JPS6280808A

JPS6280808A - 磁気ヘツドおよびその製造方法

Info

Publication number: JPS6280808A
Application number: JP22018485A
Authority: JP
Inventors: Shunsaku Muraoka; 俊作村岡; Terumasa Sawai; 瑛昌沢井
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1985-10-04
Filing date: 1985-10-04
Publication date: 1987-04-14
Anticipated expiration: 2009-08-22
Also published as: JPH0664696B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、ＶＴＲやＲ−ＤＡＴ等に用いられる磁気ヘッ
ドに関するものである。

（従来の技術）近年、磁気記録の高密度化に伴い、磁気ヘッドとして、
高飽和磁束密度、狭トラツク化等が要求されている。高
飽和磁束密度に関しては、従来のフェライト等にかわっ
て、飽和磁束密度の大きなセンダスト・パーマロイ・マ
モルファスなどの金属磁性材料が用いられ、狭トラツク
化に関しては、従来のバルクからの加工にかわり、スパ
ッタリング、蒸着等の真空薄膜形成技術により、磁気コ
アとなる磁性層を形成する手法が多く用いられている。

しかし金属磁性材料は狭トラツクにすると、機械的強度
が弱く、また耐摩耗性も悪くなるので、それらの向上の
ため、従来から金属磁性材料の両側を基板で挾持した構
造として用いられている。

第５図に従来の磁気ヘッドの構造を示す。同図において
２１はアモルファス磁性層であり、非磁性の結晶化ガラ
ス基板２２で挾まれている。このサンドインチ構造を有
する複合体コアは、その半体ごとに゛作成される。まず
結晶化ガラス基板２２上に所定の厚さのアモルファス磁
性層２１が形成されたのち。

もう１枚の結晶化ガラス基板２２でアモルファス磁性層
２１を挾むように低融点ガラス２３を介して接合し、コ
ア半体が作成される。その一方に巻線溝２４が形成され
、磁気ギャップ２５を構成してボンドガラス２６で接合
されている。

第６図は第５図で示した従来の磁気ヘッドの製造工程の
中で、ヘッドブロックからヘッドチップに切断する工程
を示す。切断はまず切断幅２７で切断したのち、切断幅
２８で切断する２工程が必要である。

（発明が解決しようとする問題点）従来の磁気ヘッドにおいては、基板として用いた結晶化
ガラスが難加工性で、製造能率が極めて悪く、１本のヘ
ッドブロックから取れるヘッドチップの数が少なく、ヘ
ッド１個当りの原価が高い欠点があった。

本発明の目的は、従来の欠点を解消し、加工能率が良く
、優れた高周波特性を有する磁気ヘッドおよびその製造
方法を提供することである。

（問題点を解決するための手段）本発明の磁気ヘッドは、非磁性体で挾持された金属磁性
層で前部磁気ギャップを構成した前部ヘッドコアと、強
磁性酸化物で後部磁気ギャップを構成した後部ヘッドコ
アとを接着層を介さず接合したものである。

また、金属磁性層がアモルファス磁性層であり、アモル
ファス磁性層が非磁性層を介して積層されていることで
あり、またこの非磁性層が高融点ガラスであり、さらに
強磁性酸化物がフェライトであるものである。

また、強磁性酸化物基板にＶ型溝を形成する第１工程と
、このＶ型溝内に、金属磁性層を非磁性体で挾持した構
造の複合体を、前記金属磁性層がＶ型溝の片斜面に平行
に位置するように形成し。

複合基板を構成する第２工程と、この複合基板を短冊状
に切断し、一対のコア半体を形成したのち、第１のコア
半体の磁気ギャップ面内に、前記金属磁性層と直角に巻
線溝を形成する第３工程と、一対のコア半体を磁気ギャ
ップ面でつき合わせ、巻線溝中の低融点ガラスを溶融さ
せて、合体させ、ヘッドブロックを構成する第４工程と
、このヘッドブロックを切断して複数個のへラドチップ
を得る第５工程とを有する磁気ヘッドの製造方法である
。

また、金属磁性層を非磁性体で挾持した構造の複合体を
形成する場合、■型溝中に第１の高融点ガラスを形成し
、この第１の高融点ガラス上に金属磁性層をスパッタリ
ング等により形成したのち、この金属磁性層上に第２の
高融点ガラスを溶融して形成するものである。

（作用）上記構成による磁気ヘッドは、基板として、フェライト
等の加工性の優れた強磁性酸化物を用いているので、従
来の結晶化ガラス基板ヘッドに比べ、加工能率が極めて
良い。また金属磁性層は。

前部ヘッドコアだけを構成しているので、単位金属磁性
層面積からとれるヘッドチップの数が従来に比べ、数倍
に向上する。また本発明による製造方法によると、１本
のヘッドコアブロックからとれるヘッドチップの数も増
加し、ヘッドチップの切断も１回だけでよい。またテー
プ摺動面に従来基板と金属磁性層との接着に用いた低融
点ガラス層が出てこないので、テープとのインターフェ
ース上も都合がよい。

（実施例）本発明の一実施例を第１図ないし第４図に基づいて説明
する。

第１図は本発明の磁気ヘッドの斜視図である。

同図において、１は金属磁性層であるアモルファス磁性
層で、非磁性体である高融点の補強ガラス２で挾持され
、前部磁気ギャップ３を構成した前部ヘッドコアと、強
磁性酸化物であるフェライト４で後部磁気ギャップ５を
構成した後部ヘッドコアを接合した構成になっている。

この複合構造をなす磁気ヘッドは、その半体ごとに作製
され、巻線溝６中のボンドガラスである低融点ガラス７
で接合されている。また本実施例では、アモルファス層
１は、渦電流損失を小さくし、高周波特性をよくするた
め、第２図に示すように、Ｓｉｎ、絶縁層８を介して積
層構造にしている。

本発明による磁気ヘッドの電磁変換特性は、第５図に示
した従来の磁気ヘッドに比べ、１〜２ｄＢ上昇している
。これは、後部磁気ギャップをすべて磁性体であるフェ
ライトで構成しているために、磁気ヘッドの磁気能率が
向上しているためである。

また、テープ摺動面は、高融点ガラスと、アモルファス
磁性層だけで構成されているので５テープとのなじみが
非常によく、従来のような低融点ガラス層がないので、
テープとのインターフェース上も非常に好都合である。

次に本発明による磁気ヘッドの製造工程について説明す
る。

第３図（ａ）に示すように、フェライト４の基板にＶ型
溝９を回転砥石、あるいは電解エツチング等により形成
する。次に、第３図（ｂ）に示すようにＶ型溝９に高融
点ガラス２を充填し、そのうち、第３図（ｅ）に示すよ
うに、Ｖ型溝１０を形成する。

このとき、Ｖ型溝１０の片面１０ａには高融点ガラス２
を残し、他の面１０ｂには高融点ガラスが残らないよう
にする。次に第３図（ｄ）に示すように、Ｖ型溝１０内
にセンダストアモルファスなどの金属磁性層１をスパッ
タリングや蒸着などの薄膜形成方法により５ｉ０２等の
絶縁層を介して積層形成する。

このうち、第３図（ｅ）に示すように、Ｖ型溝１１を片
面１１ａには金属磁性層１を残し、他の面１１ｂには金
属磁性層１は残さず、フェライト４の面が出るように形
成し、Ｖ型溝１１内に高融点ガラス２を充填し平面研摩
を行なう。第３図（ｆ）は平面研摩後の基板を示す。次
に第３図（ｇ）に示すように数回の短冊状に切断しで、
一対のコア半体１２ａ、１２ｂを作成する。そして一方
のコア半体１２ａには巻線溝６を磁気ギャップ面１３内
の金属磁性層１に直角の方向に形成し、両コア半体１２
ａ、１２ｂの磁気ギャップ面を平滑に研摩したのち、ギ
ャップ長に応じた厚さのＳｉＯ□等の非磁性層をスパッ
タリング方法等により形成する。そして両コア半体１２
ａ、１２ｂを磁気ギャップ面１３でつき合わせ、巻線溝
６中に挿入されたボンドガラス７を溶融して、両コア半
体を接合し、ヘッドブロックを作成する。次に第３図（
ｈ）に示すように、このヘッドブロックを所定のコア＠
１４で切断して、ヘッドチップを作成し、前面のテープ
摺動面を研摩することにより、第１図に示したような磁
気ヘッドが得られる。

第４図は他の実施例で、アジマス記録用磁気ヘッドの製
造工程を示す。マジマス角θの磁気ヘッドの場合は、ヘ
ッドブロックからヘッドチップに切断するときの角変を
第４図（ａ）に示すようにアモルファス磁性層１に対し
て角度θだけ傾けて切断すればよい。１５はその切断幅
である。第４図（ｂ）は以上のようにして作成したアジ
マス記録用磁気ヘッドを示す。

上記のようにして、磁気ヘッドを作製することにより、
単位金属磁性層面積からとれるヘッドチツブの数が、第
５図に示した従来の磁気ヘッドに比べ数倍向上し、加工
能率も極めて良い磁気ヘッドを作製することができる。

（発明の効果）本発明によれば、磁気ヘッドの基板がフェライトであり
、従来の結晶化ガラス基板に比較して、加工性に優れて
いるので、加工能率が向上した。

また、製造上、金属磁性層の積層化が可能であり、磁気
能率もよく、高周波特性の優れた磁気ヘッドを得ること
ができる。また、前部ヘッドコアだけに金属磁性層を使
っているので、単位金属磁性層面積からとれるヘッドチ
ップの数が、従来の平面に金属磁性層を形成するものに
比べ数倍向上し、また１本のヘッドブロックからとれる
ヘッドチップの数が従来に比較して増加するので、製造
原価が安くなり、安価な高性能磁気ヘッドが得られ、そ
の実用的効果は大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における磁気ヘッドの斜視図
、第２図は同テープ摺動方向からの正面図、第３図（ａ
）ないしくｈ）は本発明の磁気ヘッドの製造工程図、第
４図（ａ）は同磁気ヘッドの製造工程中の斜視図、第４
図（ｂ）は本発明の磁気ヘッドの斜視図、第５図は従来
の磁気ヘッドの斜視図、第６図は同製造工程の斜視図で
ある。 ■、２１・・・金属磁性層、２・・・補強ガラス、３・
・・前部磁気ギャップ、４・・・強磁性酸化物。５・・・後部磁気ギャップ、６，２４・・・巻線溝。７．２６・・・ボンドガラス、８・・・絶縁層。９．１０　・Ｖ字溝、１０ａ、１０ｂ、ｌｌａ、ｌｌｂ
　−Ｖ字溝の面、１２，１２ａ、　１２ｂ・・・コア半
体、１３・・・磁気ギャップ面、１４，１５，２７．２
８・・・切断幅、２２・・・結晶化ガラス基板、２３・
・・低融点ガラス。２５・・・磁気ギャップ。特許出願人　松下電器産業株式会社第１図第２図第３図９．１０・−ｖｆ＝溝第３図第３図１４９．−切１ｍ＋！第４図１５１ｌ５１−ｔ−７ｌ第５図第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）非磁性体で挾持された金属磁性層で前部磁気ギャ
ップを構成した前部ヘッドコアと、強磁性酸化物で後部
磁気ギャップを構成した後部ヘッドコアとを接着層を介
さず接合した構造であることを特徴とする磁気ヘッド。
（２）金属磁性層がアモルファス磁性層であることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の磁気ヘッド。
（３）アモルファス磁性層が非磁性層を介して蓄積され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第（２）項記載
の磁気ヘッド。
（４）非磁性体が高融点ガラスであることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載の磁気ヘッド。
（５）強磁性酸化物がフェライトであることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の磁気ヘッド。
（６）強磁性酸化基板にＶ型溝を形成する第１工程と、
前記Ｖ型溝内に、金属磁性層を非磁性体で挾持した構造
の複合体を、前記金属磁性層が、前記Ｖ型溝の片斜面に
平行に位置するように形成し、複合基板を構成する第２
工程と、前記複合基板を短冊状に切断し、一対のコア半
体を形成したのち、第１のコア半体磁気ギャップ面に、
前記金属磁性層と直角に巻線溝を形成する第３工程と、
前記一対のコア反対を磁気ギャップ面でつき合わ前記巻
線溝中の低融点ガラスを溶融させて、合体させ、ヘッド
ブロックを構成する第４工程と、前記ヘッドロックを切
断して複数個のヘッドチップを得る第５工程とを有する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（７）金属磁性層を非磁性体で挾持した構造の複合体を
形成する場合、Ｖ型溝中に第１の高融点ガラスを形成し
、該第１の高融点ガラス上に金属磁性層をスパッタリン
グ等により形成したのち、前記金属磁性層上に第２の高
融点ガラスを溶融して形成することを特徴とする特許請
求の範囲第（６）項記載の磁気ヘッドの製造方法。