JPH03209607A - Mig型磁気ヘッド - Google Patents

Mig型磁気ヘッド

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JPH03209607A
JPH03209607A JP468690A JP468690A JPH03209607A JP H03209607 A JPH03209607 A JP H03209607A JP 468690 A JP468690 A JP 468690A JP 468690 A JP468690 A JP 468690A JP H03209607 A JPH03209607 A JP H03209607A
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Masateru Nose
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、磁気ギャップ内に高飽和磁束密度の金属膜
を有するMIG(Metal In Gap)型磁気ヘ
ッドの改良に係り、フェライトコア上に界面反応防止膜
を設けてからFeまたはFe合金とFe−Al−Si合
金膜を積層成膜し、金属磁性膜の初期劣化層をなくして
疑似ギャップの発生を抑制し、電磁変換特性の改善及び
再生出力の向上を図り、かつ通常のFe−Al−Si合
金薄膜より高い飽和磁束密度を有する軟磁性膜を有した
MIG型磁気ヘッドに関する。
背景技術 近年、磁気記録における技術的発展は目覚ましく、特に
記録密度の向上は著しいものがある。
例えば、オーディオテープレコーダやVTR(ビデオテ
ープレコーダ)等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化等が進められており、この高
記録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にF
e、 Co、 Ni等の金属あるいは合金からなる粉末
を用いた、所謂メタルテープや、強磁性金属材料を真空
薄膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した、
所謂蒸着テープ等が開発され、各分野で実用化されてい
る。
ところで、このような高抗磁力を有する磁気記録媒体の
特性を発揮させるためには、磁気ヘッドのコア材料の特
性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同一の
磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、高
透磁率を併せて有することが要求される。
例えば、従来、磁気ヘッドのコア材料として多用されて
いるフェライト材では飽和磁束密度が低く、また、パー
マロイでは耐摩耗性に問題がある。
そこで上述の諸要求を満たすコア材料として、Fe−A
l−8i系合金からなる所謂センダスト合金が好適であ
ると考えられ、すでに実用に供されている。
しかしながら、このセンダスト合金のように軟磁気特性
に優れた材料においては、磁歪λSと結晶磁気異方性K
が共に零付近であることが望ましく、磁気ヘッドに使用
可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められる
また、上記センダスト合金に代る材料として、高周波数
領域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有す
る非晶質、所謂アモルファス磁性合金材料が開発されて
いる。
しかし、この非晶質磁性合金材料でも飽和磁束密度は1
2kG程度であり、また、熱的に不安定で結晶化の可能
性が大きいため、500℃以上の温度を長時間加えるこ
とはできず、例えば、ガラス融着のように各種熱処理が
必要な磁気ヘッドに使用するには、製造工程上、種々の
制限が生じていた。
これらの問題に対して、Fe−C膜やFe−8i膜とパ
ーマロイ膜との積層膜が提案(インターマグカンフアレ
シス198フダイジエストDD−08) 3れているが
、軟磁気特性が不十分である等の問題が残されている。
一方、MIG型磁気ヘッドにおいて、実際の磁性酸化物
コア上での金属磁性膜の特性はほとんど測定が困難であ
るため、金属磁性膜の特性は、非磁性基板上において評
価されていた。
しかし、本発明者の研究によれば、フェライト等磁性酸
化物基板上では、センダスト等金属磁性膜の特性は必ず
しも非磁性基板上での特性と一致するものではないこと
が判った。
特に、磁気異方性が著しく異なり、フェライト基板上に
おいては上述の膜は異方性の分散した膜となり、これを
磁気ヘッドに適応した場合、数〜数百pmのトラック幅
状態では必ずしもマクロに測定された軟磁性状態は実現
され得ない。
すなわち、トラックを切り出す位置により、分散した単
磁区粒の困難軸方向が異なるため、ヘッドの電磁変換に
より磁化さる方向の透磁率が異なり、磁気ヘッドの電磁
変換特性を劣化させる要因と見なすことができる。
また、MIG型磁気ヘッドにおいては、上述したように
、金属膜、初期層軟磁性の劣化並び磁性酸化物との熱処
理に伴う拡散による非磁性反応層の生成等に起因する疑
似ギャップも同時に抑制しなくてはならない。
発明の目的 この発明は、金属磁性膜の初期劣化層をなくして疑似ギ
ャップの発生を抑制し、電磁変換特性の改善及び再生出
力の向上を図り、かつ通常のFe−Al−8i合金薄膜
より高い飽和磁束密度を有する軟磁性金属膜を有したM
IG型磁気ヘッドの提供を目的としている。
発明の概要 この発明は、すぐれた特性を有する軟磁性膜を目的に種
々検討した結果、bcc構造を有する強磁性のFeまた
はFe合金とFe−Al−8i合金膜とを積層成膜し、
適切な熱処理を施すことにより、センダスト合金のみで
成膜した単層膜と同等以上の軟磁気特性が得られる、特
に、−軸磁気異方性を有することを知見し、また、フェ
ライト等磁性酸化物と金属磁性膜との間にAl2O3な
どの熱的に安定な層を形成して、金属磁性膜と酸化物基
板界面の反応を抑制でき疑似ギャップを抑制できること
を知見し、この発明を完成したものである。
この発明は、 少なくとも一方の磁気コア半体がフェライトがらなり、
磁気ギャップ内に高飽和磁束密度の金属膜を有するMI
G型磁気ヘッドにおいて、フェライトコアの磁気ギャッ
プ突合わせ面に、SiO2、サイアロン、Al2O3、
CrNの1種または2種以上を50〜300ル厚みで被
着し、 前記薄膜上にbcc構造を有する強磁性のFeまたはF
e合金膜を、50〜iooomみで積層成膜し、さらに
、Fe−Al−Si合金膜を成膜した構成がらなり、 製造時のガラスポンディングまたは400”C〜soo
”cでの熱処理により、Fe−Al−Si合金膜が一軸
磁気異方性を有することを特徴とするMIG型磁気ヘッ
ドである。
発明の構成 詳述すれば、この発明は、公知の薄膜形成法を用いて、
各種フェライトコア上に、8i02、サイアロン、Al
2O3、CrNのいずれかを成膜したのち、bcc構造
を有する強磁性のFeまたはFe合金とFe−Al−S
i合金膜を順次に成膜積層し、所要の厚みの複合金属磁
性膜となした後、ガラス溶着の工程での高温雰囲気、あ
るいは用途、膜厚み、積層構造及び厚み比率等に応じて
適宜選定した 400℃〜800℃、1分〜100時間の熱処理を行な
うことにより、第1層の拡散防止膜により、金属磁性膜
と磁性酸化物との界面における原子の拡散が防止され、
第2層のFe等により、第3層の金属磁性層の結晶性が
制御され、優れた一軸磁気異方性をもつ軟磁性膜が、酸
化物基板上に形成可能となる。
すなわち、第1層の拡散防止膜により、金属磁性膜とフ
ェライトとの界面における原子の拡散が防止され、Fe
−Al−Si合金膜をbcc構造を有するFeまたはF
e合金膜の上に成膜した場合、Fe−Al−Si合金膜
が下地となるFeまたはFe合金膜の結晶配向に沿って
成膜され、結晶配向の乱れが少なくなり、所要の熱処理
によって容易に軟磁気特性が向上すると考えられる。
また、得られた軟磁性膜は、bcc構造を有する強磁性
のFeまたはFe合金膜とFe−Al−Si系合金膜と
からなる二層及び成膜時または成膜後の熱処理により生
成される各膜間の拡散層を有する膜構造を特徴とするも
ので、センダスト合金と同程度以上の軟磁気特性(高い
透磁率や低い抗磁力等)を有することを特徴とする。
この発明において、フェライトコアには、用途に応じて
、Ni−ZnフェライトやMn−Znフェライトなどの
単結晶フェライト、HIP処理された焼結フェライトの
他、公知のあらゆるフェライトが利用できる。
この発明において、第1層の拡散防止膜には、SiO2
、サイアロン、Al2O3、CrNの1種または2種以
上を成膜するが、膜厚みが50A未満では拡散防止効果
がなく、また、300人を越えると、拡散防止膜自体が
疑似ギャップとして作用し好ましくないため、50〜3
001みとする。さらに、好ましくは100〜200に
享みである。
この発明において、FeまたはFe合金膜は、Fe−A
1−Si系合金膜の成膜初期層の結晶配向を促す目的の
ために、bcc構造であること、FeまたはFe合金膜
自体が強磁性であることが必要である。
また、その飽和磁束密度Bsは、少なくとも8kG以上
必要であり、望ましくは10kG以上、さらに望ましく
は14kG以上が良い。保磁力は、数100e以下であ
れば使用可能であるが、望ましくは100e以下、さら
に好ましくは数Oe以下が良い。
このFeまたはFe系合金膜の組成としては、Feと不
可避な不純物からなるいわゆる純Feでも良く、また、
主成分をFeとし、副成分として前記のbcc構造と強
磁性の条件を満足する範囲のCo、 Ni、Cu、 M
n、 Or、 V、 Mo、 Nb、 Zr、 W、 
Ta、 Hf、Y、 B、 C,AI、 Si、 Ru
、 Rh、 Pd、 Pt、希土類元素の少なくとも1
種以上と、不可避な不純物を含有するFe合金膜でも良
い。
積層しかつ最外層に設けるFe−A1−8i系合金薄膜
は、所謂センダスト合金であり、従来より複合型及び薄
膜磁気ヘッドに多用されており、磁気ヘツドの用途等に
応じて、公知の組成が適宜選定し得るが、3−10wt
%Al、6〜15wt%Si、 80〜90wt%Fe
の範囲の合金を用いることができ、また、必要に応じて
、Cr、 Ti、 Ta、 Ni、 Co、 Mo、 
Zr、希土類元素や白金属元素などを添加するのも良い
製造条件 フェライトコアの磁気ギャップ突合わせ面に、拡散防止
膜、FeまたはFe系合金薄膜とさらにその上にFe−
A1−8層系合金薄膜を成膜するが、その被着方法とし
ては、各種スパッタリング法、CVD法、蒸着法、イオ
ンブレーティング等の公知の気相成膜方法が利用できる
好ましい被着条件としては、いずれの方法においても、
到達真空度は高い程好ましく、少なくとも10’Tor
r台以下の高真空にする必要があり、望ましくは2 X
 10’Torr以下、さらに望ましくは1 x 10
’Torr以下が良い。
スパッタリング法を用いる場合には、アルゴンガス等の
不活性ガスをスパッタリングガスとして用いるが、この
圧力はスパッタ装置の構造によって適宜選定すれば良い
さらに、被着形成するbcc構造を有する強磁性のFe
またはFe系合金薄膜の膜厚は数人〜数千人と薄いため
に、基板の表面状態、例えば、残留歪応力や粗度等に強
く影響され、磁気特性が悪化する可能性があるため、b
cc構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜を
被着する拡散防止膜、ひいてはフェライトコア費用面粗
度を40Å以下にする必要があり、MCP(メカノケミ
カルポリッシング)加工が有効である。
さらに、この発明の特徴であるbcc構造を有するFe
またはFe系合金膜の1層当りの被着厚みは、Fe−A
l−8層合金膜の結晶配向を促す目的のためには501
以上必要で、好ましくは100Å以上が好ましい。しか
し、100OAを越える厚さになると金属磁性膜全体の
磁気特性が劣化するため、 50〜1000に厚みとする。
また、Fe−Al−8層系合金膜の厚みは、高透磁率、
低保磁力を得るためには前記bcc構造を有するFeま
たはFe系合金膜の1倍以上の厚さが必要であり、望ま
しくは1.5倍以上、さらに望ましくは2倍以上が良い
しかし、Fe−Al−8層合金膜が厚すぎる場合には、
磁気ヘッドの周波数特性が悪くなり、逆に薄い場合には
、オーバーライド特性が悪くなるなるので、厚さは通常
、FeまたはFe系合金膜の数十倍の厚さとする必要が
あり、この発明において、bcc構造を有する強磁性の
FeまたはFe合金膜とFe−Al−8層合金膜とから
なる金属磁性体厚みは、1層数戸である。
熱処理は、成膜後所要の加工前に行なっても良く、例え
ば、磁気ヘッド等の部品の形状に加工してから行なって
も良い。さらにまた、磁気へラドコアの半体対のボンデ
ィング加工を行なう際にガラス溶着のための加熱を熱処
理と併用しても良い。
熱処理の温度と時間は、複合金属磁性膜の磁気特性を向
上させるのに十分な温度と時間を適宜選定すると同時に
、コアとの熱膨張係数差、基板耐熱性、各膜の厚さ、コ
ア、拡散防止膜、FeまたはFe系合金膜と、Fe−A
l−8層系合金膜との3者間の相互拡散を同時に考慮し
て組成等によって適宜選定する必要がある。
熱処理温度は、400℃未満では、応力の緩和が不十分
で十分に高い透磁率が得られないため好ましくなく、ま
た800℃を越えると、膜及び膜間の相互拡散等により
返って磁気特性が劣化しなり、膜の剥離が生じ安いため
、400℃〜800℃が好ましく、さらに好ましくは5
00℃〜700℃である。
処理時間は、1分未満では、十分に高い透磁率が得られ
ないため好ましくなく、また100時間を越えると、返
って磁気特性が劣化するため、1分〜100時間が好ま
しく、さらには5分以上、10時間以下がより好ましい
冷却速度は、熱処理温度、時間と同様に使用した基板及
び複合金属磁性膜の組成や構成によって適宜選定する必
要があるが、通常、1℃/hr以上、10000℃/h
r以下が好ましく、特に、50℃/hr〜600”C/
hrの範囲が好ましい。
雰囲気は、金属磁性膜及び強磁性酸化物の磁気特性を著
しく劣化させるものでなければどのような雰囲気でも良
いが、真空または不活性ガスまたは窒素ガス中が好まし
く、特に10’Torr以上の真空が好ましい。
発明の効果 この発明によるMIG型磁気ヘッドは、磁気ギャップ内
に、疑似ギャップを発生させる金属磁性膜の初期劣化層
をなくし、Fe−Al−8i合金膜と同等またはそれ以
上の軟磁気特性(透磁率、保磁力)を有し、かつFe−
Al−8i合金膜以上の飽和磁束密度を有する軟磁性膜
が得られることにより、高保磁力の媒体に適用でき、高
記録密度が得られる。
また、この発明によるMIG型磁気ヘッドは、Fe−A
l−8i合金膜が一軸磁気異方性を有し、かつ−軸磁気
異方性をFe−Al−8i合金膜の成膜時に容易に制御
でき、例えば、第1図でコアブロック半体の垂直下向き
に困難軸が向くように誘導することができ、極めて好ま
しい特性を得ることができる。
実施例 実施例l Mn−Zn単結晶フェライトからなる第1図に示す如き
C型コア(1)となるべきブロック半体とI型コア(3
)となるべきブロック半体を製造し、C型コア(1)の
磁気ギャップ突合わせ面(2)となるべきブロック半体
の所要面を、ダイヤモンドパウダーを用いて、鏡面した
のち、MCP加工を施し、前記面を高精度な無歪面に仕
上げた。
この際、タリステップ表面段差測定器による測定では、
粗度30A以下であった。また、表面歪層の除去状態は
、エリプソメトリ−によって確認した。
上記の無歪加工された磁性基板の主面上に、RF2極マ
グネトロンスパッタリング装置によって、Al2O3膜
を100M享みて被着形成した後、MCP加工により高
精度な平坦無歪面に仕上げた。
この際、タリステップ表面段差測定器による測定では、
粗度20Å以下であった。また、表面歪層の除去状態は
、エリプソメトリ−によって確認した。
さらに、RF2極マグネトロンスパッタリング装置によ
って、99.3%Fe膜を400に享みて被着形成し、
さらにFe−6AI−108i膜を1.5pm厚みに被
着形成し、1.54pm厚みの複合金属磁性膜を積層成
膜した。
なお、前記のスパッタリング条件は、各々投入電力RF
 1kW、 Arガス圧力4X10−3Torrであっ
た。
次に、前記基板上に磁気ギャップを形成するためのガラ
ス膜をRF2極マグネトロンスパッタリング装置にて、
各コアにつきO,鋤m厚みに被着形成した。
さらに、C型半体とI型巻線溝を有しない半体を、N2
ガス雰囲気中(680℃×10分)によってガラスボン
ディングし、同時に、金属磁性膜の磁気特性を向上させ
た後、さらに、トラックを形成するためのトラック溝巻
線溝を多数形成し、スライシングし、所定寸法、形状と
なるように外形加工を施し、MIG型磁気へラドチップ
化した。
従って、C型コア(1)の磁気ギャップ突合わせ面(2
)は、Al2O3拡散防止膜(10)、Fe膜(11)
、Fe−Al−8i膜(12)が積層成膜され、さらに
磁気ギャップ用のガラス膜(13)が成膜されている。
次に、コンポジットヘッド化し、電磁変換特性を測定し
た。また、比較のために、従来法のFe−Al−8i膜
のみによるコンポジットヘッドも作製し、電磁変換特性
を測定した。
再生出力波形観察によるメインピークaと疑似ギャップ
出力すの出力比b/aの測定の結果、本発明のb/aは
0.02、従来法のb/aは0.1であり、この発明に
よるヘッドの場合の方は、疑似ギャップの効果は実質的
に問題とならない程度に著しく減少し、良好な記録再生
特性を有することが確認できた。
また、この発明によるコンポジットヘッドの再生周波数
特性のうねりは大幅に改善され、1dB以下であった。
去扇!國 多結晶Mn−Znフェライトからなる第1図に示すC型
コア(1)の磁気ギャップ突合わせ面(2)に、無歪み
加工を施し、その上に拡散防止膜としてCrNを成膜し
、次いで、第2層にFe合金膜を0.05戸厚み、第3
層としてFe−6AI−10Si膜を1.5μ厚みに被
着形成し、磁性膜を1.55μ厚みとした。
C型コア(1)と■型コア(3)ギャップ膜として・ガ
ラス膜を各々0.3μ厚みに被着形成し、ギャップ形成
面どうしを付き合わせ、N2ガス雰囲気中(720℃×
10分)によってガラスボンディングした。
このボンディングしたブロックを加工してMIGモノリ
シックスライダーを作製し、電磁変換特性を測定した。
その結果、実施例1と同様に、疑似ギャップの効果は実
質的に問題とならない程度に著しく減少し、良好な記録
再生特性を有することが確認できた。
【図面の簡単な説明】
第1図はMIG型磁気ヘッドの分解斜視説明図である。 第2図は磁気ギャップ突合わせ面上の成膜を示す断面説
明図である。 1・・C型コア、2・・・磁気ギャップ突合わせ面、3
・・・■型コア、10・・・Al2O3拡散防止膜、1
1・・・Fe膜、12− Fe−Al−8i膜、13−
・・ガラス膜。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 少なくとも一方の磁気コア半体がフェライトからなり、
    磁気ギャップ内に高飽和磁束密度の金属膜を有するMI
    G型磁気ヘッドにおいて、 フェライトコアの磁気ギャップ突合わせ面に、SiO_
    2、サイアロン、Al_2O_3、CrNの1種または
    2種以上を50〜300Å厚みで被着し、前記薄膜上に
    bcc構造を有する強磁性のFeまたはFe合金膜を、
    50〜1000Å厚みで積層成膜し、さらに、Fe−A
    l−Si合金膜を成膜した構成からなり、 製造時のガラスボンディングまたは400℃〜800℃
    での熱処理により、Fe−Al−Si合金膜が一軸磁気
    異方性を有することを特徴とするMIG型磁気ヘッド。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62145510A (ja) * 1985-12-18 1987-06-29 Sony Corp 磁気ヘツド
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JPH01276607A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Hitachi Ltd 強磁性薄膜およびその製造方法

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