JPS613311A

JPS613311A - 磁気ヘツド

Info

Publication number: JPS613311A
Application number: JP59124805A
Authority: JP
Inventors: Makoto Kubota; 窪田　允; Tatsuo Hisamura; 達雄久村
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1984-06-18
Filing date: 1984-06-18
Publication date: 1986-01-09
Also published as: JPH0475566B2; CA1234626A; KR930002393B1; KR860000629A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、強磁性酸化物材料と強磁性金属材料との複合
磁性材料からなる磁気ヘッドに関する。

〔背景技術とその問題点〕

近年、たとえばＶＴＲ（ビデオチーブレコーダ）全屈い
て磁気記録媒体である磁気テープに信号の高密度記録が
行なわれるようになるに従い、磁気テープとして残留磁
束密度Ｂｒと抗磁力Ｈｅがともに高いメタルテープ等が
使用されるようになってきている。

ところで、このメタルテープ等の高い抗磁力Ｈｅを持つ
磁気テープに信号？高密度に磁気記録するには、磁気ギ
ヤングよシ発生する磁界の強度が高り、シかも狭いトラ
ンク幅の磁気ヘッドを用いる必要がある。

そこで、このような磁気ヘッドとしては、第１図に斜視
図が示されているような磁気ヘッドが提案されている。

この磁気ヘッドは、磁気コア半体１，２が強磁性酸化物
のＭｎ−Ｚｎ　フェライト等よ、多形成され、磁気ギヤ
ングを側のフェライト突起部３，４とこの突起部３，４
の屈曲した一側部に溶融充填されたガラスの非磁性材５
，６とを連ねた平面上には、スパツタリング等によシセ
ンダスト等の強磁性金属薄膜７Ａ、７Ｂが被着形成され
ている。また、被着形成されたこの強磁性金属薄膜７Ａ
、７Ｂ上にはガラスの非磁性材８が溶融充填されている
。

上記磁気ヘッドは、このように強磁性酸化物材料と強磁
性金属材料との複合磁性材料力）らなり、磁気ギャップ
ｔが高透磁率を有する上記強磁性金属薄膜７Ａ、７Ｂに
よ多形成されていることで、ヘッドの磁気抵抗が小さく
、磁気ギャップｆ　ｆｅｚら発生される磁界の強度が高
くなっておシ、また形成される金属薄膜７Ａ、７Ｂの厚
みをコントロールすることで狭トランク化が容易に行な
えるためメタルテープ等に高密度に磁気記憶するのに適
したヘッドとなっている。

ところで、上記磁気ヘッドでは、磁気テープ対接面を第
２図に示すように、強磁性金属薄膜７Ａ、７Ｂが被着さ
れるフェライト突起部３，４の界面部にたとえば５〜１
０μｍ程度の厚さの変質層９が生じるようになる。この
変質層９はつぎのような理由により形成されるようにな
る。

すなわち、金属薄膜７Ａ、７Ｂがたとえばスパッタリン
グにより上記フェライト突起部３，４に被着形成される
と、このフェライト界面は金属と接触した状態で３００
〜７００℃の高温にさらされるようになる。これにょシ
、フェライトを構成する酸素原子が３００〜５００℃の
平衡状態に向けて拡散を始めるようになり、フェライト
中の酸素原子はたとえばセンダスト膜中のＡｉ、Ｓｉ。

Ｆｅと結び付くようになる。このため、フェライト表面
部が還元ぎみとなり低酸素状態となることから、上記変
質層９がフェライト突起部３，４の界面部に形成される
ようになる。

また、たとえばセンダストの熱膨張係数は１３０〜１６
０Ｘ１０　　／’Ｃであり、フェライトの熱膨張係数は
５０％程度異なる９ｏ〜１ｉｏｘｉｏ−７／℃であるこ
とから、センダスト膜の膜厚が厚くなるに従いフェライ
トとセンダスト界面の応力レベルは高いものとなる。し
たがって、この応力による歪みが加わった状態で、スパ
ッタリング後の冷却や後工程でのガラス融着による加熱
が行なわれると、フェライト界面部の酸素の移動はさら
に加速されるようになる。

このような変質層９が上記フェライト突起部３４の界面
部に形成されると、界面部の磁気抵抗の増大でフェライ
トの軟磁性特性が劣化するようになり、磁気ヘッドの記
録再生出力の低下を１ねくようになる。

〔発明の目的〕

そこで、本発明はこのような実情に鑑み提案されたもの
であシ、強磁性酸化物材料と強磁性金属材料の複合磁性
材料からなる磁気ヘッドで、強磁性酸化物の界面部に変
質層が形成されず、磁気特性の劣化が防止される磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

この目的？達成するために本発明の磁気へクドは、強磁
性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合面に真空薄膜形
成技術によシ強磁性金属薄膜を形成し、この磁気コア半
体対を突き合わせて磁気ギヤング全形成してなる磁気ヘ
ッドにおいて、上記磁気ギヤング形成面と上記強磁性金
属薄膜形成面とが所要角度で傾斜しておシ、かつ前記強
磁性酸化物と前記強磁性金属薄膜との間に非磁性高硬度
膜が配されていることを特徴としておシ、強磁性酸化物
界面部に変質層が形成されず、磁気ヘッドの磁気特性の
劣化が防止される。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に説明する。

第３図は本発明に係る磁気ヘッドの斜視図であり、第４
図はこの磁気へンドの磁気テープ対接面？拡大して示す
平面図である。

第３図および第４図において、上記磁気ヘッドの構成を
説明すると１．磁気コア牛体１１．１２ｕ強磁性酸化物
のＭｎ−Ｚｎフェライト等により形成さｎ１磁気ギヤク
プを側に形成さｔたフェライトの突起部１３，１４の二
段階に屈曲した一側部につ゛は７ラスが非磁酸材１５．１８として溶融充填さｎてい
る。また、この突起部１３の他側部となる斜面１３Ａと
非磁性材１５とを連ねた平面上、および突起部１４の他
側部となる斜面７４Ａと非磁性材１６とを連ねた平面上
には、たとえばスパツタリングによシＳｉｎｇが３０Ｏ
Ａの厚さに被着され一層目の非磁性高硬度膜１７Ａ、１
７Ｂが形成されている。

また、この非磁性高硬度膜１７Ａ、１７Ｂ上には、二層
目の非磁性高硬度膜１８Ａ、１８Ｂとして、たとえばＣ
ｒがスパッタリング等によシ３００Ａの厚さに被着され
ている。また、二層目の非磁性高硬度膜１８Ａ、１８Ｂ
上には、高透磁率合金のセンダスト等からなる強磁性金
属薄膜１９Ａ、１９Ｂがスパッタリング等の真空薄膜形
成技術を用いて被着形成されている。また、被着形成さ
れた強磁性金属薄膜１９Ａ、１９Ｂ上にはガラスが非磁
性材２０として溶融充填さ！しておシ、この強磁性金属
薄膜１９Ａ、１９Ｂのみにより磁気ギヤングｆが形成さ
れている。

また、上記接合面すなわち磁気ギヤングｔの形成面は所
定のアジマス角度で傾斜しており、アジマス記録が行な
えるようになっている。

また、磁気ギャップｔの形成面と上記強磁性金属薄膜１
９Ａ、１９Ｂの形成面とは所要角度で傾斜しており、こ
の実施例では傾斜角θがたとえば４５°となっている。

この傾斜角θは２０〜８θ°程度に選ぶのがよく、これ
によりクロストークが防止され、また磁気テープ対接面
の耐摩耗性が向上さ詐るようになる。

このように構成された上記磁気ヘッドでは、フェライト
の突起部１３．１４の斜面１３Ａ、１４Ａ上に二層の非
磁性高硬度膜１７Ａ、１８Ａおよび１７Ｂ、１８Ｂを介
して、スパッタリング等で強磁性金属薄膜１９Ａ、１９
Ｂが被着形成されるようになる。

このため、スパッタリング時の高温にさらさ扛でも、上
記非磁性高硬度膜１７Ａ、１８Ａおよび１７Ｂ、１８Ｂ
によって、フェライト中の酸素原子の強磁性金属薄膜１
９Ａ、１９Ｂ中への拡散が防止さｎるようになり、フェ
ライトの斜面１３Ａ、１４Ａ部に前述の変質層が形成さ
れなくなる。

し７たがりて、強磁性金属薄膜１９Ａ、１９Ｂと磁気回
路的に結合する上記斜面１３Ａ、１４Ａ部近傍の軟磁性
特性が劣化することはなく、磁気ヘッドの記録再生出力
の低下が防止されるようになる０上記磁気ヘッドの再生出力を従来の磁気ヘッドと比較す
ると、たとえば１〜７ＭＨｚの信号について、３ｄＢの
出力レベルの上昇が実験で示されている。

また、スパッタリング時に上記変質層が形成さｎないこ
とから、スパッタリング温度やスパッタリング速度を緩
い条件で管理することができ製造のしやすい磁気ヘッド
となっている。

また、フェライトと強磁性金属薄膜１９Ａ、１９Ｂのた
とえばセンダストとの熱膨張係数の差による熱応力は、
上記非磁性高硬度膜１７Ａ、１８Ａおよび１７Ｂ、１８
Ｂによって分散されるようになるため、スパッタリング
後の冷却時や後工程でのガラス融着による加熱時におい
ても、上記強磁性金属薄膜１９Ａ、１９Ｂにひびや割れ
が生じるようなことはない。これにより、さらに磁気特
性の向上が図れる。

ここで、一層目の上記非磁性高度膜１７Ａ、１ことがで
きる。また、二層目の上記非磁性高硬度膜１８Ａ、１８
Ｂとしては、Ｃｒ以外に、Ｔｉ。

Ｓｔ等の高硬度金属を用いることができる。この二層目
の非磁性高硬度膜１８Ａ、１８Ｂは、被着される強磁性
金属薄膜１９Ａ、１９Ｂに対してなじみ？良くする働き
がある。

また、一層目の上記非磁性高硬度膜１７Ａ、１７Ｂの膜
厚ｄ□、および二層目の上記非磁性高硬度膜１８Ａ、１
８Ｂの膜厚ｄ２は、そｔぞｔ＋−５０〜２００ＯＡ程度
に選ぶことができる。上記磁気ヘッドでは強磁性金属薄
膜１９Ａ、１９Ｂの形成面が磁気ギャップｔの形成面に
対して所要角度で傾斜していることから、下地膜すなわ
ち上記非磁性高硬度膜１７Ａ、１８Ａおよび１７Ｂ、１
８Ｂの膜厚（ｄｌ＋ｄ２）がある程度の厚さであっても
擬似ギヤングが形成されることはない。ただし、この膜
厚（ｄ、＋ｄ２）が厚過ぎることは、磁気回路上好まし
くない。

また、この実施例では非磁性高硬度膜を二層に形成した
が、上記非磁性高硬度膜１７Ａ、１７Ｂまたは上記非磁
性高硬度膜１８Ａ、１８Ｂのどちら〃１一方のみを形成
するようにし、一層の非磁性高硬度膜としてもよい。な
お、二層とする場合は、この実施例のように酸化物によ
り形成さｎる膜を一層目とするのがよい。

また上記磁気ヘッドでは、上記金属薄膜１９Ａ、１９Ｂ
は磁気ギャップｔの近傍部のみに形成されているため金
属薄膜１９Ａ、１９Ｂの形成面積が少なくてすみ、たと
えばスパンタリング装置で一括処理可能な個数を大幅に
増やせることで量産性の向上を図ることができる。この
ように、単位薄膜形成面ＰＪｇ）ら作製可能な磁気へノ
ドの個数が多いことで、安価に磁気ヘッドを提供できる
。

また、被着形成される上記金属薄膜１９Ａ、１９Ｂの膜
厚ｔは、ｔ　””　Ｔ　ｗ８１　ｎθ でよいことから、トランク幅に相当する膜厚を被着形成
する必要がなく、ヘッド作製に要する時間が短縮される
ようになる。ここで、ＴＶはトランク幅であり、θは上
記金属薄膜形成面と磁気ギャップ形成面とのなす角度で
ある。

また、磁気ギャップｔを形成する高透磁率の上記金属薄
膜１９Ａ、１９Ｂが磁気ギヤングｔの近傍部に配されて
いることと、磁気ヘッド後部側が接合面積の広い強磁性
酸化物で形成されていることによって、磁気抵抗が小さ
く感度の高い高性能な磁気へノドとなっている。

また、磁気ギャップ？が高透磁率を有する上記強磁性金
属薄膜１９Ａ、１９Ｂのみで形成されていることから磁
気ギヤングｔから発生される磁界の強度が高くメタルテ
ープ等の高い抗磁力Ｈｃ′ｆ：持つ磁気テープに対応し
た、記録再生出力の高い磁気ヘッドとなっている。

また、上記非磁性高硬度膜１８Ａ、１８Ｂの凹凸のない
一平面上に上記金属薄膜１９Ａ、１９Ｂが被着形成され
ていることによシ、たとえばセンダスト膜からなる金属
薄膜１９Ａ、１９Ｂの膜構造すなわち柱状晶の成長方位
は、形成面全体に亘って一方向に平行にそろった均一な
ものとなっている。このため、上記磁気ヘッドは、磁路
に沿つた方向で、上記金属薄膜１９Ａ、１９Ｂの全体が
高い透磁率を示すようになり、高い記録再生出力が得ら
れる。

また、上記磁気ヘッドの後部側は、Ｍｎ−７ｎフエライ
ト等の強磁性酸化物どうしを突き合わせて接合しており
、前部側の密着性が悪くとも、大きな接着強度を得るこ
とができ、歩留りの向上を図ることができる。また、加
工時にバンクトランクずれが発生するようなこともなく
、信頼性の高い磁気ヘッドどなっている。

さらに、上記磁気ヘッドの磁気テープ対接面のほとんど
が強磁性酸化物となっていること７）ｘら、高い耐摩耗
ｆ４’ｆｆｉ有する磁気ヘッドとなっている。

ここで、上記金属薄膜１９Ａ、１９Ｂは連続した一層を
被着形成しているが、絶縁膜を介して多層に強磁性金属
薄膜全被着形成するようにしてもよいＯまた、上記突起部１３．１４と非磁性材１５゜１６との
界面は、アジマス角とは異なる方向にたとえば二段階に
屈曲していることにより、突起部１３．１４の屈曲部に
よる磁気テープ上の隣接または隣々接トランクからの信
号のピンクアンプ量がアジマス損失によって減少され、
クロストークの発生が防止されるようになっている。

また、上記磁気ヘッドでは、数μｍのトランク幅から数
十μｍのトランク幅の広範囲のトランク幅を容易に形成
することができ、被着形成される上記金属薄膜１９Ａ、
１９Ｂの膜厚を薄くすることで狭トランク化の磁気ヘッ
ドが容易に得られる。

つぎに、上述の第３図に示す磁気ヘッドの製造工程全第
５図乃至第１２図に基づき説明する。

まず、第５図に示すように、たとえばＭｎ−Ｚｎフェラ
イト等の強磁性酸化物基板３０の長手方向の一稜部に上
方の開いた断面多角形状のり溝３１を、回転砥石または
電解エクチング等により複数形成する。すなわち、上記
基板３０の上面３３は磁気ギヤング形成面に対応し、上
記切溝３１は基板３０の磁気ギャクプ形成位置近傍部に
相当する部分に形成される。

つぎに、第６図に示すように、上記切溝３１に高融点ガ
ラス３２Ａ’（ｒ溶融充填したのち、上面３３と前面３
４とを平面研摩する。

つぎに、第７図に示すように、ガラス３２Ａ’に充填し
た上記切溝３１の一部とやや条目にオーバラップするよ
うに上記−稜部に切溝３１と隣り合う断面Ｖ字状の切溝
３５を形成する。この時、形成される切溝３５の内壁面
３６には、上記ガラス３２Ａの一部が露出している。ま
た、この内壁面３６と上記上面３３との交線３７は、上
記前面３４と直角をなしている。また、この内壁面３６
と上面３３とのなす角度は、前述のθのたとえば４５°
となっている。

つぎに、第８図に示すように、上記基板３０の切溝３５
近傍に、スパッタリング等により、たとえば５ｉ０２ｆ
ｆｉ３００Ａの厚さに被着し、一層目の非磁性高硬度膜
３８を形成する。また、さらにこの非磁性高硬度膜３８
上に、スパッタリング等により、たとえばＣｒＴｈ３０
０Ａの厚さに被着し、二層目の非磁性高硬度膜３９を形
成する。

つぎに、第９図に示すように、上記非磁性高硬度膜３９
上の切溝３５近傍に、スパッタリング等の真空薄膜形成
技術を用いて、高透磁率合金のたとえばセンダス）Ｔｈ
被着し、強磁性金属薄膜４０を形成する。この時、上記
内壁面３６上に効率よく被着するように、上記基板３０
を傾斜させスパッタリング装置内に配置するようにする
。

つぎに、第１０図に示すように、上記金属薄膜４０が被
着さ扛た上記切溝３５に、上記ガラス３２Ａよりも低融
点のガラス４１を溶融充填したのち、上面３３と前面３
４とを平面研摩し鏡面仕上げを行なう。この時、前の工
程で被着した上記非磁性高硬度膜３８．３９および上記
金属薄膜４０の一部が上記切溝３５内に残り、この切溝
３５面に強磁性金属薄膜４０Ａおよび非磁性高硬度膜３
８Ａ、３９Ａが被着した状態となる。

また、巻線溝側のコア半休？形成するために、第ｉｏ図
に示すように加工の施した強磁性酸化物基板３０に、巻
線溝４２を形成する溝加工を行ない、第１１図に示す強
磁性酸化物基板４３を得る。

この基板４３で、切溝３１には高融点ガラス３２Ｂが溶
融充填され、切溝３５には強磁性金属薄膜４０Ｂ、およ
び非磁性高硬度膜３８Ｂ、３９Ｂが被着形成されている
。

つぎに、上記基板３０の磁気ギャクプ形成面となる上面
３３と上記基板４３の磁気ギャクプ形成面となる上面４
４とを膜付けしたギャップスペーサ全弁して第１２図に
示すように突き合わせ、ガラス融着を行なう。その後、
基板３０と基板４３とを合体させたブロック４５をこの
接合面に対してアジマス角だけ傾けたａ−ａ線、ａ−ａ
線の位置でスライシング加工することで、アジマス角で
傾斜する磁気ギヤングを有する複数個のへ７ドチノプケ
得ることができる。なお、基板接合面に対して垂直にス
ライシングすると普通のヘントチノブが形成できる。こ
こで、上記ギヤクプスペーサとしては５ｉｎ２．ＺｒＯ
，、Ｔａ、Ｏｓ　、Ｃｒ等を用いることができる。

つぎに、上記ヘントチノブの磁気テープ対接面を円筒研
摩することで第３図に示す磁気ヘッドとなる。

この第３図の磁気ヘッドにおいて、コア半体１１は上記
基板４３を母材としており、コア半体１２は上記基板３
０が母材となっている。また、非磁性材１５．１６は上
記高融点ガラス３２Ｂ、３２Ａにそれぞれ対応し、非磁
性材２０は上記低融点ガラス４１に対応している。また
、この磁気へクドの非磁性高硬度膜１７Ａ、１８Ａおよ
び１７Ｂ、１８Ｂは、上記高硬度膜３８Ｂ、３９Ｂおよ
び３８Ａ、３９Ａに対応しておシ、また強磁性金属薄膜
１９Ａ、１９Ｂは、上記金属薄膜４０　Ｂ　、　　　　
　　　　　−’（４０Ａにそれぞれ対応している。さら
に、上記磁気ヘッドの巻線穴２５は、上記基板３０に形
成さｔた巻線溝４２に対応している。

ところで、磁気ギャップ近傍部にのみ強磁性金属薄膜を
形成するのではなく、ヘッドの前面部すなわちフロント
ギャップ形成面より後部側すなわちバンクギヤング形成
面まで連続して強磁性金属薄膜音形成した本発明の他の
実施例となる第１３図の磁気ヘッドについて説明する。

また、第１４図にはこの磁気へクドの磁気テープ対接面
が示さｎている。

この磁気へノドはアジマス記録用の磁気ヘッドとなって
おり、磁気コア半休５１．５２が強磁性酸化物のたとえ
ばＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトで形成され、磁気ギャッ
プを側の突起部５３．５４は磁気ヘッドの後部側まで連
続して形成さ扛ている。寸だ、この突起部５３．５４の
一側部はアジマス角とは異なる方向にたとえば二段階に
屈曲しており、この−側部にはガラスの非磁性材５５．
５６が後部側まで連続して溶融充填されている。

また、突起部５３，５４の斜面５３Ａ、５４Ａと非磁性
材５５．５１連ねた平面上には、スパッタリング等でた
とえばＳｉＯ２が３０ＯＡの膜厚ｔ１に被着され、一層
目の非磁性高硬度膜５７が後部側まで連続して形成され
ている。また、この非磁性高硬度膜５７上には、二層目
の非磁性高硬度膜５８として、たとえばＣｒがスパッタ
リング等により３００Ａの膜厚ｔ２に後部側まで連続し
て被着されている。また、この非磁性高硬度膜５８上に
は、スパッタリング等でセンダスト等の強磁性金属薄膜
５９が後部側まで連続して被着形成さｎｌ　この金属薄
膜５９上にはガラスの非磁性材６０が同様に後部側まで
溶融充填されている。

上記金属薄膜５９は磁気ギャクプ形成面に対してたとえ
ば４５°の傾斜角θで傾斜しており、この金属薄膜５９
のみによシ磁気ギャップ２が形成されている。

非Ａｋ・１・′ｉ、Ｉ、朴／Ｉ合金属導膜５７．５８’！ｒ配したことにより、上記斜
面５３Ａ、５４Ａ部にフェライトの変質層が形成される
ことはない。したがって、上記磁気ヘッドでは、上記斜
面５３Ａ、５４Ａ部近傍の軟磁性特性が劣化することは
なく、磁気へノドの記録再生出力の低下が防止されるよ
うになる。

！、友、上記非磁性高硬度膜５７，５８を配したことで
、強磁性金属薄膜５９のひびや割れの防止會行なうこと
ができる。

つぎに、上記磁気ヘッドの製造工程全第１５図乃至第２
２図に基づき説明する。

まず、第１５図に示すように、Ｍｎ−Ｚｎ　　フェライ
ト等の強磁性酸化物基板７０の上面部に、回転砥石等？
用いて、上方の開いた断面多角形状の溝７１を上面部全
横切るように複数形成する。

つぎに、第１６図に示すように、上記溝７１に高融点ガ
ラス７２を溶融充填したのち、平面研摩加工を行なう。

つぎに、第１７図に示すように、上記溝７１の一部とや
や条目にオーバラップし該溝７１と隣接した断面Ｖ字状
の溝７３を複数形成する。この溝７３の内壁面の傾斜角
度は、上面に対してたとえば４５　となっている。

つぎに、第１８図に示すように、上記基板７０の上面部
に、スパッタリング等により、たとえば５ｉ０２　ｋ３
００　Ａの厚さに被着し、一層目の非磁性高硬度膜７４
ケ形成する。またさらに、この非磁性高硬度膜７４上に
、スパッタリング等により、たとえばＣｒ’（ｒ３００
Ａの厚さに被着し、二層目の非磁性高硬度膜７５會形成
する。

つぎに、第１９図に示すように、上記基板７０の上面部
すなわち上記非磁性高硬度膜７５上に、センダスト等を
スパッタリング、イオンプレーテインダ、蒸着等の真空
薄膜形成技術を用いて被着形成し、上記溝７３部に強磁
性金属薄膜７６を形成する。

つぎに、溝７３部分に低融点ガラス７７ヲ溶融充填し、
第２０図に示すように、上記基板７０の上面部および前
面部全平面研摩加工する。

また、巻線溝側のコア半休を形成するために、第２０図
に示すように加工の施した上記基板７０に巻線溝７８を
形成する溝加工を行ない、第２１図に示す強磁性酸化物
基板７９を得る。

つぎに、第２２図に示すように、上記基板７０と上記基
板７９とを上記金属薄膜７６が被着された側の平面部が
向かい合うようにしてギャングスペーツーを介して突き
合わせ、ガラスを用いて融着接合することでブロック８
０とする。

つぎに、上記グロック８０’ｋｂ−ｂ線、ｂ−ｂ線の位
置でスライシンダ加工することで、複数個のへ７ドチン
プを得ることができる。

その後、上記ヘントチツブの磁気テープ対接面を円筒研
摩することで、第１３図に示した磁気ヘッドとなる。

ここで、この磁気ヘッドのコア半体５１は上記基板７９
を母材としておシ、コア半体５２は上記基板７０？母材
としている。また、非磁性高硬度膜５７および５８は、
上記高硬度膜７４および７５に対応している。さらに、
強磁性金属薄膜５９は上記金属薄膜７６に対応し、非磁
性材５５，５６は上記高融点ガラス７２に対応し、非磁
性材６０は上記低融点ガラス７７に、対応している。ま
た、巻線穴６５は上記巻線溝７８に対応している０とこ
ろで、磁気コア半休音形成する強磁性酸化物としては、
Ｍｎ−Ｚｎフェライトの他にＮｉ−Ｚｎフェライト等を
用いてもよい。また、強磁性金属薄膜音形成する高透率
磁性材料としては、センダストの他にパーマロイや非晶
質合金を用いてもよい。

また、上記非磁性高硬度膜はスパッタリングによるばか
りではなく、蒸着、イオンブレーティング等を用いて形
成するようにしてもよい。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなよう、本発明によれば、強磁性
酸化物力・らなる磁気コア半休の接合面とは傾斜するよ
５に該接合面近傍に強磁性金属薄膜を形成しており、ま
た強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との間に非磁性高硬度
膜を配するようにしている。このため、強磁性金属薄膜
を被着するたとえばスパッタリング時の高温にさらされ
ても、上記非磁性高硬度膜によって強磁性酸化物中の酸
素原子の拡散が阻止されるため、強磁性酸化物界面部に
低酸素状態の変質層が形成さすることはない。

したがって、強磁性酸化物の軟磁性特性が劣化すること
はなく、磁気ヘッドの記録再生出力が低下されなくなる
。

また、このようにスパッタリング時に上記変質層が形成
されないこと力）ら、強磁性金属薄膜を被着するスパッ
タリング温度やスパッタリング温度ケラフに選ぶことが
でき製造しやすい磁気ヘッドとなっている。

また、強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との熱膨張係数の
差による熱応力は、上記非磁性高硬度膜で拡散されてし
まうため、スパッタリンダ終了後の冷却時や後工程での
ガラス融着時においても強磁性金属薄膜にひびや割れが
入ることはなく、該−金属薄膜の軟磁性特性の劣化が防
止されるようになる。これにより、さらに磁気ヘッドの
磁気特性が高められる。

また、このように強磁性金属薄膜へのひびや割れの混入
が防げること７＞ら、スパッタリンダ終了後の冷却条件
やガラス融着条件？緩い条件で管理でき、さらに製造し
やすい磁気ヘッドとなっている。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気ヘッドの斜視図、第２図は第１図の
磁気ヘッドの磁気テープ対接面を示す平面図、第３図は
本発明の一実施例となる磁気ヘッドの斜視図、第４図は
第３図の磁気ヘッドの磁気テープ対接面を示す平面図、
第５図乃至第１２図は第３図の磁気ヘッドを作製する工
程を順に示す斜視図、第１３図は本発明の他の実施例と
なる磁気ヘッドの斜視図、第１４図は第１３図の磁気ヘ
ッド対接面を示す平面図、第１５図乃至第２２図は第１
３図の磁気ヘッドを作製する工程を順に示す斜視図であ
る。１１．１２−・・磁気コア半休１５．１６，２０・・・非磁性材１７Ａ、１７Ｂ、１８Ａ、１８Ｂ・・・非磁性高硬度膜１９Ａ、１９Ｂ・・・強磁性金属薄膜２φ・・磁気ギャップ５１．５２・・・磁気コア半休５５．５６．６０・・・非磁性材５７．５８・・・非磁性高硬度膜５９・・・強磁性金属薄膜

Claims

【特許請求の範囲】

強磁性酸化物よりなる磁気コア半体対の接合面に真空薄
膜形成技術により強磁性金属薄膜を形成し、この磁気コ
ア半体対を突き合わせて磁気ギャップを形成してなる磁
気ヘッドにおいて、上記磁気ギャップ形成面と上記強磁
性金属薄膜形成面とが所要角度で傾斜しており、かつ前
記強磁性酸化物と前記強磁性金属薄膜との間に非磁性高
硬度膜が配されていることを特徴とする磁気ヘッド。