JPS62145522A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS62145522A JPS62145522A JP28553085A JP28553085A JPS62145522A JP S62145522 A JPS62145522 A JP S62145522A JP 28553085 A JP28553085 A JP 28553085A JP 28553085 A JP28553085 A JP 28553085A JP S62145522 A JPS62145522 A JP S62145522A
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- JP
- Japan
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- soft magnetic
- film
- gap
- magnetic alloy
- alloy film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに関する。
記録密度の向上に伴ない、記録波長が短くなり、これに
よりギャップ長は狭小化の一途をたどっている。さらに
ヘッド出力向上のために、磁気テープにメタルテープが
開発され、これに対応する高飽和磁束密度の軟磁性合金
膜をコア材に用いたヘッドが開発されている。(特開昭
49−127195号等)従来これら軟磁性合金膜をコ
ア材に用いたヘッドでは、一般にギャップをガラスを主
成分とするボンティング材を用−)て突合せ接合により
形成するいわゆるボンディングタイプのヘッドであった
。しかしこのタイプのヘッドでは、ギャップの狭小化に
伴って要求されるギャップ長の制御を高精度で行なうこ
とが困難であり、歩留り低下にもつながっていた。
よりギャップ長は狭小化の一途をたどっている。さらに
ヘッド出力向上のために、磁気テープにメタルテープが
開発され、これに対応する高飽和磁束密度の軟磁性合金
膜をコア材に用いたヘッドが開発されている。(特開昭
49−127195号等)従来これら軟磁性合金膜をコ
ア材に用いたヘッドでは、一般にギャップをガラスを主
成分とするボンティング材を用−)て突合せ接合により
形成するいわゆるボンディングタイプのヘッドであった
。しかしこのタイプのヘッドでは、ギャップの狭小化に
伴って要求されるギャップ長の制御を高精度で行なうこ
とが困難であり、歩留り低下にもつながっていた。
斯る問題を是正してなるものとして、特開昭57−55
526号に記載された様に非磁性基板上に軟磁性合金膜
、ギャップスペーサ、qKi性合金合金膜次積層してな
る積層薄g伝気ヘッドが提案されている。すなわち、非
磁性基板上に第1の軟磁性合金膜を被層し、第1の軟磁
性合金膜の一部をアジマス角度を持つバイト等により切
削除去して斜面を持つ段差を形成し、この斜面上にAl
、0. l Sin、等の酸化物をギャップスペーサ膜
としてスパッタリング、蒸着等で成膜し、さらにその上
から第2の軟磁性合金膜を被層し該第2の軟磁性合金膜
上面と前記第1の軟磁性合金膜上面を厚さがトラック幅
相当分となるように研、翠しさらにその上面に保護膜を
形成し、前記第1及び第2の軟磁性合金膜では、さんだ
ギャップスペーサが磁気ヘッドの動作ギャップを形成す
るようにしてなるものである。
526号に記載された様に非磁性基板上に軟磁性合金膜
、ギャップスペーサ、qKi性合金合金膜次積層してな
る積層薄g伝気ヘッドが提案されている。すなわち、非
磁性基板上に第1の軟磁性合金膜を被層し、第1の軟磁
性合金膜の一部をアジマス角度を持つバイト等により切
削除去して斜面を持つ段差を形成し、この斜面上にAl
、0. l Sin、等の酸化物をギャップスペーサ膜
としてスパッタリング、蒸着等で成膜し、さらにその上
から第2の軟磁性合金膜を被層し該第2の軟磁性合金膜
上面と前記第1の軟磁性合金膜上面を厚さがトラック幅
相当分となるように研、翠しさらにその上面に保護膜を
形成し、前記第1及び第2の軟磁性合金膜では、さんだ
ギャップスペーサが磁気ヘッドの動作ギャップを形成す
るようにしてなるものである。
斯るM1気ヘッドによれば、ギャップ長は、スパッタリ
ング、蒸N等の膜堆積で行なえるので、藁梢度で制御出
来るという長所がある。しかしながら、今後、さらに一
層の記録成長の短匝艮化に伴ないギャップ長の狭小化が
行なわれた場合、St、@ + Al2O3等の酸化物
でギャップスペーサ膜を形成していては、ピンホールの
発生が多くなり、第1と第2の軟磁性合金膜との間が磁
気的ショート状態となり、また、ギャップ部の出猟抵抗
が小さくなり、第3図に示す様に再生出力の低下を招く
問題があった。
ング、蒸N等の膜堆積で行なえるので、藁梢度で制御出
来るという長所がある。しかしながら、今後、さらに一
層の記録成長の短匝艮化に伴ないギャップ長の狭小化が
行なわれた場合、St、@ + Al2O3等の酸化物
でギャップスペーサ膜を形成していては、ピンホールの
発生が多くなり、第1と第2の軟磁性合金膜との間が磁
気的ショート状態となり、また、ギャップ部の出猟抵抗
が小さくなり、第3図に示す様に再生出力の低下を招く
問題があった。
第4図は、5in2膜をスパッタリングで成膜した場合
の膜厚と抵抗匝の関係を示す特性図であって、同図から
膜厚3000./以下でピンホールが発生していること
が分る。これに対し、金属膜では約1000,4位まで
ピンホールは生じていないことが分る。
の膜厚と抵抗匝の関係を示す特性図であって、同図から
膜厚3000./以下でピンホールが発生していること
が分る。これに対し、金属膜では約1000,4位まで
ピンホールは生じていないことが分る。
ピンホールの発生を防止する方法には、例えば、特開昭
55−22275号に記載の様に、ギャップ部にアルミ
ニウムキーレート化合物をスピンコード法で形成し、絶
線性の良い被膜なす構成する方法があるが、この方法で
はギャップ長の狭小化には相度上問題がある。 ′ また、金属膜なギャップ部に配置したものとして、例え
ば特開昭57−203218号に記載の様に、Al +
Cu、t AtL等の良導体をギャンプ部忙配置する
ことにより、ギャップ部の磁気抵抗低下防止、もれ磁界
の増加によるヘッド効率低下の防止に効果があるが、一
般に良導体金属膜は、耐摩耗性に問題があり、VTR寺
の接触型磁気ヘッドでは軟磁性膜に比べて耐摩耗性が劣
るため、ギャップのだれが生じ、出力劣化の原因となる
。
55−22275号に記載の様に、ギャップ部にアルミ
ニウムキーレート化合物をスピンコード法で形成し、絶
線性の良い被膜なす構成する方法があるが、この方法で
はギャップ長の狭小化には相度上問題がある。 ′ また、金属膜なギャップ部に配置したものとして、例え
ば特開昭57−203218号に記載の様に、Al +
Cu、t AtL等の良導体をギャンプ部忙配置する
ことにより、ギャップ部の磁気抵抗低下防止、もれ磁界
の増加によるヘッド効率低下の防止に効果があるが、一
般に良導体金属膜は、耐摩耗性に問題があり、VTR寺
の接触型磁気ヘッドでは軟磁性膜に比べて耐摩耗性が劣
るため、ギャップのだれが生じ、出力劣化の原因となる
。
また、一般に、金属−酸化物との付層に比べ、金属と金
属との付層では金属と金属の何層力は弱(、例えば、ア
モルファス等の軟磁性合金膜上にCtbt付看し付層付
着力が弱(、ヘッド製造プロセスには耐えられない。金
属と金属の何層力向上のために、熱処理を施してお互い
金属を拡散させて接層する方法があるが、この方法によ
ると、ギャップ近傍の膜組成が変化し、特性劣化要因と
なる。特に軟磁性合金膜がアモルファス合金であった場
合には、熱処理を施すことも不可能である。
属との付層では金属と金属の何層力は弱(、例えば、ア
モルファス等の軟磁性合金膜上にCtbt付看し付層付
着力が弱(、ヘッド製造プロセスには耐えられない。金
属と金属の何層力向上のために、熱処理を施してお互い
金属を拡散させて接層する方法があるが、この方法によ
ると、ギャップ近傍の膜組成が変化し、特性劣化要因と
なる。特に軟磁性合金膜がアモルファス合金であった場
合には、熱処理を施すことも不可能である。
なお前記従来技術はギャップ材のピンホール疋よる効率
低下防止については配慮されていない。
低下防止については配慮されていない。
本発明の目的は、短波貴記録に伴う狭トラツク化におい
ても、電磁変換効率が良(ヘッド出力低下を招くことの
ないかつ歩留りの良い薄膜出猟ヘッドを提供することに
ある。
ても、電磁変換効率が良(ヘッド出力低下を招くことの
ないかつ歩留りの良い薄膜出猟ヘッドを提供することに
ある。
本発明の特徴は、ギャップ材圧、軟磁性合金膜の成分に
含まれる非磁性で、かつ少なくとも軟磁性合金膜よりも
耐摩耗性の優れた金属を用いたことである。これにより
、軟磁性合金膜との親和性が良く、付着力が向上し、か
つギャップのだれが生じない状態で、ピンホールによる
出猟抵抗の低下をなくすことが出来る。
含まれる非磁性で、かつ少なくとも軟磁性合金膜よりも
耐摩耗性の優れた金属を用いたことである。これにより
、軟磁性合金膜との親和性が良く、付着力が向上し、か
つギャップのだれが生じない状態で、ピンホールによる
出猟抵抗の低下をなくすことが出来る。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。巣1
図は本発明の一実施例な示す薄膜磁気ヘッドのテープ摺
動面の正面図である。同図において、1はガラス等から
なる非母性基板、224は例えばCo −Nb−Zr系
のアモルファス等からなる軟磁性合金膜を示し、該合金
膜の相対向する面は図示の如(傾斜している。3は軟磁
性合金膜2?4の相対向する面及び軟磁性合金膜4と基
板1との間に設けられた略り字状のギャップスペーサ膜
を示し、該ギャップスペーサ膜は前記軟磁性合金膜の構
成元素を少なくとも一種類例えばZγ+Nb等を含む金
h4膜からなる。またギャップスペーサ膜3は単体元素
である必要はなく、第1の軟磁性合金膜2の構成元素の
ある元素が、少なくとも一種類含まれており、かつ非出
性であれば、多元素合金膜でもよい。また実施例では、
Zr j Nh等の金属をギャップ材の一成分としてい
るが、これは例えば第1及び第2の軟磁性合金膜2の構
成元素にB等のメタロイド(bhtalloicL )
が含まれている場合には、これをギャップ材の構成元系
としてもよい。また、更に第1を第2の軟磁性合金膜2
ν4の構成元素が異なる場合には、少なくともどちらか
一方に含まれている元素をギャップ材の構成元素とすれ
ば良い。
図は本発明の一実施例な示す薄膜磁気ヘッドのテープ摺
動面の正面図である。同図において、1はガラス等から
なる非母性基板、224は例えばCo −Nb−Zr系
のアモルファス等からなる軟磁性合金膜を示し、該合金
膜の相対向する面は図示の如(傾斜している。3は軟磁
性合金膜2?4の相対向する面及び軟磁性合金膜4と基
板1との間に設けられた略り字状のギャップスペーサ膜
を示し、該ギャップスペーサ膜は前記軟磁性合金膜の構
成元素を少なくとも一種類例えばZγ+Nb等を含む金
h4膜からなる。またギャップスペーサ膜3は単体元素
である必要はなく、第1の軟磁性合金膜2の構成元素の
ある元素が、少なくとも一種類含まれており、かつ非出
性であれば、多元素合金膜でもよい。また実施例では、
Zr j Nh等の金属をギャップ材の一成分としてい
るが、これは例えば第1及び第2の軟磁性合金膜2の構
成元素にB等のメタロイド(bhtalloicL )
が含まれている場合には、これをギャップ材の構成元系
としてもよい。また、更に第1を第2の軟磁性合金膜2
ν4の構成元素が異なる場合には、少なくともどちらか
一方に含まれている元素をギャップ材の構成元素とすれ
ば良い。
具体的には軟磁性合金膜侠に応じて下表の如(選ばれる
。
。
(以下余白)
即ち軟硼性材成分のうち、Ft s Co + Ni以
外の金属元素単体、あるいは前記金属元素を含む合金を
ギャップ材に使用すればよい。
外の金属元素単体、あるいは前記金属元素を含む合金を
ギャップ材に使用すればよい。
なお5は軟磁性合金膜214上に形成された、フォルス
テ等からなる保護膜である。
テ等からなる保護膜である。
斯る磁気ヘッドは次のように製造される。即ちまず非磁
性基板1上にCo−Nb−Zr系のアモルファス等の第
1の軟磁性合金膜2を形成し、該第1の軟磁性合金膜の
一部をアジマス角度を待つバイト等により切削除去して
斜面を持つ段層を形成する。次にこの斜面上にギャップ
スペーサ膜3を形成する。しかるのちその上から第2の
軟磁性合金膜4を被潰し、該第2の軟磁性合金膜4上面
と前記第1の軟磁性合金膜2上面を厚さがトラック幅相
当分となる様に研摩しさらにその上面にフォルステ等の
保護膜5を形成すればよい。
性基板1上にCo−Nb−Zr系のアモルファス等の第
1の軟磁性合金膜2を形成し、該第1の軟磁性合金膜の
一部をアジマス角度を待つバイト等により切削除去して
斜面を持つ段層を形成する。次にこの斜面上にギャップ
スペーサ膜3を形成する。しかるのちその上から第2の
軟磁性合金膜4を被潰し、該第2の軟磁性合金膜4上面
と前記第1の軟磁性合金膜2上面を厚さがトラック幅相
当分となる様に研摩しさらにその上面にフォルステ等の
保護膜5を形成すればよい。
第5図は各稲材料による摩耗量を比較して示した特性図
である。同図から耐摩耗性の点ではZr単体が最も良い
ことが分る。しかしこの場合アモルファスとZrとの摩
耗量の差があまりに大さくキャップ材のZrが突出した
形状で摩耗してしまいかえってスペーシングミスを増大
させてしまう。このスペーシングミスを考慮すれば、Z
rにCrあるいはNb?:数チ含んだ合金が適している
。また同図から酸化膜Iは耐摩耗性が悪いことが分ろに
れはスパッタあるいはM−JF等で成膜した場合良(見
られる現象であるが、スパッタあるいは蒸着等で酸化膜
を成膜すると酸欠状態になり(膜組成がバルク組成に比
べ、酸素が少なくなる)、この為、緻密7c膜が出来な
い為である。これはギャップショートの原因ともなる。
である。同図から耐摩耗性の点ではZr単体が最も良い
ことが分る。しかしこの場合アモルファスとZrとの摩
耗量の差があまりに大さくキャップ材のZrが突出した
形状で摩耗してしまいかえってスペーシングミスを増大
させてしまう。このスペーシングミスを考慮すれば、Z
rにCrあるいはNb?:数チ含んだ合金が適している
。また同図から酸化膜Iは耐摩耗性が悪いことが分ろに
れはスパッタあるいはM−JF等で成膜した場合良(見
られる現象であるが、スパッタあるいは蒸着等で酸化膜
を成膜すると酸欠状態になり(膜組成がバルク組成に比
べ、酸素が少なくなる)、この為、緻密7c膜が出来な
い為である。これはギャップショートの原因ともなる。
第6図はギャップ材に金属族(Zr)tとは化膜(5i
ot )を用いそれらのギャップ長を0.3−とした時
のヘッド特性を示す図である。同図から明らかのように
実線で示す金属膜ギャップは点線で示す酸化膜ギャップ
に比べ出力で3〜4ctE 。
ot )を用いそれらのギャップ長を0.3−とした時
のヘッド特性を示す図である。同図から明らかのように
実線で示す金属膜ギャップは点線で示す酸化膜ギャップ
に比べ出力で3〜4ctE 。
インダクタンスで1〜2dB改善されているのが分る。
これは明らかにギャップショートが生じていないことを
証明している。
証明している。
また実施例の如くヘッドギャップ材として金属膜を用い
たものによれば、ギャップ長は1000A位まで小さく
することがoT能であり、最近、市販されているカメラ
一体型VTR(8mmビテビデのμ口(ギャップ長0.
25〜0.3μmのものに十分適用できる。
たものによれば、ギャップ長は1000A位まで小さく
することがoT能であり、最近、市販されているカメラ
一体型VTR(8mmビテビデのμ口(ギャップ長0.
25〜0.3μmのものに十分適用できる。
第2図は本発明の他の実施例を示し、基板1上にアモル
ファス等の軟磁性合金膜よりなる下部コア6を形成し、
次に上記下部コア6の構成元素を含む金属膜を被着し、
ギャップスペーサ膜3を形成し、薄1嘆コイル(図示せ
ず)を形成した後、上部コア7をアモルファス等の軟磁
性合金膜で形成し、パターニングを施してなるものであ
る。
ファス等の軟磁性合金膜よりなる下部コア6を形成し、
次に上記下部コア6の構成元素を含む金属膜を被着し、
ギャップスペーサ膜3を形成し、薄1嘆コイル(図示せ
ず)を形成した後、上部コア7をアモルファス等の軟磁
性合金膜で形成し、パターニングを施してなるものであ
る。
斯る実施例も上記実施例と同様の効果を得ることが出来
る。
る。
本発明によれば、ギャップの狭小化においても、ギャッ
プショートによる磁気抵抗低下がな(、かつ耐摩耗性、
付着力の十分な薄膜磁気ヘッドを得ることができ、これ
によって電磁変換効率歩留りを上げることが出来る効果
がある。
プショートによる磁気抵抗低下がな(、かつ耐摩耗性、
付着力の十分な薄膜磁気ヘッドを得ることができ、これ
によって電磁変換効率歩留りを上げることが出来る効果
がある。
第1図は本発明の一実施例を示す薄膜出猟ヘッドのテー
プ摺動面の正面図、第2図は本発明の他の実施例を示す
正面図、第3図はヘッド出力を示す図、第4図はSiO
,膜厚と抵抗との関係を示す図、第5図ツ第6図は本発
明の説明に係する特性図である。 1・・・基板 2・・・第1の軟磁性合金膜 5・・・ギャップスペーサ膜 4・・・第2の軟磁性6合金膜 5・・・保護膜 6・・・下部コア 7・・・上部コア ゛ −二二・ 代理人弁理士 小 川 勝 男、1 第1 口 l′ 12図 雫3図 IM SN 旧浪軟 も4区 ICK)0 2000 JOoo
4000Si02膜浮(A)
プ摺動面の正面図、第2図は本発明の他の実施例を示す
正面図、第3図はヘッド出力を示す図、第4図はSiO
,膜厚と抵抗との関係を示す図、第5図ツ第6図は本発
明の説明に係する特性図である。 1・・・基板 2・・・第1の軟磁性合金膜 5・・・ギャップスペーサ膜 4・・・第2の軟磁性6合金膜 5・・・保護膜 6・・・下部コア 7・・・上部コア ゛ −二二・ 代理人弁理士 小 川 勝 男、1 第1 口 l′ 12図 雫3図 IM SN 旧浪軟 も4区 ICK)0 2000 JOoo
4000Si02膜浮(A)
Claims (1)
- 非磁性基板上に軟磁性合金からなる第1の磁気コアを形
成し、その上に磁気ギャップとなるギャップスペーサ膜
を形成しさらにその上に軟磁性合金からなる第2の磁気
コアを形成してなる積層型薄膜磁気ヘッドにおいて、上
記ギャップ材が、第1または第2の磁気コアの軟磁性合
金の構成元素を少なくとも一種類含む金属膜からなるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28553085A JPS62145522A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28553085A JPS62145522A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62145522A true JPS62145522A (ja) | 1987-06-29 |
JPH0531201B2 JPH0531201B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=17692723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28553085A Granted JPS62145522A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62145522A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6095714A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
JPS60223012A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-07 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP28553085A patent/JPS62145522A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6095714A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
JPS60223012A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-07 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0531201B2 (ja) | 1993-05-12 |
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