JP3538343B2 - 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置Info
- Publication number
- JP3538343B2 JP3538343B2 JP20491299A JP20491299A JP3538343B2 JP 3538343 B2 JP3538343 B2 JP 3538343B2 JP 20491299 A JP20491299 A JP 20491299A JP 20491299 A JP20491299 A JP 20491299A JP 3538343 B2 JP3538343 B2 JP 3538343B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- layer
- sensor
- magnetoresistive head
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気媒体から情報
信号を読み取るための磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
特に静電気による絶縁層の破壊を防止する構造を有する
磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
信号を読み取るための磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
特に静電気による絶縁層の破壊を防止する構造を有する
磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記憶装置の小型化、高性能化
に伴い、磁気媒体から情報信号を読み取るためのヘッド
として、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型ヘッド
（以下、ＭＲヘッドと呼ぶ）が使用されている。図１に
ＭＲヘッドの一例を示す。ＭＲヘッドは情報を書き込む
ために電磁誘導を利用した記録ヘッド１と、磁気媒体か
らの情報信号を読み込むために磁気抵抗効果（ＭＲ）或
いは巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用した再生ヘッド
２の複合構造をしている。
に伴い、磁気媒体から情報信号を読み取るためのヘッド
として、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型ヘッド
（以下、ＭＲヘッドと呼ぶ）が使用されている。図１に
ＭＲヘッドの一例を示す。ＭＲヘッドは情報を書き込む
ために電磁誘導を利用した記録ヘッド１と、磁気媒体か
らの情報信号を読み込むために磁気抵抗効果（ＭＲ）或
いは巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用した再生ヘッド
２の複合構造をしている。
【０００３】図２に磁気媒体対向面から見た再生ヘッド
の構造の一例を示す。再生ヘッドは下部シールド層１０
と上部シールド層６０との間にＭＲセンサ３０、電極層
４０、下部絶縁層２０、上部絶縁層５０などで形成され
る。一般にＭＲセンサ３０の両側にはＭＲセンサ３０に
縦バイアス磁界を与えるバイアス層が設けられている
が、本発明の説明では電極層の中にバイアス層が含まれ
ているものとし、説明を省略する（一般にバイアス層と
電極層は連続成膜される）。
の構造の一例を示す。再生ヘッドは下部シールド層１０
と上部シールド層６０との間にＭＲセンサ３０、電極層
４０、下部絶縁層２０、上部絶縁層５０などで形成され
る。一般にＭＲセンサ３０の両側にはＭＲセンサ３０に
縦バイアス磁界を与えるバイアス層が設けられている
が、本発明の説明では電極層の中にバイアス層が含まれ
ているものとし、説明を省略する（一般にバイアス層と
電極層は連続成膜される）。
【０００４】下部絶縁層２０、上部絶縁層５０は、それ
ぞれＭＲセンサ３０と下部シールド層１０、上部シール
ド層６０を磁気的および電気的に分離する役割を担って
いる。そのため絶縁層の材料として、一般に非磁性でか
つ電気的絶縁性の良い酸化アルミニウム膜、あるいは酸
化珪素を用いている。ここで、ＭＲセンサ３０を挟んで
いる部分の下部シールド層１０と上部シールド層６０の
間隔をギャップ長ＧＬと定義する。磁気記録装置におい
て前記ギャップ長ＧＬはビット長に関連する重要なパラ
メータである。
ぞれＭＲセンサ３０と下部シールド層１０、上部シール
ド層６０を磁気的および電気的に分離する役割を担って
いる。そのため絶縁層の材料として、一般に非磁性でか
つ電気的絶縁性の良い酸化アルミニウム膜、あるいは酸
化珪素を用いている。ここで、ＭＲセンサ３０を挟んで
いる部分の下部シールド層１０と上部シールド層６０の
間隔をギャップ長ＧＬと定義する。磁気記録装置におい
て前記ギャップ長ＧＬはビット長に関連する重要なパラ
メータである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】磁気記憶装置は年々小
型化、高性能化しており、それに伴って情報を読み出す
再生ヘッドのギャップ長ＧＬが年々狭くなっている。そ
れに伴い、下部絶縁層２０、上部絶縁層５０の膜厚も薄
くなる傾向にある。
型化、高性能化しており、それに伴って情報を読み出す
再生ヘッドのギャップ長ＧＬが年々狭くなっている。そ
れに伴い、下部絶縁層２０、上部絶縁層５０の膜厚も薄
くなる傾向にある。
【０００６】磁気ヘッド製造プロセス、組立工程中など
で生じる静電気の量が一定ならば、下部絶縁層２０、上
部絶縁層５０の膜厚の膜厚が狭くなると、これら絶縁層
に印加される電界が増大し、絶縁破壊を起こしやすくな
る。絶縁破壊を回避する根本対策は、磁気ヘッド製造プ
ロセス、組立工程中など各工程で静電気が蓄積されない
ようにすることである。しかるに、現状では静電気の発
生を防止できないでいる。
で生じる静電気の量が一定ならば、下部絶縁層２０、上
部絶縁層５０の膜厚の膜厚が狭くなると、これら絶縁層
に印加される電界が増大し、絶縁破壊を起こしやすくな
る。絶縁破壊を回避する根本対策は、磁気ヘッド製造プ
ロセス、組立工程中など各工程で静電気が蓄積されない
ようにすることである。しかるに、現状では静電気の発
生を防止できないでいる。
【０００７】このように、上部シールド層と下部シール
ド層との間のギャップ長が小さくなり下部絶縁層および
上部絶縁層が薄くなると、磁気ヘッドの製造工程で発生
する静電気によっては絶縁破壊を起こしやすくなる。そ
こで、下部絶縁層２０、および上部絶縁層５０の構造を
改善し、多少の静電気が発生しても絶縁破壊を起こさな
い構造を提供することが、本発明の課題である。
ド層との間のギャップ長が小さくなり下部絶縁層および
上部絶縁層が薄くなると、磁気ヘッドの製造工程で発生
する静電気によっては絶縁破壊を起こしやすくなる。そ
こで、下部絶縁層２０、および上部絶縁層５０の構造を
改善し、多少の静電気が発生しても絶縁破壊を起こさな
い構造を提供することが、本発明の課題である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は主として次のような構成を採用する。
に、本発明は主として次のような構成を採用する。
【０００９】下部シールド層と上部シールド層との間に
あって磁気抵抗効果又は巨大磁気抵抗効果を有する薄膜
を含むＭＲセンサと、前記ＭＲセンサに縦バイアス磁界
を与えるバイアス層と、前記ＭＲセンサに検知電流を供
給する電極層と、前記ＭＲセンサと前記下部シールド層
との間にある下部絶縁層と、前記ＭＲセンサと前記上部
シールド層との間にある上部絶縁層と、を備えた磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、前記上部絶縁層が２層以上の
多層膜からなり、前記上部絶縁層のうち前記ＭＲセンサ
と接する部分の絶縁層、および前記上部絶縁層のうち前
記上部シールド層と接する部分の絶縁層の両方が、窒化
珪素膜又は窒化酸化珪素膜で形成されている磁気抵抗効
果型ヘッド。
あって磁気抵抗効果又は巨大磁気抵抗効果を有する薄膜
を含むＭＲセンサと、前記ＭＲセンサに縦バイアス磁界
を与えるバイアス層と、前記ＭＲセンサに検知電流を供
給する電極層と、前記ＭＲセンサと前記下部シールド層
との間にある下部絶縁層と、前記ＭＲセンサと前記上部
シールド層との間にある上部絶縁層と、を備えた磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、前記上部絶縁層が２層以上の
多層膜からなり、前記上部絶縁層のうち前記ＭＲセンサ
と接する部分の絶縁層、および前記上部絶縁層のうち前
記上部シールド層と接する部分の絶縁層の両方が、窒化
珪素膜又は窒化酸化珪素膜で形成されている磁気抵抗効
果型ヘッド。
【００１０】また、下部シールド層と上部シールド層と
の間にあって磁気抵抗効果又は巨大磁気抵抗効果を有す
る薄膜を含むＭＲセンサと、前記ＭＲセンサに縦バイア
ス磁界を与えるバイアス層と、前記ＭＲセンサに検知電
流を供給する電極層と、前記ＭＲセンサと前記下部シー
ルド層との間にある下部絶縁層と、前記ＭＲセンサと前
記上部シールド層との間にある上部絶縁層と、を備えた
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記下部絶縁層が２層
以上の多層膜からなり、前記下部絶縁層のうち前記ＭＲ
センサと接する部分の絶縁層、および前記上部絶縁層の
うち前記下部シールド層と接する部分の絶縁層の両方
が、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜で形成されている磁
気抵抗効果型ヘッド。
の間にあって磁気抵抗効果又は巨大磁気抵抗効果を有す
る薄膜を含むＭＲセンサと、前記ＭＲセンサに縦バイア
ス磁界を与えるバイアス層と、前記ＭＲセンサに検知電
流を供給する電極層と、前記ＭＲセンサと前記下部シー
ルド層との間にある下部絶縁層と、前記ＭＲセンサと前
記上部シールド層との間にある上部絶縁層と、を備えた
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記下部絶縁層が２層
以上の多層膜からなり、前記下部絶縁層のうち前記ＭＲ
センサと接する部分の絶縁層、および前記上部絶縁層の
うち前記下部シールド層と接する部分の絶縁層の両方
が、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜で形成されている磁
気抵抗効果型ヘッド。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態に係る磁気抵抗
効果型ヘッド（ＭＲヘッド）の構成、機能乃至効果につ
いて、図面を用いて以下説明する。
効果型ヘッド（ＭＲヘッド）の構成、機能乃至効果につ
いて、図面を用いて以下説明する。
【００１２】図３は本発明の実施形態に係る磁気抵抗効
果型ヘッドの絶縁層の特性評価に用いた素子構造を示す
図であり、図４は本実施形態の絶縁層の効果を示す電流
密度−電界特性の結果を示す図であり、図５は本実施形
態の絶縁層の効果を示す破壊電界の分布を示す図であ
る。また、図６は本発明の実施形態に係るＭＲヘッドの
再生ヘッド部分の作製過程での平面図であり、図７は本
発明の実施形態に係るＭＲヘッドの再生ヘッド部分の断
面図である。
果型ヘッドの絶縁層の特性評価に用いた素子構造を示す
図であり、図４は本実施形態の絶縁層の効果を示す電流
密度−電界特性の結果を示す図であり、図５は本実施形
態の絶縁層の効果を示す破壊電界の分布を示す図であ
る。また、図６は本発明の実施形態に係るＭＲヘッドの
再生ヘッド部分の作製過程での平面図であり、図７は本
発明の実施形態に係るＭＲヘッドの再生ヘッド部分の断
面図である。
【００１３】また、図８は本実施形態のＭＲヘッド絶縁
層の第１の構成例における破壊電界の分布を示す図であ
り、図９は本実施形態のＭＲヘッド絶縁層の第２の構成
例における破壊電界の分布を示す図であり、図１０は本
発明の実施形態に係るＭＲヘッドを用いた磁気記録再生
装置を示す図である。
層の第１の構成例における破壊電界の分布を示す図であ
り、図９は本実施形態のＭＲヘッド絶縁層の第２の構成
例における破壊電界の分布を示す図であり、図１０は本
発明の実施形態に係るＭＲヘッドを用いた磁気記録再生
装置を示す図である。
【００１４】ここで、１０は下部シールド層、２０は下
部絶縁層、２１は第１下部絶縁層、２２は第２下部絶縁
層、３０はＭＲセンサ、４０は電極層、４１は第１電極
層、４２は第２電極層、５０は上部絶縁層、５１は第１
上部絶縁層、５２は第２上部絶縁層、６０は上部シール
ド層、７１は基板、７２は基板絶縁層、７３は下部電
極、７４は絶縁層、７５は上部電極、をそれぞれ表す。
部絶縁層、２１は第１下部絶縁層、２２は第２下部絶縁
層、３０はＭＲセンサ、４０は電極層、４１は第１電極
層、４２は第２電極層、５０は上部絶縁層、５１は第１
上部絶縁層、５２は第２上部絶縁層、６０は上部シール
ド層、７１は基板、７２は基板絶縁層、７３は下部電
極、７４は絶縁層、７５は上部電極、をそれぞれ表す。
【００１５】まず、本発明の実施形態に係るＭＲヘッド
に用いる絶縁層の特性評価をするために用いた試料の構
造を図３に示す。アルミナ・チタン・カーバイト基板７
１上に、基板絶縁層７２としてＲＦスパッタ装置を用い
て膜厚２００ｎｍの酸化アルミニウムを形成後、下部電
極７３としてコバルト・ニオブ・ジルコニウムを形成し
た。
に用いる絶縁層の特性評価をするために用いた試料の構
造を図３に示す。アルミナ・チタン・カーバイト基板７
１上に、基板絶縁層７２としてＲＦスパッタ装置を用い
て膜厚２００ｎｍの酸化アルミニウムを形成後、下部電
極７３としてコバルト・ニオブ・ジルコニウムを形成し
た。
【００１６】続いて、ＥＣＲプラズマを用いたスパッタ
装置により珪素をターゲットとしてアルゴンと窒素とを
用いて窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成後、同装置内で連続
してガスをアルゴンと酸素に切換えて酸化珪素膜を膜厚
２０ｎｍ形成し、続いてガスをアルゴンと窒素に戻して
窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成することにより、３層から
なる絶縁層７４とした。なお、図３の構造は、本発明の
実施形態に係るＭＲヘッドの絶縁層を評価するための構
造であって、この構造をそのままでＭＲヘッドとして用
いようとするものではない。
装置により珪素をターゲットとしてアルゴンと窒素とを
用いて窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成後、同装置内で連続
してガスをアルゴンと酸素に切換えて酸化珪素膜を膜厚
２０ｎｍ形成し、続いてガスをアルゴンと窒素に戻して
窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成することにより、３層から
なる絶縁層７４とした。なお、図３の構造は、本発明の
実施形態に係るＭＲヘッドの絶縁層を評価するための構
造であって、この構造をそのままでＭＲヘッドとして用
いようとするものではない。
【００１７】従来技術による実施形態としては、ＥＣＲ
プラズマを用いたスパッタ装置により珪素をターゲット
としてアルゴンと酸素とを用いて酸化珪素を膜厚３０ｎ
ｍ形成して、単層膜の絶縁層７４とした。この絶縁層７
４上に、上部電極７５としてニオブを形成後、公知のリ
ソグラフィー技術を用いて、上部電極７５のパターニン
グ、および下部電極７３からコンタクトをとるためのパ
ターニングを行い、図３に示すキャパシタ構造を作製し
た。この従来技術の絶縁層の膜厚は本発明の実施形態の
絶縁層の膜厚と同一としている。
プラズマを用いたスパッタ装置により珪素をターゲット
としてアルゴンと酸素とを用いて酸化珪素を膜厚３０ｎ
ｍ形成して、単層膜の絶縁層７４とした。この絶縁層７
４上に、上部電極７５としてニオブを形成後、公知のリ
ソグラフィー技術を用いて、上部電極７５のパターニン
グ、および下部電極７３からコンタクトをとるためのパ
ターニングを行い、図３に示すキャパシタ構造を作製し
た。この従来技術の絶縁層の膜厚は本発明の実施形態の
絶縁層の膜厚と同一としている。
【００１８】下部電極７３と上部電極７５に針をあて
て、絶縁層７４の電流−電圧特性を測定した。その結果
を図４に示す。従来技術の単層膜を用いた場合と比べ、
本発明の効果を実現する３層構造の絶縁層では、高電界
において同一電界で比較した電流が低減され、破壊電界
が改善された。
て、絶縁層７４の電流−電圧特性を測定した。その結果
を図４に示す。従来技術の単層膜を用いた場合と比べ、
本発明の効果を実現する３層構造の絶縁層では、高電界
において同一電界で比較した電流が低減され、破壊電界
が改善された。
【００１９】次に、同一キャパシタ構造で１００個の電
流−電圧特性を評価し、破壊電界の分布を求めた（図
５）。本発明の３層構造の絶縁層では、破壊電界の中間
値（図５で縦軸が５０パーセントの横軸の値）が増大
し、１０．９ＭＶ／ｃｍとなった（従来技術では、９．
０ＭＶ／ｃｍ）。さらに、破壊電界の分布の幅を小さく
することができた。
流−電圧特性を評価し、破壊電界の分布を求めた（図
５）。本発明の３層構造の絶縁層では、破壊電界の中間
値（図５で縦軸が５０パーセントの横軸の値）が増大
し、１０．９ＭＶ／ｃｍとなった（従来技術では、９．
０ＭＶ／ｃｍ）。さらに、破壊電界の分布の幅を小さく
することができた。
【００２０】次に、本発明の実施形態に係る磁気抵抗効
果型ヘッドの製造方法の一例を示す。図６には各工程の
基板上のパターンの様子を示した。また、図７には本発
明の実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドの断面の様子
を示した。
果型ヘッドの製造方法の一例を示す。図６には各工程の
基板上のパターンの様子を示した。また、図７には本発
明の実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドの断面の様子
を示した。
【００２１】アルミナ・チタン・カーバイト基板上に下
部シールド層１０（センダスト、Ｆｅ−Ｎｉなど）を形
成し、その上に第１下部絶縁層２１を形成した（図７参
照）。本発明の実施形態としては、ＥＣＲプラズマを用
いたスパッタ装置により珪素をターゲットとしてアルゴ
ンと窒素とを用いて窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成後、同
装置内で連続してガスをアルゴンと酸素に切換えて酸化
珪素膜を膜厚４５ｎｍ形成し、続いてガスをアルゴンと
窒素に戻して窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成することによ
り、３層からなる第１下部絶縁層２１（全膜厚５５ｎ
ｍ）とした。
部シールド層１０（センダスト、Ｆｅ−Ｎｉなど）を形
成し、その上に第１下部絶縁層２１を形成した（図７参
照）。本発明の実施形態としては、ＥＣＲプラズマを用
いたスパッタ装置により珪素をターゲットとしてアルゴ
ンと窒素とを用いて窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成後、同
装置内で連続してガスをアルゴンと酸素に切換えて酸化
珪素膜を膜厚４５ｎｍ形成し、続いてガスをアルゴンと
窒素に戻して窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成することによ
り、３層からなる第１下部絶縁層２１（全膜厚５５ｎ
ｍ）とした。
【００２２】従来技術による実施形態としては、ＥＣＲ
プラズマを用いたスパッタ装置により珪素をターゲット
としてアルゴンと酸素とを用いて酸化珪素を膜厚５５ｎ
ｍ形成して、単層膜の第１下部絶縁層２１とした。
プラズマを用いたスパッタ装置により珪素をターゲット
としてアルゴンと酸素とを用いて酸化珪素を膜厚５５ｎ
ｍ形成して、単層膜の第１下部絶縁層２１とした。
【００２３】第１下部絶縁層の上に、ＭＲセンサ膜３０
を形成した。ここで、第１下部絶縁層２１およびＭＲセ
ンサ３０は基板全面に成膜した。ステンシル状のレジス
トパターンをマスクとしてイオンミリングでＭＲセンサ
膜３０を成形した後、レジストは残したまま、第１電極
層４１を成膜する。
を形成した。ここで、第１下部絶縁層２１およびＭＲセ
ンサ３０は基板全面に成膜した。ステンシル状のレジス
トパターンをマスクとしてイオンミリングでＭＲセンサ
膜３０を成形した後、レジストは残したまま、第１電極
層４１を成膜する。
【００２４】第１電極層４１はエレクトロマイグレーシ
ョンの観点からタンタルなどの高融点金属を用いた。或
いは金、アルミニウムなどの抵抗率の低い材料でもよ
い。その後、レジスト剥離液でレジストを除去した。こ
れにより、所定の位置に第１電極層４１を形成した（図
６（ａ））。
ョンの観点からタンタルなどの高融点金属を用いた。或
いは金、アルミニウムなどの抵抗率の低い材料でもよ
い。その後、レジスト剥離液でレジストを除去した。こ
れにより、所定の位置に第１電極層４１を形成した（図
６（ａ））。
【００２５】次に、ステンシル状のレジストパターンを
マスクとしてイオンミリングで余分なＭＲセンサ膜と第
１下部絶縁層を除去した。余分な第１下部絶縁層を除去
した後、このレジストパターンを用いて第２下部絶縁層
２２として膜厚１００ｎｍの酸化アルミニウムを成膜し
た。その後、レジストを除去した（図６（ｂ））。
マスクとしてイオンミリングで余分なＭＲセンサ膜と第
１下部絶縁層を除去した。余分な第１下部絶縁層を除去
した後、このレジストパターンを用いて第２下部絶縁層
２２として膜厚１００ｎｍの酸化アルミニウムを成膜し
た。その後、レジストを除去した（図６（ｂ））。
【００２６】第１電極層４１を端子と接続するために、
第２電極層４２を形成した（図６（ｃ）、図７）。第２
電極層４２は抵抗率の低い金、アルミニウム、銅などが
望ましい。その際、第２電極層４２を下部高抵抗層上に
も形成する。
第２電極層４２を形成した（図６（ｃ）、図７）。第２
電極層４２は抵抗率の低い金、アルミニウム、銅などが
望ましい。その際、第２電極層４２を下部高抵抗層上に
も形成する。
【００２７】ステンシル状のレジストパターンを形成
後、第１上部絶縁層５１を形成した。ＥＣＲプラズマを
用いたスパッタ装置により珪素をターゲットとしてアル
ゴンと酸素とを用いて酸化珪素を膜厚１００ｎｍ形成し
て、単層膜の第１上部絶縁層５１とした。この後、レジ
ストを除去した（図６（ｄ））。但し、第１上部絶縁層
５１を成膜する際、上部シールド層６０と電気的に接続
が必要な部分は第１上部絶縁層５１が成膜されないよう
にレジストパターンで保護する。
後、第１上部絶縁層５１を形成した。ＥＣＲプラズマを
用いたスパッタ装置により珪素をターゲットとしてアル
ゴンと酸素とを用いて酸化珪素を膜厚１００ｎｍ形成し
て、単層膜の第１上部絶縁層５１とした。この後、レジ
ストを除去した（図６（ｄ））。但し、第１上部絶縁層
５１を成膜する際、上部シールド層６０と電気的に接続
が必要な部分は第１上部絶縁層５１が成膜されないよう
にレジストパターンで保護する。
【００２８】第１上部絶縁層５１の上や上部シールド層
６０と電気的に接続が必要な部分の上などにレジストパ
ターンを形成し、第２上部絶縁層５２を成膜し、その
後、レジストを除去した。上部シールド層６０を形成し
パターニングした（図６（ｅ））。
６０と電気的に接続が必要な部分の上などにレジストパ
ターンを形成し、第２上部絶縁層５２を成膜し、その
後、レジストを除去した。上部シールド層６０を形成し
パターニングした（図６（ｅ））。
【００２９】図６（ｅ）中のＡ−Ａ’部分およびＢ−
Ｂ’部分の断面を図７（ａ）、図７（ｂ）に示す（但
し、基板をスライダにする際、切断される部分は図示し
ていない）。ここでは、下部絶縁層２１の膜厚を５５ｎ
ｍ、上部絶縁層５１の膜厚を１００ｎｍとしたので、破
壊試験の結果は下部絶縁層２１の絶縁破壊耐性を示す。
すなわち、図８に示すように下部絶縁層２１を３層構造
とすることにより、破壊耐性を向上させることができ
た。即ち、図８によれば従来技術の破壊電界の中間値が
６．９であるのに対して、本発明の実施形態では９．２
となっていて改善されている。
Ｂ’部分の断面を図７（ａ）、図７（ｂ）に示す（但
し、基板をスライダにする際、切断される部分は図示し
ていない）。ここでは、下部絶縁層２１の膜厚を５５ｎ
ｍ、上部絶縁層５１の膜厚を１００ｎｍとしたので、破
壊試験の結果は下部絶縁層２１の絶縁破壊耐性を示す。
すなわち、図８に示すように下部絶縁層２１を３層構造
とすることにより、破壊耐性を向上させることができ
た。即ち、図８によれば従来技術の破壊電界の中間値が
６．９であるのに対して、本発明の実施形態では９．２
となっていて改善されている。
【００３０】次に、本発明の実施形態に係るＭＲヘッド
の絶縁層について、上部絶縁層５１に適用した場合の効
果の一例を示す。ＭＲヘッドの作製方法は図６に示した
方法と同様である（図６）。
の絶縁層について、上部絶縁層５１に適用した場合の効
果の一例を示す。ＭＲヘッドの作製方法は図６に示した
方法と同様である（図６）。
【００３１】下部絶縁層２１は、ＥＣＲプラズマを用い
たスパッタ装置により珪素をターゲットとしてアルゴン
と酸素とを用いて酸化珪素膜（単層膜）とした。膜厚は
１００ｎｍである。
たスパッタ装置により珪素をターゲットとしてアルゴン
と酸素とを用いて酸化珪素膜（単層膜）とした。膜厚は
１００ｎｍである。
【００３２】第１上部絶縁層５１は、ＥＣＲプラズマを
用いたスパッタ装置により珪素をターゲットとしてアル
ゴンと窒素とを用いて窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成後、
同装置内で連続してガスをアルゴンと酸素に切換えて酸
化珪素膜を膜厚２５ｎｍ形成し、続いてガスをアルゴン
と窒素に戻して窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成することに
より、３層膜（全膜厚３５ｎｍ）とした。
用いたスパッタ装置により珪素をターゲットとしてアル
ゴンと窒素とを用いて窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成後、
同装置内で連続してガスをアルゴンと酸素に切換えて酸
化珪素膜を膜厚２５ｎｍ形成し、続いてガスをアルゴン
と窒素に戻して窒化珪素膜を膜厚５ｎｍ形成することに
より、３層膜（全膜厚３５ｎｍ）とした。
【００３３】従来技術による実施形態としては、ＥＣＲ
プラズマを用いたスパッタ装置により珪素をターゲット
としてアルゴンと酸素とを用いて酸化珪素膜を膜厚３５
ｎｍ形成して、単層膜の第１上部絶縁層５１とした。
プラズマを用いたスパッタ装置により珪素をターゲット
としてアルゴンと酸素とを用いて酸化珪素膜を膜厚３５
ｎｍ形成して、単層膜の第１上部絶縁層５１とした。
【００３４】ここでは、下部絶縁層２１の膜厚を１００
ｎｍ、上部絶縁層５１の膜厚を３５ｎｍとしたので、破
壊試験の結果は上部絶縁層５１の絶縁破壊耐性を示す。
すなわち、図９に示すように下部絶縁層５１を３層構造
とすることにより、破壊耐性を向上させることができ
た。即ち、図９によれば従来技術の破壊電界の中間値が
６．５であるのに対して、本発明の実施形態では８．７
となっていて改善されている。
ｎｍ、上部絶縁層５１の膜厚を３５ｎｍとしたので、破
壊試験の結果は上部絶縁層５１の絶縁破壊耐性を示す。
すなわち、図９に示すように下部絶縁層５１を３層構造
とすることにより、破壊耐性を向上させることができ
た。即ち、図９によれば従来技術の破壊電界の中間値が
６．５であるのに対して、本発明の実施形態では８．７
となっていて改善されている。
【００３５】以上説明したように、本発明の実施形態に
係るＭＲヘッドに用いられる絶縁膜の破壊耐性は、絶縁
膜中に取り込まれる元素により大きな影響を被る。例え
ば、「ユー・エル・エス・アイ・ テクノロジー（マク
・グロー・ヒル社、１９９６年）」に開示されているよ
うに酸化珪素膜では、カルシウム、鉄等の混入により破
壊耐圧が著しく低下する。したがって、余分な金属元素
の排除が高破壊耐性実現のために必須である。
係るＭＲヘッドに用いられる絶縁膜の破壊耐性は、絶縁
膜中に取り込まれる元素により大きな影響を被る。例え
ば、「ユー・エル・エス・アイ・ テクノロジー（マク
・グロー・ヒル社、１９９６年）」に開示されているよ
うに酸化珪素膜では、カルシウム、鉄等の混入により破
壊耐圧が著しく低下する。したがって、余分な金属元素
の排除が高破壊耐性実現のために必須である。
【００３６】窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜において
は、酸化珪素膜と比べて金属の拡散係数が小さいため
に、これらの膜があると金属原子が他の領域に拡散しに
くくなり、絶縁耐性を向上させることができる。
は、酸化珪素膜と比べて金属の拡散係数が小さいため
に、これらの膜があると金属原子が他の領域に拡散しに
くくなり、絶縁耐性を向上させることができる。
【００３７】そこで、本実施形態のＭＲヘッドは、 Ｍ
Ｒセンサ３０と上部シールド層６０との間にある上部絶
縁層５０のうちＭＲセンサ３０と接する部分の絶縁層お
よびＭＲセンサ３０と上部シールド層６０との間にある
上部絶縁層５０のうち上部シールド層６０と接する部分
の絶縁層、あるいはＭＲセンサ３０と下部シールド層１
０との間にある下部絶縁層２０のうちＭＲセンサ３０と
接する部分の絶縁層およびＭＲセンサ３０と下部シール
ド層１０との間にある下部絶縁層２０のうち下部シール
ド層１０と接する部分の絶縁層に窒化珪素膜又は窒化酸
化珪素膜を形成することによって作製する。
Ｒセンサ３０と上部シールド層６０との間にある上部絶
縁層５０のうちＭＲセンサ３０と接する部分の絶縁層お
よびＭＲセンサ３０と上部シールド層６０との間にある
上部絶縁層５０のうち上部シールド層６０と接する部分
の絶縁層、あるいはＭＲセンサ３０と下部シールド層１
０との間にある下部絶縁層２０のうちＭＲセンサ３０と
接する部分の絶縁層およびＭＲセンサ３０と下部シール
ド層１０との間にある下部絶縁層２０のうち下部シール
ド層１０と接する部分の絶縁層に窒化珪素膜又は窒化酸
化珪素膜を形成することによって作製する。
【００３８】以上の実施形態では、下部絶縁層２１と上
部絶縁層５１に別々に本発明を適用しているが、両者の
絶縁層に本発明を適用することにより、さらに効果を上
げることができる。
部絶縁層５１に別々に本発明を適用しているが、両者の
絶縁層に本発明を適用することにより、さらに効果を上
げることができる。
【００３９】また、第２下部絶縁層２２と第２上部絶縁
層５２は、それらの膜厚が第１の絶縁層２１，５１の膜
厚に対して厚いので、破壊耐性の観点からは考慮を払う
までもない（第１の絶縁層２１，５１の破壊耐性の方が
優先する）。
層５２は、それらの膜厚が第１の絶縁層２１，５１の膜
厚に対して厚いので、破壊耐性の観点からは考慮を払う
までもない（第１の絶縁層２１，５１の破壊耐性の方が
優先する）。
【００４０】上記の実施形態では、下部絶縁層２１と上
部絶縁層５１に窒化珪素膜を適用したが、窒化酸化珪素
膜を形成しても破壊耐性を向上させることができた。窒
化酸化珪素膜は、珪素をターゲットとしてアルゴン、酸
素、窒素ガスを用いスパッタ法で形成できる。
部絶縁層５１に窒化珪素膜を適用したが、窒化酸化珪素
膜を形成しても破壊耐性を向上させることができた。窒
化酸化珪素膜は、珪素をターゲットとしてアルゴン、酸
素、窒素ガスを用いスパッタ法で形成できる。
【００４１】また、上記の実施形態では、下部絶縁層２
１と上部絶縁層５１に酸化珪素膜を窒化珪素膜で挟んだ
積層膜を適用したが、窒化アルミニウム、酸化アルミニ
ウムを含む膜を窒化珪素又は窒化酸化珪素膜で挟んでも
破壊耐性を向上させることができた。
１と上部絶縁層５１に酸化珪素膜を窒化珪素膜で挟んだ
積層膜を適用したが、窒化アルミニウム、酸化アルミニ
ウムを含む膜を窒化珪素又は窒化酸化珪素膜で挟んでも
破壊耐性を向上させることができた。
【００４２】上記の実施形態では、下部シールド層１０
の表面、あるいはＭＲセンサ３０の最上層に窒化金属を
意図的には形成しなかったが、窒化珪素膜形成時に下部
シールド層１０、およびＭＲセンサ３０の表面が窒化さ
れていることが組成分析からわかった。すなわち、下部
シールド層の上に下部絶縁層を形成する製造時におい
て、下部シールド層の表面が窒化されて窒化金属を形成
していることが組成分析で確認された。このように、下
部シールド層の表面が窒化金属膜で形成されているもの
も、本発明の実施形態に係るＭＲヘッドであるとするこ
とができる。同様に、ＭＲセンサ層の上に上部絶縁層を
形成する製造時において、ＭＲセンサ層の表面が窒化さ
れて窒化金属を形成していることが組成分析で確認され
た。このように、ＭＲセンサ層の表面が窒化金属膜で形
成されているものも、本発明の実施形態に係るＭＲヘッ
ドであるとすることができる。
の表面、あるいはＭＲセンサ３０の最上層に窒化金属を
意図的には形成しなかったが、窒化珪素膜形成時に下部
シールド層１０、およびＭＲセンサ３０の表面が窒化さ
れていることが組成分析からわかった。すなわち、下部
シールド層の上に下部絶縁層を形成する製造時におい
て、下部シールド層の表面が窒化されて窒化金属を形成
していることが組成分析で確認された。このように、下
部シールド層の表面が窒化金属膜で形成されているもの
も、本発明の実施形態に係るＭＲヘッドであるとするこ
とができる。同様に、ＭＲセンサ層の上に上部絶縁層を
形成する製造時において、ＭＲセンサ層の表面が窒化さ
れて窒化金属を形成していることが組成分析で確認され
た。このように、ＭＲセンサ層の表面が窒化金属膜で形
成されているものも、本発明の実施形態に係るＭＲヘッ
ドであるとすることができる。
【００４３】上記の実施形態では、下部絶縁層２１と上
部絶縁層５１の作製方法として、ＥＣＲスパッタ法を用
いたが、本発明の効果を実現させるスパッタ方式として
は、ＲＦスパッタ、ヘリコンスパッタ等、その方式は問
わない。
部絶縁層５１の作製方法として、ＥＣＲスパッタ法を用
いたが、本発明の効果を実現させるスパッタ方式として
は、ＲＦスパッタ、ヘリコンスパッタ等、その方式は問
わない。
【００４４】また、上記の実施形態では、下部絶縁層２
１と上部絶縁層５１の作製方法として、スパッタ法を用
いたが、本発明の効果を実現させる絶縁層の形成方法と
してはその形成方法は問わない。すなわち、化学気相成
長法、プラズマ反応を用いた反応（窒化、酸化）、ジェ
ット・ヴェイパ・デポジション法等でも同様な効果を達
成することができた。
１と上部絶縁層５１の作製方法として、スパッタ法を用
いたが、本発明の効果を実現させる絶縁層の形成方法と
してはその形成方法は問わない。すなわち、化学気相成
長法、プラズマ反応を用いた反応（窒化、酸化）、ジェ
ット・ヴェイパ・デポジション法等でも同様な効果を達
成することができた。
【００４５】また、図１０に示すように、本発明の絶縁
層形成方法を適用したＭＲヘッド１０１と、前記ＭＲヘ
ッドに対向して配置される磁気記録媒体１０２と、前記
ＭＲヘッドを駆動させるための手段１０３と、前記磁気
記録媒体を駆動させるための手段１０４と、記録再生信
号処理手段１０５と、を備えた磁気記録再生装置を構成
する際においても、その組み立て時および動作試験時の
ＭＲヘッドの破壊による磁気記録再生装置の歩留まりの
低下を低減することができた。
層形成方法を適用したＭＲヘッド１０１と、前記ＭＲヘ
ッドに対向して配置される磁気記録媒体１０２と、前記
ＭＲヘッドを駆動させるための手段１０３と、前記磁気
記録媒体を駆動させるための手段１０４と、記録再生信
号処理手段１０５と、を備えた磁気記録再生装置を構成
する際においても、その組み立て時および動作試験時の
ＭＲヘッドの破壊による磁気記録再生装置の歩留まりの
低下を低減することができた。
【００４６】
【発明の効果】以上のように、ＭＲヘッドにおいて、Ｍ
Ｒセンサ３０と上部シールド層６０との間にある上部絶
縁層５０のうちＭＲセンサ３０と接する部分の絶縁層お
よびＭＲセンサ３０と上部シールド層６０との間にある
上部絶縁層５０のうち上部シールド層６０と接する部分
の絶縁層、あるいはＭＲセンサ３０と下部シールド層１
０との間にある下部絶縁層２０のうちＭＲセンサ３０と
接する部分の絶縁層およびＭＲセンサ３０と下部シール
ド層１０との間にある下部絶縁層２０のうち下部シール
ド層１０と接する部分の絶縁層を窒化珪素膜又は窒化酸
化珪素膜で形成する。
Ｒセンサ３０と上部シールド層６０との間にある上部絶
縁層５０のうちＭＲセンサ３０と接する部分の絶縁層お
よびＭＲセンサ３０と上部シールド層６０との間にある
上部絶縁層５０のうち上部シールド層６０と接する部分
の絶縁層、あるいはＭＲセンサ３０と下部シールド層１
０との間にある下部絶縁層２０のうちＭＲセンサ３０と
接する部分の絶縁層およびＭＲセンサ３０と下部シール
ド層１０との間にある下部絶縁層２０のうち下部シール
ド層１０と接する部分の絶縁層を窒化珪素膜又は窒化酸
化珪素膜で形成する。
【００４７】これにより、金属原子が上部絶縁層５０、
下部絶縁層２０の中心部へ取込まれる量が少なくなり、
静電気による絶縁層の破壊耐性を向上させることができ
る。
下部絶縁層２０の中心部へ取込まれる量が少なくなり、
静電気による絶縁層の破壊耐性を向上させることができ
る。
【図１】従来技術に係る磁気抵抗効果型ヘッド構造の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】従来技術に係る磁気抵抗効果型ヘッドの再生ヘ
ッドを磁気媒体対向面から見た図である。
ッドを磁気媒体対向面から見た図である。
【図３】本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッド
の絶縁層の特性評価に用いた素子構造を示す図である。
の絶縁層の特性評価に用いた素子構造を示す図である。
【図４】本実施形態の絶縁層の効果を示す電流密度−電
界特性の結果を示す図である。
界特性の結果を示す図である。
【図５】本実施形態の絶縁層の効果を示す破壊電界の分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係るＭＲヘッドの再生ヘッ
ド部分の作製過程での平面図である。
ド部分の作製過程での平面図である。
【図７】本発明の実施形態に係るＭＲヘッドの再生ヘッ
ド部分の断面図である。
ド部分の断面図である。
【図８】本実施形態のＭＲヘッド絶縁層の第１の構成例
における破壊電界の分布を示す図である。
における破壊電界の分布を示す図である。
【図９】本実施形態のＭＲヘッド絶縁層の第２の構成例
における破壊電界の分布を示す図である。
における破壊電界の分布を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態に係るＭＲヘッドを用いた
磁気記録再生装置を示す概略図である。
磁気記録再生装置を示す概略図である。
１ 記録ヘッド
２ 再生ヘッド
１０ 下部シールド層
２０ 下部絶縁層
２１ 第１下部絶縁層
２２ 第２下部絶縁層
３０ ＭＲセンサ
４０ 電極層
４１ 第１電極層
４２ 第２電極層
５０ 上部絶縁層
５１ 第１上部絶縁層
５２ 第２上部絶縁層
６０ 上部シールド層
７１ 基板
７２ 基板絶縁層
７３ 下部電極
７４ 絶縁層
７５ 上部電極
１０１ 磁気抵抗効果型ヘッド
１０２ 磁気記録媒体
１０３ 磁気抵抗効果型ヘッドを駆動させるための手段
１０４ 磁気記録媒体を駆動させるための手段
１０５ 記録再生信号処理手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−198619（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−52517（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−132211（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−29124（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−105511（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/39
Claims (7)
- 【請求項１】 下部シールド層と上部シールド層との間
にあって磁気抵抗効果又は巨大磁気抵抗効果を有する薄
膜を含むＭＲセンサと、前記ＭＲセンサに縦バイアス磁
界を与えるバイアス層と、前記ＭＲセンサに検知電流を
供給する電極層と、前記ＭＲセンサと前記下部シールド
層との間にある下部絶縁層と、前記ＭＲセンサと前記上
部シールド層との間にある上部絶縁層と、を備えた磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記上部絶縁層が２層以上の多層膜からなり、前記上部
絶縁層のうち前記ＭＲセンサと接する部分の絶縁層、お
よび前記上部絶縁層のうち前記上部シールド層と接する
部分の絶縁層の両方が、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜
で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項２】 下部シールド層と上部シールド層との間
にあって磁気抵抗効果又は巨大磁気抵抗効果を有する薄
膜を含むＭＲセンサと、前記ＭＲセンサに縦バイアス磁
界を与えるバイアス層と、前記ＭＲセンサに検知電流を
供給する電極層と、前記ＭＲセンサと前記下部シールド
層との間にある下部絶縁層と、前記ＭＲセンサと前記上
部シールド層との間にある上部絶縁層と、を備えた磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記下部絶縁層が２層以上の多層膜からなり、前記下部
絶縁層のうち前記ＭＲセンサと接する部分の絶縁層、お
よび前記上部絶縁層のうち前記下部シールド層と接する
部分の絶縁層の両方が、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜
で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド
において、 前記ＭＲセンサが２層以上の多層膜からなり、且つ前記
上部絶縁層と接する層が窒化金属膜で形成されているこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 請求項２に記載の磁気抵抗効果型ヘッド
において、 前記下部シールド層の表面が窒化金属膜で形成されてい
ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１又は３に記載の磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、 前記上部絶縁層のうちの窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜
以外の部分が、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム又
は酸化珪素を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項６】 請求項２又は４に記載の磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、 前記下部絶縁層のうちの窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜
以外の部分が、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム又
は酸化珪素を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つの請求項
に記載された磁気抵抗効果ヘッドと、前記磁気抵抗効果
型ヘッドに対向して配置される磁気記録媒体と、前記磁
気抵抗効果型ヘッドを駆動させる手段と、前記磁気記録
媒体を駆動させる手段と、前記磁気抵抗効果型ヘッドと
の間で信号を授受して処理する記録再生信号処理手段
と、を備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20491299A JP3538343B2 (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20491299A JP3538343B2 (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001034915A JP2001034915A (ja) | 2001-02-09 |
| JP3538343B2 true JP3538343B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=16498448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20491299A Expired - Fee Related JP3538343B2 (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3538343B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8472149B2 (en) | 2007-10-01 | 2013-06-25 | Tdk Corporation | CPP type magneto-resistive effect device and magnetic disk system |
-
1999
- 1999-07-19 JP JP20491299A patent/JP3538343B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001034915A (ja) | 2001-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5446613A (en) | Magnetic head assembly with MR sensor | |
| JP3514487B2 (ja) | 多層構造の誘電体部材およびその形成方法 | |
| US6344951B1 (en) | Substrate having magnetoresistive elements and monitor element capable of preventing a short circuit | |
| US6219206B1 (en) | Magneto-resistive effect type head | |
| US6556391B1 (en) | Biasing layers for a magnetoresistance effect magnetic head using perpendicular current flow | |
| KR100361598B1 (ko) | 자기 저항 헤드 제조 방법 | |
| US20040150920A1 (en) | Magnetoresistive device and method of manufacturing same, and thin-film magnetic head and method of manufacturing same | |
| JP3538343B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| US7333301B2 (en) | Magnetic recording head and method for manufacturing | |
| KR20090065446A (ko) | 자기 재생 헤드, 자기 헤드 및 자기 기억 장치 | |
| US5959809A (en) | Magnetoresistive head and method of manufacturing the same and magnetic recording apparatus | |
| JPH11177161A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH07296339A (ja) | デュアル・エレメント磁気抵抗センサ | |
| US6031691A (en) | Magnetoresistance effect magnetic head and manufacturing method therefor | |
| JPH11259824A (ja) | 磁気記録再生装置及びそれに用いる磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2907148B2 (ja) | 強磁性トンネル効果膜を用いた磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JPH08339514A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| EP1369882B1 (en) | Magnetoresistance effect film and spin valve reproducing head | |
| JP2001297413A (ja) | 録再分離型薄膜ヘッド及び該ヘッドの製造方法 | |
| JP4283169B2 (ja) | 磁気抵抗ヘッド | |
| JP2004178659A (ja) | スピンバルブヘッドおよび磁気記録装置 | |
| US6075679A (en) | Magneto-resistive head accommodating a narrow gap | |
| JP4058164B2 (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JP3184470B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2003196807A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040309 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040319 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |