JPH11120517A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
- Publication number
- JPH11120517A JPH11120517A JP27594997A JP27594997A JPH11120517A JP H11120517 A JPH11120517 A JP H11120517A JP 27594997 A JP27594997 A JP 27594997A JP 27594997 A JP27594997 A JP 27594997A JP H11120517 A JPH11120517 A JP H11120517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- active region
- bias
- central active
- soft magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＲ素子ばかりでなく横バイアス用の軟磁性
膜に対しても単―ドメイン化を図ることにより、バルク
ハウゼンノイズが軽減された再生特性の改善されたＭＲ
ヘッドを提供する。 【解決手段】 中心能動領域２と、その両側の受動領域
３ａ、３ｂとからなり、ＭＲ素子膜６は中心能動領域２
及び受動領域３ａ、３ｂにわたって形成され、横バイア
ス膜８と中間層金属膜７は中心能動領域２のみに形成さ
れ、受動領域３ａ、３ｂのＭＲ素子膜６の上に順次、反
強磁性膜９ａ、９ｂ永久磁石膜１０ａ、１０ｂ、電極下
地膜１１ａ、１１ｂ、電極膜１２ａ、１２ｂが形成さ
れ、前記反強磁性膜９ａ、９ｂはＭＲ素子膜６と交換結
合し、ＭＲ素子膜６に縦バイアスを発生させ、前記永久
磁石膜１０ａ、１０ｂは軟磁性膜８からなる横バイアス
膜８に縦バイアスを発生させることを特徴としている。
膜に対しても単―ドメイン化を図ることにより、バルク
ハウゼンノイズが軽減された再生特性の改善されたＭＲ
ヘッドを提供する。 【解決手段】 中心能動領域２と、その両側の受動領域
３ａ、３ｂとからなり、ＭＲ素子膜６は中心能動領域２
及び受動領域３ａ、３ｂにわたって形成され、横バイア
ス膜８と中間層金属膜７は中心能動領域２のみに形成さ
れ、受動領域３ａ、３ｂのＭＲ素子膜６の上に順次、反
強磁性膜９ａ、９ｂ永久磁石膜１０ａ、１０ｂ、電極下
地膜１１ａ、１１ｂ、電極膜１２ａ、１２ｂが形成さ
れ、前記反強磁性膜９ａ、９ｂはＭＲ素子膜６と交換結
合し、ＭＲ素子膜６に縦バイアスを発生させ、前記永久
磁石膜１０ａ、１０ｂは軟磁性膜８からなる横バイアス
膜８に縦バイアスを発生させることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に書
き込まれた磁気的情報を、磁気抵抗効果を利用して読み
出しを行う磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称す）
を備えた磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称
す）に関する。
き込まれた磁気的情報を、磁気抵抗効果を利用して読み
出しを行う磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称す）
を備えた磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称
す）に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の高密度化に伴い、狭
トラック幅、高線密度での記録再生に対応できる磁気ヘ
ッドとして、再生感度の高いＭＲヘッドが実用化され始
めている。ＭＲヘッドにおいては、信号磁界に対して線
形応答出力に近付けるために、ＭＲ素子膜の高さ方向
（素子幅方向）の横バイアス磁界と、バルクハウゼンノ
イズを減らすために、ＭＲ素子膜のトラック幅方向の縦
バイアスが必要であることが知られている。
トラック幅、高線密度での記録再生に対応できる磁気ヘ
ッドとして、再生感度の高いＭＲヘッドが実用化され始
めている。ＭＲヘッドにおいては、信号磁界に対して線
形応答出力に近付けるために、ＭＲ素子膜の高さ方向
（素子幅方向）の横バイアス磁界と、バルクハウゼンノ
イズを減らすために、ＭＲ素子膜のトラック幅方向の縦
バイアスが必要であることが知られている。
【０００３】このようなＭＲヘッド素子部の代表的な従
来例が、特開平３ー１２５３ｌｌに開示されている。そ
れによれば、図４に示すように、横バイアス方法とし
て、ＭＲ素子膜３４に中間層膜３３を介して軟磁性膜３
２を設けた、ＳＡＬ（ＳｏｆｔＡｄｊａｃｅｎｔ Ｌａ
ｙｅｒ）バイアスが用いられ、縦バイアスとしては、Ｍ
Ｒ素子膜３４の端部領域上に設けられた反強磁性膜３５
ａ、３５ｂによる方法が用いられている。特に後者の縦
バイアスでは、反強磁性膜３５ａ、３５ｂにより、隣接
するＭＲ素子膜３４の両端部分においてトラック幅方向
の縦バイアスを発生させ、これにより、ＭＲ素子膜３４
全体の単一ドメイン化が可能となり、バルクハウゼンノ
イズが低減される。
来例が、特開平３ー１２５３ｌｌに開示されている。そ
れによれば、図４に示すように、横バイアス方法とし
て、ＭＲ素子膜３４に中間層膜３３を介して軟磁性膜３
２を設けた、ＳＡＬ（ＳｏｆｔＡｄｊａｃｅｎｔ Ｌａ
ｙｅｒ）バイアスが用いられ、縦バイアスとしては、Ｍ
Ｒ素子膜３４の端部領域上に設けられた反強磁性膜３５
ａ、３５ｂによる方法が用いられている。特に後者の縦
バイアスでは、反強磁性膜３５ａ、３５ｂにより、隣接
するＭＲ素子膜３４の両端部分においてトラック幅方向
の縦バイアスを発生させ、これにより、ＭＲ素子膜３４
全体の単一ドメイン化が可能となり、バルクハウゼンノ
イズが低減される。
【０００４】しかし、この例では、ＭＲ素子膜３４の端
部領域上に設けられた反強磁性膜３５ａ、３５ｂにより
ＭＲ素子膜の単一ドメイン化は図られているが、横バイ
アス用の軟磁性膜３２の単一ドメイン化が成されていな
いため、動作時におけるドメイン変化によりバイアス磁
界に乱れを生じ、再生出力にバルクハウゼンノイズが入
り、再生特性が低下するという問題を生じることがあ
る。
部領域上に設けられた反強磁性膜３５ａ、３５ｂにより
ＭＲ素子膜の単一ドメイン化は図られているが、横バイ
アス用の軟磁性膜３２の単一ドメイン化が成されていな
いため、動作時におけるドメイン変化によりバイアス磁
界に乱れを生じ、再生出力にバルクハウゼンノイズが入
り、再生特性が低下するという問題を生じることがあ
る。
【０００５】この問題を解決するものとして、例えば、
特開平９−８ｌ９ｌ０が提案されている。それによれ
ば、図５に示すように、軟性膜４２、中間層金属膜４
３、ＭＲ素子膜４４からなる中心能動領域３８の両端部
で、永久磁石膜４５ａ、４５ｂの先端部が軟磁性膜４２
とＭＲ素子膜４４によって挟まれた構成が示されてい
る。これは、永久磁石膜４５ａ、４５ｂからの縦バイア
ス磁界が、ＭＲ素子膜４４ばかりでなく軟磁性膜４２に
も効率良く印加され、その結果として双方の膜の単一ド
メイン化を図るものである。しかし、この構成を実現す
るためには以下に示すような複雑なプロセスを必要とす
る。まず、軟磁性膜４２から中間層金属膜４３迄の成膜
時点で、中心能動領域３８相当部にフォトマスクを形成
後、イオンミリング法によりエッチングを行い、さらに
永久磁石膜４５ａ、４５ｂを成膜した後、前記フォトマ
スクを取り除くこと（リフトオフ）により、ＭＲ素子膜
４４を除く中心能動領域３８部と永久磁石膜４５ａ、４
５ｂ部が形成される。次に、中心能動領域３８相当部の
ＭＲ素子膜４４形成のため同様のリフトオフ工程を再度
必要とし、さらに、受動領域３９ａ、３９ｂの電極膜４
６ａ、４６ｂ形成のためにも上記と同様のリフトオフ工
程を必要とする。このように、ＭＲ素子部３７形成だけ
で、最低三回リフトオフ工程を必要とするため、プロセ
スが非常に複雑になるという問題がある。
特開平９−８ｌ９ｌ０が提案されている。それによれ
ば、図５に示すように、軟性膜４２、中間層金属膜４
３、ＭＲ素子膜４４からなる中心能動領域３８の両端部
で、永久磁石膜４５ａ、４５ｂの先端部が軟磁性膜４２
とＭＲ素子膜４４によって挟まれた構成が示されてい
る。これは、永久磁石膜４５ａ、４５ｂからの縦バイア
ス磁界が、ＭＲ素子膜４４ばかりでなく軟磁性膜４２に
も効率良く印加され、その結果として双方の膜の単一ド
メイン化を図るものである。しかし、この構成を実現す
るためには以下に示すような複雑なプロセスを必要とす
る。まず、軟磁性膜４２から中間層金属膜４３迄の成膜
時点で、中心能動領域３８相当部にフォトマスクを形成
後、イオンミリング法によりエッチングを行い、さらに
永久磁石膜４５ａ、４５ｂを成膜した後、前記フォトマ
スクを取り除くこと（リフトオフ）により、ＭＲ素子膜
４４を除く中心能動領域３８部と永久磁石膜４５ａ、４
５ｂ部が形成される。次に、中心能動領域３８相当部の
ＭＲ素子膜４４形成のため同様のリフトオフ工程を再度
必要とし、さらに、受動領域３９ａ、３９ｂの電極膜４
６ａ、４６ｂ形成のためにも上記と同様のリフトオフ工
程を必要とする。このように、ＭＲ素子部３７形成だけ
で、最低三回リフトオフ工程を必要とするため、プロセ
スが非常に複雑になるという問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、比較
的簡単なプロセスにより、ＭＲ素子ばかりでなく横バイ
アス用の軟磁性膜に対しても単一ドメイン化を図ること
により、バルクハウゼンノイズの発生を低減した再生特
性の改善されたＭＲヘッドを提供することにある。
的簡単なプロセスにより、ＭＲ素子ばかりでなく横バイ
アス用の軟磁性膜に対しても単一ドメイン化を図ること
により、バルクハウゼンノイズの発生を低減した再生特
性の改善されたＭＲヘッドを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果素
子は、所定の長さと幅を有する中心能動領域と、その両
側に隣接して形成された受動領域とからなり、前記中心
能動領域が少なくとも磁気抵抗効果素子膜、中間層金属
膜、軟磁性膜からなる横バイアス膜の三層が連続的に形
成されたものからなる磁気抵抗効果ヘッドに於いて、前
記磁気抵抗効果素子膜は前記中心能動領域及び前記受動
領域にわたって形成され、前記軟磁性膜からなる横バイ
アス膜と前記中間層金属膜は前記中心能動領域のみに形
成され、前記受動領域の前記磁気抵抗効果素子膜の上
に、順次、反強磁性膜、永久磁石膜、下地膜、電極膜が
形成されたことを特徴とし、且つ、前記反強磁性膜は、
前記受動領域の前記磁気抵抗効果素子膜と交換結合によ
り形成され、前記反強磁性膜は、前記磁気抵抗効果素子
膜に縦バイアスを発生させ、前記永久磁石膜は、軟磁性
膜からなる横バイアス膜に縦バイアスを発生させること
を特徴とする。
子は、所定の長さと幅を有する中心能動領域と、その両
側に隣接して形成された受動領域とからなり、前記中心
能動領域が少なくとも磁気抵抗効果素子膜、中間層金属
膜、軟磁性膜からなる横バイアス膜の三層が連続的に形
成されたものからなる磁気抵抗効果ヘッドに於いて、前
記磁気抵抗効果素子膜は前記中心能動領域及び前記受動
領域にわたって形成され、前記軟磁性膜からなる横バイ
アス膜と前記中間層金属膜は前記中心能動領域のみに形
成され、前記受動領域の前記磁気抵抗効果素子膜の上
に、順次、反強磁性膜、永久磁石膜、下地膜、電極膜が
形成されたことを特徴とし、且つ、前記反強磁性膜は、
前記受動領域の前記磁気抵抗効果素子膜と交換結合によ
り形成され、前記反強磁性膜は、前記磁気抵抗効果素子
膜に縦バイアスを発生させ、前記永久磁石膜は、軟磁性
膜からなる横バイアス膜に縦バイアスを発生させること
を特徴とする。
【０００８】さらに、本発明の磁気抵抗効果素子は、所
定の長さと幅を有する中心能動領域と、その両側に隣接
して形成きれた受動領域とからなり、前記中心能動領域
が少なくとも軟磁性膜からなる横バイアス膜、中間層金
属膜、磁気抵抗効果素子膜の三層が連続的に形成された
ものからなる磁気抵抗効果ヘッドに於いて、前記軟磁性
膜からなる横バイアス膜は前記中心能動領域及び前記受
動領域にわたって形成され、前記磁気抵抗効果素子膜と
前記中間層金属膜は前記中心能動領域のみに形成され、
前記受動領域の前記軟磁性膜からなる横バイアス膜の上
に、順次、反強磁性膜、永久磁石膜、下地膜、電極膜が
形成されたことを特徴とし、且つ、前記反強磁性膜は、
前記受動領域の前記軟磁性膜からなる横バイアス膜と交
換結合により形成され、前記反強磁性膜は、前記軟磁性
膜からなる横バイアス膜に縦バイアスを発生させ、前記
永久磁石膜は、前記磁気抵抗素子膜に縦バイアスを発生
させることを特徴とする。
定の長さと幅を有する中心能動領域と、その両側に隣接
して形成きれた受動領域とからなり、前記中心能動領域
が少なくとも軟磁性膜からなる横バイアス膜、中間層金
属膜、磁気抵抗効果素子膜の三層が連続的に形成された
ものからなる磁気抵抗効果ヘッドに於いて、前記軟磁性
膜からなる横バイアス膜は前記中心能動領域及び前記受
動領域にわたって形成され、前記磁気抵抗効果素子膜と
前記中間層金属膜は前記中心能動領域のみに形成され、
前記受動領域の前記軟磁性膜からなる横バイアス膜の上
に、順次、反強磁性膜、永久磁石膜、下地膜、電極膜が
形成されたことを特徴とし、且つ、前記反強磁性膜は、
前記受動領域の前記軟磁性膜からなる横バイアス膜と交
換結合により形成され、前記反強磁性膜は、前記軟磁性
膜からなる横バイアス膜に縦バイアスを発生させ、前記
永久磁石膜は、前記磁気抵抗素子膜に縦バイアスを発生
させることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００１０】図１及び図２は、本発明のＭＲヘッドの第
一の実施の形態を示す図である。図２はＭＲ素子部１７
が、磁気記憶媒体（図示せず）ヘの記録を行うインダク
ティブへッドと組み合わされた複合ヘッドとして構成さ
れたＭＲヘッド全体の概略斜視図を示し、図１はＭＲ素
子部１７をヘッドのＡＢＳ面１５（浮揚面）から見た概
略断面図である。図１に示すように、ＭＲ素子部１は、
磁気記録媒体に書き込まれた磁気的情報の感磁部に相当
する中心能動領域２と、その両側に隣接して形成された
受動領域３ａ、３ｂとからなり、絶縁層５、１３を介し
て、強磁性体からなる上下のシールド層１４、４の間に
形成されている。この中心能動領域２は、ＭＲ素子膜
６、中間層金属膜７、軟磁性膜８からなる横バイアス膜
８の少なくとも３層が連続的に形成されたものからな
り、前記ＭＲ素子膜６は中心能動領域２及び受動領域３
ａ、３ｂにわたって形成されており、中間層金属膜７及
び前記横バイアス膜８は中心能動領域２のみに形成され
ている。
一の実施の形態を示す図である。図２はＭＲ素子部１７
が、磁気記憶媒体（図示せず）ヘの記録を行うインダク
ティブへッドと組み合わされた複合ヘッドとして構成さ
れたＭＲヘッド全体の概略斜視図を示し、図１はＭＲ素
子部１７をヘッドのＡＢＳ面１５（浮揚面）から見た概
略断面図である。図１に示すように、ＭＲ素子部１は、
磁気記録媒体に書き込まれた磁気的情報の感磁部に相当
する中心能動領域２と、その両側に隣接して形成された
受動領域３ａ、３ｂとからなり、絶縁層５、１３を介し
て、強磁性体からなる上下のシールド層１４、４の間に
形成されている。この中心能動領域２は、ＭＲ素子膜
６、中間層金属膜７、軟磁性膜８からなる横バイアス膜
８の少なくとも３層が連続的に形成されたものからな
り、前記ＭＲ素子膜６は中心能動領域２及び受動領域３
ａ、３ｂにわたって形成されており、中間層金属膜７及
び前記横バイアス膜８は中心能動領域２のみに形成され
ている。
【００１１】この構成は、例えば次の様にして形成され
る。上記ＭＲ素子膜６、中間層金属膜７、横バイアス膜
８の３層を、連続的にスパッタ成膜後、まず、ＭＲ素子
膜６の輪郭に沿った形にパターニングし、次に、中心能
動領域２相当部に、レジストステンシルを形成し、受動
領域３ａ、３ｂ部を、ＭＲ素子膜６を残してイオンミリ
ングすることにより得られる。このようにして形成され
た受動領域３ａ、３ｂのＭＲ素子膜６上に、反強磁性膜
９ａ、９ｂ、永久磁石膜１０ａ、１０ｂ、電極下地膜ｌ
１ａ、１１ｂ、電極膜１２ａ、１２ｂが順次形成されて
いる。
る。上記ＭＲ素子膜６、中間層金属膜７、横バイアス膜
８の３層を、連続的にスパッタ成膜後、まず、ＭＲ素子
膜６の輪郭に沿った形にパターニングし、次に、中心能
動領域２相当部に、レジストステンシルを形成し、受動
領域３ａ、３ｂ部を、ＭＲ素子膜６を残してイオンミリ
ングすることにより得られる。このようにして形成され
た受動領域３ａ、３ｂのＭＲ素子膜６上に、反強磁性膜
９ａ、９ｂ、永久磁石膜１０ａ、１０ｂ、電極下地膜ｌ
１ａ、１１ｂ、電極膜１２ａ、１２ｂが順次形成されて
いる。
【００１２】本願の構成の第―の特徴は、前記反強磁性
膜９ａ、９ｂが、受動領域３ａ、３ｂのＭＲ素子膜６と
隣接して設けられ、互いに交換結合していることであ
る。これにより、ＭＲ素子膜６は、トラック幅方向の−
方向（＋ｘもしくは−ｘ方向）に着磁され、単一ドメイ
ン化が達成される。
膜９ａ、９ｂが、受動領域３ａ、３ｂのＭＲ素子膜６と
隣接して設けられ、互いに交換結合していることであ
る。これにより、ＭＲ素子膜６は、トラック幅方向の−
方向（＋ｘもしくは−ｘ方向）に着磁され、単一ドメイ
ン化が達成される。
【００１３】一方、横バイアス膜８に対しては、前記反
強磁性膜９ａ、９ｂの上に形成され、ＭＲ素子膜６と同
じ方向に着磁された永久磁石膜１０ａ、１０ｂによって
トラック幅方向の縦バイアス磁界が印加され、これによ
り、横バイアス膜８全体の単一ドメイン化が可能とな
る。
強磁性膜９ａ、９ｂの上に形成され、ＭＲ素子膜６と同
じ方向に着磁された永久磁石膜１０ａ、１０ｂによって
トラック幅方向の縦バイアス磁界が印加され、これによ
り、横バイアス膜８全体の単一ドメイン化が可能とな
る。
【００１４】なお、ＭＲ素子膜６に対する横バイアス磁
界は、従来と同様のＳＡＬバイアスにより発生される。
界は、従来と同様のＳＡＬバイアスにより発生される。
【００１５】ここで、ＭＲ素子膜６としては、厚さ５〜
４０ｎｍのＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏが用いられ
る。軟磁性膜８からなる横バイアス膜８としては、厚さ
５〜４０ｎｍのＣｏ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍｏ、Ｎｉ−
Ｆｅ−Ｒｈ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎｂ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ、Ｎ
ｉ−Ｆｅ−Ｍｏ、中間層金属膜７としては、厚さｌ〜５
０ｎｍのＴａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ２０３、Ｓｉ３Ｎ４、
Ｔｉ０２、Ｓｉ０２が用いられる。反強磁性膜９ａ、９
ｂとしては、厚さ５〜５０ｎｍのＦｅ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｍ
ｎ、Ｆｅ−Ｍｎ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｍｎ−Ｃｒ、永久磁石膜
１０ａ、１０ｂとしては厚さ１Ｏ〜５０ｎｍのＣｏ−Ｐ
ｔ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒが用いられ
る。電極膜１２ａ、１２ｂとしては、厚さ５０〜２００
ｎｍのＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏが用いられ、電極下地膜１
１ａ、１１ｂは、Ｗ、Ｍｏが電極の時は、概して不要で
あるが、Ａｕ電極の時は、密着性向上の観点からＴａ、
Ｍｏが用いられ、Ｔａ電極の時は、抵抗値低減の観点か
らＷ、ＷＴｉが用いられる。上下のシールド層１４、４
としては、厚さ１〜４μｍのＮｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｚｒ−
Ｔａ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、絶縁層５、１３としては、厚
さ５〜３０ｎｍのＡｌ２０３、Ｔａ２０５、Ｓｉ３Ｎ
４、Ｔｉ０２、Ｓｉ０２等が用いられる。
４０ｎｍのＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏが用いられ
る。軟磁性膜８からなる横バイアス膜８としては、厚さ
５〜４０ｎｍのＣｏ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍｏ、Ｎｉ−
Ｆｅ−Ｒｈ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎｂ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ、Ｎ
ｉ−Ｆｅ−Ｍｏ、中間層金属膜７としては、厚さｌ〜５
０ｎｍのＴａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ２０３、Ｓｉ３Ｎ４、
Ｔｉ０２、Ｓｉ０２が用いられる。反強磁性膜９ａ、９
ｂとしては、厚さ５〜５０ｎｍのＦｅ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｍ
ｎ、Ｆｅ−Ｍｎ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｍｎ−Ｃｒ、永久磁石膜
１０ａ、１０ｂとしては厚さ１Ｏ〜５０ｎｍのＣｏ−Ｐ
ｔ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒが用いられ
る。電極膜１２ａ、１２ｂとしては、厚さ５０〜２００
ｎｍのＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏが用いられ、電極下地膜１
１ａ、１１ｂは、Ｗ、Ｍｏが電極の時は、概して不要で
あるが、Ａｕ電極の時は、密着性向上の観点からＴａ、
Ｍｏが用いられ、Ｔａ電極の時は、抵抗値低減の観点か
らＷ、ＷＴｉが用いられる。上下のシールド層１４、４
としては、厚さ１〜４μｍのＮｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｚｒ−
Ｔａ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、絶縁層５、１３としては、厚
さ５〜３０ｎｍのＡｌ２０３、Ｔａ２０５、Ｓｉ３Ｎ
４、Ｔｉ０２、Ｓｉ０２等が用いられる。
【００１６】図３は、本発明の第二の実施の形態を示す
図である。本実施例では、第一の実施例と同様、ＭＲ素
子部１７は、所定の長さと幅を有する中心能動領域１８
と、その両側に隣接して形成された受動領域１９ａ、１
９ｂとからなる。第一の実施例と異なるのは、中心能動
領域１８の積層順が逆に成っており、軟磁性膜２２から
なる横バイアス膜２２、中間層金属膜２３、ＭＲ素子膜
２４の順に、三層が連続的に形成されたものからなり、
前記軟磁性膜２２からなる横バイアス膜２２が中心能動
領域１８及び受動領域１９ａ、１９ｂにわたって形成さ
れ、前記ＭＲ素子膜２４と中間層金属膜２３が中心能動
領域１８のみに形成されている点である。
図である。本実施例では、第一の実施例と同様、ＭＲ素
子部１７は、所定の長さと幅を有する中心能動領域１８
と、その両側に隣接して形成された受動領域１９ａ、１
９ｂとからなる。第一の実施例と異なるのは、中心能動
領域１８の積層順が逆に成っており、軟磁性膜２２から
なる横バイアス膜２２、中間層金属膜２３、ＭＲ素子膜
２４の順に、三層が連続的に形成されたものからなり、
前記軟磁性膜２２からなる横バイアス膜２２が中心能動
領域１８及び受動領域１９ａ、１９ｂにわたって形成さ
れ、前記ＭＲ素子膜２４と中間層金属膜２３が中心能動
領域１８のみに形成されている点である。
【００１７】この場合、受動領域１９ａ、１９ｂの軟磁
性膜２２からなる横バイアス膜２２の上に、反強磁性膜
２５ａ、２５ｂ、永久磁石膜２６ａ、２６ｂ、電極下地
膜２７ａ、２７ｂ、電極膜２８ａ、２８ｂの順に形成さ
れ、前記反強磁性膜２５ａ、２５ｂは、受動領域１９
ａ、１９ｂの軟磁性膜２２からなる横バイアス膜２２と
交換結合する事により前記軟磁性膜２２に縦バイアスを
発生させ、前記永久磁石膜２６ａ、２６ｂは、ＭＲ素子
膜２４に縦バイアスを発生させる構成と成っている。こ
の構成により、第一の実施例と同様、ＭＲ素子膜２４と
横バイアス膜２２、双方の単一ドメイン化が実現でき
る。
性膜２２からなる横バイアス膜２２の上に、反強磁性膜
２５ａ、２５ｂ、永久磁石膜２６ａ、２６ｂ、電極下地
膜２７ａ、２７ｂ、電極膜２８ａ、２８ｂの順に形成さ
れ、前記反強磁性膜２５ａ、２５ｂは、受動領域１９
ａ、１９ｂの軟磁性膜２２からなる横バイアス膜２２と
交換結合する事により前記軟磁性膜２２に縦バイアスを
発生させ、前記永久磁石膜２６ａ、２６ｂは、ＭＲ素子
膜２４に縦バイアスを発生させる構成と成っている。こ
の構成により、第一の実施例と同様、ＭＲ素子膜２４と
横バイアス膜２２、双方の単一ドメイン化が実現でき
る。
【００１８】
【発明の効果】以上述ベたように、本願によれば、ＭＲ
素子膜と軟磁性膜からなる横バイアス膜双方に縦バイア
スを発生させることにより、双方の膜の単一ドメイン化
を図ることが出るので、バルクハウゼンノイズの発生を
低減できた良好なＭＲヘッドを提供できるという効果が
ある。
素子膜と軟磁性膜からなる横バイアス膜双方に縦バイア
スを発生させることにより、双方の膜の単一ドメイン化
を図ることが出るので、バルクハウゼンノイズの発生を
低減できた良好なＭＲヘッドを提供できるという効果が
ある。
【図１】本発明のＭＲヘッドの第一の実施の形態を示
す、ヘッド浮揚面（ＡＢＳ面）から見た概略断面図であ
る。
す、ヘッド浮揚面（ＡＢＳ面）から見た概略断面図であ
る。
【図２】本発明のＭＲヘッド全体の概略斜視図である。
【図３】本発明のＭＲヘッドの第二の実施の形態を示
す、ヘッド浮揚面（ＡＢＳ面）から見た概略断面図であ
る。
す、ヘッド浮揚面（ＡＢＳ面）から見た概略断面図であ
る。
【図４】従来のＭＲヘッドのＭＲ素子部を示す概略断面
図である。
図である。
【図５】従来のＭＲヘッドのＭＲ素子部を示す概略断面
図である。
図である。
１、１７、３７ ＭＲ素子部 ２、１８、３８ 中心能動領域 ３ａ、３ｂ、１９ａ、１９ｂ、３９ａ、３９ｂ 受動
領域 ４、１４ シールド層 ５、１３ 絶縁層 ８、２２、３２、４２ 軟磁性膜 ７、２３、３３、４３ 中間層金属膜 ６、２４、３４、４４ ＭＲ素子膜 ９ａ、９ｂ、２５ａ、２５ｂ、３５ａ、３５ｂ 反強
磁性膜 １０ａ、１０ｂ、２６ａ、２６ｂ、４５ａ、４５ｂ
永久磁石膜 １１ａ、１１ｂ、２７ａ、２７ｂ 電極下地膜 １２ａ、１２ｂ、２８ａ、２８ｂ、４６ａ、４６ｂ
電極膜 ｌ５ ＡＢＳ面 １６ コイル層
領域 ４、１４ シールド層 ５、１３ 絶縁層 ８、２２、３２、４２ 軟磁性膜 ７、２３、３３、４３ 中間層金属膜 ６、２４、３４、４４ ＭＲ素子膜 ９ａ、９ｂ、２５ａ、２５ｂ、３５ａ、３５ｂ 反強
磁性膜 １０ａ、１０ｂ、２６ａ、２６ｂ、４５ａ、４５ｂ
永久磁石膜 １１ａ、１１ｂ、２７ａ、２７ｂ 電極下地膜 １２ａ、１２ｂ、２８ａ、２８ｂ、４６ａ、４６ｂ
電極膜 ｌ５ ＡＢＳ面 １６ コイル層
Claims (6)
- 【請求項１】 所定の長さと幅を有する中心能動領域
と、その両側に隣接して形成された受動領域とからな
り、前記中心能動領域が少なくとも磁気抵抗効果素子
膜、中間層金属膜、軟磁性膜からなる横バイアス膜の三
層が連続的に形成されたものからなる磁気抵抗効果ヘッ
ドに於いて、前記磁気抵抗効果素子膜は前記中心能動領
域及び前記受動領域にわたって形成され、前記軟磁性膜
からなる横バイアス膜と前記中間層金属膜は前記中心能
動領域のみに形成され、前記受動領域の前記磁気抵抗効
果素子膜の上に、順次、反強磁性膜、永久磁石膜、下地
膜、電極膜が形成されたことを特徴とする磁気抵抗効果
ヘッド。 - 【請求項２】 前記反強磁性膜は、前記受動領域の前記
磁気抵抗効果素子膜と交換結合により形成されたことを
特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項３】 前記反強磁性膜は、前記磁気抵抗効果素
子膜に縦バイアスを発生させ、前記永久磁石膜は、軟磁
性膜からなる横バイアス膜に縦バイアスを発生させるこ
とを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】 所定の長さと幅を有する中心能動領域
と、その両側に隣接して形成きれた受動領域とからな
り、前記中心能動領域が少なくとも軟磁性膜からなる横
バイアス膜、中間層金属膜、磁気抵抗効果素子膜の三層
が連続的に形成されたものからなる磁気抵抗効果ヘッド
に於いて、前記軟磁性膜からなる横バイアス膜は前記中
心能動領域及び前記受動領域にわたって形成され、前記
磁気抵抗効果素子膜と前記中間層金属膜は前記中心能動
領域のみに形成され、前記受動領域の前記軟磁性膜から
なる横バイアス膜の上に、順次、反強磁性膜、永久磁石
膜、下地膜、電極膜が形成されたことを特徴とする磁気
抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】 前記反強磁性膜は、前記受動領域の前記
軟磁性膜からなる横バイアス膜と交換結合により形成さ
れたことを特徴とする請求項４に記載の磁気抵抗効果ヘ
ッド。 - 【請求項６】 前記反強磁性膜は、前記軟磁性膜からな
る横バイアス膜に縦バイアスを発生させ、前記永久磁石
膜は、前記磁気抵抗素子膜に縦バイアスを発生させるこ
とを特徴とする請求項４に記載の磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27594997A JPH11120517A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27594997A JPH11120517A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11120517A true JPH11120517A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17562679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27594997A Pending JPH11120517A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11120517A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449850B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-09-24 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 자기 저항 효과형 헤드 및 그것을 이용한 자기 기록 재생장치 |
-
1997
- 1997-10-08 JP JP27594997A patent/JPH11120517A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449850B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-09-24 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 자기 저항 효과형 헤드 및 그것을 이용한 자기 기록 재생장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0172018B1 (ko) | 자기 저항 효과 소자 | |
| JP3263018B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | |
| JP3828777B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0991629A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP3090254B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP3208906B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH05135332A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH11120517A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP3123928B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2988441B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2874629B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2806305B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0916918A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP3184430B2 (ja) | 磁気媒体に対する記録・再生装置 | |
| JPH05250642A (ja) | 磁気抵抗効果センサ | |
| JP3407995B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| GB2293265A (en) | A magnetoresistive head with lateral biasing | |
| JPH07254114A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH07296335A (ja) | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH11175924A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH06349030A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0729125A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0981910A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 | |
| JPH09305922A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH10154313A (ja) | シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |