JP2812272B2 - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極膜および磁気
記録媒体から情報を読み取るための磁気抵抗効果ヘッド
に係り、更に詳しくは比抵抗が小さい電極膜および磁気
抵抗効果によって情報の読み取りを実行する磁気抵抗効
果ヘッドに関する。
記録媒体から情報を読み取るための磁気抵抗効果ヘッド
に係り、更に詳しくは比抵抗が小さい電極膜および磁気
抵抗効果によって情報の読み取りを実行する磁気抵抗効
果ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気抵抗効果ヘッド等に装備され
る電極膜としては、金がよく用いられる。金は比抵抗が
２〜３マイクロオーム・センチメートルと非常に小さく
電極膜として適しているが、他の膜との付着性に相性が
あり、金と接触する膜によっては付着力が弱いという欠
点がある。このため、磁気抵抗効果ヘッドの電極膜とし
て金を用いる場合においては、その付着性が問題となり
製造時に金の剥離が生じる。
る電極膜としては、金がよく用いられる。金は比抵抗が
２〜３マイクロオーム・センチメートルと非常に小さく
電極膜として適しているが、他の膜との付着性に相性が
あり、金と接触する膜によっては付着力が弱いという欠
点がある。このため、磁気抵抗効果ヘッドの電極膜とし
て金を用いる場合においては、その付着性が問題となり
製造時に金の剥離が生じる。
【０００３】その問題を解決するために、付着力強化層
として金の下地に数百オングストロームの膜厚のタンタ
ル層を設ける手法が従来より一般に用いられている。し
かしながら、スパッタ法などを用いて形成される薄膜と
してのタンタルは、一般には正方構造のβ−タンタルと
なり、その比抵抗は約２００マイクロオーム・センチメ
ートルと大きい〔例えば、アプライド・フィジクス・レ
ターズ，第７巻，51〜〜52頁，1965年（Ａppl.Ｐhys.Ｌ
ett.Ｖol.7，ｐ.51 〜52，1965）〕。
として金の下地に数百オングストロームの膜厚のタンタ
ル層を設ける手法が従来より一般に用いられている。し
かしながら、スパッタ法などを用いて形成される薄膜と
してのタンタルは、一般には正方構造のβ−タンタルと
なり、その比抵抗は約２００マイクロオーム・センチメ
ートルと大きい〔例えば、アプライド・フィジクス・レ
ターズ，第７巻，51〜〜52頁，1965年（Ａppl.Ｐhys.Ｌ
ett.Ｖol.7，ｐ.51 〜52，1965）〕。
【０００４】このタンタルは、アルゴンと窒素の混合ガ
スによる反応性スパッタ法を用いて窒化タンタルを形成
することによって、比抵抗を６０マイクロオーム・セン
チメートル程度まで下げることができる〔例えば、プロ
シーディング・オブ・ディ・アイ・トリプルイー，第５
２巻，1450〜1462頁，1964年（Ｐroc.ＩＥＥＥ，Ｖol．
52，ｐ．1450〜1462，1964）〕。しかしながら、形成方
法が難しく安定に形成することが極めて困難である。
スによる反応性スパッタ法を用いて窒化タンタルを形成
することによって、比抵抗を６０マイクロオーム・セン
チメートル程度まで下げることができる〔例えば、プロ
シーディング・オブ・ディ・アイ・トリプルイー，第５
２巻，1450〜1462頁，1964年（Ｐroc.ＩＥＥＥ，Ｖol．
52，ｐ．1450〜1462，1964）〕。しかしながら、形成方
法が難しく安定に形成することが極めて困難である。
【０００５】一方、タンタルにモリブデンを加えて合金
化することによっても比抵抗を低減できるが、せいぜい
４０マイクロオーム・センチメートルが限界である。
化することによっても比抵抗を低減できるが、せいぜい
４０マイクロオーム・センチメートルが限界である。
【０００６】これとは別に、半導体装置の配線層に用い
ているアルミニュームのボンディングパッド部の腐食を
防止し信頼性を高めるために、モリブデンをボンディン
グパッドに用いる手法が特開昭５６−１１６６４２号公
報に開示されており、また電極材料としてモリブデンを
用いた磁気抵抗効果型再生ヘッドが、特開平０１−１７
２１５号公報に開示されている。
ているアルミニュームのボンディングパッド部の腐食を
防止し信頼性を高めるために、モリブデンをボンディン
グパッドに用いる手法が特開昭５６−１１６６４２号公
報に開示されており、また電極材料としてモリブデンを
用いた磁気抵抗効果型再生ヘッドが、特開平０１−１７
２１５号公報に開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、素材として
の金は、非常に柔らかいため、エアー・ベアリング面
（ＡＢＳ）に露出した構造の磁気抵抗効果ヘッドではそ
の摩耗性が問題になる。また、モリブデンについては、
バルクとしての比抵抗は約５マイクロオーム・センチメ
ートルと小さく、電極膜として適していると考えられる
が、薄膜にすることによって比抵抗が増大することが一
般に知られている。また、モリブデンは一般に耐薬品性
および耐食性に劣るが、それらについて改善され電極膜
として適用された公知例は見当たらない。
の金は、非常に柔らかいため、エアー・ベアリング面
（ＡＢＳ）に露出した構造の磁気抵抗効果ヘッドではそ
の摩耗性が問題になる。また、モリブデンについては、
バルクとしての比抵抗は約５マイクロオーム・センチメ
ートルと小さく、電極膜として適していると考えられる
が、薄膜にすることによって比抵抗が増大することが一
般に知られている。また、モリブデンは一般に耐薬品性
および耐食性に劣るが、それらについて改善され電極膜
として適用された公知例は見当たらない。
【０００８】特開平０１−１７２１５号公報では、モリ
ブデン電極がＡＢＳに露出しない構造の磁気抵抗効果型
再生ヘッドとすることによって耐食性に劣るモリブデン
の欠点を回避しているが、モリブデン自体の耐薬品性お
よび耐食性に関して十分な配慮がなされておらず、ま
た、この構造にすることによって、磁気抵抗効果素子か
ら電極までの距離が遠ざかるため、その分の抵抗の増大
による発熱を引き起こし、熱的ノイズが生じやすい。
ブデン電極がＡＢＳに露出しない構造の磁気抵抗効果型
再生ヘッドとすることによって耐食性に劣るモリブデン
の欠点を回避しているが、モリブデン自体の耐薬品性お
よび耐食性に関して十分な配慮がなされておらず、ま
た、この構造にすることによって、磁気抵抗効果素子か
ら電極までの距離が遠ざかるため、その分の抵抗の増大
による発熱を引き起こし、熱的ノイズが生じやすい。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、上記従来例による不都合を改
善し、薄膜において比抵抗が小さく且つ耐薬品性および
耐食性に優れ、硬度的にも硬く且つ耐摩耗性にも優れた
電極膜を提供すると共に、それを電極膜として用いるこ
とによって抵抗・発熱・ノイズが小さく且つ信頼性が高
い磁気抵抗効果ヘッドを提供することを、その目的とす
る。
善し、薄膜において比抵抗が小さく且つ耐薬品性および
耐食性に優れ、硬度的にも硬く且つ耐摩耗性にも優れた
電極膜を提供すると共に、それを電極膜として用いるこ
とによって抵抗・発熱・ノイズが小さく且つ信頼性が高
い磁気抵抗効果ヘッドを提供することを、その目的とす
る。
【００１０】
【００１１】 上記目的を達成するため、 請求項１記載の
発明では、基板上に所定形状で膜状にパターニングされ
た磁気抵抗効果センサ部と、この磁気抵抗効果センサ部
を単磁区状態に設定する縦バイアス膜と、前記磁気抵抗
効果センサの層に電気的に接続され且つエアー・ベアリ
ング面に露出された第１の電極膜と、この第１の電極膜
上に電気的に接続された状態で積層され且つ前記エアー
・ベアリング面から離れた位置に配設された第２の電極
膜とを備えている。そして、前述した第１の電極膜を、
体心立方構造を有し且つその（１，１，０）面に垂直方
向の結晶粒の大きさが１５０オングストローム以上のモ
リブデン膜で構成する、という手法を採っている。
発明では、基板上に所定形状で膜状にパターニングされ
た磁気抵抗効果センサ部と、この磁気抵抗効果センサ部
を単磁区状態に設定する縦バイアス膜と、前記磁気抵抗
効果センサの層に電気的に接続され且つエアー・ベアリ
ング面に露出された第１の電極膜と、この第１の電極膜
上に電気的に接続された状態で積層され且つ前記エアー
・ベアリング面から離れた位置に配設された第２の電極
膜とを備えている。そして、前述した第１の電極膜を、
体心立方構造を有し且つその（１，１，０）面に垂直方
向の結晶粒の大きさが１５０オングストローム以上のモ
リブデン膜で構成する、という手法を採っている。
【００１２】 この請求項１記載の発明においては、これ
に対応した複数の試料を作成して実験した結果、垂直方
向の結晶粒の大きさＤ 1.1.0. の増大とともに比抵抗は減
少し、垂直方向の結晶粒の大きさＤ 1.1.0. が大きいほど
比抵抗を低減できることが明らかとなった。 即ち、垂直
方向の結晶粒の大きさＤ 1.1.0. を１５０オングストロー
ム程度に設 定すると比抵抗を２５マイクロオーム・セン
チメートル程度まで低減することができ、同結晶粒の大
きさＤ 1.1.0. を１６０オングストローム程度に設定する
と、比抵抗を２０マイクロオーム・センチメートル程度
まで低減することができ、垂直方向の結晶粒の大きさＤ
1.1.0. が１７０オングストローム以上で、比抵抗は１６
マイクロオーム・センチメートルの一定値に落ち着いて
いることが判明した。即ち、垂直方向の結晶粒の大きさ
Ｄ 1.1.0. を１７０オングストローム以上に制御すること
によって比抵抗を１６マイクロオーム・センチメートル
まで低減できることが明らかとなった。更に、全体的に
電極膜の耐久性増大を図ることが可能となった。
に対応した複数の試料を作成して実験した結果、垂直方
向の結晶粒の大きさＤ 1.1.0. の増大とともに比抵抗は減
少し、垂直方向の結晶粒の大きさＤ 1.1.0. が大きいほど
比抵抗を低減できることが明らかとなった。 即ち、垂直
方向の結晶粒の大きさＤ 1.1.0. を１５０オングストロー
ム程度に設 定すると比抵抗を２５マイクロオーム・セン
チメートル程度まで低減することができ、同結晶粒の大
きさＤ 1.1.0. を１６０オングストローム程度に設定する
と、比抵抗を２０マイクロオーム・センチメートル程度
まで低減することができ、垂直方向の結晶粒の大きさＤ
1.1.0. が１７０オングストローム以上で、比抵抗は１６
マイクロオーム・センチメートルの一定値に落ち着いて
いることが判明した。即ち、垂直方向の結晶粒の大きさ
Ｄ 1.1.0. を１７０オングストローム以上に制御すること
によって比抵抗を１６マイクロオーム・センチメートル
まで低減できることが明らかとなった。更に、全体的に
電極膜の耐久性増大を図ることが可能となった。
【００１３】 請求項２記載の発明では、基板上に所定形
状で膜状にパターニングされた磁気抵抗効果センサ部
と、この磁気抵抗効果センサ部を単磁区状態に設定する
縦バイアス膜と、前記磁気抵抗効果センサの層に電気的
に接続され且つエアー・ベアリング面に露出された第１
の電極膜と、この第１の電極膜上に電気的に接続された
状態で積層され且つ前記エアー・ベアリング面から離れ
た位置に配設された第２の電極膜とを備えている。そし
て、前述した第１の電極膜を、体心立方構造を有し且つ
その（１，１，０）面に垂直方向の結晶粒の大きさが１
５０オングストローム以上のモリブデン膜で構成すると
共に、この第１の電極膜を２００℃以上の温度で１時間
以上熱処理する、という構成を採っている。
状で膜状にパターニングされた磁気抵抗効果センサ部
と、この磁気抵抗効果センサ部を単磁区状態に設定する
縦バイアス膜と、前記磁気抵抗効果センサの層に電気的
に接続され且つエアー・ベアリング面に露出された第１
の電極膜と、この第１の電極膜上に電気的に接続された
状態で積層され且つ前記エアー・ベアリング面から離れ
た位置に配設された第２の電極膜とを備えている。そし
て、前述した第１の電極膜を、体心立方構造を有し且つ
その（１，１，０）面に垂直方向の結晶粒の大きさが１
５０オングストローム以上のモリブデン膜で構成すると
共に、この第１の電極膜を２００℃以上の温度で１時間
以上熱処理する、という構成を採っている。
【００１４】 このようにしても、前述した請求項１記載
の発明と同等の作用効果を得ることができ、且つ全体的
に電極膜の耐久性増大を図ることができ、更に熱処理に
よって第１の電極膜の結晶粒の大きさの増大を図ること
ができる。
の発明と同等の作用効果を得ることができ、且つ全体的
に電極膜の耐久性増大を図ることができ、更に熱処理に
よって第１の電極膜の結晶粒の大きさの増大を図ること
ができる。
【００１５】 請求項３記載の発明では、基板上に所定形
状で膜状にパターニングされた磁気抵抗効果センサ部
と、この磁気抵抗効果センサ部を単磁区状態に設定する
縦バイアス膜と、前記磁気抵抗効果センサの層に電気的
に接続され且つエアー・ベアリング面に露出された第１
の電極膜と、この第１の電極膜上に電気的に接続された
状態で積層され且つ前記エアー・ベアリング面から離れ
た位置に配設定された第２の電極膜とを備えている。
又、前述した第１の電極膜を、体心立方構造を有し且つ
その（１，１，０）面に垂直方向の結晶粒の大きさが１
５０オングストローム以上のモリブデン膜で構成する。
そして、この第１の電極膜を、２００℃以上の温度で１
時間以上熱処理すると共に、当該第１の電極膜の膜厚を
１００オングストローム以上１０００オングストローム
以下の厚さに設定する、という構成を採っている。
状で膜状にパターニングされた磁気抵抗効果センサ部
と、この磁気抵抗効果センサ部を単磁区状態に設定する
縦バイアス膜と、前記磁気抵抗効果センサの層に電気的
に接続され且つエアー・ベアリング面に露出された第１
の電極膜と、この第１の電極膜上に電気的に接続された
状態で積層され且つ前記エアー・ベアリング面から離れ
た位置に配設定された第２の電極膜とを備えている。
又、前述した第１の電極膜を、体心立方構造を有し且つ
その（１，１，０）面に垂直方向の結晶粒の大きさが１
５０オングストローム以上のモリブデン膜で構成する。
そして、この第１の電極膜を、２００℃以上の温度で１
時間以上熱処理すると共に、当該第１の電極膜の膜厚を
１００オングストローム以上１０００オングストローム
以下の厚さに設定する、という構成を採っている。
【００１６】 このようにしても、前述した請求項１記載
の発明と同等の作用効果を得ることができ、更に、全体
的に電極膜の耐久性増大を図ることができる。
の発明と同等の作用効果を得ることができ、更に、全体
的に電極膜の耐久性増大を図ることができる。
【００１７】 請求項４記載の発明では、前述した第２の
電極膜層の素材として、金を使用する、という構成を採
っている。
電極膜層の素材として、金を使用する、という構成を採
っている。
【００１８】 このようにしても、前述した請求項１記載
の発明と同等の作用効果を得ることができ、更に、素材
としての金と付着力の強い上記電極膜との２層構造の電
極膜とすることによって、さらに抵抗値の小さい磁気抵
抗効果ヘッドを得ることができる。
の発明と同等の作用効果を得ることができ、更に、素材
としての金と付着力の強い上記電極膜との２層構造の電
極膜とすることによって、さらに抵抗値の小さい磁気抵
抗効果ヘッドを得ることができる。
【００１９】 請求項５記載の発明では、前述した第２の
電極膜の厚さを、１０００オングストローム以上１００
００オングストローム以下に設定する、という構成を採
っている。
電極膜の厚さを、１０００オングストローム以上１００
００オングストローム以下に設定する、という構成を採
っている。
【００２０】 このようにしても、前述した請求項１記載
の発明と同等の作用効果を得ることができ、且つ抵抗値
の小さい磁気抵抗効果ヘッドを得ることができる。
の発明と同等の作用効果を得ることができ、且つ抵抗値
の小さい磁気抵抗効果ヘッドを得ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態） 以下、本発明の第１の実施形態を図１〜図５に基づいて
説明する。まず、図１において、磁気抵抗効果ヘッド
は、基板１上に、絶縁膜２，磁気抵抗（ＭＲ）センサ部
３，縦バイアス膜４Ａおよび４Ｂ，電極膜５Ａおよび５
Ｂが、順次積層された構造となっている。
説明する。まず、図１において、磁気抵抗効果ヘッド
は、基板１上に、絶縁膜２，磁気抵抗（ＭＲ）センサ部
３，縦バイアス膜４Ａおよび４Ｂ，電極膜５Ａおよび５
Ｂが、順次積層された構造となっている。
【００２２】 ＭＲセンサ部３の端部は、図１（ａ）に開
示したように、その両端部がテーパ（傾斜面）加工さ
れ、更に、縦バイアス膜４Ａおよび４Ｂと電極膜５Ａお
よび５ＢがＭＲセンサ部３のテーパ加工された端部を覆
うようにして形成されている。又、平面的には図１
（ｂ）に示されているように、長方形に形成されたＭＲ
センサ部３の両端部に電極膜５Ａおよび５Ｂが配設さ
れ、エアー・ベアリング面（ＡＢＳ面））Ｘで切断され
た構造になっている。
示したように、その両端部がテーパ（傾斜面）加工さ
れ、更に、縦バイアス膜４Ａおよび４Ｂと電極膜５Ａお
よび５ＢがＭＲセンサ部３のテーパ加工された端部を覆
うようにして形成されている。又、平面的には図１
（ｂ）に示されているように、長方形に形成されたＭＲ
センサ部３の両端部に電極膜５Ａおよび５Ｂが配設さ
れ、エアー・ベアリング面（ＡＢＳ面））Ｘで切断され
た構造になっている。
【００２３】 基板としては、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系のセ
ラミックが使用されている。絶縁膜２は厚さが１０００
オングストロームのＡｌ2 Ｏ3 からなり、ＭＲセンサ部
３は軟磁性膜として厚さが３００オングストロームのコ
バルト・ジルコニウム・モリブデン非晶質合金、非磁性
スペーサ膜として厚さが１００オングストロームのタン
タル、磁気抵抗効果膜として厚さ２００オングストロー
ムのニッケル・鉄合金を順次積層した３層膜からなり、
縦バイアス膜４Ａおよび４Ｂは厚さ３００オングストロ
ームのコバルト・クロム・プラチナ合金からなり、これ
らがスパッタ法により順次積層成膜されて形成されてい
る。
ラミックが使用されている。絶縁膜２は厚さが１０００
オングストロームのＡｌ2 Ｏ3 からなり、ＭＲセンサ部
３は軟磁性膜として厚さが３００オングストロームのコ
バルト・ジルコニウム・モリブデン非晶質合金、非磁性
スペーサ膜として厚さが１００オングストロームのタン
タル、磁気抵抗効果膜として厚さ２００オングストロー
ムのニッケル・鉄合金を順次積層した３層膜からなり、
縦バイアス膜４Ａおよび４Ｂは厚さ３００オングストロ
ームのコバルト・クロム・プラチナ合金からなり、これ
らがスパッタ法により順次積層成膜されて形成されてい
る。
【００２４】 次に、上記磁気抵抗効果ヘッドの作製工程
について、図２〜図５に基づいて詳述する。
について、図２〜図５に基づいて詳述する。
【００２５】 まず、図２（ａ）（ｂ）に示すように、基
板１上に、絶縁膜２，ＭＲセンサ部３を順次スパッタ法
を用いて積層成膜する。ここで、図２（ａ）は成膜の状
態を示し、図２（ｂ）は、その平面図を示す。その後、
図３（ａ）（ｂ）に示すように、画像反転ネガ型のフォ
トレジスト６を、適当な条件によってステンシル形状に
パターン化する。ここで、図３（ａ）に示された画像反
転ネガ型のフォトレジスト６から形成されるステンシル
は図３の形態のものに限定はされない。又図２（ｂ），
３（ｂ）において、記号ＸはＡＢＳ面となる位置を示
す。
板１上に、絶縁膜２，ＭＲセンサ部３を順次スパッタ法
を用いて積層成膜する。ここで、図２（ａ）は成膜の状
態を示し、図２（ｂ）は、その平面図を示す。その後、
図３（ａ）（ｂ）に示すように、画像反転ネガ型のフォ
トレジスト６を、適当な条件によってステンシル形状に
パターン化する。ここで、図３（ａ）に示された画像反
転ネガ型のフォトレジスト６から形成されるステンシル
は図３の形態のものに限定はされない。又図２（ｂ），
３（ｂ）において、記号ＸはＡＢＳ面となる位置を示
す。
【００２６】 次に、イオンミリング法を用いて、ＭＲセ
ンサ部をテーパ加工した後、縦バイアス膜４Ａおよび４
Ｂを積層する。更に、電極膜５Ａ，５Ｂとして、成膜パ
ワー密度２．７〔Ｗ／ｃｍ2 〕，圧力０．１３〔Ｐａ〕
のアルゴンガス雰囲気中で、モリブデンを２０００オン
グストロームの膜厚で積層成膜し、アセトンなどの有機
溶剤を用いて、フォトレジスト６を取り除くことによっ
て、図４（ａ）（ｂ）に示されるような構造にする。記
号ＸはＡＢＳ面となる位置を示す。
ンサ部をテーパ加工した後、縦バイアス膜４Ａおよび４
Ｂを積層する。更に、電極膜５Ａ，５Ｂとして、成膜パ
ワー密度２．７〔Ｗ／ｃｍ2 〕，圧力０．１３〔Ｐａ〕
のアルゴンガス雰囲気中で、モリブデンを２０００オン
グストロームの膜厚で積層成膜し、アセトンなどの有機
溶剤を用いて、フォトレジスト６を取り除くことによっ
て、図４（ａ）（ｂ）に示されるような構造にする。記
号ＸはＡＢＳ面となる位置を示す。
【００２７】 続いて、図５（ａ）（ｂ）に示すように、
ポジ型フォトレジスト７を適当な条件で露光・現像しパ
ターン化する。記号ＸはＡＢＳ面となる位置を示す。し
かる後、イオンミリング法により、ポジ型フォトレジス
ト７によってマスクされていない領域の電極膜５Ａ，５
Ｂと縦バイアス膜４Ａ，４Ｂを除去し、ポジ型フォトレ
ジスト７をアセトンなどの有機溶剤を用いて取り除いた
後、７×１０-5〔Ｐａ〕に真空排気された熱処理炉で２
００〔℃〕の温度で１．２時間熱処理し、最後に破線Ｘ
で示されるＡＢＳ面Ｘで切断することにより、図１に示
すような磁気抵抗効果ヘッドを得る。
ポジ型フォトレジスト７を適当な条件で露光・現像しパ
ターン化する。記号ＸはＡＢＳ面となる位置を示す。し
かる後、イオンミリング法により、ポジ型フォトレジス
ト７によってマスクされていない領域の電極膜５Ａ，５
Ｂと縦バイアス膜４Ａ，４Ｂを除去し、ポジ型フォトレ
ジスト７をアセトンなどの有機溶剤を用いて取り除いた
後、７×１０-5〔Ｐａ〕に真空排気された熱処理炉で２
００〔℃〕の温度で１．２時間熱処理し、最後に破線Ｘ
で示されるＡＢＳ面Ｘで切断することにより、図１に示
すような磁気抵抗効果ヘッドを得る。
【００２８】 ここで、従来例にあっては、ＡＢＳ面Ｘに
露出している電極膜に金などの柔らかい金属を用いたた
め、ＡＢＳ面Ｘでの切断に際しては金によるバリが発生
することがしばしばあった。しかしながら、電極膜を硬
いモリブデンにより形成することによ、バリの発生を防
ぐことができた。また、作製工程において、電極膜の腐
食などは発生せず、耐食性は良好であった。
露出している電極膜に金などの柔らかい金属を用いたた
め、ＡＢＳ面Ｘでの切断に際しては金によるバリが発生
することがしばしばあった。しかしながら、電極膜を硬
いモリブデンにより形成することによ、バリの発生を防
ぐことができた。また、作製工程において、電極膜の腐
食などは発生せず、耐食性は良好であった。
【００２９】 次に、本発明の低比抵抗電極膜の諸特性
（性質）について、具体例に基づいて詳述する。
（性質）について、具体例に基づいて詳述する。
【００３０】 最初に、特性評価用試料として、ガラス基
板上にスパッタ法を用いて５００オングストロームの厚
さのモリブデンを成膜した試料７点を作成した。使用し
たアルゴンガスのガス圧および成膜パワー密度を図６に
示す。この場合、各試料７点（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，
Ｆ，Ｇ）の比抵抗を測定し、更にその後、２００〔℃〕
で１時間，２時間，３時間および２５時間熱処理したと
きの比抵抗を測定した。この結果を図７に示す。
板上にスパッタ法を用いて５００オングストロームの厚
さのモリブデンを成膜した試料７点を作成した。使用し
たアルゴンガスのガス圧および成膜パワー密度を図６に
示す。この場合、各試料７点（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，
Ｆ，Ｇ）の比抵抗を測定し、更にその後、２００〔℃〕
で１時間，２時間，３時間および２５時間熱処理したと
きの比抵抗を測定した。この結果を図７に示す。
【００３１】 この図６乃至図７より、成膜パワー密度を
大きくし、アルゴンガス圧を小さくすることによって比
抵抗は減少することが判明した。また、２００〔℃〕，
１時間の熱処理を施すことによって、比抵抗は減少し、
その後長時間熱処理を実施しても変化せず安定であるこ
とも判明した。
大きくし、アルゴンガス圧を小さくすることによって比
抵抗は減少することが判明した。また、２００〔℃〕，
１時間の熱処理を施すことによって、比抵抗は減少し、
その後長時間熱処理を実施しても変化せず安定であるこ
とも判明した。
【００３２】 更に、これらの試料に対してディフラクト
メータ法を用いたデバイ・シェラー法によるＸ線回析を
行ったところ、全て体心立方構造を示すことを確認する
ことができた。更に、Ｓcherrer の式を用いて（１，
１，０）面に垂直方向の結晶粒の大きさＤ1,1,0.を計算
した。図８にその計算結果を示す。
メータ法を用いたデバイ・シェラー法によるＸ線回析を
行ったところ、全て体心立方構造を示すことを確認する
ことができた。更に、Ｓcherrer の式を用いて（１，
１，０）面に垂直方向の結晶粒の大きさＤ1,1,0.を計算
した。図８にその計算結果を示す。
【００３３】 この図８からも明らかのように、熱処理を
施すことによって垂直方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.は
増大することが判明した。
施すことによって垂直方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.は
増大することが判明した。
【００３４】 図９は、上記図７乃至図８を基にして垂直
方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.と比抵抗との関係を線図
で表示したものである。
方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.と比抵抗との関係を線図
で表示したものである。
【００３５】 この図９を参照すると、垂直方向の結晶粒
の大きさＤ1.1.0.の増大とともに比抵抗は減少してお
り、垂直方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.が１７０オング
ストローム以上で、比抵抗は１６マイクロオーム・セン
チメートルの一定値に落ち着いていることがわかる。す
なわち、垂直方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.を１７０オ
ングストローム以上に制御することによって比抵抗を１
６マイクロオーム・センチメートルまで低減できること
が明らかとなった。
の大きさＤ1.1.0.の増大とともに比抵抗は減少してお
り、垂直方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.が１７０オング
ストローム以上で、比抵抗は１６マイクロオーム・セン
チメートルの一定値に落ち着いていることがわかる。す
なわち、垂直方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.を１７０オ
ングストローム以上に制御することによって比抵抗を１
６マイクロオーム・センチメートルまで低減できること
が明らかとなった。
【００３６】 この場合、図９からも明らかのように、垂
直方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.を１５０オングストロ
ーム程度に設定すると比抵抗を２５マイクロオーム・セ
ンチメートル程度まで低減することができ、同結晶粒の
大きさＤ1.1.0.を１６０オングストローム程度に設定す
ると、比抵抗を２０マイクロオーム・センチメートル程
度まで低減することができることも、同時に明らかとな
った。
直方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.を１５０オングストロ
ーム程度に設定すると比抵抗を２５マイクロオーム・セ
ンチメートル程度まで低減することができ、同結晶粒の
大きさＤ1.1.0.を１６０オングストローム程度に設定す
ると、比抵抗を２０マイクロオーム・センチメートル程
度まで低減することができることも、同時に明らかとな
った。
【００３７】 次に、熱処理前の試料Ａ，Ｃ，Ｅ，Ｇにつ
いて、ヨウ素とヨウ化カリウムと水とから成り重量比が
「１：２：２０００」の比率で混合されたエッチング溶
液に浸漬したときの、浸漬時間に対する膜厚抵抗値を測
定してみた。その測定結果を図１０に示す。
いて、ヨウ素とヨウ化カリウムと水とから成り重量比が
「１：２：２０００」の比率で混合されたエッチング溶
液に浸漬したときの、浸漬時間に対する膜厚抵抗値を測
定してみた。その測定結果を図１０に示す。
【００３８】 この図１０の測定結果によると、試料Ｅ，
試料Ａ，試料Ｃ，試料Ｇの順に膜厚の減少が小さく良好
な耐性を示している。このため、これを図７および図８
の結果と突き合わせると、比抵抗が小さく垂直方向の結
晶粒の大きさＤ1.1.0.が大きいほど、上記のエッチング
溶液に対する耐性が良好であることが判明した。
試料Ａ，試料Ｃ，試料Ｇの順に膜厚の減少が小さく良好
な耐性を示している。このため、これを図７および図８
の結果と突き合わせると、比抵抗が小さく垂直方向の結
晶粒の大きさＤ1.1.0.が大きいほど、上記のエッチング
溶液に対する耐性が良好であることが判明した。
【００３９】 さらに、熱処理前の試料Ａ，試料Ｃ，試料
Ｅ，試料Ｇ（図６参照）について、リン酸塩（ＮａｎＨ
3 −ｎＰＯ4 ）を成分とする現像液に浸漬したときの、
浸漬時間に対する膜厚を測定した。その測定結果を図１
１に示す。
Ｅ，試料Ｇ（図６参照）について、リン酸塩（ＮａｎＨ
3 −ｎＰＯ4 ）を成分とする現像液に浸漬したときの、
浸漬時間に対する膜厚を測定した。その測定結果を図１
１に示す。
【００４０】 この図１１の測定結果によると、試料Ｃお
よび試料Ｇは１０分間の浸漬に対しては膜厚の変化はみ
られないが、試料Ａでは膜厚が約１００オングストロー
ム減少しており、試料Ｅについては膜厚が約２３０オン
グストローム減少する、という結果を得た。即ち、図１
０の結果と同様に、比抵抗が小さく垂直方向の結晶粒の
大きさＤ1.1.0.が大きいほど上述した現像液に対する耐
性が良好であることが判明した。
よび試料Ｇは１０分間の浸漬に対しては膜厚の変化はみ
られないが、試料Ａでは膜厚が約１００オングストロー
ム減少しており、試料Ｅについては膜厚が約２３０オン
グストローム減少する、という結果を得た。即ち、図１
０の結果と同様に、比抵抗が小さく垂直方向の結晶粒の
大きさＤ1.1.0.が大きいほど上述した現像液に対する耐
性が良好であることが判明した。
【００４１】 モリブデン膜においては、比抵抗をより小
さくし且つ垂直方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.を増大さ
せる方法としては、スパッタ法を用いて作製する場合、
成膜パワー密度を大きくしたり、成膜時に低ガス圧で実
施したりすることが有効であることを実験的に明らかに
する事が出来た。前述した試料Ａ〜試料Ｇに続き、さら
に評価用試料として、ガラス基板上にスパッタ法を用い
て１５００オングストロームの厚さの金を成膜した試料
（試料Ｈ）を用意し、試料Ｇと試料Ｈのビッカース硬度
を特定したところ、試料Ｈは約１６０であったのに対し
て、試料Ｇは８６０程度と５倍以上の大きい値を示し、
試料Ｇのほうが硬いことが判明した。
さくし且つ垂直方向の結晶粒の大きさＤ1.1.0.を増大さ
せる方法としては、スパッタ法を用いて作製する場合、
成膜パワー密度を大きくしたり、成膜時に低ガス圧で実
施したりすることが有効であることを実験的に明らかに
する事が出来た。前述した試料Ａ〜試料Ｇに続き、さら
に評価用試料として、ガラス基板上にスパッタ法を用い
て１５００オングストロームの厚さの金を成膜した試料
（試料Ｈ）を用意し、試料Ｇと試料Ｈのビッカース硬度
を特定したところ、試料Ｈは約１６０であったのに対し
て、試料Ｇは８６０程度と５倍以上の大きい値を示し、
試料Ｇのほうが硬いことが判明した。
【００４２】 そして、上述した垂直方向の結晶粒の大き
さＤ1.1.0.を１５０オングストロームとした場合の電極
膜を利用して作製された磁気抵抗効果ヘッド（図１参
照）の抵抗を測定したところ、常に２５オーム前後の小
さい抵抗値を安定して得ることができ、発熱も小さく抑
えられた。また、再生特性としては熱によるノイズの少
ない良好な再生波形が得られた。さらに、浮上および着
地によるヘッドの耐摩耗性を検査するＣＳＳ試験を、磁
気記録媒体を１０万回回転・停止させることにより実施
したところ、ＡＢＳ面での電極膜の摩耗はなく、十分な
耐摩耗性が確認された。
さＤ1.1.0.を１５０オングストロームとした場合の電極
膜を利用して作製された磁気抵抗効果ヘッド（図１参
照）の抵抗を測定したところ、常に２５オーム前後の小
さい抵抗値を安定して得ることができ、発熱も小さく抑
えられた。また、再生特性としては熱によるノイズの少
ない良好な再生波形が得られた。さらに、浮上および着
地によるヘッドの耐摩耗性を検査するＣＳＳ試験を、磁
気記録媒体を１０万回回転・停止させることにより実施
したところ、ＡＢＳ面での電極膜の摩耗はなく、十分な
耐摩耗性が確認された。
【００４３】 （第２の実施形態） 次に、本発明の第２の実施形態を図１２乃至図１７に基
づいて説明する。図１２において、磁気抵抗効果ヘッド
は、基板１上に、絶縁膜２，ＭＲセンサ部３，縦バイア
ス膜４Ａおよび４Ｂ，第１の電極膜１０Ａおよび１０
Ｂ，第２の電極膜１１Ａおよび１１Ｂが順次積層された
構造となっている。また、この磁気抵抗効果ヘッドは、
ＭＲセンサ部３の図１２（ａ）における左右両端部が傾
斜面をなすようにテーパ加工され、更に、前述した縦バ
イアス膜４Ａおよび４Ｂ，第１の電極膜１０Ａおよび１
０Ｂ，第２の電極膜１１Ａおよび１１Ｂが、ＭＲセンサ
部３のテーパ加工された端部を覆うようにして形成され
ている。
づいて説明する。図１２において、磁気抵抗効果ヘッド
は、基板１上に、絶縁膜２，ＭＲセンサ部３，縦バイア
ス膜４Ａおよび４Ｂ，第１の電極膜１０Ａおよび１０
Ｂ，第２の電極膜１１Ａおよび１１Ｂが順次積層された
構造となっている。また、この磁気抵抗効果ヘッドは、
ＭＲセンサ部３の図１２（ａ）における左右両端部が傾
斜面をなすようにテーパ加工され、更に、前述した縦バ
イアス膜４Ａおよび４Ｂ，第１の電極膜１０Ａおよび１
０Ｂ，第２の電極膜１１Ａおよび１１Ｂが、ＭＲセンサ
部３のテーパ加工された端部を覆うようにして形成され
ている。
【００４４】 また、平面的には図１２（ｂ）に示されて
いるように、長方形に形成されたＭＲセンサ部３の両端
部に第１の電極膜１０Ａおよび１０Ｂが配設され、更
に、第２の電極膜１１Ａおよび１１ＢがＭＲセンサ部３
の両端部および破線Ｘで示されているＡＢＳから一定の
間隔をもって離れて配設され、破線Ｘで示されているＡ
ＢＳ面で切断された構造になっている。
いるように、長方形に形成されたＭＲセンサ部３の両端
部に第１の電極膜１０Ａおよび１０Ｂが配設され、更
に、第２の電極膜１１Ａおよび１１ＢがＭＲセンサ部３
の両端部および破線Ｘで示されているＡＢＳから一定の
間隔をもって離れて配設され、破線Ｘで示されているＡ
ＢＳ面で切断された構造になっている。
【００４５】 基板としては、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系のセ
ラミックが使用されている。絶縁膜２は、Ａｌ2 Ｏ3 か
らなり且つその厚さが約８００オングストロームに設定
されている。ＭＲセンサ部３は、コバルト・ジルコニウ
ム・モリブデン非晶質合金からなり、軟磁性膜として厚
さが約３００オングストロームに設定されている。非磁
性スペーサ膜としては、タンタルからなり，厚さが約１
００オングストロームに設定されている。
ラミックが使用されている。絶縁膜２は、Ａｌ2 Ｏ3 か
らなり且つその厚さが約８００オングストロームに設定
されている。ＭＲセンサ部３は、コバルト・ジルコニウ
ム・モリブデン非晶質合金からなり、軟磁性膜として厚
さが約３００オングストロームに設定されている。非磁
性スペーサ膜としては、タンタルからなり，厚さが約１
００オングストロームに設定されている。
【００４６】 磁気抵抗効果膜としては、ニッケル・鉄合
金を順次積層した３層膜からなり，厚さが約２００オン
グストロームに設定されている。縦バイアス膜４Ａおよ
び４Ｂは、コバルト・クロム・プラチナ合金からなり、
厚さが約３００オングストロームに設定されている。そ
して、これらがスパッタ法により順次積層成膜されて形
成されている。
金を順次積層した３層膜からなり，厚さが約２００オン
グストロームに設定されている。縦バイアス膜４Ａおよ
び４Ｂは、コバルト・クロム・プラチナ合金からなり、
厚さが約３００オングストロームに設定されている。そ
して、これらがスパッタ法により順次積層成膜されて形
成されている。
【００４７】 次に、上記磁気抵抗効果ヘッドの作製工程
について、図１３〜図１７に基づいて詳述する。
について、図１３〜図１７に基づいて詳述する。
【００４８】 まず、図１３に示すように、基板１上に、
絶縁膜２，ＭＲセンサ部３，金８（膜厚２４００オング
ストローム）を順次スパッタ法を用いて積層成膜し、１
ミクロンの厚さのポジ型フォトレジスト９を適当な条件
によりパターン化する。その後、ヨウ素とヨウ化カリウ
ムと水の重量が「１：２：２００」の比率で混合された
濃度のエッチング溶液を用いて、図１４に示すように金
を素材としてエッチングしパターン化することによっ
て、ステンシル軸部を形成した。
絶縁膜２，ＭＲセンサ部３，金８（膜厚２４００オング
ストローム）を順次スパッタ法を用いて積層成膜し、１
ミクロンの厚さのポジ型フォトレジスト９を適当な条件
によりパターン化する。その後、ヨウ素とヨウ化カリウ
ムと水の重量が「１：２：２００」の比率で混合された
濃度のエッチング溶液を用いて、図１４に示すように金
を素材としてエッチングしパターン化することによっ
て、ステンシル軸部を形成した。
【００４９】 次に、イオンミリング法を用いて、ＭＲセ
ンサ部３の両端部をテーパ（傾斜面）加工した後、縦バ
イアス膜４Ａおよび４Ｂを積層する。更に、第１の電極
膜１０Ａおよび１０Ｂとして、成膜パワー密度２．４
〔Ｗ／ｃｍ2 〕，圧力０．１１〔Ｐａ〕のアルゴンガス
雰囲気中で、モリブデンを５００オングストロームの膜
厚で積層成膜し、アセトンなどの有機溶剤を用いて、ポ
ジ型フォトレジスト９を取り除き、引き続いてステンシ
ル軸部を形成していた金をヨウ素とヨウ化カリウムと水
の重量が「１：２：２０００」の比率で混合された濃度
のエッチング溶液を用いて除去することによって、図１
５に示されるような構造にする。
ンサ部３の両端部をテーパ（傾斜面）加工した後、縦バ
イアス膜４Ａおよび４Ｂを積層する。更に、第１の電極
膜１０Ａおよび１０Ｂとして、成膜パワー密度２．４
〔Ｗ／ｃｍ2 〕，圧力０．１１〔Ｐａ〕のアルゴンガス
雰囲気中で、モリブデンを５００オングストロームの膜
厚で積層成膜し、アセトンなどの有機溶剤を用いて、ポ
ジ型フォトレジスト９を取り除き、引き続いてステンシ
ル軸部を形成していた金をヨウ素とヨウ化カリウムと水
の重量が「１：２：２０００」の比率で混合された濃度
のエッチング溶液を用いて除去することによって、図１
５に示されるような構造にする。
【００５０】 次に、図１６に示すように、ポジ型フォト
レジスト１２を適当な条件を用いて露光・現像しパター
ン化する。しかる後、イオンミリング法により、ポジ型
フォトレジスト１２によってマスクされていない領域の
第１の電極膜１０Ａおよび１０Ｂと縦バイアス膜４Ａお
よび４Ｂを除去し、さらにポジ型フォトレジスト１２を
アセトンなどの有機溶剤を用いて取り除いた。
レジスト１２を適当な条件を用いて露光・現像しパター
ン化する。しかる後、イオンミリング法により、ポジ型
フォトレジスト１２によってマスクされていない領域の
第１の電極膜１０Ａおよび１０Ｂと縦バイアス膜４Ａお
よび４Ｂを除去し、さらにポジ型フォトレジスト１２を
アセトンなどの有機溶剤を用いて取り除いた。
【００５１】 次に、適当な条件により露光・現像するこ
とによってパターン化されたポジ型フォトレジストを用
いてマスクした後、厚さ１５００オングストロームの金
からなる第２の電極膜１１Ａおよび１１Ｂをスパッタ法
を用いて積層成膜し形成し、マスクしていたポジ型フォ
トレジストをアセトンなどの有機溶剤を用いて取り除く
ことによって図１２の形状にした。
とによってパターン化されたポジ型フォトレジストを用
いてマスクした後、厚さ１５００オングストロームの金
からなる第２の電極膜１１Ａおよび１１Ｂをスパッタ法
を用いて積層成膜し形成し、マスクしていたポジ型フォ
トレジストをアセトンなどの有機溶剤を用いて取り除く
ことによって図１２の形状にした。
【００５２】 最後に、７×１０-5〔Ｐａ〕に真空排気さ
れた熱処理炉で２２０〔℃〕の温度で１．５時間熱処理
し、破線Ｘで示されるＡＢＳ面で切断することにより、
図１２に示すような磁気抵抗効果ヘッドを作製した。こ
こで、前述した第１の実施形態の場合と同様に、従来例
で生じていたＡＢＳ面での切断時の金によるバリの発生
を、第１の電極膜を硬いモリブデンにより形成すること
によって防ぐことができた。また、作製工程において、
第１の電極膜の腐食などは発生せず、耐食性は良好であ
った。
れた熱処理炉で２２０〔℃〕の温度で１．５時間熱処理
し、破線Ｘで示されるＡＢＳ面で切断することにより、
図１２に示すような磁気抵抗効果ヘッドを作製した。こ
こで、前述した第１の実施形態の場合と同様に、従来例
で生じていたＡＢＳ面での切断時の金によるバリの発生
を、第１の電極膜を硬いモリブデンにより形成すること
によって防ぐことができた。また、作製工程において、
第１の電極膜の腐食などは発生せず、耐食性は良好であ
った。
【００５３】 そして、作製された磁気抵抗効果ヘッドの
抵抗を測定したところ、前述した図１の実施形態の場合
と同様に、常に２５オーム前後の小さい抵抗値を安定し
て得ることができ、発熱も小さく抑えられた。また、再
生特性としては熱によるノイズの少ない良好な再生波形
が得られた。さらに、１０万回のＣＳＳ試験を実施した
ところ、ＡＢＳ面での電極膜の摩耗はなく、十分な耐摩
耗性が確認された。即ち、本発明の磁気抵抗効果ヘッド
は、電極膜は下記のような条件を満たせば同様な結果が
得られる。
抵抗を測定したところ、前述した図１の実施形態の場合
と同様に、常に２５オーム前後の小さい抵抗値を安定し
て得ることができ、発熱も小さく抑えられた。また、再
生特性としては熱によるノイズの少ない良好な再生波形
が得られた。さらに、１０万回のＣＳＳ試験を実施した
ところ、ＡＢＳ面での電極膜の摩耗はなく、十分な耐摩
耗性が確認された。即ち、本発明の磁気抵抗効果ヘッド
は、電極膜は下記のような条件を満たせば同様な結果が
得られる。
【００５４】 電極膜は、体心立方構造をもつモリブデン
膜からなり、その体心立方構造の（１，１，０）面に垂
直方向の結晶粒の大きさが１５０オングストローム以上
であればよく、そのとき電極膜を２００〔℃〕以上の温
度で１時間以上熱処理してもよい。
膜からなり、その体心立方構造の（１，１，０）面に垂
直方向の結晶粒の大きさが１５０オングストローム以上
であればよく、そのとき電極膜を２００〔℃〕以上の温
度で１時間以上熱処理してもよい。
【００５５】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、比抵抗が小さく耐薬品性および耐
食性に優れ、硬度的にも硬く耐摩耗性にも優れた電極膜
を得ることができ、それを磁気抵抗効果ヘッドの電極膜
として用いることによって抵抗値や発熱やノイズ等が小
さく且つ信頼性の高い、更には電極膜をＡＢＳ面に露出
しても耐食性および耐摩耗性の点で十分に信頼性の高い
磁気抵抗効果ヘッドを提供することができ、更に、素材
としての金と付着力の強い上記電極膜との２層構造の電
極膜とすることによって、さらに抵抗値の小さい磁気抵
抗効果ヘッドを提供できるという従来にない優れた磁気
抵抗効果ヘッドを提供することができる。
ので、これによると、比抵抗が小さく耐薬品性および耐
食性に優れ、硬度的にも硬く耐摩耗性にも優れた電極膜
を得ることができ、それを磁気抵抗効果ヘッドの電極膜
として用いることによって抵抗値や発熱やノイズ等が小
さく且つ信頼性の高い、更には電極膜をＡＢＳ面に露出
しても耐食性および耐摩耗性の点で十分に信頼性の高い
磁気抵抗効果ヘッドを提供することができ、更に、素材
としての金と付着力の強い上記電極膜との２層構造の電
極膜とすることによって、さらに抵抗値の小さい磁気抵
抗効果ヘッドを提供できるという従来にない優れた磁気
抵抗効果ヘッドを提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す図で、図１
（ａ）はエア・ベアリング面（ＡＢＳ面）から見た構成
図を示し、図１（ｂ）は基板に対して上から見た場合の
構成図である。
（ａ）はエア・ベアリング面（ＡＢＳ面）から見た構成
図を示し、図１（ｂ）は基板に対して上から見た場合の
構成図である。
【図２】図１に開示した磁気抵抗効果ヘッドの製造手順
の一部を示す図で、図２（ａ）は基板上に絶縁膜，ＭＲ
センサ部材を順次成膜した後のＡＢＳ面を想定した面か
ら見た場合の構成図（積層状態）を示し、図２（ｂ）は
図２（ａ）を基板に対して上から見た場合の構成図を示
す。
の一部を示す図で、図２（ａ）は基板上に絶縁膜，ＭＲ
センサ部材を順次成膜した後のＡＢＳ面を想定した面か
ら見た場合の構成図（積層状態）を示し、図２（ｂ）は
図２（ａ）を基板に対して上から見た場合の構成図を示
す。
【図３】図１に開示した磁気抵抗効果ヘッドの製造手順
の一部を示す図で、図２に工程後のもので、図３（ａ）
は画像反転ネガ型のフォトレジストをステンシル形状に
パターン化した状態を示すＡＢＳ面を想定した面から見
た構成図、図３（ｂ）は図３（ａ）を基板に対して上か
ら見た場合を示す構成図である。
の一部を示す図で、図２に工程後のもので、図３（ａ）
は画像反転ネガ型のフォトレジストをステンシル形状に
パターン化した状態を示すＡＢＳ面を想定した面から見
た構成図、図３（ｂ）は図３（ａ）を基板に対して上か
ら見た場合を示す構成図である。
【図４】図１で示される磁気抵抗効果ヘッドの製造手順
の一部を示す図で、図３の工程後のもので、図４（ａ）
はＭＲセンサ部を加工後に縦バイアス膜および電極膜を
積層した状態を示すＡＢＳ面を想定した面から見た構成
図、図４（ｂ）は図４（ａ）を基板に対して上から見た
場合を示す構成図である。
の一部を示す図で、図３の工程後のもので、図４（ａ）
はＭＲセンサ部を加工後に縦バイアス膜および電極膜を
積層した状態を示すＡＢＳ面を想定した面から見た構成
図、図４（ｂ）は図４（ａ）を基板に対して上から見た
場合を示す構成図である。
【図５】図１で示される磁気抵抗効果ヘッドの製造手順
の一部を示す図で、図４に続いてポジ型フォトレジスト
を適当な条件で露光・現像しパターン化した状態を示す
ＡＢＳ面を想定した面から見た説明図、図５（ｂ）は図
５（ａ）を基板に対して上から見た場合を示す構成図で
ある。
の一部を示す図で、図４に続いてポジ型フォトレジスト
を適当な条件で露光・現像しパターン化した状態を示す
ＡＢＳ面を想定した面から見た説明図、図５（ｂ）は図
５（ａ）を基板に対して上から見た場合を示す構成図で
ある。
【図６】図１に開示した磁気抵抗効果ヘッドの実験試料
７点の作成条件を示す図表である。
７点の作成条件を示す図表である。
【図７】図６に示す実験試料７点の熱処理による比抵抗
の変化を示す図表である。
の変化を示す図表である。
【図８】図６に示す実験試料７点の熱処理による結晶粒
の大きさの変化を示す図表である。
の大きさの変化を示す図表である。
【図９】図７および図８で得られたデータに基づいてま
とめた結晶粒の大きさと比抵抗との関係を示す線図であ
る。
とめた結晶粒の大きさと比抵抗との関係を示す線図であ
る。
【図１０】図６における実験試料の一部についてのエッ
チング溶液に対する耐性試験の結果を示す図表である。
チング溶液に対する耐性試験の結果を示す図表である。
【図１１】図６における実験試料の一部についての現像
液に対する耐性試験の結果を示す図表である。
液に対する耐性試験の結果を示す図表である。
【図１２】本発明の第２の実施形態を示す図で、図１２
（ａ）はエア・ベアリング面（ＡＢＳ面）から見た構成
図を示し、図１２（ｂ）は基板に対して上から見た場合
の構成図である。
（ａ）はエア・ベアリング面（ＡＢＳ面）から見た構成
図を示し、図１２（ｂ）は基板に対して上から見た場合
の構成図である。
【図１３】図１２に開示した磁気抵抗効果ヘッドの製造
手順の一部を示す図で、図１３（ａ）は基板上に絶縁
膜，ＭＲセンサ部材，金を順次成膜した後であってＡＢ
Ｓ面を想定した面から見た場合の構成図（積層状態）を
示し、図１３（ｂ）は図１３（ａ）を基板に対して上か
ら見た場合の構成図である。
手順の一部を示す図で、図１３（ａ）は基板上に絶縁
膜，ＭＲセンサ部材，金を順次成膜した後であってＡＢ
Ｓ面を想定した面から見た場合の構成図（積層状態）を
示し、図１３（ｂ）は図１３（ａ）を基板に対して上か
ら見た場合の構成図である。
【図１４】図１２に開示した磁気抵抗効果ヘッドの製造
手順の一部を示す図で、図１３の工程後のもので、図１
４（ａ）は金の膜をエッチングしパターン化してステン
シル軸部を形成した状態であってＡＢＳ面を想定した面
から見た構成図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）を基板に
対して上から見た場合を示す構成図である。
手順の一部を示す図で、図１３の工程後のもので、図１
４（ａ）は金の膜をエッチングしパターン化してステン
シル軸部を形成した状態であってＡＢＳ面を想定した面
から見た構成図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）を基板に
対して上から見た場合を示す構成図である。
【図１５】図１２に開示した磁気抵抗効果ヘッドの製造
手順の一部を示す図で、図１４の工程後のもので、図１
５（ａ）はＭＲセンサ部を加工後に縦バイアス膜および
電極膜を積層した状態であってＡＢＳ面を想定した面か
ら見た構成図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）を基板に対
して上から見た場合を示す構成図である。
手順の一部を示す図で、図１４の工程後のもので、図１
５（ａ）はＭＲセンサ部を加工後に縦バイアス膜および
電極膜を積層した状態であってＡＢＳ面を想定した面か
ら見た構成図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）を基板に対
して上から見た場合を示す構成図である。
【図１６】図１２に開示した磁気抵抗効果ヘッドの製造
手順の一部を示す図で、図１５の工程後のもので、図１
６（ａ）はポジ型フォトレジストを適当な条件で露光・
現像しパターン化した状態であってＡＢＳ面を想定した
面から見た構成図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）を基板
に対して上から見た場合を示す構成図である。
手順の一部を示す図で、図１５の工程後のもので、図１
６（ａ）はポジ型フォトレジストを適当な条件で露光・
現像しパターン化した状態であってＡＢＳ面を想定した
面から見た構成図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）を基板
に対して上から見た場合を示す構成図である。
【図１７】図１２に開示した磁気抵抗効果ヘッドの製造
手順の一部を示す図で、図１６の工程後のもので、図１
７（ａ）はポジ型フォトレジストを取り除いた状態であ
ってＡＢＳ面を想定した面から見た構成図、図１７
（ｂ）は図１７（ａ）を基板に対して上から見た場合を
示す構成図である。
手順の一部を示す図で、図１６の工程後のもので、図１
７（ａ）はポジ型フォトレジストを取り除いた状態であ
ってＡＢＳ面を想定した面から見た構成図、図１７
（ｂ）は図１７（ａ）を基板に対して上から見た場合を
示す構成図である。
１ 基板 ２ 絶縁膜 ３ ＭＲセンサ部 ４Ａ，４Ｂ 縦バイアス膜 ５Ａ，５Ｂ 電極膜 ６，７，９，１２ フォト・レジスト ８ 金 １０Ａ，１０Ｂ 第１の電極膜 １１Ａ，１１Ｂ 第２の電極膜 Ｘ エア・ベアリング面
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に所定形状で膜状にパターニング
された磁気抵抗効果センサ部と、この磁気抵抗効果セン
サ部を単磁区状態に設定する縦バイアス膜と、前記磁気
抵抗効果センサの層に電気的に接続され且つエアー・ベ
アリング面に露出された第１の電極膜と、この第１の電
極膜上に電気的に接続された状態で積層され且つ前記エ
アー・ベアリング面から離れた位置に配設された第２の
電極膜とを備え、 前記第１の電極膜を、体心立方構造を有し且つその
（１，１，０）面に垂直方向の結晶粒の大きさが１５０
オングストローム以上のモリブデン膜で構成したことを
特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】 基板上に所定形状で膜状にパターニング
された磁気抵抗効果センサ部と、この磁気抵抗効果セン
サ部を単磁区状態に設定する縦バイアス膜と、前記磁気
抵抗効果センサの層に電気的に接続され且つエアー・ベ
アリング面に露出された第１の電極膜と、この第１の電
極膜上に電気的に接続された状態で積層され且つ前記エ
アー・ベアリング面から離れた位置に配設された第２の
電極膜とを備え、 前記第１の電極膜を、体心立方構造を有し且つその
（１，１，０）面に垂直方向の結晶粒の大きさが１５０
オングストローム以上のモリブデン膜で構成し、この第
１の電極膜を２００℃以上の温度で１時間以上熱処理し
てなることを特徴とした磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項３】 基板上に所定形状で膜状にパターニング
された磁気抵抗効果センサ部と、この磁気抵抗効果セン
サ部を単磁区状態に設定する縦バイアス膜と、前記磁気
抵抗効果センサの層に電気的に接続され且つエアー・ベ
アリング面に露出された第１の電極膜と、この第１の電
極膜上に電気的に接続された状態で積層され且つ前記エ
アー・ベアリング面から離れた位置に配設定された第２
の電極膜とを備え、 前記第１の電極膜を、体心立方構造を有し且つその
（１，１，０）面に垂直方向の結晶粒の大きさが１５０
オングストローム以上のモリブデン膜で構成し、 この第１の電極膜を、２００℃以上の温度で１時間以上
熱処理すると共に、当該第１の電極膜を１００オングス
トローム以上１０００オングストローム以下の厚さに設
定したことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】 前記第２の電極膜層の素材として、金を
使用したことを特徴とする請求項１，２又は３記載の磁
気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】 前記第２の電極膜の厚さを、１０００オ
ングストローム以上１００００オングストローム以下に
設定したことを特徴とする請求項１，２，３又は４項記
載の磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299599A JP2812272B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299599A JP2812272B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09138915A JPH09138915A (ja) | 1997-05-27 |
| JP2812272B2 true JP2812272B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=17874728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7299599A Expired - Fee Related JP2812272B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2812272B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3383293B1 (ja) | 2001-08-24 | 2003-03-04 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06349031A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-12-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| JPH07201019A (ja) * | 1993-11-16 | 1995-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
-
1995
- 1995-11-17 JP JP7299599A patent/JP2812272B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09138915A (ja) | 1997-05-27 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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