JPH05290320A

JPH05290320A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH05290320A
Application number: JP36000892A
Authority: JP
Inventors: Junichi Honda; 順一本多; Yoshito Ikeda; 義人池田; Michi Itou; 美知伊藤; Yoko Kato; 洋子加藤; Miho Suzuki; 美保鈴木; Masatoshi Hayakawa; 正俊早川; Seiji Kumagai; 静似熊谷
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-02-14
Filing date: 1992-12-29
Publication date: 1993-11-05

Abstract

(57)【要約】【構成】一対のコア半体の互いの突き合わせ面に臨ん
で斜面を有する溝が設けられ、該斜面に形成された強磁
性金属薄膜の端面が互いに突き合わされて両者間に作動
磁気ギャップを形成する磁気ヘッドにおいて、コア半体
の材料である磁性基板に蒸着によって強磁性金属薄膜を
成膜する際、上記溝の斜面（強磁性金属薄膜形成面）の
法線方向に対する蒸着粒子の主たる飛来方向が１０°以
内となるようにしたものである。【効果】磁気特性に優れた磁気ヘッドとなる。また、
多数の磁性基板に対して同時に蒸着を行っても安定して
ほぼ同一の特性を有する磁気ヘッドを構成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド、特に対の
コア半体の互いの突き合わせ面に強磁性金属薄膜が形成
され、両コア半体の強磁性金属薄膜の端面間が突き合わ
されて両端面間に作動磁気ギャップが形成されてなる狭
トラック磁気ヘッドに係わる。

【０００２】

【従来の技術】本出願人は、先に特開昭６０−２２９２
１０号において、例えばメタルテープ等の高い保磁力を
有する磁気記録媒体に高密度記録再生するに適した磁気
ヘッドを提案した。

【０００３】この磁気ヘッドは、図１にその拡大斜視図
を示し、図２に更にその一部の拡大正面図を示すように
メタル・イン・ギャップ型の構成を採る。即ち、一対の
磁気コア半体１及び２を高透磁率の例えばＭｎ−Ｚｎ等
の強磁性酸化物により形成するとともに、これら磁気コ
ア半体１及び２の接合面を斜めに切り欠いた強磁性金属
薄膜形成面１ａ，２ａには、フロントギャップ形成面か
らバックギャップ形成面に至るまで連続して、ＦｅＡｌ
Ｓｉ系合金等の飽和磁束密度Ｂｓの高い強磁性金属薄膜
３が被着形成されている。

【０００４】そして、これら一対の磁気コア半体１，２
をＳｉＯ₂等のギャップ材を介して突き合わせ、上記強
磁性金属薄膜３の当接面がトラック幅Ｔｗの作動磁気ギ
ャップｇとなるように構成されている。また、上記磁気
コア半体１，２の突き合わせ面には、当該磁気ギャップ
ｇのデプスを規制するとともにコイル８を巻回させるた
めの巻線溝６，７が形成されている。

【０００５】ここで、上記各磁気コア半体１，２に被着
形成される強磁性金属薄膜３は、磁気テープ対接面から
見たときに、一直線状に連なっており、磁気コア半体
１，２の突き合わせ面である接合面、すなわち磁気ギャ
ップ形成面１０に対してθなる角度で傾斜している。

【０００６】なお、上記磁気コア半体１，２の接合面に
はトラック幅を規制するための第２の切溝１ｂ，２ｂを
設け、この溝１ｂ，２ｂに臨む強磁性酸化物とこれに対
向する強磁性金属薄膜３との距離を確保するとともに、
この溝の対称バランスによって加工時の強磁性酸化物に
対するストレスを小さなものとなし、磁気コア半体１，
２のマイクロクラックの発生を防止するようにしてもよ
い。

【０００７】また、上記磁気ギャップｇの形成面近傍、
すなわち磁気テープ対接面における磁気ギャップｇの両
側部には、トラック幅を規制し上記強磁性金属薄膜３の
摩耗を防止するための非磁性材４，５が溶融充填されて
いる。

【０００８】さらに、この種の狭トラック磁気ヘッドの
製造方法としては、例えば同様に本出願人の出願に係わ
る特開昭６１−１０５７１０号公報に開示されている方
法がある。

【０００９】この製造方法を図３〜図８を参照して説明
する。この場合、まず図３に示すようにＭｎ−Ｚｎフェ
ライトよりなる磁性基板２０を用意し、この磁性基板２
０の上面２０ａ、すなわち磁気コア半体突き合わせ時の
接合面に、回転砥石等により断面略Ｖ字状の第１の切溝
２１を全体に亘って複数平行に形成し、強磁性金属薄膜
形成面２１ａを形成する。なお、上記強磁性金属薄膜形
成面２１ａは、上記磁性基板２０の磁気ギャップ形成面
に対応する上面２０ａと所定の角度θで傾斜するように
斜面として形成され、その角度θは、ここではおよそ４
５°に設定されている。

【００１０】次に、図４に示すように、上記磁性基板２
０の全面に亘ってＦｅＡｌＳｉ系合金や非晶質合金等を
スパッタリング、イオンプレーティング、蒸着等の真空
薄膜形成技術を用いて被着し、強磁性金属薄膜２３を形
成する。

【００１１】そして、図５に示すように、金属薄膜２３
が被着形成された第１の切溝２１内に、非磁性材２４を
充填した後、上記磁性基板２０の上面２０ａを平面研磨
し、その上面２０ａ上の余分な金属薄膜２３を除去す
る。さらに、平滑度良く面出しを行い、上記磁性基板２
０の上面２０ａに上記強磁性金属薄膜形成面２１ａ上に
被着される強磁性金属薄膜２３の端面を露出させる。

【００１２】さらに、図６に示すように、上記強磁性金
属薄膜２３が被着形成された強磁性金属薄膜形成面２１
ａに隣接して、上記第１の切溝２１の一側縁２１ｂと若
干オーバーラップするように第１の切溝２１と平行に第
２の切溝２５を切削加工し、上記磁性基板２０の上面２
０ａに対して鏡面加工を施す。この結果、上記強磁性金
属薄膜２３のみにより磁気ギャップｇが構成されるよう
にトラック幅Ｔｗが規制される。

【００１３】上述のような工程により作成される一対の
磁性基板２０のうち一方もしくは両方に対して、図７に
示すように、上記第１の切溝２１及び第２の切溝２５と
直交する方向に溝加工を施し、複数の巻線溝２６、及び
接合の際ガラス棒を挿入するためのＨ溝２７を形成す
る。その後、上記磁性基板２０を切断することによって
コアブロック２９を切り出す。

【００１４】続いて、図８に示すように、一対のコアブ
ロック２９を対向させ、ギャップスペーサを介して、上
記強磁性金属薄膜２３同士が突き合わされるように接合
配置する。そして、これらコアブロック２９をガラスに
より融着すると同時に、上記第２の切溝２５内に上記非
磁性材２８を充填する。

【００１５】そして、磁気テープ摺接面を円筒研磨した
後、図８中Ａ−Ａ線及びＡ’−Ａ’線の位置でスライシ
ング加工し、複数個のヘッドチップを切り出して図１及
び図２に示すような磁気ヘッドを完成する。なお、この
とき接合したコアブロック２９に対するスライシングの
方向を突き合わせ面に対して傾斜させることにより、ア
ジマス記録用の磁気ヘッドを作成することができる。

【００１６】このように形成された磁気ヘッドは、その
強磁性金属薄膜３と強磁性酸化物との接合面即ち強磁性
金属薄膜形成面１ａ又は２ａ、更に、強磁性金属薄膜３
と非磁性材４又は５との接合面による疑似ギャップが作
動磁気ギャップｇのギャップ面と非平行に形成されるこ
とからアジマス損が大となり、この疑似ギャップによる
実質的影響を回避できるというものである。

【００１７】このようなメタル・イン・ギャップ型の磁
気ヘッドの図６で示した工程における強磁性金属薄膜２
３の形成は、物理的蒸着、通常は、マグネトロン型スパ
ッタリング装置によって行われ、例えば図９にその構成
を模式的に示すように、金属薄膜３のスパッタ源すなわ
ち蒸発源となる複数のターゲット３１を、所定の中心軸
０に垂直の平面内において中心軸０を中心とする所定の
一円周線ｂ上にその中心位置が存在するように所要の角
間隔を保持して配置し、これに対向して複数の被スパッ
タ体すなわち図３で説明した多数の磁性基板２０を上述
の中心軸０を中心として回転する支持台３２上に配置す
る。

【００１８】これら磁性基板２０の配置は、図１０に示
すように、支持台３２上に軸心０を中心とし、同心円的
に例えば３列に配置する。そして、この状態でターゲッ
ト３１に対するＡｒイオンの衝撃によって強磁性金属の
蒸着粒を発生させ、これによって回転支持台３２に配置
されたの磁性基板２０の主面２０ａに強磁性金属薄膜２
３を被着形成する。

【００１９】この場合図１７に１つのターゲット３１の
中心０₁及び前述の中心軸０を含む面内での図９中Ｃで
示す断面を示すように、ターゲット３１の配置面に対し
て平行な支持台３２に主面２０ａが平行をなすように磁
性基板２０が並置配置される。なお、上記磁性基板２０
は、支持台３２の半径方向に切溝２１の長手方向（図中
矢印ｅ）が一致する向きで置かれている。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
して得た磁気ヘッドは、その磁気ヘッドの性能にばらつ
きが多く、必ずしも十分な再生特性が得られなかった。

【００２１】そこで本発明は、かかる従来の実情を鑑み
て提案されたものであり、安定した性能を有する記録再
生特性に優れた磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものである。本発明は、一対
のコア半体の互いの突き合わせ面に臨んで斜面を有する
溝が設けられ、該斜面に形成された強磁性金属薄膜の端
面が互いに突き合わされて両者間に作動磁気ギャップを
形成する磁気ヘッドにおいて、上記強磁性金属薄膜は、
主たる蒸着粒子の飛来方向を上記斜面の法線に対する傾
斜角１０°以内として被着されたものであることを特徴
とするものである。

【００２３】従来の磁気ヘッドにおける特性のばらつ
き、更に十分な記録再生特性が得られないことについて
の研究考察を行った結果、図４において強磁性金属薄膜
２３を成膜する際、図１７のように、磁性基板２０は単
にターゲット面と平行に配置されるために強磁性金属薄
膜形成面２１ａに対して蒸着粒子が必ずしも垂直入射さ
れていないこと、上記強磁性金属薄膜形成面２１ａは支
持台３２の回転方向を向いているため支持台３２の回転
とともに蒸着粒子の入射方向が変わり、磁性基板２０の
配置位置によっても入射方向が変わること等が問題であ
ることを見い出し、これを改善するために本発明の磁気
ヘッドが提案された。

【００２４】即ち、本発明においては、図１１に強磁性
金属薄膜２３の蒸着態様を模式的に示すように、磁性基
板２０の強磁性金属薄膜形成面２１ａに対する矢印で示
す蒸着粒子の主たる飛来方向の角度βを８０°≦β≦１
００°とする。つまり、具体的には上記強磁性金属薄膜
形成面２１ａを物理的蒸着源、例えばスパッタのターゲ
ット３１の中心部０₁に向かって傾ける。

【００２５】

【作用】被スパッタ面に対する蒸着粒子の入射角と透磁
率の関係を図１２に示すように、強磁性金属薄膜形成面
２１ａの法線方向に対する入射角αが０°即ち法線方向
に近い方向から入射するときほど高い透磁率を示す。更
に機械的強度、被着強度に優れ、磁歪の低減化が図られ
ることにより、磁気ヘッドの記録再生特性の向上が図ら
れる。

【００２６】また、更に強磁性金属薄膜の透磁率は、こ
れに接触するフェライトコアのインダクタンス変化と相
関性があることから、このインダクタンス変化をもっ
て、スパッタによる強磁性金属薄膜の面内透磁率分布を
みると、図１３に示すように、図９で示したスパッタ装
置において、ターゲット３１の配置面に対して平行をな
す面と、ターゲット３１の中心に向けて傾けられた面と
では、それぞれ破線曲線及び実線曲線で示すように、異
なる分布を示す。図１３において横軸は、図９で示した
スパッタ装置において、その中心軸０を中心とする円の
半径方向を０°、接線方向を９０°とする各面内方向を
示すもので、ターゲット３１に向けて傾けられたことに
よってその透磁率が等方性に近づくことが分かる。

【００２７】このように、作動磁気ギャップｇの構成部
となる強磁性金属薄膜形成面２１ａに対する蒸着粒子の
主たる飛来方向が９０°に近い、即ち上記面２１ａの法
線方向に対する入射角が０°に近い強磁性金属薄膜２３
は、透磁率が等方性を示し、これによって安定して優れ
た記録、再生特性を示すものとなる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２９】先ず、本発明による磁気ヘッドの一構成例
を説明する。この磁気ヘッドは、図１にその拡大斜視図
を示し、図２に更にその一部の拡大正面図を示すよう
に、一対の磁気コア半体１及び２が強磁性金属薄膜３、
例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライトのような強磁性酸化物で
形成され、これら磁気コア半体１，２の接合面を斜めに
切り欠いた強磁性金属薄膜形成面１ａ，２ａには、フロ
ントギャップ形成面からバックギャップ形成面に至るま
で連続して、ＦｅＡｌＳｉ系合金等の飽和磁束密度Ｂｓ
の高い強磁性金属薄膜３が被着形成されている。

【００３０】そして、これら一対の磁気コア半体１，２
をＳｉＯ₂等のギャップ材を介して突き合わせ、上記強
磁性金属薄膜３の当接面がトラック幅Ｔｗの作動磁気ギ
ャップｇとなるように構成されている。また、上記磁気
コア半体１，２の突き合わせ面には、当該磁気ギャップ
ｇのデプスを規制するとともにコイル８を巻回させるた
めの巻線溝６，７が形成されている。

【００３１】ここで、上記各磁気コア半体１，２に被着
形成される強磁性金属薄膜３は、磁気テープ対接面から
見たときに、一直線状に連なっており、磁気コア半体
１，２の突き合わせ面である接合面、すなわち磁気ギャ
ップ形成面１０に対してθなる角度で傾斜している。

【００３２】なお、上記磁気コア半体１，２の接合面に
はトラック幅を規制するための第２の切溝１ｂ，２ｂを
設けられている。この切溝１ｂ，２ｂは、上記非磁性材
５と強磁性酸化物との界面の形状が屈曲する如く形成さ
れているが、たとえば磁気ヘッドを磁気テープ対接面か
ら見たときに上記界面の形状が略円弧状となるような曲
面をもって切削加工し、この切溝１ｂ，２ｂに臨む強磁
性酸化物とこれに対向する強磁性金属薄膜３との距離を
確保するとともに、この溝の対称バランスによって加工
時の強磁性酸化物に対するストレスを小さなものとな
し、磁気コア半体１，２のマイクロクラックの発生を防
止するようにしてもよい。

【００３３】そして、上記強磁性金属薄膜３が形成され
ている溝と上記切溝１ｂ，２ｂとにはそれぞれ非磁性材
４，５が充填されることにより、磁気ギャップｇの形成
面近傍、すなわち磁気テープ対接面における磁気ギャッ
プｇの両側部においてトラック溝を規制し上記強磁性金
属薄膜３の摩耗を防止している。

【００３４】一方、上記強磁性金属薄膜形成面１ａ，２
ａと磁気ギャップ形成面とがなす角θは、２０°〜８０
°の範囲内に設定することが好ましい。ここで２０°以
下の角度であると隣接トラックからのクロストークが大
きくなるため、２０°以上の角度を持たせることが望ま
しい。また、上記傾斜角度を９０°にした場合は、耐摩
耗性が劣ることから８０°程度以下とするのが良い。ま
た、傾斜角度を９０°にすると、磁気ギャップｇの近傍
部に形成される上述の強磁性金属薄膜３の膜厚をトラッ
ク幅Ｔｗに等しく形成する必要があり、真空薄膜形成技
術を用いて薄膜を形成するにあたって、多くの時間を要
してしまうことや、膜構造が不均一化してしまう点で好
ましくない。

【００３５】すなわち、上記磁気コア半体１，２に被着
形成される強磁性金属薄膜３の膜厚ｔは、ｔ＝Ｔｗ sinθ でよいことから、トラック幅Ｔｗに相当する膜厚を膜付
けする必要がなく、ヘッド作成に要する時間を短縮でき
る。

【００３６】さらに、上記磁気ヘッドの製造方法を図３
〜図８を参照して説明する。まず、磁性基板２０を用意
する。この磁性基板２０としては、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ
フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等の軟磁性酸化物が
適当であるが、結晶化ガラスや非磁性酸化物等の非磁性
基板も使用可能である。そして、このような材料によっ
て例えば長さ３０．０ｍｍ、幅３０．０ｍｍの基板を構
成する。

【００３７】そして、図３に示すように、上記磁性基板
２０の上面２０ａ、すなわち磁気コア半体突き合わせ時
の接合面に、回転砥石等により断面略Ｖ字状の第１の切
溝２１を全体に亘って複数平行に形成し、強磁性金属薄
膜形成面２１ａを形成する。なお、上記強磁性金属薄膜
形成面２１ａは、上記磁性基板２０の磁気ギャップ形成
面に対応する上面２０ａと所定の角度θで傾斜するよう
に斜面として形成され、その角度θは例えば４０°〜５
０°、深さ２００〜３００μｍ程度とした。

【００３８】次に、図４に示すように、上記磁性基板２
０の全面に亘って強磁性金属薄膜２３を被着形成する。
具体的には、高透磁率、高飽和磁束密度の金属、例えば
ＦｅＡｌＳｉ系合金、あるいはＦｅＧａＳｉＲｕ系合
金、軟磁性アモルファス、さらに窒化系もしくは炭化系
等の軟磁性材料による強磁性金属薄膜２３を物理的蒸着
法、例えば図９で示したマグネトロン型スパッタリング
法によって厚さ５〜４０μｍに形成する。

【００３９】なお、磁性基板２０に強磁性金属薄膜２３
を形成する前に、磁性基板２０と強磁性金属薄膜２３間
の化学反応の防止や付着力改善のためにＣｒ等を予め形
成しておくことも有効である。また、上記強磁性金属薄
膜２３の形成後、表面の酸化防止のためにＣｒやＳｉＯ
₂等を形成しても良い。

【００４０】そして、この場合の強磁性金属薄膜２３の
スパッタリング成膜は以下に示すようにして行った。先
ず、スパッタ装置に強磁性金属薄膜５の原材料となる上
述した各軟磁性合金によるターゲット３１を設置し、図
９，１０に示すように、磁性基板２０を中心軸０を中心
として回転する支持台３２の中心軸０に対して例えば３
列の配置を行う。そのとき、各磁性基板２０の強磁性金
属薄膜形成面２１ａがターゲット中心を向くようにし
た。

【００４１】そして、磁性基板２０が支持台３２の回転
によって各ターゲット３１の真上に到来するとき、つま
り、各ターゲット３１の中心０₁と支持台３２の回転中
心軸０とを結ぶ半径方向の直線上（以下このときの磁性
基板２０のターゲット３１に対する位置を磁性基板２０
の特定位置と称する）に到来した状態での断面（図９中
ｃで示す断面）を図１４に示すように、各磁性基板２０
をターゲット３１の中心に向かって傾ける。このように
して切溝２１の強磁性金属薄膜形成面２１ａに対して、
ターゲット３１から飛来する蒸着粒子の主たる飛来方向
βが９０°±１０°の範囲内となるようにする。

【００４２】上記の面２１ａへの蒸着粒子の飛来は、実
際上上述の磁性基板２０の特定位置での物理的蒸着が、
主として強磁性金属薄膜２３の生成に寄与することか
ら、ここにおける強磁性金属薄膜形成面２１ａに対する
蒸着粒子の主たる飛来方向即ちターゲット３１のエロー
ジョン領域の中心とのなす角度βが９０°±１０°の範
囲内にあるようにする。

【００４３】なお、生産効率を上げ１バッチ当たりの被
スパッタ基板２０の数を増やすために複数のターゲット
３１を同時にスパッタし、磁性基板２０は支持台３２に
より回転するような場合、回転方向に対する蒸着粒子の
被着方向の影響は回転により平均化される。よって、図
１４に示すように、或る支持台３２の回転中心軸０を含
む１断面に注目し、或るターゲット３１に対して磁性基
板２０が最近接となったときに、強磁性金属薄膜形成面
２１ａの法線方向に向かうように設置すればよいのであ
る。

【００４４】そして、以上のようにして強磁性金属薄膜
２３を成膜した後、図５に示すように、金属薄膜２３が
被着形成された第１の切溝２１内に、非磁性材２４を充
填した後、上記磁性基板２０の上面２０ａを平面研磨
し、その上面２０ａ上の余分な金属薄膜２３を除去す
る。さらに、平滑度良く面出しを行い、上記磁性基板２
０の上面２０ａに上記強磁性金属薄膜形成面２１ａ上に
被着される強磁性金属薄膜２３の端面を露出させる。

【００４５】さらに、図６に示すように、上記強磁性金
属薄膜２３が被着形成された強磁性金属薄膜形成面２１
ａに隣接して、上記第１の切溝２１の一側縁２１ｂと若
干オーバーラップするように第１の切溝２１と平行に第
２の切溝２５を切削加工し、上記磁性基板２０の上面２
０ａに対して鏡面加工を施す。この結果、上記強磁性金
属薄膜２３のみにより磁気ギャップｇが構成されるよう
にトラック幅Ｔｗが規制される。

【００４６】なお、この第２の切溝２５の溝形状として
は、単なるＶ字状であっても良いが、例えば断面多角形
状や半円形状とし、この切溝２５の内壁面を２段階或い
はそれ以上に屈曲した形状とすることにより、強磁性酸
化物と強磁性金属薄膜との距離をある程度確保すること
ができる。このような溝形状とすることにより、長波長
成分の信号を再生することによるクロストーク成分を低
減することができ、さらに、トラック幅規制溝部の端面
がそれぞれ磁気ギャップのアジマス角と異なる方向で傾
斜されるので、隣接トラックあるいは隣々接トラックか
らのクロストークが減少される。

【００４７】さらにまた、上記強磁性金属薄膜形成面２
１ａ上に強磁性金属薄膜２３を被着形成した後、トラッ
ク幅を規制するための第２の切溝２５を形成するという
工程となっているため、この第２の切溝２５の切削位置
を調節することによりトラック幅を精度良く規制するこ
とが可能となり、強磁性金属薄膜のみで構成された磁気
ギャップ部から最短距離を通って強磁性酸化物に磁束を
通す形状の磁気ヘッドを歩留り良く製造できるととも
に、出力も大きくなり、生産性や信頼性、製造コストの
点で有利である。

【００４８】上述のような工程により作成される一対の
磁性基板２０のうち一方もしくは両方に対して、図７に
示すように、上記第１の切溝２１及び第２の切溝２５と
直交する方向に溝加工を施し、複数の巻線溝２６、及び
接合の際にガラス棒を挿入するためのＨ溝２７を形成す
る。そして、上記磁性基板２０を切断することによって
コアブロック２９を切り出す。

【００４９】続いて、図８に示すように、一対のコアブ
ロック２９を対向させ、ギャップスペーサを介して、上
記強磁性金属薄膜２３同士が突き合わされるように接合
配置する。そして、これらコアブロック２９をガラスに
より融着すると同時に、上記第２の切溝２５内に上記非
磁性材２８を充填する。

【００５０】なお、上記ギャップスペーサとしては、Ｓ
ｉＯ₂，ＺｒＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｃｒ等が使用される。
また、この製造工程において、上記第２の切溝２５への
非磁性材２８の充填は、コアブロック２９同士の融着と
同時でなく、例えば図６の工程で予め第２の切溝２５内
に非磁性材２８を充填し、図８に示す工程ではガラス融
着のみとしてもよい。

【００５１】そして、磁気テープ摺接面を円筒研磨した
後、図８中Ａ−Ａ線及びＡ’−Ａ’線の位置でスライシ
ング加工し、複数個のヘッドチップを切り出して図１及
び図２に示すような磁気ヘッドを完成する。なお、この
とき接合したコアブロック２９に対するスライシングの
方向を突き合わせ面に対して傾斜させることにより、ア
ジマス記録用の磁気ヘッドを作成することができる。

【００５２】このように形成された磁気ヘッドは、その
強磁性金属薄膜３と強磁性酸化物との接合面即ち強磁性
金属薄膜形成面１ａ又は２ａ、更に、強磁性金属薄膜３
と非磁性材４又は５との接合面による疑似ギャップが作
動磁気ギャップｇのギャップ面と非平行に形成されるこ
とからアジマス損が大となり、この疑似ギャップによる
実質的影響を回避できるというものである。

【００５３】尚、上述の実施例においては、コア半体
１，２を磁性体によって構成した場合であるが、結晶化
ガラス、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム等の非磁
性体によって構成するときは、図１においてギャップデ
プス規制する巻線溝６，７が強磁性金属薄膜３を横切る
ことのない深さに選定し、強磁性金属薄膜３がバックギ
ャップにまで延在して作動磁気ギャップｇを含む閉磁路
とすることが必須となる。

【００５４】また、図１に示した例では、両コア半体
１，２の互いの対向方向にそれぞれ巻線溝６，７を形成
するようにした場合であるが、一方にのみこの溝６，７
の形成を行うようにした構成をとる磁気ヘッド等、上述
した例に限らず種々の変形変更がなされた磁気ヘッドに
本発明を適用することができる。

【００５５】ここで、上述のような本発明の磁気ヘッド
を従来の磁気ヘッドと比較するために次のような実験を
行った。スパッタ装置としては、図９において、ターゲ
ット３１と支持台３２との距離が１５０ｍｍ、ターゲッ
ト３１の数３個、各ターゲット３１の中心０₁間を結ぶ
円の半径が１７５ｍｍのものを使用し、磁性基板２０を
支持台３２の回転中心軸０から１００ｍｍの位置に配置
してスパッタを行った。

【００５６】先ず、従来行われてきたように、磁性基板
２０に設けられた切溝２１の長手方向が支持台３２の半
径方向と平行となるように磁性基板２０を支持台３２に
水平に設置してスパッタを行った。このとき、強磁性金
属薄膜形成面２１ａの法線方向に対する蒸着粒子の入射
方向αは３０°の角度であった。このようにして強磁性
金属薄膜２３を形成したものを比較例１とする。

【００５７】次に、磁性基板２０に設けられた切溝２１
の長手方向が支持台３２の半径方向と直交するように磁
性基板２０を支持台３２に水平に設置してスパッタを行
った。このとき、強磁性金属薄膜形成面２１ａの法線方
向に対する蒸着粒子の入射方向αは２０°の角度を持
つ。このようにして強磁性金属薄膜２３が形成されたも
のを比較例２とする。

【００５８】そして、図１４のように本発明を適用して
強磁性金属薄膜形成面２１ａの法線方向が蒸着粒子の入
射方向に一致させるため、磁性基板２０を支持台３２の
面から２０°傾けて設置し、強磁性金属薄膜２３を形成
したものを実施例１とする。

【００５９】上述のようにして形成した強磁性金属薄膜
は、比較例１においては強磁性薄膜形成面の法線方向か
ら３０°傾いた柱状晶となり、比較例２においては同じ
く法線方向から２０°傾いた柱状晶となり、実施例１に
おいては上記法線方向に一致した柱状晶となった。これ
ら強磁性金属薄膜を走査電子顕微鏡によって観察し、結
晶構造の写真を撮った。実施例１の金属薄膜を図１８に
示し、比較例１の金属薄膜を図１９（ｂ）、比較例２の
金属薄膜を同じく図１９（ａ）に示すように、実施例１
の膜表面が最も均一であることがわかる。

【００６０】また、膜厚３０μｍに形成された強磁性金
属薄膜について５ＭＨｚで透磁率を測定したところ、強
磁性金属薄膜の柱状晶の傾きと透磁率との関係は図１５
のようになった。図１５より、上記柱状晶の傾きが１０
°を越えると急激に透磁率が低下することがわかる。

【００６１】さらに、５ＭＨｚにおける再生出力を測定
したところ、強磁性金属薄膜の柱状晶の傾きと再生出力
との関係は図１６のようになった。図１６より、比較例
１のようにして成膜した従来の磁気ヘッドの再生出力を
０とすると、実施例１の磁気ヘッドは１〜１．５ｄＢ向
上していることがわかる。

【００６２】また、記録出力についても測定を行ったと
ころ、本発明の磁気ヘッドは、磁気特性が向上する結果
を反映して従来の磁気ヘッドより０．５ｄＢ程度向上す
ることがわかった。

【００６３】

【発明の効果】上述したように本発明においては、強磁
性金属薄膜形成面１ａ，２ａにおける強磁性金属薄膜３
が、蒸着粒子の飛来方向を選定したものとすることによ
って、その再生出力等の磁気特性の向上と安定化を図る
ことができ、また多数の磁性基板に対して同時にスパッ
タ等の物理的蒸着を行う場合においても安定してほぼ同
一の特性を有する磁気ヘッドを構成できる等、量産化に
おいて実用上の大きな利益をもたらすものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの一例の斜視図である。

【図２】本発明の磁気ヘッドの一例の正面図である。

【図３】本発明の磁気ヘッドの製造工程を順に示すもの
であって、磁性基板に切り溝を設ける工程を示す斜視図
である。

【図４】強磁性金属薄膜を成膜する工程を示す斜視図で
ある。

【図５】非磁性材を充填する工程を示す斜視図である。

【図６】第２の切溝を設ける工程を示す斜視図である。

【図７】巻線溝とＨ溝を設ける工程を示す斜視図であ
る。

【図８】コアブロックを突き合わせて接合する工程を示
す斜視図である。

【図９】スパッタ装置の構成例を示す模式図である。

【図１０】磁性基板の配置一例を示す模式図である。

【図１１】蒸着粒子の入射を説明するための磁性基板の
拡大断面図である。

【図１２】透磁率の入射角依存性を示す特性図である。

【図１３】強磁性金属薄膜の面内の各方向におけるイン
ダクタンスを示す特性図である。

【図１４】磁性基板に対する強磁性金属薄膜の物理的蒸
着態様の説明図である。

【図１５】強磁性金属薄膜形成面の法線方向に対する入
射角と透磁率との関係を示す特性図である。

【図１６】強磁性金属薄膜形成面の法線方向に対する入
射角と再生特性との関係を示す特性図である。

【図１７】従来の磁気ヘッドの磁性基板に対する強磁性
金属薄膜の物理的蒸着態様の説明図である。

【図１８】金属磁性薄膜の結晶構造を示す写真である。

【図１９】金属磁性薄膜の結晶構造を示す写真である。

【符号の説明】

１，２・・・磁気コア半体１ａ，２ａ・・・強磁性金属薄膜形成面１ｂ，２ｂ・・・切溝３・・・強磁性金属薄膜４，５・・・非磁性材６，７・・・巻線溝８・・・コイル１０・・・作動磁気ギャップ形成面２０・・・磁性基板２１・・・切溝２１ａ・・・強磁性金属薄膜形成面２３・・・強磁性金属薄膜２４，２８・・・非磁性材２５・・・第２の切溝２９・・・コアブロック３１・・・ターゲット３２・・・支持台

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者加藤洋子東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者鈴木美保東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者早川正俊東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者熊谷静似東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対のコア半体の互いの突き合わせ面に
臨んで斜面を有する溝が設けられ、該斜面に形成された
強磁性金属薄膜の端面が互いに突き合わされて両者間に
作動磁気ギャップを形成する磁気ヘッドにおいて、上記強磁性金属薄膜は、主たる蒸着粒子の飛来方向を上
記斜面の法線に対する傾斜角１０°以内として被着され
たものであることを特徴とする磁気ヘッド。