JPH11120526A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スピンバルブ素子部を横長の形状にし反強磁
性膜を不要とし、これによって出力の増大及び構成の単
純化を図ったＭＲヘッドを提供すること。 【解決手段】 スピンバルブ素子部１は、第１の強磁性
体層５と、この第１の強磁性体層５の両端部に配置され
第１の強磁性体層５の一方の端部から他方の端部に向け
て磁路を形成する一方と他方の永久磁石層４Ａ，４Ｂ
と、第１の強磁性体層５上に非磁性導電体層６を介して
積層された第２の強磁性体層７と、第２の強磁性体層７
上に非磁性体層８を介して積層された軟磁性体層９とを
備えている。又、第２の強磁性体層７の両端部が各永久
磁石層４Ａ，４Ｂの外端部に当接する構造とし、この各
永久磁石層４Ａ，４Ｂの面が、磁気記憶媒体２０１の面
および当該磁気記憶媒体２０１の磁化方向に対して直交
するようにしたこと。
性膜を不要とし、これによって出力の増大及び構成の単
純化を図ったＭＲヘッドを提供すること。 【解決手段】 スピンバルブ素子部１は、第１の強磁性
体層５と、この第１の強磁性体層５の両端部に配置され
第１の強磁性体層５の一方の端部から他方の端部に向け
て磁路を形成する一方と他方の永久磁石層４Ａ，４Ｂ
と、第１の強磁性体層５上に非磁性導電体層６を介して
積層された第２の強磁性体層７と、第２の強磁性体層７
上に非磁性体層８を介して積層された軟磁性体層９とを
備えている。又、第２の強磁性体層７の両端部が各永久
磁石層４Ａ，４Ｂの外端部に当接する構造とし、この各
永久磁石層４Ａ，４Ｂの面が、磁気記憶媒体２０１の面
および当該磁気記憶媒体２０１の磁化方向に対して直交
するようにしたこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果ヘッ
ド（以下、「ＭＲヘッド」と称す）に係り、とくに、磁
気記録媒体に書き込まれた磁気的情報を磁気抵抗効果を
利用して読み出しを行う磁気抵抗効果ヘッドに関する。
ド（以下、「ＭＲヘッド」と称す）に係り、とくに、磁
気記録媒体に書き込まれた磁気的情報を磁気抵抗効果を
利用して読み出しを行う磁気抵抗効果ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の高密度化に伴い、狭
トラック幅，高線密度での記録再生に対応できる磁気ヘ
ッドとして再生感度の高いＭＲヘッドが実用化され、又
更なる高密度化に応える磁気ヘッドとして、ＧＭＲ（巨
大磁気抵抗効果）を利用した磁気抵抗効果ヘッドが注目
されている。
トラック幅，高線密度での記録再生に対応できる磁気ヘ
ッドとして再生感度の高いＭＲヘッドが実用化され、又
更なる高密度化に応える磁気ヘッドとして、ＧＭＲ（巨
大磁気抵抗効果）を利用した磁気抵抗効果ヘッドが注目
されている。
【０００３】ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）は、非磁性層
をはさむ隣り合う磁性層の磁化が、平行，反平行の場合
で、電気伝導度がスピンに依存した散乱により異なるた
めに起こる現象である。
をはさむ隣り合う磁性層の磁化が、平行，反平行の場合
で、電気伝導度がスピンに依存した散乱により異なるた
めに起こる現象である。
【０００４】磁化の平行一反平行遷移を実現する方法と
して、（ａ）磁性層と非磁性層を交互に積層した多層
膜、（ｂ）磁性層間の保持力差により磁化過程の途中で
磁化の平行一反平行遷移を起こすもの、及び（ｃ）２つ
の磁性層を非磁性層で磁気的に分離してサンドイッチ構
造にすると共に片方の磁性層の磁化を固定する手段を付
加してなるスピンバルブ素子等、種々の膜構造が提案さ
れている。
して、（ａ）磁性層と非磁性層を交互に積層した多層
膜、（ｂ）磁性層間の保持力差により磁化過程の途中で
磁化の平行一反平行遷移を起こすもの、及び（ｃ）２つ
の磁性層を非磁性層で磁気的に分離してサンドイッチ構
造にすると共に片方の磁性層の磁化を固定する手段を付
加してなるスピンバルブ素子等、種々の膜構造が提案さ
れている。
【０００５】この内、（ｃ）のスピンバルブ素子は、特
開平４−３５８３１０号公報に開示されているように、
低磁界で動作し且つ構造が比較的簡単であることから、
実用化が進められている。
開平４−３５８３１０号公報に開示されているように、
低磁界で動作し且つ構造が比較的簡単であることから、
実用化が進められている。
【０００６】スピンバルブ素子は、信号磁界に対して磁
化が自由に動ける「フリ一層」と磁化方向が固定されて
いる「ピン層」とからなる。この「ピン層」の磁化方向
は、通常、隣接して設けられた反強磁性層からの交換結
合によって選択した方向に固定され、非信号条件下で
「フリー層」の磁化方向が「ピン層」の磁化方向に対し
て垂直となるように設定される。
化が自由に動ける「フリ一層」と磁化方向が固定されて
いる「ピン層」とからなる。この「ピン層」の磁化方向
は、通常、隣接して設けられた反強磁性層からの交換結
合によって選択した方向に固定され、非信号条件下で
「フリー層」の磁化方向が「ピン層」の磁化方向に対し
て垂直となるように設定される。
【０００７】又、スピンバルブ素子に信号磁界が印加さ
れる時、「フリー層」の磁化方向が固定された「ピン
層」の磁化方向に対して回転する性質を備えている。そ
して、スピンバルブ素子の出力は「フリー層」の磁化方
向が回転する角度の余弦に比例する。
れる時、「フリー層」の磁化方向が固定された「ピン
層」の磁化方向に対して回転する性質を備えている。そ
して、スピンバルブ素子の出力は「フリー層」の磁化方
向が回転する角度の余弦に比例する。
【０００８】この構造のスピンバルブ素子では、特に、
反強磁性膜が外乱に対してピン層の磁化を完全に固定で
きるか否かが、ポイントである。従って、十分な交換結
合磁界が安定して得られる反強磁性膜の選択が実用上重
要な課題となっている。
反強磁性膜が外乱に対してピン層の磁化を完全に固定で
きるか否かが、ポイントである。従って、十分な交換結
合磁界が安定して得られる反強磁性膜の選択が実用上重
要な課題となっている。
【０００９】一方、この困難さを回避出来るものとし
て、「ピン層」磁化方向を固定するための追加の構造手
段を設ける必要の無いスピンバルブ素子が、特開平６−
２０２２４０号公報において提案されている。図４
（ａ）〜（ｃ）にこれを示す。
て、「ピン層」磁化方向を固定するための追加の構造手
段を設ける必要の無いスピンバルブ素子が、特開平６−
２０２２４０号公報において提案されている。図４
（ａ）〜（ｃ）にこれを示す。
【００１０】この図４（ａ）〜（ｃ）図において、再生
ヘッド部は、基板１２０上に、下地層１２１，強磁性体
から成る第１の層１２２，非磁性体金属層１２３，第２
の強磁性体層１２４の順に形成された矩形状のスピンバ
ルブ素子部１１９を備えている。又、スピンバルブ素子
部１１９は、図４（ｃ）における当該スピンバルブ素子
部１１９の両端部上面に設けた電極層１２６，１２７、
及び前述したスピンバルブ素子部１１９の強磁性体層１
２２，１２４の磁化容易軸１３０に平行な磁界を発生さ
せるバイアス導体１２８（図４（ａ）参照）を備えてい
る。
ヘッド部は、基板１２０上に、下地層１２１，強磁性体
から成る第１の層１２２，非磁性体金属層１２３，第２
の強磁性体層１２４の順に形成された矩形状のスピンバ
ルブ素子部１１９を備えている。又、スピンバルブ素子
部１１９は、図４（ｃ）における当該スピンバルブ素子
部１１９の両端部上面に設けた電極層１２６，１２７、
及び前述したスピンバルブ素子部１１９の強磁性体層１
２２，１２４の磁化容易軸１３０に平行な磁界を発生さ
せるバイアス導体１２８（図４（ａ）参照）を備えてい
る。
【００１１】又、前述した各強磁性体層１２２，１２４
の磁化容易軸１３０は、強磁性体の縦軸に沿って且つ磁
気記憶媒体上のデータ・トラック幅に対して、垂直に整
列している。
の磁化容易軸１３０は、強磁性体の縦軸に沿って且つ磁
気記憶媒体上のデータ・トラック幅に対して、垂直に整
列している。
【００１２】そして、前述したスピンバルブ素子部１１
９に電極層１２６，１２７を介してセンス電流が印加さ
れると、この電流に伴う磁界が発生し、各強磁性体層中
の磁化の方向１３１，１３２が磁化容易軸１３０に対し
て大きさが等しく方向が逆の方向（例えば＋α方向に対
して−α方向）の角度に設定される。そして、この磁化
の方向１３１，１３２は、どちらの強磁性体中でも固定
されず、自由に信号磁界に応答する。
９に電極層１２６，１２７を介してセンス電流が印加さ
れると、この電流に伴う磁界が発生し、各強磁性体層中
の磁化の方向１３１，１３２が磁化容易軸１３０に対し
て大きさが等しく方向が逆の方向（例えば＋α方向に対
して−α方向）の角度に設定される。そして、この磁化
の方向１３１，１３２は、どちらの強磁性体中でも固定
されず、自由に信号磁界に応答する。
【００１３】ここで、磁気記憶媒体（図示せず）から、
十分な大きさの信号磁界がスピンバルブ素子１１９の長
手方向に印加されるならば、両方の強磁性体中の磁化方
向１３１，１３２は磁化容易軸１３０に対して大きさが
ほぼ等しく方向が逆の角度で回転する。
十分な大きさの信号磁界がスピンバルブ素子１１９の長
手方向に印加されるならば、両方の強磁性体中の磁化方
向１３１，１３２は磁化容易軸１３０に対して大きさが
ほぼ等しく方向が逆の角度で回転する。
【００１４】従って、この図４に示す従来例にあって
は、一方の強磁性体層の磁化が固定されるタイプに比べ
て、「ピン層」の磁化方向を固定するための追加の構造
手段が不要で有るばかりでなく、磁化方向の角度差が２
倍変化するので、原理的にはその余弦に比例した大きな
出力（抵抗変化）が得られる。
は、一方の強磁性体層の磁化が固定されるタイプに比べ
て、「ピン層」の磁化方向を固定するための追加の構造
手段が不要で有るばかりでなく、磁化方向の角度差が２
倍変化するので、原理的にはその余弦に比例した大きな
出力（抵抗変化）が得られる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、スピンバルブ素子１１９が磁気記憶媒体と垂
直方向に縦長形状で配設されている（タテ型）ため、実
際上は原理通りの特性は得られない。
来例では、スピンバルブ素子１１９が磁気記憶媒体と垂
直方向に縦長形状で配設されている（タテ型）ため、実
際上は原理通りの特性は得られない。
【００１６】これは、周知のように、磁気記憶媒体から
の信号磁界強度は、磁気記憶媒体から離れるにつれて減
衰する（距離の２乗に反比例）ため、十分な大きさの信
号磁界は、縦長状素子のＡＢＳ（磁気記憶媒体に対する
浮揚面）近傍に限られるからである。従って、上記従来
例にあっては、スピンバルブ素子１１９内の磁化は、Ａ
ＢＳ近傍しか回転しないため抵抗変化及び出力は極めて
小さい。
の信号磁界強度は、磁気記憶媒体から離れるにつれて減
衰する（距離の２乗に反比例）ため、十分な大きさの信
号磁界は、縦長状素子のＡＢＳ（磁気記憶媒体に対する
浮揚面）近傍に限られるからである。従って、上記従来
例にあっては、スピンバルブ素子１１９内の磁化は、Ａ
ＢＳ近傍しか回転しないため抵抗変化及び出力は極めて
小さい。
【００１７】また、上記従来例では開示されていない
が、スピンバルブ素子部１１９は、再生磁界分解能を高
めるため、通常は所定の絶縁層を介してその上下に設け
た一対のシ−ルド磁性膜の間に配設される。
が、スピンバルブ素子部１１９は、再生磁界分解能を高
めるため、通常は所定の絶縁層を介してその上下に設け
た一対のシ−ルド磁性膜の間に配設される。
【００１８】更に、高記録密度化に伴って磁気記憶媒体
の走行方向の記録密度（線密度）が高くなるが、高い線
密度に記録された磁気記憶媒体からの信号磁界を効率よ
く再生するには、スピンバルブ素子部１１９とシールド
磁性膜との距離（ギャップ）は、小さくする必要があ
る。
の走行方向の記録密度（線密度）が高くなるが、高い線
密度に記録された磁気記憶媒体からの信号磁界を効率よ
く再生するには、スピンバルブ素子部１１９とシールド
磁性膜との距離（ギャップ）は、小さくする必要があ
る。
【００１９】しかしながら、上記従来例では、センス電
流通電用の電極層１２６を、ＡＢＳ面側に配設する必要
があるため、上述したギャップは、少なくとも電極層１
２６の厚さ分だけは必要であって、これを小さくするこ
とはできない。
流通電用の電極層１２６を、ＡＢＳ面側に配設する必要
があるため、上述したギャップは、少なくとも電極層１
２６の厚さ分だけは必要であって、これを小さくするこ
とはできない。
【００２０】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例に有する不都合
を改善し、特にスピンバルブ素子を横長の形状にすると
共に反強磁性膜を不要とし、これによって出力の増大及
び構成の単純化を図り且つ動作の安定した比較的安価な
磁気抵抗効果ヘッドを提供することを、その目的とす
る。
を改善し、特にスピンバルブ素子を横長の形状にすると
共に反強磁性膜を不要とし、これによって出力の増大及
び構成の単純化を図り且つ動作の安定した比較的安価な
磁気抵抗効果ヘッドを提供することを、その目的とす
る。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明では、両面が一方と他方の絶縁
層によって被覆されその各外面が一方と他方のシールド
磁性層によって被覆されスピンバルブ素子部（中心能動
領域）を備え、このスピンバルブ素子部の両端部に一方
と他方の電極膜が付されて成る磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前述したスピンバルブ素子部（中心能動領域）
を、一方の絶縁層に当接して積層された第１の強磁性体
層と、この第１の強磁性体層の両端部に当接して配置さ
れると共に前述した一方の絶縁層に当接して積層された
一方と他方の永久磁石層と、第１の強磁性体層上に非磁
性導電体層を介して当該第１の強磁性体層を包むように
して積層された第２の強磁性体層と、この第２の強磁性
体層上に非磁性体層を介して積層された軟磁性体層とを
備えた構成とする。
め、請求項１記載の発明では、両面が一方と他方の絶縁
層によって被覆されその各外面が一方と他方のシールド
磁性層によって被覆されスピンバルブ素子部（中心能動
領域）を備え、このスピンバルブ素子部の両端部に一方
と他方の電極膜が付されて成る磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前述したスピンバルブ素子部（中心能動領域）
を、一方の絶縁層に当接して積層された第１の強磁性体
層と、この第１の強磁性体層の両端部に当接して配置さ
れると共に前述した一方の絶縁層に当接して積層された
一方と他方の永久磁石層と、第１の強磁性体層上に非磁
性導電体層を介して当該第１の強磁性体層を包むように
して積層された第２の強磁性体層と、この第２の強磁性
体層上に非磁性体層を介して積層された軟磁性体層とを
備えた構成とする。
【００２２】そして、この一方と他方の各永久磁石層の
面を同一面上に配置する。更に、この各永久磁石層の層
の面が、磁気記憶媒体の面および当該磁気記憶媒体の磁
化方向に対して直交するようにスピンバルブ素子部をヘ
ッド本体に固定装備する、という構成を採っている。
面を同一面上に配置する。更に、この各永久磁石層の層
の面が、磁気記憶媒体の面および当該磁気記憶媒体の磁
化方向に対して直交するようにスピンバルブ素子部をヘ
ッド本体に固定装備する、という構成を採っている。
【００２３】このため、この請求項１記載の発明では、
まず、図３に示すように、＋ｘ方向に着磁された永久磁
石４Ａ，４Ｂの内側先端の近傍と第１の強磁性体層５の
両端部とが近接して配設されていることから、第１の強
磁性体層５には、−ｘ方向の磁界が印加される。又、永
久磁石４Ａ，４Ｂの外側両端と第２の強磁性体層７の両
端部とが近接して配設されていることから、第２の強磁
性体層７には、第１の強磁性体層５とは逆方向（＋ｘ方
向）の磁界が印加される。
まず、図３に示すように、＋ｘ方向に着磁された永久磁
石４Ａ，４Ｂの内側先端の近傍と第１の強磁性体層５の
両端部とが近接して配設されていることから、第１の強
磁性体層５には、−ｘ方向の磁界が印加される。又、永
久磁石４Ａ，４Ｂの外側両端と第２の強磁性体層７の両
端部とが近接して配設されていることから、第２の強磁
性体層７には、第１の強磁性体層５とは逆方向（＋ｘ方
向）の磁界が印加される。
【００２４】更に、スピンバルブ素子１中を流れるセン
ス電流Ｉｓにより、軟磁性体層９は、従来のＭＲ素子に
おけるＳＡＬ膜と同様にして、−ｚ方向に磁化され、こ
の磁化によって前述した第１及び第２の強磁性体層５及
び７に、＋ｚ方向の磁界が印加される。
ス電流Ｉｓにより、軟磁性体層９は、従来のＭＲ素子に
おけるＳＡＬ膜と同様にして、−ｚ方向に磁化され、こ
の磁化によって前述した第１及び第２の強磁性体層５及
び７に、＋ｚ方向の磁界が印加される。
【００２５】そして、永久磁石４Ａ，４Ｂからの磁界と
軟磁性体層９からの磁界の合成によって、第１及び第２
の強磁性体層５及び７の磁化は、矢印ＢおよびＣで示す
ように、スピンバルブ素子１の幅方向（ｚ方向）に対し
てほぼ大きさが等しく方向が逆の角度に設定される。即
ち、二つの強磁性体層５及び７の磁化を、磁気記憶媒体
の信号磁界の方向に対し、例えば各々約＋４５°及び−
４５°にバイアスすることとなる。
軟磁性体層９からの磁界の合成によって、第１及び第２
の強磁性体層５及び７の磁化は、矢印ＢおよびＣで示す
ように、スピンバルブ素子１の幅方向（ｚ方向）に対し
てほぼ大きさが等しく方向が逆の角度に設定される。即
ち、二つの強磁性体層５及び７の磁化を、磁気記憶媒体
の信号磁界の方向に対し、例えば各々約＋４５°及び−
４５°にバイアスすることとなる。
【００２６】−ｚ方向の信号磁界に対しては、第１の磁
性体層５の磁化Ｂは−ｘ軸方向に近づく方向に回転する
のに対し、第２の強磁性体層７の磁化Ｃは＋ｘ軸方向に
近づく方向に回転するので、互いの磁化方向の成す角
は、大きくなる。この場合、スピンバルブ素子部１の抵
抗は、両磁性体層５，７の磁化の成す角の余弦に比例し
て変化するので、片方の磁性層の磁化を固定するタイプ
に比べて、大きな抵抗変化が得られる。このため、再生
信号の出力は増大する。
性体層５の磁化Ｂは−ｘ軸方向に近づく方向に回転する
のに対し、第２の強磁性体層７の磁化Ｃは＋ｘ軸方向に
近づく方向に回転するので、互いの磁化方向の成す角
は、大きくなる。この場合、スピンバルブ素子部１の抵
抗は、両磁性体層５，７の磁化の成す角の余弦に比例し
て変化するので、片方の磁性層の磁化を固定するタイプ
に比べて、大きな抵抗変化が得られる。このため、再生
信号の出力は増大する。
【００２７】請求項２記載の発明では、前述した請求項
１記載の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、一方と他方の永
久磁石層の前述した第１の強磁性体層側を断面クサビ状
に形成する。この各永久磁石層のクサビ部分に合わせて
前述した第１の強磁性体層の両端部の所定領域を前述し
た一方の絶縁層から立ち上がった状態の曲折した形状と
し、同時に、この第１の強磁性体層の曲折した箇所に前
述した各永久磁石層のクサビ部分を挿入した状態で連接
し積層する、という構成を採っている。
１記載の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、一方と他方の永
久磁石層の前述した第１の強磁性体層側を断面クサビ状
に形成する。この各永久磁石層のクサビ部分に合わせて
前述した第１の強磁性体層の両端部の所定領域を前述し
た一方の絶縁層から立ち上がった状態の曲折した形状と
し、同時に、この第１の強磁性体層の曲折した箇所に前
述した各永久磁石層のクサビ部分を挿入した状態で連接
し積層する、という構成を採っている。
【００２８】このため、この請求項２記載の発明では、
前述した請求項１記載の発明と同等の機能を備えている
と共に、更に、一方と他方の各永久磁石層と第１乃至第
２の強磁性体層とで形成される閉磁路内の磁気的な容量
が大きくなり（磁気抵抗が少なくなり）このため、各永
久磁石層の厚さを薄くすることができ、このため、その
分だけスピンバルブ素子部の厚さを薄くすることがで
き、再生信号の精度向上を図ることが出来る。
前述した請求項１記載の発明と同等の機能を備えている
と共に、更に、一方と他方の各永久磁石層と第１乃至第
２の強磁性体層とで形成される閉磁路内の磁気的な容量
が大きくなり（磁気抵抗が少なくなり）このため、各永
久磁石層の厚さを薄くすることができ、このため、その
分だけスピンバルブ素子部の厚さを薄くすることがで
き、再生信号の精度向上を図ることが出来る。
【００２９】請求項３乃至５記載の各発明では、前述し
た請求項１又は２記載の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
第１の強磁性体層の前述した一方の絶縁層側の面に、一
層又は二層からなる下地層を付す、という構成を採って
いる。
た請求項１又は２記載の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
第１の強磁性体層の前述した一方の絶縁層側の面に、一
層又は二層からなる下地層を付す、という構成を採って
いる。
【００３０】ここで、下地層としては、第１の強磁性体
層をＮｉ−Ｆｅを素材とした場合にはＴａを素材とした
単層構造とすると都合がよい。又、前述した第１の強磁
性体層をＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ又はＦｅ−Ｃｏを素材として
形成した場合には、Ｎｉ−ＦｅとＴａの二層構造とする
と都合がよい。
層をＮｉ−Ｆｅを素材とした場合にはＴａを素材とした
単層構造とすると都合がよい。又、前述した第１の強磁
性体層をＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ又はＦｅ−Ｃｏを素材として
形成した場合には、Ｎｉ−ＦｅとＴａの二層構造とする
と都合がよい。
【００３１】このため、この請求項３乃至５記載の各発
明では、前述した請求項１又は２記載の各発明と同等に
機能するほか、更に、積層構造をより堅牢にすることが
でき、かかる点において従来例の場合に比較して耐久性
増大を図ることができる。
明では、前述した請求項１又は２記載の各発明と同等に
機能するほか、更に、積層構造をより堅牢にすることが
でき、かかる点において従来例の場合に比較して耐久性
増大を図ることができる。
【００３２】請求項６乃至８記載の各発明では、前述し
た請求項１又は２記載の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
一方と他方の各電極に下地層を付す、という構成を採っ
ている。ここで、一方と他方の各電極を素材Ａｕで形成
した場合には、当該各電極の下地層をＴａ又はＭｏを素
材とすると都合がよい。又、一方と他方の各電極を素材
Ｔａで形成した場合には各電極の下地層をＷ又はＷ−Ｔ
ｉを素材とすると都合がよい。
た請求項１又は２記載の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
一方と他方の各電極に下地層を付す、という構成を採っ
ている。ここで、一方と他方の各電極を素材Ａｕで形成
した場合には、当該各電極の下地層をＴａ又はＭｏを素
材とすると都合がよい。又、一方と他方の各電極を素材
Ｔａで形成した場合には各電極の下地層をＷ又はＷ−Ｔ
ｉを素材とすると都合がよい。
【００３３】このため、この請求項６乃至８記載の各発
明では、前述した請求項１又は２記載の各発明と同等に
機能するほか、更に、密着性を高め或いはや抵抗値を少
なくすることができると利点がある。
明では、前述した請求項１又は２記載の各発明と同等に
機能するほか、更に、密着性を高め或いはや抵抗値を少
なくすることができると利点がある。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を、
図１乃至図３に基づいて説明する。ここで、図１はスピ
ンバルブ素子部（中心能動領域）を備えたＭＲヘッド部
をＡＢＳ面から見た場合の概略構成図である。又、図２
はスピンバルブ素子部がインダクティブ記録ヘッドと組
み合わされて装備された場合の複合ヘッド全体を示す概
略斜視図である。更に、図３はスピンバルブ素子部の磁
性層に着目してこれと磁気記憶媒体２０１との位置関係
を示す模式図である。
図１乃至図３に基づいて説明する。ここで、図１はスピ
ンバルブ素子部（中心能動領域）を備えたＭＲヘッド部
をＡＢＳ面から見た場合の概略構成図である。又、図２
はスピンバルブ素子部がインダクティブ記録ヘッドと組
み合わされて装備された場合の複合ヘッド全体を示す概
略斜視図である。更に、図３はスピンバルブ素子部の磁
性層に着目してこれと磁気記憶媒体２０１との位置関係
を示す模式図である。
【００３５】まず、図１において、スピンバルブ素子部
１（中心能動領域）には、図１における上面側及び下面
側に配置した一方と他方の絶縁層３，１１をそれぞれ介
して、一方と他方のシールド磁性層２，１２が、積層さ
れている。即ち、スピンバルブ素子部１は、一方の絶縁
層３及び一方のシールド磁性層２と，他方の絶縁層１１
及び他方のシールド磁性層１２とによって挟まれた状態
で積層されている。
１（中心能動領域）には、図１における上面側及び下面
側に配置した一方と他方の絶縁層３，１１をそれぞれ介
して、一方と他方のシールド磁性層２，１２が、積層さ
れている。即ち、スピンバルブ素子部１は、一方の絶縁
層３及び一方のシールド磁性層２と，他方の絶縁層１１
及び他方のシールド磁性層１２とによって挟まれた状態
で積層されている。
【００３６】上記スピンバルブ素子部１は、幅方向（図
１のＸ方向）に着磁され所定の間隔を隔てて同一面上に
配置された二つの永久磁石パターン４Ａ，４Ｂと、この
永久磁石パターン４Ａ，４Ｂの間に配設された第１の強
磁性体層５と、この第１の強磁性体層５を覆うようにし
て当該第１の強磁性体層５の上に積層された非磁性導電
体層６と、この非磁性導電体層６の全体を覆うようにし
て当該非磁性導電体層６の上に積層された第２の強磁性
体層７と、この第２の強磁性体層７の上に非磁性体層８
を介して積層された軟磁性体層９とを備えた構成となっ
ている。
１のＸ方向）に着磁され所定の間隔を隔てて同一面上に
配置された二つの永久磁石パターン４Ａ，４Ｂと、この
永久磁石パターン４Ａ，４Ｂの間に配設された第１の強
磁性体層５と、この第１の強磁性体層５を覆うようにし
て当該第１の強磁性体層５の上に積層された非磁性導電
体層６と、この非磁性導電体層６の全体を覆うようにし
て当該非磁性導電体層６の上に積層された第２の強磁性
体層７と、この第２の強磁性体層７の上に非磁性体層８
を介して積層された軟磁性体層９とを備えた構成となっ
ている。
【００３７】ここで、第１の強磁性体層５は、図１にお
ける両端部が図１の図面上左右水平面からその先端が、
例えば１５°程度立ち上がった状態に幾分曲折されてい
る。そしてこの曲折され両端部の下面側に前述した二つ
の永久磁石パターン４Ａ，４Ｂのクサビ状に形成された
当接面が挿入され連接した構造となっている。
ける両端部が図１の図面上左右水平面からその先端が、
例えば１５°程度立ち上がった状態に幾分曲折されてい
る。そしてこの曲折され両端部の下面側に前述した二つ
の永久磁石パターン４Ａ，４Ｂのクサビ状に形成された
当接面が挿入され連接した構造となっている。
【００３８】そして、この場合、第１の強磁性体層５
は、その両端部の端面が前述した永久磁石パターン４
Ａ，４Ｂの上側に露出した状態に設定され、当該永久磁
石パターン４Ａ，４Ｂの上面との間に段部が形成された
状態となっている。そして、前述した各層（非磁性導電
体層６，第２の強磁性体層７，非磁性体層８，軟磁性体
層９）は、いずれもこの段部に合わせて順次被覆されて
いる。
は、その両端部の端面が前述した永久磁石パターン４
Ａ，４Ｂの上側に露出した状態に設定され、当該永久磁
石パターン４Ａ，４Ｂの上面との間に段部が形成された
状態となっている。そして、前述した各層（非磁性導電
体層６，第２の強磁性体層７，非磁性体層８，軟磁性体
層９）は、いずれもこの段部に合わせて順次被覆されて
いる。
【００３９】ここで、第２の強磁性体層７は、その両端
部が前述した永久磁石パターン４Ａ，４Ｂの上面にそれ
ぞれ当接した状態に積層されている。また、永久磁石パ
ターン４Ａ，４Ｂは、図３に示すように、一方の永久磁
石パターン４Ａから第１の強磁性体層５を介して他方の
永久磁石パターン４Ｂに向けて一様に磁界を構成するよ
うになっている。
部が前述した永久磁石パターン４Ａ，４Ｂの上面にそれ
ぞれ当接した状態に積層されている。また、永久磁石パ
ターン４Ａ，４Ｂは、図３に示すように、一方の永久磁
石パターン４Ａから第１の強磁性体層５を介して他方の
永久磁石パターン４Ｂに向けて一様に磁界を構成するよ
うになっている。
【００４０】即ち、前述した二つの永久磁石パターン４
Ａ，４Ｂと第１乃至第２の二つの強磁性体層５，７とで
閉磁路が形成され、更に非磁性体層８を介して軟磁性体
層９が積層され、これによって、スピンバルブ素子部
（ＭＲヘッドの中心能動領域）１が形成されている。
Ａ，４Ｂと第１乃至第２の二つの強磁性体層５，７とで
閉磁路が形成され、更に非磁性体層８を介して軟磁性体
層９が積層され、これによって、スピンバルブ素子部
（ＭＲヘッドの中心能動領域）１が形成されている。
【００４１】更に、このスピンバルブ素子部１の図１に
おける両側には、電極層１０Ａ，１０Ｂが連接して設け
られている。この電極層１０Ａ，１０Ｂは、前述した軟
磁性体層９の図１における上面中央部を除いて左右両端
部の各上面全体を覆うようにして，更には前述した永久
磁石パターン４Ａ，４Ｂ，第２の強磁性体層７，非磁性
体層８および軟磁性体層９の図１における両端面に当接
した状態で積層されている。この電極層１０Ａ，１０Ｂ
には、後述するように下地層を付してもよい。
おける両側には、電極層１０Ａ，１０Ｂが連接して設け
られている。この電極層１０Ａ，１０Ｂは、前述した軟
磁性体層９の図１における上面中央部を除いて左右両端
部の各上面全体を覆うようにして，更には前述した永久
磁石パターン４Ａ，４Ｂ，第２の強磁性体層７，非磁性
体層８および軟磁性体層９の図１における両端面に当接
した状態で積層されている。この電極層１０Ａ，１０Ｂ
には、後述するように下地層を付してもよい。
【００４２】更に又、図１に開示した実施形態において
は、第１の強磁性体層５の図１における下側の面に、１
層若しくは２層の下地層５ａが設けられ、その密着性が
強化されている。尚、この下地層５ａについては省略し
てもよい。
は、第１の強磁性体層５の図１における下側の面に、１
層若しくは２層の下地層５ａが設けられ、その密着性が
強化されている。尚、この下地層５ａについては省略し
てもよい。
【００４３】図２において、符号１３は、前述したスピ
ンバルブ素子部１を含むＭＲヘッド部の装備箇所を示
す。また、符号２０はインダクティブ記録ヘッドを示
す。このインダクティブ記録ヘッド２０は、前述したシ
ールド磁性層１２と、このシールド磁性層１２に所定の
磁気的な間隙を隔てて装備された磁気ポール１４とを備
えている。符号１５は、前述した磁気ポール１４とシー
ルド磁性層１２との間の間隙に記録用磁気信号を出力せ
しめる励磁コイルを示す。
ンバルブ素子部１を含むＭＲヘッド部の装備箇所を示
す。また、符号２０はインダクティブ記録ヘッドを示
す。このインダクティブ記録ヘッド２０は、前述したシ
ールド磁性層１２と、このシールド磁性層１２に所定の
磁気的な間隙を隔てて装備された磁気ポール１４とを備
えている。符号１５は、前述した磁気ポール１４とシー
ルド磁性層１２との間の間隙に記録用磁気信号を出力せ
しめる励磁コイルを示す。
【００４４】また、前述した一方と他方の各永久磁石パ
ターン（永久磁石層）４Ａ，４Ｂは、前述したように所
定間隔を隔てて同一面上に配置されている。そして、こ
の各永久磁石層４Ａ，４Ｂの層の面が、磁気記憶媒体２
０１（図３参照）の面および当該磁気記憶媒体２０１の
磁化方向に対して直交するようにスピンバルブ素子部１
をヘッド本体に固定装備されている。
ターン（永久磁石層）４Ａ，４Ｂは、前述したように所
定間隔を隔てて同一面上に配置されている。そして、こ
の各永久磁石層４Ａ，４Ｂの層の面が、磁気記憶媒体２
０１（図３参照）の面および当該磁気記憶媒体２０１の
磁化方向に対して直交するようにスピンバルブ素子部１
をヘッド本体に固定装備されている。
【００４５】次に、上記実施形態におけるスピンバルブ
素子部１の動作を、図３に基づいて説明する。
素子部１の動作を、図３に基づいて説明する。
【００４６】まず、＋ｘ方向に着磁された永久磁石４
Ａ，４Ｂの内側先端の近傍と第１の強磁性体層５の両端
部とが近接して配設されていることにより、当該第１の
強磁性体層５には、−ｘ方向の磁界が印加される。ま
た、永久磁石４Ａ，４Ｂの外側両端と第２の強磁性体層
７の両端部とが近接して配設されていることにより、第
２の強磁性体層７には、第１の強磁性体層５とは逆方向
（＋ｘ方向）の磁界が印加される。
Ａ，４Ｂの内側先端の近傍と第１の強磁性体層５の両端
部とが近接して配設されていることにより、当該第１の
強磁性体層５には、−ｘ方向の磁界が印加される。ま
た、永久磁石４Ａ，４Ｂの外側両端と第２の強磁性体層
７の両端部とが近接して配設されていることにより、第
２の強磁性体層７には、第１の強磁性体層５とは逆方向
（＋ｘ方向）の磁界が印加される。
【００４７】更に、電極層１０Ａ，１０Ｂを介して、前
述したスピンバルブ素子１中を流れるセンス電流Ｉｓに
より、軟磁性膜９は、従来のＭＲ素子におけるＳＡＬ膜
と同様にして、−ｚ方向に磁化し、この磁化によって前
述した第１及び第２の強磁性体層５及び７に、＋ｚ方向
の磁界が印加される。
述したスピンバルブ素子１中を流れるセンス電流Ｉｓに
より、軟磁性膜９は、従来のＭＲ素子におけるＳＡＬ膜
と同様にして、−ｚ方向に磁化し、この磁化によって前
述した第１及び第２の強磁性体層５及び７に、＋ｚ方向
の磁界が印加される。
【００４８】そして、永久磁石４Ａ，４Ｂからの磁界
と、軟磁性膜９からの磁界の合成によって、第１及び第
２の強磁性体層５及び７の磁化は、矢印Ｂ及びＣで示す
ように、スピンバルブ素子１の幅方向（ｚ方向）に対し
てほぼ大きさが等しく方向が逆の角度に設定される。即
ち、二つの強磁性体層５及び７の磁化を、磁気記憶媒体
の信号磁界の方向に対し、例えば磁気記録媒体２０１の
記録面に対して各々約＋４５°及び−４５°にバイアス
することとなる（図３参照）。
と、軟磁性膜９からの磁界の合成によって、第１及び第
２の強磁性体層５及び７の磁化は、矢印Ｂ及びＣで示す
ように、スピンバルブ素子１の幅方向（ｚ方向）に対し
てほぼ大きさが等しく方向が逆の角度に設定される。即
ち、二つの強磁性体層５及び７の磁化を、磁気記憶媒体
の信号磁界の方向に対し、例えば磁気記録媒体２０１の
記録面に対して各々約＋４５°及び−４５°にバイアス
することとなる（図３参照）。
【００４９】そして、各磁性体層５および７の磁化方向
Ｂ，Ｃは、磁気記憶媒体２０１の磁化からの＋ｚ方向の
信号磁界に対しては、双方ともｚ軸方向に近づく方向に
回転するので、互いの磁化方向の成す角は小さくなる。
Ｂ，Ｃは、磁気記憶媒体２０１の磁化からの＋ｚ方向の
信号磁界に対しては、双方ともｚ軸方向に近づく方向に
回転するので、互いの磁化方向の成す角は小さくなる。
【００５０】一方、−ｚ方向の信号磁界に対しては、第
１の磁性体層５の磁化Ｂは−ｘ軸方向に近づく方向に回
転するのに対し、第２の強磁性体層７の磁化Ｃは＋ｘ軸
方向に近づく方向に回転するので、互いの磁化方向Ｂ，
Ｃの成す角は大きくなる。この場合、スピンバルブ素子
部１の抵抗は、両強磁性体層５，７の磁化の成す角の余
弦に比例して変化するので、片方の強磁性体層の磁化を
固定するタイプに比べて、大きな抵抗変化が得られる。
１の磁性体層５の磁化Ｂは−ｘ軸方向に近づく方向に回
転するのに対し、第２の強磁性体層７の磁化Ｃは＋ｘ軸
方向に近づく方向に回転するので、互いの磁化方向Ｂ，
Ｃの成す角は大きくなる。この場合、スピンバルブ素子
部１の抵抗は、両強磁性体層５，７の磁化の成す角の余
弦に比例して変化するので、片方の強磁性体層の磁化を
固定するタイプに比べて、大きな抵抗変化が得られる。
【００５１】ここで、強磁性体層５，７としては、厚さ
１〜５〔ｎｍ〕のＮｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ，又は
Ｃｏ−Ｆｅが用いられる。又、非磁性体層６としては、
厚さ１〜５〔ｎｍ〕のＣｕが用いられる。
１〜５〔ｎｍ〕のＮｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ，又は
Ｃｏ−Ｆｅが用いられる。又、非磁性体層６としては、
厚さ１〜５〔ｎｍ〕のＣｕが用いられる。
【００５２】更に、前述した第１の強磁性体層５の下地
層５ａとしては、第１の強磁性体層５が、Ｎｉ−Ｆｅの
場合は厚さ数〔ｎｍ〕のＴａが用いられる。又、第１の
強磁性体層５が、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ又はＣｏ−Ｆｅの場
合は、厚さ１〜１０〔ｎｍ〕のＮｉ−Ｆｅや、更にその
下層として厚さ数〔ｎｍ〕のＴａを有する二層膜が用い
られる。
層５ａとしては、第１の強磁性体層５が、Ｎｉ−Ｆｅの
場合は厚さ数〔ｎｍ〕のＴａが用いられる。又、第１の
強磁性体層５が、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ又はＣｏ−Ｆｅの場
合は、厚さ１〜１０〔ｎｍ〕のＮｉ−Ｆｅや、更にその
下層として厚さ数〔ｎｍ〕のＴａを有する二層膜が用い
られる。
【００５３】永久磁石層４Ａ，４Ｂとしては、厚さ１０
〜５０〔ｎｍ〕のＣｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，又は
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａが用いられる。非磁性層８としては厚
さ数〔ｎｍ〕〜１０〔ｎｍ〕のＴａ，Ｔｉが用いられ
る。更に、軟磁性体層９としては、厚さ５〜３０〔ｎ
ｍ〕のＣｏ−Ｚｒ−Ｍｏ， Ｃｏ−Ｚｒ，Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｃｒ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎｂ，又はＮｉ−Ｆｅ−Ｍｏ等が用
いられる。
〜５０〔ｎｍ〕のＣｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，又は
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａが用いられる。非磁性層８としては厚
さ数〔ｎｍ〕〜１０〔ｎｍ〕のＴａ，Ｔｉが用いられ
る。更に、軟磁性体層９としては、厚さ５〜３０〔ｎ
ｍ〕のＣｏ−Ｚｒ−Ｍｏ， Ｃｏ−Ｚｒ，Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｃｒ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎｂ，又はＮｉ−Ｆｅ−Ｍｏ等が用
いられる。
【００５４】また、スピンバルブ素子部１の上下のギャ
ップ膜を成す絶縁層３，１１としては、３０〜４００
〔ｎｍ〕のＡｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ2 、又はこれらの混合物が用いられる。
ップ膜を成す絶縁層３，１１としては、３０〜４００
〔ｎｍ〕のＡｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ2 、又はこれらの混合物が用いられる。
【００５５】更に又、電極層１０Ａ，１０Ｂとしては、
厚さ５０〜２００〔ｎｍ〕のＡｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ等が
用いられ、図示はしていないが電極下地膜は、素材Ｗ，
Ｍｏが電極層の時は概して不要であるが、Ａｕ電極の時
は密着性向上の観点から素材Ｔａ，Ｍｏが用いられ、Ｔ
ａ電極の時は抵抗値低減の観点から素材Ｗ，ＷＴｉが用
いられる。
厚さ５０〜２００〔ｎｍ〕のＡｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ等が
用いられ、図示はしていないが電極下地膜は、素材Ｗ，
Ｍｏが電極層の時は概して不要であるが、Ａｕ電極の時
は密着性向上の観点から素材Ｔａ，Ｍｏが用いられ、Ｔ
ａ電極の時は抵抗値低減の観点から素材Ｗ，ＷＴｉが用
いられる。
【００５６】
【発明の効果】以上述べたように、本願によれば、スピ
ンバルブ素子を横長の形状にしたので、磁気記憶媒体と
水平な方向にセンス電流を流す構成（ヨコ型）に対し
て、動作の不安定な反強磁性膜を装備することなくスピ
ンバルブＭＲヘッドを実現することができ、このため構
成が単純化され、その分だけ確実に小型化が可能となり
且つ生産性向上を図ることができ、スピンバルブ素子と
シールド磁性膜との距離（ギャップ）を少なくすること
ができ、従って、磁気記憶媒体上の信号磁界を効率良く
再生することができる。
ンバルブ素子を横長の形状にしたので、磁気記憶媒体と
水平な方向にセンス電流を流す構成（ヨコ型）に対し
て、動作の不安定な反強磁性膜を装備することなくスピ
ンバルブＭＲヘッドを実現することができ、このため構
成が単純化され、その分だけ確実に小型化が可能となり
且つ生産性向上を図ることができ、スピンバルブ素子と
シールド磁性膜との距離（ギャップ）を少なくすること
ができ、従って、磁気記憶媒体上の信号磁界を効率良く
再生することができる。
【００５７】更に、一方と他方の各永久磁石層の面を同
一面上に配置すると共に当該各永久磁石層の層の面が磁
気記憶媒体の面および当該磁気記憶媒体の磁化方向に対
して直交するように前述したスピンバルブ素子部をヘッ
ド本体に固定装備するようにしたことから、前述したよ
うに再生信号の出力増大を図ることができ、構成が単純
化されたことにより、その分、確実に原価低減を図り得
るという従来にない優れた磁気抵抗効果ヘッドを提供す
ることができる。
一面上に配置すると共に当該各永久磁石層の層の面が磁
気記憶媒体の面および当該磁気記憶媒体の磁化方向に対
して直交するように前述したスピンバルブ素子部をヘッ
ド本体に固定装備するようにしたことから、前述したよ
うに再生信号の出力増大を図ることができ、構成が単純
化されたことにより、その分、確実に原価低減を図り得
るという従来にない優れた磁気抵抗効果ヘッドを提供す
ることができる。
【図１】本発明の一実施形態を示すヘッドのスピンバル
ブ素子部を磁気記憶媒体側（ＡＢＳの面側）からみた場
合の概略構成図である。
ブ素子部を磁気記憶媒体側（ＡＢＳの面側）からみた場
合の概略構成図である。
【図２】図１に示すスピンバルブ素子部を組み込んだ複
合ヘッドを示す概略斜視図である。
合ヘッドを示す概略斜視図である。
【図３】図１に示すスピンバルブ素子部の磁性層に着目
してこれと磁気記憶媒体との位置関係を示す模式図であ
る。
してこれと磁気記憶媒体との位置関係を示す模式図であ
る。
【図４】従来のタテ型構成のＭＲヘッドの構成及び動作
を示す説明図で、図４（ａ）は使用状態における一部省
略した概略斜視図、図４（ｂ）はその動作説明図、図４
（ｃ）はその概略構成図である。
を示す説明図で、図４（ａ）は使用状態における一部省
略した概略斜視図、図４（ｂ）はその動作説明図、図４
（ｃ）はその概略構成図である。
１ スピンバルブ素子部 ２ 一方のシールド磁性層 ３ 一方の絶縁層 ４Ａ 一方の永久磁石層（永久磁石パターン） ４Ｂ 他方の永久磁石層（永久磁石パターン） ５ 一方の強磁性体層 ５ａ 下地層 ６ 非磁性導電体層 ７ 他方の強磁性体層 ８ 非磁性体層 ９ 軟磁性体層 １０Ａ 一方の電極層 １０Ｂ 他方の電極層 １１ 他方の絶縁層 １２ 他方のシールド磁性層 ２０１ 磁気記憶媒体
Claims (8)
- 【請求項１】 両面が一方と他方の絶縁層によって被覆
されその各外面が一方と他方のシールド磁性層によって
被覆されて成るスピンバルブ素子部を備え、このスピン
バルブ素子部の両端部に一方と他方の電極層が付されて
成る磁気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記スピンバルブ素子部を、前記一方の絶縁層に当接し
て積層された第１の強磁性体層と、この第１の強磁性体
層の両端部に当接して配置されると共に前記一方の絶縁
層に当接して積層され前記第１の強磁性体層の一方の端
部から他方の端部に向けて磁路を形成する一方と他方の
永久磁石層と、前記第１の強磁性体層上に非磁性導電体
層を介して当該第１の強磁性体層を包むようにして積層
された第２の強磁性体層と、この第２の強磁性体層上に
非磁性体層を介して積層された軟磁性体層とを備えた構
成とし、 前記第２の強磁性体層の両端部が前記一方と他方の永久
磁石層の外端部に当接する構造とし、 この一方と他方の各永久磁石層の面を同一面上に配置す
ると共に、この各永久磁石層の層の面が、磁気記憶媒体
の面および当該磁気記憶媒体の磁化方向に対して直交す
るように前記スピンバルブ素子部をヘッド本体に固定装
備することを特徴とした磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】 前記一方と他方の永久磁石層の前記第１
の強磁性体層側を断面クサビ状に形成し、この各永久磁
石層のクサビ部分に合わせて前記第１の強磁性体層の両
端部の所定領域を前記一方の絶縁層から立ち上がった状
態の曲折した形状とすると共に、この第１の強磁性体層
の曲折した箇所に前記各永久磁石層のクサビ部分を挿入
した状態で連接し積層したことを特徴とする請求項１記
載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項３】 前記第１の強磁性体層の前記一方の絶縁
層側の面に、一層又は二層からなる下地層を付したこと
を特徴とする請求項１又は２記載の磁気抵抗効果ヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記第１の強磁性体層をＮｉ−Ｆｅを素
材として形成すると共に、前記下地層をＴａを素材とし
た単層構造としたことを特徴とする請求項３記載の磁気
抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】 前記第１の強磁性体層をＮｉ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ又はＦｅ−Ｃｏを素材として形成すると共に、前記下
地層をＮｉ−ＦｅとＴａの二層構造としたことを特徴と
する請求項３記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項６】 前記一方と他方の各電極層に下地層を付
したことを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載
の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項７】 前記一方と他方の各電極層を素材Ａｕで
形成すると共に、当該各電極層の下地層をＴａ又はＭｏ
を素材として形成したことを特徴とする請求項６記載の
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項８】 前記一方と他方の各電極層を素材Ｔａで
形成すると共に、当該各電極層の下地層をＷ又はＷ−Ｔ
ｉを素材として形成したことを特徴とする請求項６記載
の磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9285415A JP2924875B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 磁気抵抗効果ヘッド |
| US09/174,876 US6134091A (en) | 1997-10-17 | 1998-10-16 | Spin-valve magneto-resistive head with horizontal type structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9285415A JP2924875B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11120526A true JPH11120526A (ja) | 1999-04-30 |
| JP2924875B2 JP2924875B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=17691233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9285415A Expired - Lifetime JP2924875B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6134091A (ja) |
| JP (1) | JP2924875B2 (ja) |
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-
1997
- 1997-10-17 JP JP9285415A patent/JP2924875B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-16 US US09/174,876 patent/US6134091A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JP2924875B2 (ja) | 1999-07-26 |
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|---|---|---|---|
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