JP2575097B2 - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JP2575097B2 JP2575097B2 JP59016369A JP1636984A JP2575097B2 JP 2575097 B2 JP2575097 B2 JP 2575097B2 JP 59016369 A JP59016369 A JP 59016369A JP 1636984 A JP1636984 A JP 1636984A JP 2575097 B2 JP2575097 B2 JP 2575097B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic core
- core structure
- head
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は磁気ヘツドの製造方法に関し、特に少なくと
も１つの磁気コア構成体の形成に磁性体膜の被着技術を
用いる磁気ヘツドの製造方法に関するものである。
も１つの磁気コア構成体の形成に磁性体膜の被着技術を
用いる磁気ヘツドの製造方法に関するものである。
＜従来技術の説明＞ 近年、高密度磁気記録に対応して磁気ヘツドのヘツド
幅の狭小化が進められている。ところが、従来のヘツド
コア半体の突合せによる製造方法によれば、機械加工に
よる磁性材の欠け、加工歪みによる磁気ギヤツプのうね
り、突合せ用接着材の磁性材への拡散等による磁気ヘツ
ドギヤツプの不安定が生じてしまう。そのためヘツド幅
30μｍ以下の磁気ヘツドの量産はこの方法では困難であ
つた。そこで近年、磁性薄膜の被着技術を用いて少なく
とも１つの磁気コア構成体を形成する様にした製造方法
がクローズアツプされてきた。
幅の狭小化が進められている。ところが、従来のヘツド
コア半体の突合せによる製造方法によれば、機械加工に
よる磁性材の欠け、加工歪みによる磁気ギヤツプのうね
り、突合せ用接着材の磁性材への拡散等による磁気ヘツ
ドギヤツプの不安定が生じてしまう。そのためヘツド幅
30μｍ以下の磁気ヘツドの量産はこの方法では困難であ
つた。そこで近年、磁性薄膜の被着技術を用いて少なく
とも１つの磁気コア構成体を形成する様にした製造方法
がクローズアツプされてきた。
第１図（Ａ）〜（Ｇ）は磁性薄膜の被着技術を用いた
一般的な磁気ヘツドの製造方法を示す図である。以下順
を追つて説明する。第１図（Ａ）に於いて20は結晶化ガ
ラス等の非磁性基板である。まずこの基板20に対し第１
図（Ｂ）に示す如く磁気ヘツドコア半体21を装置する。
21aはヘツドギヤツプ形成面である。このコア半体の装
置方法としては、センダスト等の軟磁性材薄膜をスパツ
ター等でヘツドの幅と同じ程度の厚み付着させた後イオ
ンミーリング等のエツチング技術でヘツドギヤツプ形成
面21aを形成する方法、センダスト等のインゴツドより
切削、研摩して接着する方法、またスパツター等で他の
基板に付着させたセンダスト等の軟磁性材薄膜被着部を
剥がした後接着する方法等があるが、いずれの方法でも
よい。
一般的な磁気ヘツドの製造方法を示す図である。以下順
を追つて説明する。第１図（Ａ）に於いて20は結晶化ガ
ラス等の非磁性基板である。まずこの基板20に対し第１
図（Ｂ）に示す如く磁気ヘツドコア半体21を装置する。
21aはヘツドギヤツプ形成面である。このコア半体の装
置方法としては、センダスト等の軟磁性材薄膜をスパツ
ター等でヘツドの幅と同じ程度の厚み付着させた後イオ
ンミーリング等のエツチング技術でヘツドギヤツプ形成
面21aを形成する方法、センダスト等のインゴツドより
切削、研摩して接着する方法、またスパツター等で他の
基板に付着させたセンダスト等の軟磁性材薄膜被着部を
剥がした後接着する方法等があるが、いずれの方法でも
よい。
そして第１図（Ｃ）に示す様に、このコア半体21の装
置された基板にギヤツプ材22としてSiO2等の非磁性材22
をC,V,D（ケミカル＝ベイパーデイポジツト）等で0.2μ
ｍ〜0.5μｍ程度の厚みで付着させる。この時ギヤツプ
材22はギヤツプ形成面21aのヘツドギヤツプとなる部分
を含む少なくとも一部に付着されねばならない。
置された基板にギヤツプ材22としてSiO2等の非磁性材22
をC,V,D（ケミカル＝ベイパーデイポジツト）等で0.2μ
ｍ〜0.5μｍ程度の厚みで付着させる。この時ギヤツプ
材22はギヤツプ形成面21aのヘツドギヤツプとなる部分
を含む少なくとも一部に付着されねばならない。
次に他方のコア半体を形成するのであるが、まず第１
図（Ｄ）に示す如くセンダスト等の軟質磁性材23を前述
のギヤツプ材22の上からスパツター等によつて磁気ヘツ
ド幅（トラツク幅）より数μ〜10μｍ程度厚めに被着さ
せる。そしてこの軟磁性材23及び不要なギヤツプ材22を
ヘツド幅になるまで除去してやり、第１図（Ｅ）に示す
如く他方のコア半体24を得る。
図（Ｄ）に示す如くセンダスト等の軟質磁性材23を前述
のギヤツプ材22の上からスパツター等によつて磁気ヘツ
ド幅（トラツク幅）より数μ〜10μｍ程度厚めに被着さ
せる。そしてこの軟磁性材23及び不要なギヤツプ材22を
ヘツド幅になるまで除去してやり、第１図（Ｅ）に示す
如く他方のコア半体24を得る。
次に第１図（Ｆ）に示す如くこのコア半体24の一部を
巻線用窓25としてエツチング等により除去し、更に第１
図（Ｇ）に示す如く補強部材としての非磁性材26を配
し、この非磁性材26及び前述の非磁性基板20にレーザー
等にて巻線窓用の孔27を設ける。そして前出の窓25、孔
27を介して巻線を施してやることによつて磁気ヘツドが
得られることになる。
巻線用窓25としてエツチング等により除去し、更に第１
図（Ｇ）に示す如く補強部材としての非磁性材26を配
し、この非磁性材26及び前述の非磁性基板20にレーザー
等にて巻線窓用の孔27を設ける。そして前出の窓25、孔
27を介して巻線を施してやることによつて磁気ヘツドが
得られることになる。
上述の如き磁気ヘツドの製造方法によればヘツド幅の
狭い磁気ヘツドにおいてもヘツドギヤツプ長を正確に決
定でき、ギヤツプ幅も安定する。しかしながら実際に磁
性体膜を被着する場合、被着面に対するスパツタ方向に
より、ステツプカバレージや磁気特性の劣化等の問題を
生じる。以下、この問題について簡単に説明する。
狭い磁気ヘツドにおいてもヘツドギヤツプ長を正確に決
定でき、ギヤツプ幅も安定する。しかしながら実際に磁
性体膜を被着する場合、被着面に対するスパツタ方向に
より、ステツプカバレージや磁気特性の劣化等の問題を
生じる。以下、この問題について簡単に説明する。
第２図に示す如く第１図（Ｃ）に示す如く中間形成分
に対して基板20に垂直な方向矢印28に示すからスパツト
を行うと、ステツプカバレージを生じてしまう。またギ
ヤツプ形成面21aに対して軟質磁性材の結晶成長方向が
大きく傾いてしまうので磁気特性が劣化してしまう。更
には磁性体膜に割れを生じることもあつた。
に対して基板20に垂直な方向矢印28に示すからスパツト
を行うと、ステツプカバレージを生じてしまう。またギ
ヤツプ形成面21aに対して軟質磁性材の結晶成長方向が
大きく傾いてしまうので磁気特性が劣化してしまう。更
には磁性体膜に割れを生じることもあつた。
＜発明の目的＞ 本発明は上述の如き欠点に鑑みなされたものであつ
て、磁性体膜による磁気コア構成体の形成時に於いて磁
気特性の劣化、磁性体膜の割れ等の諸問題を解決して、
良好な狭少ギヤツプ幅の磁気ヘツドを得ることのできる
磁気ヘツドの製造方法を提供することを目的とする。
て、磁性体膜による磁気コア構成体の形成時に於いて磁
気特性の劣化、磁性体膜の割れ等の諸問題を解決して、
良好な狭少ギヤツプ幅の磁気ヘツドを得ることのできる
磁気ヘツドの製造方法を提供することを目的とする。
＜実施例による説明＞ 以下、本発明の製造方法を適用した実施例の説明を行
う。
う。
第３図（Ａ），（Ｂ）は被スパツタ面に対する磁性体
膜としてのセンダスト薄膜の被着方向と磁気特性の関係
を示す図である。第３図（Ａ）に示す如く磁性体板１に
対して矢印２の方向からセンダスト膜をスパツタにより
被着した場合、磁性体板面とスパツタ方向とのなす角が
゜である時の磁気特性を第３図（Ｂ）に示す。即ち第
３図（Ｂ）に於ける横軸は（゜）であり、縦軸は両磁
性体の単位磁極間に1dynの力を働かせる時の磁場の強さ
（単位ｅ）である。
膜としてのセンダスト薄膜の被着方向と磁気特性の関係
を示す図である。第３図（Ａ）に示す如く磁性体板１に
対して矢印２の方向からセンダスト膜をスパツタにより
被着した場合、磁性体板面とスパツタ方向とのなす角が
゜である時の磁気特性を第３図（Ｂ）に示す。即ち第
３図（Ｂ）に於ける横軸は（゜）であり、縦軸は両磁
性体の単位磁極間に1dynの力を働かせる時の磁場の強さ
（単位ｅ）である。
第３図に示す如くを90゜とするのが磁気特性上は最
も望ましい。しかしながら、第１図に示した磁性材21の
ギヤツプ形成面21aに対して90゜の方向からスパツタを
行うと、非磁性体基板20の被スパツタ面に対する角度が
小さすぎ、センダスト薄膜に割れ等が生じてしまい、結
果的にヘツドの磁気特性は良くならない。
も望ましい。しかしながら、第１図に示した磁性材21の
ギヤツプ形成面21aに対して90゜の方向からスパツタを
行うと、非磁性体基板20の被スパツタ面に対する角度が
小さすぎ、センダスト薄膜に割れ等が生じてしまい、結
果的にヘツドの磁気特性は良くならない。
第４図、第５図、第６図及び第７図は夫々本発明の一
実施例の製造方法を説明するための図である。第４図〜
第７図は第１図（Ｃ）から第１図（Ｄ）へ至る工程を示
すものであつて、第１図と同様の構成要素にていては同
一番号を付してある。第４図〜第７図に於いて3a〜3dは
磁性体膜のスパツタ方向を示す矢印、５はコア半体21の
ギヤツプ形成面、６は非磁性基板20のうち磁性体薄膜が
被着される被着面、７は非磁性基板20が装置に取付けら
れる取付面である。尚、以下回転ヘツド型磁気記録再生
装置では一般的に取付面７がヘツドと媒体との相対移動
方向と平行であるので、これを前提とする。８はコア半
体21の装置される装置面である。
実施例の製造方法を説明するための図である。第４図〜
第７図は第１図（Ｃ）から第１図（Ｄ）へ至る工程を示
すものであつて、第１図と同様の構成要素にていては同
一番号を付してある。第４図〜第７図に於いて3a〜3dは
磁性体膜のスパツタ方向を示す矢印、５はコア半体21の
ギヤツプ形成面、６は非磁性基板20のうち磁性体薄膜が
被着される被着面、７は非磁性基板20が装置に取付けら
れる取付面である。尚、以下回転ヘツド型磁気記録再生
装置では一般的に取付面７がヘツドと媒体との相対移動
方向と平行であるので、これを前提とする。８はコア半
体21の装置される装置面である。
第４図は被着面６と装置面８とが同一平面でこれらが
取付面７と平行であり、かつギヤツプ形成面５が取付面
７と垂直（アジマス角が０）である場合の例である。こ
の時ギヤツプ形成面５と被着面６との開角（図中1a＋
2a）は90゜である。ここで矢印3aで示すスパツタ方向
は、ヘツドの磁性特性が劣化せずかつセンダスト薄膜に
割れが生じない様に、開角の中間方向付近とする。即ち
ヘツドの磁気特性を２ｅ以下にするには1a＞40゜に
する必要があり、また割れを生じないためには2aもで
きるだけ大きくする必要がある（例えば最低35゜以
上）。即ち1a＝2a＝45゜程度にするのが好ましいと
云える。
取付面７と平行であり、かつギヤツプ形成面５が取付面
７と垂直（アジマス角が０）である場合の例である。こ
の時ギヤツプ形成面５と被着面６との開角（図中1a＋
2a）は90゜である。ここで矢印3aで示すスパツタ方向
は、ヘツドの磁性特性が劣化せずかつセンダスト薄膜に
割れが生じない様に、開角の中間方向付近とする。即ち
ヘツドの磁気特性を２ｅ以下にするには1a＞40゜に
する必要があり、また割れを生じないためには2aもで
きるだけ大きくする必要がある（例えば最低35゜以
上）。即ち1a＝2a＝45゜程度にするのが好ましいと
云える。
第５図は被着面６と装置面８とが同一平面でこれらが
取付面７と平行であり、かつアジマス角がθ０であると
する。今θ０＝10゜とすれば開角（1b＋2b）は100
゜でありスパツタ方向3bは1b＝2b＝50゜程度にする
のが望ましく、アジマス角０の場合より磁気特性を向上
させることができると云える。
取付面７と平行であり、かつアジマス角がθ０であると
する。今θ０＝10゜とすれば開角（1b＋2b）は100
゜でありスパツタ方向3bは1b＝2b＝50゜程度にする
のが望ましく、アジマス角０の場合より磁気特性を向上
させることができると云える。
第６図は更に磁気特性を向上させることのできる例で
基板20の一部を斜めに切削加工して被着面６を形成した
ものである。これによつて被着面６はヘツドと媒体との
相対移動方向に対し交差する。またギヤツプ形成面５と
被着面６との開角は切削した角度だけ広がる。今アジマ
ス角を10゜、切削角を20゜とすれば開角（1c＋2c）
は120゜となり、スパツタをその中間方向から行えば
1c＝2c＝60゜となる。従つて磁気特性も良好で、セン
ダスト膜の結晶の成長方向も近くなるので割れやステツ
プカバレージ等が生じることはない。
基板20の一部を斜めに切削加工して被着面６を形成した
ものである。これによつて被着面６はヘツドと媒体との
相対移動方向に対し交差する。またギヤツプ形成面５と
被着面６との開角は切削した角度だけ広がる。今アジマ
ス角を10゜、切削角を20゜とすれば開角（1c＋2c）
は120゜となり、スパツタをその中間方向から行えば
1c＝2c＝60゜となる。従つて磁気特性も良好で、セン
ダスト膜の結晶の成長方向も近くなるので割れやステツ
プカバレージ等が生じることはない。
第７図も同様に被着面６をヘツドと媒体の相対移動方
向に対して交差させて開角（1d＋2d）を広げたもの
である。また被着面６と装置面８とを同一平面としてい
る。第７図に示す如き薄膜被着によれば第６図と同様、
磁気特性に優れ、結晶が安定することは云うまでもな
い。
向に対して交差させて開角（1d＋2d）を広げたもの
である。また被着面６と装置面８とを同一平面としてい
る。第７図に示す如き薄膜被着によれば第６図と同様、
磁気特性に優れ、結晶が安定することは云うまでもな
い。
次に上述の如き方向からのセンダスト間の被着を行う
ための装置について簡単に説明する。第８図（Ａ），
（Ｂ）は夫々本発明に係るスパツタ装置の構造を示す図
である。第８図（Ａ）は周知のイオンビーム法によるス
パツタ装置であり、31,32,33,34は夫々コイル、35は真
空槽、36はヒータ、37はアノード、38はイオンビーム、
39はターゲツト、40は製造工程中のヘツド、41は基板、
42は排気口である。２はスパツタ方向に対する基板41
の傾きを示し、この角度２が被着面とスパツタ方向の
なす角となる。今被着面とスパツタ形成面との開角を
とするとスパツタ形成面とスパツタ方向のなす角は−
２と決定される。
ための装置について簡単に説明する。第８図（Ａ），
（Ｂ）は夫々本発明に係るスパツタ装置の構造を示す図
である。第８図（Ａ）は周知のイオンビーム法によるス
パツタ装置であり、31,32,33,34は夫々コイル、35は真
空槽、36はヒータ、37はアノード、38はイオンビーム、
39はターゲツト、40は製造工程中のヘツド、41は基板、
42は排気口である。２はスパツタ方向に対する基板41
の傾きを示し、この角度２が被着面とスパツタ方向の
なす角となる。今被着面とスパツタ形成面との開角を
とするとスパツタ形成面とスパツタ方向のなす角は−
２と決定される。
第８図（Ｂ）は２極RFグロー放電を用いたスパツタ装
置を示しており、51は真空槽、52はRF−電源、53はター
ゲツト、54はプラズマ、55は製造工程中のヘツド、56は
基板、57はアノード、58はスパツタガス注入口、59は排
気口である。第８図（Ｂ）に於いても２は被着面とス
パツタ方向のなす角となり、ギヤツプ形成面とスパツタ
方向のなす角１は開角（）−２で与えられる。
置を示しており、51は真空槽、52はRF−電源、53はター
ゲツト、54はプラズマ、55は製造工程中のヘツド、56は
基板、57はアノード、58はスパツタガス注入口、59は排
気口である。第８図（Ｂ）に於いても２は被着面とス
パツタ方向のなす角となり、ギヤツプ形成面とスパツタ
方向のなす角１は開角（）−２で与えられる。
次に本発明の他の実施例として大量生産に適した磁気
ヘツドの製造方法について説明する。第９図（Ａ）〜
（Ｌ）は本発明の他の実施例としての磁気ヘツドの製造
方法を示す図であり、以下順を追つて説明する。第９図
（Ａ）に於いて60は、センダスト合金やアモルフアス材
等の飽和磁束密度が高くかつ低保磁力の軟磁性材から断
面が略正方形の角柱状に形成された磁性体である。この
磁性体60の一方の側面に切削、エツチング、研磨等の加
工を施こして、第９図（Ｂ）にθ２で示すアジマス角の
傾斜を形成する。
ヘツドの製造方法について説明する。第９図（Ａ）〜
（Ｌ）は本発明の他の実施例としての磁気ヘツドの製造
方法を示す図であり、以下順を追つて説明する。第９図
（Ａ）に於いて60は、センダスト合金やアモルフアス材
等の飽和磁束密度が高くかつ低保磁力の軟磁性材から断
面が略正方形の角柱状に形成された磁性体である。この
磁性体60の一方の側面に切削、エツチング、研磨等の加
工を施こして、第９図（Ｂ）にθ２で示すアジマス角の
傾斜を形成する。
次に磁性体60のアジマス角θ２をつけた一側面（ギヤ
ツプ形成面）上に、第９図（Ｃ）に示すようにスパツタ
リング等の方法で例えばシリカSiO2等のギヤツプ材を被
着させ、0.1〜0.5μｍ程度の非磁性材層61を形成する。
ツプ形成面）上に、第９図（Ｃ）に示すようにスパツタ
リング等の方法で例えばシリカSiO2等のギヤツプ材を被
着させ、0.1〜0.5μｍ程度の非磁性材層61を形成する。
次に以上の様に加工した磁性体ブロックを第９図
（Ｄ）に示すように結晶化ガラス等よりなる非磁性基板
62上に所定間隔で同方向に揃えて装置し、低融点ガラス
等の接着剤で接着する。この場合低融点ガラスは融点が
比較的高いものが好ましい。
（Ｄ）に示すように結晶化ガラス等よりなる非磁性基板
62上に所定間隔で同方向に揃えて装置し、低融点ガラス
等の接着剤で接着する。この場合低融点ガラスは融点が
比較的高いものが好ましい。
次に第９図（Ｅ）に示すように磁性体60を所定の厚み
ｔ＋△ｔの部材60aになるまでその上面を研磨する。こ
こでｔはヘツドのトラツク幅で、５〜60μｍ程度であ
り、△ｔは後のトラツク幅を形成する工程での研磨代で
ある。
ｔ＋△ｔの部材60aになるまでその上面を研磨する。こ
こでｔはヘツドのトラツク幅で、５〜60μｍ程度であ
り、△ｔは後のトラツク幅を形成する工程での研磨代で
ある。
ここでスパツタリング等により磁性体薄膜を被着する
のであるが、第８図に示した様な方法により、そのスパ
ツタを第９図（Ｅ）の矢印Ｓ方向から行う。この時ギヤ
ツプ形成面とスパツタ方向のなす角を１、被着面とス
パツタ方向のなす角を２とする。アジマス角θ２のと
き１＋２＝（90＋θ２）゜となるので、 程度に設定してやる。こうして磁性体膜63が形成され
る。
のであるが、第８図に示した様な方法により、そのスパ
ツタを第９図（Ｅ）の矢印Ｓ方向から行う。この時ギヤ
ツプ形成面とスパツタ方向のなす角を１、被着面とス
パツタ方向のなす角を２とする。アジマス角θ２のと
き１＋２＝（90＋θ２）゜となるので、 程度に設定してやる。こうして磁性体膜63が形成され
る。
この場合の磁性体膜63の厚みは少なくとも上述の部材
60aの厚みｔ＋△ｔより大きくする。すなわち部材60aの
上面全体が完全に被覆されるように形成する。
60aの厚みｔ＋△ｔより大きくする。すなわち部材60aの
上面全体が完全に被覆されるように形成する。
次に第９図（Ｇ）に示すように、基板62上の磁性体膜
63をトラツク幅ｔの厚みになるまで研磨等によつて除去
する。この場合研磨に従つて、部材60aの上面が露出す
るが、ともにトラツク幅ｔの厚みまで研磨する。
63をトラツク幅ｔの厚みになるまで研磨等によつて除去
する。この場合研磨に従つて、部材60aの上面が露出す
るが、ともにトラツク幅ｔの厚みまで研磨する。
以上の研磨の後、夫々が非磁性材層61の線に対し所定
間隔で互いに平行な線に沿つて切断し、第９図（Ｈ）に
64で示すブロツクを得る。しかる後ブロツク64をその軸
方向に直交する方向で、すなわち同図において示す点線
に沿つて切断する。この切断は所定の間隔△ｇ＋ｇで行
なう。この場合、△ｇは磁気ギヤツプデプス長で30〜40
/ｍ程度であり、ｇは巻線窓のワク分として数mmであ
る。
間隔で互いに平行な線に沿つて切断し、第９図（Ｈ）に
64で示すブロツクを得る。しかる後ブロツク64をその軸
方向に直交する方向で、すなわち同図において示す点線
に沿つて切断する。この切断は所定の間隔△ｇ＋ｇで行
なう。この場合、△ｇは磁気ギヤツプデプス長で30〜40
/ｍ程度であり、ｇは巻線窓のワク分として数mmであ
る。
この切断により形成されたそれぞれの断片を、第９図
（Ｉ）に示すように基板62の断片である基板部分62′と
それぞれが磁性体60a,63の断片である磁気コア構成対60
a′,63′とが交互になるように一列に配置した後、互い
に接着し、ブロック64′を形成する。この接着には、第
９図（Ｄ）の工程において磁性体60と基板62との接着に
用いた低融点ガラスよりも融点が100℃以上低い低融点
ガラスを用いる。
（Ｉ）に示すように基板62の断片である基板部分62′と
それぞれが磁性体60a,63の断片である磁気コア構成対60
a′,63′とが交互になるように一列に配置した後、互い
に接着し、ブロック64′を形成する。この接着には、第
９図（Ｄ）の工程において磁性体60と基板62との接着に
用いた低融点ガラスよりも融点が100℃以上低い低融点
ガラスを用いる。
この接着の後、ブロツク64′の下面の略中央に断面が
三角形状で軸線方向に平行な長溝65を切削等で形成す
る。
三角形状で軸線方向に平行な長溝65を切削等で形成す
る。
一方第９図（Ｊ）に符号66で示すものは軟磁性材から
なる直方体形状のブロツクであり、Mn−Znフエライト等
の透磁率が高くまた電気低抗の高い特性を有する軟磁性
材から形成されている。このブロツク66の上面の幅寸法
は第９図（Ｉ）に示すブロツク64′の幅寸法に略等し
い。このブロツク66の上面の略中央に断面がコの字状で
軸線方向に平行な長溝67を切削等で形成する。
なる直方体形状のブロツクであり、Mn−Znフエライト等
の透磁率が高くまた電気低抗の高い特性を有する軟磁性
材から形成されている。このブロツク66の上面の幅寸法
は第９図（Ｉ）に示すブロツク64′の幅寸法に略等し
い。このブロツク66の上面の略中央に断面がコの字状で
軸線方向に平行な長溝67を切削等で形成する。
以上の加工を施したブロツク66の上面に第９図（Ｉ）
に示すブロツク64′の下面を重ね、第９図（Ｋ）に示す
ように両者を低融点ガラスあるいは有機接着剤等で接着
し、同図に全体を符号68で示すコアブロツクを得る。こ
のコアブロツク68においてブロツク64′,66のそれぞれ
の長溝65,67が重なることにより、後に電磁変換用のコ
イルを巻回するための巻線窓69が形成される。
に示すブロツク64′の下面を重ね、第９図（Ｋ）に示す
ように両者を低融点ガラスあるいは有機接着剤等で接着
し、同図に全体を符号68で示すコアブロツクを得る。こ
のコアブロツク68においてブロツク64′,66のそれぞれ
の長溝65,67が重なることにより、後に電磁変換用のコ
イルを巻回するための巻線窓69が形成される。
さらに、このコアブロツク68をその軸線方向に直交す
る方向で、すなわち同図に示される点線に沿つて、基板
部分62′の略中央を通つて所定間隔Ｔで切断し、第９図
（Ｌ）に符号70で示す磁気コア単体が得られる。この磁
気コア単体70のブロツク64の断片側の頭部面すなわち磁
気記録媒体との摺動面等を研磨加工により仕上げて磁気
コア単体70が完成する。
る方向で、すなわち同図に示される点線に沿つて、基板
部分62′の略中央を通つて所定間隔Ｔで切断し、第９図
（Ｌ）に符号70で示す磁気コア単体が得られる。この磁
気コア単体70のブロツク64の断片側の頭部面すなわち磁
気記録媒体との摺動面等を研磨加工により仕上げて磁気
コア単体70が完成する。
以上の工程で得られたコア単体の構造においては、非
磁性材の基板部分62′により両側から挾持され、ギヤツ
プ材部分61′を介して互いの端面を突き合わされたコア
構成体としての磁性体部分60a′,63′が磁気記録媒体摺
動面に臨んだ磁気回路部分を構成する。またギヤツプ材
部分61′が磁気ギヤツプとなる。また磁性体部分60a′,
63′と異なる磁性体で形成されたブロツク66の断辺であ
る第３の磁気コア構成体としてのブロツク部分66′が磁
性体部分60a′,63′と磁気的に接続されることによつて
磁気回路部分を形成する。さらに両方の磁気回路部分の
互いの接合面に形成された長溝65,67が巻線窓69を形成
する。
磁性材の基板部分62′により両側から挾持され、ギヤツ
プ材部分61′を介して互いの端面を突き合わされたコア
構成体としての磁性体部分60a′,63′が磁気記録媒体摺
動面に臨んだ磁気回路部分を構成する。またギヤツプ材
部分61′が磁気ギヤツプとなる。また磁性体部分60a′,
63′と異なる磁性体で形成されたブロツク66の断辺であ
る第３の磁気コア構成体としてのブロツク部分66′が磁
性体部分60a′,63′と磁気的に接続されることによつて
磁気回路部分を形成する。さらに両方の磁気回路部分の
互いの接合面に形成された長溝65,67が巻線窓69を形成
する。
上述の如き工程で製造された磁気ヘツドも、もちろん
磁気特性の劣化は生じず、またセンダスト薄膜の結晶も
安定している。またこの磁気ヘツドも薄膜被着技術を用
いている為狭少なヘツド幅にすることが極めて容易であ
る。
磁気特性の劣化は生じず、またセンダスト薄膜の結晶も
安定している。またこの磁気ヘツドも薄膜被着技術を用
いている為狭少なヘツド幅にすることが極めて容易であ
る。
＜発明の効果＞ 以上説明した様に本発明によれば少なくとも１つの磁
気コア構成体を薄膜被着技術を用いて形成し、磁気ヘツ
ドのヘツド幅の狭少化を容易にした磁気ヘツドの製造方
法に於いて、磁気特性が劣化せずかつまたヘツドコア構
成体となる磁性膜部分に割れ等の不都合の生じることが
なくなつた。
気コア構成体を薄膜被着技術を用いて形成し、磁気ヘツ
ドのヘツド幅の狭少化を容易にした磁気ヘツドの製造方
法に於いて、磁気特性が劣化せずかつまたヘツドコア構
成体となる磁性膜部分に割れ等の不都合の生じることが
なくなつた。
第１図（Ａ）〜第１図（Ｇ）は磁性膜被着技術を用いた
一般的な磁気ヘツドの製造方法を示す図、 第２図は従来の製造方法による問題点を説明するための
図、 第３図（Ａ），（Ｂ）は被スパツタ面に対する磁性体膜
の被着方向と磁気特性の関係を示す図、 第４図、第５図、第６図及び第７図は夫々本発明の一実
施例としての製造方法を説明するための図、 第８図（Ａ），（Ｂ）は夫々本発明に係る薄膜被着装置
の構造を示す図、 第９図（Ａ）〜第９図（Ｌ）は本発明の他の実施例とし
ての磁気ヘツドの製造方法を示す図である。 ３はスパツタ方向を示す矢印、５はギヤツプ形成面、６
は磁性体膜被着面、７は取付面、20は非磁性基板、21は
第１の磁気コア構成体としてのヘツドコア半体、21aは
ギヤツプ形成面、22は磁気ギヤツプ材、23は磁性体膜、
24は第２の磁気コア構成体、60は第１の磁気コア構成体
となる磁性体、61はギヤツプ材としての非磁性体層、62
は非磁性基板、63は第２の磁気コア構成体となる磁性体
膜、66は第３の磁気コア構成体となる磁性体ブロツク、
Ｓは磁性薄膜被着方向を示す矢印である。
一般的な磁気ヘツドの製造方法を示す図、 第２図は従来の製造方法による問題点を説明するための
図、 第３図（Ａ），（Ｂ）は被スパツタ面に対する磁性体膜
の被着方向と磁気特性の関係を示す図、 第４図、第５図、第６図及び第７図は夫々本発明の一実
施例としての製造方法を説明するための図、 第８図（Ａ），（Ｂ）は夫々本発明に係る薄膜被着装置
の構造を示す図、 第９図（Ａ）〜第９図（Ｌ）は本発明の他の実施例とし
ての磁気ヘツドの製造方法を示す図である。 ３はスパツタ方向を示す矢印、５はギヤツプ形成面、６
は磁性体膜被着面、７は取付面、20は非磁性基板、21は
第１の磁気コア構成体としてのヘツドコア半体、21aは
ギヤツプ形成面、22は磁気ギヤツプ材、23は磁性体膜、
24は第２の磁気コア構成体、60は第１の磁気コア構成体
となる磁性体、61はギヤツプ材としての非磁性体層、62
は非磁性基板、63は第２の磁気コア構成体となる磁性体
膜、66は第３の磁気コア構成体となる磁性体ブロツク、
Ｓは磁性薄膜被着方向を示す矢印である。
Claims (4)
- 【請求項１】磁性体よりなりその側面の少なくとも一面
を磁気ギャップ形成面とした第１の磁気コア構成体を非
磁性基板上に装置する工程と、 前記ギャップ形成面の少なくとも一部に磁気ギャップ材
を配する工程と、 前記非磁性基板の被着面とのなす角度を35度以上、前記
ギャップ形成面とのなす角度を40度以上とした角度範囲
における方向から、前記基板の被着面と前記ギャップ形
成面に対して磁性体膜を被着する工程と、 この被着された磁性体膜にて第２の磁気コア構成体を得
るべくこの磁性体膜の不要部分を除去して磁気コアブロ
ックを得る工程と、 を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】前記第１の磁気コア構成体の装置される前
記基板上の装置面の向きが前記被着面の向きとは異なる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項３】磁性体よりなりその側面の少なくとも一面
を磁気ギャップ形成面とした第１の磁気コア構成体を非
磁性基板上に装置する工程と、 前記ギャップ形成面の少なくとも一部に磁気ギャップ材
を配する工程と、 前記非磁性基板の被着面とのなす角度を35度以上、前記
ギャップ形成面とのなす角度を40度以上とした角度範囲
における方向から、前記基板の被着面と前記ギャップ形
成面に対して磁性体膜を被着する工程と、 この被着された磁性体膜にて第２の磁気コア構成体を得
るべくこの磁性体膜の不要部分を除去して第１の磁気コ
アブロックを得る工程と、 前記非磁性基板、前記第１の磁気コア構成体および前記
第２の磁気コア構成体を含む小ブロックとなるように前
記第１の磁気コアブロックを切断する工程と、 切断された小ブロックを切断された他の小ブロックに対
して、前記第１の磁気コア構成体同士および前記第２の
磁気コア構成体同士が前記非磁性基板を介して対向配置
されるようにして第２の磁気コアブロックを得る工程
と、 磁性体よりなる第３の磁気コア構成体を前記第２の磁気
コアブロックに対して接合して磁気ヘッドブロックを得
る工程と、 前記第１の磁気コア構成体、前記第２の磁気コア構成
体、前記第３の磁気コア構成体およびギャップ材が含ま
れるとともに、前記第１の磁気コア構成体、前記第２の
磁気コア構成体およびギャップ材を前記非磁性基板が挟
持する形で小ブロックとなるように前記磁気ヘッドブロ
ックを切断する工程と、 を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】前記第１の磁気コア構成体に形成された磁
気ギャップ形成面と前記非磁性基板の被着面とのなす開
角を90度より大きく形成することを特徴とする特許請求
の範囲第３項記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59016369A JP2575097B2 (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59016369A JP2575097B2 (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160012A JPS60160012A (ja) | 1985-08-21 |
| JP2575097B2 true JP2575097B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=11914390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59016369A Expired - Fee Related JP2575097B2 (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2575097B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60243810A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
| JPS61202314A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-08 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS63217507A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツド製造装置 |
| US4912584A (en) * | 1988-03-09 | 1990-03-27 | Digital Equipment Corporation | Method for fabricating magnetic recording poles |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS581821A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS58100213A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP59016369A patent/JP2575097B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60160012A (ja) | 1985-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58155513A (ja) | 複合型磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JP2575097B2 (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP2554041B2 (ja) | 磁気ヘッドコアの製造方法 | |
| JPS613311A (ja) | 磁気ヘツド | |
| US5247415A (en) | Magnetic head having main and auxiliary magnetic paths | |
| US5276959A (en) | Method of manufacturing a magnetic tape head | |
| KR930000067B1 (ko) | 자기헤드 | |
| JP2895680B2 (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS6214313A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS60231903A (ja) | 複合型磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH0778853B2 (ja) | 浮動型磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPH0546011B2 (ja) | ||
| JPS59203210A (ja) | 磁気コアおよびその製造方法 | |
| JPH0654528B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH05290320A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0744816A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0516082B2 (ja) | ||
| JPH08185607A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS6280808A (ja) | 磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH02130706A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH10302214A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH06290420A (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0589414A (ja) | 磁気ヘツドとその製造方法 | |
| JPH0468682B2 (ja) | ||
| JPH0640370B2 (ja) | 磁気ヘツドの製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |