JP2001155311A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は磁気記録媒体からの磁界強度を信号と
して読み取るための磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を用
いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、不要磁束が
ヨーク内に侵入するのを防止することにより再生波形歪
の発生を防止することを課題とする。 【解決手段】基板2 と、この基板2 上に配設されると共
にギャップ122 を介して下部ヨーク前部111aと下部ヨー
ク後部111bとに分断された下部ヨーク111 と、下部ヨー
ク前部111aとの間に再生ヘッドギャップ115 を形成する
上部ヨーク112 と、ギャップ122 の下部に配設されて磁
気記録信号を検出するＭＲ素子121 とを具備し、前記再
生ヘッドギャップ115,下部ヨーク前部111a, ＭＲ素子12
1,下部ヨーク後部111b, 及び上部ヨーク112 の間に環状
の磁気回路を形成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに
おいて、下部ヨーク前部111aと基板2 との間に、下部ヨ
ーク前部111aと磁気的に接続するよう補助ヨーク134 を
配置する。
して読み取るための磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を用
いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、不要磁束が
ヨーク内に侵入するのを防止することにより再生波形歪
の発生を防止することを課題とする。 【解決手段】基板2 と、この基板2 上に配設されると共
にギャップ122 を介して下部ヨーク前部111aと下部ヨー
ク後部111bとに分断された下部ヨーク111 と、下部ヨー
ク前部111aとの間に再生ヘッドギャップ115 を形成する
上部ヨーク112 と、ギャップ122 の下部に配設されて磁
気記録信号を検出するＭＲ素子121 とを具備し、前記再
生ヘッドギャップ115,下部ヨーク前部111a, ＭＲ素子12
1,下部ヨーク後部111b, 及び上部ヨーク112 の間に環状
の磁気回路を形成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに
おいて、下部ヨーク前部111aと基板2 との間に、下部ヨ
ーク前部111aと磁気的に接続するよう補助ヨーク134 を
配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドに係り、特に磁気記録媒体に記録されたディ
ジタル情報を磁気記録媒体からの磁界強度を信号として
読み取るために磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とい
う）を用いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
磁気ヘッドに係り、特に磁気記録媒体に記録されたディ
ジタル情報を磁気記録媒体からの磁界強度を信号として
読み取るために磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とい
う）を用いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＭＲ素子を用いると共にヨー
クを用いて磁気記録媒体からの磁束をＭＲ素子に導く構
成とされた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドという）が知られている。図６乃至図８は、従来
のヨーク型ＭＲヘッドの一例を示している。同図に示す
ように、ヨーク型ＭＲヘッドは非磁性基板２上に下部ヨ
ーク１１、上部ヨーク１２、ＭＲ素子２１、及び非磁性
絶縁層３１，３２等を配設した構成とされている。下部
ヨーク１１は、下部ヨーク前部１１ａ，下部ヨーク後部
１１ｂ，及び下部ヨーク中部１１ｃにより構成されてい
る。また、上部ヨーク１２は、上部ヨーク前部１２ａと
上部ヨーク後部１２ｂとにより構成されている。
クを用いて磁気記録媒体からの磁束をＭＲ素子に導く構
成とされた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドという）が知られている。図６乃至図８は、従来
のヨーク型ＭＲヘッドの一例を示している。同図に示す
ように、ヨーク型ＭＲヘッドは非磁性基板２上に下部ヨ
ーク１１、上部ヨーク１２、ＭＲ素子２１、及び非磁性
絶縁層３１，３２等を配設した構成とされている。下部
ヨーク１１は、下部ヨーク前部１１ａ，下部ヨーク後部
１１ｂ，及び下部ヨーク中部１１ｃにより構成されてい
る。また、上部ヨーク１２は、上部ヨーク前部１２ａと
上部ヨーク後部１２ｂとにより構成されている。
【０００３】この下部ヨーク１１及び上部ヨーク１２は
強磁性材料により形成されており、また上部ヨーク前部
１２ａと上部ヨーク後部１２ｂとの間にはギャップ２２
が形成されている。このギャップ２２により、上部ヨー
ク１２は上部ヨーク前部１２ａと上部ヨーク後部１２ｂ
とに分離されている。ＭＲ素子２１は、上部ヨーク１２
に形成されたギャップ２２の形成位置の下部に配設され
ている。また、ＭＲ素子２１は上部ヨーク前部１２ａと
上部ヨーク後部１２ｂに磁気的に接続可能な構成で配設
されている。また、下部ヨーク１１と上部ヨーク後部１
２ｂは接合されることにより磁気的に接続されており、
また下部ヨーク１１と上部ヨーク前部１２ａとの間には
再生ヘッドギャップ１５（微細な間隙）が形成されてい
る。
強磁性材料により形成されており、また上部ヨーク前部
１２ａと上部ヨーク後部１２ｂとの間にはギャップ２２
が形成されている。このギャップ２２により、上部ヨー
ク１２は上部ヨーク前部１２ａと上部ヨーク後部１２ｂ
とに分離されている。ＭＲ素子２１は、上部ヨーク１２
に形成されたギャップ２２の形成位置の下部に配設され
ている。また、ＭＲ素子２１は上部ヨーク前部１２ａと
上部ヨーク後部１２ｂに磁気的に接続可能な構成で配設
されている。また、下部ヨーク１１と上部ヨーク後部１
２ｂは接合されることにより磁気的に接続されており、
また下部ヨーク１１と上部ヨーク前部１２ａとの間には
再生ヘッドギャップ１５（微細な間隙）が形成されてい
る。
【０００４】これにより、ヨーク型ＭＲヘッドは、上部
ヨーク前部１２ａ、ＭＲ素子２１、上部ヨーク後部１２
ｂ、下部ヨーク１１によって磁気回路を形成し、再生ヘ
ッドギャップ１５で検出した磁気記録媒体１（例えば、
磁気テープ）からの信号磁束をＭＲ素子２１により電気
信号に変換して再生出力を得る構造となっている。尚、
非磁性絶縁層３１，３２は下部ヨーク１１と上部ヨーク
１２との間に形成されている。
ヨーク前部１２ａ、ＭＲ素子２１、上部ヨーク後部１２
ｂ、下部ヨーク１１によって磁気回路を形成し、再生ヘ
ッドギャップ１５で検出した磁気記録媒体１（例えば、
磁気テープ）からの信号磁束をＭＲ素子２１により電気
信号に変換して再生出力を得る構造となっている。尚、
非磁性絶縁層３１，３２は下部ヨーク１１と上部ヨーク
１２との間に形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図９は、上記構成とさ
れたヨーク型ＭＲヘッドを用いて同一記録波長のビット
が記録された磁気テープ１（即ち、一定周期で磁化反転
する磁気記録がされた磁気テープ）の再生処理を行った
場合の再生波形を示している。前記のように磁気テープ
１には一定周期で磁化反転する信号が記録されているた
め、良好な再生処理が行われた場合には、図中一点鎖線
で示す矩形信号が出力されるはずである。しかるに、同
図に示すように、従来のＭＲヘッドでは、再生信号に再
生波形歪が発生してしまうという問題点があった。
れたヨーク型ＭＲヘッドを用いて同一記録波長のビット
が記録された磁気テープ１（即ち、一定周期で磁化反転
する磁気記録がされた磁気テープ）の再生処理を行った
場合の再生波形を示している。前記のように磁気テープ
１には一定周期で磁化反転する信号が記録されているた
め、良好な再生処理が行われた場合には、図中一点鎖線
で示す矩形信号が出力されるはずである。しかるに、同
図に示すように、従来のＭＲヘッドでは、再生信号に再
生波形歪が発生してしまうという問題点があった。
【０００６】図８は、この再生波形歪が発生する理由を
説明するための図である。同図に示すように、磁気テー
プ１には同一記録波長の複数のビット３n-1 〜３n+2 …
が形成されており、また隣接するビット３n-1 〜３n+2
…の境界部には磁化反転領域４n-1 〜４n+3 …が形成さ
れている。また、近年の磁気記録の高密度化に伴い記録
波長は短くなる傾向にあり、これに伴い各ビット３n-1
〜３n+2 …の磁気テープ１の走行方向（図中、矢印Ａ
１，Ａ２で示す）に対する長さも短くなる傾向にある。
説明するための図である。同図に示すように、磁気テー
プ１には同一記録波長の複数のビット３n-1 〜３n+2 …
が形成されており、また隣接するビット３n-1 〜３n+2
…の境界部には磁化反転領域４n-1 〜４n+3 …が形成さ
れている。また、近年の磁気記録の高密度化に伴い記録
波長は短くなる傾向にあり、これに伴い各ビット３n-1
〜３n+2 …の磁気テープ１の走行方向（図中、矢印Ａ
１，Ａ２で示す）に対する長さも短くなる傾向にある。
【０００７】図８に示す例では、ＭＲヘッドに形成され
た再生ヘッドギャップ１５はビット３n と対向してい
る。そして、磁化反転領域４n からの磁束５は、図中矢
印で示すように、上部ヨーク前部１２ａ、ＭＲ素子２
１、上部ヨーク後部１２ｂ、下部ヨーク１１を通り磁化
反転領域４n+1 に至る磁路を形成する。そして、この磁
束５がＭＲ素子２１を通過する際、ＭＲ素子２１は印加
される磁界に応じて電気抵抗を変化させるため、予めＭ
Ｒ素子２１にセンス電流を流しておけば、抵抗変化分を
電圧降下値として得ることができ、これにより再生信号
を得ることができる。
た再生ヘッドギャップ１５はビット３n と対向してい
る。そして、磁化反転領域４n からの磁束５は、図中矢
印で示すように、上部ヨーク前部１２ａ、ＭＲ素子２
１、上部ヨーク後部１２ｂ、下部ヨーク１１を通り磁化
反転領域４n+1 に至る磁路を形成する。そして、この磁
束５がＭＲ素子２１を通過する際、ＭＲ素子２１は印加
される磁界に応じて電気抵抗を変化させるため、予めＭ
Ｒ素子２１にセンス電流を流しておけば、抵抗変化分を
電圧降下値として得ることができ、これにより再生信号
を得ることができる。
【０００８】図８に示す例では、記録波長が上部ヨーク
前部１２ａの膜厚と同等以上の場合、磁化反転領域４
n-1 に近接した磁化反転領域４n から磁化反転領域４
n-1 に向かう磁束６（以下、この磁束を不要磁束６とい
う）が、上部ヨーク前部１２ａを通りＭＲ素子２１に侵
入してしまう。即ち、磁化反転領域４n は、上部ヨーク
前部１２ａの上方（図８では左側）が非磁性（Ａｌ2 Ｏ
3 でコーティングされている）であるため、磁化反転領
域４nからの不要磁束６は磁気抵抗の低い上部ヨーク前
部１２ａに進行してしまう。この不要磁束６は、方向は
同じものの適正な磁化反転領域からの磁束５（４n 〜４
n+1)に干渉することから、図９に示した再生波形歪みが
発生する。尚、下部ヨーク前部１１ａにも不要磁束が発
生するが、この不要磁束はＭＲ素子２１へ至る距離が長
く、途中で減衰してしまうため、再生波形に影響しな
い。
前部１２ａの膜厚と同等以上の場合、磁化反転領域４
n-1 に近接した磁化反転領域４n から磁化反転領域４
n-1 に向かう磁束６（以下、この磁束を不要磁束６とい
う）が、上部ヨーク前部１２ａを通りＭＲ素子２１に侵
入してしまう。即ち、磁化反転領域４n は、上部ヨーク
前部１２ａの上方（図８では左側）が非磁性（Ａｌ2 Ｏ
3 でコーティングされている）であるため、磁化反転領
域４nからの不要磁束６は磁気抵抗の低い上部ヨーク前
部１２ａに進行してしまう。この不要磁束６は、方向は
同じものの適正な磁化反転領域からの磁束５（４n 〜４
n+1)に干渉することから、図９に示した再生波形歪みが
発生する。尚、下部ヨーク前部１１ａにも不要磁束が発
生するが、この不要磁束はＭＲ素子２１へ至る距離が長
く、途中で減衰してしまうため、再生波形に影響しな
い。
【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、不要磁束がヨーク内に侵入するのを防止すること
により再生波形歪の発生を防止し、良好な再生特性を得
ることを可能とした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
あり、不要磁束がヨーク内に侵入するのを防止すること
により再生波形歪の発生を防止し、良好な再生特性を得
ることを可能とした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。請求項１記載の発明は、基板と、該
基板上に配設されており、ギャップを介して下部ヨーク
前部と下部ヨーク後部とに分断された下部ヨークと、該
下部ヨーク上に形成されており、磁気記録媒体との対向
側の位置において、前記下部ヨーク前部との間に再生ヘ
ッドギャップを形成する上部ヨークと、前記ギャップ下
部に配設されており、磁気記録信号を検出する磁気抵抗
効果素子とを具備しており、前記再生ヘッドギャップ、
前記下部ヨーク前部、前記磁気抵抗効果素子、前記下部
ヨーク後部、及び上部ヨークの間に環状の磁気回路を形
成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下
部ヨーク前部と前記基板との間に、前記下部ヨーク前部
と磁気的に接続するよう補助ヨークを配置したことを特
徴とするものである。
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。請求項１記載の発明は、基板と、該
基板上に配設されており、ギャップを介して下部ヨーク
前部と下部ヨーク後部とに分断された下部ヨークと、該
下部ヨーク上に形成されており、磁気記録媒体との対向
側の位置において、前記下部ヨーク前部との間に再生ヘ
ッドギャップを形成する上部ヨークと、前記ギャップ下
部に配設されており、磁気記録信号を検出する磁気抵抗
効果素子とを具備しており、前記再生ヘッドギャップ、
前記下部ヨーク前部、前記磁気抵抗効果素子、前記下部
ヨーク後部、及び上部ヨークの間に環状の磁気回路を形
成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下
部ヨーク前部と前記基板との間に、前記下部ヨーク前部
と磁気的に接続するよう補助ヨークを配置したことを特
徴とするものである。
【００１１】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記補助
ヨークの深さＤは、前記再生ヘッドギャップの先端から
前記磁気抵抗効果素子の前部端面までの距離をＤmrとし
た場合、Ｄ＜Ｄmrであることを特徴とするものである。
載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記補助
ヨークの深さＤは、前記再生ヘッドギャップの先端から
前記磁気抵抗効果素子の前部端面までの距離をＤmrとし
た場合、Ｄ＜Ｄmrであることを特徴とするものである。
【００１２】また、請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは２記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記補助ヨークは、前記下部ヨーク前部と一体的に形成
されていることを特徴とするものである。また、請求項
４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記補助ヨーク
の摺動方向の長さを、少なくとも記録波長の２倍以上の
長さとしたことを特徴とするものである。
たは２記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記補助ヨークは、前記下部ヨーク前部と一体的に形成
されていることを特徴とするものである。また、請求項
４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記補助ヨーク
の摺動方向の長さを、少なくとも記録波長の２倍以上の
長さとしたことを特徴とするものである。
【００１３】上記の各手段は、次のように作用する。請
求項１記載の発明によれば、下部ヨーク前部と基板との
間に、下部ヨーク前部と磁気的に接続するよう補助ヨー
クを配置したことにより、高密度化されることにより磁
気記録媒体に記録されたビットが短くなっても、下部ヨ
ーク前部と基板との間において磁気記録媒体と対向する
位置には補助ヨークが存在するため、再生ヘッドギャッ
プと対向する位置にあるビットと異なる位置にあるビッ
トからの磁束（以下、不要磁束という）は補助ヨークに
流入し、下部ヨークを通ってＭＲ素子に流入することを
防止することができる。同様に、ビット長が長い場合で
も、補助ヨークを配設することで不要磁束の流入を防止
することができる。ビット長が長い場合の方が、より顕
著に補助ヨークの効果が現れる。
求項１記載の発明によれば、下部ヨーク前部と基板との
間に、下部ヨーク前部と磁気的に接続するよう補助ヨー
クを配置したことにより、高密度化されることにより磁
気記録媒体に記録されたビットが短くなっても、下部ヨ
ーク前部と基板との間において磁気記録媒体と対向する
位置には補助ヨークが存在するため、再生ヘッドギャッ
プと対向する位置にあるビットと異なる位置にあるビッ
トからの磁束（以下、不要磁束という）は補助ヨークに
流入し、下部ヨークを通ってＭＲ素子に流入することを
防止することができる。同様に、ビット長が長い場合で
も、補助ヨークを配設することで不要磁束の流入を防止
することができる。ビット長が長い場合の方が、より顕
著に補助ヨークの効果が現れる。
【００１４】これにより、再生ヘッドギャップと対向す
る位置にあるビットからの磁束（以下、適正磁束とい
う）のみが下部ヨーク内を流れることとなり、適正磁束
と不要磁束が干渉することはなくなり、よって良好な再
生信号を得ることができる。また、請求項２記載の発明
によれば、再生ヘッドギャップの先端から磁気抵抗効果
素子の前部端面までの距離をＤmrとした場合、補助ヨー
クの深さＤを、Ｄ＜Ｄmrを満足する値としたことによ
り、補助ヨークが下部ヨーク後部及び磁気抵抗効果素子
と対向することを防止できる。補助ヨークが下部ヨーク
後部と対向した場合、上部ヨーク，下部ヨーク後部，補
助ヨークとの間で磁気回路が形成されてしまう。また、
補助ヨークが磁気抵抗効果素子と対向した場合、上部ヨ
ーク後方から下部ヨーク後部、更に磁気抵抗効果素子に
侵入した磁束が下部ヨーク前部に進行せず、補助ヨーク
に侵入してしまうため、正規の磁気回路を形成しない。
このため、正常な再生信号を得ることができなくなって
しまう。
る位置にあるビットからの磁束（以下、適正磁束とい
う）のみが下部ヨーク内を流れることとなり、適正磁束
と不要磁束が干渉することはなくなり、よって良好な再
生信号を得ることができる。また、請求項２記載の発明
によれば、再生ヘッドギャップの先端から磁気抵抗効果
素子の前部端面までの距離をＤmrとした場合、補助ヨー
クの深さＤを、Ｄ＜Ｄmrを満足する値としたことによ
り、補助ヨークが下部ヨーク後部及び磁気抵抗効果素子
と対向することを防止できる。補助ヨークが下部ヨーク
後部と対向した場合、上部ヨーク，下部ヨーク後部，補
助ヨークとの間で磁気回路が形成されてしまう。また、
補助ヨークが磁気抵抗効果素子と対向した場合、上部ヨ
ーク後方から下部ヨーク後部、更に磁気抵抗効果素子に
侵入した磁束が下部ヨーク前部に進行せず、補助ヨーク
に侵入してしまうため、正規の磁気回路を形成しない。
このため、正常な再生信号を得ることができなくなって
しまう。
【００１５】しかるに、補助ヨークの深さＤがＤ＜Ｄmr
を満足するよう構成することにより、磁気記録媒体から
の磁束は必ず磁気抵抗効果素子を通過し、下部ヨーク前
部に進行することとなり、よって正常な再生信号を確実
に得ることができる。また、請求項３記載の発明によれ
ば、補助ヨークを下部ヨーク前部と一体的に形成したこ
とにより、それぞれを別体とする構成に比べて製造工程
の簡単化及び部品点数の削減による低コスト化を図るこ
とができる。また、補助ヨークと下部ヨーク前部とを別
体とし、これを接合した際に接合位置に疑似ギャップが
形成されることを防止でき、再生特性の向上を図ること
ができる。
を満足するよう構成することにより、磁気記録媒体から
の磁束は必ず磁気抵抗効果素子を通過し、下部ヨーク前
部に進行することとなり、よって正常な再生信号を確実
に得ることができる。また、請求項３記載の発明によれ
ば、補助ヨークを下部ヨーク前部と一体的に形成したこ
とにより、それぞれを別体とする構成に比べて製造工程
の簡単化及び部品点数の削減による低コスト化を図るこ
とができる。また、補助ヨークと下部ヨーク前部とを別
体とし、これを接合した際に接合位置に疑似ギャップが
形成されることを防止でき、再生特性の向上を図ること
ができる。
【００１６】また、請求項４記載の発明によれば、補助
ヨークの摺動方向の長さを少なくとも記録波長の２倍以
上の長さとしたことにより、更に再生特性の向上を図る
ことができる。
ヨークの摺動方向の長さを少なくとも記録波長の２倍以
上の長さとしたことにより、更に再生特性の向上を図る
ことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の一実
施例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを示してい
る。図１は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図であ
り、また図２は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの平面図
である。尚、以下の説明において、図１に矢印Ａ１で示
す方向を下方であると定義し、また同図中矢印Ａ２で示
す方向を上方であると定義する。
て図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の一実
施例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを示してい
る。図１は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図であ
り、また図２は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの平面図
である。尚、以下の説明において、図１に矢印Ａ１で示
す方向を下方であると定義し、また同図中矢印Ａ２で示
す方向を上方であると定義する。
【００１８】各図に示すように、磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという）は、磁性あるいは
非磁性の基板２（本実施例では、フェライト基板を使用
している）上に下部ヨーク１１１、上部ヨーク１１２、
磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２１、非磁性絶縁層１
３１，１３２、非磁性絶縁部材１３３、及び補助ヨーク
１３４等を配設した構成としている。但し、補助ヨーク
の摺動方向の長さは記録波長の２倍以上とする。また、
基板に磁性基板を使用する場合には、下部ヨーク前部１
１１ａの膜厚と補助ヨーク１３４の長さと磁性基板の長
さの和が記録波長の２倍以上となれば良い。記録波長の
４倍以上であれば更に良好である。
気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという）は、磁性あるいは
非磁性の基板２（本実施例では、フェライト基板を使用
している）上に下部ヨーク１１１、上部ヨーク１１２、
磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２１、非磁性絶縁層１
３１，１３２、非磁性絶縁部材１３３、及び補助ヨーク
１３４等を配設した構成としている。但し、補助ヨーク
の摺動方向の長さは記録波長の２倍以上とする。また、
基板に磁性基板を使用する場合には、下部ヨーク前部１
１１ａの膜厚と補助ヨーク１３４の長さと磁性基板の長
さの和が記録波長の２倍以上となれば良い。記録波長の
４倍以上であれば更に良好である。
【００１９】下部ヨーク１１１は、下部ヨーク前部１１
１ａと下部ヨーク後部１１１ｂとにより構成されてい
る。また、上部ヨーク１１２は、上部ヨーク前部１１２
ａ，上部ヨーク後部１１２ｂ，及び上部ヨーク中部１１
２ｃにより構成されている。この下部ヨーク１１１及び
上部ヨーク１１２は強磁性材料（本実施例ではＣｏ−Ｚ
ｒ系材料を用いてる）により形成されており、また下部
ヨーク前部１１１ａと下部ヨーク後部１１１ｂとの間に
はギャップ１２２が形成されている。このギャップ１２
２により、下部ヨーク１１１は下部ヨーク前部１１１ａ
と下部ヨーク後部１１１ｂとに分離されている。
１ａと下部ヨーク後部１１１ｂとにより構成されてい
る。また、上部ヨーク１１２は、上部ヨーク前部１１２
ａ，上部ヨーク後部１１２ｂ，及び上部ヨーク中部１１
２ｃにより構成されている。この下部ヨーク１１１及び
上部ヨーク１１２は強磁性材料（本実施例ではＣｏ−Ｚ
ｒ系材料を用いてる）により形成されており、また下部
ヨーク前部１１１ａと下部ヨーク後部１１１ｂとの間に
はギャップ１２２が形成されている。このギャップ１２
２により、下部ヨーク１１１は下部ヨーク前部１１１ａ
と下部ヨーク後部１１１ｂとに分離されている。
【００２０】ＭＲ素子１２１は、このギャップ１２２の
形成位置の下部で、かつ非磁性絶縁部材１３３の上面に
配設されている。即ち、ＭＲ素子１２１は、非磁性絶縁
部材１３３の上面と下部ヨーク１１１の下面との間に挟
まれた構成となっており、更にＭＲ素子１２１の上部に
ギャップ１２２が形成されるよう構成されている。非磁
性絶縁部材１３３は、例えば非磁性のセラミックよりな
り、その表面（ＭＲ素子１２１が配設される面）は研磨
処理することにより面精度の高い面とされている。よっ
て、この面精度の高い非磁性絶縁部材１３３の上面にＭ
Ｒ素子１２１を配設することにより、換言すれば下部ヨ
ーク１１１の下部にＭＲ素子１２１を配設することによ
り、ＭＲ素子１２１の特性を向上させることができる。
形成位置の下部で、かつ非磁性絶縁部材１３３の上面に
配設されている。即ち、ＭＲ素子１２１は、非磁性絶縁
部材１３３の上面と下部ヨーク１１１の下面との間に挟
まれた構成となっており、更にＭＲ素子１２１の上部に
ギャップ１２２が形成されるよう構成されている。非磁
性絶縁部材１３３は、例えば非磁性のセラミックよりな
り、その表面（ＭＲ素子１２１が配設される面）は研磨
処理することにより面精度の高い面とされている。よっ
て、この面精度の高い非磁性絶縁部材１３３の上面にＭ
Ｒ素子１２１を配設することにより、換言すれば下部ヨ
ーク１１１の下部にＭＲ素子１２１を配設することによ
り、ＭＲ素子１２１の特性を向上させることができる。
【００２１】即ち、仮にＭＲ素子１２１が配設される面
が粗面であったとすると、ＭＲ素子１２１を均一に形成
することができなくなる。具体的には、図６及び図７に
示した従来構成のＭＲヘッドでは、非磁性絶縁層３１
（一般にＡｌ2 Ｏ3 である）上にＭＲ素子２１を形成す
る構成であっため、非磁性絶縁層３１の上面の面精度を
高めることが困難であり、よってＭＲ素子２１を均一に
形成することができなかった。このように、形成された
ＭＲ素子２１が不均一な構成であった場合、磁界印加時
における磁気抵抗変化が不均一となり、精度の高い再生
処理を行うことができなくなってしまう。
が粗面であったとすると、ＭＲ素子１２１を均一に形成
することができなくなる。具体的には、図６及び図７に
示した従来構成のＭＲヘッドでは、非磁性絶縁層３１
（一般にＡｌ2 Ｏ3 である）上にＭＲ素子２１を形成す
る構成であっため、非磁性絶縁層３１の上面の面精度を
高めることが困難であり、よってＭＲ素子２１を均一に
形成することができなかった。このように、形成された
ＭＲ素子２１が不均一な構成であった場合、磁界印加時
における磁気抵抗変化が不均一となり、精度の高い再生
処理を行うことができなくなってしまう。
【００２２】しかるに、本実施例のようにＭＲ素子１２
１を下部ヨーク１１１ａ，１１１ｂの下に配設する構成
にすることで、面精度の高い非磁性絶縁部材１３３上に
ＭＲ素子１２１を形成することが可能となり、磁界印加
時における磁気抵抗変化も均一化される。よって、再生
処理時において、ＭＲ素子１２１は良好な再生信号を生
成することができる。
１を下部ヨーク１１１ａ，１１１ｂの下に配設する構成
にすることで、面精度の高い非磁性絶縁部材１３３上に
ＭＲ素子１２１を形成することが可能となり、磁界印加
時における磁気抵抗変化も均一化される。よって、再生
処理時において、ＭＲ素子１２１は良好な再生信号を生
成することができる。
【００２３】従来構造において、Ａｌ2 Ｏ3 である非絶
縁層３１と機能性薄膜で構成されている下部ヨーク１１
ａ，１１ｂの複合研磨をおこない面精度を高める場合、
下部ヨーク１１ａ，１１ｂも研磨されるため機能性薄膜
としての特性劣化につながる可能性があり、また、基板
全体を均一に研磨することが困難であるため数μｍで構
成される下部ヨーク等の膜厚管理が難しいという難点が
あった。
縁層３１と機能性薄膜で構成されている下部ヨーク１１
ａ，１１ｂの複合研磨をおこない面精度を高める場合、
下部ヨーク１１ａ，１１ｂも研磨されるため機能性薄膜
としての特性劣化につながる可能性があり、また、基板
全体を均一に研磨することが困難であるため数μｍで構
成される下部ヨーク等の膜厚管理が難しいという難点が
あった。
【００２４】一方、本実施例では、面精度の高い非磁性
絶縁部材１３３上に直接ＭＲ素子１２１を形成すること
ができ、且つ、下部ヨーク１１１ａ，１１１ｂも機械加
工を施すこと無く形成することができる利点がある。ま
た、研磨工程が不必要な分、製造工程の簡略化を図るこ
とができる。一方、上記のＭＲ素子１２１は、下部ヨー
ク前部１１１ａと下部ヨーク後部１１１ｂに磁気的に接
続可能な構成で配設されている。また、上部ヨーク１１
２の上部ヨーク後部１１２ｂと下部ヨーク後部１１１ｂ
は接合されることにより磁気的に接続されており、また
下部ヨーク１１１ａと上部ヨーク前部１１２ａとの間に
は再生ヘッドギャップ１１５が形成されている。
絶縁部材１３３上に直接ＭＲ素子１２１を形成すること
ができ、且つ、下部ヨーク１１１ａ，１１１ｂも機械加
工を施すこと無く形成することができる利点がある。ま
た、研磨工程が不必要な分、製造工程の簡略化を図るこ
とができる。一方、上記のＭＲ素子１２１は、下部ヨー
ク前部１１１ａと下部ヨーク後部１１１ｂに磁気的に接
続可能な構成で配設されている。また、上部ヨーク１１
２の上部ヨーク後部１１２ｂと下部ヨーク後部１１１ｂ
は接合されることにより磁気的に接続されており、また
下部ヨーク１１１ａと上部ヨーク前部１１２ａとの間に
は再生ヘッドギャップ１１５が形成されている。
【００２５】これにより、ヨーク型ＭＲヘッドは、下部
ヨーク前部１１１ａ、ＭＲ素子１２１、下部ヨーク後部
１１１ｂ、上部ヨーク１１２（上部ヨーク前部１１２
ａ，上部ヨーク後部１１２ｂ，上部ヨーク中部１１２
ｃ）によって磁気回路を形成し、再生ヘッドギャップ１
１５で検出した磁気記録媒体１（本実施例では磁気テー
プ）からの信号磁束をＭＲ素子１２１により電気信号に
変換して再生出力を得ることができる。また、下部ヨー
ク１１１と上部ヨーク１１２との間には非磁性絶縁層１
３１が形成されると共に、下部ヨーク１１１と非磁性絶
縁部材１３３との間にはＭＲ素子１２１を覆うよう非磁
性絶縁層１３２が形成されている。
ヨーク前部１１１ａ、ＭＲ素子１２１、下部ヨーク後部
１１１ｂ、上部ヨーク１１２（上部ヨーク前部１１２
ａ，上部ヨーク後部１１２ｂ，上部ヨーク中部１１２
ｃ）によって磁気回路を形成し、再生ヘッドギャップ１
１５で検出した磁気記録媒体１（本実施例では磁気テー
プ）からの信号磁束をＭＲ素子１２１により電気信号に
変換して再生出力を得ることができる。また、下部ヨー
ク１１１と上部ヨーク１１２との間には非磁性絶縁層１
３１が形成されると共に、下部ヨーク１１１と非磁性絶
縁部材１３３との間にはＭＲ素子１２１を覆うよう非磁
性絶縁層１３２が形成されている。
【００２６】続いて、本発明の要部となる補助ヨーク１
３４について説明する。補助ヨーク１３４は、下部ヨー
ク１１１及び上部ヨーク１１２と同様に強磁性材料（Ｃ
ｏ−Ｚｒ系材料）により形成されている。この補助ヨー
ク１３４は下部ヨーク前部１１１ａと基板２との間に配
設されており、かつ補助ヨーク１３４の上面は下部ヨー
ク前部１１１ａの下面と磁気的に接続するよう構成され
ている。
３４について説明する。補助ヨーク１３４は、下部ヨー
ク１１１及び上部ヨーク１１２と同様に強磁性材料（Ｃ
ｏ−Ｚｒ系材料）により形成されている。この補助ヨー
ク１３４は下部ヨーク前部１１１ａと基板２との間に配
設されており、かつ補助ヨーク１３４の上面は下部ヨー
ク前部１１１ａの下面と磁気的に接続するよう構成され
ている。
【００２７】即ち、図１に符合１１０で示す領域におい
て、補助ヨーク１３４と下部ヨーク前部１１１ａは磁気
的に接続された構成となっている。補助ヨーク１３４と
下部ヨーク前部１１１ａを磁気的に接続する方法は各種
考えられ、例えば補助ヨーク１３４上に下部ヨーク前部
１１１ａをスパッタリングにより成長形成させる方法を
用いることができる。
て、補助ヨーク１３４と下部ヨーク前部１１１ａは磁気
的に接続された構成となっている。補助ヨーク１３４と
下部ヨーク前部１１１ａを磁気的に接続する方法は各種
考えられ、例えば補助ヨーク１３４上に下部ヨーク前部
１１１ａをスパッタリングにより成長形成させる方法を
用いることができる。
【００２８】また、補助ヨーク１３４の側面１３４ａ
は、下部ヨーク前部１１１ａと上部ヨーク前部１１２ａ
とが協働して形成する摺接面１３６と面一となるよう構
成されている。従って、補助ヨーク１３４の側面１３４
ａは、磁気テープ１の再生処理時において、走行する磁
気テープ１と対向することとなる。これにより、磁気テ
ープ１からの信号磁束（漏れ磁束）は、補助ヨーク１３
４にも流入する。
は、下部ヨーク前部１１１ａと上部ヨーク前部１１２ａ
とが協働して形成する摺接面１３６と面一となるよう構
成されている。従って、補助ヨーク１３４の側面１３４
ａは、磁気テープ１の再生処理時において、走行する磁
気テープ１と対向することとなる。これにより、磁気テ
ープ１からの信号磁束（漏れ磁束）は、補助ヨーク１３
４にも流入する。
【００２９】また、補助ヨーク１３４の形状に注目する
と、再生ヘッドギャップ１１５の先端からＭＲ素子１２
１の前部端面までの距離をＤmrとした場合、本実施例で
は補助ヨーク１３４の深さＤをＤ＜Ｄmrを満足する値に
設定している。この構成とすることにより、補助ヨーク
１３４が下部ヨーク後部１１１ｂ及びＭＲ素子１２１と
対向し磁気的に接続することを防止できる。
と、再生ヘッドギャップ１１５の先端からＭＲ素子１２
１の前部端面までの距離をＤmrとした場合、本実施例で
は補助ヨーク１３４の深さＤをＤ＜Ｄmrを満足する値に
設定している。この構成とすることにより、補助ヨーク
１３４が下部ヨーク後部１１１ｂ及びＭＲ素子１２１と
対向し磁気的に接続することを防止できる。
【００３０】仮に、補助ヨーク１３４が下部ヨーク後部
１１１ｂと対向した構成を想定すると、上部ヨーク後部
１１２ｂは下部ヨーク後部１１１ｂを介して補助ヨーク
１３４と磁気的に接続されてしまい、上部ヨーク１１
２，下部ヨーク後部１１１ｂ，及び補助ヨーク１３４と
からなる磁気回路が形成されてしまう。この場合、磁気
テープ１からの磁束はＭＲ素子１２１をバイパスした状
態で補助ヨーク１３４を通過し、ＭＲ素子１２１を通過
しない構成となる。
１１１ｂと対向した構成を想定すると、上部ヨーク後部
１１２ｂは下部ヨーク後部１１１ｂを介して補助ヨーク
１３４と磁気的に接続されてしまい、上部ヨーク１１
２，下部ヨーク後部１１１ｂ，及び補助ヨーク１３４と
からなる磁気回路が形成されてしまう。この場合、磁気
テープ１からの磁束はＭＲ素子１２１をバイパスした状
態で補助ヨーク１３４を通過し、ＭＲ素子１２１を通過
しない構成となる。
【００３１】また、補助ヨーク１３４がＭＲ素子１２１
と対向した場合、磁束は上部ヨーク後部１１２ｂから下
部ヨーク後部１１１ｂ、更にＭＲ素子１２１に侵入する
が、本来進むべく下部ヨーク前部１１１ａに進行せず、
補助ヨーク１３４に侵入してしまうため、正規の磁気回
路を形成しない構成となる。従って、補助ヨーク１３４
が下部ヨーク後部１１１ｂ及びＭＲ素子１２１と対向す
る構成では、正常な再生信号を得ることができなくなっ
てしまう。
と対向した場合、磁束は上部ヨーク後部１１２ｂから下
部ヨーク後部１１１ｂ、更にＭＲ素子１２１に侵入する
が、本来進むべく下部ヨーク前部１１１ａに進行せず、
補助ヨーク１３４に侵入してしまうため、正規の磁気回
路を形成しない構成となる。従って、補助ヨーク１３４
が下部ヨーク後部１１１ｂ及びＭＲ素子１２１と対向す
る構成では、正常な再生信号を得ることができなくなっ
てしまう。
【００３２】しかるに、補助ヨーク１３４の深さＤがＤ
＜Ｄmrを満足するよう構成することにより、補助ヨーク
１３４が下部ヨーク後部１１１ｂ及びＭＲ素子１２１と
対向状態となることはなく、磁気テープ１からの磁束は
必ずＭＲ素子１２１を通過することとなり、よって正常
な再生信号を確実に得ることができる。上記のように、
下部ヨーク前部１１１ａと基板２との間に、下部ヨーク
前部１１１ａと磁気的に接続するよう補助ヨーク１３４
を配置したことにより、再生出力に再生波形歪が発生す
ることを防止することができる。
＜Ｄmrを満足するよう構成することにより、補助ヨーク
１３４が下部ヨーク後部１１１ｂ及びＭＲ素子１２１と
対向状態となることはなく、磁気テープ１からの磁束は
必ずＭＲ素子１２１を通過することとなり、よって正常
な再生信号を確実に得ることができる。上記のように、
下部ヨーク前部１１１ａと基板２との間に、下部ヨーク
前部１１１ａと磁気的に接続するよう補助ヨーク１３４
を配置したことにより、再生出力に再生波形歪が発生す
ることを防止することができる。
【００３３】以下、この理由について図３を用いて説明
する。尚、先に説明した図８との比較対照を容易とする
ため、図８に示した構成と同一構成については、図３に
おいても同一符合を付して説明するものとする。図３に
示すように、磁気テープ１には同一記録波長の複数のビ
ット３n-1 〜３ n+2 …が形成されており、また隣接する
ビット３n-1 〜３n+2 …の境界部には磁化反転領域４
n-1 〜４n+3 …が形成されている。また、近年の磁気記
録の高密度化に伴い記録波長は短くなる傾向にあり、こ
れに伴い各ビット３n-1 〜３n+2 …の磁気テープ１の走
行方向（図中、矢印Ａ１，Ａ２で示す）に対する長さも
短くなる傾向にある。以上の点は、図８を用いて説明し
たと同様である。
する。尚、先に説明した図８との比較対照を容易とする
ため、図８に示した構成と同一構成については、図３に
おいても同一符合を付して説明するものとする。図３に
示すように、磁気テープ１には同一記録波長の複数のビ
ット３n-1 〜３ n+2 …が形成されており、また隣接する
ビット３n-1 〜３n+2 …の境界部には磁化反転領域４
n-1 〜４n+3 …が形成されている。また、近年の磁気記
録の高密度化に伴い記録波長は短くなる傾向にあり、こ
れに伴い各ビット３n-1 〜３n+2 …の磁気テープ１の走
行方向（図中、矢印Ａ１，Ａ２で示す）に対する長さも
短くなる傾向にある。以上の点は、図８を用いて説明し
たと同様である。
【００３４】また、図３に示す本実施例においても、Ｍ
Ｒヘッドに形成された再生磁気ヘッドギャップ１１５が
ビット３n と対向した時の例を示しており、よって磁化
反転領域４n+1 からの磁束５（適正磁束）は、図中矢印
で示すように、下部ヨーク前部１１１ａ，ＭＲ素子１２
１，下部ヨーク後部１１１ｂ，上部ヨーク１１２を通り
磁化反転領域４n に至る磁路を形成する。そして、この
適正磁束５がＭＲ素子１２１を通過することにより再生
信号を得る構成となっている。
Ｒヘッドに形成された再生磁気ヘッドギャップ１１５が
ビット３n と対向した時の例を示しており、よって磁化
反転領域４n+1 からの磁束５（適正磁束）は、図中矢印
で示すように、下部ヨーク前部１１１ａ，ＭＲ素子１２
１，下部ヨーク後部１１１ｂ，上部ヨーク１１２を通り
磁化反転領域４n に至る磁路を形成する。そして、この
適正磁束５がＭＲ素子１２１を通過することにより再生
信号を得る構成となっている。
【００３５】ここで、従来構成のＭＲヘッド（図８参
照）で不要磁束６が発生していた磁化反転領域４n に注
目する。図８に示した従来構成のＭＲヘッドでは、不要
磁束６が流出する磁化反転領域４n が非磁性である（磁
気抵抗の高い）Ａｌ2 Ｏ3 材と対向していたため、不要
磁束６は磁化反転領域４n-1 には流れず、磁気抵抗の低
い上部ヨーク前部１２ａに向け進行してＭＲ素子２１に
流れてしまい、これにより再生出力に再生波形歪が発生
していた。
照）で不要磁束６が発生していた磁化反転領域４n に注
目する。図８に示した従来構成のＭＲヘッドでは、不要
磁束６が流出する磁化反転領域４n が非磁性である（磁
気抵抗の高い）Ａｌ2 Ｏ3 材と対向していたため、不要
磁束６は磁化反転領域４n-1 には流れず、磁気抵抗の低
い上部ヨーク前部１２ａに向け進行してＭＲ素子２１に
流れてしまい、これにより再生出力に再生波形歪が発生
していた。
【００３６】これに対し本実施例に係るＭＲヘッドは、
補助ヨーク１３４を設けたことにより、図３に示す構造
となる。磁化反転領域４n+1 は下部ヨーク１１１ａと対
向しており、かつ、下部ヨーク１１１ａは補助ヨーク１
３４と磁気的に接合されるため、磁気反転領域４n+1 か
ら磁気反転領域４n+2 に向かう不要磁束６は適正磁束５
に干渉すること無く補助ヨーク１３４を通って磁化反転
領域４n+2 に流れ込み、下部ヨーク前部１１１ａを通っ
てＭＲ素子１２１に流入することはなくなる。尚、上部
ヨーク前部１１２ａにも不要磁束が発生するが、この不
要磁束はＭＲ素子１２１へ至る距離が長く、途中で減衰
してしまうため、再生波形に影響しない。
補助ヨーク１３４を設けたことにより、図３に示す構造
となる。磁化反転領域４n+1 は下部ヨーク１１１ａと対
向しており、かつ、下部ヨーク１１１ａは補助ヨーク１
３４と磁気的に接合されるため、磁気反転領域４n+1 か
ら磁気反転領域４n+2 に向かう不要磁束６は適正磁束５
に干渉すること無く補助ヨーク１３４を通って磁化反転
領域４n+2 に流れ込み、下部ヨーク前部１１１ａを通っ
てＭＲ素子１２１に流入することはなくなる。尚、上部
ヨーク前部１１２ａにも不要磁束が発生するが、この不
要磁束はＭＲ素子１２１へ至る距離が長く、途中で減衰
してしまうため、再生波形に影響しない。
【００３７】これにより、ＭＲヘッド内に形成される磁
気回路内において、磁束５と不要磁束６が干渉すること
はなくなり、再生出力に再生波形歪が発生することを防
止することができる。図４は、本実施例に係るヨーク型
ＭＲヘッドを用いて同一記録波長のビットが記録された
磁気テープ（即ち、一定周期で磁化反転する磁気記録が
された磁気テープ）の再生処理を行った場合の再生波形
を示している。同図に示されるように、再生波形は矩形
波となっており、再生波形に再生波形歪は発生していな
い。よって、本実施例のように補助ヨーク１３４を設け
ることにより、再生波形歪の発生が抑制されることが実
証された。
気回路内において、磁束５と不要磁束６が干渉すること
はなくなり、再生出力に再生波形歪が発生することを防
止することができる。図４は、本実施例に係るヨーク型
ＭＲヘッドを用いて同一記録波長のビットが記録された
磁気テープ（即ち、一定周期で磁化反転する磁気記録が
された磁気テープ）の再生処理を行った場合の再生波形
を示している。同図に示されるように、再生波形は矩形
波となっており、再生波形に再生波形歪は発生していな
い。よって、本実施例のように補助ヨーク１３４を設け
ることにより、再生波形歪の発生が抑制されることが実
証された。
【００３８】図５は、上記した実施例の変形例であるＭ
Ｒヘッドを示している。尚、図５において、図１乃至図
３に示した構成と同一構成については同一符合を付して
その説明を省略する。先に説明した図１乃至図３に示し
たＭＲヘッドは、補助ヨーク１３４がＭＲ素子１２１に
対し磁気テープとの接触面側にのみ設けられた構成とさ
れていた。これに対して本変形例に係るＭＲヘッドは、
補助ヨーク１３５が一体的に形成された第１及び第２の
補助ヨーク部１３５Ａ，１３５Ｂにより構成されている
ことを特徴とするものである。
Ｒヘッドを示している。尚、図５において、図１乃至図
３に示した構成と同一構成については同一符合を付して
その説明を省略する。先に説明した図１乃至図３に示し
たＭＲヘッドは、補助ヨーク１３４がＭＲ素子１２１に
対し磁気テープとの接触面側にのみ設けられた構成とさ
れていた。これに対して本変形例に係るＭＲヘッドは、
補助ヨーク１３５が一体的に形成された第１及び第２の
補助ヨーク部１３５Ａ，１３５Ｂにより構成されている
ことを特徴とするものである。
【００３９】第１の補助ヨーク部１３５Ａは、前記した
図１乃至図３に示したＭＲヘッドの補助ヨーク１３４と
略等しい構成を有している。また、第２の補助ヨーク部
１３５Ｂは、非磁性絶縁部材１３３の下部に位置するよ
う構成されている。この補助ヨーク１３５は、図１乃至
図３に示したＭＲヘッドの補助ヨーク１３４と同様に強
磁性材料（Ｃｏ−Ｚｒ系材料）により形成されている。
図１乃至図３に示したＭＲヘッドの補助ヨーク１３４と
略等しい構成を有している。また、第２の補助ヨーク部
１３５Ｂは、非磁性絶縁部材１３３の下部に位置するよ
う構成されている。この補助ヨーク１３５は、図１乃至
図３に示したＭＲヘッドの補助ヨーク１３４と同様に強
磁性材料（Ｃｏ−Ｚｒ系材料）により形成されている。
【００４０】また、第１の補助ヨーク部１３５Ａは下部
ヨーク前部１１１ａと基板２との間に配設されており、
かつ補助ヨーク１３４の上面は下部ヨーク前部１１１ａ
の下面と磁気的に接続するよう構成されている。更に、
本実施例においても、第１の補助ヨーク部１３５Ａの先
端からＭＲ素子１２１の前部端面までの距離をＤmrとし
た場合、第１の補助ヨーク部１３５Ａの深さＤをＤ＜Ｄ
mrを満足する値に設定している。
ヨーク前部１１１ａと基板２との間に配設されており、
かつ補助ヨーク１３４の上面は下部ヨーク前部１１１ａ
の下面と磁気的に接続するよう構成されている。更に、
本実施例においても、第１の補助ヨーク部１３５Ａの先
端からＭＲ素子１２１の前部端面までの距離をＤmrとし
た場合、第１の補助ヨーク部１３５Ａの深さＤをＤ＜Ｄ
mrを満足する値に設定している。
【００４１】この構成とすることにより、補助ヨーク１
３５が下部ヨーク後部１１１ｂ及びＭＲ素子１２１と対
向し磁気的に接続することを防止でき、前記した実施例
と同様の作用を実現することができる。即ち、本変形例
の構成によっても、再生信号を確実に得ることができ、
再生出力に再生波形歪が発生することを防止することが
できる。
３５が下部ヨーク後部１１１ｂ及びＭＲ素子１２１と対
向し磁気的に接続することを防止でき、前記した実施例
と同様の作用を実現することができる。即ち、本変形例
の構成によっても、再生信号を確実に得ることができ、
再生出力に再生波形歪が発生することを防止することが
できる。
【００４２】尚、上記した実施例では、下部ヨーク前部
１１１ａと補助ヨーク１３４，１３５を別体とし、これ
を磁気的に接合するよう構成した例を示した。しかる
に、補助ヨークは必ずしも下部ヨーク前部と別体とする
必要はなく、補助ヨークと下部ヨーク前部とを一体的に
形成した構成としてもよい。この構成とした場合には、
補助ヨークと下部ヨーク前部とを別体とする構成に比べ
て製造工程の簡単化及び部品点数の削減による低コスト
化を図ることができ、また補助ヨークと下部ヨーク前部
との接合位置に疑似ギャップが形成されることを防止で
き、再生特性の向上を図ることができる。
１１１ａと補助ヨーク１３４，１３５を別体とし、これ
を磁気的に接合するよう構成した例を示した。しかる
に、補助ヨークは必ずしも下部ヨーク前部と別体とする
必要はなく、補助ヨークと下部ヨーク前部とを一体的に
形成した構成としてもよい。この構成とした場合には、
補助ヨークと下部ヨーク前部とを別体とする構成に比べ
て製造工程の簡単化及び部品点数の削減による低コスト
化を図ることができ、また補助ヨークと下部ヨーク前部
との接合位置に疑似ギャップが形成されることを防止で
き、再生特性の向上を図ることができる。
【００４３】また、上記した実施例では各ヨーク１１
１，１１２及び補助ヨーク１３４，１３５をＣｏ−Ｚｒ
系材料で形成したが、Ｃｏ系アモルファス、及びＣｏ系
微結晶材料またはＦｅ系微結晶材料で形成することもで
きる。更に、上記した実施例では、デジタル情報の例を
示したが、アナログ情報においても上記と同様の効果を
得ることができる。
１，１１２及び補助ヨーク１３４，１３５をＣｏ−Ｚｒ
系材料で形成したが、Ｃｏ系アモルファス、及びＣｏ系
微結晶材料またはＦｅ系微結晶材料で形成することもで
きる。更に、上記した実施例では、デジタル情報の例を
示したが、アナログ情報においても上記と同様の効果を
得ることができる。
【００４４】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、再生ヘッドギャップと対向する位置にある
ビットと異なる位置にあるビットからの不要磁束は補助
ヨークに流入し、下部ヨークに流入することを防止する
ことができるため、再生ヘッドギャップと対向する位置
にあるビットからの適正磁束のみが下部ヨーク内を流れ
ることとなり、適正磁束と不要磁束が干渉することはな
くなり、よって良好な再生信号を得ることができる。
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、再生ヘッドギャップと対向する位置にある
ビットと異なる位置にあるビットからの不要磁束は補助
ヨークに流入し、下部ヨークに流入することを防止する
ことができるため、再生ヘッドギャップと対向する位置
にあるビットからの適正磁束のみが下部ヨーク内を流れ
ることとなり、適正磁束と不要磁束が干渉することはな
くなり、よって良好な再生信号を得ることができる。
【００４５】また、請求項２記載の発明によれば、補助
ヨークが下部ヨーク及び磁気抵抗効果素子と対向するこ
とにより構成される磁気回路（上部ヨークと磁気抵抗効
果素子及び補助ヨークとの間）を防止できるため、磁気
記録媒体からの磁束は必ず磁気抵抗効果素子を通過し、
下部ヨーク前部に進行することとなり、よって正常な再
生信号を確実に得ることができる。
ヨークが下部ヨーク及び磁気抵抗効果素子と対向するこ
とにより構成される磁気回路（上部ヨークと磁気抵抗効
果素子及び補助ヨークとの間）を防止できるため、磁気
記録媒体からの磁束は必ず磁気抵抗効果素子を通過し、
下部ヨーク前部に進行することとなり、よって正常な再
生信号を確実に得ることができる。
【００４６】また、請求項３記載の発明によれば、補助
ヨークと下部ヨーク前部とをそれぞれを別体とする構成
に比べて製造工程の簡単化及び部品点数の削減による低
コスト化を図ることができる。また、補助ヨークと下部
ヨーク前部とを別体とし、これを接合した際に接合位置
に疑似ギャップが形成されることを防止でき、再生特性
の向上を図ることができる。
ヨークと下部ヨーク前部とをそれぞれを別体とする構成
に比べて製造工程の簡単化及び部品点数の削減による低
コスト化を図ることができる。また、補助ヨークと下部
ヨーク前部とを別体とし、これを接合した際に接合位置
に疑似ギャップが形成されることを防止でき、再生特性
の向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの断面図である。
気ヘッドの断面図である。
【図２】本発明の一実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの平面図である。
気ヘッドの平面図である。
【図３】本発明の一実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの機能を説明するための図である。
気ヘッドの機能を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの再生出力の一例を示す図である。
気ヘッドの再生出力の一例を示す図である。
【図５】本発明の一実施例の変形例である磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドの断面図である。
型薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図６】従来の一例であるで磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図７】従来の一例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの平面図である。
ドの平面図である。
【図８】従来の一例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの機能を説明するための図である。
ドの機能を説明するための図である。
【図９】従来の一例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの再生出力を示す図である。
ドの再生出力を示す図である。
１ 磁気テープ ２ 基板 ３ ビット ４ 磁化反転領域 ５ 適正磁束 ６ 不要磁束 １１１ 下部ヨーク １１１ａ 下部ヨーク前部 １１１ｂ 下部ヨーク後部 １１２ 上部ヨーク １１２ａ 上部ヨーク前部 １１２ｂ 上部ヨーク後部 １１２ｃ 上部ヨーク中部 １１５ 再生ヘッドギャップ １２１ ＭＲ素子 １２２ ギャップ １３１，１３２ 非磁性絶縁層 １３３ 非磁性絶縁部材 １３４，１３５ 補助ヨーク Ｄmr：再生ヘッドギャップ１１５の先端からＭＲ素子１
２１の前部端面までの距離 ｈ ：ＭＲ素子１２１の高さ Ｄ ：補助ヨーク１３４の深さ
２１の前部端面までの距離 ｈ ：ＭＲ素子１２１の高さ Ｄ ：補助ヨーク１３４の深さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 守央 神奈川県厚木市酒井1601 ミツミ電機株式 会社厚木事業所内 (72)発明者 長谷川 典夫 神奈川県厚木市酒井1601 ミツミ電機株式 会社厚木事業所内 (72)発明者 新庄 康彦 神奈川県厚木市酒井1601 ミツミ電機株式 会社厚木事業所内 (72)発明者 町田 賢司 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 林 直人 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 武藤 一利 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 上原 年博 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 沼澤 潤二 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 Ｆターム(参考） 5D034 AA03 BA02 BA18 BA19 BB08 CA04
Claims (4)
- 【請求項１】 基板と、 該基板上に配設されており、ギャップを介して下部ヨー
ク前部と下部ヨーク後部とに分断された下部ヨークと、 該下部ヨーク上に形成されており、磁気記録媒体との対
向側の位置において、前記下部ヨーク前部との間に再生
ヘッドギャップを形成する上部ヨークと、 前記ギャップ下部に配設されており、磁気記録信号を検
出する磁気抵抗効果素子とを具備しており、 前記再生ヘッドギャップ、前記下部ヨーク前部、前記磁
気抵抗効果素子、前記下部ヨーク後部、及び上部ヨーク
の間に環状の磁気回路を形成する磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドにおいて、 前記下部ヨーク前部と前記基板との間に、前記下部ヨー
ク前部と磁気的に接続するよう補助ヨークを配置したこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドにおいて、 前記補助ヨークの深さＤは、前記再生ヘッドギャップの
先端から前記磁気抵抗効果素子の前部端面までの距離を
Ｄmrとした場合、Ｄ＜Ｄmrであることを特徴とする磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記補助ヨークは、前記下部ヨーク前部と一体的に形成
されていることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記補助ヨークの摺動方向の長さを、少なくとも記録波
長の２倍以上の長さとしたことを特徴とする磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33298999A JP3898863B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| US09/717,668 US6538855B1 (en) | 1999-11-24 | 2000-11-21 | Magneto-resistive thin film magnetic head preventing entry of unnecessary magnetic flux and having good reproduction characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33298999A JP3898863B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001155311A true JP2001155311A (ja) | 2001-06-08 |
| JP3898863B2 JP3898863B2 (ja) | 2007-03-28 |
Family
ID=18261067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33298999A Expired - Fee Related JP3898863B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3898863B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002298312A (ja) | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP4390515B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2009-12-24 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 出力ｍｏｓトランジスタの過電圧保護回路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9100155A (nl) * | 1991-01-30 | 1992-08-17 | Philips Nv | Magneetkop, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke magneetkop. |
| US5258883A (en) * | 1991-07-05 | 1993-11-02 | U.S. Philips Corporation | Thin-film magnetic head |
| US6078479A (en) * | 1993-08-10 | 2000-06-20 | Read-Rite Corporation | Magnetic tape head with flux sensing element |
-
1999
- 1999-11-24 JP JP33298999A patent/JP3898863B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-21 US US09/717,668 patent/US6538855B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3898863B2 (ja) | 2007-03-28 |
| US6538855B1 (en) | 2003-03-25 |
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