JPH0916913A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0916913A JPH0916913A JP16253995A JP16253995A JPH0916913A JP H0916913 A JPH0916913 A JP H0916913A JP 16253995 A JP16253995 A JP 16253995A JP 16253995 A JP16253995 A JP 16253995A JP H0916913 A JPH0916913 A JP H0916913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- lateral bias
- soft magnetic
- passive
- lateral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ素子のみでなく横バイアス用の軟磁性膜
に対しても単一ドメイン化をはかり、バルクハウゼンノ
イズを軽減し再生特性を改善したＭＲヘッドを提供す
る。 【構成】 中心能動領域と、その両側に隣接して形成さ
れた受動領域とからなり、この中心能動領域が少なくと
も軟磁性膜からなる横バイアス膜，中間層金属膜，ＭＲ
素子膜の３層が連続的に形成されたＭＲヘッドにおい
て、ＭＲ素子膜６と中間層金属膜５は中心能動領域のみ
に形成され、横バイアス膜４は中心能動領域および受動
領域にわたって形成され、受動領域の横バイアス膜４上
に、反強磁性膜８，軟磁性膜９，電極下地膜１０および
電極膜１１の順に形成され、反強磁性膜８は受動領域の
軟磁性膜９および横バイアス膜４と交換結合することに
より、ＭＲ素子６と横バイアス膜４との双方に縦バイア
スを発生させるようにする。
に対しても単一ドメイン化をはかり、バルクハウゼンノ
イズを軽減し再生特性を改善したＭＲヘッドを提供す
る。 【構成】 中心能動領域と、その両側に隣接して形成さ
れた受動領域とからなり、この中心能動領域が少なくと
も軟磁性膜からなる横バイアス膜，中間層金属膜，ＭＲ
素子膜の３層が連続的に形成されたＭＲヘッドにおい
て、ＭＲ素子膜６と中間層金属膜５は中心能動領域のみ
に形成され、横バイアス膜４は中心能動領域および受動
領域にわたって形成され、受動領域の横バイアス膜４上
に、反強磁性膜８，軟磁性膜９，電極下地膜１０および
電極膜１１の順に形成され、反強磁性膜８は受動領域の
軟磁性膜９および横バイアス膜４と交換結合することに
より、ＭＲ素子６と横バイアス膜４との双方に縦バイア
スを発生させるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体に書き込
まれた磁気的情報を磁気抵抗効果を利用して読み出しを
行う磁気抵抗効果ヘッドに関する。
まれた磁気的情報を磁気抵抗効果を利用して読み出しを
行う磁気抵抗効果ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の高密度化に伴い、狭
トラック幅，高線密度での記録再生に対応可能な磁気ヘ
ッドとして、再生感度の高い磁気抵抗効果素子（以下、
ＭＲ素子と称す）を備えた磁気抵抗効果ヘッド（以下、
ＭＲヘッドと称す）が実用化され始めている。ＭＲヘッ
ドにおいては、信号磁界に対して線形応答出力に近付け
るための、磁気抵抗効果素子膜（以下、ＭＲ素子膜と称
す）の高さ方向の横バイアス磁界と、バルクハウゼンノ
イズを低減するためと、ＭＲ素子膜のトラック幅方向の
縦バイアスとが必要であることが知られている。
トラック幅，高線密度での記録再生に対応可能な磁気ヘ
ッドとして、再生感度の高い磁気抵抗効果素子（以下、
ＭＲ素子と称す）を備えた磁気抵抗効果ヘッド（以下、
ＭＲヘッドと称す）が実用化され始めている。ＭＲヘッ
ドにおいては、信号磁界に対して線形応答出力に近付け
るための、磁気抵抗効果素子膜（以下、ＭＲ素子膜と称
す）の高さ方向の横バイアス磁界と、バルクハウゼンノ
イズを低減するためと、ＭＲ素子膜のトラック幅方向の
縦バイアスとが必要であることが知られている。
【０００３】このようなＭＲヘッド素子部の代表的な従
来例としては、例えば、特開平３−１２５３１１号公報
に開示されている。これは、図４に示すように、横バイ
アス方法として、ＭＲ素子下地絶縁膜２３上には、ＭＲ
素子膜２６に中間層金属膜２５を介して軟磁性膜（ＳＡ
Ｌ膜）から成る横バイアス膜２４を設けたＳＡＬバイア
スが用いられ、縦バイアスとしては、ＭＲ素子膜２６の
端部領域上に設けられた交換結合膜２２による方法が用
いられている。また、交換結合膜２２上には電極膜２７
が形成されている。
来例としては、例えば、特開平３−１２５３１１号公報
に開示されている。これは、図４に示すように、横バイ
アス方法として、ＭＲ素子下地絶縁膜２３上には、ＭＲ
素子膜２６に中間層金属膜２５を介して軟磁性膜（ＳＡ
Ｌ膜）から成る横バイアス膜２４を設けたＳＡＬバイア
スが用いられ、縦バイアスとしては、ＭＲ素子膜２６の
端部領域上に設けられた交換結合膜２２による方法が用
いられている。また、交換結合膜２２上には電極膜２７
が形成されている。
【０００４】特に、後者の縦バイアスでは、交換結合膜
２２により隣接するＭＲ素子膜２６の両端部分において
トラック幅方向の縦バイアスを発生させ、これにより、
ＭＲ素子膜２６全体の単一ドメイン化が可能となり、バ
ルクハウゼンノイズが低減される。
２２により隣接するＭＲ素子膜２６の両端部分において
トラック幅方向の縦バイアスを発生させ、これにより、
ＭＲ素子膜２６全体の単一ドメイン化が可能となり、バ
ルクハウゼンノイズが低減される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＭＲヘ
ッドでは、ＭＲ素子膜２６の端部領域上に設けられた交
換結合膜２２によりＭＲ素子膜の単一ドメイン化ははか
られているが、横バイアス膜２４は単一ドメイン化が成
されていないため、動作時におけるドメイン変化により
バイアス磁界に乱れを生じ、そのために再生出力にバル
クハウゼンノイズが混入し、再生特性が低下するという
欠点がある。
ッドでは、ＭＲ素子膜２６の端部領域上に設けられた交
換結合膜２２によりＭＲ素子膜の単一ドメイン化ははか
られているが、横バイアス膜２４は単一ドメイン化が成
されていないため、動作時におけるドメイン変化により
バイアス磁界に乱れを生じ、そのために再生出力にバル
クハウゼンノイズが混入し、再生特性が低下するという
欠点がある。
【０００６】本発明の目的は、ＭＲ素子のみでなく、横
バイアス膜に対しても単一ドメイン化をはかることによ
り、バルクハウゼンノイズを軽減して再生特性を改善し
たＭＲヘッドを提供することにある。
バイアス膜に対しても単一ドメイン化をはかることによ
り、バルクハウゼンノイズを軽減して再生特性を改善し
たＭＲヘッドを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、所定の長さと
幅を有する中心能動領域と、その両側に隣接して形成さ
れた２つの受動領域とからなり、前記中心能動領域が少
なくとも軟磁性膜からなる横バイアス膜，中間層金属
膜，磁気抵抗効果素子膜の３層が連続的に形成されたも
のから成るＭＲヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子
膜および前記中間層金属膜は前記中心能動領域のみに形
成され、かつ前記横バイアス膜は前記中心能動領域の全
域と前記２つの受動領域の一部とに形成され、さらに前
記受動領域の横バイアス膜上に順次形成した反強磁性
膜，軟磁性膜，下地膜，電極膜を備え、前記反強磁性膜
が前記受動領域の軟磁性膜および横バイアス膜と交換結
合することにより、前記磁気抵抗効果素子および前記横
バイアス膜の双方に縦バイアスを発生させるようにした
ことを特徴とする。また、前記２つの受動領域の一部
が、前記２つの受動領域の全域であってもよい。
幅を有する中心能動領域と、その両側に隣接して形成さ
れた２つの受動領域とからなり、前記中心能動領域が少
なくとも軟磁性膜からなる横バイアス膜，中間層金属
膜，磁気抵抗効果素子膜の３層が連続的に形成されたも
のから成るＭＲヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子
膜および前記中間層金属膜は前記中心能動領域のみに形
成され、かつ前記横バイアス膜は前記中心能動領域の全
域と前記２つの受動領域の一部とに形成され、さらに前
記受動領域の横バイアス膜上に順次形成した反強磁性
膜，軟磁性膜，下地膜，電極膜を備え、前記反強磁性膜
が前記受動領域の軟磁性膜および横バイアス膜と交換結
合することにより、前記磁気抵抗効果素子および前記横
バイアス膜の双方に縦バイアスを発生させるようにした
ことを特徴とする。また、前記２つの受動領域の一部
が、前記２つの受動領域の全域であってもよい。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明の第１の実施例のＭＲ素子
部を示す平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ′
線断面図である。
部を示す平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ′
線断面図である。
【００１０】通常、ＭＲヘッドのＭＲ素子部は、所定の
絶縁層を介して、一対のシールドの間に配設され、さら
に、磁気記録媒体に記録を行うためのインダクティブヘ
ッドと組み合わせた、いわゆる複合ヘッドとして構成さ
れるが、ここでは、本発明の特徴となるところを明確に
するために、シールドおよびインダクティブヘッドを省
略し、ＭＲ素子部のみ示してある。
絶縁層を介して、一対のシールドの間に配設され、さら
に、磁気記録媒体に記録を行うためのインダクティブヘ
ッドと組み合わせた、いわゆる複合ヘッドとして構成さ
れるが、ここでは、本発明の特徴となるところを明確に
するために、シールドおよびインダクティブヘッドを省
略し、ＭＲ素子部のみ示してある。
【００１１】図１および図２を参照すると、本実施例の
ＭＲ素子部は、磁気記録媒体に書き込まれた磁気的情報
の感磁部に相当する中心能動領域１と、その両側に隣接
して形成された受動領域２とから成っている。この中心
能動領域１は、ＭＲ素子下地絶縁膜３上に軟磁性膜から
なる横バイアス膜４，中間層金属膜５，ＭＲ素子膜６お
よび絶縁膜７の４層が連続的に形成されたものからな
り、ＭＲ素子膜６と中間層金属膜５とは中心能動領域１
のみに形成され、横バイアス膜４は中心能動領域１およ
び受動領域２にわたって形成されている。
ＭＲ素子部は、磁気記録媒体に書き込まれた磁気的情報
の感磁部に相当する中心能動領域１と、その両側に隣接
して形成された受動領域２とから成っている。この中心
能動領域１は、ＭＲ素子下地絶縁膜３上に軟磁性膜から
なる横バイアス膜４，中間層金属膜５，ＭＲ素子膜６お
よび絶縁膜７の４層が連続的に形成されたものからな
り、ＭＲ素子膜６と中間層金属膜５とは中心能動領域１
のみに形成され、横バイアス膜４は中心能動領域１およ
び受動領域２にわたって形成されている。
【００１２】この構成は、横バイアス膜４，中間層金属
膜５，ＭＲ素子膜６および絶縁膜７の４層を連続的にス
パッタ後、図１の破線で示す横バイアス膜の外形１２
に、いわゆるウィング（翼）状にパターニングし、続い
て、中心能動領域１の相当部にレジストステンシルを形
成し、受動領域部２を横バイアス膜４を残してミリング
することにより得る。そして、このようにして形成され
た受動領域２の横バイアス膜４上に、反強磁性膜８，軟
磁性膜９，電極下地膜１０および電極膜１１を順次形成
したものである。
膜５，ＭＲ素子膜６および絶縁膜７の４層を連続的にス
パッタ後、図１の破線で示す横バイアス膜の外形１２
に、いわゆるウィング（翼）状にパターニングし、続い
て、中心能動領域１の相当部にレジストステンシルを形
成し、受動領域部２を横バイアス膜４を残してミリング
することにより得る。そして、このようにして形成され
た受動領域２の横バイアス膜４上に、反強磁性膜８，軟
磁性膜９，電極下地膜１０および電極膜１１を順次形成
したものである。
【００１３】本発明の構成の特徴は、反強磁性膜８が、
受動領域２の横バイアス膜４および軟磁性膜９の両方に
隣接して設けられ、互いに交換結合していることにあ
る。軟磁性膜９は、反強磁性膜８との交換結合により一
方向に磁化し、この磁化からの磁界が、ＭＲ素子６に対
して縦方向（トラック幅方向）のバイアス磁界を生じ
る。すなわち、この軟磁性膜９は疑似的な永久磁石とし
て作用し、ＭＲ素子６にトラック幅方向の縦バイアス磁
界を発生させることにより、ＭＲ素子膜６の単一ドメイ
ン化がはかられる。
受動領域２の横バイアス膜４および軟磁性膜９の両方に
隣接して設けられ、互いに交換結合していることにあ
る。軟磁性膜９は、反強磁性膜８との交換結合により一
方向に磁化し、この磁化からの磁界が、ＭＲ素子６に対
して縦方向（トラック幅方向）のバイアス磁界を生じ
る。すなわち、この軟磁性膜９は疑似的な永久磁石とし
て作用し、ＭＲ素子６にトラック幅方向の縦バイアス磁
界を発生させることにより、ＭＲ素子膜６の単一ドメイ
ン化がはかられる。
【００１４】一方、横バイアス膜４に対しては、両側の
受動領域２において反強磁性膜８と交換結合することに
より、トラック幅方向の縦バイアス磁界を発生させ、こ
れにより、横バイアス膜４全体の単一ドメイン化が可能
となる。なお、ＭＲ素子６に対する横バイアスは、従来
例と同様に、ＳＡＬバイアスにより発生する。
受動領域２において反強磁性膜８と交換結合することに
より、トラック幅方向の縦バイアス磁界を発生させ、こ
れにより、横バイアス膜４全体の単一ドメイン化が可能
となる。なお、ＭＲ素子６に対する横バイアスは、従来
例と同様に、ＳＡＬバイアスにより発生する。
【００１５】ここで、横バイアス膜４として用いる軟磁
性膜としては、例えば、ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＭｏ，Ｎｉ
ＦｅＲｈ等が用いられ、また、反磁性膜８としては、Ｆ
ｅＭｎ，ＮｉＭｎ，ＦｅＭｎＣｒ，ＮｉＭｎＣｒ等が用
いられ、さらに、中間層金属膜５としてはＴａ，Ｔｉ、
絶縁膜７としては、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 等が用いら
れる。
性膜としては、例えば、ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＭｏ，Ｎｉ
ＦｅＲｈ等が用いられ、また、反磁性膜８としては、Ｆ
ｅＭｎ，ＮｉＭｎ，ＦｅＭｎＣｒ，ＮｉＭｎＣｒ等が用
いられ、さらに、中間層金属膜５としてはＴａ，Ｔｉ、
絶縁膜７としては、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 等が用いら
れる。
【００１６】また、ＭＲ素子膜６もしくは受動領域の軟
磁性膜９としては、例えば、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ等
が用いられ、電極膜１１としては、Ａｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｍ
ｏ等が用いられるが、電極下地膜１０は、電極膜１１が
Ｗ，Ｍｏの場合には概して不要であるが、Ａｕ電極の場
合には、密着性向上の観点からＴａ，Ｍｏが用いられ、
また、Ｔａ電極の場合は、抵抗値低減の観点からＷ，Ｗ
Ｔｉが用いられる。
磁性膜９としては、例えば、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ等
が用いられ、電極膜１１としては、Ａｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｍ
ｏ等が用いられるが、電極下地膜１０は、電極膜１１が
Ｗ，Ｍｏの場合には概して不要であるが、Ａｕ電極の場
合には、密着性向上の観点からＴａ，Ｍｏが用いられ、
また、Ｔａ電極の場合は、抵抗値低減の観点からＷ，Ｗ
Ｔｉが用いられる。
【００１７】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。
する。
【００１８】図３は、本発明の第２の実施例のＭＲ素子
部を示す断面図である。図３を参照すると、本実施例
は、第１の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子下地絶縁膜
１３上に軟磁性膜からなる横バイアス膜１４，中間層金
属膜１５，ＭＲ素子膜１６および絶縁膜１７の４層が連
続的に形成されており、さらに、反強磁性膜１８により
ＭＲ素子膜１６および横バイアス膜１４の双方に縦バイ
アスを発生させ、単一ドメイン化を実現できる。また、
横バイアス膜１４の外形は、第１の実施例では、図１の
破線に示すように、ウィング状に形成されているが、第
２の実施例では、反強磁性膜１８，軟磁性膜１９，電極
下地膜２０および電極膜２１の外形と同じになるように
パターニングされているため、ウィング状のパターニン
グが不要な分だけ、プロセスが簡略化されている。
部を示す断面図である。図３を参照すると、本実施例
は、第１の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子下地絶縁膜
１３上に軟磁性膜からなる横バイアス膜１４，中間層金
属膜１５，ＭＲ素子膜１６および絶縁膜１７の４層が連
続的に形成されており、さらに、反強磁性膜１８により
ＭＲ素子膜１６および横バイアス膜１４の双方に縦バイ
アスを発生させ、単一ドメイン化を実現できる。また、
横バイアス膜１４の外形は、第１の実施例では、図１の
破線に示すように、ウィング状に形成されているが、第
２の実施例では、反強磁性膜１８，軟磁性膜１９，電極
下地膜２０および電極膜２１の外形と同じになるように
パターニングされているため、ウィング状のパターニン
グが不要な分だけ、プロセスが簡略化されている。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＭＲヘッド
は、ＭＲ素子膜および横バイアス膜の双方に、縦バイア
スを発生させることにより、双方の膜の単一ドメイン化
をはかることができ、バルクハウゼンノイズの発生を低
減し、再生特性を改善したＭＲヘッドを提供できるとい
う効果がある。
は、ＭＲ素子膜および横バイアス膜の双方に、縦バイア
スを発生させることにより、双方の膜の単一ドメイン化
をはかることができ、バルクハウゼンノイズの発生を低
減し、再生特性を改善したＭＲヘッドを提供できるとい
う効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例のＭＲ素子部を示す平面
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′線断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例のＭＲ素子部を示す断面
図である。
図である。
【図４】従来の磁気抵抗効果ヘッドの一例を示すＭＲ素
子部の断面図である。
子部の断面図である。
１ 中心能動領域 ２ 受動領域 ３，１３，２３ ＭＲ素子下地絶縁膜 ４，１４，２４ 横バイアス膜 ５，１５，２５ 中間層金属膜 ６，１６，２６ ＭＲ素子膜 ７，１７ 絶縁膜 ８，１８ 反強磁性膜 ９，１９ 軟磁性膜 １０，２０ 電極下地膜 １１，２１，２７ 電極膜 １２ 横バイアス膜の外形 ２２ 交換結合膜
Claims (2)
- 【請求項１】 所定の長さと幅を有する中心能動領域
と、その両側に隣接して形成された２つの受動領域とか
らなり、前記中心能動領域が少なくとも軟磁性膜からな
る横バイアス膜，中間層金属膜，磁気抵抗効果素子膜の
３層が連続的に形成されたものから成る磁気抵抗効果ヘ
ッドにおいて、 前記磁気抵抗効果素子膜および前記中間層金属膜は前記
中心能動領域のみに形成され、かつ前記横バイアス膜は
前記中心能動領域の全域と前記２つの受動領域の一部と
に形成され、さらに前記受動領域の横バイアス膜上に順
次形成した反強磁性膜，軟磁性膜，下地膜，電極膜を備
え、前記反強磁性膜が前記受動領域の軟磁性膜および横
バイアス膜と交換結合することにより、前記磁気抵抗効
果素子および前記横バイアス膜の双方に縦バイアスを発
生させるようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ド。 - 【請求項２】 前記２つの受動領域の一部が、前記２つ
の受動領域の全域であることを特徴とする請求項１記載
の磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7162539A JP2806305B2 (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7162539A JP2806305B2 (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0916913A true JPH0916913A (ja) | 1997-01-17 |
| JP2806305B2 JP2806305B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=15756539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7162539A Expired - Fee Related JP2806305B2 (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2806305B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030017120A (ko) * | 2001-08-24 | 2003-03-03 | 송오성 | 산화탄탈륨을 절연층으로 한 터널자기저항 소자 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08329422A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-06-28 JP JP7162539A patent/JP2806305B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08329422A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030017120A (ko) * | 2001-08-24 | 2003-03-03 | 송오성 | 산화탄탈륨을 절연층으로 한 터널자기저항 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2806305B2 (ja) | 1998-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004030881A (ja) | 磁気再生ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3263018B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | |
| US6487042B2 (en) | Thin-film magnetic head and magnetic storage apparatus using the same | |
| JP3828777B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH11120526A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2001134910A (ja) | 磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド | |
| US5852533A (en) | Magnetoresistance effect transducer element with continuous central active area | |
| JP3090254B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05135332A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
| US6552882B1 (en) | Information reproduction head apparatus and information recording/reproduction system | |
| JP2806305B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2701748B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびそのバイアス印加方法 | |
| JP2874629B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| US5774309A (en) | Magnetic transducer and thin film magnetic head | |
| JP2980043B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気記録再生方法 | |
| JPH10283617A (ja) | 垂直磁気記録用複合型ヘッド | |
| JPH08203032A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JP3573620B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び磁気記憶装置 | |
| JPH11120517A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2000076628A (ja) | 情報再生ヘッド装置及び情報記録再生システム | |
| JP2658868B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその再生方法 | |
| JPH1049829A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2001155311A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP2002245607A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2003263708A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980623 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |