JPS61202314A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ビデオテープレコーダなどに用いて好適な薄
膜磁気ヘッドの製造方法に係わり、特に、磁性膜の形成
方法に関する。

〔発明の背景〕

近年、ビデオテープレコーダなどにおいては、高記録密
度化をはかるために、磁気ヘッドの狭トラック幅比、狭
ギャップ幅化が進んでおり、これに伴なって量産性に優
れ、高精度化を達成できる薄膜磁気ヘッドが提案されて
いる。

かかる薄膜磁気ヘッドの一例としては、実公昭４３−１
３２５５号に開示される薄膜磁気ヘッドが知られている
。これは、非磁性基板上に第１の磁性膜を形成し、しか
る後、この第１の磁性膜の一部を除いて基板面にほぼ垂
直な面、すなわち、ギャップ面を形成し、さらに、この
ギャップ面を含めた全面にギャップ材の膜を形成した後
、その上に第２の磁性膜を形成し、第１の磁性膜上の第
２の磁性膜を除くようにし、第１．第２の磁性膜間のギ
ャップ材の膜を磁気ギャップとして第１゜第２の磁性膜
の表面と磁気ギャップとを含む基板面に垂直な面をテー
プ摺動面とするものである。

かかる構造の薄膜磁気ヘッドは、ギャップ面と基板面と
のなす角度がアジマス角に対応す”るものであって、ア
ジマス記録方式によってトラック密度の向上をはかるビ
デオテープレコーダには適しており、また、ギャップ材
の膜の膜厚制御が容易なことから、磁気ギャップの狭ギ
ャップ幅化にも適している。

しかしながら、かかる薄膜磁気ヘッドを作製するに際し
ては、特に、上記第２の磁性膜を形成Ｔるに際して問題
があり、良好な磁気特性が得られない。以下、この点に
ついて、図面を用いて説明する。

第１２図はかかる薄膜磁気ヘッドをテープ摺動面側から
みた平面図であって、基板１上に、ギャップ材の膜５を
介して第１の磁性膜２と第２の磁性膜６とが対向して設
けられている。ギャップ材の膜５は磁気ギャップを形成
するものであって、この磁気ギャップのアジマス角は＠
１の磁性膜２に形成されたギャップ面４の基板１の面に
対する傾斜角θで決まる。一般に、アジマス角αは１０
度程度に設定されるから、基板１の面に対するギャップ
面４の傾斜角（以下、ギャップ面の傾斜角という）θは
８０度程度である。

ところで、スパッタリング法、蒸着法などによって第２
の磁性膜を形成する場合には、！１３ｖｌＩ（α）に示
すように、ギャップ面４を有する第１の磁性膜２が形成
された基板１の全面にギャップ材の膜５を形成した後、
そのギャップ材の膜５止金面に第１の磁性膜２よりも膜
厚の磁性膜を形成するのであるが、このとき、ターゲッ
ト（スパッタ源あるいは蒸着源）６によるギャップ材の
膜５上の成膜方向を基板１の面に垂直な方向とすること
が考えられる。

しかしながら、第１の磁性膜２上および基板１上の大部
分のギャップ材の膜５の表面は、ターゲット６の全面に
対して露呈しているから、これらの部分では、所望の成
膜速度で磁性膜が形成されるが、基板１の面と第１の磁
性膜２の上面との段差部により、破線で示すように、ギ
ャップ面４と、これに近接した基板１の面の一部（すな
わち、Ａ部分）とに対し、ターゲット１の一部が遮へい
されることになる。したがって、ギャップ面とこのＡ部
分における成膜速度は他の部分に比べて小さくなる。こ
れらの部分における成膜速度は、ギャップ面４とＡ部分
とが接する角部Ｂに近い程小さいＯ このために、ギャップ材の膜５上に形成される磁性膜の
膜厚は、ギャップ面４とＡ部分とで薄くなるが、この磁
性膜が形成された結果、第１３図（６）に示すように、
ギャップ面４の上部で形成された磁性膜３′が基板１の
面に平行な方向に突き出したように形成される。この磁
性膜３′自体と、それがこのように突き出して形成され
ることから、一点鎖線に示すように、ギャップ面４と、
基板１の面に対するターゲット６の遮へい部分が増大し
、この結果、ギャップ面４での成膜速度がさらに低下す
るとともに、基板１の面での低成膜速度の部分が拡大す
る（すなわち、第１３図（α）のＡ部分よりも広いＡ′
部分となる）。

以上のことから、磁性膜３を第１の磁性膜２の膜厚以上
に形成しても、第１４図に示すように、角部Ｂからクリ
ック７が生ずることになる。また、ギャップ面４上やＡ
、Ａ’部分には、段差部で遮へいされたターゲット６の
一部からの磁性粒子がまわりこんで付着されることもあ
り、このために、こ゛れらの部分での磁性膜３′の粒子
密度は非常に低いものとなる。したがって、第１の磁性
膜２上の磁性膜３′を除き、基板１上の磁性膜３′の膜
厚を規制して第２の磁性膜３を形成したとしても、クラ
ック７や低粒子密度のために、優れたヘッド特性を得る
ことができない。

また、薄膜磁気ヘッドの他の例として、特開昭５５−１
３２５１９号公報に開示される薄膜磁気ヘッドが知られ
ている。この薄膜磁気ヘッドは、テープ摺動面に対して
垂直な面での断面を示す第１５図（α）あるいは（ｂ）
に示すように、非磁性板１と下部コア８とからなる基板
１′あるいは磁性基板１“上の一部に、絶縁層９を介し
て巻線をなす導電膜１０を形成し、これを絶縁層グで覆
った後に、ギャップ材の膜５Ｔｔ介して第１．第２の磁
性膜２゜３を設けたものであって、テープ摺動面は第１
゜第２の磁性膜２．３の上面とギャップ材の膜５の上面
を含む基板面１′、１“の面に平行な面である。

これら薄膜磁気ヘッドのギャップ面４は導電膜１０上に
設けられ、テープ摺動面の摩耗による磁気ギャップの位
置変化を防止するために、基板１′。

１に対してギャップ面４をできる限り垂直となるように
している。

これら薄膜磁気ヘッドにおいても、第２の磁性膜３を形
成する場合には、上記と同様に、第１の磁性膜２にギャ
ップ面４を形成した後、全表面にギャップ材の膜５を形
成し、さらにその上に磁性膜をスパッタリング法や蒸着
法などによって形成するものであるが、基板１′、１“
に対するギャップ面４の角度が急峻（約９０度）である
ことから、第１３図で説明した方法で第２の磁性膜３を
形成すると、第１２図で示した薄膜磁気ヘッドと同様の
問題が生ずることになる。

また、第１５図（α）、（ｂ）に示す薄膜磁気ヘッドに
おいては、導電膜１０によって第１、第２の磁性膜２，
３の夫々に傾斜した段差が生じており、これら第１、第
２の磁性膜２，３を形成するに際しても、第１６図に示
すように、この傾斜部でクラック７が生じたり、膜厚の
低下や粒子密度の低下が生じたりする。

薄膜磁気ヘッドのさらに他の例として、非磁性基板上に
第１の磁性膜を形成し、その第２の磁性膜上に巻線とな
る導電膜で覆われた絶縁層を形成した後、この絶縁層上
に第２の磁性膜を形成した薄膜磁気ヘッドも知られてい
る。この場合、絶縁層の一部は直接部１、第２の磁性膜
間にあってギャップ材の膜をなしており、したがって、
磁気ギャップは基板の面に平行となっている。

かかる薄膜磁気ヘッドにおいても、磁気ギャップ部分を
除いて第１、第２の磁性膜間に導電膜が存在しているた
めに、第２の磁性膜に傾斜した段差部が生ずる。良好な
磁気特性が得られるためには、この段差部も含めて第２
の磁性膜は膜厚、粒子密度が均一である必要がある。

膜厚、粒子密度がともに均一なかかる第２の磁性膜を形
成する方法として、特開昭５８−１８２１号公報に、第
１３図に示したような基板の面とターゲットの面とを互
いに平行とせず、ターゲットの面に対して基板の面を所
定角θだけ傾斜させるようにした方法が開示されている
。この場合、第２の磁性膜の傾斜部分は２個所あるので
、基板を±θ内で連続的にあるいは断続的に回転させて
スパッタあるいは蒸着を行なうようにしている。

しかし、この方法によると、この第２の磁性膜の傾斜部
分が基板の面に対して５０度程度以下で緩く傾斜してい
る場合には、第２の磁性膜の膜厚や粒子密度は、傾斜部
分を含めて全体として均一なものとなるが、これよりも
傾斜角が急峻なものであるときには、やはり第２の磁性
膜の膜厚や粒子密度は、この傾斜部分でバラツキが生ず
ることがわかった。

したがって、第１２図に示した薄膜磁気ヘッドの第２の
磁性膜の形成にこの方法を用いることができないし、ま
た、第１５図に示した薄膜磁気ヘッドに対しても、ギャ
ップ面４が基板化１“の面に対して急峻であり、しかも
、第１の磁性膜２と下部コア８あるいは磁性基板１”と
接触面積や、第２の磁性膜３と下部コア８あるいは磁性
基板１′との対向面積をできるだけ広くして磁路の磁気
抵抗な小さくするために、導電膜１０による第１．第２
の磁性膜２，３の傾斜部での基板１，１に対する傾斜角
を５０度〜８０度程度に設定しており、このために、特
開昭５８−１８２１号に開示される先の方法を適用する
ことはできない。

第１２図、第１５図に示される薄膜磁気ヘッドは、ギャ
ップ面４を形成する際にアジマス角を設定することがで
き、磁気ギャップそのものがアジマス角を有するから、
薄膜磁気ヘッドをヘッドシリンダに取りつけるに際し、
アジマス角を調整する手段を必要としないという利点が
あるが、磁性膜の形成に先のような問題点があり、この
問題を解決するための手段が早急に実現することが望ま
れている。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記の問題点を解消し１．傾斜部分を
含め全体として均一な磁性膜を形成することができるよ
うにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するにある。

〔発明の概要〕

この目的を達成するために、本発明は、基板の面と、該
基板の面に対して傾斜せる部分の面とのなす角をほぼ２
等分する方向に対して垂直にターゲツト面を設定し、該
基板の面に平行な面と該傾斜せる面とで成膜方向をほぼ
等しくするようにした点に特徴がある。

（発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を図面によって説明する。

まず、第１２図に示した構造の薄膜磁気ヘッドに対する
本発明を概略的に説明すると、第１図において、基板１
上に、ギャップ面４を有する第１の磁性膜２を形成し、
さらに全面にギャップ材の膜５を形成した後、第２の磁
性膜３（第１２図）を形成する場合、基板１の面をター
ゲット６の面に対して所定角βだけ傾け、基板１の面と
ギャップ面４とのなす角ψをほぼ２等分する方向に対し
て垂直にターゲット６の面を設定するものである。

このように設定すると、ギャップ材の膜５の面全体がタ
ーゲット６の面とのなす角度がほぼ等しく、かつ、この
角度は９０度よりも充分小さくなる。第１６図で示した
方法によると、基板１の面上や第１の磁性膜２の面上の
ギャップ材の膜５は、ターゲット６の面に平行になるの
に対し、ギャップ面４上のギャップ材の膜５とターゲッ
ト６の面と８０度の角度Ｐなし、このために、先に説明
したような問題点が生ずるが、第１図においては、ギャ
ップ材の膜５の全面がターゲット６の面に対してほぼ５
０度となり、同じ程度にかつ充分広くターゲット６を望
めることになる。したがって、ギャップ材の膜５の全面
にわたり、成膜方向が等しくなってほぼ等しい成膜速度
で磁性膜が形成できる。

このことから、ギャップ面４でのクラックの発生や粒子
密度のバラツキが抑圧されることになる。

なお、磁性膜を形成する際には、基板１の面に垂直な方
向（矢印Ｍの方向）に外部磁界を印加する。

第２図はかかる原理にもとづく本発明の第１の実施例を
示す説明図である。

同図において、１インチ角のガラス基板１上に、厚さ５
μｍのＯｏ　−Ｎ　ｂ　−Ｚ　ｒ　、％非晶質合金より
なる磁性膜を、１ｏｏｏＡの５ｉ０２膜を層間材として
、３層形成した後、各チップ毎に、機械加工により、ア
ジマス角１０度の傾斜角をつけて片側を除去した。これ
によって各チップ毎に、ギャップ面４−１．４−２．・
・・・　を有する第１の磁性膜２−１．２−２．・・・
・が形成されたことになる。この際、チップサイズは２
■×２■とした。

さらに、その上にギャップ材として５ｉＯｚを、ギャッ
プ長が０．２５μ惰となるように、ＲＦスパッタ装置で
成膜してギャップ材の膜を形成する。

このように、第１の磁性膜２−１．２−２．・・・とギ
ャップ材の膜が形成された基板１は、プレーナマグネト
ロンスパッタ装置において、裏面に永久磁石１２を備え
た基板ホルダ１１に取りつけられ、Ｏｎ　　Ｎｂ　　Ｚ
ｒ系非晶質合金のターゲット６の面に対し、第１図で説
明したような角度で基板１が傾斜して設置される。そこ
で、ターゲット６からＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系非晶質合金の
スパッタ粒子が放出されるが、同時に、永久磁石１２か
ら外部磁界が基板１に垂直に、したがって、ギャップ面
４−１．４−２．　　・・・・にほぼ平行に印加される
。

ここで、ターゲット６の直径は１２０ｆｉ、ターゲット
６と基板ホルダ１１との間の距離を７０■、基板１の表
面での磁界の強さを２００８　とし、基板１はターゲッ
ト６の面に対して４５度傾斜させた。

このようにしてＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ糸非晶質合金磁性膜を
形成し、基板１上の全てにわたってこの磁性膜の膜厚が
１６μｍ以上となるまでスパッタを継続した。基板１の
傾斜により、ターゲット６から最も遠いチップでの磁性
膜の膜厚が１６μｍになったとき、スパッタを停止した
が、ターゲット６に最も近いチップでの膜厚は最も遠い
チップでの膜厚よりも約２μｍ厚くなっていた。そこで
、レベリングにより、全てのチップにおいて、トラック
幅を１５μｍに揃えた。

その後、保護膜形成、巻線によりヘッド特性の測定を行
なった。その結果、従来技術によって製造したヘッドに
比べ約３ｄＢ出力が増加した。これを第３図に示す。破
線が従来技術により製造した薄膜磁気ヘッドの特性を示
し、実線がこの実施例による特性を示している。

なお、第２図において、チップ外枠１３−１　。

１３−２．・・・・・に相当する部分の段差ではクラッ
クが発生し、また、傾斜面上の膜厚や粒子密度が小さい
磁性膜が段差の底部に段差の高さ分程度の幅で形成され
るが、チップ分割の際、この部分はダイサーで除去され
るため、ヘッド特性には全く影響がなかった。

第４図は外部磁界印加手段の他の具体例を示す説明図で
ある。この具体例はターゲット６側に永久磁石１２を設
けたもので、複数のターゲット６−１．６−２を用い、
これらの裏面側に設けた永久磁界１２の基板１側へのも
れ磁界を外部磁界として利用する。この場合、基板１の
位置を適宜選定することにより、第２図の場合と同様の
効果が得られる。しかし、当然のことながら、外部磁界
の方向から基板１のターゲラ）６−１．６−２に対する
傾斜条件や基板１に印加できる磁界の強さなどで制約を
受ける。

第５図は異なるアジマス角をもつ、いわゆるダブルアジ
マスの薄膜磁気ヘッドをテープ摺動面側からみた平面図
である。これは、非磁性基板１上に、第２の磁性膜３ｆ
ｔはさんで第１の磁性膜２′。

２が設けられ、第１の磁性膜２，２に夫々異なる傾斜角
θ、θ′のギャップ面４’、４’が設けられている。第
１の磁性膜２′、２“と第２の磁性膜３との間および基
板１と第２の磁性膜３との間にはギャップ材の膜５が設
けられ、第１の磁性膜２′、２“と第２の磁性膜３の間
の夫々のギャップ材の膜５が磁気ギャップを構成する。

これらの磁気ギャップのアジマス角は、夫々ギャップ面
４’、４’の傾斜角θ。

θ′で決まり、ここで、θ−８０度、θ’−１ｏｏ度と
して夫々のアジマス角を±１０度とし、トラック幅に相
当する第１の磁性膜２’、　２’の膜厚を１５μｍとし
たときの本発明の実施例について説明するが、その前に
、まず、第６図によってこの実施例を概略的に説明する
。

この薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の磁性膜２′。

２、ギャップ面４′、４“およびギャップ材の膜５の形
成は第２図で説明した実施例と同様である。

ギャップ材の膜５が形成された後の基板１に対し、まず
、第１の磁性膜２′側に関して第１図で示した方法によ
り、スパッタでもって磁性膜６′−１を形成する。この
場合、第１の磁性膜２側をマスクする（第６図（α））
。次に、磁性膜３′−１側をマスクし、同様にして第１
の磁性膜２側に磁性膜３′−２を形成する（第６図（ｂ
））。これらの工程においては、基板１上のギャップ材
の膜５のほとんどを磁性膜３’−１、３’−２で覆うよ
うにする。次いで、全面にわたって一様にスパッタし、
磁性膜３′−３’Ｅ−形成する（第６図（Ｃ））。これ
でもって磁性膜の形成工程が完了し、次いで、磁性膜３
’−１゜３’−２、３’−３をレベリングして第１の磁
性膜２′。

２“と同一表面をなす第２の磁性膜３を形成する。

第７図はかかる原理にもとづく本発明の第２の実施例を
示すものであって、ギャップ材の膜の形成工程を経た後
の基板１を、第２図で示した実施例と同様に、裏面に永
久磁石１２を備えた基板ホルダ１１に取りつけ、第１の
磁性膜２のギャップ面４′と基板１の面とのなす角を２
等分する方向に対してターゲット６の面が垂直となるよ
うに基板１を傾ける。そして、第１の磁性膜２”側がタ
ーゲット６に対して遮へいされるが、第１の磁性膜２′
のギャップ面４′やこのギャップ面４′側の基板１上の
ギャップ材の膜からターゲット６の面が見えるように、
マスク１４を設ける。これによって、第６図（α）に示
すように、＃１１の磁性膜２′側に磁性膜６′−１を形
成することができる。

次に、基板１ご逆向きに傾け、第１の磁性膜２側ご同様
にしてマスク１４によってマスクすることにより、第６
図（ｂ）に示すように、第１の磁性膜グ側に磁性膜６′
−２が形成される。次いで、基板１の面をターゲット６
の面と平行にし、マスク１４を除いてスパッタすること
により、第６図（Ｃ）に示すように、平面に磁性膜６′
−３が形成される。

なお、この実施例では、第２の磁性膜３を得るために、
３回スパッタを行なったが、第８図に示すように、磁性
膜３’−１，３′−２が互いに充分型なるように形成す
ることにより、２回のマスクスパッタで丁ませることが
できる。

また、第６図（ｄ）や第８図に示すように、第２の磁性
膜乙に磁性膜の境界が生ずるが、一般に、磁気ギャップ
の間隔（たとえば、３５０μｍ）はトラック幅（たとえ
ば、１５μｍ）に比べて充分長いから、かかる磁性膜の
境界による影響は問題とはならない。

さらに、第７図において、永久磁石１２は、第４図で説
明したように、ターゲット６側に設けてもよい。

次に、第１５図（α）に示した構造の薄膜磁気ヘッドに
対する本発明を、第９図により、概略的に説明する。な
お、第１５図（６）に示した構造の薄膜磁気ヘッドに対
しても同様である。

全面が絶縁膜９．釘で覆われた導電膜１０が形成された
基板１′は、この導電膜１０の側面によって生じた傾斜
面１５と基板１′とのなす角度を２等分する方向に対し
てターゲット６の面がほぼ垂直となるように、基板１′
をターゲット６の面に対して角度β′だけ傾ける。この
場合、基板１′の面に垂直な方向（実線矢印Ｍ１の方向
）あるいはスパッタ粒子の平均的な飛来方向（破線矢印
Ｍ２の方向）に外部磁界な印加してスパッタを行なう。

これにより、傾斜面１５の近傍で第１６図に示したよう
なりラック７が生ずることがなく、また、基板１′上や
導電膜１０の上面での磁性膜と傾斜面１５での磁性膜と
の間で、膜厚や粒子密度に差が生ずることはない。

次に、かかる原理にもとづく本発明の第６の実施例を第
１０図によって説明する。

１インチ角のガラス基板１上に厚さ１５μｍのＣｏ−Ｎ
ｂ−Ｚｒ糸非晶質合金の磁性膜（すなわち、下部ファ８
）を形成して基板１を得、その上に電気的絶縁材の５ｉ
０２膜を１０００人の厚さで形成し、さらにその上にＡ
／からなる導電層を１０μｍの厚さで形成する。次に、
これらをバターニン、グして絶縁層９と導電膜１０とを
形成し、再び１０００大の厚さで８ｉ０２膜を形成した
後、その不要部分を除いて絶縁層９′とする。このとき
、導電膜１０の側面による傾斜面１５．１５’（第９図
）の某Ｆｉ１の面に対する４ｈ＃は７０摩であ、な−か
かる工程を経た基板１′は、第１０図（α）に示すよう
に、プレーナマグネ−トロンスパッタ装置において、裏
面に永久磁石１２ご備えた基板ホルダ１１に取りつけ、
さらに、第９図で説明したように、基板１′をターゲッ
ト６の面に対して所定角度β′だけ（第９図）傾ける。

ここで、ターゲット６の直径は１２０鱈で、ターゲット
６と基板ホールダ１１の距離は７０．ａ、基板１′の傾
斜角β′は４０度とした。外部磁界は永久磁石１２を基
板ホールダ１１の裏に付け、磁界が基板１にほぼ垂直と
なり基板表面での磁界の強さが４００８　となるように
した。かかる条件でＣｏ　−Ｎｂ−Ｚｔ−系非晶質磁性
膜をスパッタし、その膜厚が１５μｍになるまでスパッ
タを継続した。膜厚が１５μｍとなったときにスパッタ
を停止し、次いで、ギャップ面４（第１５図（α））を
形成し、さらに、膜厚０．２５μｍの８ｉＣｈのギャッ
プ材の膜５（第１５図（α））をＲｒスパッタ装置で形
成した。

次に、第１０１Ｎ（６）に示すように、反対側の傾斜面
１５（第９図）側に対して同様のことを行なった。この
とき、基板１′のターゲット６の面に対する傾斜角β′
を４５度とした。また、かかる傾斜によって、ギャップ
面４の近傍でのクラックの発生や粒子密度の低下も防止
できる。これによって、１５μｍの膜厚の第２の磁性膜
６ご形成し、その後、チップ分割、研摩加工などを行な
ってヘッドチップが得られる。

なお、基板１′をターゲット乙の面に対して傾斜させて
いるため、磁性膜の膜厚は、ターゲット６に近い側は遠
い側より約２μｍ厚くなるが、最終の円研にてギヤツブ
デプスな管理できるため問題とはならなかった。

第１１図に、外部磁界の印加方向をパラメータにしたヘ
ッド出力を示す。外部磁界の印加角度Ｍが６０度ないし
９０度でヘッド出力が最大となっており、それぞれ、ス
パッタ粒子の平均的な飛来方向、基板１′に垂直な方向
に一致している。また、外部磁界を印加しないで磁性膜
を形成した場合のヘッド出力は一５ｄＢとなった。さら
に、この実施例では、永久磁石１２を基板ホルダ１１の
裏面に設けたが、第４図に示したように、ターゲット６
側に設けてもよい。

以上、本発明の実施例について説明したが、これら実施
例の説明に用いた数値は説明の便宜上水したものであり
、本発明はこれらの数値に限定されるものではない。ま
た以上の実施例では、装置は、プレーナマグネトロンス
パッタ装置を用いたが、他の方式のスパッタ装置でも、
蒸着装置でもよく、同様の効果をもつことは言うまでも
ない。

さらにまた、磁性膜として、Ｃｊｏ　−Ｎｂ　−Ｚｒ系
の非晶質合金を例にあげたが、他の元素より成る非晶質
合金でも、他の金属合金でもよく、同様の効果をもつこ
とは自明である。

さらに、外部磁界を与える方法として、永久磁石を例に
あげたが、電磁石でも同じ効果をもつことは言うまでも
ない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、急峻な傾斜面を
有する全面に対し、成膜方向がほぼ均一となるものであ
るから、傾斜面における磁性膜中のクラックの発生、磁
性膜の膜厚や粒子密度のばらつきを防止でき、優れた特
性の薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１２図に示す構造の薄膜磁気ヘッドに対する
本発明の概略説明図、第２図は本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の第１の実施例を示す説明図、第３図は
この第１の実施例による薄膜磁気ヘッドと従来技術によ
る薄膜磁気ヘッドとのヘッド特性を対比して示した特性
図、第４図は外部磁界印加手段の他の具体例を示す説明
図、第５図はダブルアジマス薄膜磁気ヘッドの構造を示
す平面図、第６図はこのダブルアジマス薄膜磁気ヘッド
に対する本発明の概略説明図、第７図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの製造方法の第２．の実施例を示す説明図
、第８図はこの第２の実施例における磁性膜の他の形成
工程の説明図、第９図は第１５図に示す構造の薄膜磁気
ヘッドに対する本発明の概略説明図、第１０図は本発明
による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第３の実施例を示す
説明図、第１１図は第３の実施例における外部磁界の印
加方向に対するヘッド出力の関係２示Ｔ特性図、第１２
図は薄膜磁気ヘッドの一例を示す平面図、第１３図はこ
の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一従来例を示す説明図、
第１４図はこの従来の製造方法による磁性膜の成膜状態
な示す説明図、第１５図（α）、（ｂ）は夫々薄膜磁気
ヘッドの他の例を示す断面図、第１６図は第１５図（α
）、（６）に示した薄膜磁気ヘッドの従来の製造方法に
よる磁性膜の成膜状態を示す説明図である。 １．１．１・・・基板、２．２−１．２−２．２’。 ２．２−１．２−２．２−３．２−４・・・第１の磁性
膜、３・・・第２の磁性膜、４，４，４．４−１゜４−
２・・・ギャップ面、５・・・ギャップ材の膜、６・・
・ターゲット、９．９・・・絶縁層、１０．１０−１〜
１０−４・・・導電膜、１１・・・基板ホルダ、１２・
・・永久磁石、１４・・・マスク、１５．１５・・・傾
斜面。 第１図 第３図 層液＠　　（ＭＨｚ） 第４図 第５図 第６図 （ａ）　　　　　　（ｂ） （ｃ）　　　　　　（ｄ） 第　７　図 第　８　図 第９図 １′ 第１０図 （ａ）　　　　　　　　　　　（ｂ） ６イ＝＝コ　゛　　６（二二コ１ 第１１図 ダ朗届蛛塾６ｐ加内皮　Ｍ 第　１２　図 第１４図 第１３図 第１５図 （ａ　）　　　　　　　　　　　　（ｔ）　）第１６図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板面に平行な面と、該基板面に対して急峻な傾
   斜角の傾斜面とに磁性膜が形成され、該磁性膜が少なく
   とも磁路の一部をなす薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
   て、該基板面に平行な面と該傾斜面とのなす角をほぼ２
   等分する方向に対して垂直にターゲットの面を設定し、
   所定方向に外部磁界を印加し、該基板面に平行な面と該
   傾斜面との成膜方向をほぼ等しくして前記磁性膜を形成
   するようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
   方法。
2. （２）特許請求の範囲第（１）項において、前記傾斜面
   は、ギャップ面上に形成された磁気ギャップをなすギャ
   ップ材の膜の表面であることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ドの製造方法。
3. （３）特許請求の範囲第（１）項において、前記傾斜面
   は、前記基板面上に設けた巻線をなす導電膜の側面に形
   成された絶縁膜の表面および該導電膜の上部のギャップ
   面上に形成された磁気ギャップをなすギャップ材の膜の
   表面であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
   。
4. （４）特許請求の範囲第（１）項、第（２）項または第
   （３）項において、前記外部磁界の印加手段を、前記基
   板を保持する基板ホルダに設けたことを特徴とする薄膜
   磁気ヘッドの製造方法。
5. （５）特許請求の範囲第（１）項、第（２）項または第
   （３）項において、前記外部磁界の印加手段を、前記タ
   ーゲットに設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
   造方法。