JPS61202314A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS61202314A JPS61202314A JP4105785A JP4105785A JPS61202314A JP S61202314 A JPS61202314 A JP S61202314A JP 4105785 A JP4105785 A JP 4105785A JP 4105785 A JP4105785 A JP 4105785A JP S61202314 A JPS61202314 A JP S61202314A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ビデオテープレコーダなどに用いて好適な薄
膜磁気ヘッドの製造方法に係わり、特に、磁性膜の形成
方法に関する。
膜磁気ヘッドの製造方法に係わり、特に、磁性膜の形成
方法に関する。
近年、ビデオテープレコーダなどにおいては、高記録密
度化をはかるために、磁気ヘッドの狭トラック幅比、狭
ギャップ幅化が進んでおり、これに伴なって量産性に優
れ、高精度化を達成できる薄膜磁気ヘッドが提案されて
いる。
度化をはかるために、磁気ヘッドの狭トラック幅比、狭
ギャップ幅化が進んでおり、これに伴なって量産性に優
れ、高精度化を達成できる薄膜磁気ヘッドが提案されて
いる。
かかる薄膜磁気ヘッドの一例としては、実公昭43−1
3255号に開示される薄膜磁気ヘッドが知られている
。これは、非磁性基板上に第1の磁性膜を形成し、しか
る後、この第1の磁性膜の一部を除いて基板面にほぼ垂
直な面、すなわち、ギャップ面を形成し、さらに、この
ギャップ面を含めた全面にギャップ材の膜を形成した後
、その上に第2の磁性膜を形成し、第1の磁性膜上の第
2の磁性膜を除くようにし、第1.第2の磁性膜間のギ
ャップ材の膜を磁気ギャップとして第1゜第2の磁性膜
の表面と磁気ギャップとを含む基板面に垂直な面をテー
プ摺動面とするものである。
3255号に開示される薄膜磁気ヘッドが知られている
。これは、非磁性基板上に第1の磁性膜を形成し、しか
る後、この第1の磁性膜の一部を除いて基板面にほぼ垂
直な面、すなわち、ギャップ面を形成し、さらに、この
ギャップ面を含めた全面にギャップ材の膜を形成した後
、その上に第2の磁性膜を形成し、第1の磁性膜上の第
2の磁性膜を除くようにし、第1.第2の磁性膜間のギ
ャップ材の膜を磁気ギャップとして第1゜第2の磁性膜
の表面と磁気ギャップとを含む基板面に垂直な面をテー
プ摺動面とするものである。
かかる構造の薄膜磁気ヘッドは、ギャップ面と基板面と
のなす角度がアジマス角に対応す”るものであって、ア
ジマス記録方式によってトラック密度の向上をはかるビ
デオテープレコーダには適しており、また、ギャップ材
の膜の膜厚制御が容易なことから、磁気ギャップの狭ギ
ャップ幅化にも適している。
のなす角度がアジマス角に対応す”るものであって、ア
ジマス記録方式によってトラック密度の向上をはかるビ
デオテープレコーダには適しており、また、ギャップ材
の膜の膜厚制御が容易なことから、磁気ギャップの狭ギ
ャップ幅化にも適している。
しかしながら、かかる薄膜磁気ヘッドを作製するに際し
ては、特に、上記第2の磁性膜を形成Tるに際して問題
があり、良好な磁気特性が得られない。以下、この点に
ついて、図面を用いて説明する。
ては、特に、上記第2の磁性膜を形成Tるに際して問題
があり、良好な磁気特性が得られない。以下、この点に
ついて、図面を用いて説明する。
第12図はかかる薄膜磁気ヘッドをテープ摺動面側から
みた平面図であって、基板1上に、ギャップ材の膜5を
介して第1の磁性膜2と第2の磁性膜6とが対向して設
けられている。ギャップ材の膜5は磁気ギャップを形成
するものであって、この磁気ギャップのアジマス角は@
1の磁性膜2に形成されたギャップ面4の基板1の面に
対する傾斜角θで決まる。一般に、アジマス角αは10
度程度に設定されるから、基板1の面に対するギャップ
面4の傾斜角(以下、ギャップ面の傾斜角という)θは
80度程度である。
みた平面図であって、基板1上に、ギャップ材の膜5を
介して第1の磁性膜2と第2の磁性膜6とが対向して設
けられている。ギャップ材の膜5は磁気ギャップを形成
するものであって、この磁気ギャップのアジマス角は@
1の磁性膜2に形成されたギャップ面4の基板1の面に
対する傾斜角θで決まる。一般に、アジマス角αは10
度程度に設定されるから、基板1の面に対するギャップ
面4の傾斜角(以下、ギャップ面の傾斜角という)θは
80度程度である。
ところで、スパッタリング法、蒸着法などによって第2
の磁性膜を形成する場合には、!13vlI(α)に示
すように、ギャップ面4を有する第1の磁性膜2が形成
された基板1の全面にギャップ材の膜5を形成した後、
そのギャップ材の膜5止金面に第1の磁性膜2よりも膜
厚の磁性膜を形成するのであるが、このとき、ターゲッ
ト(スパッタ源あるいは蒸着源)6によるギャップ材の
膜5上の成膜方向を基板1の面に垂直な方向とすること
が考えられる。
の磁性膜を形成する場合には、!13vlI(α)に示
すように、ギャップ面4を有する第1の磁性膜2が形成
された基板1の全面にギャップ材の膜5を形成した後、
そのギャップ材の膜5止金面に第1の磁性膜2よりも膜
厚の磁性膜を形成するのであるが、このとき、ターゲッ
ト(スパッタ源あるいは蒸着源)6によるギャップ材の
膜5上の成膜方向を基板1の面に垂直な方向とすること
が考えられる。
しかしながら、第1の磁性膜2上および基板1上の大部
分のギャップ材の膜5の表面は、ターゲット6の全面に
対して露呈しているから、これらの部分では、所望の成
膜速度で磁性膜が形成されるが、基板1の面と第1の磁
性膜2の上面との段差部により、破線で示すように、ギ
ャップ面4と、これに近接した基板1の面の一部(すな
わち、A部分)とに対し、ターゲット1の一部が遮へい
されることになる。したがって、ギャップ面とこのA部
分における成膜速度は他の部分に比べて小さくなる。こ
れらの部分における成膜速度は、ギャップ面4とA部分
とが接する角部Bに近い程小さいO このために、ギャップ材の膜5上に形成される磁性膜の
膜厚は、ギャップ面4とA部分とで薄くなるが、この磁
性膜が形成された結果、第13図(6)に示すように、
ギャップ面4の上部で形成された磁性膜3′が基板1の
面に平行な方向に突き出したように形成される。この磁
性膜3′自体と、それがこのように突き出して形成され
ることから、一点鎖線に示すように、ギャップ面4と、
基板1の面に対するターゲット6の遮へい部分が増大し
、この結果、ギャップ面4での成膜速度がさらに低下す
るとともに、基板1の面での低成膜速度の部分が拡大す
る(すなわち、第13図(α)のA部分よりも広いA′
部分となる)。
分のギャップ材の膜5の表面は、ターゲット6の全面に
対して露呈しているから、これらの部分では、所望の成
膜速度で磁性膜が形成されるが、基板1の面と第1の磁
性膜2の上面との段差部により、破線で示すように、ギ
ャップ面4と、これに近接した基板1の面の一部(すな
わち、A部分)とに対し、ターゲット1の一部が遮へい
されることになる。したがって、ギャップ面とこのA部
分における成膜速度は他の部分に比べて小さくなる。こ
れらの部分における成膜速度は、ギャップ面4とA部分
とが接する角部Bに近い程小さいO このために、ギャップ材の膜5上に形成される磁性膜の
膜厚は、ギャップ面4とA部分とで薄くなるが、この磁
性膜が形成された結果、第13図(6)に示すように、
ギャップ面4の上部で形成された磁性膜3′が基板1の
面に平行な方向に突き出したように形成される。この磁
性膜3′自体と、それがこのように突き出して形成され
ることから、一点鎖線に示すように、ギャップ面4と、
基板1の面に対するターゲット6の遮へい部分が増大し
、この結果、ギャップ面4での成膜速度がさらに低下す
るとともに、基板1の面での低成膜速度の部分が拡大す
る(すなわち、第13図(α)のA部分よりも広いA′
部分となる)。
以上のことから、磁性膜3を第1の磁性膜2の膜厚以上
に形成しても、第14図に示すように、角部Bからクリ
ック7が生ずることになる。また、ギャップ面4上やA
、A’部分には、段差部で遮へいされたターゲット6の
一部からの磁性粒子がまわりこんで付着されることもあ
り、このために、こ゛れらの部分での磁性膜3′の粒子
密度は非常に低いものとなる。したがって、第1の磁性
膜2上の磁性膜3′を除き、基板1上の磁性膜3′の膜
厚を規制して第2の磁性膜3を形成したとしても、クラ
ック7や低粒子密度のために、優れたヘッド特性を得る
ことができない。
に形成しても、第14図に示すように、角部Bからクリ
ック7が生ずることになる。また、ギャップ面4上やA
、A’部分には、段差部で遮へいされたターゲット6の
一部からの磁性粒子がまわりこんで付着されることもあ
り、このために、こ゛れらの部分での磁性膜3′の粒子
密度は非常に低いものとなる。したがって、第1の磁性
膜2上の磁性膜3′を除き、基板1上の磁性膜3′の膜
厚を規制して第2の磁性膜3を形成したとしても、クラ
ック7や低粒子密度のために、優れたヘッド特性を得る
ことができない。
また、薄膜磁気ヘッドの他の例として、特開昭55−1
32519号公報に開示される薄膜磁気ヘッドが知られ
ている。この薄膜磁気ヘッドは、テープ摺動面に対して
垂直な面での断面を示す第15図(α)あるいは(b)
に示すように、非磁性板1と下部コア8とからなる基板
1′あるいは磁性基板1“上の一部に、絶縁層9を介し
て巻線をなす導電膜10を形成し、これを絶縁層グで覆
った後に、ギャップ材の膜5Tt介して第1.第2の磁
性膜2゜3を設けたものであって、テープ摺動面は第1
゜第2の磁性膜2.3の上面とギャップ材の膜5の上面
を含む基板面1′、1“の面に平行な面である。
32519号公報に開示される薄膜磁気ヘッドが知られ
ている。この薄膜磁気ヘッドは、テープ摺動面に対して
垂直な面での断面を示す第15図(α)あるいは(b)
に示すように、非磁性板1と下部コア8とからなる基板
1′あるいは磁性基板1“上の一部に、絶縁層9を介し
て巻線をなす導電膜10を形成し、これを絶縁層グで覆
った後に、ギャップ材の膜5Tt介して第1.第2の磁
性膜2゜3を設けたものであって、テープ摺動面は第1
゜第2の磁性膜2.3の上面とギャップ材の膜5の上面
を含む基板面1′、1“の面に平行な面である。
これら薄膜磁気ヘッドのギャップ面4は導電膜10上に
設けられ、テープ摺動面の摩耗による磁気ギャップの位
置変化を防止するために、基板1′。
設けられ、テープ摺動面の摩耗による磁気ギャップの位
置変化を防止するために、基板1′。
1に対してギャップ面4をできる限り垂直となるように
している。
している。
これら薄膜磁気ヘッドにおいても、第2の磁性膜3を形
成する場合には、上記と同様に、第1の磁性膜2にギャ
ップ面4を形成した後、全表面にギャップ材の膜5を形
成し、さらにその上に磁性膜をスパッタリング法や蒸着
法などによって形成するものであるが、基板1′、1“
に対するギャップ面4の角度が急峻(約90度)である
ことから、第13図で説明した方法で第2の磁性膜3を
形成すると、第12図で示した薄膜磁気ヘッドと同様の
問題が生ずることになる。
成する場合には、上記と同様に、第1の磁性膜2にギャ
ップ面4を形成した後、全表面にギャップ材の膜5を形
成し、さらにその上に磁性膜をスパッタリング法や蒸着
法などによって形成するものであるが、基板1′、1“
に対するギャップ面4の角度が急峻(約90度)である
ことから、第13図で説明した方法で第2の磁性膜3を
形成すると、第12図で示した薄膜磁気ヘッドと同様の
問題が生ずることになる。
また、第15図(α)、(b)に示す薄膜磁気ヘッドに
おいては、導電膜10によって第1、第2の磁性膜2,
3の夫々に傾斜した段差が生じており、これら第1、第
2の磁性膜2,3を形成するに際しても、第16図に示
すように、この傾斜部でクラック7が生じたり、膜厚の
低下や粒子密度の低下が生じたりする。
おいては、導電膜10によって第1、第2の磁性膜2,
3の夫々に傾斜した段差が生じており、これら第1、第
2の磁性膜2,3を形成するに際しても、第16図に示
すように、この傾斜部でクラック7が生じたり、膜厚の
低下や粒子密度の低下が生じたりする。
薄膜磁気ヘッドのさらに他の例として、非磁性基板上に
第1の磁性膜を形成し、その第2の磁性膜上に巻線とな
る導電膜で覆われた絶縁層を形成した後、この絶縁層上
に第2の磁性膜を形成した薄膜磁気ヘッドも知られてい
る。この場合、絶縁層の一部は直接部1、第2の磁性膜
間にあってギャップ材の膜をなしており、したがって、
磁気ギャップは基板の面に平行となっている。
第1の磁性膜を形成し、その第2の磁性膜上に巻線とな
る導電膜で覆われた絶縁層を形成した後、この絶縁層上
に第2の磁性膜を形成した薄膜磁気ヘッドも知られてい
る。この場合、絶縁層の一部は直接部1、第2の磁性膜
間にあってギャップ材の膜をなしており、したがって、
磁気ギャップは基板の面に平行となっている。
かかる薄膜磁気ヘッドにおいても、磁気ギャップ部分を
除いて第1、第2の磁性膜間に導電膜が存在しているた
めに、第2の磁性膜に傾斜した段差部が生ずる。良好な
磁気特性が得られるためには、この段差部も含めて第2
の磁性膜は膜厚、粒子密度が均一である必要がある。
除いて第1、第2の磁性膜間に導電膜が存在しているた
めに、第2の磁性膜に傾斜した段差部が生ずる。良好な
磁気特性が得られるためには、この段差部も含めて第2
の磁性膜は膜厚、粒子密度が均一である必要がある。
膜厚、粒子密度がともに均一なかかる第2の磁性膜を形
成する方法として、特開昭58−1821号公報に、第
13図に示したような基板の面とターゲットの面とを互
いに平行とせず、ターゲットの面に対して基板の面を所
定角θだけ傾斜させるようにした方法が開示されている
。この場合、第2の磁性膜の傾斜部分は2個所あるので
、基板を±θ内で連続的にあるいは断続的に回転させて
スパッタあるいは蒸着を行なうようにしている。
成する方法として、特開昭58−1821号公報に、第
13図に示したような基板の面とターゲットの面とを互
いに平行とせず、ターゲットの面に対して基板の面を所
定角θだけ傾斜させるようにした方法が開示されている
。この場合、第2の磁性膜の傾斜部分は2個所あるので
、基板を±θ内で連続的にあるいは断続的に回転させて
スパッタあるいは蒸着を行なうようにしている。
しかし、この方法によると、この第2の磁性膜の傾斜部
分が基板の面に対して50度程度以下で緩く傾斜してい
る場合には、第2の磁性膜の膜厚や粒子密度は、傾斜部
分を含めて全体として均一なものとなるが、これよりも
傾斜角が急峻なものであるときには、やはり第2の磁性
膜の膜厚や粒子密度は、この傾斜部分でバラツキが生ず
ることがわかった。
分が基板の面に対して50度程度以下で緩く傾斜してい
る場合には、第2の磁性膜の膜厚や粒子密度は、傾斜部
分を含めて全体として均一なものとなるが、これよりも
傾斜角が急峻なものであるときには、やはり第2の磁性
膜の膜厚や粒子密度は、この傾斜部分でバラツキが生ず
ることがわかった。
したがって、第12図に示した薄膜磁気ヘッドの第2の
磁性膜の形成にこの方法を用いることができないし、ま
た、第15図に示した薄膜磁気ヘッドに対しても、ギャ
ップ面4が基板化1“の面に対して急峻であり、しかも
、第1の磁性膜2と下部コア8あるいは磁性基板1”と
接触面積や、第2の磁性膜3と下部コア8あるいは磁性
基板1′との対向面積をできるだけ広くして磁路の磁気
抵抗な小さくするために、導電膜10による第1.第2
の磁性膜2,3の傾斜部での基板1,1に対する傾斜角
を50度〜80度程度に設定しており、このために、特
開昭58−1821号に開示される先の方法を適用する
ことはできない。
磁性膜の形成にこの方法を用いることができないし、ま
た、第15図に示した薄膜磁気ヘッドに対しても、ギャ
ップ面4が基板化1“の面に対して急峻であり、しかも
、第1の磁性膜2と下部コア8あるいは磁性基板1”と
接触面積や、第2の磁性膜3と下部コア8あるいは磁性
基板1′との対向面積をできるだけ広くして磁路の磁気
抵抗な小さくするために、導電膜10による第1.第2
の磁性膜2,3の傾斜部での基板1,1に対する傾斜角
を50度〜80度程度に設定しており、このために、特
開昭58−1821号に開示される先の方法を適用する
ことはできない。
第12図、第15図に示される薄膜磁気ヘッドは、ギャ
ップ面4を形成する際にアジマス角を設定することがで
き、磁気ギャップそのものがアジマス角を有するから、
薄膜磁気ヘッドをヘッドシリンダに取りつけるに際し、
アジマス角を調整する手段を必要としないという利点が
あるが、磁性膜の形成に先のような問題点があり、この
問題を解決するための手段が早急に実現することが望ま
れている。
ップ面4を形成する際にアジマス角を設定することがで
き、磁気ギャップそのものがアジマス角を有するから、
薄膜磁気ヘッドをヘッドシリンダに取りつけるに際し、
アジマス角を調整する手段を必要としないという利点が
あるが、磁性膜の形成に先のような問題点があり、この
問題を解決するための手段が早急に実現することが望ま
れている。
本発明の目的は、上記の問題点を解消し1.傾斜部分を
含め全体として均一な磁性膜を形成することができるよ
うにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するにある。
含め全体として均一な磁性膜を形成することができるよ
うにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、基板の面と、該
基板の面に対して傾斜せる部分の面とのなす角をほぼ2
等分する方向に対して垂直にターゲツト面を設定し、該
基板の面に平行な面と該傾斜せる面とで成膜方向をほぼ
等しくするようにした点に特徴がある。
基板の面に対して傾斜せる部分の面とのなす角をほぼ2
等分する方向に対して垂直にターゲツト面を設定し、該
基板の面に平行な面と該傾斜せる面とで成膜方向をほぼ
等しくするようにした点に特徴がある。
(発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
まず、第12図に示した構造の薄膜磁気ヘッドに対する
本発明を概略的に説明すると、第1図において、基板1
上に、ギャップ面4を有する第1の磁性膜2を形成し、
さらに全面にギャップ材の膜5を形成した後、第2の磁
性膜3(第12図)を形成する場合、基板1の面をター
ゲット6の面に対して所定角βだけ傾け、基板1の面と
ギャップ面4とのなす角ψをほぼ2等分する方向に対し
て垂直にターゲット6の面を設定するものである。
本発明を概略的に説明すると、第1図において、基板1
上に、ギャップ面4を有する第1の磁性膜2を形成し、
さらに全面にギャップ材の膜5を形成した後、第2の磁
性膜3(第12図)を形成する場合、基板1の面をター
ゲット6の面に対して所定角βだけ傾け、基板1の面と
ギャップ面4とのなす角ψをほぼ2等分する方向に対し
て垂直にターゲット6の面を設定するものである。
このように設定すると、ギャップ材の膜5の面全体がタ
ーゲット6の面とのなす角度がほぼ等しく、かつ、この
角度は90度よりも充分小さくなる。第16図で示した
方法によると、基板1の面上や第1の磁性膜2の面上の
ギャップ材の膜5は、ターゲット6の面に平行になるの
に対し、ギャップ面4上のギャップ材の膜5とターゲッ
ト6の面と80度の角度Pなし、このために、先に説明
したような問題点が生ずるが、第1図においては、ギャ
ップ材の膜5の全面がターゲット6の面に対してほぼ5
0度となり、同じ程度にかつ充分広くターゲット6を望
めることになる。したがって、ギャップ材の膜5の全面
にわたり、成膜方向が等しくなってほぼ等しい成膜速度
で磁性膜が形成できる。
ーゲット6の面とのなす角度がほぼ等しく、かつ、この
角度は90度よりも充分小さくなる。第16図で示した
方法によると、基板1の面上や第1の磁性膜2の面上の
ギャップ材の膜5は、ターゲット6の面に平行になるの
に対し、ギャップ面4上のギャップ材の膜5とターゲッ
ト6の面と80度の角度Pなし、このために、先に説明
したような問題点が生ずるが、第1図においては、ギャ
ップ材の膜5の全面がターゲット6の面に対してほぼ5
0度となり、同じ程度にかつ充分広くターゲット6を望
めることになる。したがって、ギャップ材の膜5の全面
にわたり、成膜方向が等しくなってほぼ等しい成膜速度
で磁性膜が形成できる。
このことから、ギャップ面4でのクラックの発生や粒子
密度のバラツキが抑圧されることになる。
密度のバラツキが抑圧されることになる。
なお、磁性膜を形成する際には、基板1の面に垂直な方
向(矢印Mの方向)に外部磁界を印加する。
向(矢印Mの方向)に外部磁界を印加する。
第2図はかかる原理にもとづく本発明の第1の実施例を
示す説明図である。
示す説明図である。
同図において、1インチ角のガラス基板1上に、厚さ5
μmのOo −N b −Z r 、%非晶質合金より
なる磁性膜を、1oooAの5i02膜を層間材として
、3層形成した後、各チップ毎に、機械加工により、ア
ジマス角10度の傾斜角をつけて片側を除去した。これ
によって各チップ毎に、ギャップ面4−1.4−2.・
・・・ を有する第1の磁性膜2−1.2−2.・・・
・が形成されたことになる。この際、チップサイズは2
■×2■とした。
μmのOo −N b −Z r 、%非晶質合金より
なる磁性膜を、1oooAの5i02膜を層間材として
、3層形成した後、各チップ毎に、機械加工により、ア
ジマス角10度の傾斜角をつけて片側を除去した。これ
によって各チップ毎に、ギャップ面4−1.4−2.・
・・・ を有する第1の磁性膜2−1.2−2.・・・
・が形成されたことになる。この際、チップサイズは2
■×2■とした。
さらに、その上にギャップ材として5iOzを、ギャッ
プ長が0.25μ惰となるように、RFスパッタ装置で
成膜してギャップ材の膜を形成する。
プ長が0.25μ惰となるように、RFスパッタ装置で
成膜してギャップ材の膜を形成する。
このように、第1の磁性膜2−1.2−2.・・・とギ
ャップ材の膜が形成された基板1は、プレーナマグネト
ロンスパッタ装置において、裏面に永久磁石12を備え
た基板ホルダ11に取りつけられ、On Nb Z
r系非晶質合金のターゲット6の面に対し、第1図で説
明したような角度で基板1が傾斜して設置される。そこ
で、ターゲット6からCo−Nb−Zr系非晶質合金の
スパッタ粒子が放出されるが、同時に、永久磁石12か
ら外部磁界が基板1に垂直に、したがって、ギャップ面
4−1.4−2. ・・・・にほぼ平行に印加される
。
ャップ材の膜が形成された基板1は、プレーナマグネト
ロンスパッタ装置において、裏面に永久磁石12を備え
た基板ホルダ11に取りつけられ、On Nb Z
r系非晶質合金のターゲット6の面に対し、第1図で説
明したような角度で基板1が傾斜して設置される。そこ
で、ターゲット6からCo−Nb−Zr系非晶質合金の
スパッタ粒子が放出されるが、同時に、永久磁石12か
ら外部磁界が基板1に垂直に、したがって、ギャップ面
4−1.4−2. ・・・・にほぼ平行に印加される
。
ここで、ターゲット6の直径は120fi、ターゲット
6と基板ホルダ11との間の距離を70■、基板1の表
面での磁界の強さを2008 とし、基板1はターゲッ
ト6の面に対して45度傾斜させた。
6と基板ホルダ11との間の距離を70■、基板1の表
面での磁界の強さを2008 とし、基板1はターゲッ
ト6の面に対して45度傾斜させた。
このようにしてCo−Nb−Zr糸非晶質合金磁性膜を
形成し、基板1上の全てにわたってこの磁性膜の膜厚が
16μm以上となるまでスパッタを継続した。基板1の
傾斜により、ターゲット6から最も遠いチップでの磁性
膜の膜厚が16μmになったとき、スパッタを停止した
が、ターゲット6に最も近いチップでの膜厚は最も遠い
チップでの膜厚よりも約2μm厚くなっていた。そこで
、レベリングにより、全てのチップにおいて、トラック
幅を15μmに揃えた。
形成し、基板1上の全てにわたってこの磁性膜の膜厚が
16μm以上となるまでスパッタを継続した。基板1の
傾斜により、ターゲット6から最も遠いチップでの磁性
膜の膜厚が16μmになったとき、スパッタを停止した
が、ターゲット6に最も近いチップでの膜厚は最も遠い
チップでの膜厚よりも約2μm厚くなっていた。そこで
、レベリングにより、全てのチップにおいて、トラック
幅を15μmに揃えた。
その後、保護膜形成、巻線によりヘッド特性の測定を行
なった。その結果、従来技術によって製造したヘッドに
比べ約3dB出力が増加した。これを第3図に示す。破
線が従来技術により製造した薄膜磁気ヘッドの特性を示
し、実線がこの実施例による特性を示している。
なった。その結果、従来技術によって製造したヘッドに
比べ約3dB出力が増加した。これを第3図に示す。破
線が従来技術により製造した薄膜磁気ヘッドの特性を示
し、実線がこの実施例による特性を示している。
なお、第2図において、チップ外枠13−1 。
13−2.・・・・・に相当する部分の段差ではクラッ
クが発生し、また、傾斜面上の膜厚や粒子密度が小さい
磁性膜が段差の底部に段差の高さ分程度の幅で形成され
るが、チップ分割の際、この部分はダイサーで除去され
るため、ヘッド特性には全く影響がなかった。
クが発生し、また、傾斜面上の膜厚や粒子密度が小さい
磁性膜が段差の底部に段差の高さ分程度の幅で形成され
るが、チップ分割の際、この部分はダイサーで除去され
るため、ヘッド特性には全く影響がなかった。
第4図は外部磁界印加手段の他の具体例を示す説明図で
ある。この具体例はターゲット6側に永久磁石12を設
けたもので、複数のターゲット6−1.6−2を用い、
これらの裏面側に設けた永久磁界12の基板1側へのも
れ磁界を外部磁界として利用する。この場合、基板1の
位置を適宜選定することにより、第2図の場合と同様の
効果が得られる。しかし、当然のことながら、外部磁界
の方向から基板1のターゲラ)6−1.6−2に対する
傾斜条件や基板1に印加できる磁界の強さなどで制約を
受ける。
ある。この具体例はターゲット6側に永久磁石12を設
けたもので、複数のターゲット6−1.6−2を用い、
これらの裏面側に設けた永久磁界12の基板1側へのも
れ磁界を外部磁界として利用する。この場合、基板1の
位置を適宜選定することにより、第2図の場合と同様の
効果が得られる。しかし、当然のことながら、外部磁界
の方向から基板1のターゲラ)6−1.6−2に対する
傾斜条件や基板1に印加できる磁界の強さなどで制約を
受ける。
第5図は異なるアジマス角をもつ、いわゆるダブルアジ
マスの薄膜磁気ヘッドをテープ摺動面側からみた平面図
である。これは、非磁性基板1上に、第2の磁性膜3f
tはさんで第1の磁性膜2′。
マスの薄膜磁気ヘッドをテープ摺動面側からみた平面図
である。これは、非磁性基板1上に、第2の磁性膜3f
tはさんで第1の磁性膜2′。
2が設けられ、第1の磁性膜2,2に夫々異なる傾斜角
θ、θ′のギャップ面4’、4’が設けられている。第
1の磁性膜2′、2“と第2の磁性膜3との間および基
板1と第2の磁性膜3との間にはギャップ材の膜5が設
けられ、第1の磁性膜2′、2“と第2の磁性膜3の間
の夫々のギャップ材の膜5が磁気ギャップを構成する。
θ、θ′のギャップ面4’、4’が設けられている。第
1の磁性膜2′、2“と第2の磁性膜3との間および基
板1と第2の磁性膜3との間にはギャップ材の膜5が設
けられ、第1の磁性膜2′、2“と第2の磁性膜3の間
の夫々のギャップ材の膜5が磁気ギャップを構成する。
これらの磁気ギャップのアジマス角は、夫々ギャップ面
4’、4’の傾斜角θ。
4’、4’の傾斜角θ。
θ′で決まり、ここで、θ−80度、θ’−1oo度と
して夫々のアジマス角を±10度とし、トラック幅に相
当する第1の磁性膜2’、 2’の膜厚を15μmとし
たときの本発明の実施例について説明するが、その前に
、まず、第6図によってこの実施例を概略的に説明する
。
して夫々のアジマス角を±10度とし、トラック幅に相
当する第1の磁性膜2’、 2’の膜厚を15μmとし
たときの本発明の実施例について説明するが、その前に
、まず、第6図によってこの実施例を概略的に説明する
。
この薄膜磁気ヘッドにおいて、第1の磁性膜2′。
2、ギャップ面4′、4“およびギャップ材の膜5の形
成は第2図で説明した実施例と同様である。
成は第2図で説明した実施例と同様である。
ギャップ材の膜5が形成された後の基板1に対し、まず
、第1の磁性膜2′側に関して第1図で示した方法によ
り、スパッタでもって磁性膜6′−1を形成する。この
場合、第1の磁性膜2側をマスクする(第6図(α))
。次に、磁性膜3′−1側をマスクし、同様にして第1
の磁性膜2側に磁性膜3′−2を形成する(第6図(b
))。これらの工程においては、基板1上のギャップ材
の膜5のほとんどを磁性膜3’−1、3’−2で覆うよ
うにする。次いで、全面にわたって一様にスパッタし、
磁性膜3′−3’E−形成する(第6図(C))。これ
でもって磁性膜の形成工程が完了し、次いで、磁性膜3
’−1゜3’−2、3’−3をレベリングして第1の磁
性膜2′。
、第1の磁性膜2′側に関して第1図で示した方法によ
り、スパッタでもって磁性膜6′−1を形成する。この
場合、第1の磁性膜2側をマスクする(第6図(α))
。次に、磁性膜3′−1側をマスクし、同様にして第1
の磁性膜2側に磁性膜3′−2を形成する(第6図(b
))。これらの工程においては、基板1上のギャップ材
の膜5のほとんどを磁性膜3’−1、3’−2で覆うよ
うにする。次いで、全面にわたって一様にスパッタし、
磁性膜3′−3’E−形成する(第6図(C))。これ
でもって磁性膜の形成工程が完了し、次いで、磁性膜3
’−1゜3’−2、3’−3をレベリングして第1の磁
性膜2′。
2“と同一表面をなす第2の磁性膜3を形成する。
第7図はかかる原理にもとづく本発明の第2の実施例を
示すものであって、ギャップ材の膜の形成工程を経た後
の基板1を、第2図で示した実施例と同様に、裏面に永
久磁石12を備えた基板ホルダ11に取りつけ、第1の
磁性膜2のギャップ面4′と基板1の面とのなす角を2
等分する方向に対してターゲット6の面が垂直となるよ
うに基板1を傾ける。そして、第1の磁性膜2”側がタ
ーゲット6に対して遮へいされるが、第1の磁性膜2′
のギャップ面4′やこのギャップ面4′側の基板1上の
ギャップ材の膜からターゲット6の面が見えるように、
マスク14を設ける。これによって、第6図(α)に示
すように、#11の磁性膜2′側に磁性膜6′−1を形
成することができる。
示すものであって、ギャップ材の膜の形成工程を経た後
の基板1を、第2図で示した実施例と同様に、裏面に永
久磁石12を備えた基板ホルダ11に取りつけ、第1の
磁性膜2のギャップ面4′と基板1の面とのなす角を2
等分する方向に対してターゲット6の面が垂直となるよ
うに基板1を傾ける。そして、第1の磁性膜2”側がタ
ーゲット6に対して遮へいされるが、第1の磁性膜2′
のギャップ面4′やこのギャップ面4′側の基板1上の
ギャップ材の膜からターゲット6の面が見えるように、
マスク14を設ける。これによって、第6図(α)に示
すように、#11の磁性膜2′側に磁性膜6′−1を形
成することができる。
次に、基板1ご逆向きに傾け、第1の磁性膜2側ご同様
にしてマスク14によってマスクすることにより、第6
図(b)に示すように、第1の磁性膜グ側に磁性膜6′
−2が形成される。次いで、基板1の面をターゲット6
の面と平行にし、マスク14を除いてスパッタすること
により、第6図(C)に示すように、平面に磁性膜6′
−3が形成される。
にしてマスク14によってマスクすることにより、第6
図(b)に示すように、第1の磁性膜グ側に磁性膜6′
−2が形成される。次いで、基板1の面をターゲット6
の面と平行にし、マスク14を除いてスパッタすること
により、第6図(C)に示すように、平面に磁性膜6′
−3が形成される。
なお、この実施例では、第2の磁性膜3を得るために、
3回スパッタを行なったが、第8図に示すように、磁性
膜3’−1,3′−2が互いに充分型なるように形成す
ることにより、2回のマスクスパッタで丁ませることが
できる。
3回スパッタを行なったが、第8図に示すように、磁性
膜3’−1,3′−2が互いに充分型なるように形成す
ることにより、2回のマスクスパッタで丁ませることが
できる。
また、第6図(d)や第8図に示すように、第2の磁性
膜乙に磁性膜の境界が生ずるが、一般に、磁気ギャップ
の間隔(たとえば、350μm)はトラック幅(たとえ
ば、15μm)に比べて充分長いから、かかる磁性膜の
境界による影響は問題とはならない。
膜乙に磁性膜の境界が生ずるが、一般に、磁気ギャップ
の間隔(たとえば、350μm)はトラック幅(たとえ
ば、15μm)に比べて充分長いから、かかる磁性膜の
境界による影響は問題とはならない。
さらに、第7図において、永久磁石12は、第4図で説
明したように、ターゲット6側に設けてもよい。
明したように、ターゲット6側に設けてもよい。
次に、第15図(α)に示した構造の薄膜磁気ヘッドに
対する本発明を、第9図により、概略的に説明する。な
お、第15図(6)に示した構造の薄膜磁気ヘッドに対
しても同様である。
対する本発明を、第9図により、概略的に説明する。な
お、第15図(6)に示した構造の薄膜磁気ヘッドに対
しても同様である。
全面が絶縁膜9.釘で覆われた導電膜10が形成された
基板1′は、この導電膜10の側面によって生じた傾斜
面15と基板1′とのなす角度を2等分する方向に対し
てターゲット6の面がほぼ垂直となるように、基板1′
をターゲット6の面に対して角度β′だけ傾ける。この
場合、基板1′の面に垂直な方向(実線矢印M1の方向
)あるいはスパッタ粒子の平均的な飛来方向(破線矢印
M2の方向)に外部磁界な印加してスパッタを行なう。
基板1′は、この導電膜10の側面によって生じた傾斜
面15と基板1′とのなす角度を2等分する方向に対し
てターゲット6の面がほぼ垂直となるように、基板1′
をターゲット6の面に対して角度β′だけ傾ける。この
場合、基板1′の面に垂直な方向(実線矢印M1の方向
)あるいはスパッタ粒子の平均的な飛来方向(破線矢印
M2の方向)に外部磁界な印加してスパッタを行なう。
これにより、傾斜面15の近傍で第16図に示したよう
なりラック7が生ずることがなく、また、基板1′上や
導電膜10の上面での磁性膜と傾斜面15での磁性膜と
の間で、膜厚や粒子密度に差が生ずることはない。
なりラック7が生ずることがなく、また、基板1′上や
導電膜10の上面での磁性膜と傾斜面15での磁性膜と
の間で、膜厚や粒子密度に差が生ずることはない。
次に、かかる原理にもとづく本発明の第6の実施例を第
10図によって説明する。
10図によって説明する。
1インチ角のガラス基板1上に厚さ15μmのCo−N
b−Zr糸非晶質合金の磁性膜(すなわち、下部ファ8
)を形成して基板1を得、その上に電気的絶縁材の5i
02膜を1000人の厚さで形成し、さらにその上にA
/からなる導電層を10μmの厚さで形成する。次に、
これらをバターニン、グして絶縁層9と導電膜10とを
形成し、再び1000大の厚さで8i02膜を形成した
後、その不要部分を除いて絶縁層9′とする。このとき
、導電膜10の側面による傾斜面15.15’(第9図
)の某Fi1の面に対する4h#は70摩であ、な−か
かる工程を経た基板1′は、第10図(α)に示すよう
に、プレーナマグネ−トロンスパッタ装置において、裏
面に永久磁石12ご備えた基板ホルダ11に取りつけ、
さらに、第9図で説明したように、基板1′をターゲッ
ト6の面に対して所定角度β′だけ(第9図)傾ける。
b−Zr糸非晶質合金の磁性膜(すなわち、下部ファ8
)を形成して基板1を得、その上に電気的絶縁材の5i
02膜を1000人の厚さで形成し、さらにその上にA
/からなる導電層を10μmの厚さで形成する。次に、
これらをバターニン、グして絶縁層9と導電膜10とを
形成し、再び1000大の厚さで8i02膜を形成した
後、その不要部分を除いて絶縁層9′とする。このとき
、導電膜10の側面による傾斜面15.15’(第9図
)の某Fi1の面に対する4h#は70摩であ、な−か
かる工程を経た基板1′は、第10図(α)に示すよう
に、プレーナマグネ−トロンスパッタ装置において、裏
面に永久磁石12ご備えた基板ホルダ11に取りつけ、
さらに、第9図で説明したように、基板1′をターゲッ
ト6の面に対して所定角度β′だけ(第9図)傾ける。
ここで、ターゲット6の直径は120鱈で、ターゲット
6と基板ホールダ11の距離は70.a、基板1′の傾
斜角β′は40度とした。外部磁界は永久磁石12を基
板ホールダ11の裏に付け、磁界が基板1にほぼ垂直と
なり基板表面での磁界の強さが4008 となるように
した。かかる条件でCo −Nb−Zt−系非晶質磁性
膜をスパッタし、その膜厚が15μmになるまでスパッ
タを継続した。膜厚が15μmとなったときにスパッタ
を停止し、次いで、ギャップ面4(第15図(α))を
形成し、さらに、膜厚0.25μmの8iChのギャッ
プ材の膜5(第15図(α))をRrスパッタ装置で形
成した。
6と基板ホールダ11の距離は70.a、基板1′の傾
斜角β′は40度とした。外部磁界は永久磁石12を基
板ホールダ11の裏に付け、磁界が基板1にほぼ垂直と
なり基板表面での磁界の強さが4008 となるように
した。かかる条件でCo −Nb−Zt−系非晶質磁性
膜をスパッタし、その膜厚が15μmになるまでスパッ
タを継続した。膜厚が15μmとなったときにスパッタ
を停止し、次いで、ギャップ面4(第15図(α))を
形成し、さらに、膜厚0.25μmの8iChのギャッ
プ材の膜5(第15図(α))をRrスパッタ装置で形
成した。
次に、第101N(6)に示すように、反対側の傾斜面
15(第9図)側に対して同様のことを行なった。この
とき、基板1′のターゲット6の面に対する傾斜角β′
を45度とした。また、かかる傾斜によって、ギャップ
面4の近傍でのクラックの発生や粒子密度の低下も防止
できる。これによって、15μmの膜厚の第2の磁性膜
6ご形成し、その後、チップ分割、研摩加工などを行な
ってヘッドチップが得られる。
15(第9図)側に対して同様のことを行なった。この
とき、基板1′のターゲット6の面に対する傾斜角β′
を45度とした。また、かかる傾斜によって、ギャップ
面4の近傍でのクラックの発生や粒子密度の低下も防止
できる。これによって、15μmの膜厚の第2の磁性膜
6ご形成し、その後、チップ分割、研摩加工などを行な
ってヘッドチップが得られる。
なお、基板1′をターゲット乙の面に対して傾斜させて
いるため、磁性膜の膜厚は、ターゲット6に近い側は遠
い側より約2μm厚くなるが、最終の円研にてギヤツブ
デプスな管理できるため問題とはならなかった。
いるため、磁性膜の膜厚は、ターゲット6に近い側は遠
い側より約2μm厚くなるが、最終の円研にてギヤツブ
デプスな管理できるため問題とはならなかった。
第11図に、外部磁界の印加方向をパラメータにしたヘ
ッド出力を示す。外部磁界の印加角度Mが60度ないし
90度でヘッド出力が最大となっており、それぞれ、ス
パッタ粒子の平均的な飛来方向、基板1′に垂直な方向
に一致している。また、外部磁界を印加しないで磁性膜
を形成した場合のヘッド出力は一5dBとなった。さら
に、この実施例では、永久磁石12を基板ホルダ11の
裏面に設けたが、第4図に示したように、ターゲット6
側に設けてもよい。
ッド出力を示す。外部磁界の印加角度Mが60度ないし
90度でヘッド出力が最大となっており、それぞれ、ス
パッタ粒子の平均的な飛来方向、基板1′に垂直な方向
に一致している。また、外部磁界を印加しないで磁性膜
を形成した場合のヘッド出力は一5dBとなった。さら
に、この実施例では、永久磁石12を基板ホルダ11の
裏面に設けたが、第4図に示したように、ターゲット6
側に設けてもよい。
以上、本発明の実施例について説明したが、これら実施
例の説明に用いた数値は説明の便宜上水したものであり
、本発明はこれらの数値に限定されるものではない。ま
た以上の実施例では、装置は、プレーナマグネトロンス
パッタ装置を用いたが、他の方式のスパッタ装置でも、
蒸着装置でもよく、同様の効果をもつことは言うまでも
ない。
例の説明に用いた数値は説明の便宜上水したものであり
、本発明はこれらの数値に限定されるものではない。ま
た以上の実施例では、装置は、プレーナマグネトロンス
パッタ装置を用いたが、他の方式のスパッタ装置でも、
蒸着装置でもよく、同様の効果をもつことは言うまでも
ない。
さらにまた、磁性膜として、Cjo −Nb −Zr系
の非晶質合金を例にあげたが、他の元素より成る非晶質
合金でも、他の金属合金でもよく、同様の効果をもつこ
とは自明である。
の非晶質合金を例にあげたが、他の元素より成る非晶質
合金でも、他の金属合金でもよく、同様の効果をもつこ
とは自明である。
さらに、外部磁界を与える方法として、永久磁石を例に
あげたが、電磁石でも同じ効果をもつことは言うまでも
ない。
あげたが、電磁石でも同じ効果をもつことは言うまでも
ない。
以上説明したように、本発明によれば、急峻な傾斜面を
有する全面に対し、成膜方向がほぼ均一となるものであ
るから、傾斜面における磁性膜中のクラックの発生、磁
性膜の膜厚や粒子密度のばらつきを防止でき、優れた特
性の薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
有する全面に対し、成膜方向がほぼ均一となるものであ
るから、傾斜面における磁性膜中のクラックの発生、磁
性膜の膜厚や粒子密度のばらつきを防止でき、優れた特
性の薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
第1図は第12図に示す構造の薄膜磁気ヘッドに対する
本発明の概略説明図、第2図は本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の第1の実施例を示す説明図、第3図は
この第1の実施例による薄膜磁気ヘッドと従来技術によ
る薄膜磁気ヘッドとのヘッド特性を対比して示した特性
図、第4図は外部磁界印加手段の他の具体例を示す説明
図、第5図はダブルアジマス薄膜磁気ヘッドの構造を示
す平面図、第6図はこのダブルアジマス薄膜磁気ヘッド
に対する本発明の概略説明図、第7図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの製造方法の第2.の実施例を示す説明図
、第8図はこの第2の実施例における磁性膜の他の形成
工程の説明図、第9図は第15図に示す構造の薄膜磁気
ヘッドに対する本発明の概略説明図、第10図は本発明
による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第3の実施例を示す
説明図、第11図は第3の実施例における外部磁界の印
加方向に対するヘッド出力の関係2示T特性図、第12
図は薄膜磁気ヘッドの一例を示す平面図、第13図はこ
の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一従来例を示す説明図、
第14図はこの従来の製造方法による磁性膜の成膜状態
な示す説明図、第15図(α)、(b)は夫々薄膜磁気
ヘッドの他の例を示す断面図、第16図は第15図(α
)、(6)に示した薄膜磁気ヘッドの従来の製造方法に
よる磁性膜の成膜状態を示す説明図である。 1.1.1・・・基板、2.2−1.2−2.2’。 2.2−1.2−2.2−3.2−4・・・第1の磁性
膜、3・・・第2の磁性膜、4,4,4.4−1゜4−
2・・・ギャップ面、5・・・ギャップ材の膜、6・・
・ターゲット、9.9・・・絶縁層、10.10−1〜
10−4・・・導電膜、11・・・基板ホルダ、12・
・・永久磁石、14・・・マスク、15.15・・・傾
斜面。 第1図 第3図 層液@ (MHz) 第4図 第5図 第6図 (a) (b) (c) (d) 第 7 図 第 8 図 第9図 1′ 第10図 (a) (b) 6イ==コ ゛ 6(二二コ1 第11図 ダ朗届蛛塾6p加内皮 M 第 12 図 第14図 第13図 第15図 (a ) (t) )第16図
本発明の概略説明図、第2図は本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の第1の実施例を示す説明図、第3図は
この第1の実施例による薄膜磁気ヘッドと従来技術によ
る薄膜磁気ヘッドとのヘッド特性を対比して示した特性
図、第4図は外部磁界印加手段の他の具体例を示す説明
図、第5図はダブルアジマス薄膜磁気ヘッドの構造を示
す平面図、第6図はこのダブルアジマス薄膜磁気ヘッド
に対する本発明の概略説明図、第7図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの製造方法の第2.の実施例を示す説明図
、第8図はこの第2の実施例における磁性膜の他の形成
工程の説明図、第9図は第15図に示す構造の薄膜磁気
ヘッドに対する本発明の概略説明図、第10図は本発明
による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第3の実施例を示す
説明図、第11図は第3の実施例における外部磁界の印
加方向に対するヘッド出力の関係2示T特性図、第12
図は薄膜磁気ヘッドの一例を示す平面図、第13図はこ
の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一従来例を示す説明図、
第14図はこの従来の製造方法による磁性膜の成膜状態
な示す説明図、第15図(α)、(b)は夫々薄膜磁気
ヘッドの他の例を示す断面図、第16図は第15図(α
)、(6)に示した薄膜磁気ヘッドの従来の製造方法に
よる磁性膜の成膜状態を示す説明図である。 1.1.1・・・基板、2.2−1.2−2.2’。 2.2−1.2−2.2−3.2−4・・・第1の磁性
膜、3・・・第2の磁性膜、4,4,4.4−1゜4−
2・・・ギャップ面、5・・・ギャップ材の膜、6・・
・ターゲット、9.9・・・絶縁層、10.10−1〜
10−4・・・導電膜、11・・・基板ホルダ、12・
・・永久磁石、14・・・マスク、15.15・・・傾
斜面。 第1図 第3図 層液@ (MHz) 第4図 第5図 第6図 (a) (b) (c) (d) 第 7 図 第 8 図 第9図 1′ 第10図 (a) (b) 6イ==コ ゛ 6(二二コ1 第11図 ダ朗届蛛塾6p加内皮 M 第 12 図 第14図 第13図 第15図 (a ) (t) )第16図
Claims (5)
- (1)基板面に平行な面と、該基板面に対して急峻な傾
斜角の傾斜面とに磁性膜が形成され、該磁性膜が少なく
とも磁路の一部をなす薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、該基板面に平行な面と該傾斜面とのなす角をほぼ2
等分する方向に対して垂直にターゲットの面を設定し、
所定方向に外部磁界を印加し、該基板面に平行な面と該
傾斜面との成膜方向をほぼ等しくして前記磁性膜を形成
するようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - (2)特許請求の範囲第(1)項において、前記傾斜面
は、ギャップ面上に形成された磁気ギャップをなすギャ
ップ材の膜の表面であることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - (3)特許請求の範囲第(1)項において、前記傾斜面
は、前記基板面上に設けた巻線をなす導電膜の側面に形
成された絶縁膜の表面および該導電膜の上部のギャップ
面上に形成された磁気ギャップをなすギャップ材の膜の
表面であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
。 - (4)特許請求の範囲第(1)項、第(2)項または第
(3)項において、前記外部磁界の印加手段を、前記基
板を保持する基板ホルダに設けたことを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - (5)特許請求の範囲第(1)項、第(2)項または第
(3)項において、前記外部磁界の印加手段を、前記タ
ーゲットに設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4105785A JPS61202314A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4105785A JPS61202314A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61202314A true JPS61202314A (ja) | 1986-09-08 |
Family
ID=12597781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4105785A Pending JPS61202314A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61202314A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009502036A (ja) * | 2005-07-21 | 2009-01-22 | コミッサリア ア レネルジ アトミック | 磁性素子を有する無線周波数デバイス、および磁性素子の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS581821A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
JPS60160012A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Canon Inc | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1985
- 1985-03-04 JP JP4105785A patent/JPS61202314A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS581821A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
JPS60160012A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Canon Inc | 磁気ヘツドの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009502036A (ja) * | 2005-07-21 | 2009-01-22 | コミッサリア ア レネルジ アトミック | 磁性素子を有する無線周波数デバイス、および磁性素子の製造方法 |
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