JPS61248211A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPS61248211A JPS61248211A JP9036785A JP9036785A JPS61248211A JP S61248211 A JPS61248211 A JP S61248211A JP 9036785 A JP9036785 A JP 9036785A JP 9036785 A JP9036785 A JP 9036785A JP S61248211 A JPS61248211 A JP S61248211A
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- Japan
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- magnetic
- insulating
- element layer
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3912—Arrangements in which the active read-out elements are transducing in association with active magnetic shields, e.g. magnetically coupled shields
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は磁気テープ装置などに用いられるシャントバイ
アス型の磁気抵抗効果型へノドであって、導電性磁性基
板上に厚い絶縁層を介してＭＲ素子層と、これに直接に
接する形にシャントバイアス用導体層を設け、その上面
に前記絶縁層よりも薄い絶縁層を介してシールド磁性体
層を順に積層した構成とし、該磁気抵抗効果素子層とシ
ールド磁性体を兼ねた導電性磁性基板及びシールド磁性
体層間での短絡障害をなくし、磁気抵抗効果素子を適正
なバイアス点で動作させるようにしたものである。
アス型の磁気抵抗効果型へノドであって、導電性磁性基
板上に厚い絶縁層を介してＭＲ素子層と、これに直接に
接する形にシャントバイアス用導体層を設け、その上面
に前記絶縁層よりも薄い絶縁層を介してシールド磁性体
層を順に積層した構成とし、該磁気抵抗効果素子層とシ
ールド磁性体を兼ねた導電性磁性基板及びシールド磁性
体層間での短絡障害をなくし、磁気抵抗効果素子を適正
なバイアス点で動作させるようにしたものである。
本発明は磁気テープ装置、或いは磁気ディスク装置など
の磁気記憶装置に用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに係
り、特に磁気抵抗効果素子層とシールド磁性体層間の絶
縁性を高めて、磁気抵抗効果素子を適正なバイアス点で
動作させるようにした、信頼性の良いシャントバイアス
型の磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
の磁気記憶装置に用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに係
り、特に磁気抵抗効果素子層とシールド磁性体層間の絶
縁性を高めて、磁気抵抗効果素子を適正なバイアス点で
動作させるようにした、信頼性の良いシャントバイアス
型の磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
磁気テープ装置等に用いられるシャントバイアス型の磁
気抵抗効果型ヘッドは、シャントバイアス用導体層が直
接接合された磁気抵抗効果素子の両側にそれぞれ非磁性
絶縁層を介してシールド磁性体層を配設した構成から成
り、外部の電流供給部より磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ
素子と称する）及び前記バイアス用導体層に一定電流が
供給されると、この電流はＭＲｉ子とバイアス用導体層
の抵抗値に応じて分流される。
気抵抗効果型ヘッドは、シャントバイアス用導体層が直
接接合された磁気抵抗効果素子の両側にそれぞれ非磁性
絶縁層を介してシールド磁性体層を配設した構成から成
り、外部の電流供給部より磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ
素子と称する）及び前記バイアス用導体層に一定電流が
供給されると、この電流はＭＲｉ子とバイアス用導体層
の抵抗値に応じて分流される。
このバイアス用導体層に分流する電流によって発生する
磁界が、ＭＲ素子のバイアス磁界として働くが、この種
のヘッド構成にあっては一般にバイアス用導体層に分流
する電流だけでは、該ＭＲ素子を適正なバイアス点で動
作させるためのバイアス磁界が不足し、再生波形が歪む
問題があり、かかる問題点を解決するために種々の提案
が既になされている。
磁界が、ＭＲ素子のバイアス磁界として働くが、この種
のヘッド構成にあっては一般にバイアス用導体層に分流
する電流だけでは、該ＭＲ素子を適正なバイアス点で動
作させるためのバイアス磁界が不足し、再生波形が歪む
問題があり、かかる問題点を解決するために種々の提案
が既になされている。
第５図は上述した問題点を解消する従来のシャントバイ
アス型の磁気抵抗効果型ヘッドの一例を示す要部断面図
であり、例えばＭｎ−Ｚｎフェライトなどから成り、か
つシールド磁性体を兼ねた導電性磁性基板１に対して５
ｉ０２などからなる比較的薄い第一絶縁層２を介して、
第６図の拡大斜視図に示されるようにＴｉなどからなる
シャントバイアス用導体層３が直接積層された形のパー
マロイ等からなるＭＲ素子層４が設けられ、更にその上
面に、厚い第二絶縁層５を介してパーマロイ等からなる
シールド磁性体層６及び５ｉ０２などからなる絶縁保護
層７が積層された構成となっている。
アス型の磁気抵抗効果型ヘッドの一例を示す要部断面図
であり、例えばＭｎ−Ｚｎフェライトなどから成り、か
つシールド磁性体を兼ねた導電性磁性基板１に対して５
ｉ０２などからなる比較的薄い第一絶縁層２を介して、
第６図の拡大斜視図に示されるようにＴｉなどからなる
シャントバイアス用導体層３が直接積層された形のパー
マロイ等からなるＭＲ素子層４が設けられ、更にその上
面に、厚い第二絶縁層５を介してパーマロイ等からなる
シールド磁性体層６及び５ｉ０２などからなる絶縁保護
層７が積層された構成となっている。
８ば磁気テープ等の磁気記録媒体９に対するヘッドの媒
体摺動面であり、矢印Ａで示される芸記録媒体９の走行
方向に対して、上記ＭＲ素子層４がその厚さ方向となる
ように対向配置される。
体摺動面であり、矢印Ａで示される芸記録媒体９の走行
方向に対して、上記ＭＲ素子層４がその厚さ方向となる
ように対向配置される。
そしてこのようにシールド層を兼ねた導電性磁性基板１
寄りに配設された前記ＭＲ素子層４とバイアス用導体層
３に、外部の電流供給部より一定電流が供給され、該バ
イアス用導体層３に分流する電流によって発生する磁界
が、ＭＲ素子層４のバイアス磁界としてバイアスされる
と共に、シールド層を兼ねた導電性磁性基板１を磁化す
ることにより実効バイアス磁界を増大させて、ＭＲ素子
層４からなるＭＲ素子を適正なバイアス点で動作させる
ことが行われている。
寄りに配設された前記ＭＲ素子層４とバイアス用導体層
３に、外部の電流供給部より一定電流が供給され、該バ
イアス用導体層３に分流する電流によって発生する磁界
が、ＭＲ素子層４のバイアス磁界としてバイアスされる
と共に、シールド層を兼ねた導電性磁性基板１を磁化す
ることにより実効バイアス磁界を増大させて、ＭＲ素子
層４からなるＭＲ素子を適正なバイアス点で動作させる
ことが行われている。
しかし、上記のようなヘッド構成においては、前記導電
性磁性基板ｌとバイアス用導体層３間の第一絶縁層２の
膜厚が薄いため、該絶縁層２の形成において避けること
の出来ない微細なピンホールなどにより、前記導電性磁
性基板１とバイアス用導体層３及びＭＲ素子層４相互間
の絶縁性が悪くなり、短絡障害が発生する欠点があった
。
性磁性基板ｌとバイアス用導体層３間の第一絶縁層２の
膜厚が薄いため、該絶縁層２の形成において避けること
の出来ない微細なピンホールなどにより、前記導電性磁
性基板１とバイアス用導体層３及びＭＲ素子層４相互間
の絶縁性が悪くなり、短絡障害が発生する欠点があった
。
本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、その
目的とするところは、バイアス用導体層及びＭＲ素子層
と両シールド磁性体層間の絶縁性を高めて、ＭＲ素子を
適正なバイアス点で安定に動作し得るようにした、信頼
性の良いシャントバイアス型の磁気抵抗効果型ヘッドを
提供することにある。
目的とするところは、バイアス用導体層及びＭＲ素子層
と両シールド磁性体層間の絶縁性を高めて、ＭＲ素子を
適正なバイアス点で安定に動作し得るようにした、信頼
性の良いシャントバイアス型の磁気抵抗効果型ヘッドを
提供することにある。
本発明は上記目的を達成するため、例えば５ｉ０２など
からなる絶縁層を介して対向する２つの導体間での電・
気的短絡障害が、該絶縁層の層厚が薄くなる程、また相
互の対向面積が広くなるに比例して発生し易い事実に基
づいて、第１図に示すように、導電性磁性基板２１上に
層厚の厚い第一絶縁層２２を介してＭＲ素子層２３と、
これに直接に接する形にシャントバイアス用導体層２４
を設け、その上面に前記第一絶縁層２２の層厚よりも薄
い第二絶縁層２５を介してシールド磁性体層２６が順に
積層され、該ＭＲ素子層と磁性基板との配設間隔を大き
く、また相互の対向面積が小さい該ＭＲ素子層とシール
ド磁性体層との配設間隔を小さく設定するように構成さ
れている。
からなる絶縁層を介して対向する２つの導体間での電・
気的短絡障害が、該絶縁層の層厚が薄くなる程、また相
互の対向面積が広くなるに比例して発生し易い事実に基
づいて、第１図に示すように、導電性磁性基板２１上に
層厚の厚い第一絶縁層２２を介してＭＲ素子層２３と、
これに直接に接する形にシャントバイアス用導体層２４
を設け、その上面に前記第一絶縁層２２の層厚よりも薄
い第二絶縁層２５を介してシールド磁性体層２６が順に
積層され、該ＭＲ素子層と磁性基板との配設間隔を大き
く、また相互の対向面積が小さい該ＭＲ素子層とシール
ド磁性体層との配設間隔を小さく設定するように構成さ
れている。
このようなヘッド構成においては、磁性基板２１とＭＲ
素子層２３との配設間隔が厚い第一絶縁層２２の介在に
より絶縁性が高められる。また逆にＭＲ素子層２３とシ
ールド磁性体層２６間は狭められているが、薄い第二絶
縁層２５を介在した相互間の対向面積が小さいことから
、これらの間での短絡障害の恐れが著しく減少する。
素子層２３との配設間隔が厚い第一絶縁層２２の介在に
より絶縁性が高められる。また逆にＭＲ素子層２３とシ
ールド磁性体層２６間は狭められているが、薄い第二絶
縁層２５を介在した相互間の対向面積が小さいことから
、これらの間での短絡障害の恐れが著しく減少する。
従って、従来の如き短絡障害がなく、ＭＲ素子を適正な
バイアス点で安定に動作することが可能となる。
バイアス点で安定に動作することが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドの一実施例
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
図において、２１は例えばＭｎ−Ｚｎフェライトなどか
ら成り、かつシールド体を兼ねた導電性磁性基板であり
、該磁性基板２１に対して５ｉ０２などからなる例えば
膜厚が１μｍの厚い第一絶縁層２２を介して、従来と同
様のパターン形状の膜厚が５００人のパーマロイ等から
なるＭＲ素子層２３と、Ｔｉなどからなる１５００〜３
０００人の膜厚を有するシャントバイアス用導体層３が
直接積層された形に設けられている。
ら成り、かつシールド体を兼ねた導電性磁性基板であり
、該磁性基板２１に対して５ｉ０２などからなる例えば
膜厚が１μｍの厚い第一絶縁層２２を介して、従来と同
様のパターン形状の膜厚が５００人のパーマロイ等から
なるＭＲ素子層２３と、Ｔｉなどからなる１５００〜３
０００人の膜厚を有するシャントバイアス用導体層３が
直接積層された形に設けられている。
更にその上面に、膜厚が０．３μｍの５ｉ０２などから
なる薄い第二絶縁層２５を介してパーマロイ等からなる
シールド磁性体層２６及び５ｉ０２などからなる１μｍ
の膜厚の絶縁保護層２７が順に積層された構成となって
いる。
なる薄い第二絶縁層２５を介してパーマロイ等からなる
シールド磁性体層２６及び５ｉ０２などからなる１μｍ
の膜厚の絶縁保護層２７が順に積層された構成となって
いる。
２８は磁気テープ等の磁気記録媒体２９に対するヘッド
の媒体摺動面であり、従来と同様に矢印Ａで示される該
記録媒体２９の走行方向に対して上記ＭＲ素子層２３が
その厚さ方向となるように対向配置される。
の媒体摺動面であり、従来と同様に矢印Ａで示される該
記録媒体２９の走行方向に対して上記ＭＲ素子層２３が
その厚さ方向となるように対向配置される。
このような本発明のヘッド構成にあっては、前記磁性基
板２１に対するＭＲ素子層２３の配設間隔は従来の構成
に比へて充分に大きいことから、この間での絶縁性が高
められ、従来の如き短絡障害の恐れは解消される。
板２１に対するＭＲ素子層２３の配設間隔は従来の構成
に比へて充分に大きいことから、この間での絶縁性が高
められ、従来の如き短絡障害の恐れは解消される。
また前記ＭＲ素子層２３とシールド磁性体層２６との配
設間隔は、従来例とは逆に小さくなっているが、これら
相互の対向面は、第２図によって明らかなようにシール
ド磁性体層２６に対してＭＲ素子層２３での引出し端子
部２３ｂ、 ２３ｃは対向せず、該引出し端子部２３ｂ
、 ２３ｃを除く素子部２３ａ側面と略対応するシール
ド磁性体層２６の幅面とが実質的に対向しているので、
該相互間の対向面積は小さく、この間での短絡障害の発
生が著しく低減される。
設間隔は、従来例とは逆に小さくなっているが、これら
相互の対向面は、第２図によって明らかなようにシール
ド磁性体層２６に対してＭＲ素子層２３での引出し端子
部２３ｂ、 ２３ｃは対向せず、該引出し端子部２３ｂ
、 ２３ｃを除く素子部２３ａ側面と略対応するシール
ド磁性体層２６の幅面とが実質的に対向しているので、
該相互間の対向面積は小さく、この間での短絡障害の発
生が著しく低減される。
尚、以上の実施例においては、ＭＲ素子層２３とシャン
トバイアス用導体層２４とが直接に接する形で構成され
ているが、これら両者間での相互拡散により該ＭＲ素子
部２３ａの磁気特性の劣化が懸念される場合には、第３
図の平面図及び第４図の側面図に示すように、ＭＲ素子
層２３の引出し端子部２３ｂ、 ２３Ｃを除く素子部２
３ａ部分と、この部分と接するシャントバイアス用導体
層２４部分との間に限って略１００人程度の膜厚の５ｉ
０２膜３１を介在した構成とすれば良い。
トバイアス用導体層２４とが直接に接する形で構成され
ているが、これら両者間での相互拡散により該ＭＲ素子
部２３ａの磁気特性の劣化が懸念される場合には、第３
図の平面図及び第４図の側面図に示すように、ＭＲ素子
層２３の引出し端子部２３ｂ、 ２３Ｃを除く素子部２
３ａ部分と、この部分と接するシャントバイアス用導体
層２４部分との間に限って略１００人程度の膜厚の５ｉ
０２膜３１を介在した構成とすれば良い。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵抗
効果型ヘッドによれば、ＭＲ素子層とシールド磁性体を
兼ねる磁性基板及びシールド磁性体層間の短絡障害が解
消されると共に、ＭＲ素子を適正なバイアス点で安定に
動作することが可能となる利点を有し、この種の磁気抵
抗効果型ヘッドに通用して優れた効果を奏する。
効果型ヘッドによれば、ＭＲ素子層とシールド磁性体を
兼ねる磁性基板及びシールド磁性体層間の短絡障害が解
消されると共に、ＭＲ素子を適正なバイアス点で安定に
動作することが可能となる利点を有し、この種の磁気抵
抗効果型ヘッドに通用して優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドの一実施例
を示す要部断面図、 第２図はＭＲ素子とシールド磁性体層との相対位置関係
を示す平面図、 第３図及び第４図は本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド
の他の実施例を示す平面図及 び断面図、 第５図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドを説明するための
要部断面図、 第６図はＭＲ素子を説明するための拡大斜視図である。 第１図乃至第３図において、 ２１は導電性磁性基板、２２は第一絶縁層、２３はＭＲ
素子、２３ａはＭＲ素子部、２３ｂ、 ２３ｃは引出し
端子、２４はシャントバイアス用導体層、２５は第二絶
縁層、２６はシールド磁性体層、２７は絶縁保護層、３
１は５ｉ０２膜をそれぞれ示す。 不必中史詰例Ｓａｔ明７３ｆＩＰ祈向閤第 １ 圀 第３因 第４図
を示す要部断面図、 第２図はＭＲ素子とシールド磁性体層との相対位置関係
を示す平面図、 第３図及び第４図は本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド
の他の実施例を示す平面図及 び断面図、 第５図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドを説明するための
要部断面図、 第６図はＭＲ素子を説明するための拡大斜視図である。 第１図乃至第３図において、 ２１は導電性磁性基板、２２は第一絶縁層、２３はＭＲ
素子、２３ａはＭＲ素子部、２３ｂ、 ２３ｃは引出し
端子、２４はシャントバイアス用導体層、２５は第二絶
縁層、２６はシールド磁性体層、２７は絶縁保護層、３
１は５ｉ０２膜をそれぞれ示す。 不必中史詰例Ｓａｔ明７３ｆＩＰ祈向閤第 １ 圀 第３因 第４図
Claims (2)
- （１）導電性磁性基板（２１）上に第一絶縁層（２２）
、磁気抵抗効果素子層（２３）、シャントバイアス用導
体層（２４）、第二絶縁層（２５）およびシールド磁性
体層（２６）を順次積層し、上記磁性基板（２１）と磁
気抵抗効果素子層（２３）との配設間隔を、該磁気抵抗
効果素子層（２３）とシールド磁性体層（２６）との配
設間隔よりも大きく設定したことを特徴とする磁気抵抗
効果型ヘッド。 - （２）上記磁気抵抗効果素子層（２３）の素子部分（２
３ａ）と対応するシャントバイアス用導体層（２４）部
分との間に、相互拡散を防止する拡散防止層（３１）を
介在して成ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項に記載した磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9036785A JPS61248211A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9036785A JPS61248211A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248211A true JPS61248211A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13996576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9036785A Pending JPS61248211A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248211A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482311A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JPH01130313A (ja) * | 1987-11-14 | 1989-05-23 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| US5555147A (en) * | 1992-04-20 | 1996-09-10 | Nec Corporation | MR/inductive combined thin film magnetic head capable of reducing occurrence of a short circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5960726A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP9036785A patent/JPS61248211A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5960726A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482311A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JPH01130313A (ja) * | 1987-11-14 | 1989-05-23 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| US5555147A (en) * | 1992-04-20 | 1996-09-10 | Nec Corporation | MR/inductive combined thin film magnetic head capable of reducing occurrence of a short circuit |
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