス型、シャントバイアス型とソフト
バイアス型を組合せた複合バイアス型等の他のバイアス
方式のヘッドでも本発明は有効である。 また、磁気抵抗効果膜４の両端に磁区制御用の膜、が形
成さおだヘッドでも、同様な効果がある。なお、磁区制
御膜としてはＦ ｅ Ｍ、 ｎ反強磁性膜などがある。 〔実施例２〕 他の実施例として以下の方法もある。本実施例はヘッド
ノイズの低減、およびプロセスの簡略化を目的にしてい
る。ヘッドノイズを下げるためには電極６の電気抵抗を
小さくすることが有効である。第２図に本実施例による
ヘッドの断面構造を示す。本図は第３図のＡ−Ａ’断面
に相当する図である。本実施例では、電極６の上に電極
６の電気抵抗を低減するために導体層１０を形成した。 導体ｆｆ１ｏは電極６より若干大きくしておくほうが望
ましい。導体層１０としては上部シールド膜８で兼用さ
せることが有効で、工程数を増すことなく電気抵抗を低
減できる。また、上記実施例１では保護膜９で電極６上
の全面を被覆した後、スルーホールを形成した。しかし
、本実施例では露光、現像工程ではじめからスルーホー
ルを形成しておき、かっ上部シールド膜８で形成される
導体層１０が保護膜９の一部を覆うように形成した。こ
のようにすることにより、上部シールド膜８のエツチン
グ工程で電極６および上部ギャップ膜７がエツチングさ
れるのを防止できるとともに、保護膜９のスルーホール
形成工程を省略できる。 電極５の電気抵抗をより下げるためには、電極６の下に
導体層を形成することも有効である。 例えば、下部シールド膜２で導体層を構成するようにす
れば、工程数を増すことなく電気抵抗を低減できる。
本発明によれば、電極６および上部ギャップ膜７は保護
膜９で被覆されているにのために、厚い上部シールド膜
８のエツチング工程において電極６．上部ギャップ膜７
がエツチングされることを防止でる。特に電極６、上部
ギャップ膜７が薄い場合にその効果は顕著であった。例
えば、上記実施例１の膜厚を持つヘッドの歩留まりは、
保護膜９がないと約３０％であったが、保護膜９を形成
した本発明によるヘットでは１００％であった。 また、電極６上に上部シールド膜８を積層した結果、約
２Ω低減できた。下部シールド膜でも電極を兼用させる
よにすれば、その効果はさらに顕著となる。
膜９で被覆されているにのために、厚い上部シールド膜
８のエツチング工程において電極６．上部ギャップ膜７
がエツチングされることを防止でる。特に電極６、上部
ギャップ膜７が薄い場合にその効果は顕著であった。例
えば、上記実施例１の膜厚を持つヘッドの歩留まりは、
保護膜９がないと約３０％であったが、保護膜９を形成
した本発明によるヘットでは１００％であった。 また、電極６上に上部シールド膜８を積層した結果、約
２Ω低減できた。下部シールド膜でも電極を兼用させる
よにすれば、その効果はさらに顕著となる。
第１図、第２図はそれぞれ本発明によるシャントバイア
ス型の磁気抵抗効果型ヘッドの断面図、第３図は従来の
シャントバイアス型磁気抵抗効果型ヘッドの平面図及び
断面図である。 符号の説明 １−ｍ−基板 ２−ｍ−下部シールド膜 ３−ｍ−下部ギャップ膜 ４−ｍ−磁気抵抗効果膜 ５−ｍ−シヤントバイアス膜 ６−−−電極 ７一−−上部ギャップ膜 ８−ｍ−上部シールド膜 ９−ｍ−保護膜 １０−−一導体膜 代理人 弁理士 小川勝男丈−ノ 第 １ 口 光 ３ 口 （α）平面口 ８゜ （ｂン △−Ａ ′ １ｉｌＴ 面
ス型の磁気抵抗効果型ヘッドの断面図、第３図は従来の
シャントバイアス型磁気抵抗効果型ヘッドの平面図及び
断面図である。 符号の説明 １−ｍ−基板 ２−ｍ−下部シールド膜 ３−ｍ−下部ギャップ膜 ４−ｍ−磁気抵抗効果膜 ５−ｍ−シヤントバイアス膜 ６−−−電極 ７一−−上部ギャップ膜 ８−ｍ−上部シールド膜 ９−ｍ−保護膜 １０−−一導体膜 代理人 弁理士 小川勝男丈−ノ 第 １ 口 光 ３ 口 （α）平面口 ８゜ （ｂン △−Ａ ′ １ｉｌＴ 面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成された上部、下部シールド膜、磁気抵
抗効果膜、該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加する
バイアス膜、上記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された
電極、上記磁気抵抗効果膜および電極と上記上部、下部
シールド膜間に形成されたギャップ膜よりなる磁気抵抗
効果型ヘッドにおいて、上記上部ギャップ膜、および電
極の少なくとも１部に保護膜が形成され、かつ上記上部
シールド膜の１部が上記保護膜上に形成されていること
を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 ２、特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型ヘッド
において、前記電極上に電気的導体層が積層され、かつ
該導体層の一部が前記保護膜上に形成されていることを
特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載の磁気抵抗
効果型ヘッドにおいて、前記電気的導体層の少なくとも
一部が前記上部シールド膜と同じ元素、組成で構成され
ていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 ４、特許請求の範囲第１項〜第３項のうちいずれかに記
載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記保護膜が有機
高分子材料であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 ５、特許請求の範囲第１項〜第３項のうちいずれかに記
載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記保護膜がＡｌ
、あるいはＳｉの酸化物、あるいは窒化物であることを
特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311492A JP2901749B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| US07/792,630 US5212609A (en) | 1990-11-19 | 1991-11-15 | Magnetoresistive head |
| US07/927,955 US5371643A (en) | 1990-11-19 | 1992-08-11 | Magnetoresistive head structure that prevents under film from undesirable etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311492A JP2901749B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9313106A Division JP3008909B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| JP31722498A Division JP3204229B2 (ja) | 1990-11-19 | 1998-11-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| JP31722598A Division JP3204230B2 (ja) | 1990-11-19 | 1998-11-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182912A true JPH04182912A (ja) | 1992-06-30 |
| JP2901749B2 JP2901749B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=18017885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311492A Expired - Lifetime JP2901749B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2901749B2 (ja) |
Cited By (2)
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| JP2854513B2 (ja) * | 1993-10-21 | 1999-02-03 | アルプス電気株式会社 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5467881A (en) * | 1994-06-28 | 1995-11-21 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing an MR read head which eliminates lead-to-shield shorts at the ABS of the MR read head |
| TW273618B (ja) * | 1994-08-25 | 1996-04-01 | Ibm | |
| US5665251A (en) * | 1994-11-23 | 1997-09-09 | International Business Machines Corporation | RIE image transfer process for plating |
| US5568335A (en) * | 1994-12-29 | 1996-10-22 | International Business Machines Corporation | Multi-layer gap structure for high resolution magnetoresistive read head |
| SG34292A1 (en) * | 1994-12-30 | 1996-12-06 | Ibm | Read/write magnetoresistive (MR) head with sunken components |
| US5752309A (en) * | 1996-06-14 | 1998-05-19 | Quantum Corporation | Method and apparatus for precisely dimensioning pole tips of a magnetic transducing head structure |
| US5867890A (en) * | 1997-12-17 | 1999-02-09 | International Business Machines Corporation | Method for making a thin film merged magnetoresistive read/inductive write head having a pedestal pole tip |
| US6209193B1 (en) * | 1998-08-24 | 2001-04-03 | International Business Machines Corporation | Method of making read sensor with self-aligned low resistance leads |
| US6085406A (en) * | 1998-10-21 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Method of making a read head with improved lead layers at an air bearing surface |
| US6762910B1 (en) | 1999-06-03 | 2004-07-13 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having inset extra gap insulation layer and method of fabrication |
| US6801408B1 (en) | 2000-11-02 | 2004-10-05 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having a planar sensor element and an extra gap and method of fabrication thereof |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045922A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-12 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| JPH0646447B2 (ja) * | 1984-07-25 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS63292405A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-29 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 垂直磁気記録用磁気ヘツド |
| US4940511A (en) * | 1988-03-28 | 1990-07-10 | International Business Machines Corporation | Method for making a magnetoresistive read transducer |
| US4879619A (en) * | 1988-03-28 | 1989-11-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer |
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| US5059278A (en) * | 1990-09-28 | 1991-10-22 | Seagate Technology | Selective chemical removal of coil seed-layer in thin film head magnetic transducer |
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-
1990
- 1990-11-19 JP JP2311492A patent/JP2901749B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-11-15 US US07/792,630 patent/US5212609A/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH0443770B2 (ja) * | 1988-07-28 | 1992-07-17 | Canon Kk | |
| US5701221A (en) * | 1994-04-06 | 1997-12-23 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive thin-film magnetic head and method of fabrication thereof |
| US5897969A (en) * | 1994-04-06 | 1999-04-27 | Hitachi, Ltd. | Method of fabricating a magnetoresistive thin-film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5212609A (en) | 1993-05-18 |
| JP2901749B2 (ja) | 1999-06-07 |
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