JP3514487B2 - 多層構造の誘電体部材およびその形成方法 - Google Patents

多層構造の誘電体部材およびその形成方法

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    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗トランスジュー
サに関し、特に磁気抵抗トランスジューサ内において各
種の金属層を分離するための誘電体として用いられる種
類の材料に関する。
【０００２】
【従来技術と発明が解決しようとする課題】移動する媒
体によって誘発される磁束を感知するための磁気抵抗
（ＭＲ）トランスジューサが知られている。双細片（デ
ュアルストライプ）ＭＲトランスジューサは、ボーゲリ
に許可された米国特許第３，８６０，９６５号に開示さ
れている。この種の双細片ＭＲトランスジューサは、単
位トラック幅当たりの出力が非常に大きく、共通モード
リジェクションによりノイズレベルが低く、オフトラッ
クレスポンスが線形かつ対称であるので、その設計は現
在技術の最先端に位置するものとみなされる。
【０００３】この種の設計に従って作成されたトランス
ジューサにおいては、小さい間隔をもって密接配置され
た２個のＭＲ細片は差分的に感知される。ＭＲ細片は小
さい間隔をもって密接配置されることが望ましく、理由
は、この種配置によれば、トランスジューサによって読
み取ろうとする磁気媒体の記憶容量が比較的大きくても
差し支えないことに因る。更に、磁気抵抗細片の電流密
度の限界を越えることなしに適切なバイアス条件を確立
できるように、２本の細片は近接していることが必要と
される。
【０００４】双細片ＭＲトランスジューサが適切に作動
するためには、２つのＭＲ細片は、少なくとも細片対の
１つの端において相互に電気的に分離されていなければ
ならない。そうでなければ、細片は一緒に短絡され、ト
ランスジューサは作動不可能になる。幾つかのＭＲトラ
ンスジューサ設計においては、ＭＲ細片と近接した強磁
性シールドとの間に均等な小間隔を配置することも有効
である。既に述べたように、有用なＭＲトランスジュー
サを製造するためには、ＭＲ細片シールドに近接配置さ
れ、しかもシールドから電気的に分離された状態を維持
しなければならない。
【０００５】図１は、米国特許第３，８６０，９６５号
に開示されたタイプの双細片ＭＲトランスジューサの透
視図である。図１には、間隙１５を設けるために第１の
ＭＲ細片１４の軸に沿って間隔配置された導電リード１
０，１１から成る第１のＭＲ装置を示す。間隙は、トラ
ンスジューサによって読み取ろうとする媒体の読取りト
ラック幅に対応する作動部分を形成する。双細片ＭＲト
ランスジューサの設計において、間隙１５ａを形成する
ために第２のＭＲ細片１８の軸に沿って間隔を保って配
置された導電リード１２、１３を備えた第２の装置は、
第１の要素と平行に配置される。
【０００６】図２は、双細片ＭＲトランスジューサの断
面図であり、トランスジューサの作動部分を示す。この
ように、２つのＭＲ細片１４、１８の部分は、相互に平
行間隔を保って配置される。細片の間の間隔１６は、Ｍ
Ｒ内誘電体２０によって保たれる。更に別の誘電体２
２、２４により、ＭＲ細片と強磁性シールド２５、２６
との間隔が保たれる。空気受け面２７により、トランス
ジューサは、読み取ろうとする磁気記憶媒体上で浮動す
る。作動に際しては、電流は、矢印ｉ１，ｉ２方向から
導体内に流れる。これらの電流は、ＭＲ細片に沿って伝
播し、感知電流及びバイアス電流の両方として役立つ。
任意の所定時間において間隙１５に近接して移動する媒
体の部分からの磁束の瞬間的な値は、双細片ＭＲトラン
スジューサによって測定される。この種の磁束値は、媒
体に記憶されたデータのビットに対応する。
【０００７】米国特許第３，８６０，９６５号はＭＲ細
片の間隔が３０ｎｍの場合について開示しているが、こ
の種の装置が実際に作成されたとは表示されていない。
実際、そのように薄い誘電体の厚さを横断して電気的絶
縁を維持することは、双細片ＭＲトランスジューサを実
現するための主要な障害であった。当該技術分野におい
て、約７０ｎｍ未満の間隔をもつ双細片ＭＲヘッドを確
実かつ再現可能に製造することは非常に困難であること
が研究者の経験とされてきた。主として加工および材料
面における制限条件の結果、２つのＭＲ細片の間を短絡
することが原因である。双細片ＭＲヘッドに関する全て
の開示事項は、ＭＲ内誘電体としてスパッタリングされ
たAl2O3,SiO2又はSiO の使用と関係する。ただし、約７
０ｎｍ未満の厚さの誘電体に対してＭＲヘッド内の金属
層の間を分離することは、これらの材料にとって、実際
問題として殆ど不可能である。
【０００８】薄膜誘電体の性質を改良するために、薄膜
の付着後処理を実施する半導体技術に関する開示事項も
呈示されている。このような場合、ＳｉＯｘＮｙのゲー
ト誘電体は、５から１０ｎｍのSiO2膜を短期間だけ高温
窒素雰囲気に曝すことによって製造されてきた。例え
ば、熱的に窒化された二酸化ケイ素の破壊電界の加工過
程依存性（ラメシュらによるJ.Appl.Phys 70(4),1991
年）を参照されたい。
【０００９】６４ＭビットＤＲＡＭにおけるゲート誘電
体としてTa2O5 を使うことが提案されている。例えば、
THERMCO INTERNATIONAL LABORATORY(DR212.06,日本日刊
リポート、1991年11月12日）を参照されたい。更に、集
積回路構造における容量性誘電体として１１２０５が使
用出来ることが開示済みである。例えば、ヤマザキらに
よって富士通科学技術ジャーナル、１９７０年１２月号
に発表された「単一基質上の高度安定タンタル薄膜ＣＲ
回路」を参照されたい。この種開示事項は特に有益では
ないが、類推によって、一般にＮｉＦｅ膜として形成さ
れるＭＲ細片の製造に有用である。
【００１０】以上のように、双細片ＭＲトランスジュー
サ技術の全利点、即ち、磁気媒体への非常に高密度のデ
ータ記憶ということは、ＭＲ細片の間隔を著しく小さく
しない限り実現不可能である。この事実は、結局、新し
い種類の誘電体が必要であることを意味する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば磁気抵
抗トランスジューサのような多層構造内の各種金属層を
分離する誘電体として有用な種類の材料を提供する。本
発明は、再現性が良く、著しく微細で高品質の誘電体膜
を供給する。この種の結果は、基質上に薄い金属膜を付
着することによって達成される。このようにして付着さ
れた膜は、その上に酸化物が形成される表面を提供す
る。本発明の好ましい実施例は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚ
ｒ、Ｙ、または、Ｎｂを含む各種金属の薄膜の使用を可
能にする。この種材料の薄膜は、本発明の開示事項に従
って製造すると、厚さ５ｎｍまでの絶縁体として無欠陥
性を維持する誘電体膜を構成する。酸化物は、例えばプ
ラズマに曝すような、酸素を含んでも差し支えの無い周
囲条件に曝すこと及び／又は酸化プロセスによってこの
種金属膜上に形成される。
【００１２】
【実施例】本発明は、添付図面を参照しながら本説明を
読むことによりよく理解される。本発明は、例えば磁気
抵抗性トランスジューサのような多層構造内において様
々な金属層を分離する誘電体として有益な種類の材料を
提供する。当該技術分野においては、ある種の金属膜は
空気に曝すと非常に酸化し易いことが知られている。多
くの場合、このようにして形成された酸化物の薄い層
は、酸化した金属膜と続いて付着された金属層との間に
効果的な（意図しないことが多いにも拘わらず）絶縁層
を形成することが可能である。本発明は、酸化した金属
膜で構成される誘電体を提供するこの性質を開発する。
【００１３】−例− ニッケル‐鉄（２５ｎｍ）／タンタル（１５ｎｍ）−Ｎ
ｉＦｅ／Ｔａ−フィルムをケイ素ウェーハ上に付着させ
た。このフィルムは、大きさが約１４ｘ２００マイクロ
メータの長方形に型どった。１３日間に亙って空気に曝
し、続いて酸素プラズマに２分間曝した後で、リフトオ
フ加工法により、長方形のいずれかの端部上にタンタル
／金の−Ｔａ／Ａｕ−リード（導線）を付着させた。Ｔ
ａ／Ａｕリードの付着に先立って、Ｔａの表面上の酸化
物層を除去するために、型どりしたＮｉＦｅ／Ｔａフィ
ルムをアルゴンイオンによって数分間エッチング処理す
るという事以外は前記と同様の方法によって、別に３個
のケイ素ウェーハを処理した。次に、Ｔａ／Ａｕリード
を備えたＮｉＦｅ／Ｔａ細片の抵抗を測定した。アルゴ
ンイオンによるエッチング処理されないウェーハから採
取したＮｉＦｅ／Ｔａ細片の抵抗は一様に１０，０００
オームより大きかったが、アルゴンイオンによるエッチ
ング処理したウェーハから採取した細片の抵抗は約１５
オームであった。
【００１４】従って、本発明は、薄い金属膜の酸化によ
って超薄片の誘電体（本発明の好ましい実施例において
は５ｎｍ以下）を作成可能であることを示す。このよう
に、産業界を悩ましてきた各種金属の酸化の問題は本発
明によって有利に利用される。従って、現行技術におい
てはこの種の酸化を防止し、防止のための方法を提供し
ようとしているが、本発明は、この種の酸化を利用して
非常に薄い誘電体を製造する。この種の誘電体は、驚く
べきことに、双細片（デュアルストライプ）ＭＲヘッド
におけるＭＲ細片（ストライプ）を分離するために使用
可能である。
【００１５】本発明は、少なくとも次の理由により、伝
統的な付着誘電体の無欠陥性よりも優れた後処理金属の
誘電的無欠陥性の大幅な改良を提供する。 − 付着された誘電体膜よりも付着された金属の表面被
覆性の方が改良されている。 − 後続酸化処理に際して、付着された金属膜の有効容
積が増大する。
【００１６】本発明は、双細片ＭＲヘッドにおいて誘電
体として使用される材料、並びに、この種の材料の製造
方法の両方に関する。本発明の好ましい実施例は、タン
タル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、または、イッ
トリウム（Ｙ）の酸化物の使用を可能にする。当該技術
分野においてこれまでは、これら酸化物のいずれもＭＲ
ヘッド用誘電体としての利用可能性が認められていなか
った。本発明が適用される好ましい金属は、酸素に対し
て親和力が強く、安定して強力に付着した酸化物を形成
する。これらの酸化物は、既知の薄膜付着技術によって
直接付着可能であるはずであるが、本発明の好ましい実
施例においては、前以て付着された薄い金属膜を、高温
において、プラズマにより、紫外線照射の下において、
又は、上記３方法の任意の組み合わせにより、酸化する
ことによって酸化物を製造することが可能である。実験
によれば、Ｔａを３００度Ｃにおいて空気に曝すか、或
いは、酸素プラズマに曝すことにより、５ｎｍまで効果
的に酸化させることが実証されている。
【００１７】この種の超薄誘電体が必要でない場合に
は、既に付着済みの誘電体の上面に薄い金属層を付着さ
せ、その次に、例えばAl2O3 のような薄い金属層を酸化
させる事によって前述の手順を用いることができる。こ
の方法によれば、前記の過程を用いて比較的厚い誘電体
を作ることが可能であり、これに付随してピンホールの
減少が可能になる。好ましい実施例を参照して本発明に
ついて説明してきたが、当該技術分野における熟達者で
あれば、本発明の精神及び適用範囲から逸脱することな
く、本発明の前記以外の応用も可能であることが容易に
認められるはずである。例えば、ここに開示した薄い誘
電体に関する技法は、半導体技術分野において、並び
に、ＭＲトランスジューサの形成において、本発明の精
神及び適用範囲から逸脱することなしに利用できるはず
である。
【発明の効果】以上の如く本発明によれば極めて近接し
た２層間の絶縁を良好ならしめ、装置の小型化・高密度
化を実現可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】双細片ＭＲトランスジューサーの従来例を示す
斜視図である。
【図２】図１のトランスジューサーの能動領域を示す断
面図である。
【符号の説明】
１０、１１、１２、１３：導電リード １４、１８：ＭＲ細片 １５、１５ａ：間隙 ２０、２２、２４：誘電体 ２５、２６：強磁性シールド ２７：空気受け面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−179423（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−158369（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−275646（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−317199（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−118601（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−3306（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−133369（ＪＰ，Ａ) 特公 昭53−45676（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 3/00 - 3/56 G11B 5/39 H01L 43/08

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気抵抗トランスジューサにおける２つ
    の導電層を分離するための誘電体として用いられる電気
    絶縁体であって、該電気絶縁体は、タンタル（Ｔａ）、
    ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリ
    ウム（Ｙ）、チタン（Ｔｉ）、およびニオブ（Ｎｂ）か
    ら成る群から選択された金属の酸化された薄膜から成
    り、該金属薄膜は、最初に前記導電層の一方の上に堆積
    され、次に、酸素ガスに曝されることにより酸化される
    ことを特徴とする、電気絶縁体。
  2. 【請求項２】 前記金属薄膜は、酸素ガスを含むプラズ
    マにより酸化されることを特徴とする、請求項１に記載
    の電気絶縁体。
  3. 【請求項３】 前記金属薄膜は、高温で酸素ガスに曝さ
    れることにより酸化されることを特徴とする、請求項１
    に記載の電気絶縁体。
  4. 【請求項４】 前記金属薄膜は、紫外線の下で酸素ガス
    に曝されることにより酸化されることを特徴とする、請
    求項１に記載の電気絶縁体。
  5. 【請求項５】 前記金属薄膜は、酸素ガスを含むプラズ
    マに曝す方法、高温で酸素ガスに曝す方法、または、紫
    外線の下で酸素ガスに曝す方法のうちの選択された組み
    合わせによって酸化されることを特徴とする、請求項１
    に記載の電気絶縁体。
  6. 【請求項６】 磁気抵抗トランスジューサにおける２つ
    の導電層を分離するための電気絶縁体の形成方法であっ
    て、 前記磁気抵抗トランスジューサにおける前記導電層の一
    方の上にタンタル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジル
    コニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、チタン（Ｔ
    ｉ）、およびニオブ（Ｎｂ）から成る群から選択された
    金属薄膜を堆積するステップと、 前記金属薄膜を酸素ガスに曝して酸化するステップと、 前記酸化された金属薄膜上に前記導電層の他方を形成す
    るステップと、 を備えて成る、電気絶縁体の形成方法。
  7. 【請求項７】 前記金属薄膜を酸素ガスに曝すステップ
    が、前記金属薄膜を酸素ガスを含むプラズマに曝すステ
    ップを含むことを特徴とする、請求項６に記載の、電気
    絶縁体の形成方法。
  8. 【請求項８】 前記金属薄膜を酸素ガスに曝すステップ
    が、前記金属薄膜を高温で酸素ガスに曝すステップを含
    むことを特徴とする、請求項６に記載の、電気絶縁体の
    形成方法。
  9. 【請求項９】 前記金属薄膜を酸素ガスに曝すステップ
    が、前記金属薄膜を紫外線の下で酸素ガスに曝すステッ
    プを含むことを特徴とする、請求項６に記載の、電気絶
    縁体の形成方法。
  10. 【請求項１０】 前記金属薄膜を酸素ガスに曝すステッ
    プが、前記金属薄膜を酸素ガスを含むプラズマに曝すス
    テップ、前記金属薄膜を高温で酸素ガスに曝すステッ
    プ、または、前記金属薄膜を紫外線の下で酸素ガスに曝
    すステップのうちの選択された組み合わせを含むことを
    特徴とする、請求項６に記載の、電気絶縁体の形成方
    法。
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4425356C2 (de) * 1993-09-29 1998-07-02 Siemens Ag Magnetoresistiver Sensor unter Verwendung eines Sensormaterials mit perowskitähnlicher Kristallstruktur
EP0657562B1 (en) 1993-11-12 2001-09-12 PPG Industries Ohio, Inc. Durable sputtered metal oxide coating
US5491605A (en) * 1994-12-23 1996-02-13 International Business Machines Corporation Shorted magnetoresistive head elements for electrical overstress and electrostatic discharge protection
US5831426A (en) * 1996-08-16 1998-11-03 Nonvolatile Electronics, Incorporated Magnetic current sensor
US5680282A (en) * 1996-10-24 1997-10-21 International Business Machine Corporation Getter layer lead structure for eliminating resistance increase phonomena and embrittlement and method for making the same
US5963401A (en) * 1997-09-29 1999-10-05 Storage Technology Corporation Magnetic tape head assembly including modules having a plurality of magneto-resistive head elements
US5997381A (en) * 1997-09-29 1999-12-07 Storage Technology Corporation Lapping sensor for thin film recording elements and method for manufacturing same
US5953184A (en) * 1997-09-30 1999-09-14 Storage Technology Corporation Transverse slotted magnetic tape head assembly
US6002554A (en) * 1997-10-03 1999-12-14 Storage Technology Corporation Multitrack coupled element read head with support structure to eliminate shorting and method for manufacturing same
US5923506A (en) * 1997-10-03 1999-07-13 Storage Technology Corporation Recording head element with improved coil tap and method for manufacturing same
US6038108A (en) * 1997-11-21 2000-03-14 Storage Technology Corporation Magnetic tape head assembly having segmented heads
US5999379A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 International Business Machines Corporation Spin valve read head with plasma produced metal oxide insulation layer between lead and shield layers and method of making
US6452204B1 (en) * 1998-12-08 2002-09-17 Nec Corporation Tunneling magnetoresistance transducer and method for manufacturing the same
DE19938215A1 (de) 1999-08-12 2001-02-22 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Tunnelkontakts sowie magnetischer Tunnelkontakt
US6266218B1 (en) 1999-10-28 2001-07-24 International Business Machines Corporation Magnetic sensors having antiferromagnetically exchange-coupled layers for longitudinal biasing
US6452761B1 (en) 2000-01-14 2002-09-17 International Business Machines Corporation Magneto-resistive and spin-valve sensor gap with reduced thickness and high thermal conductivity
DE10020769C2 (de) * 2000-04-28 2003-07-24 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren zum Herstellen magnetischer Tunnelkontakte
JP2002025017A (ja) * 2000-07-10 2002-01-25 Tdk Corp 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
US6429640B1 (en) 2000-08-21 2002-08-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force GMR high current, wide dynamic range sensor
US6714387B1 (en) * 2001-01-08 2004-03-30 Headway Technologies, Inc. Spin valve head with reduced element gap
US6707647B2 (en) 2001-01-29 2004-03-16 International Business Machines Corporation Magnetic head with thin gap layers
US8026161B2 (en) 2001-08-30 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2
US6767795B2 (en) * 2002-01-17 2004-07-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY
US6893984B2 (en) * 2002-02-20 2005-05-17 Micron Technology Inc. Evaporated LaA1O3 films for gate dielectrics
US7589029B2 (en) 2002-05-02 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition and conversion
US7160577B2 (en) 2002-05-02 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits
US7135421B2 (en) 2002-06-05 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide
US7221586B2 (en) 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide nanolaminates
US6921702B2 (en) 2002-07-30 2005-07-26 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics
US7192892B2 (en) * 2003-03-04 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited dielectric layers
US7183186B2 (en) * 2003-04-22 2007-02-27 Micro Technology, Inc. Atomic layer deposited ZrTiO4 films
US7049192B2 (en) * 2003-06-24 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectrics
US7192824B2 (en) * 2003-06-24 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers
US7557562B2 (en) * 2004-09-17 2009-07-07 Nve Corporation Inverted magnetic isolator
US7662729B2 (en) 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
US8110469B2 (en) 2005-08-30 2012-02-07 Micron Technology, Inc. Graded dielectric layers

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3862017A (en) * 1970-02-04 1975-01-21 Hideo Tsunemitsu Method for producing a thin film passive circuit element
US3860965A (en) * 1973-10-04 1975-01-14 Ibm Magnetoresistive read head assembly having matched elements for common mode rejection
US4012781A (en) * 1975-08-14 1977-03-15 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read head assembly for servo operation
US4219853A (en) * 1978-12-21 1980-08-26 International Business Machines Corporation Read/write thin film head
FR2505070B1 (fr) * 1981-01-16 1986-04-04 Suwa Seikosha Kk Dispositif non lineaire pour un panneau d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication d'un tel panneau d'affichage
JPS5971112A (ja) * 1982-10-15 1984-04-21 Comput Basic Mach Technol Res Assoc 薄膜磁気ヘツド
JPS60171617A (ja) * 1984-02-15 1985-09-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 薄膜磁気ヘツド用セラミツク基板
AU616736B2 (en) * 1988-03-03 1991-11-07 Asahi Glass Company Limited Amorphous oxide film and article having such film thereon
US4940511A (en) * 1988-03-28 1990-07-10 International Business Machines Corporation Method for making a magnetoresistive read transducer
US4853080A (en) * 1988-12-14 1989-08-01 Hewlett-Packard Lift-off process for patterning shields in thin magnetic recording heads

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