JP3898863B2 - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに係り、特に磁気記録媒体に記録されたディジタル情報を磁気記録媒体からの磁界強度を信号として読み取るために磁気抵抗効果素子(以下、MR素子という)を用いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、MR素子を用いると共にヨークを用いて磁気記録媒体からの磁束をMR素子に導く構成とされた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド(以下、MRヘッドという)が知られている。
図6乃至図8は、従来のヨーク型MRヘッドの一例を示している。同図に示すように、ヨーク型MRヘッドは非磁性基板2上に下部ヨーク11、上部ヨーク12、MR素子21、及び非磁性絶縁層31,32等を配設した構成とされている。下部ヨーク11は、下部ヨーク前部11a,下部ヨーク後部11b,及び下部ヨーク中部11cにより構成されている。また、上部ヨーク12は、上部ヨーク前部12aと上部ヨーク後部12bとにより構成されている。
【0003】
この下部ヨーク11及び上部ヨーク12は強磁性材料により形成されており、また上部ヨーク前部12aと上部ヨーク後部12bとの間にはギャップ22が形成されている。このギャップ22により、上部ヨーク12は上部ヨーク前部12aと上部ヨーク後部12bとに分離されている。
MR素子21は、上部ヨーク12に形成されたギャップ22の形成位置の下部に配設されている。また、MR素子21は上部ヨーク前部12aと上部ヨーク後部12bに磁気的に接続可能な構成で配設されている。また、下部ヨーク11と上部ヨーク後部12bは接合されることにより磁気的に接続されており、また下部ヨーク11と上部ヨーク前部12aとの間には再生ヘッドギャップ15(微細な間隙)が形成されている。
【0004】
これにより、ヨーク型MRヘッドは、上部ヨーク前部12a、MR素子21、上部ヨーク後部12b、下部ヨーク11によって磁気回路を形成し、再生ヘッドギャップ15で検出した磁気記録媒体1(例えば、磁気テープ)からの信号磁束をMR素子21により電気信号に変換して再生出力を得る構造となっている。尚、非磁性絶縁層31,32は下部ヨーク11と上部ヨーク12との間に形成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図9は、上記構成とされたヨーク型MRヘッドを用いて同一記録波長のビットが記録された磁気テープ1(即ち、一定周期で磁化反転する磁気記録がされた磁気テープ)の再生処理を行った場合の再生波形を示している。
前記のように磁気テープ1には一定周期で磁化反転する信号が記録されているため、良好な再生処理が行われた場合には、図中一点鎖線で示す矩形信号が出力されるはずである。しかるに、同図に示すように、従来のMRヘッドでは、再生信号に再生波形歪が発生してしまうという問題点があった。
【0006】
図8は、この再生波形歪が発生する理由を説明するための図である。同図に示すように、磁気テープ1には同一記録波長の複数のビット3n-1 〜3n+2 …が形成されており、また隣接するビット3n-1 〜3n+2 …の境界部には磁化反転領域4n-1 〜4n+3 …が形成されている。また、近年の磁気記録の高密度化に伴い記録波長は短くなる傾向にあり、これに伴い各ビット3n-1 〜3n+2 …の磁気テープ1の走行方向(図中、矢印A1,A2で示す)に対する長さも短くなる傾向にある。
【0007】
図8に示す例では、MRヘッドに形成された再生ヘッドギャップ15はビット3n と対向している。そして、磁化反転領域4n からの磁束5は、図中矢印で示すように、上部ヨーク前部12a、MR素子21、上部ヨーク後部12b、下部ヨーク11を通り磁化反転領域4n+1 に至る磁路を形成する。
そして、この磁束5がMR素子21を通過する際、MR素子21は印加される磁界に応じて電気抵抗を変化させるため、予めMR素子21にセンス電流を流しておけば、抵抗変化分を電圧降下値として得ることができ、これにより再生信号を得ることができる。
【0008】
図8に示す例では、記録波長が上部ヨーク前部12aの膜厚と同等以上の場合、磁化反転領域4n-1 に近接した磁化反転領域4n から磁化反転領域4n-1 に向かう磁束6(以下、この磁束を不要磁束6という)が、上部ヨーク前部12aを通りMR素子21に侵入してしまう。
即ち、磁化反転領域4n は、上部ヨーク前部12aの上方(図8では左側)が非磁性(Al2 3 でコーティングされている)であるため、磁化反転領域4n からの不要磁束6は磁気抵抗の低い上部ヨーク前部12aに進行してしまう。この不要磁束6は、方向は同じものの適正な磁化反転領域からの磁束5(4n 〜4n+1)に干渉することから、図9に示した再生波形歪みが発生する。尚、下部ヨーク前部11aにも不要磁束が発生するが、この不要磁束はMR素子21へ至る距離が長く、途中で減衰してしまうため、再生波形に影響しない。
【0009】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、不要磁束がヨーク内に侵入するのを防止することにより再生波形歪の発生を防止し、良好な再生特性を得ることを可能とした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
請求項1記載の発明は、
基板と、
該基板上に配設されており、ギャップを介して下部ヨーク前部と下部ヨーク後部とに分断された下部ヨークと、
該下部ヨーク上に形成されており、磁気記録媒体との対向側の位置において、前記下部ヨーク前部との間に再生ヘッドギャップを形成する上部ヨークと、
前記ギャップ下部に配設されており、磁気記録信号を検出する磁気抵抗効果素子とを具備しており、
前記再生ヘッドギャップ、前記下部ヨーク前部、前記磁気抵抗効果素子、前記下部ヨーク後部、及び上部ヨークの間に環状の磁気回路を形成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部ヨーク前部と前記基板との間に、前記下部ヨーク前部と磁気的に接続するよう補助ヨークを配置し、
かつ、前記補助ヨークの深さDは、前記再生ヘッドギャップの先端から前記磁気抵抗効果素子の前部端面までの距離をD mr とした場合、D<D mr であることを特徴とするものである。
【0012】
また、請求項2記載の発明は、
請求項1記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記補助ヨークは、前記下部ヨーク前部と一体的に形成されていることを特徴とするものである。
【0013】
上記の各手段は、次のように作用する。
請求項1記載の発明によれば、
下部ヨーク前部と基板との間に、下部ヨーク前部と磁気的に接続するよう補助ヨークを配置したことにより、高密度化されることにより磁気記録媒体に記録されたビットが短くなっても、下部ヨーク前部と基板との間において磁気記録媒体と対向する位置には補助ヨークが存在するため、再生ヘッドギャップと対向する位置にあるビットと異なる位置にあるビットからの磁束(以下、不要磁束という)は補助ヨークに流入し、下部ヨークを通ってMR素子に流入することを防止することができる。同様に、ビット長が長い場合でも、補助ヨークを配設することで不要磁束の流入を防止することができる。ビット長が長い場合の方が、より顕著に補助ヨークの効果が現れる。
【0014】
これにより、再生ヘッドギャップと対向する位置にあるビットからの磁束(以下、適正磁束という)のみが下部ヨーク内を流れることとなり、適正磁束と不要磁束が干渉することはなくなり、よって良好な再生信号を得ることができる。
また、再生ヘッドギャップの先端から磁気抵抗効果素子の前部端面までの距離をDmrとした場合、補助ヨークの深さDを、D<Dmrを満足する値としたことにより、補助ヨークが下部ヨーク後部及び磁気抵抗効果素子と対向することを防止できる。補助ヨークが下部ヨーク後部と対向した場合、上部ヨーク,下部ヨーク後部,補助ヨークとの間で磁気回路が形成されてしまう。また、補助ヨークが磁気抵抗効果素子と対向した場合、上部ヨーク後方から下部ヨーク後部、更に磁気抵抗効果素子に侵入した磁束が下部ヨーク前部に進行せず、補助ヨークに侵入してしまうため、正規の磁気回路を形成しない。このため、正常な再生信号を得ることができなくなってしまう。
【0015】
しかるに、補助ヨークの深さDがD<Dmrを満足するよう構成することにより、磁気記録媒体からの磁束は必ず磁気抵抗効果素子を通過し、下部ヨーク前部に進行することとなり、よって正常な再生信号を確実に得ることができる。
また、請求項2記載の発明によれば、
補助ヨークを下部ヨーク前部と一体的に形成したことにより、それぞれを別体とする構成に比べて製造工程の簡単化及び部品点数の削減による低コスト化を図ることができる。また、補助ヨークと下部ヨーク前部とを別体とし、これを接合した際に接合位置に疑似ギャップが形成されることを防止でき、再生特性の向上を図ることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
図1及び図2は、本発明の一実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを示している。図1は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図であり、また図2は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの平面図である。尚、以下の説明において、図1に矢印A1で示す方向を下方であると定義し、また同図中矢印A2で示す方向を上方であると定義する。
【0018】
各図に示すように、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド(以下、MRヘッドという)は、磁性あるいは非磁性の基板2(本実施例では、フェライト基板を使用している)上に下部ヨーク111、上部ヨーク112、磁気抵抗効果素子(MR素子)121、非磁性絶縁層131,132、非磁性絶縁部材133、及び補助ヨーク134等を配設した構成としている。但し、補助ヨークの摺動方向の長さは記録波長の2倍以上とする。また、基板に磁性基板を使用する場合には、下部ヨーク前部111aの膜厚と補助ヨーク134の長さと磁性基板の長さの和が記録波長の2倍以上となれば良い。記録波長の4倍以上であれば更に良好である。
【0019】
下部ヨーク111は、下部ヨーク前部111aと下部ヨーク後部111bとにより構成されている。また、上部ヨーク112は、上部ヨーク前部112a,上部ヨーク後部112b,及び上部ヨーク中部112cにより構成されている。
この下部ヨーク111及び上部ヨーク112は強磁性材料(本実施例ではCo−Zr系材料を用いてる)により形成されており、また下部ヨーク前部111aと下部ヨーク後部111bとの間にはギャップ122が形成されている。このギャップ122により、下部ヨーク111は下部ヨーク前部111aと下部ヨーク後部111bとに分離されている。
【0020】
MR素子121は、このギャップ122の形成位置の下部で、かつ非磁性絶縁部材133の上面に配設されている。即ち、MR素子121は、非磁性絶縁部材133の上面と下部ヨーク111の下面との間に挟まれた構成となっており、更にMR素子121の上部にギャップ122が形成されるよう構成されている。
非磁性絶縁部材133は、例えば非磁性のセラミックよりなり、その表面(MR素子121が配設される面)は研磨処理することにより面精度の高い面とされている。よって、この面精度の高い非磁性絶縁部材133の上面にMR素子121を配設することにより、換言すれば下部ヨーク111の下部にMR素子121を配設することにより、MR素子121の特性を向上させることができる。
【0021】
即ち、仮にMR素子121が配設される面が粗面であったとすると、MR素子121を均一に形成することができなくなる。具体的には、図6及び図7に示した従来構成のMRヘッドでは、非磁性絶縁層31(一般にAl2 3 である)上にMR素子21を形成する構成であっため、非磁性絶縁層31の上面の面精度を高めることが困難であり、よってMR素子21を均一に形成することができなかった。このように、形成されたMR素子21が不均一な構成であった場合、磁界印加時における磁気抵抗変化が不均一となり、精度の高い再生処理を行うことができなくなってしまう。
【0022】
しかるに、本実施例のようにMR素子121を下部ヨーク111a,111bの下に配設する構成にすることで、面精度の高い非磁性絶縁部材133上にMR素子121を形成することが可能となり、磁界印加時における磁気抵抗変化も均一化される。よって、再生処理時において、MR素子121は良好な再生信号を生成することができる。
【0023】
従来構造において、Al2 3 である非絶縁層31と機能性薄膜で構成されている下部ヨーク11a,11bの複合研磨をおこない面精度を高める場合、下部ヨーク11a,11bも研磨されるため機能性薄膜としての特性劣化につながる可能性があり、また、基板全体を均一に研磨することが困難であるため数μmで構成される下部ヨーク等の膜厚管理が難しいという難点があった。
【0024】
一方、本実施例では、面精度の高い非磁性絶縁部材133上に直接MR素子121を形成することができ、且つ、下部ヨーク111a,111bも機械加工を施すこと無く形成することができる利点がある。また、研磨工程が不必要な分、製造工程の簡略化を図ることができる。
一方、上記のMR素子121は、下部ヨーク前部111aと下部ヨーク後部111bに磁気的に接続可能な構成で配設されている。また、上部ヨーク112の上部ヨーク後部112bと下部ヨーク後部111bは接合されることにより磁気的に接続されており、また下部ヨーク111aと上部ヨーク前部112aとの間には再生ヘッドギャップ115が形成されている。
【0025】
これにより、ヨーク型MRヘッドは、下部ヨーク前部111a、MR素子121、下部ヨーク後部111b、上部ヨーク112(上部ヨーク前部112a,上部ヨーク後部112b,上部ヨーク中部112c)によって磁気回路を形成し、再生ヘッドギャップ115で検出した磁気記録媒体1(本実施例では磁気テープ)からの信号磁束をMR素子121により電気信号に変換して再生出力を得ることができる。また、下部ヨーク111と上部ヨーク112との間には非磁性絶縁層131が形成されると共に、下部ヨーク111と非磁性絶縁部材133との間にはMR素子121を覆うよう非磁性絶縁層132が形成されている。
【0026】
続いて、本発明の要部となる補助ヨーク134について説明する。
補助ヨーク134は、下部ヨーク111及び上部ヨーク112と同様に強磁性材料(Co−Zr系材料)により形成されている。この補助ヨーク134は下部ヨーク前部111aと基板2との間に配設されており、かつ補助ヨーク134の上面は下部ヨーク前部111aの下面と磁気的に接続するよう構成されている。
【0027】
即ち、図1に符合110で示す領域において、補助ヨーク134と下部ヨーク前部111aは磁気的に接続された構成となっている。補助ヨーク134と下部ヨーク前部111aを磁気的に接続する方法は各種考えられ、例えば補助ヨーク134上に下部ヨーク前部111aをスパッタリングにより成長形成させる方法を用いることができる。
【0028】
また、補助ヨーク134の側面134aは、下部ヨーク前部111aと上部ヨーク前部112aとが協働して形成する摺接面136と面一となるよう構成されている。従って、補助ヨーク134の側面134aは、磁気テープ1の再生処理時において、走行する磁気テープ1と対向することとなる。これにより、磁気テープ1からの信号磁束(漏れ磁束)は、補助ヨーク134にも流入する。
【0029】
また、補助ヨーク134の形状に注目すると、再生ヘッドギャップ115の先端からMR素子121の前部端面までの距離をDmrとした場合、本実施例では補助ヨーク134の深さDをD<Dmrを満足する値に設定している。この構成とすることにより、補助ヨーク134が下部ヨーク後部111b及びMR素子121と対向し磁気的に接続することを防止できる。
【0030】
仮に、補助ヨーク134が下部ヨーク後部111bと対向した構成を想定すると、上部ヨーク後部112bは下部ヨーク後部111bを介して補助ヨーク134と磁気的に接続されてしまい、上部ヨーク112,下部ヨーク後部111b,及び補助ヨーク134とからなる磁気回路が形成されてしまう。この場合、磁気テープ1からの磁束はMR素子121をバイパスした状態で補助ヨーク134を通過し、MR素子121を通過しない構成となる。
【0031】
また、補助ヨーク134がMR素子121と対向した場合、磁束は上部ヨーク後部112bから下部ヨーク後部111b、更にMR素子121に侵入するが、本来進むべく下部ヨーク前部111aに進行せず、補助ヨーク134に侵入してしまうため、正規の磁気回路を形成しない構成となる。従って、補助ヨーク134が下部ヨーク後部111b及びMR素子121と対向する構成では、正常な再生信号を得ることができなくなってしまう。
【0032】
しかるに、補助ヨーク134の深さDがD<Dmrを満足するよう構成することにより、補助ヨーク134が下部ヨーク後部111b及びMR素子121と対向状態となることはなく、磁気テープ1からの磁束は必ずMR素子121を通過することとなり、よって正常な再生信号を確実に得ることができる。
上記のように、下部ヨーク前部111aと基板2との間に、下部ヨーク前部111aと磁気的に接続するよう補助ヨーク134を配置したことにより、再生出力に再生波形歪が発生することを防止することができる。
【0033】
以下、この理由について図3を用いて説明する。尚、先に説明した図8との比較対照を容易とするため、図8に示した構成と同一構成については、図3においても同一符合を付して説明するものとする。
図3に示すように、磁気テープ1には同一記録波長の複数のビット3n-1 〜3n+2 …が形成されており、また隣接するビット3n-1 〜3n+2 …の境界部には磁化反転領域4n-1 〜4n+3 …が形成されている。また、近年の磁気記録の高密度化に伴い記録波長は短くなる傾向にあり、これに伴い各ビット3n-1 〜3n+2 …の磁気テープ1の走行方向(図中、矢印A1,A2で示す)に対する長さも短くなる傾向にある。以上の点は、図8を用いて説明したと同様である。
【0034】
また、図3に示す本実施例においても、MRヘッドに形成された再生磁気ヘッドギャップ115がビット3n と対向した時の例を示しており、よって磁化反転領域4n+1 からの磁束5(適正磁束)は、図中矢印で示すように、下部ヨーク前部111a,MR素子121,下部ヨーク後部111b,上部ヨーク112を通り磁化反転領域4n に至る磁路を形成する。そして、この適正磁束5がMR素子121を通過することにより再生信号を得る構成となっている。
【0035】
ここで、従来構成のMRヘッド(図8参照)で不要磁束6が発生していた磁化反転領域4n に注目する。
図8に示した従来構成のMRヘッドでは、不要磁束6が流出する磁化反転領域4n が非磁性である(磁気抵抗の高い)Al2 3 材と対向していたため、不要磁束6は磁化反転領域4n-1 には流れず、磁気抵抗の低い上部ヨーク前部12aに向け進行してMR素子21に流れてしまい、これにより再生出力に再生波形歪が発生していた。
【0036】
これに対し本実施例に係るMRヘッドは、補助ヨーク134を設けたことにより、図3に示す構造となる。磁化反転領域4n+1 は下部ヨーク111aと対向しており、かつ、下部ヨーク111aは補助ヨーク134と磁気的に接合されるため、磁気反転領域4n+1 から磁気反転領域4n+2 に向かう不要磁束6は適正磁束5に干渉すること無く補助ヨーク134を通って磁化反転領域4n+2 に流れ込み、下部ヨーク前部111aを通ってMR素子121に流入することはなくなる。尚、上部ヨーク前部112aにも不要磁束が発生するが、この不要磁束はMR素子121へ至る距離が長く、途中で減衰してしまうため、再生波形に影響しない。
【0037】
これにより、MRヘッド内に形成される磁気回路内において、磁束5と不要磁束6が干渉することはなくなり、再生出力に再生波形歪が発生することを防止することができる。
図4は、本実施例に係るヨーク型MRヘッドを用いて同一記録波長のビットが記録された磁気テープ(即ち、一定周期で磁化反転する磁気記録がされた磁気テープ)の再生処理を行った場合の再生波形を示している。同図に示されるように、再生波形は矩形波となっており、再生波形に再生波形歪は発生していない。よって、本実施例のように補助ヨーク134を設けることにより、再生波形歪の発生が抑制されることが実証された。
【0038】
図5は、上記した実施例の変形例であるMRヘッドを示している。尚、図5において、図1乃至図3に示した構成と同一構成については同一符合を付してその説明を省略する。
先に説明した図1乃至図3に示したMRヘッドは、補助ヨーク134がMR素子121に対し磁気テープとの接触面側にのみ設けられた構成とされていた。これに対して本変形例に係るMRヘッドは、補助ヨーク135が一体的に形成された第1及び第2の補助ヨーク部135A,135Bにより構成されていることを特徴とするものである。
【0039】
第1の補助ヨーク部135Aは、前記した図1乃至図3に示したMRヘッドの補助ヨーク134と略等しい構成を有している。また、第2の補助ヨーク部135Bは、非磁性絶縁部材133の下部に位置するよう構成されている。この補助ヨーク135は、図1乃至図3に示したMRヘッドの補助ヨーク134と同様に強磁性材料(Co−Zr系材料)により形成されている。
【0040】
また、第1の補助ヨーク部135Aは下部ヨーク前部111aと基板2との間に配設されており、かつ補助ヨーク134の上面は下部ヨーク前部111aの下面と磁気的に接続するよう構成されている。更に、本実施例においても、第1の補助ヨーク部135Aの先端からMR素子121の前部端面までの距離をDmrとした場合、第1の補助ヨーク部135Aの深さDをD<Dmrを満足する値に設定している。
【0041】
この構成とすることにより、補助ヨーク135が下部ヨーク後部111b及びMR素子121と対向し磁気的に接続することを防止でき、前記した実施例と同様の作用を実現することができる。即ち、本変形例の構成によっても、再生信号を確実に得ることができ、再生出力に再生波形歪が発生することを防止することができる。
【0042】
尚、上記した実施例では、下部ヨーク前部111aと補助ヨーク134,135を別体とし、これを磁気的に接合するよう構成した例を示した。しかるに、補助ヨークは必ずしも下部ヨーク前部と別体とする必要はなく、補助ヨークと下部ヨーク前部とを一体的に形成した構成としてもよい。
この構成とした場合には、補助ヨークと下部ヨーク前部とを別体とする構成に比べて製造工程の簡単化及び部品点数の削減による低コスト化を図ることができ、また補助ヨークと下部ヨーク前部との接合位置に疑似ギャップが形成されることを防止でき、再生特性の向上を図ることができる。
【0043】
また、上記した実施例では各ヨーク111,112及び補助ヨーク134,135をCo−Zr系材料で形成したが、Co系アモルファス、及びCo系微結晶材料またはFe系微結晶材料で形成することもできる。
更に、上記した実施例では、デジタル情報の例を示したが、アナログ情報においても上記と同様の効果を得ることができる。
【0044】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。請求項1記載の発明によれば、再生ヘッドギャップと対向する位置にあるビットと異なる位置にあるビットからの不要磁束は補助ヨークに流入し、下部ヨークに流入することを防止することができるため、再生ヘッドギャップと対向する位置にあるビットからの適正磁束のみが下部ヨーク内を流れることとなり、適正磁束と不要磁束が干渉することはなくなり、よって良好な再生信号を得ることができる。
【0045】
また、補助ヨークが下部ヨーク及び磁気抵抗効果素子と対向することにより構成される磁気回路(上部ヨークと磁気抵抗効果素子及び補助ヨークとの間)を防止できるため、磁気記録媒体からの磁束は必ず磁気抵抗効果素子を通過し、下部ヨーク前部に進行することとなり、よって正常な再生信号を確実に得ることができる。
【0046】
また、請求項2記載の発明によれば、補助ヨークと下部ヨーク前部とをそれぞれを別体とする構成に比べて製造工程の簡単化及び部品点数の削減による低コスト化を図ることができる。また、補助ヨークと下部ヨーク前部とを別体とし、これを接合した際に接合位置に疑似ギャップが形成されることを防止でき、再生特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図2】本発明の一実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図3】本発明の一実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの機能を説明するための図である。
【図4】本発明の一実施例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの再生出力の一例を示す図である。
【図5】本発明の一実施例の変形例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図6】従来の一例であるで磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図7】従来の一例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図8】従来の一例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの機能を説明するための図である。
【図9】従来の一例である磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの再生出力を示す図である。
【符号の説明】
1 磁気テープ
2 基板
3 ビット
4 磁化反転領域
5 適正磁束
6 不要磁束
111 下部ヨーク
111a 下部ヨーク前部
111b 下部ヨーク後部
112 上部ヨーク
112a 上部ヨーク前部
112b 上部ヨーク後部
112c 上部ヨーク中部
115 再生ヘッドギャップ
121 MR素子
122 ギャップ
131,132 非磁性絶縁層
133 非磁性絶縁部材
134,135 補助ヨーク
Dmr:再生ヘッドギャップ115の先端からMR素子121の前部端面までの距離
h :MR素子121の高さ
D :補助ヨーク134の深さ

Claims (2)

  1. 基板と、
    該基板上に配設されており、ギャップを介して下部ヨーク前部と下部ヨーク後部とに分断された下部ヨークと、
    該下部ヨーク上に形成されており、磁気記録媒体との対向側の位置において、前記下部ヨーク前部との間に再生ヘッドギャップを形成する上部ヨークと、
    前記ギャップ下部に配設されており、磁気記録信号を検出する磁気抵抗効果素子とを具備しており、
    前記再生ヘッドギャップ、前記下部ヨーク前部、前記磁気抵抗効果素子、前記下部ヨーク後部、及び上部ヨークの間に環状の磁気回路を形成する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、
    前記下部ヨーク前部と前記基板との間に、前記下部ヨーク前部と磁気的に接続するよう補助ヨークを配置し、
    かつ、前記補助ヨークの深さDは、前記再生ヘッドギャップの先端から前記磁気抵抗効果素子の前部端面までの距離をD mr とした場合、D<D mr であることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
  2. 請求項1記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、
    前記補助ヨークは、前記下部ヨーク前部と一体的に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
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