JPH03209607A - Mig型磁気ヘッド - Google Patents
Mig型磁気ヘッドInfo
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- JPH03209607A JPH03209607A JP468690A JP468690A JPH03209607A JP H03209607 A JPH03209607 A JP H03209607A JP 468690 A JP468690 A JP 468690A JP 468690 A JP468690 A JP 468690A JP H03209607 A JPH03209607 A JP H03209607A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 119
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 112
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 11
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 34
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 16
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical group [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Sialon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910018523 Al—S Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017112 Fe—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010406 interfacial reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、磁気ギャップ内に高飽和磁束密度の金属膜
を有するMIG(Metal In Gap)型磁気ヘ
ッドの改良に係り、フェライトコア上に界面反応防止膜
を設けてからFeまたはFe合金とFe−Al−Si合
金膜を積層成膜し、金属磁性膜の初期劣化層をなくして
疑似ギャップの発生を抑制し、電磁変換特性の改善及び
再生出力の向上を図り、かつ通常のFe−Al−Si合
金薄膜より高い飽和磁束密度を有する軟磁性膜を有した
MIG型磁気ヘッドに関する。
を有するMIG(Metal In Gap)型磁気ヘ
ッドの改良に係り、フェライトコア上に界面反応防止膜
を設けてからFeまたはFe合金とFe−Al−Si合
金膜を積層成膜し、金属磁性膜の初期劣化層をなくして
疑似ギャップの発生を抑制し、電磁変換特性の改善及び
再生出力の向上を図り、かつ通常のFe−Al−Si合
金薄膜より高い飽和磁束密度を有する軟磁性膜を有した
MIG型磁気ヘッドに関する。
背景技術
近年、磁気記録における技術的発展は目覚ましく、特に
記録密度の向上は著しいものがある。
記録密度の向上は著しいものがある。
例えば、オーディオテープレコーダやVTR(ビデオテ
ープレコーダ)等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化等が進められており、この高
記録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にF
e、 Co、 Ni等の金属あるいは合金からなる粉末
を用いた、所謂メタルテープや、強磁性金属材料を真空
薄膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した、
所謂蒸着テープ等が開発され、各分野で実用化されてい
る。
ープレコーダ)等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化等が進められており、この高
記録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にF
e、 Co、 Ni等の金属あるいは合金からなる粉末
を用いた、所謂メタルテープや、強磁性金属材料を真空
薄膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した、
所謂蒸着テープ等が開発され、各分野で実用化されてい
る。
ところで、このような高抗磁力を有する磁気記録媒体の
特性を発揮させるためには、磁気ヘッドのコア材料の特
性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同一の
磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、高
透磁率を併せて有することが要求される。
特性を発揮させるためには、磁気ヘッドのコア材料の特
性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同一の
磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、高
透磁率を併せて有することが要求される。
例えば、従来、磁気ヘッドのコア材料として多用されて
いるフェライト材では飽和磁束密度が低く、また、パー
マロイでは耐摩耗性に問題がある。
いるフェライト材では飽和磁束密度が低く、また、パー
マロイでは耐摩耗性に問題がある。
そこで上述の諸要求を満たすコア材料として、Fe−A
l−8i系合金からなる所謂センダスト合金が好適であ
ると考えられ、すでに実用に供されている。
l−8i系合金からなる所謂センダスト合金が好適であ
ると考えられ、すでに実用に供されている。
しかしながら、このセンダスト合金のように軟磁気特性
に優れた材料においては、磁歪λSと結晶磁気異方性K
が共に零付近であることが望ましく、磁気ヘッドに使用
可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められる
。
に優れた材料においては、磁歪λSと結晶磁気異方性K
が共に零付近であることが望ましく、磁気ヘッドに使用
可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められる
。
また、上記センダスト合金に代る材料として、高周波数
領域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有す
る非晶質、所謂アモルファス磁性合金材料が開発されて
いる。
領域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有す
る非晶質、所謂アモルファス磁性合金材料が開発されて
いる。
しかし、この非晶質磁性合金材料でも飽和磁束密度は1
2kG程度であり、また、熱的に不安定で結晶化の可能
性が大きいため、500℃以上の温度を長時間加えるこ
とはできず、例えば、ガラス融着のように各種熱処理が
必要な磁気ヘッドに使用するには、製造工程上、種々の
制限が生じていた。
2kG程度であり、また、熱的に不安定で結晶化の可能
性が大きいため、500℃以上の温度を長時間加えるこ
とはできず、例えば、ガラス融着のように各種熱処理が
必要な磁気ヘッドに使用するには、製造工程上、種々の
制限が生じていた。
これらの問題に対して、Fe−C膜やFe−8i膜とパ
ーマロイ膜との積層膜が提案(インターマグカンフアレ
シス198フダイジエストDD−08) 3れているが
、軟磁気特性が不十分である等の問題が残されている。
ーマロイ膜との積層膜が提案(インターマグカンフアレ
シス198フダイジエストDD−08) 3れているが
、軟磁気特性が不十分である等の問題が残されている。
一方、MIG型磁気ヘッドにおいて、実際の磁性酸化物
コア上での金属磁性膜の特性はほとんど測定が困難であ
るため、金属磁性膜の特性は、非磁性基板上において評
価されていた。
コア上での金属磁性膜の特性はほとんど測定が困難であ
るため、金属磁性膜の特性は、非磁性基板上において評
価されていた。
しかし、本発明者の研究によれば、フェライト等磁性酸
化物基板上では、センダスト等金属磁性膜の特性は必ず
しも非磁性基板上での特性と一致するものではないこと
が判った。
化物基板上では、センダスト等金属磁性膜の特性は必ず
しも非磁性基板上での特性と一致するものではないこと
が判った。
特に、磁気異方性が著しく異なり、フェライト基板上に
おいては上述の膜は異方性の分散した膜となり、これを
磁気ヘッドに適応した場合、数〜数百pmのトラック幅
状態では必ずしもマクロに測定された軟磁性状態は実現
され得ない。
おいては上述の膜は異方性の分散した膜となり、これを
磁気ヘッドに適応した場合、数〜数百pmのトラック幅
状態では必ずしもマクロに測定された軟磁性状態は実現
され得ない。
すなわち、トラックを切り出す位置により、分散した単
磁区粒の困難軸方向が異なるため、ヘッドの電磁変換に
より磁化さる方向の透磁率が異なり、磁気ヘッドの電磁
変換特性を劣化させる要因と見なすことができる。
磁区粒の困難軸方向が異なるため、ヘッドの電磁変換に
より磁化さる方向の透磁率が異なり、磁気ヘッドの電磁
変換特性を劣化させる要因と見なすことができる。
また、MIG型磁気ヘッドにおいては、上述したように
、金属膜、初期層軟磁性の劣化並び磁性酸化物との熱処
理に伴う拡散による非磁性反応層の生成等に起因する疑
似ギャップも同時に抑制しなくてはならない。
、金属膜、初期層軟磁性の劣化並び磁性酸化物との熱処
理に伴う拡散による非磁性反応層の生成等に起因する疑
似ギャップも同時に抑制しなくてはならない。
発明の目的
この発明は、金属磁性膜の初期劣化層をなくして疑似ギ
ャップの発生を抑制し、電磁変換特性の改善及び再生出
力の向上を図り、かつ通常のFe−Al−8i合金薄膜
より高い飽和磁束密度を有する軟磁性金属膜を有したM
IG型磁気ヘッドの提供を目的としている。
ャップの発生を抑制し、電磁変換特性の改善及び再生出
力の向上を図り、かつ通常のFe−Al−8i合金薄膜
より高い飽和磁束密度を有する軟磁性金属膜を有したM
IG型磁気ヘッドの提供を目的としている。
発明の概要
この発明は、すぐれた特性を有する軟磁性膜を目的に種
々検討した結果、bcc構造を有する強磁性のFeまた
はFe合金とFe−Al−8i合金膜とを積層成膜し、
適切な熱処理を施すことにより、センダスト合金のみで
成膜した単層膜と同等以上の軟磁気特性が得られる、特
に、−軸磁気異方性を有することを知見し、また、フェ
ライト等磁性酸化物と金属磁性膜との間にAl2O3な
どの熱的に安定な層を形成して、金属磁性膜と酸化物基
板界面の反応を抑制でき疑似ギャップを抑制できること
を知見し、この発明を完成したものである。
々検討した結果、bcc構造を有する強磁性のFeまた
はFe合金とFe−Al−8i合金膜とを積層成膜し、
適切な熱処理を施すことにより、センダスト合金のみで
成膜した単層膜と同等以上の軟磁気特性が得られる、特
に、−軸磁気異方性を有することを知見し、また、フェ
ライト等磁性酸化物と金属磁性膜との間にAl2O3な
どの熱的に安定な層を形成して、金属磁性膜と酸化物基
板界面の反応を抑制でき疑似ギャップを抑制できること
を知見し、この発明を完成したものである。
この発明は、
少なくとも一方の磁気コア半体がフェライトがらなり、
磁気ギャップ内に高飽和磁束密度の金属膜を有するMI
G型磁気ヘッドにおいて、フェライトコアの磁気ギャッ
プ突合わせ面に、SiO2、サイアロン、Al2O3、
CrNの1種または2種以上を50〜300ル厚みで被
着し、 前記薄膜上にbcc構造を有する強磁性のFeまたはF
e合金膜を、50〜iooomみで積層成膜し、さらに
、Fe−Al−Si合金膜を成膜した構成がらなり、 製造時のガラスポンディングまたは400”C〜soo
”cでの熱処理により、Fe−Al−Si合金膜が一軸
磁気異方性を有することを特徴とするMIG型磁気ヘッ
ドである。
磁気ギャップ内に高飽和磁束密度の金属膜を有するMI
G型磁気ヘッドにおいて、フェライトコアの磁気ギャッ
プ突合わせ面に、SiO2、サイアロン、Al2O3、
CrNの1種または2種以上を50〜300ル厚みで被
着し、 前記薄膜上にbcc構造を有する強磁性のFeまたはF
e合金膜を、50〜iooomみで積層成膜し、さらに
、Fe−Al−Si合金膜を成膜した構成がらなり、 製造時のガラスポンディングまたは400”C〜soo
”cでの熱処理により、Fe−Al−Si合金膜が一軸
磁気異方性を有することを特徴とするMIG型磁気ヘッ
ドである。
発明の構成
詳述すれば、この発明は、公知の薄膜形成法を用いて、
各種フェライトコア上に、8i02、サイアロン、Al
2O3、CrNのいずれかを成膜したのち、bcc構造
を有する強磁性のFeまたはFe合金とFe−Al−S
i合金膜を順次に成膜積層し、所要の厚みの複合金属磁
性膜となした後、ガラス溶着の工程での高温雰囲気、あ
るいは用途、膜厚み、積層構造及び厚み比率等に応じて
適宜選定した 400℃〜800℃、1分〜100時間の熱処理を行な
うことにより、第1層の拡散防止膜により、金属磁性膜
と磁性酸化物との界面における原子の拡散が防止され、
第2層のFe等により、第3層の金属磁性層の結晶性が
制御され、優れた一軸磁気異方性をもつ軟磁性膜が、酸
化物基板上に形成可能となる。
各種フェライトコア上に、8i02、サイアロン、Al
2O3、CrNのいずれかを成膜したのち、bcc構造
を有する強磁性のFeまたはFe合金とFe−Al−S
i合金膜を順次に成膜積層し、所要の厚みの複合金属磁
性膜となした後、ガラス溶着の工程での高温雰囲気、あ
るいは用途、膜厚み、積層構造及び厚み比率等に応じて
適宜選定した 400℃〜800℃、1分〜100時間の熱処理を行な
うことにより、第1層の拡散防止膜により、金属磁性膜
と磁性酸化物との界面における原子の拡散が防止され、
第2層のFe等により、第3層の金属磁性層の結晶性が
制御され、優れた一軸磁気異方性をもつ軟磁性膜が、酸
化物基板上に形成可能となる。
すなわち、第1層の拡散防止膜により、金属磁性膜とフ
ェライトとの界面における原子の拡散が防止され、Fe
−Al−Si合金膜をbcc構造を有するFeまたはF
e合金膜の上に成膜した場合、Fe−Al−Si合金膜
が下地となるFeまたはFe合金膜の結晶配向に沿って
成膜され、結晶配向の乱れが少なくなり、所要の熱処理
によって容易に軟磁気特性が向上すると考えられる。
ェライトとの界面における原子の拡散が防止され、Fe
−Al−Si合金膜をbcc構造を有するFeまたはF
e合金膜の上に成膜した場合、Fe−Al−Si合金膜
が下地となるFeまたはFe合金膜の結晶配向に沿って
成膜され、結晶配向の乱れが少なくなり、所要の熱処理
によって容易に軟磁気特性が向上すると考えられる。
また、得られた軟磁性膜は、bcc構造を有する強磁性
のFeまたはFe合金膜とFe−Al−Si系合金膜と
からなる二層及び成膜時または成膜後の熱処理により生
成される各膜間の拡散層を有する膜構造を特徴とするも
ので、センダスト合金と同程度以上の軟磁気特性(高い
透磁率や低い抗磁力等)を有することを特徴とする。
のFeまたはFe合金膜とFe−Al−Si系合金膜と
からなる二層及び成膜時または成膜後の熱処理により生
成される各膜間の拡散層を有する膜構造を特徴とするも
ので、センダスト合金と同程度以上の軟磁気特性(高い
透磁率や低い抗磁力等)を有することを特徴とする。
この発明において、フェライトコアには、用途に応じて
、Ni−ZnフェライトやMn−Znフェライトなどの
単結晶フェライト、HIP処理された焼結フェライトの
他、公知のあらゆるフェライトが利用できる。
、Ni−ZnフェライトやMn−Znフェライトなどの
単結晶フェライト、HIP処理された焼結フェライトの
他、公知のあらゆるフェライトが利用できる。
この発明において、第1層の拡散防止膜には、SiO2
、サイアロン、Al2O3、CrNの1種または2種以
上を成膜するが、膜厚みが50A未満では拡散防止効果
がなく、また、300人を越えると、拡散防止膜自体が
疑似ギャップとして作用し好ましくないため、50〜3
001みとする。さらに、好ましくは100〜200に
享みである。
、サイアロン、Al2O3、CrNの1種または2種以
上を成膜するが、膜厚みが50A未満では拡散防止効果
がなく、また、300人を越えると、拡散防止膜自体が
疑似ギャップとして作用し好ましくないため、50〜3
001みとする。さらに、好ましくは100〜200に
享みである。
この発明において、FeまたはFe合金膜は、Fe−A
1−Si系合金膜の成膜初期層の結晶配向を促す目的の
ために、bcc構造であること、FeまたはFe合金膜
自体が強磁性であることが必要である。
1−Si系合金膜の成膜初期層の結晶配向を促す目的の
ために、bcc構造であること、FeまたはFe合金膜
自体が強磁性であることが必要である。
また、その飽和磁束密度Bsは、少なくとも8kG以上
必要であり、望ましくは10kG以上、さらに望ましく
は14kG以上が良い。保磁力は、数100e以下であ
れば使用可能であるが、望ましくは100e以下、さら
に好ましくは数Oe以下が良い。
必要であり、望ましくは10kG以上、さらに望ましく
は14kG以上が良い。保磁力は、数100e以下であ
れば使用可能であるが、望ましくは100e以下、さら
に好ましくは数Oe以下が良い。
このFeまたはFe系合金膜の組成としては、Feと不
可避な不純物からなるいわゆる純Feでも良く、また、
主成分をFeとし、副成分として前記のbcc構造と強
磁性の条件を満足する範囲のCo、 Ni、Cu、 M
n、 Or、 V、 Mo、 Nb、 Zr、 W、
Ta、 Hf、Y、 B、 C,AI、 Si、 Ru
、 Rh、 Pd、 Pt、希土類元素の少なくとも1
種以上と、不可避な不純物を含有するFe合金膜でも良
い。
可避な不純物からなるいわゆる純Feでも良く、また、
主成分をFeとし、副成分として前記のbcc構造と強
磁性の条件を満足する範囲のCo、 Ni、Cu、 M
n、 Or、 V、 Mo、 Nb、 Zr、 W、
Ta、 Hf、Y、 B、 C,AI、 Si、 Ru
、 Rh、 Pd、 Pt、希土類元素の少なくとも1
種以上と、不可避な不純物を含有するFe合金膜でも良
い。
積層しかつ最外層に設けるFe−A1−8i系合金薄膜
は、所謂センダスト合金であり、従来より複合型及び薄
膜磁気ヘッドに多用されており、磁気ヘツドの用途等に
応じて、公知の組成が適宜選定し得るが、3−10wt
%Al、6〜15wt%Si、 80〜90wt%Fe
の範囲の合金を用いることができ、また、必要に応じて
、Cr、 Ti、 Ta、 Ni、 Co、 Mo、
Zr、希土類元素や白金属元素などを添加するのも良い
。
は、所謂センダスト合金であり、従来より複合型及び薄
膜磁気ヘッドに多用されており、磁気ヘツドの用途等に
応じて、公知の組成が適宜選定し得るが、3−10wt
%Al、6〜15wt%Si、 80〜90wt%Fe
の範囲の合金を用いることができ、また、必要に応じて
、Cr、 Ti、 Ta、 Ni、 Co、 Mo、
Zr、希土類元素や白金属元素などを添加するのも良い
。
製造条件
フェライトコアの磁気ギャップ突合わせ面に、拡散防止
膜、FeまたはFe系合金薄膜とさらにその上にFe−
A1−8層系合金薄膜を成膜するが、その被着方法とし
ては、各種スパッタリング法、CVD法、蒸着法、イオ
ンブレーティング等の公知の気相成膜方法が利用できる
。
膜、FeまたはFe系合金薄膜とさらにその上にFe−
A1−8層系合金薄膜を成膜するが、その被着方法とし
ては、各種スパッタリング法、CVD法、蒸着法、イオ
ンブレーティング等の公知の気相成膜方法が利用できる
。
好ましい被着条件としては、いずれの方法においても、
到達真空度は高い程好ましく、少なくとも10’Tor
r台以下の高真空にする必要があり、望ましくは2 X
10’Torr以下、さらに望ましくは1 x 10
’Torr以下が良い。
到達真空度は高い程好ましく、少なくとも10’Tor
r台以下の高真空にする必要があり、望ましくは2 X
10’Torr以下、さらに望ましくは1 x 10
’Torr以下が良い。
スパッタリング法を用いる場合には、アルゴンガス等の
不活性ガスをスパッタリングガスとして用いるが、この
圧力はスパッタ装置の構造によって適宜選定すれば良い
。
不活性ガスをスパッタリングガスとして用いるが、この
圧力はスパッタ装置の構造によって適宜選定すれば良い
。
さらに、被着形成するbcc構造を有する強磁性のFe
またはFe系合金薄膜の膜厚は数人〜数千人と薄いため
に、基板の表面状態、例えば、残留歪応力や粗度等に強
く影響され、磁気特性が悪化する可能性があるため、b
cc構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜を
被着する拡散防止膜、ひいてはフェライトコア費用面粗
度を40Å以下にする必要があり、MCP(メカノケミ
カルポリッシング)加工が有効である。
またはFe系合金薄膜の膜厚は数人〜数千人と薄いため
に、基板の表面状態、例えば、残留歪応力や粗度等に強
く影響され、磁気特性が悪化する可能性があるため、b
cc構造を有する強磁性のFeまたはFe系合金薄膜を
被着する拡散防止膜、ひいてはフェライトコア費用面粗
度を40Å以下にする必要があり、MCP(メカノケミ
カルポリッシング)加工が有効である。
さらに、この発明の特徴であるbcc構造を有するFe
またはFe系合金膜の1層当りの被着厚みは、Fe−A
l−8層合金膜の結晶配向を促す目的のためには501
以上必要で、好ましくは100Å以上が好ましい。しか
し、100OAを越える厚さになると金属磁性膜全体の
磁気特性が劣化するため、 50〜1000に厚みとする。
またはFe系合金膜の1層当りの被着厚みは、Fe−A
l−8層合金膜の結晶配向を促す目的のためには501
以上必要で、好ましくは100Å以上が好ましい。しか
し、100OAを越える厚さになると金属磁性膜全体の
磁気特性が劣化するため、 50〜1000に厚みとする。
また、Fe−Al−8層系合金膜の厚みは、高透磁率、
低保磁力を得るためには前記bcc構造を有するFeま
たはFe系合金膜の1倍以上の厚さが必要であり、望ま
しくは1.5倍以上、さらに望ましくは2倍以上が良い
。
低保磁力を得るためには前記bcc構造を有するFeま
たはFe系合金膜の1倍以上の厚さが必要であり、望ま
しくは1.5倍以上、さらに望ましくは2倍以上が良い
。
しかし、Fe−Al−8層合金膜が厚すぎる場合には、
磁気ヘッドの周波数特性が悪くなり、逆に薄い場合には
、オーバーライド特性が悪くなるなるので、厚さは通常
、FeまたはFe系合金膜の数十倍の厚さとする必要が
あり、この発明において、bcc構造を有する強磁性の
FeまたはFe合金膜とFe−Al−8層合金膜とから
なる金属磁性体厚みは、1層数戸である。
磁気ヘッドの周波数特性が悪くなり、逆に薄い場合には
、オーバーライド特性が悪くなるなるので、厚さは通常
、FeまたはFe系合金膜の数十倍の厚さとする必要が
あり、この発明において、bcc構造を有する強磁性の
FeまたはFe合金膜とFe−Al−8層合金膜とから
なる金属磁性体厚みは、1層数戸である。
熱処理は、成膜後所要の加工前に行なっても良く、例え
ば、磁気ヘッド等の部品の形状に加工してから行なって
も良い。さらにまた、磁気へラドコアの半体対のボンデ
ィング加工を行なう際にガラス溶着のための加熱を熱処
理と併用しても良い。
ば、磁気ヘッド等の部品の形状に加工してから行なって
も良い。さらにまた、磁気へラドコアの半体対のボンデ
ィング加工を行なう際にガラス溶着のための加熱を熱処
理と併用しても良い。
熱処理の温度と時間は、複合金属磁性膜の磁気特性を向
上させるのに十分な温度と時間を適宜選定すると同時に
、コアとの熱膨張係数差、基板耐熱性、各膜の厚さ、コ
ア、拡散防止膜、FeまたはFe系合金膜と、Fe−A
l−8層系合金膜との3者間の相互拡散を同時に考慮し
て組成等によって適宜選定する必要がある。
上させるのに十分な温度と時間を適宜選定すると同時に
、コアとの熱膨張係数差、基板耐熱性、各膜の厚さ、コ
ア、拡散防止膜、FeまたはFe系合金膜と、Fe−A
l−8層系合金膜との3者間の相互拡散を同時に考慮し
て組成等によって適宜選定する必要がある。
熱処理温度は、400℃未満では、応力の緩和が不十分
で十分に高い透磁率が得られないため好ましくなく、ま
た800℃を越えると、膜及び膜間の相互拡散等により
返って磁気特性が劣化しなり、膜の剥離が生じ安いため
、400℃〜800℃が好ましく、さらに好ましくは5
00℃〜700℃である。
で十分に高い透磁率が得られないため好ましくなく、ま
た800℃を越えると、膜及び膜間の相互拡散等により
返って磁気特性が劣化しなり、膜の剥離が生じ安いため
、400℃〜800℃が好ましく、さらに好ましくは5
00℃〜700℃である。
処理時間は、1分未満では、十分に高い透磁率が得られ
ないため好ましくなく、また100時間を越えると、返
って磁気特性が劣化するため、1分〜100時間が好ま
しく、さらには5分以上、10時間以下がより好ましい
。
ないため好ましくなく、また100時間を越えると、返
って磁気特性が劣化するため、1分〜100時間が好ま
しく、さらには5分以上、10時間以下がより好ましい
。
冷却速度は、熱処理温度、時間と同様に使用した基板及
び複合金属磁性膜の組成や構成によって適宜選定する必
要があるが、通常、1℃/hr以上、10000℃/h
r以下が好ましく、特に、50℃/hr〜600”C/
hrの範囲が好ましい。
び複合金属磁性膜の組成や構成によって適宜選定する必
要があるが、通常、1℃/hr以上、10000℃/h
r以下が好ましく、特に、50℃/hr〜600”C/
hrの範囲が好ましい。
雰囲気は、金属磁性膜及び強磁性酸化物の磁気特性を著
しく劣化させるものでなければどのような雰囲気でも良
いが、真空または不活性ガスまたは窒素ガス中が好まし
く、特に10’Torr以上の真空が好ましい。
しく劣化させるものでなければどのような雰囲気でも良
いが、真空または不活性ガスまたは窒素ガス中が好まし
く、特に10’Torr以上の真空が好ましい。
発明の効果
この発明によるMIG型磁気ヘッドは、磁気ギャップ内
に、疑似ギャップを発生させる金属磁性膜の初期劣化層
をなくし、Fe−Al−8i合金膜と同等またはそれ以
上の軟磁気特性(透磁率、保磁力)を有し、かつFe−
Al−8i合金膜以上の飽和磁束密度を有する軟磁性膜
が得られることにより、高保磁力の媒体に適用でき、高
記録密度が得られる。
に、疑似ギャップを発生させる金属磁性膜の初期劣化層
をなくし、Fe−Al−8i合金膜と同等またはそれ以
上の軟磁気特性(透磁率、保磁力)を有し、かつFe−
Al−8i合金膜以上の飽和磁束密度を有する軟磁性膜
が得られることにより、高保磁力の媒体に適用でき、高
記録密度が得られる。
また、この発明によるMIG型磁気ヘッドは、Fe−A
l−8i合金膜が一軸磁気異方性を有し、かつ−軸磁気
異方性をFe−Al−8i合金膜の成膜時に容易に制御
でき、例えば、第1図でコアブロック半体の垂直下向き
に困難軸が向くように誘導することができ、極めて好ま
しい特性を得ることができる。
l−8i合金膜が一軸磁気異方性を有し、かつ−軸磁気
異方性をFe−Al−8i合金膜の成膜時に容易に制御
でき、例えば、第1図でコアブロック半体の垂直下向き
に困難軸が向くように誘導することができ、極めて好ま
しい特性を得ることができる。
実施例
実施例l
Mn−Zn単結晶フェライトからなる第1図に示す如き
C型コア(1)となるべきブロック半体とI型コア(3
)となるべきブロック半体を製造し、C型コア(1)の
磁気ギャップ突合わせ面(2)となるべきブロック半体
の所要面を、ダイヤモンドパウダーを用いて、鏡面した
のち、MCP加工を施し、前記面を高精度な無歪面に仕
上げた。
C型コア(1)となるべきブロック半体とI型コア(3
)となるべきブロック半体を製造し、C型コア(1)の
磁気ギャップ突合わせ面(2)となるべきブロック半体
の所要面を、ダイヤモンドパウダーを用いて、鏡面した
のち、MCP加工を施し、前記面を高精度な無歪面に仕
上げた。
この際、タリステップ表面段差測定器による測定では、
粗度30A以下であった。また、表面歪層の除去状態は
、エリプソメトリ−によって確認した。
粗度30A以下であった。また、表面歪層の除去状態は
、エリプソメトリ−によって確認した。
上記の無歪加工された磁性基板の主面上に、RF2極マ
グネトロンスパッタリング装置によって、Al2O3膜
を100M享みて被着形成した後、MCP加工により高
精度な平坦無歪面に仕上げた。
グネトロンスパッタリング装置によって、Al2O3膜
を100M享みて被着形成した後、MCP加工により高
精度な平坦無歪面に仕上げた。
この際、タリステップ表面段差測定器による測定では、
粗度20Å以下であった。また、表面歪層の除去状態は
、エリプソメトリ−によって確認した。
粗度20Å以下であった。また、表面歪層の除去状態は
、エリプソメトリ−によって確認した。
さらに、RF2極マグネトロンスパッタリング装置によ
って、99.3%Fe膜を400に享みて被着形成し、
さらにFe−6AI−108i膜を1.5pm厚みに被
着形成し、1.54pm厚みの複合金属磁性膜を積層成
膜した。
って、99.3%Fe膜を400に享みて被着形成し、
さらにFe−6AI−108i膜を1.5pm厚みに被
着形成し、1.54pm厚みの複合金属磁性膜を積層成
膜した。
なお、前記のスパッタリング条件は、各々投入電力RF
1kW、 Arガス圧力4X10−3Torrであっ
た。
1kW、 Arガス圧力4X10−3Torrであっ
た。
次に、前記基板上に磁気ギャップを形成するためのガラ
ス膜をRF2極マグネトロンスパッタリング装置にて、
各コアにつきO,鋤m厚みに被着形成した。
ス膜をRF2極マグネトロンスパッタリング装置にて、
各コアにつきO,鋤m厚みに被着形成した。
さらに、C型半体とI型巻線溝を有しない半体を、N2
ガス雰囲気中(680℃×10分)によってガラスボン
ディングし、同時に、金属磁性膜の磁気特性を向上させ
た後、さらに、トラックを形成するためのトラック溝巻
線溝を多数形成し、スライシングし、所定寸法、形状と
なるように外形加工を施し、MIG型磁気へラドチップ
化した。
ガス雰囲気中(680℃×10分)によってガラスボン
ディングし、同時に、金属磁性膜の磁気特性を向上させ
た後、さらに、トラックを形成するためのトラック溝巻
線溝を多数形成し、スライシングし、所定寸法、形状と
なるように外形加工を施し、MIG型磁気へラドチップ
化した。
従って、C型コア(1)の磁気ギャップ突合わせ面(2
)は、Al2O3拡散防止膜(10)、Fe膜(11)
、Fe−Al−8i膜(12)が積層成膜され、さらに
磁気ギャップ用のガラス膜(13)が成膜されている。
)は、Al2O3拡散防止膜(10)、Fe膜(11)
、Fe−Al−8i膜(12)が積層成膜され、さらに
磁気ギャップ用のガラス膜(13)が成膜されている。
次に、コンポジットヘッド化し、電磁変換特性を測定し
た。また、比較のために、従来法のFe−Al−8i膜
のみによるコンポジットヘッドも作製し、電磁変換特性
を測定した。
た。また、比較のために、従来法のFe−Al−8i膜
のみによるコンポジットヘッドも作製し、電磁変換特性
を測定した。
再生出力波形観察によるメインピークaと疑似ギャップ
出力すの出力比b/aの測定の結果、本発明のb/aは
0.02、従来法のb/aは0.1であり、この発明に
よるヘッドの場合の方は、疑似ギャップの効果は実質的
に問題とならない程度に著しく減少し、良好な記録再生
特性を有することが確認できた。
出力すの出力比b/aの測定の結果、本発明のb/aは
0.02、従来法のb/aは0.1であり、この発明に
よるヘッドの場合の方は、疑似ギャップの効果は実質的
に問題とならない程度に著しく減少し、良好な記録再生
特性を有することが確認できた。
また、この発明によるコンポジットヘッドの再生周波数
特性のうねりは大幅に改善され、1dB以下であった。
特性のうねりは大幅に改善され、1dB以下であった。
去扇!國
多結晶Mn−Znフェライトからなる第1図に示すC型
コア(1)の磁気ギャップ突合わせ面(2)に、無歪み
加工を施し、その上に拡散防止膜としてCrNを成膜し
、次いで、第2層にFe合金膜を0.05戸厚み、第3
層としてFe−6AI−10Si膜を1.5μ厚みに被
着形成し、磁性膜を1.55μ厚みとした。
コア(1)の磁気ギャップ突合わせ面(2)に、無歪み
加工を施し、その上に拡散防止膜としてCrNを成膜し
、次いで、第2層にFe合金膜を0.05戸厚み、第3
層としてFe−6AI−10Si膜を1.5μ厚みに被
着形成し、磁性膜を1.55μ厚みとした。
C型コア(1)と■型コア(3)ギャップ膜として・ガ
ラス膜を各々0.3μ厚みに被着形成し、ギャップ形成
面どうしを付き合わせ、N2ガス雰囲気中(720℃×
10分)によってガラスボンディングした。
ラス膜を各々0.3μ厚みに被着形成し、ギャップ形成
面どうしを付き合わせ、N2ガス雰囲気中(720℃×
10分)によってガラスボンディングした。
このボンディングしたブロックを加工してMIGモノリ
シックスライダーを作製し、電磁変換特性を測定した。
シックスライダーを作製し、電磁変換特性を測定した。
その結果、実施例1と同様に、疑似ギャップの効果は実
質的に問題とならない程度に著しく減少し、良好な記録
再生特性を有することが確認できた。
質的に問題とならない程度に著しく減少し、良好な記録
再生特性を有することが確認できた。
第1図はMIG型磁気ヘッドの分解斜視説明図である。
第2図は磁気ギャップ突合わせ面上の成膜を示す断面説
明図である。 1・・C型コア、2・・・磁気ギャップ突合わせ面、3
・・・■型コア、10・・・Al2O3拡散防止膜、1
1・・・Fe膜、12− Fe−Al−8i膜、13−
・・ガラス膜。
明図である。 1・・C型コア、2・・・磁気ギャップ突合わせ面、3
・・・■型コア、10・・・Al2O3拡散防止膜、1
1・・・Fe膜、12− Fe−Al−8i膜、13−
・・ガラス膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 少なくとも一方の磁気コア半体がフェライトからなり、
磁気ギャップ内に高飽和磁束密度の金属膜を有するMI
G型磁気ヘッドにおいて、 フェライトコアの磁気ギャップ突合わせ面に、SiO_
2、サイアロン、Al_2O_3、CrNの1種または
2種以上を50〜300Å厚みで被着し、前記薄膜上に
bcc構造を有する強磁性のFeまたはFe合金膜を、
50〜1000Å厚みで積層成膜し、さらに、Fe−A
l−Si合金膜を成膜した構成からなり、 製造時のガラスボンディングまたは400℃〜800℃
での熱処理により、Fe−Al−Si合金膜が一軸磁気
異方性を有することを特徴とするMIG型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004686A JP2519554B2 (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Mig型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004686A JP2519554B2 (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Mig型磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03209607A true JPH03209607A (ja) | 1991-09-12 |
JP2519554B2 JP2519554B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=11590780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004686A Expired - Fee Related JP2519554B2 (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Mig型磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2519554B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62145510A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-29 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
JPS63279404A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 複合型磁気ヘッド |
JPH01276607A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Hitachi Ltd | 強磁性薄膜およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP2004686A patent/JP2519554B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62145510A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-29 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
JPS63279404A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 複合型磁気ヘッド |
JPH01276607A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Hitachi Ltd | 強磁性薄膜およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2519554B2 (ja) | 1996-07-31 |
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---|---|---|---|
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