JPH0510726B2 - - Google Patents
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- JPH0510726B2 JPH0510726B2 JP59130718A JP13071884A JPH0510726B2 JP H0510726 B2 JPH0510726 B2 JP H0510726B2 JP 59130718 A JP59130718 A JP 59130718A JP 13071884 A JP13071884 A JP 13071884A JP H0510726 B2 JPH0510726 B2 JP H0510726B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/265—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track
- G11B5/2651—Manufacture
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
- G11B5/11—Shielding of head against electric or magnetic fields
- G11B5/115—Shielding devices arranged between heads or windings
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1871—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface
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- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は記録用磁気ヘツド、或る場合は先に磁
気記録媒体上に記録された記録を消去する消去用
磁気ヘツドをも含む記録用磁気ヘツドと、再生用
磁気ヘツドとが磁気媒体との相対的移行方向に順
次配列されて複合一体化されてなる複合型磁気ヘ
ツド装置、例えば薄膜型の電磁誘導型記録用磁気
ヘツドと、薄膜型の磁気抵抗効果（以下MRとい
う）型再生用磁気ヘツドとの組合せによる複合型
磁気ヘツド装置に係わる。
気記録媒体上に記録された記録を消去する消去用
磁気ヘツドをも含む記録用磁気ヘツドと、再生用
磁気ヘツドとが磁気媒体との相対的移行方向に順
次配列されて複合一体化されてなる複合型磁気ヘ
ツド装置、例えば薄膜型の電磁誘導型記録用磁気
ヘツドと、薄膜型の磁気抵抗効果（以下MRとい
う）型再生用磁気ヘツドとの組合せによる複合型
磁気ヘツド装置に係わる。
背景技術とその問題点
記録用磁気ヘツドと再生用磁気ヘツドとが複合
一体化された複合型磁気ヘツド装置は、通常、例
えば第１図にその略線的配置構成を示すようにそ
の記録用磁気ヘツドHRと再生用磁気ヘツドHP
の各磁気ギヤツプGR及びGPが、第１図中矢印ａ
で示す記録媒体の移行方向に沿つて配列される。
一体化された複合型磁気ヘツド装置は、通常、例
えば第１図にその略線的配置構成を示すようにそ
の記録用磁気ヘツドHRと再生用磁気ヘツドHP
の各磁気ギヤツプGR及びGPが、第１図中矢印ａ
で示す記録媒体の移行方向に沿つて配列される。
この場合、各記録用磁気ヘツドHRと再生用磁
気ヘツドHPは、夫々単数もしくは複数のチヤン
ネルに対して設けられた磁気ヘツド素子を有する
磁気ヘツド素子部１Ｒ及び１Ｐが前方部に配置さ
れ、図示しないがこれらに付随する集積回路等の
回路部を内蔵する樹脂モールド体２Ｒ及び２Ｐに
よつて夫々ブロツク体を構成し、これらブロツク
体即ち樹脂モールド体２Ｒ及び２Ｐに設けられた
基準平坦面を構成する突き合わせ面３Ｒ及び３Ｐ
において基準面fsを中心として接合合体されて一
体化される。記録用磁気ヘツドHR及び再生用磁
気ヘツドHPの各磁気ギヤツプGR及びGPは、そ
の各深さ方向SR及びSPが基準中心面fsに対して
所定を角度θ例えばθ＝4°に対称的傾きをもつて
配置される。そして、各磁気ヘツドHR及びHP
の夫々の磁気媒体との対接面４Ｒ及び４Ｐは各磁
気ギヤツプGR及びCPの深さ方向SR及びSP上の
各一点を中心として所定の曲率半径をもつて、例
えば円筒研磨されて形成される。
気ヘツドHPは、夫々単数もしくは複数のチヤン
ネルに対して設けられた磁気ヘツド素子を有する
磁気ヘツド素子部１Ｒ及び１Ｐが前方部に配置さ
れ、図示しないがこれらに付随する集積回路等の
回路部を内蔵する樹脂モールド体２Ｒ及び２Ｐに
よつて夫々ブロツク体を構成し、これらブロツク
体即ち樹脂モールド体２Ｒ及び２Ｐに設けられた
基準平坦面を構成する突き合わせ面３Ｒ及び３Ｐ
において基準面fsを中心として接合合体されて一
体化される。記録用磁気ヘツドHR及び再生用磁
気ヘツドHPの各磁気ギヤツプGR及びGPは、そ
の各深さ方向SR及びSPが基準中心面fsに対して
所定を角度θ例えばθ＝4°に対称的傾きをもつて
配置される。そして、各磁気ヘツドHR及びHP
の夫々の磁気媒体との対接面４Ｒ及び４Ｐは各磁
気ギヤツプGR及びCPの深さ方向SR及びSP上の
各一点を中心として所定の曲率半径をもつて、例
えば円筒研磨されて形成される。
このような構成による複合型磁気ヘツドにおい
ては、各記録用磁気ヘツドHR及び再生用磁気ヘ
ツドHPの各磁気ギヤツプGR及びGPの間隔を充
分狭めることができ難く、これによつて各磁気ギ
ヤツプGR及びGPの磁気媒体との対接関係、いわ
ゆる当りを良好に保持することができ難いという
欠点を有する。また全体の外形寸法が大きくなる
といる欠点もある。更に集積回路に対する耐湿性
ないしは耐環境性が低いいという欠点を有し、ま
た磁気ヘツドの組立て時の集積回路等のワイヤー
ボンデイングの本数が大くなる等の欠点を有す
る。
ては、各記録用磁気ヘツドHR及び再生用磁気ヘ
ツドHPの各磁気ギヤツプGR及びGPの間隔を充
分狭めることができ難く、これによつて各磁気ギ
ヤツプGR及びGPの磁気媒体との対接関係、いわ
ゆる当りを良好に保持することができ難いという
欠点を有する。また全体の外形寸法が大きくなる
といる欠点もある。更に集積回路に対する耐湿性
ないしは耐環境性が低いいという欠点を有し、ま
た磁気ヘツドの組立て時の集積回路等のワイヤー
ボンデイングの本数が大くなる等の欠点を有す
る。
発明の目的
本発明は複合磁気ヘツド装置において上述した
諸欠点を改善するものである。
諸欠点を改善するものである。
発明の概要
本発明においては、第１の磁気シールド板を設
け、その一方の面に記録用集積回路が載置された
基板と記録用磁気ヘツド素子部とを設ける。また
第２の磁気シールド板を設け、その一方の面に再
生用集積回路が載置された基板と再生用磁気ヘツ
ド素子部とを取り突ける。そしてこれら第１及び
第２の磁気シールド板の各他方の面において互い
に接合して複合型磁気ヘツド装置を構成するもの
である。
け、その一方の面に記録用集積回路が載置された
基板と記録用磁気ヘツド素子部とを設ける。また
第２の磁気シールド板を設け、その一方の面に再
生用集積回路が載置された基板と再生用磁気ヘツ
ド素子部とを取り突ける。そしてこれら第１及び
第２の磁気シールド板の各他方の面において互い
に接合して複合型磁気ヘツド装置を構成するもの
である。
実施例
第２図以下を参照して本発明による複合型磁気
ヘツド装置の一例を説明する。図中３１は本発明
による複合型磁気ヘツド装置を全体として示す。
ヘツド装置の一例を説明する。図中３１は本発明
による複合型磁気ヘツド装置を全体として示す。
本発明においては、第１及び第２の磁気シール
ド板SH1及びSH2を設ける。これら第１及び第２
の磁気シールド板SH1及びSH2は夫々高透率軟磁
性体の例えばパーマロイドよりなり高精度の平面
性を有する板状体より構成される。
ド板SH1及びSH2を設ける。これら第１及び第２
の磁気シールド板SH1及びSH2は夫々高透率軟磁
性体の例えばパーマロイドよりなり高精度の平面
性を有する板状体より構成される。
第１の磁気シールド板SH1の一方の面には、記
録用集積回路３２の電源安定化のコンデンサ３３
等の記録用磁気ヘツドに付随する電気部品が取り
付けられたセラミツク基板３４を取付けると共
に、その前方端に記録用磁気ヘツド素子部１Ｒを
取り付ける。
録用集積回路３２の電源安定化のコンデンサ３３
等の記録用磁気ヘツドに付随する電気部品が取り
付けられたセラミツク基板３４を取付けると共
に、その前方端に記録用磁気ヘツド素子部１Ｒを
取り付ける。
また、第２の磁気シールド板SH2においても、
その一方の面に再生用磁気ヘツドに付随する電気
部品、例えば再生用集積回路３５、信号導出用コ
ンデンサアレイ３６等をマウントしたセラミツク
基板３７を取り付けると共に、その前方端に再生
用磁気ヘツド素子部１Ｐを取付ける。
その一方の面に再生用磁気ヘツドに付随する電気
部品、例えば再生用集積回路３５、信号導出用コ
ンデンサアレイ３６等をマウントしたセラミツク
基板３７を取り付けると共に、その前方端に再生
用磁気ヘツド素子部１Ｐを取付ける。
そしてこれらセラミツク基板３４及び３７上に
は各集積回路３２，３５及び回路部品、即ち容量
３３，３６等を所定のパターンに接続する誘導パ
ターンが形成され、これらに各部品が例えばリー
ドワイヤー７０，７１をもつて所要の接続関係に
接続されて各ヘツドに付随する回路が形成され
る。
は各集積回路３２，３５及び回路部品、即ち容量
３３，３６等を所定のパターンに接続する誘導パ
ターンが形成され、これらに各部品が例えばリー
ドワイヤー７０，７１をもつて所要の接続関係に
接続されて各ヘツドに付随する回路が形成され
る。
記録用磁気ヘツド素子部１Ｒは、例えば、第３
図にその拡大水平面図を示し、第４図にその平面
パターン図を示すように、Mn−Zn系フエライ
ト、Mn−Ni系フエライト等よりなる磁性基板１
１上に多数のチヤンネルに対応して電磁誘導型の
薄膜磁気ヘツド素子hrが並列配列されてなる。こ
の場合、基板１１にはその一主面１１ａに臨んで
基板１１の長手方向に沿つて溝１２が形成され、
これに非磁性材１３、例えばガラスが充填され
る。また基板１１の面１１ａ上には基板１１が導
電性を有する場合には、これの上にSiO2等の非
絶縁性接着層１４が被着され、これの上に導体手
段１５が被着配置される。この導体手段１５は、
例えば全チヤンネル（トラツク）に対して共通の
バイアス線輪となる帯状薄膜導電体１６と、各チ
ヤンネルに対応して設けられる信号線輪となる帯
状薄膜導電体１７とよりなる。これら導電体１６
及び１７は、少なくともその一部が溝１３に沿つ
て設けられる。そしてこの溝１３とこれの上に導
体手段１５を横切つて各チヤンネルに対応して
夫々パーマロイ等の薄膜磁性層１８が夫々被着さ
れる。この場合、導体手段１５上には、SiO2等
の絶縁層１９が被着されて薄膜磁性層１８との電
気的絶縁がなされる。各磁性層１８の一端は、例
えば絶縁層１９による非磁性ギヤツプスペーサ２
０を介して絶縁基板１１との間に作動磁気ギヤツ
プGRを形成し、他端は、例えば絶縁層１９及び
１４に穿設した窓２１を通じて基板１１の面１１
に磁気的に密に結合させる。このようにして共通
の基板１１と各磁性層１８とによつて夫々閉磁路
が形成されて、各チヤンネルの磁気ヘツド素子hr
が構成されるものである。
図にその拡大水平面図を示し、第４図にその平面
パターン図を示すように、Mn−Zn系フエライ
ト、Mn−Ni系フエライト等よりなる磁性基板１
１上に多数のチヤンネルに対応して電磁誘導型の
薄膜磁気ヘツド素子hrが並列配列されてなる。こ
の場合、基板１１にはその一主面１１ａに臨んで
基板１１の長手方向に沿つて溝１２が形成され、
これに非磁性材１３、例えばガラスが充填され
る。また基板１１の面１１ａ上には基板１１が導
電性を有する場合には、これの上にSiO2等の非
絶縁性接着層１４が被着され、これの上に導体手
段１５が被着配置される。この導体手段１５は、
例えば全チヤンネル（トラツク）に対して共通の
バイアス線輪となる帯状薄膜導電体１６と、各チ
ヤンネルに対応して設けられる信号線輪となる帯
状薄膜導電体１７とよりなる。これら導電体１６
及び１７は、少なくともその一部が溝１３に沿つ
て設けられる。そしてこの溝１３とこれの上に導
体手段１５を横切つて各チヤンネルに対応して
夫々パーマロイ等の薄膜磁性層１８が夫々被着さ
れる。この場合、導体手段１５上には、SiO2等
の絶縁層１９が被着されて薄膜磁性層１８との電
気的絶縁がなされる。各磁性層１８の一端は、例
えば絶縁層１９による非磁性ギヤツプスペーサ２
０を介して絶縁基板１１との間に作動磁気ギヤツ
プGRを形成し、他端は、例えば絶縁層１９及び
１４に穿設した窓２１を通じて基板１１の面１１
に磁気的に密に結合させる。このようにして共通
の基板１１と各磁性層１８とによつて夫々閉磁路
が形成されて、各チヤンネルの磁気ヘツド素子hr
が構成されるものである。
そして、各磁気ヘツド素子hr上には、基板１１
に対向して耐摩耗性に優れた保護基板２２が接着
剤２３を介して接合される。そして、これら基板
１１及び２２に亘つて磁気ギヤツプGRが臨む磁
気媒体との対接面４Ｒを研磨して形成する。
に対向して耐摩耗性に優れた保護基板２２が接着
剤２３を介して接合される。そして、これら基板
１１及び２２に亘つて磁気ギヤツプGRが臨む磁
気媒体との対接面４Ｒを研磨して形成する。
一方、導体手段１５の各薄膜導体１６及び１７
の各両端部１６ａ，１６ｂ及び１７ａ，１７ｂ
は、基板１１の後側縁に延在させて、夫々外部回
路即ち前述したセラミツク基板３４上に配置され
た、例えば記録用集積回路３２に接続される端子
を形成する。この場合、保護基板２２の幅は、磁
性基板１１の幅より小として各端子１６ａ，１６
ｂ及び１７ａ，１７ｂが保護基板２２外に露呈す
るようにされる。そしてこの基板１１に延在する
各端子１６ａ，１６ｂ及び１７ａ，１７ｂは、
夫々セラミツク基板上に形成された、回路部にリ
ードワイヤー７０をもつて接続される。
の各両端部１６ａ，１６ｂ及び１７ａ，１７ｂ
は、基板１１の後側縁に延在させて、夫々外部回
路即ち前述したセラミツク基板３４上に配置され
た、例えば記録用集積回路３２に接続される端子
を形成する。この場合、保護基板２２の幅は、磁
性基板１１の幅より小として各端子１６ａ，１６
ｂ及び１７ａ，１７ｂが保護基板２２外に露呈す
るようにされる。そしてこの基板１１に延在する
各端子１６ａ，１６ｂ及び１７ａ，１７ｂは、
夫々セラミツク基板上に形成された、回路部にリ
ードワイヤー７０をもつて接続される。
また、再生用磁気ヘツド素子部１Ｐは、第５図
にその拡大断面図を示し、第６図にその拡大平面
パターンを示すように前述した記録用磁気ヘツド
素子部１Ｒの各ヘツドhrに対応して共通の基板４
１上に各チヤンネルに対応する再生用磁気ヘツド
素子hpが配列されてなる。
にその拡大断面図を示し、第６図にその拡大平面
パターンを示すように前述した記録用磁気ヘツド
素子部１Ｒの各ヘツドhrに対応して共通の基板４
１上に各チヤンネルに対応する再生用磁気ヘツド
素子hpが配列されてなる。
基板４１は例えばNi−Zn系フエライト或いは
Mn−Zn系フエライト等よりなり、この基板４１
が導電性を有する場合には、これの上にSiO2等
の絶縁層４２を介することによつて、後述する
MR薄膜素子４５にバイアス磁界を与えるバイア
ス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜より
なるバイアス導体４３上に、絶縁層４４を介して
例えばNi−Fe合金、或いはNi−Co系合金等の磁
気抵抗効果を有するMR薄膜素子４５が配され
る。そしてこのMR薄膜素子４５上に薄い絶縁層
４６を介して各一端がまたがり、バイアス導体４
３及びMR薄膜素子４５を横切る方向に延長して
夫々例えばM0パーマロイよりなり、夫々磁気回
路の一部の磁気コアとなる対の磁性層４７及び４
８が被着される。基板４１上には接着剤４９を介
して保護基板５０が接合される。一方の磁性層４
７の前方端と基板４１との間には所要の厚さを有
する、例えば絶縁層４６よりなる非磁性ギヤツプ
スペーサ層５１が介在されて、前方の磁気ギヤツ
プGPが形成される。そして、この磁気ギヤツプ
GPが臨むように基板４１及び５０に差し亘つて
磁気媒体との対接面４Ｐを研磨加工して形成す
る。また磁気ギヤツプGPを構成する磁性層４７
の後方端と他方の磁性層４８の前方端とは夫々
MR薄膜素子４５上に絶縁層４６を介してまたが
るように形成されるが両端間には所要の幅をもつ
て離間する不連続部５３が形成される。両磁性層
４７及び４８の後方端及び前方端は、MR素子４
５の両側に夫々絶縁層４６の介存によつて電気的
には絶縁されるが、磁気的には結合するようにな
される。このようにして両磁性層４７及び４８の
不連続部４３間がMR素子４５によつて磁気的に
連結されて、基板４１−磁気ギヤツプGP−磁性
層４７−MR素子４５−磁性層４８−基板４１に
よる磁気回路が形成されたMR型ヘツド素子hpが
夫々形成される。この場合においてもバイアス導
体４３の各端部４３ａ及び４３ｂと、各ヘツド素
子hpの各MR薄膜素子４５の両端４５ａ及び４５
ｂは、夫々基板４１の保護基板５０によつて覆わ
れない端部に延在させて、第２図にしめすようセ
ラミツク基板３７上の回路部の所定部に例えばリ
ードワイヤー７１によつて接続する端子部を構成
する。
Mn−Zn系フエライト等よりなり、この基板４１
が導電性を有する場合には、これの上にSiO2等
の絶縁層４２を介することによつて、後述する
MR薄膜素子４５にバイアス磁界を与えるバイア
ス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜より
なるバイアス導体４３上に、絶縁層４４を介して
例えばNi−Fe合金、或いはNi−Co系合金等の磁
気抵抗効果を有するMR薄膜素子４５が配され
る。そしてこのMR薄膜素子４５上に薄い絶縁層
４６を介して各一端がまたがり、バイアス導体４
３及びMR薄膜素子４５を横切る方向に延長して
夫々例えばM0パーマロイよりなり、夫々磁気回
路の一部の磁気コアとなる対の磁性層４７及び４
８が被着される。基板４１上には接着剤４９を介
して保護基板５０が接合される。一方の磁性層４
７の前方端と基板４１との間には所要の厚さを有
する、例えば絶縁層４６よりなる非磁性ギヤツプ
スペーサ層５１が介在されて、前方の磁気ギヤツ
プGPが形成される。そして、この磁気ギヤツプ
GPが臨むように基板４１及び５０に差し亘つて
磁気媒体との対接面４Ｐを研磨加工して形成す
る。また磁気ギヤツプGPを構成する磁性層４７
の後方端と他方の磁性層４８の前方端とは夫々
MR薄膜素子４５上に絶縁層４６を介してまたが
るように形成されるが両端間には所要の幅をもつ
て離間する不連続部５３が形成される。両磁性層
４７及び４８の後方端及び前方端は、MR素子４
５の両側に夫々絶縁層４６の介存によつて電気的
には絶縁されるが、磁気的には結合するようにな
される。このようにして両磁性層４７及び４８の
不連続部４３間がMR素子４５によつて磁気的に
連結されて、基板４１−磁気ギヤツプGP−磁性
層４７−MR素子４５−磁性層４８−基板４１に
よる磁気回路が形成されたMR型ヘツド素子hpが
夫々形成される。この場合においてもバイアス導
体４３の各端部４３ａ及び４３ｂと、各ヘツド素
子hpの各MR薄膜素子４５の両端４５ａ及び４５
ｂは、夫々基板４１の保護基板５０によつて覆わ
れない端部に延在させて、第２図にしめすようセ
ラミツク基板３７上の回路部の所定部に例えばリ
ードワイヤー７１によつて接続する端子部を構成
する。
このように第１及び第２のシールド板SH1及び
SH2上に夫々取り付けられたヘツド素子部１Ｒ及
び１Ｐには、夫々前述したように磁気媒体との対
接面４Ｒ及び４Ｐが形成されるものであるが、特
にこの磁気媒体との対接面４Ｒ及び４Ｐの形成を
特殊な態様によつて行うことが望まれる。先ず一
方の磁気ヘツド素子部１Ｒの磁気媒体との対接面
４Ｒについて第７図を参照して説明する。この場
合、ヘツド素子部の磁気ギヤツプGRの深さ方向
の延長上より内側に移動した位置を中心にして対
接面４Ｒを研磨する。即ち第１図で説明した従来
の磁気ヘツドにおいては、その磁気媒体との対接
面の研磨は第７図に鎖線をもつて示すように、そ
の作動磁気ギヤツプGRの深さ方向の延長線上に
円筒研磨の中心軸Ｃが来るようになされ、その取
り付けにあたつては、所定の各θの傾きをもつて
配置したのに対し、この実施例の構成において
は、磁気媒体との相対的移行方向に沿う面に関し
て、第７図中に実線で示すように、その作動磁気
ギヤツプGRを臨ませる磁気媒体との対接面４Ｒ
をギヤツプGRの深さ方向の延長方法（延長面）
SRより所定の距離lsだけ平行移動した位置Ｃを
中心として所定の曲率半径Ｒの円弧ｂに沿つて、
例えば円筒研磨して形成する。
SH2上に夫々取り付けられたヘツド素子部１Ｒ及
び１Ｐには、夫々前述したように磁気媒体との対
接面４Ｒ及び４Ｐが形成されるものであるが、特
にこの磁気媒体との対接面４Ｒ及び４Ｐの形成を
特殊な態様によつて行うことが望まれる。先ず一
方の磁気ヘツド素子部１Ｒの磁気媒体との対接面
４Ｒについて第７図を参照して説明する。この場
合、ヘツド素子部の磁気ギヤツプGRの深さ方向
の延長上より内側に移動した位置を中心にして対
接面４Ｒを研磨する。即ち第１図で説明した従来
の磁気ヘツドにおいては、その磁気媒体との対接
面の研磨は第７図に鎖線をもつて示すように、そ
の作動磁気ギヤツプGRの深さ方向の延長線上に
円筒研磨の中心軸Ｃが来るようになされ、その取
り付けにあたつては、所定の各θの傾きをもつて
配置したのに対し、この実施例の構成において
は、磁気媒体との相対的移行方向に沿う面に関し
て、第７図中に実線で示すように、その作動磁気
ギヤツプGRを臨ませる磁気媒体との対接面４Ｒ
をギヤツプGRの深さ方向の延長方法（延長面）
SRより所定の距離lsだけ平行移動した位置Ｃを
中心として所定の曲率半径Ｒの円弧ｂに沿つて、
例えば円筒研磨して形成する。
また他方のヘツド即ち再生ヘツド素子部１Ｐの
磁気媒体との対接面４Ｒについては、第７図には
示しないが、記録ヘツド素子部１Ｒの場合とは磁
気ギヤツプの深さ方向の延長方向から逆方向に距
離−lsだけ移行した位置を中心とした円弧、例え
ば円筒状をもつて形成する。このようにして、
夫々磁気媒体との対接面４Ｒ及び４Ｐが形成され
た各磁気ヘツド素子部１Ｒ及び１Ｐを有する第１
及び第２の磁気シールド板SH1及びSH2は、互い
にその各背面において接着乃至はレーザーによる
スポツトウエルド、例えばその側面から0.1秒〜
0.5秒等の時間でのレーザースポツトの照射によ
つて溶接して一体化する。
磁気媒体との対接面４Ｒについては、第７図には
示しないが、記録ヘツド素子部１Ｒの場合とは磁
気ギヤツプの深さ方向の延長方向から逆方向に距
離−lsだけ移行した位置を中心とした円弧、例え
ば円筒状をもつて形成する。このようにして、
夫々磁気媒体との対接面４Ｒ及び４Ｐが形成され
た各磁気ヘツド素子部１Ｒ及び１Ｐを有する第１
及び第２の磁気シールド板SH1及びSH2は、互い
にその各背面において接着乃至はレーザーによる
スポツトウエルド、例えばその側面から0.1秒〜
0.5秒等の時間でのレーザースポツトの照射によ
つて溶接して一体化する。
このようにして、第１及び第２の磁気シールド
板SH1及びSH2の接合によつて一体化された両磁
気ヘツド素子部１Ｒ及び１Ｐの各磁気ギヤツプ
GR及びCPは、その各深き方向SR及びSPが、両
シールド板SH1及びSH2の接合面に沿う基準面fs
を中心としてこれに平行に配置されることにな
る。
板SH1及びSH2の接合によつて一体化された両磁
気ヘツド素子部１Ｒ及び１Ｐの各磁気ギヤツプ
GR及びCPは、その各深き方向SR及びSPが、両
シールド板SH1及びSH2の接合面に沿う基準面fs
を中心としてこれに平行に配置されることにな
る。
この場合、上述の距離lsは、これを
ls＝Rsinθ ……(1)
に選定すれば、第２図の例による各ヘツド素子部
１Ｒ及１Ｐの各磁気媒体との対接面４Ｒ及び４Ｐ
は、第１図の従来の場合の各対接面と一致させる
ことができる。つまり、本発明による場合、磁気
媒体との対接関係は、両ヘツドHR及びHPを互
いに平行関係に配置させるにもかかわらず従来構
造と一致させることができることになる。因み
に、従来構造において、Ｒ＝３mm、θ＝4°とする
とき、第２図の例では、(1)式からls＝200μｍとす
れば良いことになる。
１Ｒ及１Ｐの各磁気媒体との対接面４Ｒ及び４Ｐ
は、第１図の従来の場合の各対接面と一致させる
ことができる。つまり、本発明による場合、磁気
媒体との対接関係は、両ヘツドHR及びHPを互
いに平行関係に配置させるにもかかわらず従来構
造と一致させることができることになる。因み
に、従来構造において、Ｒ＝３mm、θ＝4°とする
とき、第２図の例では、(1)式からls＝200μｍとす
れば良いことになる。
また、この場合の磁気ギヤツプGR及びGPに対
する磁気媒体との対接圧についてみると、第７図
中実線図示の本発明構造における磁気ギヤツプの
深さ方向の対接圧Pgは、同図中鎖線図示の従来
構造におけると同様の磁気ギヤツプの深さ方向の
対接圧をＰとするとき、 Pg＝Ｐ cosθ ……(2) となる。したがつて今、θ＝4°とすると、Pg＝0.
＝998Pであり、PgはＰと殆んど変化がないこと
が分る。
する磁気媒体との対接圧についてみると、第７図
中実線図示の本発明構造における磁気ギヤツプの
深さ方向の対接圧Pgは、同図中鎖線図示の従来
構造におけると同様の磁気ギヤツプの深さ方向の
対接圧をＰとするとき、 Pg＝Ｐ cosθ ……(2) となる。したがつて今、θ＝4°とすると、Pg＝0.
＝998Pであり、PgはＰと殆んど変化がないこと
が分る。
このようにして、第１及び第２の磁気シールド
板SH1及びSH2との接合体は、第２図に示すよう
に、金属キヤン８０内に挿入し、樹脂８１をキヤ
ン８０内に充填する。
板SH1及びSH2との接合体は、第２図に示すよう
に、金属キヤン８０内に挿入し、樹脂８１をキヤ
ン８０内に充填する。
発明の効果
上述したように本発明による複合磁気ヘツドに
よれば、高精度に平面加工された第１及び第２の
磁気シール板SH1、SH2の背面を接合させること
によつて、これの上に形成した各磁気ヘツド素子
部１Ｒ及び１Ｐを一体化するものであるので、両
者の相互の位置合わせは正確になささるものであ
り、またこの第１及び第２の磁気シールド板SH1
及びSH2上に、各磁気ヘツド素子部に付随する回
路部、例えば集積回路或いはコンデンサ等をマウ
ントするセラミツク基板を配設するようにしてセ
ラミツク基板上に回路パターンを形成するように
したので、この回路部とヘツド素子部との接続の
リードワイヤー７０及び７１によるリードワイヤ
ーの接続本数を減少することができ、またこれら
両素子部１Ｒ及び１Ｐとこれに付随する回路素子
部がキヤン８０によつて覆われ且つこのキヤン８
０内に充填された樹脂８１によつて覆われるため
に、耐湿性及び耐環境性を向上することができ、
信頼性の向上が図られる。また、両ヘツド部の一
体化を第１及び第２の磁気シールド板SH1及び
SH2の接合によつて行うようにしたことと、各磁
気ギヤツプGR及びGPの深さ方向SR及びSPが互
いに平行関係を有するようにしたこととが相俟つ
て、両磁気ギヤツプGR及びGPの間隔を充分狭小
とすることができ全体として小型密実に構成でき
る。
よれば、高精度に平面加工された第１及び第２の
磁気シール板SH1、SH2の背面を接合させること
によつて、これの上に形成した各磁気ヘツド素子
部１Ｒ及び１Ｐを一体化するものであるので、両
者の相互の位置合わせは正確になささるものであ
り、またこの第１及び第２の磁気シールド板SH1
及びSH2上に、各磁気ヘツド素子部に付随する回
路部、例えば集積回路或いはコンデンサ等をマウ
ントするセラミツク基板を配設するようにしてセ
ラミツク基板上に回路パターンを形成するように
したので、この回路部とヘツド素子部との接続の
リードワイヤー７０及び７１によるリードワイヤ
ーの接続本数を減少することができ、またこれら
両素子部１Ｒ及び１Ｐとこれに付随する回路素子
部がキヤン８０によつて覆われ且つこのキヤン８
０内に充填された樹脂８１によつて覆われるため
に、耐湿性及び耐環境性を向上することができ、
信頼性の向上が図られる。また、両ヘツド部の一
体化を第１及び第２の磁気シールド板SH1及び
SH2の接合によつて行うようにしたことと、各磁
気ギヤツプGR及びGPの深さ方向SR及びSPが互
いに平行関係を有するようにしたこととが相俟つ
て、両磁気ギヤツプGR及びGPの間隔を充分狭小
とすることができ全体として小型密実に構成でき
る。
第１図は従来の複合型磁気ヘツド装置の配置
図、第２図は本発明による複合型だ磁気ヘツドの
一例の一部を断面とした側面図、第３図及び第４
図はその記録ヘツド部の一例の断面図及び平面パ
ターン図、第５図及び第６図は同様の再生用磁気
ヘツド部の断面図及び平面パターン図、第７図は
本発明による磁気ヘツド装置の磁気ギヤツプと磁
気媒体との対接面の研磨態様を示す説明図であ
る。 SH1及びSH2は第１及び第２の磁気シールド
板、３４及び３７は基板、１Ｒ及び１Ｐは記録及
び再生用磁気ヘツド素子部、８０は金属キヤン、
８１は充填樹脂、３１は本発明による複合型磁気
ヘツド装置である。
図、第２図は本発明による複合型だ磁気ヘツドの
一例の一部を断面とした側面図、第３図及び第４
図はその記録ヘツド部の一例の断面図及び平面パ
ターン図、第５図及び第６図は同様の再生用磁気
ヘツド部の断面図及び平面パターン図、第７図は
本発明による磁気ヘツド装置の磁気ギヤツプと磁
気媒体との対接面の研磨態様を示す説明図であ
る。 SH1及びSH2は第１及び第２の磁気シールド
板、３４及び３７は基板、１Ｒ及び１Ｐは記録及
び再生用磁気ヘツド素子部、８０は金属キヤン、
８１は充填樹脂、３１は本発明による複合型磁気
ヘツド装置である。
Claims (1)
- １ 一方の面に記録用集積回路が載置された基板
と記録用磁気ヘツド素子部とが取り付けられた第
１の磁気シールド板と、一方の面に再生用集積回
路が載置された基板と再生用磁気ヘツド素子部と
が取り付けられた第２の磁気シールド板とが、互
いに他方の面で接合されてなる複合型磁気ヘツド
装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130718A JPS619814A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 複合型磁気ヘツド装置 |
| KR1019860700090A KR930002397B1 (ko) | 1984-06-25 | 1985-06-21 | 복합형 자기헤드 장치 |
| US06/833,396 US4713710A (en) | 1984-06-25 | 1985-06-21 | Compact multiple magnetic head apparatus |
| PCT/JP1985/000351 WO1986000456A1 (en) | 1984-06-25 | 1985-06-21 | Composite magnetic head device |
| DE8585903055T DE3586873T2 (de) | 1984-06-25 | 1985-06-21 | Magnetkopfanordnung. |
| EP85903055A EP0185774B1 (en) | 1984-06-25 | 1985-06-21 | Composite magnetic head device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130718A JPS619814A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 複合型磁気ヘツド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619814A JPS619814A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0510726B2 true JPH0510726B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=15040963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59130718A Granted JPS619814A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 複合型磁気ヘツド装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4713710A (ja) |
| EP (1) | EP0185774B1 (ja) |
| JP (1) | JPS619814A (ja) |
| KR (1) | KR930002397B1 (ja) |
| DE (1) | DE3586873T2 (ja) |
| WO (1) | WO1986000456A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237214A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-22 | Sharp Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS62250681A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気ヘツドが一端側に、他端側に支持部材が取付けられた積層バイモルフ |
| US5159511A (en) * | 1987-04-01 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
| NL8701666A (nl) * | 1987-07-15 | 1989-02-01 | Philips Nv | Magneetkop met een kern met een niet-magnetische spleet. |
| US4907113A (en) * | 1987-07-29 | 1990-03-06 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic recording head |
| US5103553A (en) * | 1987-07-29 | 1992-04-14 | Digital Equipment Corporation | Method of making a magnetic recording head |
| US5075956A (en) * | 1988-03-16 | 1991-12-31 | Digital Equipment Corporation | Method of making recording heads with side shields |
| US5068959A (en) * | 1988-07-11 | 1991-12-03 | Digital Equipment Corporation | Method of manufacturing a thin film head |
| JP2718137B2 (ja) * | 1989-01-31 | 1998-02-25 | ソニー株式会社 | 磁気ヘッド |
| US5065267A (en) * | 1990-07-20 | 1991-11-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-track magnetic head having different height head chips |
| JPH06168556A (ja) | 1992-08-25 | 1994-06-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 変換器及び懸架部の組合せアセンブリ、及びその処理方法並びに該アセンブリを有するデータ処理装置 |
| US6097570A (en) * | 1998-09-16 | 2000-08-01 | Storage Technology Corporation | Multi-element read/write tape head with low feedthrough |
| US6765756B1 (en) | 1999-03-12 | 2004-07-20 | Western Digital (Fremont), Inc. | Ultra-short yoke and ultra-low stack height writer and method of fabrication |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE788510A (fr) * | 1971-09-13 | 1973-01-02 | Ibm | Transducteur magnetique bidirectionnel |
| NL8006715A (nl) * | 1980-12-11 | 1982-07-01 | Philips Nv | Magneetkop en werkwijze voor het vervaardigen van een magneetkop. |
| JPS6117542Y2 (ja) * | 1980-12-26 | 1986-05-29 | ||
| JPS5924418A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS5979417A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Sony Corp | 磁気ヘツド装置 |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP59130718A patent/JPS619814A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-21 EP EP85903055A patent/EP0185774B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-21 US US06/833,396 patent/US4713710A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-21 WO PCT/JP1985/000351 patent/WO1986000456A1/ja active IP Right Grant
- 1985-06-21 KR KR1019860700090A patent/KR930002397B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-06-21 DE DE8585903055T patent/DE3586873T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1986000456A1 (en) | 1986-01-16 |
| DE3586873D1 (de) | 1993-01-14 |
| KR930002397B1 (ko) | 1993-03-30 |
| EP0185774A1 (en) | 1986-07-02 |
| US4713710A (en) | 1987-12-15 |
| JPS619814A (ja) | 1986-01-17 |
| DE3586873T2 (de) | 1993-04-01 |
| KR860700305A (ko) | 1986-08-01 |
| EP0185774B1 (en) | 1992-12-02 |
| EP0185774A4 (en) | 1989-07-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |