JPS63279404A - 複合型磁気ヘッド - Google Patents
複合型磁気ヘッドInfo
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- JPS63279404A JPS63279404A JP11499887A JP11499887A JPS63279404A JP S63279404 A JPS63279404 A JP S63279404A JP 11499887 A JP11499887 A JP 11499887A JP 11499887 A JP11499887 A JP 11499887A JP S63279404 A JPS63279404 A JP S63279404A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、フェライト等の強磁性酸化物を主体とし、
作動ギャップ近傍に金属磁性体を用いた複合型磁気ヘッ
ドの改良に係り、金属磁性体との接合部に生じた磁気的
な疑似ギャップをなくし、磁気特性、例えば、再生出力
の周波数特性のうねり等を防止してフラットな出力特性
を有し、また、製造性の良い構成からなり、高保磁力を
有する記録媒体を用いる各種の磁気記録再生装置に適し
た複合型磁気ヘッドに関する。
作動ギャップ近傍に金属磁性体を用いた複合型磁気ヘッ
ドの改良に係り、金属磁性体との接合部に生じた磁気的
な疑似ギャップをなくし、磁気特性、例えば、再生出力
の周波数特性のうねり等を防止してフラットな出力特性
を有し、また、製造性の良い構成からなり、高保磁力を
有する記録媒体を用いる各種の磁気記録再生装置に適し
た複合型磁気ヘッドに関する。
背景技術
近年、磁気記録分野では、記録信号の高密度化の要望に
ともない、高保磁力を有する所謂メタル系記録媒体が使
用されてきている。例えば、FDD、 HDD、 VT
R,電算機用磁気テープ記憶装置、5−DAT、スチル
ビデオフロッピー等多種多様の記録形態の磁気記録再生
装置に使用されつつある。
ともない、高保磁力を有する所謂メタル系記録媒体が使
用されてきている。例えば、FDD、 HDD、 VT
R,電算機用磁気テープ記憶装置、5−DAT、スチル
ビデオフロッピー等多種多様の記録形態の磁気記録再生
装置に使用されつつある。
メタルテープのような高い残留磁束密度を持つ磁気記録
媒体に、磁気記録・再生する磁気ヘッドは、その磁気ギ
ャップに発生させる磁界強度を従来より高くする必要が
あった。
媒体に、磁気記録・再生する磁気ヘッドは、その磁気ギ
ャップに発生させる磁界強度を従来より高くする必要が
あった。
一方、単結晶フェライトの如き強磁性酸化物よりなる磁
気コアを半割体として、その一対を突合せ、突合せ部を
磁気ギャップとした構成からなる磁気ヘッドの場合、そ
のギャップを形成しているフェライトのBsがせいぜい
6000Gと低いため、十分な記録磁界強度が取れない
問題があった。
気コアを半割体として、その一対を突合せ、突合せ部を
磁気ギャップとした構成からなる磁気ヘッドの場合、そ
のギャップを形成しているフェライトのBsがせいぜい
6000Gと低いため、十分な記録磁界強度が取れない
問題があった。
そこで、強磁性酸化物を主体とした磁気ヘッドにおいで
、磁気ヘッドの磁気ギャップ近傍部を、フェライトより
飽和磁束密度Bsの高い金属磁性薄膜にて構成した所謂
複合型磁気ヘッドが種々提案されている。
、磁気ヘッドの磁気ギャップ近傍部を、フェライトより
飽和磁束密度Bsの高い金属磁性薄膜にて構成した所謂
複合型磁気ヘッドが種々提案されている。
例えば、第5図a、bに示す従来の複合型磁気ヘッドの
媒体対向面の概略図にて説明すると、′複合型6n気ヘ
ッドは、単結晶フェライトのような強磁性酸化物よりな
る一対の磁気コア半休片(IO2)の各突合せ面(1a
X2a)に、スパッタリング法の如き真空薄膜形成技術
を用いて金属磁性薄膜(3X4)を形成したのち、該磁
気コア半休片(IO2)を突き合せて、磁気ギャップ(
5)を形成する構成からなる。
媒体対向面の概略図にて説明すると、′複合型6n気ヘ
ッドは、単結晶フェライトのような強磁性酸化物よりな
る一対の磁気コア半休片(IO2)の各突合せ面(1a
X2a)に、スパッタリング法の如き真空薄膜形成技術
を用いて金属磁性薄膜(3X4)を形成したのち、該磁
気コア半休片(IO2)を突き合せて、磁気ギャップ(
5)を形成する構成からなる。
また、かかる構成からなる複合型磁気ヘッドの金属磁性
薄膜には、次のような特性が要求され、下記要求を満た
す材料として、Fe−Al−Si系の金属磁性薄膜があ
る。
薄膜には、次のような特性が要求され、下記要求を満た
す材料として、Fe−Al−Si系の金属磁性薄膜があ
る。
■フェライト材のBsより高いBsを有すること■剛摩
耗性にすぐれていること ■熱的安定性にすぐれていること ■高い周波数(例えば、IOM)(z )での透磁率が
すぐれていること 従来技術の問題点 前述の金属磁性薄膜にFe−Al−Si系合金膜を用い
た複合型磁気ヘッドは、メタルテープの使用に対応する
諸条件を満足するすぐれた磁気ヘッドとして多用されて
いる。しかし、さらに以下の問題があった。
耗性にすぐれていること ■熱的安定性にすぐれていること ■高い周波数(例えば、IOM)(z )での透磁率が
すぐれていること 従来技術の問題点 前述の金属磁性薄膜にFe−Al−Si系合金膜を用い
た複合型磁気ヘッドは、メタルテープの使用に対応する
諸条件を満足するすぐれた磁気ヘッドとして多用されて
いる。しかし、さらに以下の問題があった。
第6図の磁気ヘッドの模式図にて説明すると、磁気コア
(1)(2)の突合せ面上に、金属磁性薄膜(3X4)
を被着形成する際に、薄膜形成条件やコア(IO2)と
薄膜(3)(4)の熱膨張係数の差等により、金属磁性
薄膜の被着初期層の磁気特性が劣化し、磁気コア(IO
2)との接合部(1bX2b)に磁気的な不連続が生じ
、このような複合型磁気ヘッドで再生した時、接合部(
1bX2b)が疑似ギャップとして働き、第7図に示す
ような疑似ピークが現われ、再生出力の周波数特性にう
ねりを生じる問題があった。
(1)(2)の突合せ面上に、金属磁性薄膜(3X4)
を被着形成する際に、薄膜形成条件やコア(IO2)と
薄膜(3)(4)の熱膨張係数の差等により、金属磁性
薄膜の被着初期層の磁気特性が劣化し、磁気コア(IO
2)との接合部(1bX2b)に磁気的な不連続が生じ
、このような複合型磁気ヘッドで再生した時、接合部(
1bX2b)が疑似ギャップとして働き、第7図に示す
ような疑似ピークが現われ、再生出力の周波数特性にう
ねりを生じる問題があった。
また、磁気コア(1)(2)の突合せ面の金属磁性薄膜
の被着予定面に加工歪層があると、接合部(1b)に磁
気的な不連続が生じて前記と同様に疑似ギャップとして
働くことが判明した。
の被着予定面に加工歪層があると、接合部(1b)に磁
気的な不連続が生じて前記と同様に疑似ギャップとして
働くことが判明した。
このような疑似ギャップ生成問題に対しては、一般には
、アジマスロスを利用し、疑似ギャップとなる接合部(
1bX2b)と磁気ギャップ(5)とが非平行になるよ
うに、例えば、第5図に示す如く、所定のアジマス角を
設けることにより対処していた。
、アジマスロスを利用し、疑似ギャップとなる接合部(
1bX2b)と磁気ギャップ(5)とが非平行になるよ
うに、例えば、第5図に示す如く、所定のアジマス角を
設けることにより対処していた。
しかしながら、前記第5図に示すような構造では、該金
属磁性薄膜を20pm程度に厚く被着形成する必要があ
り、膜剥離による歩留低下、あるいは被着形成に長時間
を要して生産性が悪いなどの問題があった。
属磁性薄膜を20pm程度に厚く被着形成する必要があ
り、膜剥離による歩留低下、あるいは被着形成に長時間
を要して生産性が悪いなどの問題があった。
発明の目的
この発明は、高抗磁力Heを有する磁気記録媒体に高密
度記録再生するのに適した複合型磁気ヘッドを目的とし
、所謂疑似ギャップの生成を防止し、量生産にすぐれか
つ信頼性が高く、耐摩耗性の良好な複合型磁気ヘッドを
目的とする。
度記録再生するのに適した複合型磁気ヘッドを目的とし
、所謂疑似ギャップの生成を防止し、量生産にすぐれか
つ信頼性が高く、耐摩耗性の良好な複合型磁気ヘッドを
目的とする。
発明の構成
この発明は、強磁性酸化物を主体とする磁気コアの少な
くとも作動ギャップ近傍部が金属磁性体からなる複合型
磁気ヘッドにおいて、該金属磁性体がbcc構造を有す
る強磁性のFeまたはFe系合金薄膜とFe−Al−S
i系合金薄膜とからなり、無歪高平坦度面となした強磁
性酸化物表面とFe−Al−Si系合金薄膜の間にbc
c構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜が形
成されていることを特徴とする複合型磁気ヘッドである
。
くとも作動ギャップ近傍部が金属磁性体からなる複合型
磁気ヘッドにおいて、該金属磁性体がbcc構造を有す
る強磁性のFeまたはFe系合金薄膜とFe−Al−S
i系合金薄膜とからなり、無歪高平坦度面となした強磁
性酸化物表面とFe−Al−Si系合金薄膜の間にbc
c構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜が形
成されていることを特徴とする複合型磁気ヘッドである
。
すなわち、この発明の複合磁気ヘッドは、例えば、Ni
−Zr1フエライトやMn−Znフェライトなどの強磁
性酸化物よりなる磁気コア半休片の突合せ面となる表面
を、メカノケミカル研摩、フロートポリッシュ等の無歪
加工により高精度平坦面で無歪の面に加工した後、該面
上にbcc構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金
膜を被着形成し、さらに、Fe−Al−Si系合金薄膜
、所謂センダスト膜を被着形成し、所定形状に加工した
のち、該磁気コア半休片を突き合せて磁気ギャップを形
成した構成からなることを特徴とする。
−Zr1フエライトやMn−Znフェライトなどの強磁
性酸化物よりなる磁気コア半休片の突合せ面となる表面
を、メカノケミカル研摩、フロートポリッシュ等の無歪
加工により高精度平坦面で無歪の面に加工した後、該面
上にbcc構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金
膜を被着形成し、さらに、Fe−Al−Si系合金薄膜
、所謂センダスト膜を被着形成し、所定形状に加工した
のち、該磁気コア半休片を突き合せて磁気ギャップを形
成した構成からなることを特徴とする。
この発明による複合型磁気ヘッドは、磁気コア半休の突
き合わせ面上に所要順序に積層された積層構造の金属磁
性体を特徴とし、bCC構造を有する強磁性のFeまた
はFe系合金薄膜とFe−Al−Si系合金薄膜とから
なる2層構造はもちろん、磁気コア半休の強磁性酸化物
とbcc構造を有する強磁性のFeまたはFe合金膜、
及びFeまたはFe合金膜とFe−Si−AI系合金膜
のそれぞれの接合面の一方または両方の接合面に生成し
た拡散層を有する積層構造の場合をも含む。
き合わせ面上に所要順序に積層された積層構造の金属磁
性体を特徴とし、bCC構造を有する強磁性のFeまた
はFe系合金薄膜とFe−Al−Si系合金薄膜とから
なる2層構造はもちろん、磁気コア半休の強磁性酸化物
とbcc構造を有する強磁性のFeまたはFe合金膜、
及びFeまたはFe合金膜とFe−Si−AI系合金膜
のそれぞれの接合面の一方または両方の接合面に生成し
た拡散層を有する積層構造の場合をも含む。
発明の効果
この発明の特徴であるFe−Al−Si系合金薄膜とb
cc構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜の
2層構造の金属磁性体を、強磁性酸化物磁気コア面に設
けることにより、高抗磁力Hcを有する磁気記録媒体に
高密度記録再生するのに適した複合型磁気ヘッドが得ら
れ、所謂疑似ギャップを実質的になくし、周波数特性の
うねりが著しく減少し、また、金属磁性体は比較的薄い
膜でよく、その被着形成に時間を要せず生産性にすぐれ
、かつ信頼性が高く、耐摩耗性の良好な複合型磁気ヘッ
ドが得られる。
cc構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜の
2層構造の金属磁性体を、強磁性酸化物磁気コア面に設
けることにより、高抗磁力Hcを有する磁気記録媒体に
高密度記録再生するのに適した複合型磁気ヘッドが得ら
れ、所謂疑似ギャップを実質的になくし、周波数特性の
うねりが著しく減少し、また、金属磁性体は比較的薄い
膜でよく、その被着形成に時間を要せず生産性にすぐれ
、かつ信頼性が高く、耐摩耗性の良好な複合型磁気ヘッ
ドが得られる。
かかる効果が得られる理由を詳述する。
前述した疑似ギャップの原因の1つとして考えられるF
e−Al−Si合金薄膜の初期劣化層は、通常のスパッ
タ法や真空蒸着法の成膜条件を種々変更しても容易に除
くことが出来ない。
e−Al−Si合金薄膜の初期劣化層は、通常のスパッ
タ法や真空蒸着法の成膜条件を種々変更しても容易に除
くことが出来ない。
この理由は明らかでないが、第8図に示す、スパッタ法
によるセンダスト膜の磁気特性に及ぼす膜厚の影響との
関係を見れば明らかな如く、膜厚が薄くなるに従って、
透磁率は著しく低下することがわかる。
によるセンダスト膜の磁気特性に及ぼす膜厚の影響との
関係を見れば明らかな如く、膜厚が薄くなるに従って、
透磁率は著しく低下することがわかる。
従って、磁気コア半休との界面に近い側の数1000人
の部分は、それより上の部分に比べて透磁率が著しく低
くなり、これが疑似ギャップとして動いていると推察さ
れる。
の部分は、それより上の部分に比べて透磁率が著しく低
くなり、これが疑似ギャップとして動いていると推察さ
れる。
本発明者らが種々検討の結果、Fe−Al−Si合金薄
膜の初期層の磁気特性が著しく劣化するのは、磁気コア
半対を構成する強磁性酸化物に直接Fe−Al−Si膜
を成膜した場合、その成膜初期において結晶配向が乱れ
易くなり、熱処理を行なっても強磁性酸化物との界面付
近では再結晶及び粒成長が十分起こり難いためであると
考えられる。
膜の初期層の磁気特性が著しく劣化するのは、磁気コア
半対を構成する強磁性酸化物に直接Fe−Al−Si膜
を成膜した場合、その成膜初期において結晶配向が乱れ
易くなり、熱処理を行なっても強磁性酸化物との界面付
近では再結晶及び粒成長が十分起こり難いためであると
考えられる。
そこで、Fe−Al−Si合金膜と同bcc構造を有す
る強磁性のFeまたはFe合金膜を、最初に強磁性酸化
物等からなる基板上に成膜し、次いで、Fe−Al−S
i合金膜を成膜すれば、下地のFeまたはFe合金膜の
結晶配向に沿ったFe−Al−Si合金膜(いわゆるエ
ピタキシャル成長によるFe−Al−Si合金膜)が形
成されると考えられ、初期層の結晶配向の乱れが少なく
、熱処理により容易に軟磁気特性が向上することを知見
した。
る強磁性のFeまたはFe合金膜を、最初に強磁性酸化
物等からなる基板上に成膜し、次いで、Fe−Al−S
i合金膜を成膜すれば、下地のFeまたはFe合金膜の
結晶配向に沿ったFe−Al−Si合金膜(いわゆるエ
ピタキシャル成長によるFe−Al−Si合金膜)が形
成されると考えられ、初期層の結晶配向の乱れが少なく
、熱処理により容易に軟磁気特性が向上することを知見
した。
ここで注目すべきことは、Fe薄膜は単層では保磁力が
数Oeまでしか低下せず、磁気ヘッド用軟磁性膜として
は不十分であるにもかかわらず、Fe−Al−Si合金
膜と組み合わせた場合(Fe膜0.1pm、Fe−Al
−Si合金膜0.9pm)、困難軸の保磁力0.10e
以下、透磁率が約2800(10MHz)まで向上する
ことである。これは単に、公知の技術及び知見の組み合
わせからは全く予想の出来ないことである。
数Oeまでしか低下せず、磁気ヘッド用軟磁性膜として
は不十分であるにもかかわらず、Fe−Al−Si合金
膜と組み合わせた場合(Fe膜0.1pm、Fe−Al
−Si合金膜0.9pm)、困難軸の保磁力0.10e
以下、透磁率が約2800(10MHz)まで向上する
ことである。これは単に、公知の技術及び知見の組み合
わせからは全く予想の出来ないことである。
ずななわち、bcc構造を有する強磁性のFeは、真空
蒸着法やスパッタ法等で得られるが、第10回日本応用
磁気学会学術講演概要集 414頁等の文献にも記載さ
れているように、通常のFeスパッタ膜は保磁力が約1
00e以上と高く、透磁率も数百以下しか得られない。
蒸着法やスパッタ法等で得られるが、第10回日本応用
磁気学会学術講演概要集 414頁等の文献にも記載さ
れているように、通常のFeスパッタ膜は保磁力が約1
00e以上と高く、透磁率も数百以下しか得られない。
これでは磁気ヘッド用軟磁性膜としては不十分であるた
め、bcc溝造を有する強磁性のFeをそのまま磁気ヘ
ッド用材料に用いる試みは全く行なわれていない。また
、このような不十分な軟磁性膜とセンダスト合金膜を組
み合わせることも、従来、全く考えられていなかった。
め、bcc溝造を有する強磁性のFeをそのまま磁気ヘ
ッド用材料に用いる試みは全く行なわれていない。また
、このような不十分な軟磁性膜とセンダスト合金膜を組
み合わせることも、従来、全く考えられていなかった。
また、この発明は、Fe−Al−Si系合金膜とFeま
たはFe系合金膜の2層構造にしたことにより、膜の応
力を緩和する効果があり、熱処理後の膜の剥離を防止で
きる。
たはFe系合金膜の2層構造にしたことにより、膜の応
力を緩和する効果があり、熱処理後の膜の剥離を防止で
きる。
また、熱処理による2つの合金膜間に相互拡散が生じて
も両者ともに主成分がFeであるため、熱処理によりか
えって特性が劣化するという問題が生じ難いという利点
がある。
も両者ともに主成分がFeであるため、熱処理によりか
えって特性が劣化するという問題が生じ難いという利点
がある。
発明の好ましい実施態様
この発明において、複合型磁気ヘッドの構成は、金属磁
性体が無歪高平坦度面となした強磁性酸化物表面に被着
されるbcc溝造を有する強磁性のFeまたはFe系合
金薄膜とさらにその上に被着されるFe−Al−Si系
合金薄膜との積層構成であれば、公知のいかなる構成も
利用できる。
性体が無歪高平坦度面となした強磁性酸化物表面に被着
されるbcc溝造を有する強磁性のFeまたはFe系合
金薄膜とさらにその上に被着されるFe−Al−Si系
合金薄膜との積層構成であれば、公知のいかなる構成も
利用できる。
また、この発明において、磁気コア主体となる強磁性酸
化物には、Ni−ZnフェライトやMn−Znフェライ
トなどの単結晶フェライト、HIP処理された焼結フェ
ライトが利用できる。
化物には、Ni−ZnフェライトやMn−Znフェライ
トなどの単結晶フェライト、HIP処理された焼結フェ
ライトが利用できる。
この発明の特徴であるFeまたはFe合金膜は、前述の
如く、Fe−Al−Si系合金膜の成膜初期層の結晶配
向を促す目的のために、まず、bcc構造であること、
そしてFeまたはFe合金膜自体が疑似ギャップどなら
ないために強磁性であることが必要である。
如く、Fe−Al−Si系合金膜の成膜初期層の結晶配
向を促す目的のために、まず、bcc構造であること、
そしてFeまたはFe合金膜自体が疑似ギャップどなら
ないために強磁性であることが必要である。
また、その飽和磁束密度Bsは、基体となる強磁性酸化
物のBsの約70%以上は必要で、基体となる強磁性酸
化物のBsと同等以上が好ましい。
物のBsの約70%以上は必要で、基体となる強磁性酸
化物のBsと同等以上が好ましい。
保磁力は、数100e以下であれば使用可能であるが、
望ましくは100e以下、さらに好ましくは数OeC以
下良い。
望ましくは100e以下、さらに好ましくは数OeC以
下良い。
このFeまたはFe系合金膜の組成は、Feと不可避な
不純物からなるいわゆる純Feでも良く、また、主成分
をFeとし、副成分としてCo、 Ni、 Cu、Mn
、 Cr1V、 Mo1Nb、 Zr、 W、 Ta1
Hf、 Y。
不純物からなるいわゆる純Feでも良く、また、主成分
をFeとし、副成分としてCo、 Ni、 Cu、Mn
、 Cr1V、 Mo1Nb、 Zr、 W、 Ta1
Hf、 Y。
B、 C,AI、 Si、 Ru、 Rh、 Pd、
Pt、希土類元素の少なくとも1種以上と、不可避な不
純物を含有するFe合金膜でも良い。
Pt、希土類元素の少なくとも1種以上と、不可避な不
純物を含有するFe合金膜でも良い。
しかし、これら副成分の濃度は、前記のbcc構造と強
磁性の条件を満足する範囲を適宜選定する必要がある。
磁性の条件を満足する範囲を適宜選定する必要がある。
例えば、Feを添加したFe−Ni合金の場合、Niを
約50%以上含有し、蝕構造を有するパーマロイといわ
れる合金膜は、センダスト膜の初期層の結晶配向を促す
ことが出来ないので不適当である。
約50%以上含有し、蝕構造を有するパーマロイといわ
れる合金膜は、センダスト膜の初期層の結晶配向を促す
ことが出来ないので不適当である。
また、B、 Zr、 Hf等の非晶質形成元素を、およ
そ10原子〜20原子%添加すると非晶質Fe合金膜が
形成されるので、これも不適当である。
そ10原子〜20原子%添加すると非晶質Fe合金膜が
形成されるので、これも不適当である。
従って、前記の副成分の元素は各元素毎に、あるいは組
み合わせて添加する際に、前述の条件を満足するFeま
たはFe合金膜が形成されるが否が、公知の技術及び知
見によりその濃度を決定すれば良い。
み合わせて添加する際に、前述の条件を満足するFeま
たはFe合金膜が形成されるが否が、公知の技術及び知
見によりその濃度を決定すれば良い。
また、最外層に設けるFe−Al−Si系合金薄膜は、
所謂センダスト合金であり、従来より複合型磁気ヘッド
に多用されており、磁気ヘッドの用途等に応じて、公知
の組成が適宜選定し得るが、3〜10wt%AL 6〜
15wt%Si、 80〜90wt%Feの範囲の合金
が用いられることが多く、また、必要に応じて、Cr、
Ta、 Ni、 Co、 Mo、 Zr、希土類元素
などを添加するのもよい。
所謂センダスト合金であり、従来より複合型磁気ヘッド
に多用されており、磁気ヘッドの用途等に応じて、公知
の組成が適宜選定し得るが、3〜10wt%AL 6〜
15wt%Si、 80〜90wt%Feの範囲の合金
が用いられることが多く、また、必要に応じて、Cr、
Ta、 Ni、 Co、 Mo、 Zr、希土類元素
などを添加するのもよい。
磁気コア半休を構成する強磁性酸化物の表面に、bcc
構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜とさら
にその上にFe−Al−Si系合金薄膜を成膜するが、
その被着方法としては、各種スパッタリング法、真空蒸
着、イオンブレーティング、等の公知の気相成膜方法が
利用できる。
構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜とさら
にその上にFe−Al−Si系合金薄膜を成膜するが、
その被着方法としては、各種スパッタリング法、真空蒸
着、イオンブレーティング、等の公知の気相成膜方法が
利用できる。
好ましい被着方法、条件としては、いずれの方法におい
ても、到達真空度は高い程好ましく、少なくとも10’
Torr台以下の高真空にする必要があり、望ましくは
2 x 1O−6Torr以下、さらに望ましくはI
X 10’Torr以下が良い。
ても、到達真空度は高い程好ましく、少なくとも10’
Torr台以下の高真空にする必要があり、望ましくは
2 x 1O−6Torr以下、さらに望ましくはI
X 10’Torr以下が良い。
スパッタリング法を用いる場合には、アルゴンガス等の
不活性ガスをスパッタリングガスとして用いるが、この
圧力はスパッタ装置の構造によって適宜選定すれば良い
。
不活性ガスをスパッタリングガスとして用いるが、この
圧力はスパッタ装置の構造によって適宜選定すれば良い
。
例えば、マグネトロン式スパッタ装置の場合、ガス圧は
1xlO’Torr〜20xlO−3Torrが好まし
く、さらに好ましくは2xlO−3Torr〜8xlO
’Torrが好ましい。
1xlO’Torr〜20xlO−3Torrが好まし
く、さらに好ましくは2xlO−3Torr〜8xlO
’Torrが好ましい。
また基板温度は300”C以下が良いが、望ましくは2
00℃以下、さらに望ましくは100℃以下がよい。
00℃以下、さらに望ましくは100℃以下がよい。
さらに、bcc構造を有する強磁性のFeまたはFe系
合金薄膜を被着する強磁性酸化物表面の基板オ■度は好
ましくは40Å以下にする。その理由は、被着形成する
bcc構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜
の膜厚が数人−数千へと薄いために、強磁性酸化物の表
面状態、例えば、残留歪応力や粗度等に強く影響され、
磁気特性が悪化する可能性があるためである。
合金薄膜を被着する強磁性酸化物表面の基板オ■度は好
ましくは40Å以下にする。その理由は、被着形成する
bcc構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜
の膜厚が数人−数千へと薄いために、強磁性酸化物の表
面状態、例えば、残留歪応力や粗度等に強く影響され、
磁気特性が悪化する可能性があるためである。
発明者の実験によれば、bcc構造を有する強磁性のF
eまたはFe系合金薄膜の特性劣化は、強磁性酸化物の
表面粗度が該磁性膜厚の1110を境に顕著になるため
、強磁性酸化物表面粗度は、好ましくは100八以下、
さらに好ましくは40A以下がよい。
eまたはFe系合金薄膜の特性劣化は、強磁性酸化物の
表面粗度が該磁性膜厚の1110を境に顕著になるため
、強磁性酸化物表面粗度は、好ましくは100八以下、
さらに好ましくは40A以下がよい。
かかる強磁性酸化物表面の無歪、高平坦度状態を得る方
法としては、メカノケミカル研摩、フロートポリッシン
グ、ダイヤモンド研摩の後メカノケミカル研摩する方法
、あるいはダイヤモンド研摩の後メカノケミカル研摩し
、さらにフロートポリッシングする方法が良い。
法としては、メカノケミカル研摩、フロートポリッシン
グ、ダイヤモンド研摩の後メカノケミカル研摩する方法
、あるいはダイヤモンド研摩の後メカノケミカル研摩し
、さらにフロートポリッシングする方法が良い。
また、この発明において、メカノケミカル研摩法として
は、粒径0.1pm以下のMgO、ZrO2、Al2O
3,5i02等の単独または混合微粉末を、純水中に0
.5wt%〜20wt%懸濁させた懸濁液を用い、該懸
濁液中において、例えば、硬質クロス、はんだ、Sn等
からなる円盤型ポリラシャ−を回転可能に配設して、被
加工材をこの懸濁液中でポリノシャー表面に所定荷重で
当接させ、両者を相対的に回転させて研摩を行なうが好
ましい。
は、粒径0.1pm以下のMgO、ZrO2、Al2O
3,5i02等の単独または混合微粉末を、純水中に0
.5wt%〜20wt%懸濁させた懸濁液を用い、該懸
濁液中において、例えば、硬質クロス、はんだ、Sn等
からなる円盤型ポリラシャ−を回転可能に配設して、被
加工材をこの懸濁液中でポリノシャー表面に所定荷重で
当接させ、両者を相対的に回転させて研摩を行なうが好
ましい。
前記研摩方法において、ポリラシャ−材及び回転速度、
荷重圧力は微細粉末の粒径や純水中の懸濁量、被加工材
等の条件により適宜選定すればよいが、ラップ圧力;
0.01 kg/cm2〜1 kg/cm2、回転速度
; 10m/min〜100m/min、の条件が好ま
しい。また、前記単独または混合微細粉末粒径は0.1
pmを越えると、引っかき疵が生じるため、粒径0.1
pm以下が好ましい。
荷重圧力は微細粉末の粒径や純水中の懸濁量、被加工材
等の条件により適宜選定すればよいが、ラップ圧力;
0.01 kg/cm2〜1 kg/cm2、回転速度
; 10m/min〜100m/min、の条件が好ま
しい。また、前記単独または混合微細粉末粒径は0.1
pmを越えると、引っかき疵が生じるため、粒径0.1
pm以下が好ましい。
この発明において、bcc構造を有する強磁性のFeま
たはFe合金膜とFe−Al−Si合金膜とからなる金
属磁性体厚みは、合金磁性膜の磁気特性、ヘッドの生産
性、信頼性より、0.3pm〜30pm、望ましくは、
0.5pm〜20pmである。
たはFe合金膜とFe−Al−Si合金膜とからなる金
属磁性体厚みは、合金磁性膜の磁気特性、ヘッドの生産
性、信頼性より、0.3pm〜30pm、望ましくは、
0.5pm〜20pmである。
さらに、この発明の特徴であるbcc構造を有するFe
またはFe系合金膜の被着厚みは、Fe−Al−Si合
金膜の結晶配向を促す目的のためには0.001pm以
上必要で、望ましくは0.01pm以上さらに望ましく
は0.1pm以上が好ましい。しかし2pm以上の厚さ
になると金属磁性膜全体の磁気特性が劣化するので2p
m以下、望ましくはlpm以下、さらに望ましくは0.
5pm以下が良い。
またはFe系合金膜の被着厚みは、Fe−Al−Si合
金膜の結晶配向を促す目的のためには0.001pm以
上必要で、望ましくは0.01pm以上さらに望ましく
は0.1pm以上が好ましい。しかし2pm以上の厚さ
になると金属磁性膜全体の磁気特性が劣化するので2p
m以下、望ましくはlpm以下、さらに望ましくは0.
5pm以下が良い。
またFe−Al−Si系合金膜の厚みは、高保磁力媒体
に十分に飽和記録するためには、0.1pm以上が必要
であり、高い磁気特性(透磁率、保磁力)を安定して確
保でき、かつ潰れた加工性を得るには、30pm以下、
望ましくは20pm以下、さらに望ましくは10pm以
下である。
に十分に飽和記録するためには、0.1pm以上が必要
であり、高い磁気特性(透磁率、保磁力)を安定して確
保でき、かつ潰れた加工性を得るには、30pm以下、
望ましくは20pm以下、さらに望ましくは10pm以
下である。
また、上記金属磁性体は、強磁性酸化物からなる磁気コ
ア半体対のギャップ近傍部の一方の磁気コア半休だけに
形成されても良いし、両方に形成されても良い。
ア半体対のギャップ近傍部の一方の磁気コア半休だけに
形成されても良いし、両方に形成されても良い。
また、磁気コア半体対の両方に形成される場合、それぞ
れの金属磁性体の膜厚構成は、上記した膜厚範囲内なら
ば良く、統一する必要はない。
れの金属磁性体の膜厚構成は、上記した膜厚範囲内なら
ば良く、統一する必要はない。
このようにして二層に被着された金属磁性膜の磁気特性
を向上させる目的で必要に応じて熱処理を行うとよい。
を向上させる目的で必要に応じて熱処理を行うとよい。
熱処理は、成膜後加工前に行なっても良く、また、磁気
ヘッドの形状に加工してから行なっても良いし、さらに
また磁気へラドコアの半休対のボンディング加工を行な
う際にガラス溶着のための加熱を熱処理と併用しても良
い。
ヘッドの形状に加工してから行なっても良いし、さらに
また磁気へラドコアの半休対のボンディング加工を行な
う際にガラス溶着のための加熱を熱処理と併用しても良
い。
熱処理の温度と時間は、金属磁性膜の磁気特性を向上さ
せるのに十分な温度と時間を適宜選定すると同時に、磁
気コア半休を構成する強磁性酸化物との熱膨張係数差、
磁気コア半休を構成する強磁性酸化物の耐熱性、強磁性
酸化物とFeまたはFe系合金膜と、Fe−Al−Si
系合金膜との3者間の相互拡欣を同時に考慮して選定す
べきであって、使用した強磁性酸化物、及び金属磁性膜
の組成によって適宜選定する必要がある。
せるのに十分な温度と時間を適宜選定すると同時に、磁
気コア半休を構成する強磁性酸化物との熱膨張係数差、
磁気コア半休を構成する強磁性酸化物の耐熱性、強磁性
酸化物とFeまたはFe系合金膜と、Fe−Al−Si
系合金膜との3者間の相互拡欣を同時に考慮して選定す
べきであって、使用した強磁性酸化物、及び金属磁性膜
の組成によって適宜選定する必要がある。
通常温度は300’C以上、800℃以下が好ましく、
さらに400℃以上、600℃以下がより好ましい。時
間は1分以上、1000時間以下が好ましく、さらには
10分以上、100時間以下がより好ましい。
さらに400℃以上、600℃以下がより好ましい。時
間は1分以上、1000時間以下が好ましく、さらには
10分以上、100時間以下がより好ましい。
冷却速度も熱処理温度、時間と同様に使用した強磁性酸
化物、及び金属磁性膜の組成によって適宜選定する必要
があるが、通常、1℃/hr以上、10000℃/hr
以下が好ましいが、50℃/hr〜600℃/hrの範
囲がより好ましい。
化物、及び金属磁性膜の組成によって適宜選定する必要
があるが、通常、1℃/hr以上、10000℃/hr
以下が好ましいが、50℃/hr〜600℃/hrの範
囲がより好ましい。
雰囲気は、金属磁性膜及び強磁性酸化物の磁気特性を著
しく劣化させるものでなければどのような雰囲気でも良
いが、真空または不活性ガスまたは窒素ガス中が好まし
い。
しく劣化させるものでなければどのような雰囲気でも良
いが、真空または不活性ガスまたは窒素ガス中が好まし
い。
このようにして熱処理を行なった場合、熱処理温度及び
時間との兼ね合いにより、分析機器で検出し得る程度の
相互拡散層が出来る場合がある。
時間との兼ね合いにより、分析機器で検出し得る程度の
相互拡散層が出来る場合がある。
このような場合、この発明による磁気ヘッドは、強磁性
酸化物とbcc構造を有する強磁性のFeまたはFe合
金膜及びFe−Si−AI系合金膜のそれぞれの境界面
の少なくとも一方における拡散層を含む構成となる。
酸化物とbcc構造を有する強磁性のFeまたはFe合
金膜及びFe−Si−AI系合金膜のそれぞれの境界面
の少なくとも一方における拡散層を含む構成となる。
図面に基づ〈発明の開示
第1図はこの発明による複合型磁気ヘッドの斜視説明図
である。第2図、第3図及び第4図はこの発明による複
合型磁気ヘッドの製造工程を示す斜視説明図である。
である。第2図、第3図及び第4図はこの発明による複
合型磁気ヘッドの製造工程を示す斜視説明図である。
この発明による複合磁気ヘッドは、第1図に示す如く、
例えば、Mn−Zn系フェライト等の強磁性酸化物から
なる磁気コア半休(IOXII)の無歪加工を施した磁
気ギャップ(12)近傍部の面上に、強磁性薄膜(13
X14)と強磁性薄膜(13’ )(14’ )がスパ
ッタリング等の真空薄膜形成技術によって、それぞれ被
着形成され多層構造をなしており、前記ギャップ(12
)は、強磁性薄膜上に被着形成された5i02等の非磁
性+、4’(15)により形成されており、また、コイ
ル巻線用窓(16)を形成し、ガラス(17)によって
コア(IOXII)半休対が接合されている。
例えば、Mn−Zn系フェライト等の強磁性酸化物から
なる磁気コア半休(IOXII)の無歪加工を施した磁
気ギャップ(12)近傍部の面上に、強磁性薄膜(13
X14)と強磁性薄膜(13’ )(14’ )がスパ
ッタリング等の真空薄膜形成技術によって、それぞれ被
着形成され多層構造をなしており、前記ギャップ(12
)は、強磁性薄膜上に被着形成された5i02等の非磁
性+、4’(15)により形成されており、また、コイ
ル巻線用窓(16)を形成し、ガラス(17)によって
コア(IOXII)半休対が接合されている。
かかる複合ヘッドの作製工程を第2図、第3図、第4図
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
まず、Mn−Zn系フェライトのような強磁性酸化物よ
りなる磁性基板(20)の後工程にて金属磁性薄膜と接
合する基板面に、メカノケミカル研摩を施し、さらに必
要に応じて、ポリッシュ定盤との間に数pmのギャップ
を設けてフロートポリッシュを施し、該基板面を高精度
に無歪に研摩する。この際、面粗度が100人を超えな
いように、好ましくは40八以下にする。
りなる磁性基板(20)の後工程にて金属磁性薄膜と接
合する基板面に、メカノケミカル研摩を施し、さらに必
要に応じて、ポリッシュ定盤との間に数pmのギャップ
を設けてフロートポリッシュを施し、該基板面を高精度
に無歪に研摩する。この際、面粗度が100人を超えな
いように、好ましくは40八以下にする。
次に、研摩された磁性基板(2o)面上に、スパッタリ
ング法などの真空薄膜形成技術により、bcc溝造を有
する強磁性のFeまたはFe系合金の第1磁性膜(13
)を被着形成し、真空薄膜形成装置の真空度を変えるこ
となく連続して、Fe−Al−Si系合金の第2磁性膜
(14)を被着形成する。
ング法などの真空薄膜形成技術により、bcc溝造を有
する強磁性のFeまたはFe系合金の第1磁性膜(13
)を被着形成し、真空薄膜形成装置の真空度を変えるこ
となく連続して、Fe−Al−Si系合金の第2磁性膜
(14)を被着形成する。
またさらに、所定厚みの磁気ギャップ形成用の非磁性材
(15)膜を成膜する。
(15)膜を成膜する。
こうして得られた複合磁性基板(2o)の磁性膜の付着
している面に、例えば、回転砥石等を用いて、第3図に
示す如く、上面部を横切るような断面凹状の溝部(22
)を複数形成する。
している面に、例えば、回転砥石等を用いて、第3図に
示す如く、上面部を横切るような断面凹状の溝部(22
)を複数形成する。
さらに、断面凹状の溝部(22)と90°直交する同一
面上の方向に、回船型形状の溝部(21)を複数形成す
る。
面上の方向に、回船型形状の溝部(21)を複数形成す
る。
次に、第4図に示すように、該溝部(21X22)が形
成された複合磁性基板(20)と、断面凹状の溝部(3
1)のみが形成され、2層の磁性膜を被着した複合磁性
基板(30)とを突き合せ、磁性基板(20)の溝部(
22)にガラス棒を挿入し、例えば、600℃で溶融し
、溝部(22)をガラスで埋め、基板(20)と基板(
30)を接着し、ブロック(40)を得る。
成された複合磁性基板(20)と、断面凹状の溝部(3
1)のみが形成され、2層の磁性膜を被着した複合磁性
基板(30)とを突き合せ、磁性基板(20)の溝部(
22)にガラス棒を挿入し、例えば、600℃で溶融し
、溝部(22)をガラスで埋め、基板(20)と基板(
30)を接着し、ブロック(40)を得る。
次に、このブロック(40)をa−a線、b−b線の位
置でスライシイング加工することで、複数個のヘッドチ
ップを得ることができる。
置でスライシイング加工することで、複数個のヘッドチ
ップを得ることができる。
その後、上記へラドチップの記録媒体摺接面を円筒研摩
することにより、第1図に示した複合型磁気ヘッドを得
ることができる。
することにより、第1図に示した複合型磁気ヘッドを得
ることができる。
実施例
第2図と同様に、Mn−Zn単結晶フェライトからなる
磁性基板の一主面を、アンプレックス社製の粒径0.1
層m以下のMgOパウダーの懸濁液を用いて、メカノケ
ミカルポリッシュしたのら、ポリッシュ定盤と一主面と
の間に5pmのギャップを保持させながら、同様の懸濁
液を用いてフロートポリッシュを施し、前記主面を高精
度な無歪面に仕上げた。
磁性基板の一主面を、アンプレックス社製の粒径0.1
層m以下のMgOパウダーの懸濁液を用いて、メカノケ
ミカルポリッシュしたのら、ポリッシュ定盤と一主面と
の間に5pmのギャップを保持させながら、同様の懸濁
液を用いてフロートポリッシュを施し、前記主面を高精
度な無歪面に仕上げた。
この際、タリステノプ(テーラーホブソン社製)表面段
差測定器による測定では、粗度40Å以下であった。ま
た、表面歪層の除去状態は、エリプソメトリ−によって
確認した。
差測定器による測定では、粗度40Å以下であった。ま
た、表面歪層の除去状態は、エリプソメトリ−によって
確認した。
上記の無歪加工された磁性基板の主面上に、RF2 i
マグネトロンスパンタリング装置によって、99.5%
Fe膜を0.1νm厚みで被着形成し、さらに薄膜層を
大気に晒すことなく、連続してFe−Al−Si膜を5
pm厚みに被着形成した。
マグネトロンスパンタリング装置によって、99.5%
Fe膜を0.1νm厚みで被着形成し、さらに薄膜層を
大気に晒すことなく、連続してFe−Al−Si膜を5
pm厚みに被着形成した。
さらに、磁気ギャップを形成するためのAl2O3膜を
RF2極マグネトロンスパッタリング装置にて、0.1
pm厚みに被着形成し、第2図の如き3層の複合磁性基
板を得る。
RF2極マグネトロンスパッタリング装置にて、0.1
pm厚みに被着形成し、第2図の如き3層の複合磁性基
板を得る。
次に、第3図に示すように、トラックを形成するための
トランク溝及び記録再生のための巻線用巻線溝を多数形
成した。
トランク溝及び記録再生のための巻線用巻線溝を多数形
成した。
さらに、この複合磁性基板の一主面上に、後のガラスボ
ンディング時のガラス流れ性を向上させるために、Cr
膜を0.05 pm厚みに被着形成した。
ンディング時のガラス流れ性を向上させるために、Cr
膜を0.05 pm厚みに被着形成した。
次に、複合磁性基板所定寸法の複数の半体状態に切り出
し、第4図に示すように、この巻線溝を有する半体と巻
線溝を有しない半休を、490℃、IHrの真空熱処理
によって、ガラスボンディングし、同時に、金属磁性膜
の磁気特性を向上させた。
し、第4図に示すように、この巻線溝を有する半体と巻
線溝を有しない半休を、490℃、IHrの真空熱処理
によって、ガラスボンディングし、同時に、金属磁性膜
の磁気特性を向上させた。
この時、ダミーとして同じ熱処理を施したシート状膜の
磁気特性を測定したところ、 Bs 11.2KG以上、He O,20e以下、10
MHzにおけるpは2000以上であった。
磁気特性を測定したところ、 Bs 11.2KG以上、He O,20e以下、10
MHzにおけるpは2000以上であった。
さらに、第4図と同様に、a−a線、b−b線に沿って
、スライシングし、所定寸法、形状となるように外形加
工を施し、チップ化した。
、スライシングし、所定寸法、形状となるように外形加
工を施し、チップ化した。
次に、第9図に示すように、コンポジットヘッド化し、
電磁変換特性を測定した。
電磁変換特性を測定した。
また、比較のために、従来法のFe−Al−Si膜のみ
によるコンポジットヘッドも作製し、電磁変換特性を測
定した。
によるコンポジットヘッドも作製し、電磁変換特性を測
定した。
第10図は従来法、本発明によるコンポジットヘッドの
再生波形の模式図であり、(a)は磁気ギャップからの
出力で、(b)は金属磁性膜と磁気コア半休の間の磁気
的不連続による疑似ギャップによる出力である。
再生波形の模式図であり、(a)は磁気ギャップからの
出力で、(b)は金属磁性膜と磁気コア半休の間の磁気
的不連続による疑似ギャップによる出力である。
出力比b/aの測定の結果、本発明のb/aは0.02
、従来法のb/aは0.2であり、本発明によるヘッド
の場合の方は、疑似ギャップの効果は実質的に問題とな
らない程度に著しく減少し、良好な記録再生特性を有す
ることが確認できた。
、従来法のb/aは0.2であり、本発明によるヘッド
の場合の方は、疑似ギャップの効果は実質的に問題とな
らない程度に著しく減少し、良好な記録再生特性を有す
ることが確認できた。
また、当然の結果として、本発明によるコンポジットヘ
ッドの再生周波数特性のうねりは大幅に改善され、1d
B以下であった。
ッドの再生周波数特性のうねりは大幅に改善され、1d
B以下であった。
第1図はこの発明による複合型磁気ヘッドの斜視説明図
である。第2図、第3図及び第4図はこの発明による複
合型磁気ヘッドの製造工程を示す斜視説明図である。 第5図a、b及び第6図は従来の複合型磁気ヘッドの説
明図である。第7図と第1O図は磁気ヘッドの出力周波
数特性の模式図である。第8図はセンダスト膜の磁気特
性に及ぼず膜厚みの影響を説明する膜厚と透磁率との関
係のグラフである。第9図はコンポジットヘッドの斜視
説明図である。 10.11・・・磁気コア半休、12・・・磁気ギャッ
プ、13・・・第1磁性膜、14・・・第2磁性膜、1
5・・・非磁性相、16・・・コイル巻線用窓、17・
・・ガラス、20.30・・・磁性基板、21,22.
31・・・溝部、40・・・ブロック。
である。第2図、第3図及び第4図はこの発明による複
合型磁気ヘッドの製造工程を示す斜視説明図である。 第5図a、b及び第6図は従来の複合型磁気ヘッドの説
明図である。第7図と第1O図は磁気ヘッドの出力周波
数特性の模式図である。第8図はセンダスト膜の磁気特
性に及ぼず膜厚みの影響を説明する膜厚と透磁率との関
係のグラフである。第9図はコンポジットヘッドの斜視
説明図である。 10.11・・・磁気コア半休、12・・・磁気ギャッ
プ、13・・・第1磁性膜、14・・・第2磁性膜、1
5・・・非磁性相、16・・・コイル巻線用窓、17・
・・ガラス、20.30・・・磁性基板、21,22.
31・・・溝部、40・・・ブロック。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 強磁性酸化物を主体とする磁気コアの少なくとも作動ギ
ャップ近傍部が金属磁性体からなる複合型磁気ヘッドに
おいて、無歪高平坦度面となした強磁性酸化物表面に、
bcc構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜
、Fe−Al−Si系合金薄膜の順に積層された金属磁
性体を有することを特徴とする複合型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11499887A JPH0624044B2 (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 複合型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11499887A JPH0624044B2 (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 複合型磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63279404A true JPS63279404A (ja) | 1988-11-16 |
JPH0624044B2 JPH0624044B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=14651769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11499887A Expired - Fee Related JPH0624044B2 (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 複合型磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0624044B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01241007A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
JPH01298509A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Sony Corp | 複合磁気ヘッド |
JPH01303614A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
JPH0254409A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
JPH035906A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
JPH03209607A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Mig型磁気ヘッド |
JPH04274006A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-30 | Sharp Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
-
1987
- 1987-05-12 JP JP11499887A patent/JPH0624044B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01241007A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
JPH01298509A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Sony Corp | 複合磁気ヘッド |
JPH01303614A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
JPH0254409A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
JPH035906A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
JPH03209607A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Mig型磁気ヘッド |
JPH04274006A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-30 | Sharp Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0624044B2 (ja) | 1994-03-30 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |