JPS619814A - 複合型磁気ヘツド装置 - Google Patents
複合型磁気ヘツド装置Info
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- JPS619814A JPS619814A JP59130718A JP13071884A JPS619814A JP S619814 A JPS619814 A JP S619814A JP 59130718 A JP59130718 A JP 59130718A JP 13071884 A JP13071884 A JP 13071884A JP S619814 A JPS619814 A JP S619814A
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は記録用磁気ヘッド、成る場合は先に磁気記録媒
体上に記録された記録を消去する消去用磁気ヘッドをも
含む記録用磁気ヘッドと、再往用磁気ヘッドとが磁気媒
体との相対的移行方向に順次配列されて複合一体化され
てなる複合型磁気ヘッド装置、例えば薄膜型の電磁誘導
型記録用磁気ヘッドと、薄膜型の磁気抵抗効果（以下Ｍ
Ｒという）型再生用磁気ヘッドとの組合せによる複合型
磁気ヘッド装置に係わる。
体上に記録された記録を消去する消去用磁気ヘッドをも
含む記録用磁気ヘッドと、再往用磁気ヘッドとが磁気媒
体との相対的移行方向に順次配列されて複合一体化され
てなる複合型磁気ヘッド装置、例えば薄膜型の電磁誘導
型記録用磁気ヘッドと、薄膜型の磁気抵抗効果（以下Ｍ
Ｒという）型再生用磁気ヘッドとの組合せによる複合型
磁気ヘッド装置に係わる。
背景技術とその問題点
記録用磁気ヘッドと再生用磁気ヘッドとが複合一体化さ
れた複合型磁気ヘッド装置は、通常、例えば第１図にそ
の路線的配置構成を示すようにその記録用磁気ヘッドＨ
Ｒと再生用磁気ヘッドＨＰの各磁気ギャップＧＲ及びＣ
Ｐが、第１図中矢印ａで示す記録媒体の移行方向に沿っ
て配列される。
れた複合型磁気ヘッド装置は、通常、例えば第１図にそ
の路線的配置構成を示すようにその記録用磁気ヘッドＨ
Ｒと再生用磁気ヘッドＨＰの各磁気ギャップＧＲ及びＣ
Ｐが、第１図中矢印ａで示す記録媒体の移行方向に沿っ
て配列される。
この場合、各記録用磁気ヘッドＨＲと再生用磁気ヘッド
ＨＰは、夫々単数もしくは複数のチャンネルに対して設
けられた磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッド素子部（Ｊ
Ｒ）及び（ＩＰ）が前方部に配置され、図示しないがこ
れらに付随する集積回路等の回路部を内蔵する樹脂モー
ルド体（２Ｒ）及び（２ｅ）によって夫々ブロック体を
構成し、これらブロック体即ち樹脂モールド体（２Ｒ）
及びく２Ｐ）に設けられた基準平坦面を構成する突き合
わせ面（３Ｒ）及び（３Ｐ）において基準面ｆｓを中心
として接合合体されて一体化される。記録用磁気ヘッド
ＨＲ及び再生用磁気ヘッドＨＰの各磁気ギヤソプＧＲ及
びＧＰは、その各深さ方向ＳＲ及びＳＰが基準中心面ｆ
ｓに対して所定の角度θ例えばθ−４°に対称的鋼きを
もって配置される。そして、各磁気ヘッドＨＲ及びＨＰ
の夫々の磁気媒体との対接面（４Ｒ）及び（４Ｐ）は各
磁気ギヤツブＧＲ及びＧＰの深さ方向ＳＲ及びｓｐ上の
各一点を中心として所定の曲率半径をもって、例えは円
筒研磨されて形成される。
ＨＰは、夫々単数もしくは複数のチャンネルに対して設
けられた磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッド素子部（Ｊ
Ｒ）及び（ＩＰ）が前方部に配置され、図示しないがこ
れらに付随する集積回路等の回路部を内蔵する樹脂モー
ルド体（２Ｒ）及び（２ｅ）によって夫々ブロック体を
構成し、これらブロック体即ち樹脂モールド体（２Ｒ）
及びく２Ｐ）に設けられた基準平坦面を構成する突き合
わせ面（３Ｒ）及び（３Ｐ）において基準面ｆｓを中心
として接合合体されて一体化される。記録用磁気ヘッド
ＨＲ及び再生用磁気ヘッドＨＰの各磁気ギヤソプＧＲ及
びＧＰは、その各深さ方向ＳＲ及びＳＰが基準中心面ｆ
ｓに対して所定の角度θ例えばθ−４°に対称的鋼きを
もって配置される。そして、各磁気ヘッドＨＲ及びＨＰ
の夫々の磁気媒体との対接面（４Ｒ）及び（４Ｐ）は各
磁気ギヤツブＧＲ及びＧＰの深さ方向ＳＲ及びｓｐ上の
各一点を中心として所定の曲率半径をもって、例えは円
筒研磨されて形成される。
このような構成による複合型磁気ヘッドにおいては、各
記録用磁気ヘッドＨＲ及び再生用磁気ヘッドＨＰの各磁
気ギャップＧＲ及びＧＰの間隔を充分狭めることができ
難く、これによって各磁気ギャップＧＲ及びｃｐの磁気
媒体との対接関係、いわゆる当りを良好に保持すること
ができ難いという欠点を有する。また全体の外形寸法が
大きくなるという欠点もある。更に集積回路に対する耐
湿性ないしは耐環境性が低いという欠点を有し、また磁
気ヘッドの組立て時の集積回路等のワイヤーボンディン
グの本数が太くなる等の欠点を有する。
記録用磁気ヘッドＨＲ及び再生用磁気ヘッドＨＰの各磁
気ギャップＧＲ及びＧＰの間隔を充分狭めることができ
難く、これによって各磁気ギャップＧＲ及びｃｐの磁気
媒体との対接関係、いわゆる当りを良好に保持すること
ができ難いという欠点を有する。また全体の外形寸法が
大きくなるという欠点もある。更に集積回路に対する耐
湿性ないしは耐環境性が低いという欠点を有し、また磁
気ヘッドの組立て時の集積回路等のワイヤーボンディン
グの本数が太くなる等の欠点を有する。
発明の目的
本発明は複合型磁気ヘッド装置において上述した諸欠点
を改善するものである。
を改善するものである。
発明の概要
本発明においては、第１の磁気シールド板を設け、その
一方の面に記録用集積回路が載置された基板と記録用磁
気ヘッド素子部とを設ける。また第２の磁気シールド板
を設け、その一方の面に再生用集積回路が載置された基
板と再生用磁気へ・ノド素子部とを取り付ける。そして
これら第１及び第２の磁気シールド板の各他方の面にお
いて互いに接合して複合型磁気ヘッド装置を構成するも
のである。
一方の面に記録用集積回路が載置された基板と記録用磁
気ヘッド素子部とを設ける。また第２の磁気シールド板
を設け、その一方の面に再生用集積回路が載置された基
板と再生用磁気へ・ノド素子部とを取り付ける。そして
これら第１及び第２の磁気シールド板の各他方の面にお
いて互いに接合して複合型磁気ヘッド装置を構成するも
のである。
実施例
第２図以下を参照して本発明による複合型磁気ヘッド装
置の一例を説明する。図中（３１）は本発明による複合
型磁気ヘッド装置を全体として示す。
置の一例を説明する。図中（３１）は本発明による複合
型磁気ヘッド装置を全体として示す。
本発明においては、第１及び第２の磁気シールド板ＳＨ
Ｉ及びＳＨ２を設ける。これら第１及び第２の磁気シー
ルド板ＳＨＩ及びＳ Ｈ２は夫々高透磁率軟磁性体の例
えばパーマロイよりなり面精度の平面性を有する板状体
より構成される。
Ｉ及びＳＨ２を設ける。これら第１及び第２の磁気シー
ルド板ＳＨＩ及びＳ Ｈ２は夫々高透磁率軟磁性体の例
えばパーマロイよりなり面精度の平面性を有する板状体
より構成される。
第１の磁気シールド板ＳＨ□の一方の面には、記録用集
積回路（３２）の電源安定化のコンデンサ＜３３）等の
記録用磁気ヘッドにイ」随する電気部品が取り付けられ
たセラミック基板（３４）を取付けると共に、その前方
端に記録用磁気ヘッド素子部（ＩＲ）を取り付ける。
積回路（３２）の電源安定化のコンデンサ＜３３）等の
記録用磁気ヘッドにイ」随する電気部品が取り付けられ
たセラミック基板（３４）を取付けると共に、その前方
端に記録用磁気ヘッド素子部（ＩＲ）を取り付ける。
また、第２の磁気シールド板ＳＨ２においても、その一
方の面に再生用磁気ヘッドに付随する電気部品、例えば
再生用集積回路（３５）、信号導出用コンデンサプレイ
（３６）等をマウントしたセラミック基板（３７）を
取り付けると共に、その前方端に再生用磁気ヘッド素子
部（ＩＰ）を取り付ける。
方の面に再生用磁気ヘッドに付随する電気部品、例えば
再生用集積回路（３５）、信号導出用コンデンサプレイ
（３６）等をマウントしたセラミック基板（３７）を
取り付けると共に、その前方端に再生用磁気ヘッド素子
部（ＩＰ）を取り付ける。
そしてこれらセラミック基＄１（３４）及び（３７）上
には各集積回路（３２） 、 （３５）及び回路部品
、即ち容量（３３） 、 （３６）等を所定のパター
ンに接続する導電パターンが形成され、これらに各部品
が例えばリードワイヤー（７０） 、 （７１）をも
って所要の接続関係に接続されて各ヘッドに付随する回
路が形成される。
には各集積回路（３２） 、 （３５）及び回路部品
、即ち容量（３３） 、 （３６）等を所定のパター
ンに接続する導電パターンが形成され、これらに各部品
が例えばリードワイヤー（７０） 、 （７１）をも
って所要の接続関係に接続されて各ヘッドに付随する回
路が形成される。
記録用磁気ヘッド素子部（ＩＲ）は、例えば、第３図に
その拡大平面図を示し、第４図にその平面パターン図を
不すように、Ｍｎ −ＺｎｎラフエライトＭｎ−Ｎｉ系
フェライト等よりなる磁性基板（１１）上に多数のチャ
ンネルに対応して電磁誘導型のｓ膜磁気ヘッド素子ｈｒ
が並置配列されてなる。この場合、基板（１１）にはそ
の−主面（ｌｌａ ）に臨んで基板（１１）の長手方向
に沿って溝（１２）が形成され、これに非磁性材（１３
） 、例えばガラスが充填される。また基板（１１）の
面（ｌｌａ ）上には基板（１１）が導電性を有する場
合には、これの上にＳ ｉ（ｈ等の非磁性絶縁ＦＷ（１
４）が被着され、これの上に導体手段（１５）が被着配
置される。この導体手段（１５）は、例えば全チャンネ
ル（トラック）に対して共通のバイアス線輪となる帯状
薄膜導電体（１６）と、各チャンネルに対応して設けら
れる信号線輪となる帯状薄膜導電体（１７） とよりな
る。
その拡大平面図を示し、第４図にその平面パターン図を
不すように、Ｍｎ −ＺｎｎラフエライトＭｎ−Ｎｉ系
フェライト等よりなる磁性基板（１１）上に多数のチャ
ンネルに対応して電磁誘導型のｓ膜磁気ヘッド素子ｈｒ
が並置配列されてなる。この場合、基板（１１）にはそ
の−主面（ｌｌａ ）に臨んで基板（１１）の長手方向
に沿って溝（１２）が形成され、これに非磁性材（１３
） 、例えばガラスが充填される。また基板（１１）の
面（ｌｌａ ）上には基板（１１）が導電性を有する場
合には、これの上にＳ ｉ（ｈ等の非磁性絶縁ＦＷ（１
４）が被着され、これの上に導体手段（１５）が被着配
置される。この導体手段（１５）は、例えば全チャンネ
ル（トラック）に対して共通のバイアス線輪となる帯状
薄膜導電体（１６）と、各チャンネルに対応して設けら
れる信号線輪となる帯状薄膜導電体（１７） とよりな
る。
これら導電体（１６）及び（１７）は、少なくともその
一部が溝（１３）に沿って設けられる。そしてこのｆｉ
（１３）とこれの上の導体手段（１５）を横切って各チ
ャンネルに対応して夫々パーマロイ等の薄膜磁性層（１
８）が夫々被着される。この場合、導体手段（１５）上
には、Ｓ ｉ０２等の絶縁層（１９）が被着されて薄膜
磁性層（１８）との電気的絶縁がなされる。各磁性層（
１８）の一端は、例えば絶縁層（１９）による非磁性ギ
ャップスペーサ（２０）を介して絶縁基板（１１）との
間に作動磁気ギャップＧＲを形成し、他端は、例えば絶
縁層（１９）及び（１４）に穿設した窓（２１）を通じ
て基板（１１）の面（ｌｌａ ）に磁気的に密に結合さ
せる。このようにして共通の基板（１１）と各磁性層（
１８）とによって夫々閉磁路が形成されて、各チャンネ
ルの磁気ヘッド素子ｈｒが構成されるものである。
一部が溝（１３）に沿って設けられる。そしてこのｆｉ
（１３）とこれの上の導体手段（１５）を横切って各チ
ャンネルに対応して夫々パーマロイ等の薄膜磁性層（１
８）が夫々被着される。この場合、導体手段（１５）上
には、Ｓ ｉ０２等の絶縁層（１９）が被着されて薄膜
磁性層（１８）との電気的絶縁がなされる。各磁性層（
１８）の一端は、例えば絶縁層（１９）による非磁性ギ
ャップスペーサ（２０）を介して絶縁基板（１１）との
間に作動磁気ギャップＧＲを形成し、他端は、例えば絶
縁層（１９）及び（１４）に穿設した窓（２１）を通じ
て基板（１１）の面（ｌｌａ ）に磁気的に密に結合さ
せる。このようにして共通の基板（１１）と各磁性層（
１８）とによって夫々閉磁路が形成されて、各チャンネ
ルの磁気ヘッド素子ｈｒが構成されるものである。
そして、各磁気ヘッド素子ｈｒ上には、基板（１１）に
対向して耐摩耗性に優れた保護基板（２２）が接着剤（
２３）を介して接合される。そして、これら基板（１１
）及び（２２）に亘って磁気ギャップＧＲが臨む磁気媒
体との対接面（４Ｒ）を研磨して形成する。
対向して耐摩耗性に優れた保護基板（２２）が接着剤（
２３）を介して接合される。そして、これら基板（１１
）及び（２２）に亘って磁気ギャップＧＲが臨む磁気媒
体との対接面（４Ｒ）を研磨して形成する。
一方、導体手段（１５）の各薄膜導体（１６）及び（１
７）の各両端部（１６ａ ） 、 （１６ｂ ）及び
（１７ａ ）、（１７ｂ ）は、基板（１１）の後側縁
に延在させて、夫々外部回路即ち前述したセラミック基
板（３４）上に配置された、例えば記録用集積回路（３
２）に接続される端子を形成する。こあ場合、保護基板
（２２）の幅は、磁性基板（１１）の幅より小として各
端子（１６ａ ） 、 （１６ｂ ）及び（１７ａ
） ’、 （１７ｂ ）が保護基板（２２）外に露呈
するようになされる。
７）の各両端部（１６ａ ） 、 （１６ｂ ）及び
（１７ａ ）、（１７ｂ ）は、基板（１１）の後側縁
に延在させて、夫々外部回路即ち前述したセラミック基
板（３４）上に配置された、例えば記録用集積回路（３
２）に接続される端子を形成する。こあ場合、保護基板
（２２）の幅は、磁性基板（１１）の幅より小として各
端子（１６ａ ） 、 （１６ｂ ）及び（１７ａ
） ’、 （１７ｂ ）が保護基板（２２）外に露呈
するようになされる。
そしてこの基板（１１）に延在する各端子（１６ａ）。
（１６ｂ）及び（１７ａ ）’ 、 （１７ｂ ）は
、夫々セラミック基板上に形成された、回路部にリード
ワイヤー（７０）をもって接続される。
、夫々セラミック基板上に形成された、回路部にリード
ワイヤー（７０）をもって接続される。
また、再生用磁気ヘッド素子部（ＩＰ）は、第５図にそ
の拡大断面図をボし、第６図にその拡大平面パターンを
示すように前述した記録用磁気ヘッド素子部（ＩＲ＞の
各ヘッド素子ｈｒに対応して共通の基板（４１）上に各
チャンネルに対応Ｊる再生用磁気ヘッド素子ｈｐが配列
されてなる。
の拡大断面図をボし、第６図にその拡大平面パターンを
示すように前述した記録用磁気ヘッド素子部（ＩＲ＞の
各ヘッド素子ｈｒに対応して共通の基板（４１）上に各
チャンネルに対応Ｊる再生用磁気ヘッド素子ｈｐが配列
されてなる。
基板（４１）は例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライト或いはＭ
ｎ−Ｚｎ系フェライト等よりなり、この基１（４１）が
導電性を有する場合には、これの上にＳ Ｌ０２等の絶
縁層（４２）を介することによって、後述するＭＲ薄膜
素子（４５）に対するバイアス磁界を与えるバイアス磁
界発生用の電流通路となる帯状の導電膜よりなるバイア
ス導体（４３）上に、絶縁層（４４）を介して例えばＮ
ｉ−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ −Ｃｏ系合金等の磁気抵
抗効果を有するＭＲ薄膜素子（４５）が配される。そし
てこのＭＲ薄膜素子（４５）上に薄い絶縁層（４６）を
介して各一端がまたがり、バイア ス４体（４３） 及
ヒＭ ＲｓＨ＊素子（４５） ヲｔｊｆｉ切る方向に延
長して夫々例えばＭｏパーマロイよりなり、夫々磁気回
路の一部の磁気コアとなる対の磁性層（４７）及び（４
８）が被着される。基板（旧）上には接着剤（４９）を
介して保護基板（５０）が接合される。一方の磁性Ｉ’
！（４７）の前方端と基板（４１）との間には所要の厚
さを有する、例えば絶縁層（４６）よりなる非磁性ギャ
ップスペーサ層（５１）が介在されて、前方の磁気ギャ
ップＣＰが形成される。そして、この磁気ギャップＧＰ
が臨むように基板（４１）及び（５０）に差し亘って磁
気媒体との対接面（４Ｐ）を研磨加工して形成する。
ｎ−Ｚｎ系フェライト等よりなり、この基１（４１）が
導電性を有する場合には、これの上にＳ Ｌ０２等の絶
縁層（４２）を介することによって、後述するＭＲ薄膜
素子（４５）に対するバイアス磁界を与えるバイアス磁
界発生用の電流通路となる帯状の導電膜よりなるバイア
ス導体（４３）上に、絶縁層（４４）を介して例えばＮ
ｉ−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ −Ｃｏ系合金等の磁気抵
抗効果を有するＭＲ薄膜素子（４５）が配される。そし
てこのＭＲ薄膜素子（４５）上に薄い絶縁層（４６）を
介して各一端がまたがり、バイア ス４体（４３） 及
ヒＭ ＲｓＨ＊素子（４５） ヲｔｊｆｉ切る方向に延
長して夫々例えばＭｏパーマロイよりなり、夫々磁気回
路の一部の磁気コアとなる対の磁性層（４７）及び（４
８）が被着される。基板（旧）上には接着剤（４９）を
介して保護基板（５０）が接合される。一方の磁性Ｉ’
！（４７）の前方端と基板（４１）との間には所要の厚
さを有する、例えば絶縁層（４６）よりなる非磁性ギャ
ップスペーサ層（５１）が介在されて、前方の磁気ギャ
ップＣＰが形成される。そして、この磁気ギャップＧＰ
が臨むように基板（４１）及び（５０）に差し亘って磁
気媒体との対接面（４Ｐ）を研磨加工して形成する。
また磁気ギャップＣＰを構成する磁性層（４７）の後方
端と他方の磁性！（４８）の前方端とは夫々ＭＲＭ膜素
子（４５）上に絶縁層（４６）を介してまたがるように
形成されるが両端間には所要の幅をもって離間する不連
続部（５３）が形成される。陶磁性層（４７）及び（４
８）の後方端及び前方端は、ＭＲ素子（４５）の両側に
夫々絶縁層（４６）の介在によって電気的には絶縁され
るが、磁気的には結合するようになされる。このように
して陶磁性層（４７）及び（４８）の不連続部（４３）
間がＭＲ素子（４５）によって磁気的に連結されて、基
ｉ （４１）−磁気ギャソプＧＰ−磁性層（４７）−Ｍ
Ｒ素子（４５）−磁性層（４８）一基板（４１）による
磁気ｌ路が形成されたＭＲ型ヘッド素子り、が夫々形成
される。乙の場合においてもバイアス導体（４３）の各
端部（４３ａ ）及び（４３ｂ ）と、各ヘッド素子り
、の各ＭＲ薄膜素子（４５）の両端（４５ａ）及び
□（４５ｂ ）は、夫々基板（４１）の保護基板（５０
）によって覆われない端部に延在させて、第２図にしめ
すようにセラミック基板（３７）上の回路部の所定部に
例えばリードワイヤー（７１）によって接続する端子部
を構成する。
端と他方の磁性！（４８）の前方端とは夫々ＭＲＭ膜素
子（４５）上に絶縁層（４６）を介してまたがるように
形成されるが両端間には所要の幅をもって離間する不連
続部（５３）が形成される。陶磁性層（４７）及び（４
８）の後方端及び前方端は、ＭＲ素子（４５）の両側に
夫々絶縁層（４６）の介在によって電気的には絶縁され
るが、磁気的には結合するようになされる。このように
して陶磁性層（４７）及び（４８）の不連続部（４３）
間がＭＲ素子（４５）によって磁気的に連結されて、基
ｉ （４１）−磁気ギャソプＧＰ−磁性層（４７）−Ｍ
Ｒ素子（４５）−磁性層（４８）一基板（４１）による
磁気ｌ路が形成されたＭＲ型ヘッド素子り、が夫々形成
される。乙の場合においてもバイアス導体（４３）の各
端部（４３ａ ）及び（４３ｂ ）と、各ヘッド素子り
、の各ＭＲ薄膜素子（４５）の両端（４５ａ）及び
□（４５ｂ ）は、夫々基板（４１）の保護基板（５０
）によって覆われない端部に延在させて、第２図にしめ
すようにセラミック基板（３７）上の回路部の所定部に
例えばリードワイヤー（７１）によって接続する端子部
を構成する。
このように第１及び！＠２のシールド板Ｓ Ｈ１及びＳ
Ｒ２上に夫々取り付けられたヘッド素子部（ＩＲ）及び
（ＩＰ）には、夫々前述したように磁気媒体との対接面
（４Ｒ）及び（４Ｐ）が形成されるものであるが、特に
この磁気媒体との対接１ｋｉ（４Ｒ）及び（４Ｐ）の形
成を特殊な態様によって行うことが望まれる。先ず一方
の磁気ヘッド素子部（ＩＲ）の磁気媒体との対接面（４
Ｒ）について第７図を参照して説明する。この場合、ヘ
ッド素子部の磁気ギャップＧＲの深さ方向の延長上より
内側に移動した位置を中心にして対接面（４Ｒ）を研磨
する。
Ｒ２上に夫々取り付けられたヘッド素子部（ＩＲ）及び
（ＩＰ）には、夫々前述したように磁気媒体との対接面
（４Ｒ）及び（４Ｐ）が形成されるものであるが、特に
この磁気媒体との対接１ｋｉ（４Ｒ）及び（４Ｐ）の形
成を特殊な態様によって行うことが望まれる。先ず一方
の磁気ヘッド素子部（ＩＲ）の磁気媒体との対接面（４
Ｒ）について第７図を参照して説明する。この場合、ヘ
ッド素子部の磁気ギャップＧＲの深さ方向の延長上より
内側に移動した位置を中心にして対接面（４Ｒ）を研磨
する。
即ち第１図で説明した従来の磁気ヘッドにおいては、そ
の磁気媒体との対接面の研磨は第７図に鎖線をもって示
すように、その作動磁気ギャップＧＲの深さ方向の延長
線上に円筒研磨の中心軸Ｃが来るようになされ、その取
り付けにあたっては、所定の各θの傾きをもって配置し
たのに対し、この実施例の構成においては、磁気媒体と
の相対的移行方向に沿う面に関して、第７図中に実線で
示すように、その作動磁気ギャップＯＲを臨ませる磁気
媒体との対接面（４Ｒ）をギャップＧＲの深さ方向の延
長方向（延長面）ＳＲより所定の距離ＺＳだけ平行移動
した位置Ｃを中心として所定の曲率半径Ｒの円弧すに沿
って、例えば円筒研磨して形成する。
の磁気媒体との対接面の研磨は第７図に鎖線をもって示
すように、その作動磁気ギャップＧＲの深さ方向の延長
線上に円筒研磨の中心軸Ｃが来るようになされ、その取
り付けにあたっては、所定の各θの傾きをもって配置し
たのに対し、この実施例の構成においては、磁気媒体と
の相対的移行方向に沿う面に関して、第７図中に実線で
示すように、その作動磁気ギャップＯＲを臨ませる磁気
媒体との対接面（４Ｒ）をギャップＧＲの深さ方向の延
長方向（延長面）ＳＲより所定の距離ＺＳだけ平行移動
した位置Ｃを中心として所定の曲率半径Ｒの円弧すに沿
って、例えば円筒研磨して形成する。
また他方のヘッド即ち再生ヘッド素子部（ＩＰ）の磁気
媒体との対接面（４Ｒ）については、第７図には示さな
いが、記録ヘッド素子部（ＩＲ）の場合とは磁気ギャッ
プの深さ方向の延長方向から逆方向に距離−ｌｓだけ移
行した位置を中心とした円弧、例えば円筒状をもって形
成する。このようにして、夫々磁気媒体との対接面（４
Ｒ）及び（４Ｐ）が形成された各磁気ヘッド素子部（Ｉ
Ｒ）及び（ＩＰ）を有する第１及び第２の磁気シールド
１５ｉ Ｓ Ｈを及びＳＲ２は、互いにその各背面にお
いて接着乃至はレーザーによるスポットウェルド、例え
ばその側面から０．１秒〜０．５秒等の時間でのレーザ
ースポットの照射によって溶接して一体化する。
媒体との対接面（４Ｒ）については、第７図には示さな
いが、記録ヘッド素子部（ＩＲ）の場合とは磁気ギャッ
プの深さ方向の延長方向から逆方向に距離−ｌｓだけ移
行した位置を中心とした円弧、例えば円筒状をもって形
成する。このようにして、夫々磁気媒体との対接面（４
Ｒ）及び（４Ｐ）が形成された各磁気ヘッド素子部（Ｉ
Ｒ）及び（ＩＰ）を有する第１及び第２の磁気シールド
１５ｉ Ｓ Ｈを及びＳＲ２は、互いにその各背面にお
いて接着乃至はレーザーによるスポットウェルド、例え
ばその側面から０．１秒〜０．５秒等の時間でのレーザ
ースポットの照射によって溶接して一体化する。
このようにして、第１及び第２の磁気シールド板Ｓ Ｈ
１及びＳＲ２の接合によって一体化された両磁気ヘッド
素子部（ＩＲ）及び（ＩＰ）の各磁気ギャップＧＲ及び
ＧＰは、その各深さ方向ＳＲ及びＳＰが、両シールド板
Ｓ Ｈ１及びＳＲ２の接合面に沿う基準面ｆｓを中心と
してこれに平行に配置されることになる。
１及びＳＲ２の接合によって一体化された両磁気ヘッド
素子部（ＩＲ）及び（ＩＰ）の各磁気ギャップＧＲ及び
ＧＰは、その各深さ方向ＳＲ及びＳＰが、両シールド板
Ｓ Ｈ１及びＳＲ２の接合面に沿う基準面ｆｓを中心と
してこれに平行に配置されることになる。
この場合、上述の距離７！Ｓは、これをｅｓ＝Ｒｓｉｎ
θ ・・・・・・（１）に選定すれば、第２
図の例による各ヘッド素子部（ＩＲ）及び（ＩＰ）の各
磁気媒体との対接面（４Ｒ）及び（４Ｐ）は、第１図の
従来の場合の各対接面と一致させることができる。つま
り、本発明による場合、磁気媒体との対接関係は、両ヘ
ッドＨＲ及びＨＰを互いに平行関係に配置させるにもか
かわらず従来構造と一致させることができることになる
。因みに、従来構造において、Ｒ＝３ｍ、θ−４°とす
るとき、第２図の例では、＋１１式からｌ１Ｓ−２００
μｍとすれば良いことになる。
θ ・・・・・・（１）に選定すれば、第２
図の例による各ヘッド素子部（ＩＲ）及び（ＩＰ）の各
磁気媒体との対接面（４Ｒ）及び（４Ｐ）は、第１図の
従来の場合の各対接面と一致させることができる。つま
り、本発明による場合、磁気媒体との対接関係は、両ヘ
ッドＨＲ及びＨＰを互いに平行関係に配置させるにもか
かわらず従来構造と一致させることができることになる
。因みに、従来構造において、Ｒ＝３ｍ、θ−４°とす
るとき、第２図の例では、＋１１式からｌ１Ｓ−２００
μｍとすれば良いことになる。
また、この場合の磁気ギャップＧＲ及びＧＰに対する磁
気媒体との対接圧についてみると、第７図中実線図示の
本発明構造における磁気ギヤ・ノブの深さ方向の対接圧
Ｐｇは、同図中鎖線図示の従来構造におけると同様の磁
気ギャップの深さ方向の対接圧を、Ｐとするとき、 Ｐｇ＝Ｐｃｏｓθ −−−−−−＋２１とな
る。したがって今、θ−４°とすると、Ｐｇ＝ ０．９
９８Ｐであり、ＰｇはＰと殆んど変化がないことが分る
。
気媒体との対接圧についてみると、第７図中実線図示の
本発明構造における磁気ギヤ・ノブの深さ方向の対接圧
Ｐｇは、同図中鎖線図示の従来構造におけると同様の磁
気ギャップの深さ方向の対接圧を、Ｐとするとき、 Ｐｇ＝Ｐｃｏｓθ −−−−−−＋２１とな
る。したがって今、θ−４°とすると、Ｐｇ＝ ０．９
９８Ｐであり、ＰｇはＰと殆んど変化がないことが分る
。
このようにして、第１及び第２の磁気シールド板Ｓ Ｈ
１及びＳＲ２との接合体は、第２図に示すように、金属
キャン（８０）内に挿入し、樹脂（８１）をキャン（８
０）内に充填する。
１及びＳＲ２との接合体は、第２図に示すように、金属
キャン（８０）内に挿入し、樹脂（８１）をキャン（８
０）内に充填する。
発明の効果
上述したように本発明による複合磁気ヘッドによれば、
高精度に平面加工された第１及び第２の磁気シールド板
ＳＨＩ、ＳＨ２の背面を接合させることによって、これ
の上に形成した各磁気ヘソド素子部（ＩＲ）及び（ＩＰ
）を一体化するものであるので、両者の相互の位置合わ
せは正確になささるものであり、またこの第１及び第２
の磁気シールド板ＳＨ１及びＳＨ２上に、各磁気ヘッド
素子部に付随する回路部、例えば集積回路或いはコン、
デンサ等をマウントするセラミック基板を配設するよう
にしてセラミック基板上に回路パターンを形成するよう
にしたので、この回路部とヘッド素子部との接続のリー
ドワイヤー（７０）及び（７１）によるリードワイヤー
の接続本数を減少することができ、またこれら画素子部
（ＩＲ）及び（ＩＰ）とこれに付随する回路素子部がキ
ャン（８０）によって覆われ且つこのキャン（８０）内
に充填された樹脂（８１）によって覆われるために、耐
湿性及び耐環境性を向上することができ、信頼性の向上
が図られる。また、両ヘッド部の一体化を第１及び第２
の磁気シールド板ＳＨ１及びＳ Ｈ２の接合によって行
うようにしたことと、各磁気ギャップＧＲ及びＣＰの深
さ方向ＳＲ及びＳＰが互いに平行関係を有するようにし
たこととが相俟って、両磁気ギャップＧＲ及びＧＰの間
隔を充分狭小とすることができ全体として小型密実に構
成できる。
高精度に平面加工された第１及び第２の磁気シールド板
ＳＨＩ、ＳＨ２の背面を接合させることによって、これ
の上に形成した各磁気ヘソド素子部（ＩＲ）及び（ＩＰ
）を一体化するものであるので、両者の相互の位置合わ
せは正確になささるものであり、またこの第１及び第２
の磁気シールド板ＳＨ１及びＳＨ２上に、各磁気ヘッド
素子部に付随する回路部、例えば集積回路或いはコン、
デンサ等をマウントするセラミック基板を配設するよう
にしてセラミック基板上に回路パターンを形成するよう
にしたので、この回路部とヘッド素子部との接続のリー
ドワイヤー（７０）及び（７１）によるリードワイヤー
の接続本数を減少することができ、またこれら画素子部
（ＩＲ）及び（ＩＰ）とこれに付随する回路素子部がキ
ャン（８０）によって覆われ且つこのキャン（８０）内
に充填された樹脂（８１）によって覆われるために、耐
湿性及び耐環境性を向上することができ、信頼性の向上
が図られる。また、両ヘッド部の一体化を第１及び第２
の磁気シールド板ＳＨ１及びＳ Ｈ２の接合によって行
うようにしたことと、各磁気ギャップＧＲ及びＣＰの深
さ方向ＳＲ及びＳＰが互いに平行関係を有するようにし
たこととが相俟って、両磁気ギャップＧＲ及びＧＰの間
隔を充分狭小とすることができ全体として小型密実に構
成できる。
第１図は従来の複合型磁気ヘッド装置の配置図、第２図
は本発明による複合型だ磁気ヘッドの一例の一部を断面
とした側面図、第３図及び第４図はその記録ヘッド部の
一例の断面図及び平面パターン図、第５図及び第６図は
同様の再生用磁気ヘッド部の断面図及び平面パターン図
、第７図は本発明による磁気ヘッド装置の磁気ギャップ
と磁気媒体との対接面の研磨態様を示す説明図である。 Ｓ Ｈ１及びＳＨ２は第１及び第２の磁気シールド板、
（３４）及び（３７）は基板、（ＩＲ）及び（ＩＰ）は
記録及び再生用磁気ヘッド素子部、（８０）は金属キャ
ン、（８１）は充填樹脂、（３１）は本発明による複合
型磁気ヘッド装置である。 ζ−−１，１１
は本発明による複合型だ磁気ヘッドの一例の一部を断面
とした側面図、第３図及び第４図はその記録ヘッド部の
一例の断面図及び平面パターン図、第５図及び第６図は
同様の再生用磁気ヘッド部の断面図及び平面パターン図
、第７図は本発明による磁気ヘッド装置の磁気ギャップ
と磁気媒体との対接面の研磨態様を示す説明図である。 Ｓ Ｈ１及びＳＨ２は第１及び第２の磁気シールド板、
（３４）及び（３７）は基板、（ＩＲ）及び（ＩＰ）は
記録及び再生用磁気ヘッド素子部、（８０）は金属キャ
ン、（８１）は充填樹脂、（３１）は本発明による複合
型磁気ヘッド装置である。 ζ−−１，１１
Claims (1)
- 一方の面に記録用集積回路が載置された基板と記録用磁
気ヘッド素子部とが取り付けられた第１の磁気シールド
板と、一方の面に再生用集積回路が載置された基板と再
生用磁気ヘッド素子部とが取り付けられた第２の磁気シ
ールド板とが、互いに他方の面で接合されてなる複合型
磁気ヘッド装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130718A JPS619814A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 複合型磁気ヘツド装置 |
| KR1019860700090A KR930002397B1 (ko) | 1984-06-25 | 1985-06-21 | 복합형 자기헤드 장치 |
| EP85903055A EP0185774B1 (en) | 1984-06-25 | 1985-06-21 | Composite magnetic head device |
| PCT/JP1985/000351 WO1986000456A1 (en) | 1984-06-25 | 1985-06-21 | Composite magnetic head device |
| DE8585903055T DE3586873T2 (de) | 1984-06-25 | 1985-06-21 | Magnetkopfanordnung. |
| US06/833,396 US4713710A (en) | 1984-06-25 | 1985-06-21 | Compact multiple magnetic head apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130718A JPS619814A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 複合型磁気ヘツド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619814A true JPS619814A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0510726B2 JPH0510726B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=15040963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59130718A Granted JPS619814A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 複合型磁気ヘツド装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4713710A (ja) |
| EP (1) | EP0185774B1 (ja) |
| JP (1) | JPS619814A (ja) |
| KR (1) | KR930002397B1 (ja) |
| DE (1) | DE3586873T2 (ja) |
| WO (1) | WO1986000456A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237214A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-22 | Sharp Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250681A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気ヘツドが一端側に、他端側に支持部材が取付けられた積層バイモルフ |
| US5159511A (en) * | 1987-04-01 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
| NL8701666A (nl) * | 1987-07-15 | 1989-02-01 | Philips Nv | Magneetkop met een kern met een niet-magnetische spleet. |
| US5103553A (en) * | 1987-07-29 | 1992-04-14 | Digital Equipment Corporation | Method of making a magnetic recording head |
| US4907113A (en) * | 1987-07-29 | 1990-03-06 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic recording head |
| US5075956A (en) * | 1988-03-16 | 1991-12-31 | Digital Equipment Corporation | Method of making recording heads with side shields |
| US5068959A (en) * | 1988-07-11 | 1991-12-03 | Digital Equipment Corporation | Method of manufacturing a thin film head |
| JP2718137B2 (ja) * | 1989-01-31 | 1998-02-25 | ソニー株式会社 | 磁気ヘッド |
| US5065267A (en) * | 1990-07-20 | 1991-11-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-track magnetic head having different height head chips |
| JPH06168556A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-06-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 変換器及び懸架部の組合せアセンブリ、及びその処理方法並びに該アセンブリを有するデータ処理装置 |
| US6097570A (en) * | 1998-09-16 | 2000-08-01 | Storage Technology Corporation | Multi-element read/write tape head with low feedthrough |
| US6765756B1 (en) | 1999-03-12 | 2004-07-20 | Western Digital (Fremont), Inc. | Ultra-short yoke and ultra-low stack height writer and method of fabrication |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE788510A (fr) * | 1971-09-13 | 1973-01-02 | Ibm | Transducteur magnetique bidirectionnel |
| NL8006715A (nl) * | 1980-12-11 | 1982-07-01 | Philips Nv | Magneetkop en werkwijze voor het vervaardigen van een magneetkop. |
| JPS6117542Y2 (ja) * | 1980-12-26 | 1986-05-29 | ||
| JPS5924418A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS5979417A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Sony Corp | 磁気ヘツド装置 |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP59130718A patent/JPS619814A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-21 KR KR1019860700090A patent/KR930002397B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-06-21 DE DE8585903055T patent/DE3586873T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-06-21 EP EP85903055A patent/EP0185774B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-21 WO PCT/JP1985/000351 patent/WO1986000456A1/ja active IP Right Grant
- 1985-06-21 US US06/833,396 patent/US4713710A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237214A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-22 | Sharp Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH0350324B2 (ja) * | 1985-04-13 | 1991-08-01 | Sharp Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4713710A (en) | 1987-12-15 |
| WO1986000456A1 (en) | 1986-01-16 |
| KR930002397B1 (ko) | 1993-03-30 |
| DE3586873T2 (de) | 1993-04-01 |
| EP0185774B1 (en) | 1992-12-02 |
| EP0185774A1 (en) | 1986-07-02 |
| EP0185774A4 (en) | 1989-07-25 |
| DE3586873D1 (de) | 1993-01-14 |
| KR860700305A (ko) | 1986-08-01 |
| JPH0510726B2 (ja) | 1993-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |