KR100189802B1

KR100189802B1 - 비대칭 변화를 감소시키는 안정된 연자성막을 구비한 박막 자기 변환기

Info

Publication number: KR100189802B1
Application number: KR1019940028129A
Authority: KR
Inventors: 피나바시 무스타파
Original assignee: 포만 제프리 엘; 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Priority date: 1993-12-14
Filing date: 1994-10-31
Publication date: 1999-06-01
Also published as: US5811155A; GB2285331A; KR950020419A; TW342136U; GB2285331B; SG46484A1; JPH07201022A; GB9425141D0; JP2752039B2; US5591533A

Abstract

자기 저항 판독 변환기에서는 연자성막 바이어스층에 대해 불활성인 물질이 연자성막의 증착 이전에 기판 표면에 형성된다. 본 발명의 양호한 실시예에서는 기판 표면층의 물질로 Cr 또는 Tr과 같은 금속이 사용된다. 이들 금속은 기판 상에 증착될 때 부분산화로 인해 큰 비저항을 갖게 됨으로써 자기 저항층을 통한 선류의 분로 형성을 감소시키며, 더 나아가 기판의 표면 오염으로부터 연자성막을 보호하는 장벽의 역할을 하게 된다. 또한, 표면층은 연자성막의 자화 방향을 양호한 방향으로 설정하는 시드층의 역할을 함으로써 자기 불안정성을 감소시키고 있다.

Description

비대칭 변화를 감소시키는 안정된 연자성막을 구비한 박막 자기 변환기

제1도는 본 발명을 실시하는 자기 디스크 저장 시스템(magnetic disk storage system)의 개략적인 블록도.

제2도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 복수의 자기 적층체(multilayered magnetic structure)의 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

12 : 자기 디스크 13 : 슬라이더

14 : 스핀들 15 : 서스펜션

19 : 액추에이터 암 21 : 판독/기록 헤드

25 : 기록 채널 27 : 음성 코일 모터

40 : 기판 42 : 표면층

44 : 연자성막층 46 : 분리층

48 : 자기 저항층 50 : 캡핑층

52, 54 : 전기 리드선

[발명의 배경]

[발명의 분야]

본 발명은 자기 디스크 저장 시스템(magnetic disk storage system)에 관한 것으로, 특히 이러한 시스템에 사용되는 자기 저항변환기(magnetoresistive transducer)에 관한 것이다.

[종래기술]

자기 기록 장치 산업에서는 자기 테이프(magnetic tape) 또는 자기디스크(magnetic disk)와 같은 자기 저장 매체(magnetic storage media) 상의 기록밀도가 증가함에 따라 기록된 정보를 판독하는 장치에 대한 요구사항이 증가하고 있다. 즉, 판독 변환기는 노이즈 및 혼선(noise and cross-talk)에 대해 취약성(vulnerability)이 감소되어 야 하며 감도(sensitivity)는 향상되어야 한다. 현재, 이러한 요구조건들을 만족하는 가장 적합한 장치로는 박막 자기 저항 소자(thin filmmagnetoresistive (MR) element)를 포함하는 자기 판독 센서 또는 자기 판독 헤드가 주목받고 있다.

종래의 박막 자기 저항 판독-헤드는 기판 상에 박막의 자기 바이어스 소자(magnetic biasing element : 예를 들어, NiFeCr, NiFeNb 또는 NiFeRh의 연자성 합금), 분리 소자(spacer element : 예를 들어, Al₂O₃, SiO₂), 및 자기 저항 소자(예를 들어, NiFe합금) 순으로 이들을 적층시킴으로써 견고한(통상적으로, Al₂O₃또는 SiO₂인 상부층을 포함하는) 지지기판상에 형성된다. 자기 저항 소자가 적절히 배치됨으로써 자기 저항 소자의 자화 방향 (magnetizing direction)이 자기 저장매체에 기록되어 있는 자기장의 신호를 받는 순간 변경되고, 그 결과 자화 방향의 변화에 따르는 자기 저항 소자의 내부 저항 변화가 외부 전압 출력으로 나타나게 된다. 연사성 막(soft film)이 횡방향 바이어스 자기장(transverse biasing magnetic field)을 자기 저항 소자에 공급함으로써 자기 저항 소자에서의 자화 방향이 바이어스 자기장의 방향을 기준으로 그 기준 방향과 일치하도록 변화되어 자기 저항 소자의 내부저항 변화가 바이어스 지점의 저항을 기준으로 증가하거나 감소될 수 있다.

자기 저항 소자의 적절한 바이어스 처리는 자기 저항 변환기의 선형적인 성능을 갖게 하는데 필수적이다. 이상적인 자기 저항 소자는 자기 저항 매체에 저장되어 있는 자기장 신호의 변화에 대응하는 전압출력이 기준 전압(reference voltage)에 대해 대칭이 되도록 하는 연자성막에 의해 자기적으로 바이어스되어야 한다. 그러나 여러 요인들로 인해 출력이 비대칭이 되는 경우가 있다. 이러한 요인들 중의 하나가 웨이퍼 상에서극미한 레벨로 발생하는 염자성막의 미세구조의 변화 및 자기특성의 변화이다. 더구나, 연자성막의 특성은 웨이퍼 전체에 대해 일정하지가 않다. 연자성막을 증착하기 전에 웨이퍼 상에 잔류물 및 오염물이 존재하는 것은 더욱 불균일성을 증가시키게 된다. 이들 모두는 결과적으로 비체계적인 변화를 일으켜 제조된 자기 저항 판독 헤드들 간의 상술한 전압 출력이 비대칭이 되도록 한다.

연자성막의 미세구조 및 그 조성은 연자성막이 증착되는 웨이퍼 표면의 표면 화학 작용에 좌우된다. 예를 들어, NiFeCr 연자성막은 하부의 Al₂O₃층과 반응한다. 접촉면의 NiFeCr은 산화물의 존재하에서 산화되는데, 이는 증착시,고온(예를 들어, 섭씨 250도)에서 어닐링 단계(annealing step)를 반복하는 후속 공정시, 그리고 동작시 주울열로 인해 가열(due to Joule heating)되는 동안에 발생할 수 있다. 유감스럽게도, 웨이퍼층(wafer layer) 표면의 화학작용은 자세히는 알려져 있지 않기 때문에 원자 레벨(atomic level)에서의 제어가 불가능하다.

상술한 문제점을 어느 정도 해결하기 위하여, 기판을 스퍼터 에치글리닝(sputter etch cleaning)하여 연자성 합금막 (soft film alloy)의 증착전에 깨끗한 표면을 얻는다. 이러한 접근방법은 깨끗한 표면을 얻는데 효과적이기는 하지만, 상기 문제점을 완전히 해결하지는 못한다. 합금 물질 성분들의 스퍼터링 수율(sputtering yield)이 보통 동일하지 않다는 것이 공지되어 있다. 이와 같은 합금 성분들의 선택적 스퍼터링(pre ferentia1 sputtering)으로 인해, 화학량론(stoichiometry)측면에서 막의 나머지 부분과는 다른 부분이 존재해서 웨이퍼 전체에 대해 반드시 균일하지는 않은 상부 활성 표면층이 형성된다. 오염물을 제거하고 표면에 대한 화학적 평형을 달성하기 위해 장시간의 스퍼터 에칭(longer sputteretch time)을 행하는 것은 기판을 통해 전기 단락(electrical short)울 일으킬 가능성이 있기 때문에 바람직하지 않다.

연자성막 및 자기 저항성 소자의 두께는 증착시 소정의 웨이퍼 상에서 2 내지 3 퍼센트 범위로 조절될 수 있지만, 웨이퍼 간의 전압 출력의 비대칭 변화(variation in the voltage output asymmetry)는 웨이퍼 레벨의 두께 조절의 경우보다 보통 5 내지 10배 정도 더 크다는 것이 확인되고 있다. 이 결과, 자기 저항 헤드의 생산시 수율면에서 중대한 손실이 발생하게 된다.

[본 발명의 개요]

본 발명의 주 목적은 합금이 갖는 화학 및 물리적 특성의 국부적인 편차(local variations)를 방지하기 위해 합금층(연자성막 또는 자기 저항층)의 증착이전에 양호한불활성 표면(a well defined inert surface)을 형성함으로써. 제조된 자기 저항 헤드의 전압 출력에서 비대칭 변화를 감소시키는 것이다.

본 발명에 따르면, 기판에는 상부층을 구성하는 합금층(the overlaying alloy layer)에 대해 불활성 특성을 나타내는 물질로 이루어진 표면층이 형성되어 있다. 본 발명의 양호한 실시예에서는 표면층이 합금층의 증착 이전에 증착되는 것이다. 이들 금속은 증착후 기판 상에 형성되는 과정에서 발생하는 부분적인 산화로 인해 높은 비저항을 갖게 됨으로써, 자기 저항 소자에서 감지 전류의 분로 형성(shunting)을 감소시키고 더 나아가 접촉면 오염(interface contamination)으로부터 합금층(the alloy)을 보호하는 장벽(barrier)의 역할을 하게 된다. 또한, 이 금속층은 연자성막의 자화 방향을 양호한 방향으로 설정하는 '시드'층(seed layer)의 역할을 함으로써 자기 불안정성을 감소시키는데 기여할 수도 있다.

본 발명에 대한 상기 및 기타 목적, 특징, 그리고 장점은 첨부하는 도면을 참조하여 후술되는 양호한 실시예를 통해 보다 명백하게 된다.

[양호한 실시예의 설명]

본 설명은 본 발명의 일반적 구성원리를 기술하는데 목적이 있으므로 한정적 의미로 해석하여서는 않된다. 본 발명의 범위(the scope of the invention)는 첨부한 특허청구의 범위에 의해 명확하게 결정된다.

본 발명이 제1도에 도시된 자기 디스크 저장 시스템을 실시예로서 설명하고 있지만, 또한 본 발명이 일례로 자기 테이프 기록 시스템(magnetic tape recording system)과 같은 다른 자기 기록 시스템에도 적용될 수 있음은 물론이다. 제1도를 참조하면, 하나 이상의 회전 자기 디스크(12)는 스핀들(14) 상에 지지되고 디스크 드라이브 모터(18)에 의해 회전된다. 여기서 자기 기록은 디스크(12)의 표면(22)상의 환형의 동심 데이타 트랙(the form of an annular pattern of concentric data tracks : 도시되지 않음)에서 이루어진다.

하나 이상의 슬라이더(13)가 디스크(l2) 상에 위치하고 있으며, 각 슬라이더(13)는 하나 이상의 자기 판독/기록 헤드(21)를 지시하고 있다. 디스크 회전시, 슬라이더(13)가 반경 방향 양쪽으로 운동함으로써 헤드(21)는 데이타를 저장하고 있는 디스크 표면(22)의 상이한 부분에 접근할 수 있게 된다. 각 슬라이더(13)는 서스펜션(15;suspension)를 통해 액추에이터 암(19; actuator arm)에 부착된다. 서스펜션(15)은 디스크 표면(22)에 대해 슬라이더(13)을 바이어스시키는 미세 스프링 힘(slight spring force)을 제공한다. 그리고, 각 액추에이터 암(19)은 액추에이터 수단(27)에 부착된다. 제1도에 도시된 액추에이터 수단에는 음성 코일 모터(voice coil motor : VCM)가 사용된다. 이 VCM은 고정된 자기장 내에서 이동할 수 있는 코일이며, 이 코일 이동의 방향과 속도는 제어 장치(29)에 의해 공급되는 전류를 통해 제어된다. 다른 종류의 액추에이터가 사용될 수도 있다.

디스크 저장 시스템의 여러 부품들은 작동시 제어 장치(29)에서 발생되는 접근 제어 신호 및 내부 클럭 신호 같은 신호에 의해 제어되는데, 또한 이 제어 장치는 논리 제어 회로(logic control circuit), 저장수단(storage means), 그리고 마이크로프로세서(microprocessor)등을 포함하고 있다. 제어 장치(29)는 라인(23) 상의 모터 제어 신호 및 라인(28) 상의 헤드 위치 제어신호와 같은 여러 시스템 동작을 제어하기 위해 제어신호를 발생시킨다. 라인(28) 상의 제어신호는 소망하는 전류 프로파일(current profile)을 제공함으로써 선택된 슬라이더(13)를 관련 디스크(12)상의 소망하는 데이타 트랙으로 최적 이동시키고 위치를 지정한다. 판독 및 기록신호는 기록 채널(25; recording channel)을 통해 판독/기록 헤드(21)에 전달된다. 특히 자기 저항 판독 헤드에서는 자기 저항 물질(the magnetoresistive material)에의 저항 변화가 검출되는데, 이 변화는 자기저장매체(12)에 기록되어 있으며 자기 저항 소자에 의해 수집되는 데이타 비트(data bits)를 나타내는 자기장 변화에 대응한다.

통상적인 자기 디스크 저장 시스템의 상기 설명 및 첨부하는 제1도의 예시도는 단지 설명 그 자체가 목적이다. 디스크 저장 시스템에는 다수의 디스크 및 액추에이터 암이 포함되고 각 액추에이터 암은 다수의 슬라이더를 지지할 수 있다.

제2도는 본 발명에 따른 다층 박막 자기 구조체(multilayered thinfilm magnetic structure)의 단면도이다. 특히, 제2도는 자기 저장 매체(12 : 도면의 평면에 위치함)의 표면에 근접하는 자기 저항 판독 헤드의 층상 구조를 도시한다. 도시된 바와 같이, 자기 저항 판독 헤드는 기본적으로 표면층(42)을 구비한 기판(40), 자기 바이어스(연자성막 soft film)층(44), 비자성 분리층(46; non-magnetic spacer layer), 자기저항층(48), 그리고 캡핑층(50 ; capping layer)을 포함한다. 여기서 기판(40)은 자기 차폐층(magnetic shielding layer), 절연층(insulation layer) 등으로 구성되는 여타 서브층들(various other sublayers)을 내부에 포함할 수 있다. 이 서브층들은 통틀어 그 위에 증착되는 헤드의 ''활성''층들(즉, 도시된 실시예에서 연자성 바이어스 막 및 자기 저항층)에 대해 기판이라고 불리운다. 이하에 상술되는 바와 같이, 본 발명은 기판 상에 표면층을 제공하는 것으로, 그 표면층은 표면층 상의 인접 연자성막 또는 자기 저항 합금층의 증착시 화학적으로 안정된 표면을 갖는다.

통상적으로 기판(40)은 알루미나(Al₂O₃)층 또는 이산화규소(SiO₂)층을 가지며,그 위에는 표면층(42)이 형성된다. 공지된 바에 따르면, 표면층(42)이 없는 경우 연자성막 합금은 연자성막(44)의 화학 및 물리적 특성이 판독 헤드의 성능에 영향을 미칠 정도로 하부 산화물층과 반응한다. 특히, 표면층(42)이 없는 경우의 연자성막층(44)은 하부의 산화물층과의 접촉면에서 부분적으로 산화되는데, 이 과정은 증착시, 고온(예를 들어, 섭씨 250도)에서 어닐링 단계를 반복하는 후속 공정시, 그리고 동작시 주울열에 의해 가열되는 동안에 발생할 수 있다. 게다가, 이러한 산화 현상으로 인해 적어도 산화물층과의 접촉면에서 연자성막(44)의 화학 및 물리석 특성이 변화되어서 판독 헤드의 성능에 악영향을 미치게 된다.

표면층(42)은 적절한 물질로 구성됨으로써 인접한 합금층에 대해 화학적으로 안정한 표면을 제공할 수 있다. 이 표면층은 섭씨 약 250도 이하에서 연자성막층(44)에 대해 불활성이어야 한다. 모든 물질은 다소의 내부 확산 및 화학반응을 하는 것으로 알려져 있는데, 여기서의 불활성은 연자성막층의 화학적, 미세구조적 또는 자기적 특성을불리하게 변화시킬 정도의 화학 반응 및 내부 확산이 존재하지 않음을 의미하는 것이다.

양호하게는 탄탈륨(Ta) 또는 크롬(Cr)과 같은 금속이 알루미나 또는 이산화규소상에 증착되어서 표면층(42)을 형성한다. 전도성이 있는 이들 금속은 알루미나 또는 이산화규소 상에 증착될 때 부분 산화로 인해 고저항을 갖게 된다. 이러한 고저항은 자기 저항층(48)에서 감지전류의 분로 형성을 감소시킨다. 표면층(42)은 연자성막층(44)에 대해 안정하게 되고 더 나아가 표면의 잔류물에 의한 오염으로부터 연자성막을 보호하기 위해 장벽의 역할을 하게 된다. 또한, 표면층(42)은 연자성막의 자화방향을 양호한 방향으로 설정하는 시드층의 역할을 함으로써 자기불안정성을 감소시킬 수 있다.

비자성 분리층(46; the non-magnetic spacer layer)은 연자성막층(44)과 자기 저항 소자(48)를 자기적으로 분리해서 전류가 연자성막을 통해 흐를때에 이들 사이의 정자기 결합(manetostatic coupling)을 가능하게 한다. 연자성막층(44)은 NiFeRh, NiFeNb 또는 NiFeCr 합금들 중의 하나이거나 자기 저항 소자(48)에 자기 바이어스를 제공하는데 적합한 여타 물질로 구성될 수 있다. 캡핑층(50)은 오염과 부식을 최소화하거나 제거하기 위해 자기 저항층(48)을 덮는다. 분리층(46) 및 캡핑층(50)은 양호하게는 표면층(42)과 같은 물질인 Ta 또는 Cr으로 구성됨으로써 제조상의 재료비를 감소시킨다. 자기 저항 소자(48)는 NiFe 또는 기타 적절한 물질로 구성될 수 있다.

양호하게는, 표면층(42)의 두께는 30 내지 50 옹스트롬, 연자성막층(44)은 50 내지 200 옹스트롬 정도로서 양호한 범위는 100 내지 175 옹스트롬(센서의 자성막 두께(the sensor magnetic thickness)의 약 60% 수준), 분리층(46)은 60옹스트롬 정도, 자기 저항층(48)은 90 내지 300 옹스트롬, 그리고 캡핑층(50)은 30옹스트롬 정도이다.

각 층들(42, 44, 46, 48, 50)은 전자 빔 공정 또는 스퍼터 증착 공정(electron beam or sputter deposition)과 같은 종래의 공정에 따라 정해진 순서로 형성될 수 있는데, 이 공정은 포토마스킹 또는 포토리소그래피 절차(photomasking or photolitho-graphy procedures)를 적절하게 시행함으로써 소망하는 층상 구조의 판독헤드를 얻고 있다. 전기 리드선(52, 54; electrical lead)은 캡핑층(50) 상에 형성되어 있으며 구조체 내의 각 층들에 일정한 전류를 공급하는데 사용된다. 판독 헤드(21)의 동작시, 자기 저항층(48)을 횡단하는 전압의 변화는 매체(12) 상의 자기장 변화에 응답하는 자기 저항의 변화로 측정된다. 기타 물질(제2도에 도시되지 않음)이 이 기본 구조체에 추가됨으로써 헤드의 구조적 무결성(structural integrity)을 향상시키고 있다. 게다가, 기록 변환기가 부가적인 증착 단계를 통해 자기 저항 판독 헤드 상에 형성됨으로써 통합된 판독/기록 변환기를 형성하게 된다. 그리고, 마모 방지 피복(wear resistant coating; 제2도에 도시되지 않음)이 매체(12)에 면하는 헤드의 공기 베어링 표면(air-bearing surfacc) 상에 형성될 수 있다. 마지막으로, 헤드는 소망하는 외부 구조를 얻기 위해 랩핑이나 이온 밀링 절차(lapping 0r ion milling procedures)를 적절하게 시행함으로써 완성된다.

여기시 주지할 사항은 연자성막층(44)과 자기 저항층(48)이 층상 구조에서 서로 바뀌더라도 본 발명의 장점이 유지된다는 점이다. 이러한 구성에서는 층(42)이 자기 저항 물질의 증착 이전에 기판(40)의 표면 역할을 하도록 제공된다. 산화된 탄탈륨(Ta) 또는 크롬(Cr) 같은 물질의 표면층(42)이 제공됨으로써, 인접되는 합금층인 NiFeCr의 연자성막층은 기판과 물리적으로 차폐된다.

따라서, 연자성막층은 기판에 대해 실질적인 안정상태를 유지하게 되고, 이로써 연자성막의 비체계적인 특성 변화를 방지할 수 있게 된다. 그 결과, 제조된 자기 저항판독 헤드들 간의 비대칭 특성 상의 비체계적인 변화(non-systematic change)가 감소되는 것이다.

본 발명의 양호한 실시예를 참조하여 상술되었으나, 당업자는 본 발명의 정신 및 범위를 이탈하지 않으면서 여러 변형이 가능하다는 것을 인식할 것이다. 따라서, 본 발명에 대한 상기 설명은 특허청구의 범위 내로 제한되는 예시일 뿐이라고 할 수 있다.

Claims

자기 저항 판독 변환기(magnetoresistive read transduser)에 있어서, a) Al₂O₃또는 SiO₂의 상부층(top layer)을 가진 기판(substrate), b) 상기의 Al₂O₃또는 SiO₂의 상부층과 연속되어 있으며, 상기 상부층 상에 부분적으로 산화된 크롬(chromium) 또는 탄탈륨(tantalum)이 증착된 표면층- 여기서 상기의 표면층은 고저항성을 갖는 물질임, c) 상기 표면층 상에 있으며 연자성 물질로 된 바이어스층(bias layer), 및 d) 상기 연자성 물질에 대해 자기적으로 분리되고 정자기적으로 결합되는 자기 저항 물질층-여기서 연자성 물질은 자기 저항 물질을 자기적으로 바이어스함을 포함하고, 상기 자기 저항 물질층은 비자성 분리층(nonmagnetic spacer layer)에 의해, 상기 바이어스층과 분리되어 있는 자기 저항 판독 변환기.
Al₂O₃또는 SiO₂의 상부층(top layer)을 가진 기판(substrate), 및 정자기적으로 결합되며, 기판 상에 각각 형성되는 제1 및 제2자기 합금층-여기서 제1자기 합금층은 기판 상에 형성되며, 제1 및 제2자기 합금층은 비자성분리층에 의해 분리됨-을 포함하는 다층 구조(multilayered structure)를 가지는 자기 변환기에 있어서, 상기 제1자기 합금층 아래의 Al₂O₃또는 SiO₂의 상부층과 연속되어 있으며 부분적으로 산화된 크롬(chromium) 또는 탄탈륨(tantalum)의 표면층-여기서, 상기 표면층은 고저항성 물질임-을 포함하는 다층 구조 자기 변환기.
제12항에 있어서, 상기 제1자기 합금은 연자성 물질이고, 상기 제2자기 합금은 자기 저항 물질인 자기 변환기.
층상 구조를 갖는 자기 혜드 제조 방법에 있어서, a) 상부층을 갖는 기판을 제공하는 단계, b) 기판의 상부층과 접한 상태로 그 상부층 상에 직접 소정 물질로 된 표면층-여기서 소정 물질로 된 표면층은 상기 상부층 위에 증착될때 부분적으로 산화됨-을 증착하는 단계, 및 c) 상기 소정 물질로 된 표면층과 접한 상태로 그 표면층 상에 직접 제1자기 합금층-여기서 상기 표면층의 소정의 물질은 제1자기 합금층에 대해 불활성임-을 증착하는 단계를 포함하는 자기 헤드 제조 방법.
제14항에 있어서, 제1자기 합금층에 대해 자기적으로는 분리되고 정자기적으로 결합되는 제2자기 합금층을 증착하는 단계를 추가로 포함하는 자기 헤드 제조 방법.
제15항에 있어서, 상기 증착된 물질의 표면층이 부분적으로 산화된 Ta 또는 Cr을 포함하는 자기 헤드 제조 방법.
제16항에 있어서, 상기 상부층이 Al₂O₃또는 SiO₂인 자기 헤드 제조 방법.
제14항에 있어서, 상기 제1자기 합금이 NiFeRh, NiFeNb 또는 NiFeCr 중의 하나인 자기 헤드 제조 방법.
제15항에 있어서, 상기 제2자기 합금이 자기 저항 물질인 자기 헤드 제조 방법.
제19항에 있어서, 상기 자기 저항 물질이 NiFe의 합금인 자기 헤드 제조 방법.
자기 저항 판독 헤드 제조 방법에 있어서, a) Al₂O₃또는 SiO₂의 상부층(top layer)을 가진 기판(substrate)을 제공하는 단계, b) 기판의 상부층과 접한 상태로 그 상부층 상에 직접 Cr 또는 Ta의 표면층-여기서 표면층은 상기 상부층 상에 증착될 때 부분적으로 산화됨-을 증착하는 단계, c) Cr, Nb, 및 Rh로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 윈소와 Ni, Fe을 포함하는 자기 합금층을 상기 표면층과 접한 상태로 그 표면층 상에 직접 증착하는 단계, d) 비자성 분리층(nonmagnetic spacer layer)을 상기 자기 합금층 상에 증착하는 단계, 및 e) 자기 저항 물질층을 상기 분리층 상에 증착하는 단계를 포함하는 자기 저항 판독 헤드 제조 방법.
제22항에 있어서, 상기 자기 저항 물질층을 증착하는 단계가 Ni 및 Fe를 포함하는 합금층을 증착하는 단계를 포함하는 자기 저항 판독 헤드 제조 방법.
제11항에 있어서, 상기 바이어스층이 NiFeCr, NiFeNb 및 NiFeRh로 이루어진 군으로부터 선택되는 연자성 물질로 이루어진 자기 저항 변환기.
제11항에 있어서, 상기 자기 저항 물질층이 NiFe의 합금을 포함하는 자기 저항 변환기.
제11항에 있어서, 상기 자기 저항 물질층 상에 증착되는 캡핑층(capping layer)을 추가로 포함하는 자기 저항 판독 변환기.
제13항에 있어서, 상기 제1자기 합금이 NiFeCr, NiFeNb 및 NiFeRh로 이루어진 군으로부터 선택되는 자기 변환기.
제13항에 있어서, 상기 제2자기 합금이 NiFe의 합금을 포함하는 자기 변환기.